DE2358878A1

DE2358878A1 - Bildschirmanzeigegeraet mit elektronenanregbarer phosphorschicht

Info

Publication number: DE2358878A1
Application number: DE2358878A
Authority: DE
Inventors: David Dewitt
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1972-12-29
Filing date: 1973-11-27
Publication date: 1974-07-04
Also published as: FR2212636B1; US3882355A; JPS5731258B2; GB1443577A; JPS4998930A; FR2212636A1

Description

Aktenzeichen der Anmelderin: PI 972 019

Bildschirmanzeigegerät mit elektronenanregbarer Phosphorschicht

Die Erfindung betrifft ein Bildschirmanzeigegerät mit einer zur Darstellung des Bildes punktweise durch Elektronen anregbaren Phosphorschicht in einem evakuierten Raum."

In herkömmlichen Kathodenstrahlröhren, wie sie bisher zur Bildan-. zeige benutzt wurden ~ z. B; Fernsehempfängerröhren _f Computer- bildsch'irmgeräte, Monitorgeräte - ist der Abstand-Schirm/Elektro-nenstrahlquelle ungefähr gleich der Ausdehnung des Bildes auf dem Schirm. Somit ist das Anzeigegerät relativ sperrig und erfordert u. a. ein großes Gehäuse. Die herkömmlichen Kathodenstrahlröhren haben nureinen Elektronenstrahl, welcher zur Darstellung eines leuchtenden Bildes auf dem Phosphorschirm abzulenken ist. Zur Vermeidung des Abklingens des Bildes auf dem Schirm, muß das Bild wiederholt auf dem Schirm generiert werden. Das erfordert einen Speicher für die wiederzugebende Information. Da jeder Phosphorpunkt nur in einer sehr kleinen Zeiteinheit zu erregen ist, muß er das emittierende Licht mit einer hohen Intensität abgeben. Eine für das menschliche Auge akzeptable Durchschnittsanregung erfordert eine Beschleunigung des Elektronenstrahls auf ca. 20 000 Volt. Bei einer hohen Generierungsrate zur Minimierung des sogenannten Flickerns betragen die Ablenkkosten einen beachtlichen Teil der Anzeigekosten. Bei der Anzeige relativ kleiner Datenmengen ist ein hoher apparativer Aufwand für die Ablenkung-

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oftmals nicht denkbar; das damit verbundene Flimmern stellt eine unangenehme Eigenschaft der Datenanzeige dar. Des weiteren kann die Qualität des auf dem Bildschirm darzustellenden Bildes häufig durch Verzerrungen beeinträchtigt werden, welche sich besonders dann bemerkbar machen, wenn sich der Bildschirm wie es heute besonders häufig ist, als Ausschnitt einer Kugeloberfläche darstellt.

Als Alternative zu den zuvor beschriebenen Kathodenstrahlbildschirmgeräten sind in den letzten Jahren andere Anzeigegeräte entwickelt worden wie elektrolumineszente Panele, Gaspanele, Festkörperanzeigegeräte und die sogenannten Nixiröhren. Die vorstehenden Geräte lösen individuell oftmals die mit Kathodenstrahlbildröhren verbundenen Probleme; sie bringen Vereinfachungen in den Raumerfordernissen mit sich, haben für sich betrachtet jedoch eigene individuelle Nachteile. Es ist deshalb Aufgabe der Erfindung, ein neuartiges Bildschirmänzeigegerät mit einer zur Darstellung des Bildes punktweise durch Elektronen anregbaren Phosphorschicht in einem evakuierten Raum vorzusehen, welches mit relativ niederen Spannungen betrieben werden kann. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß in vorteilhafter Weise dadurch gelöst, daß parallel und in einem bestimmten Abstand zur Phosphorschicht eine Halbleiterschicht aus matrixartig positionierten elektronenemissionsfähigen Stellen angebracht ist, wobei jede dieser Stellen hinsichtlich ihrer Elektronenemission durch eine ihr zugeordneten Schaltung steuerbar ist und daß zwischen der Halbleiter- und Phosphorschicht ein Potential liegt, durch welches die emittierten Elektronen zum Auftreffen auf die Phosphorschicht befähigt werden. In weiterer Ausgestaltung der Erfindung kann in vorteilhafter Weise die Gesamtheit der Schaltungen in der Halbleiterschicht mit integriert sein. Außerdem erweist es sich erfindungsgemäß als vorteilhaft, diese Schaltungen als Elemente eines einzelnen Schieberegisters auszubilden, wobei eine Schieberegisterstufe aus Flipflop-Schaltkreisen realisiert sein kann.

