DE2344513A1 - Ein-transistor-speicherelement - Google Patents

Ein-transistor-speicherelement

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DE2344513A1 DE19732344513 DE2344513A DE2344513A1 DE 2344513 A1 DE2344513 A1 DE 2344513A1 DE 19732344513 DE19732344513 DE 19732344513 DE 2344513 A DE2344513 A DE 2344513A DE 2344513 A1 DE2344513 A1 DE 2344513A1
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Description

SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT München, 04. SER1973
Berlin und München V.ritiüls"bacherpl.2
vpa . 23U513 73/7145
Ein-Transistor-Speicberelement.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Ein-Transistor-Speicherelement trit einer Kapazität und einem Feldeffekttransistor auf einem Substrat mit einem Substratanschluß, wobei der Gateanschluß des Transistors mit einer Wortleitung verbunden ist und wobei der Source- bzw. Drainanschluß des Transistors mit einer Bitleitung und der Drain- bzw. Sourceanschluß des Transistors mit einer Elektrode der Kapazität verbunden ist.
Ein-Transifitor-Speicherelemente sind bekannt. In der alte ren Patentanmeldung P 21 48 836.0-53 ist unter anderem ein Ein-Transistor-Speiehereleraent beschrieben. Dabei besteht dieses Ein-Transistor-Speicherelernent aus einem Transistor und einem Kondensator. Das Gate des Transistors ist über eine Y/ortleifcpng ansteuerbar. Mit seinem Drain- bzw. Sourceanschluß ist der Transistor mit der Bitleitung verbunden. Mit seinem Source- bzw. Drainanschluß ist der Transistor mit einer Elektrode des Kondensators verbunden. Die Gegenelektroden der Kondensatoren sämtlicher Speicherelemente sind über eine gemeinsame Verbindungsleitung vorzugsweise mit Masse verbunden.
Bei einem wie oben angegebenen Speicherelement sind drei sich kreuzende Leitungen notwendig. Diese sind die V/ortleitung, die orthogonal dazu angeordnete Bitleitung und die parallel sur Wortleitung oder Bitleitung angeordnete Verbindungsleitung.
Eine Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein wie eingangs
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vP/Sla
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angegebenes Ein-Transistor-Speicherelement zu verbessern.
Diese Aufgabe wird durch ein wie eingangs "beschriebenes Ein-Transistor-Speicherelement gelöst, das erfind ungsgetcäß dadurch gekennzeichnet ist, daß eine oder mehrere Gegenciektroden äes Kondensators mit einer oder mehreren anderen, benachbarten Wortleitungen verbunden ist bzw. sind.
Ein Vorteil eines erfindungsgemäßen Ein-Transistor-Speicherelementes besteht darin, daß eine einzige leitung sowohl als Wortleitung für eine Reihe von Speicherelementen als auch als Verfcindungsleitung zwischen den anderen Elektroden einer anderen Reihe von Ein-Transistor-Speicherelementen gemeinsam verwendet wird. Damit entfällt eine eigens dafür vorzusehende Terbindungsleitung, was eine Flächenersparnis bedeutet.
Weitere Erläuterungen zur Erfindung und zu deren Ausgestaltungen gehen aus der Beschreibung und den Figuren bevorzugter Ausführungsbeispiele hervor.
Fig.1 zeigt die Anordnung von erfindungsgemäßen Ein-Transistor-Speichex'elementen in einem Speicherfeld.