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Zur Erreichung einer Grauskala eines darzustellenden Bildes ist es erfindungsgemäß vorteilhaft, einem Leuchtpunkt auf der Phösphorschicht mehrere benachbarte elektronenemissionsfähige Stellen der Hälbleiterschicht zuzuordnen oder eine in ihrer Emissiqnsrate variierbare elektronenemissionsfähige Stelle der Halbleiterschicht zuzuordnen.

Weitere Merkmale sind den Ansprüchen zu entnehmen.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. .

Es zeigen:

Fig. 1 eine Querschnittsansicht des Anzeigegerätes,

Fig. IA ^ _, eine perspektivische vereinfachte Darstellung

des in Fig. 1 gezeigten Anzeigegerätes,

Fig. 2 ein schematisches Schaltbild einer Schiebere-

.gisterschaltung,

Fig. 2A eine Darstellung der Taktpuls-Folge, zum

Betrieb der in Fig. 2 gezeigten Schaltung,

Fig. 3 eine schematische Aufsicht einer Stufe

_v der Schieberegisterschaltung nach Fig. 2,

"*"" Fig. 4 eine partielle vergrößerte Schnittdarstellung

hinsichtlich der Schnittlinie 4-4 von Fig. 3,

Fig. 5 . " eine schematische vergrößerte Schnittdarstellung

entlang der Schnittlinie 5-5 von Fig.. 3.

In den Fign. 1 und IA ist eine spezielle Ausführungsform eines Anzeigegerätes 50 dargestellt. Das Anzeigegerät 50 hat vorzugs-

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weise einen ebenen Schirm aus einer Glasplatte 52 mit einer Phosphorbeschichtung 54. Ein Metallgefäß 56 bildet zusammen mit der Glasplatte 52 ein evakuierbares Gefäß. Die Verbindung zwischen dem Gefäß 56 und der Glasplatte 52 ist herkömmlich abgedichtet. Innerhalb des Gefäßes ist ein halbleitendes Panelelement 60 auf einer Auflage 61, z. B. einem keramischen Substrat, montiert. Auf dem halbleitenden Panel 60 ist auf der Phosphorschicht 54 zugewandten Seite eine Matrix.von Stellen angebracht, welche Elektronen kalt emittieren können. Verbunden mit jeder dieser Stellen ist eine die Elektronenemission steuernde Halbleiteranordnung. Die Struktur und Arbeitsweise des Panels 60 wird später detailliert beschrieben. Die zum Betrieb des Panels erforderlichen elektrischen Signale werden durch eine geeignete Folge von elektrischen Verbindungen übertragen. Die Kontaktstifte 62 sind in das keramische Substrat 61 eingebettet und mit den verschiedenen Elementen auf dem Halbleiterpanel 60 drahtkontaktiert 63. Die Kontaktaufnähmeη 64 sind über der Gefäßwand 56 in einer Position zum Einrasten der Kontaktstifte 62 angebracht. Elektrische Verbindungen 65 führen zu den von der Gefäßwand 56 isolierten Durchgangskontaktstiften 66. Ein Kontaktel'ement 68 auf dem Kontaktstift 62 dient dem elektrischen Kontakt mit der leitenden Phosphorschicht 54.

Fig. IA zeigt das Anzeigegerät 5O in perspektivischer Darstellung.

Im Betrieb liegt ein elektrische Potential von ca. 500 Volt zwischen der leitenden Phosphorschicht und dem Halbleiterpanel 60, welches ein Feld von zur Kaltemission von Elektronen fähigen Stellen (Im folgenden Emissions-Stellen, abgekürzt E-Stellen, genannt) enthält. Der Schirm ist hinsichtlich des Panels 60 positiv vorgespannt. Die von der Matrix der Ε-Stellen auf dem Panel 60 austretenden Elektronen werden zur Phosphorschicht 54 hin derart beschleunigt, so daß die Auftreffstellen aufleuchten oder gar durchbrennen können. Die Bildschirmanordnung kann für irgendeine gewünschte Konfiguration oder Kombination von Konfigurationen von Bildschirmgeräten hergestellt sein. So kann z. B. das ganze Panel für eine einfache Konfiguration benutzt werden? oder alternativ können verschiedene Elemente des Panels

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selektiv ausgewechselt werden ohne Störung der verbleibenden Flächensegmente. Die Spalten und/oder Reihen der Panel-Fläche können der Anzeige spezifischer Daten."zugewiesen werden. Jede der Flächen*kann ohne Störung der angrenzenden Flächen verändert werden. Weiterhin, wie noch detaillierter beschrieben, ist eine Modifikation der Anzeigestruktur für verschiedene Abstufungen von Grau denkbar. " .

Das Halbleiterpanel 60 ist vorzugsweise aus einem Siliziumwafer hergestellt, dessen Oberfläche ein Matrixfeld von Elektronen emittierenden Stellen enthält, die jeweils durch einen Speicherschaltkreis gesteuert v/erden. Der Speicherschaltkreisstatus wird durch serielle Information über entsprechende Adreß · und Treiberschaltungen herbeigeführt , welche auch auf dem Siliziumwafer untergebracht sein können. Am einfachsten ist es, alle Speicherschaltkreise als Elemente"eines einzelnen Schieberegisters auszuführen. Die Elektronen emittierenden Stellen ■- verteilt zwischen den Schaltungen zur Steuerung der Emission ~ bedecken weniger als die ganze gesamte Fläche des Panels 60. Aber die Divergenz der das Panel verlassenden Elektronen in Richtung des phosphorbedeckten Schirmes 52 ist derart, daß halbwegs der ganze Schirm erfaßt ist. Da die Elektronen emittierenden Flächen sehr klein und zahlreich sind, könnten verschiedene Konfigurationen auf dem Schirm durch ein Muster von Lichtpunkten auf dem Phosphor angezeigt werden. Wie vorausgehend geklärt, ist jede der Elektronen emittierenden Stellen mit einer Speicherzeile verbunden. Die Zellen können seriell zu einem statischen Schieberegister verbunden sein. Ein Binärwort mit einem Bit für jede Speicherzelle wird in das Schieberegister eingeführt, bis die gesamte Information, die für ein Bild erforderlich ist, plaziert ist. So wird das gesamte Binärwort in resultierenden Punkten der Phosphor-schicht auf dem Bildschirm ein Bild oder eine Konfiguration darstellen. Für Illustrationszwecke ist entsprechend ein Schieberegister, bei dem alle Zellen ein Pilotlicht aufweisen, vorzusehen, wobei das Pilotlicht mit den Elektronen emittierenden Stellen korrespondiert. Alternativ könnte das Halbleiterpanel

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aus einer Kombination von adressierbaren Stallen für die Darstellung individueller Konfigurationen bestehen, mit entsprechenden Decodierungsschaltungen auf dem Panel zu selektiven Adressen irgendeiner Panel-Stelle, um ein Binärwort in das Schieberegister entsprechend der Panel-Stelle zu laden.