Fig.2 zeigt in schematiscber Darstellung die Aufsicht auf ein erfindungsgemäßes Ein-Transistor-Speichereleraent.
Fig.3 zeigt in schematischer Darstellung den in der Figur angegebenen Schnitt dünn ein erfindungsgeraäße3 EinTransistor-Speicherelement.
Fig.4 zeigt in schematischer Darstellung eine Aufsicht auf ein erfindungsgeiDäßes Speicherelement, bei dem die Anschlüsse der Transistoren der Speicherelemente mittels Ionenimplantation hergestellt sind.
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23U513
Tn der Fig.1 ist die Anordnung von Ein-Transistor-Speicberelementen in einen Speicherfeld dargestellt. Das Ein-Transistor-Spc lehrelement besteht aus einem Transistor und
einem Kondensator. Beispielsweise besteht das Speicherelement 5 aus den· Transistor 2 and dem Kondensator 1. In· entsprechender Weise besteht das Speicherelement 51 aus dea
Transistor 21 und dea Kondensator 11. Sämtliche Speicherelemente einer Reihe des Speicherfeldes sind mit ihren Gateanschlüssen cit einor Wortleitung verbunden. Beispielsweise
ist das Speicherelement 5 und sämtliche anderen Speicherelemente' dieser Reibe mit der Wortleitung 4 verbunden. In entsprechender Weise ist das Speicherelement 51 und ssatliche
anderen in dieser Reihe angeordneten Speicbereleaente mit
der Vortleitung 4'' verbunden. Sämtliche Transistoren der
Speicherelemente einer Spalte sind mit ihren Drain- b«v/.
Sourceanscl] u.iffcri. mit einer Bitleitung verbunden. Beispielsweise sind die Speicherelemente 5 bzw. 51 mit ihren Sourcebzvr. PrpiriancchlüRsen der Transistoren 2 bzw. 21 mit der
Bitleitung 3 verbunden. Gemäß eines Merkmals der Erfindung sind die anderen Elektroden der Kondensatoren der Speichereleicente eirer Feine mit der Wortleitung der Speicherelemente der nächsten Keine verbunden. Beispielsweise ist die Elektrode 1b des f'ondeiisators 1 des Speichereletaentes 5- cit der Wortleitung ίΛ verbunden.
Die i'ig.?- zeigt einen Ausschnitt einer Aufsicht auf ein Speicherfeld mit erfindungsgesäGen Ein-TraiiPistor-Speicberelementen.
Die Fig.3 zeigt in schematischer Darstellung einen Schnitt
durch ein erfiucunjsgemäiBes Ein-Trsnsistor-Speichereleioent. Die Schnittlinie ist dabei in der Fig.2 eingetragen und mit III bezeichnet. Einzelheiten der ?ig. 2 und 3, die bereits in der Fig.1 erläutert wurden, tragen die entsprechenden Beohc;!. Das erfindungsgemäße Speicherelement ist auf
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einem Substrat 6 (Fig.3) aufgebaut. Vorzugsweise besteht dieses Substrat aus Silizium, insbesondere aus p-leitendem Silizium, Der Bereich 24 stellt, wie auch aus Fig.?. ersichtlich, gleichzeitig die Bitleitung 3 und den Source-Bereich des Feldeffekttransistors bzw. die Source-Bereiche der mit der Bitleitung verbundenen Feldeffekttransistoren dar. Vorzugsweise besteht der Bereich 24 aus einem η -dotierten Bereich. Das Gebiet 23 stellt die Kanalzone des Feldeffekttransistors dar. JTeben dem Gebiet 23 ist ein weiterer Bereich dargestellt, der mit den Bezugszeichen 1a, 1c und 22 versehen ist. Dieser weitere Bereich ist vorzugsweise η dotiert und stellt in dem mit dem Bezugszeichen 22 bezeichneten Teilbereich das Draingebiet des Feldeffekttransistors