Die Betriebsfähigkeit der Anordnung hängt von der Elektronenemission in das Vakuum von einer halbleitenden Stelle mit einem Überschuß von Minoritätsträgern ab, d.h. von Elektronen. Die Oberfläche dieser Stellen wurde so behandelt, daß deren Affinität zu Elektronen niedriger ist, als die des Vakuums. Dieses Konzept ist angesprochen worden in dem Artikel "A Silicon Negative Affinity Cold Cathode" by E. S. Kohn, IEDM Final Program, IEEE, Oktober 1971, Paper 18.4, p. 138, und auch in dem Artikel "Cold Cathode Electron Emission from Silicon" von E.S. Kohn, APL April 1, 1971. Die Oberfläche des Halbleiters, vorzugsweise Silicium, kann in irgend einer geeigneten Art und Weise behandelt werden, um eine Elektronenaffinität zu erhalten, die niedriger ist, als die zum Vakuum: z. B. durch Vorsehen einer dünnen Cäsiumschicht oder ähnlichem. Elektronenüberschuß in einer Stelle kann durch eine in Durchlaßrichtung vorgespannte Diodenkonfiguration, erzeugt werden, welche eine P-Stelle an der Oberfläche und eine angrenzende N-Stelle umfaßt.

In Fig. 2 ist schematisch eine Stufe des Schieberegisters dargestellt. Jeder Elektronen emittierenden Stelle auf dem Panel ist eine Stufe von einem seriell verbundenen Schieberegister zugeordnet. Die Stufe von dem Schieberegister kann aufgeteilt sein in zwei Sektionen, d. h., eine erste Sektion für die Speicherung eines Bits von einem Binärwort und für die Steuerung der Elektronen emittierenden Stelle und eine zweite Sektion für die zwischenzeitliche Speicherung des Wortes während des Ladens des Schieberegisters. Wie schematisch gezeigt, ist das Speicherelement der ersten Sektion ein Flipflopschaltkreis, bestehend aus den Transistoren 6 und 7; die zweite Stufe besteht aus einem ähnlichen Flipflopschaltkreis unter Benutzung der Transistoren 11 und 12.

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_ 7 —

Zwei'Tafctleiturigen "70 und 72 werden zum Laden des binären Signals in das "Schieberegister benutzt, dessen Operation in weiterer Ausführlichkeit nachstehend beschrieben wird. Die Leitung 74 ist bezüglich der Leitung 75 positiv vorgespannt, welche in der ' vorgezogenen Ausführungsform das Halbleitersubstrat bildet. Die Transistoren Sl bis S6 dienen als Stromquellen für den Betrieb des dargestellten Schieberegisters. Im'Haltestatus, das ist der Status, der zur Steuerung der Elektronen emittierenden Stellen benützt wird; die mit den Stufen des -Schieberegisters verbunden sind > sind beide Taktleitungen 70 und 72 positiv. Der Status der Zelle,-das ist der relative Status von den Transistoren 6 und 7, wird dabei aufrechterhalten. Die Transistoren 5 und- 8 sind beide nichtleitend, weil der Transistor 14 der vorausgehenden Stufe leitend■ist. Wir können willkürlich eine logische "1" für den leitenden Transistor 7 definieren. Der Basisbereich von dem Transistor 7 hat einen Bereich 7A, welcher zur Emission von Elektronen in eine Vaküumüragebung konstruiert'worden ist, wenn die Emitter-" basisdiöde des Transistors 7 in Durchlaßrichtung vorgespannt ist. 7A ist in seinem Wesen nach eine Ausbreitung der Basisdiffusion vom Transistor 7.' Wie in Fig. 3 ausführlicher illustriert (wobei Fig"." 3 " eine vorgezogene spezifische Äusführungsform des Schaltkreises darstellt) , ist 7A eine Ausbreitung^;mit einer vergrößerten Oberfläche 76, die mit einer Schicht 78 versehen ist, deren Elektronenaffinität niedriger ist, als die zum Vakuum. 7A ist zweckmäßig ein dritter Kollektor auf der Bäsis»von dem Transistor 7, getrennt durch ein Vakuum von dem positiv vorgespannten leitenden Schirm'54 des Anzeigegerätes 50. Wenn der Transistor 7 leitend ist,-" wird ein'breiter Punkt auf dem Schirm in der leitenden Phosphorschicht 54 erzeugt. Wenn der Transistor 7 im nichtleitenden Zustand und der Transistor 6 leitend ist, werden keine Elektronen von der Stelle 78 emittiert und auf dem Bildschirmwird ein dunkler Punkt erscheinen. Beim Einschieben des Binärsignales in das"Schieberegister wird der relative leitende Status der" Transistoren 6 und I₁ weicher ein Binärbit von Information repräsentiert, nach rechts in die zweite Sektion auf die Transistoren 11 und 12 übertragen oder verschoben. Das Verschie-

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ben der Information nach rechts wird bewerkstelligt durch eine Pulstaktleitung 70 (Fig. 2A). Die Taktsignalform besteht aus einer kurzen Absenkung der Spannung in Leitung 70 auf Null, gefolgt von einer kurzen aber nicht gleichzeitig auftretenden Absenkung der Spannung in der Leitung 72 auf Null. Wenn die Spannung in Leitung 70 auf Null geht, ist der Transistor 9 nichtleitend und der Status des Flipflops der Transistoren 6 und 7 wird übertragen zu der Flipflopkombination der Transistoren 11 und 12 durch die Transistoren 13 und 10. Wenn die Spannung in der Taktleitung 70 zurückgeführt wird auf ihre ursprüngliche Höhe, wird die Spannung in Leitung 72 reduziert, wodurch der leitende Zustand des Transistors 14 gestoppt wird. Das gestattet, den Status des Flipflops der Transistoren 11 und 12 auf die nächste Stufe über die Leitungen 3 und 4 zu übertragen. Zur gleichen Zeit, in der der Transistor 14 von der vorausgehenden Stufe durch die Pulse in Leitung 72 in den nichtleitenden Zustand gebracht wird und der Status der vorausgehenden Stufe (nicht gezeigt) auf den Leitungen 1 und 2 erscheint, kann die Flipflopkonfiguration der Transistoren 6 und 7 gesetzt werden. Im Betrieb wird ein Wort von η Bits in das Schieberegister aus η Stufen eingeführt und so lange festgehalten, wie es die Anzeige auf dem Schirm erfordert.

Die Halbleiterstruktur zur Implementierung der Schaltung nach Fig. 2 ist in Fig. 3 gezeigt. Diese Technologie ist gemeinhin als Mischtransistorlogik (MTL) bekannt und in einem Artikel "Merged-Transistor Logic (MTL) - A Low-Cost Bipolar Logic Concept" von Horst H. Berger und Siegfried K. Wiedmann im IEEE Journal of Solid State Circuits, Vol. SC-7_f Nr. 5, Oktober 1972, Seite 338-346 beschrieben. Mischtransistorlogik ist relativ neu; dabei wird eine Serie von parallelen Diffusionen in einem Halbleiter ausgenutzt, der mit transversen Metallstreifen verbunden ist. Diese Diffusionen können zusätzlich entgegengesetzte Diffusionstypen enthalten.