dar. Der Teilbereich 1a des v/eiteren Bereiches stellt die eine Elektrode de3 Kondensators 1 des Speicherelementen dar. Der Teilbereich 1c stellt die Verbindung zwischen der Elektrode la des Kondensators 1 und dem Draingebiet 22 des Feldeffekttransistors 2 dar. Auf dem Substrat 6 ist eine elektrisch isolierende Schicht aufgebracht. Vorzugsweise besteht diese elektrisch isolierende Schicht aus SiO? und weist Bereiche 71, 72 unterschiedlicher Dicke auf. In den Bereichen 72 ist die elektrisch isolierende Schicht vorzugsweise etwa 0,12/um dick und in den Bereichen 71 vorzugsweise etwa 1,5/Uai dick. Oberhalb des Bereiches 1a stellt die elektrisch isolierende Schiebt das Dielektrikum des Kondensators und oberhalb des Bereiches 23 den Gateisolator des Feldeffekttransistors dar. Auf der elektrisch isolierenden Schicht 71, 72 ist die elektrisch leitende Schicht 4, 41 aufgebracht (Schnitt IH-III). Die elektrisch leitende Schicht 4 ist identisch mit der Wortleitung A der Fig.2, die elektrisch leitende Schiebt 41 ist identisch mit der Wortleitung 41 der Fig.2. Der Teilbereich 1b der Schicht 41 stellt gleichzeitig die zweite Elektrode des Kondensators 1 dar. Per über der Kanalzone 23 des Feldeffekttransistors 2 angeordnete Teilbereich der Schicht 4 stellt gleichzeitig die Gate-
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elektrode des Feldeffekttransistors 2 äes Speicberelementes dar.
Beim Abschalten einer Wortleitung, "beispielsweise der Wortleitung 41, tritt an der Gegenelektrode des Speieberkondensators, in dem angegebenen Beispiel an der Elektrode 1a des Speicherkondensators, ein nicht störender Spannungssprung auf, der nur eine reversible Spannungsänderung hervorruft.
Parasitäre Kapazitäten, die infolge einer Überlappung zwischen dem vorhandenen Gateanschluß des Transistors und der Bitleitung auftreten, lassen sich durch einen an sich bekannten Ionenimplantationsscbritt vermeiden. In der Pig.4 ist eine Aufsicht auf ein Ein-Transistor-Speicherelement ohne Gateüberlappung zwischen dem Gate des Feldeffekttransistors und der diffundierten Bitleitimg dargestellt. Einzelheiten der Fig.4, die bereits iin Zusammenhang mit den anderen Figuren erläutert wurden, tragen die entsprechenden Bezugszeichen. Das Gate des Transistors 2 ist mit der Wortleitung 4 elektrisch verbunden. Die eine Elektrode des Kondensators 1 ist mit dem Drain-Gebiet des Transistors 2 verbunden, während die andere Elektrode des Kondensators 1 mit der Wortleitung 41 verbunden ist. Das Gate des Transistors 20 ist mit der Wortleitung 41 verbunden. Die eine Elektrode des Kondensators 10 ist mit dem Draingebiet des Transistors 20 und die andere ' Elektrode mit der Wortleitung 4 verbunden. Zur Vermeidung von parasitären Kapazitäten infolge einer Überlappung zwischen dem vorhandenen Gate und der diffundierten Bitleitung sollen geaäS einer Weiterbildung der Erfindung in die Bereiche 25 und 26 des Transistors 2 und in die Bereiche 260 und 250 des Transistors 20 Ionen implantiert werden. Vorzugsweise werden in diese Bereiche Bor- bzw. Phosphorionen 'implantiert.
9 Patentansprüche
4 Figuren
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Claims (8)