In Fig. 3 sind die horizontalen Leitungen Basisdiffusionen. Klei-

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ne Quadrate an den Kreuzungsstellen der vertikalen Metallstreifen und der horizontalen Streifen sind Kollektordiffusionen in den Basisdiffusionen, welche durch Kreuzen der vertikalen Streifen kontaktiert sind. An den Stellen, wo die vertikalen Metallstreifen die horizontalen Diffusions-Regionen kreuzen, sind ohmische Kontakte in Form massiver Kreise. Der Leiterstreifen 74, welcher den ohmischen Kontakt zu den verschiedenen Regionen in der Anordnung bewirkt, ist verbunden mit einer positiven Spannungsquelle. Der Leiter 75 in Fig. 2 ist das mit Masse verbundene Basissubstrat. Metallurgische Leitungen 70 und 72 korrespondieren mit den Taktleitungen 70 und 72 in Fig. 2. Ein Vergleich der Struktur von Fig. 3 mit der schematischen Darstellung in Fig. 2 zeigt, daß die Transistoren Si bis S6 laterale PKP-Transistören sind, wobei das Basissubstrat ~ in Fig. 2 als Leitung 75 injiziert ~ als Basis arbeitet. Die Emitter jedes dieser Transistoren sind diffundierte Regionen, welche in der Fig. 3 durch die Designation des mit einem E indizierten Transistors vermerkt sind. Z. B. ist die Emitterregion des Transistors Sl SIE. Die Emitterdiffusionen für die verbleibenden Transistoren sind einfach durchnumeriert. Die Transistoren 5 bis 14 sind NPH-Transistoren unter dem Gebrauch des Substrates als Emitter (wieder durch die Zahl 75 in Fig. 2 gekennzeichnet). Jede der Basisregionen der zu betrachtenden Transistoren ist in Fig. 3 durch eine Zahl gekennzeichnet, die durch den Buchstaben B indiziert ist. In ähnlicher Weise sind die Kollektoren der zu betrachtenden Transistoren in ihrer Bezugszahl durch den Buchstaben C indiziert.

In Fig. 4 ist eine Schnittansicht gemäß der Schnittlinie 4-4 von Fig. 3 dargestellt. Die Region S4E ist eine P-^Typ Diffusion in, dem N-Substrat 75, das ist der Emitter für den lateralen Transistor S.4. Metallurgische Streifen 80 kontaktieren.zwei Diffusions-regionen IOC und HC, welche die Kollektorregionen der Transistoren 10-,und 11 darstellen. Die Streifen 80 ergeben einen ohmschen Kontakt zu der Diffusionsregion 12B als Basis des Transistors 12 und dienen auch als eine der Kollektorregionen für den Transistor 5. Allgemein sind die diffundierten Regionen SIE bis S6E auf

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positives Potential bezüglich des N--Typsubstrates gelegt, so daß sie als Emitter der PNP-Transistoren dienen und das Substrat als Basis dient. Die Transistoren Sl bis S6 sind somit immer vorgespannt und deshalb fließt ein konstanter Basisstrom der Transistoren 5 bis 14.

Di« Diffusionsregion 7B nach Fig. 3 schließt eine größere Fläche 7ä ein, welche durch eine entsprechende Schicht bedeckt ist, um die Emission von Elektronen in das Vakuum zu erleichtern. Im Betrieb, wenn die Regionen 5B und 6B auf niederem Potential liegen, können die Kollektorregionen 5C und 6C nicht leiten und es tritt ein Strom durch die Region 7 als Kollektor des lateralen PKPs auf, von welchem S2E der Emitter ist. Dieser Strom spannt die Region 7B bezüglich des Substrates in Durchlaßrichtung. Die Region 7A ist ein Teil der Region 7B und wenn diese auf Durchlaß vorgespannt ist, injiziert das Substrat Elektronen hinein. Diese Elektronen, welche zur Oberflächenschicht 78 diffundieren, sind fähig, ins Vakuum zu entweichen.

Das Anzeigegerät kann modifiziert werden, um eine guantisierte Grauskala zu erhalten, sofern dies gewünscht ist. Ein vorzugsweiser Modus einer quantisierten Grauskala besteht in der Fabrikation des Halbleiterpanels mit Unterteilung in einzelne Elektronen emittierende Flächen für einen Bildpunkt, von denen jede durch eine Stufe des Schieberegisters gesteuert wird. Je mehr Stellen Elektronen emittieren, je heller wird der Bildpunkt auf dem Schirm. Eine Binärskala mit 2ⁿ Lichtstufen kann durch N Speicherzellen für jeden Leuchtfleck vorgesehen sein. Jede Zelle von einer Gruppe von N Zellen ist einem Wert in einer Folge 1, 2, 4, 8 zugeordnet und ihre Region 7A hat eine Elektronen emittierende Fläche proportional dem zugeordneten Wert. Die Elektronen emittierenden Flächen jeder Gruppe von II sind einander benachbart positioniert und werden durch eine seperate Schieberegisterzelle gesteuert. Alternativ könnten Abstufungen von Grau durch Variation der Größe der Elektronenemission von jeder der einzelnen Elektronen emittierenden Flächen erzeugt werden