23U513 Patentansprüche
1. Ein-Transistor-Speicberelement mit einer Kapazität und . einem Feldeffekttransistor auf einem Substrat mit einem Substratanschluß, wobei der Gateanschluß des Transistors
■ mit einer Wortleitung verbunden ist und wobei der Source- bzw. Drainanschluß des Transistors mit einer Bitleitung und der Drain- bzw. Sourceanschluß des Transistors mit einer Elektrode des Kondensators verbunden ist, dadurch gekennzeichnet , daß eine oder mehrere Gegenelektroden (1b) des Kondensators (1) mit einer oder mehreren anderen, benachbarten Wortleitungen (41) verbunden sind.
2. Ein-Transistor-Speicbereletnent nach Anspruch . 1, dadurch gekennzeichnet , daß in dem Substrat (6) ein diffundierter Bereich (1a, 1c, 22) und ein weiterer diffundierter Bereich (24) angeordnet sind, wobei der Bereich gleichzeitig die Elektrode (1a) des Kondensators (1), den Drain- bzw. Source-Bereich (22) des Transistors (2) und die Verbindung (1c) zwischen der Elektrode (1a) und dem Bereich (22) darstellt, und wobei der v/eitere Bereich (24) gleichzeitig den Source- bzw. Drain-Bereich des Transistors (2) und die Bitleitung (3) darstellt, daß auf dem Substrat (6) eine elektrisch isolierende Schicht (71, 72) aufgebracht ist, wobei diese Schicht (72) oberhalb der Elektrode (1a) das Dielektrikum des Kondensators (1) und oberhalb des zwischen dem Source- bzw. Drain-Bereich (22, 24) angeordneten Kanals (23) des Transistors (2) den Gateisolator des Transistors (2) darstellt, und daß auf der elektrisch isolierenden Schicht (71, 72) eine elektrisch leitende Schicht (4, 41) ange-
■ ordnet ist, wobei diese Schicht oberhalb der Elektrode (1a) die Elektrode (1b) des Kondensators (1) und oberhalb des Kanals (23) des Transistors die Gateelektrode des Transistors darstellt.
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3. Ein-Transistor-Speicherelement nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet , daß das Substrat (6) aus Silizium besteht.
4. Ein-Transistor-Speicherelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß der Bereich (1a, 1c, 22) und der weitere Bereich dotiert
sind.
5. Ein-Transistor-Speicherelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß das Substrat (6) p-dotiert und der Bereich (1a, 1c, 22) und der v/eitere Bereich (24) η -dotiert sind.
6. Ein-Sransistor-Speicherelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet , daß die elektrisch isolierende Schicht (71, 72) aus SiO2 besteht.
7. Ein-Transistor-Speichereleioent nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet , daß die elektrisch leitende Schicht (4j 41) aus Aluminium besteht.
8. Ein-Transistor-Speicherelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet , daß zur Vermeidung von parasitären Kapazitäten in die Drain- bzw. Source-Bereiche (25, 26, 260, 250) der Transistoren(2, 20) Ionen implantiert sind.
9· Verfahren zum Betrieb eines Ein-Transistor-Speicberelementes nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet , daß das Substrat (6) an eine
Vorspannung gelegt wird.
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509813/0476
DE2344513A 1973-09-04 1973-09-04 Matrix mit Ein-Transistor-Speicherelementen Expired DE2344513C3 (de)

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DE2344513B2 DE2344513B2 (de) 1977-12-29
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2310609A1 (fr) * 1975-05-05 1976-12-03 Intel Corp Cellule et paire de cellules de memoire a acces direct sans contact
EP0027881A1 (de) * 1979-09-28 1981-05-06 Siemens Aktiengesellschaft Monolithisch integrierter, zweidimensionaler Bildsensor mit einer differenzbildenden Stufe und Verfahren zu dessen Betrieb
EP0058548A1 (de) * 1981-02-16 1982-08-25 Fujitsu Limited Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung des Typs MOSFET

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2310609A1 (fr) * 1975-05-05 1976-12-03 Intel Corp Cellule et paire de cellules de memoire a acces direct sans contact
EP0027881A1 (de) * 1979-09-28 1981-05-06 Siemens Aktiengesellschaft Monolithisch integrierter, zweidimensionaler Bildsensor mit einer differenzbildenden Stufe und Verfahren zu dessen Betrieb
EP0058548A1 (de) * 1981-02-16 1982-08-25 Fujitsu Limited Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung des Typs MOSFET

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