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durch Benutzung eines Quantisierers zur Variation der Zellenintensität. ■""■ - . - ^; '

Das Anzeigegerät kann auch für* sich bewegende Bilder benutzt .. werden. In solch einer Anwendung wird ein dynamisches Schieberegister in Kombination mit einer Phosphorschicht auf dem Schirm benutzt, welche eiJne Abfallzeit hat, die der Zykluszeit des Binärwortes angepaßt· ist. -■ ■ ' - .■'-■." --. ' . :

Ein Lichtgriffel kann an das Anzeigegerät angepaßt sein durch. Speicherung der Bildinformätiön in einem Hilfsspeicher und" der. Abgabe einzelner Pulse über das Schieberegister. Der Lichtgriffel würde eine fotöelektrische Zelle enthalten und ein Zähler würde die Schiebepulse zählen. Die Position des Lichtgriffels wird durch Gebrauch der fotoelektrischen Zellensignale zur Ausblendung der' Schiebepulszähl erhalten. Der ganze Prozeß der Speicherung der Bildinformation, der Aussendung eines einzelnen Pulses durch das Schieberegister und das nochmalige Laden des Bildes kann einer Geschwindigkeit von bis zu einer Million Bildelementen erfolgen, so daß das menschliche Auge" kaum ein· Bildflimmern. . ■ durch den Lichtgriffel währnimmt.tr·.. ' ■ .. .

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Claims

- 12 PATENTANSPRÜCHE

Bildschirmanzeigegerät mit einer zur Darstellung des Bildes punktweise durch Elektronen anregbaren Phosphorschicht in einem evakuierten Raum, dadurch gekennzeichnet, daß parallel und in einem bestimmten Abstand zur Phosphorschicht (54) eine Halbleiterschicht (60) aus matrixartig positionierten elektronenemissionsfähigen Stellen (78) angebracht ist, wobei jede dieser Stellen hinsichtlich ihrer Elektronenemission durch eine ihr zugeordnete Schaltung steuerbar ist und daß zwischen der Halbleiter- (60) und Phosphorschicht (54) ein Potential liegt, durch welches die emittierten Elektronen zum Auftreffen auf die Phosphorschicht (54) befähigt werden.

Anordnung nach Anspruch 1,

dadurch gekennzeichnet, daß die Gesamtheit der Schaltungen zur Steuerung der Elektronenemission in 'der Halbleiter-Schicht (60) mit integriert sind.

Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungen zur Steuerung der Elektronenemission Stufen eines einzelnen Schieberegisters sind.

Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß jede Stufe des Schieberegisters aus zwei Sektionen be- ' steht, von denen die erste zur Speicherung der Steuerinformation, die zweite zur zwischenzeitlichen Aufnahme der Information zum Laden des Schieberegisters dient.

Anordnung nach Anspruch 4,

dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Sektionen einer Schieberegisterstufe als Flipflop-Schaltkreise ausgebildet sind.

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6. Anordnung nach Anspruch I,

dadurch gekennzeichnet:, daß zur Erreichung einer Grauskala, einem Leüchtpunkt auf der Phosphorschicht (54) mehrere benachbarte elektronenemissionsfähige Stellen der Halbleiterschicht (60) zugeordnet sind oder eine in ihrer Emissionsrate variierbare elektronenemissionsfähige Stelle der Halbleiterschicht (54) zugeordnet ist.

7. Anordnung nach Anspruch 3/

dadurch, gekennzeichnet, daß zur Darstellung bewegter Bilder ein dynamisches Schieberegister verwendbar ist, wobei die Abklingzeit der Phosphorschicht (54) der Zykluszeit der Schieberegisterinformation angepaßt ist.

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