DE2341216C2 - Process for the complete removal of a carbonaceous material from the surface of a support - Google Patents
Process for the complete removal of a carbonaceous material from the surface of a supportInfo
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Description
Verfahren zur vollständigen Entfernung eines kohlenstoffhaltigen Materials von der Oberfläche eines Trägers. Process for the complete removal of a carbonaceous material from the surface of a support.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur vollständigen Entfernung eines kohlenstoffhaltigen Materials von der Oberfläche eines Trägers gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.The invention relates to a method for completely removing a carbonaceous material from the surface of a carrier according to the preamble of claim 1.
Aus der US-PS 24 43 373 sind ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Entfernung von Kohlenstoff und kohlenstoffhaltigem Material von einem Träger wie z. B. einem Teil einer Brennkraftmaschine bekannt. Aus der US-PS 24 43 373 ist ferner bekannt, daß kohlenstoffhaltiges Material von verschiedenartigen Trägern in einer aus einer Sauerstoff-Ozon-Mischung bestehenden Atmosphäre bei Temperaturen von etwa 150 bis 2600C entfernt werden kann, während zu diesem Zweck in einer ozonfreien Sauerstoffatmosphäre eine Temperatur von 4000C erforderlich ist. Bei der aus der US-PS 43 373 bekannten Vorrichtung wird die benötigte Wärme durch eine heiße Platte erzeugt, die in einem abgeschlossenen System unter einem gelochten Träger-Halteelement angeordnet ist.From US-PS 24 43 373 a method and an apparatus for removing carbon and carbonaceous material from a carrier such. B. known a part of an internal combustion engine. From US-PS 24 43 373 is furthermore known that the carbonaceous material can be removed from various carriers in a group consisting of an oxygen-ozone mixture atmosphere at temperatures of about 150 to 260 0 C, while for this purpose in an ozone-free oxygen atmosphere a temperature of 400 0 C is required. In the device known from US Pat. No. 4,3373, the required heat is generated by a hot plate which is arranged in a closed system under a perforated support-holding element.
Das aus der US-PS 24 43 373 bekannte Verfahren kann zwar wirksame Entfernungsgeschwindigkeiten für kohlenstoffhaltiges Material liefern, jedoch hat es den Nachteil, daß die kohlenstoffhaltiges Material aufweisenden Träger beim Arbeiten im großtechnischen Maßstab vorerhitzt werden müßten, bevor sie in die Sauerstoff-Ozon-Mischung eingeführt werden, da eine heiße Platte keine ausreichende Wärme erzeugen kann, um die Tiägertemperatur mit genügender Geschwindigkeit zu erhöhen. Ferner müßte die Sauerstoff-Ozon-Mischung bei einer ausreichend hohen Temperatur gehalten werden, um ein unerwünschtes Abkühlen des Trägers zu verhindern. Ein übermäßiges Erhitzen der Sauerstoff-Ozon-Mischung führt jedoch zum vorzeitigen Zerfall des Ozons, was die gewünschten Ergebnisse beeinträchtigen würde.The method known from US-PS 24 43 373 can be effective removal rates for provide carbonaceous material, but it has the disadvantage that the carbonaceous material containing When working on a large industrial scale, supports would have to be preheated before they are put into the oxygen-ozone mixture be introduced as a hot plate cannot generate sufficient heat to to increase the daytime temperature with sufficient speed. The oxygen-ozone mixture must also be used be kept at a sufficiently high temperature to avoid undesirable cooling of the carrier to prevent. Excessive heating of the oxygen-ozone mixture however, it leads to the premature decomposition of the ozone, which affects the desired results would.
Aus der US-PS 36 64 899 ist ein Verfahren zur Entfernung von kohlenstoffhaltigem Material von einem Träger, bei dem der Träger nicht vorerhitzt weiden muß, bekannt, das auf der Anwendung von Ultraviolettstrahlung in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre beruht. Bei dem aus der US-PS 36 64 899 bekannten Verfahren wird im Unterschied zu dem Verfahren der US-PS 24 43 373From US-PS 36 64 899 is a method for removing carbonaceous material from a carrier, which does not require the support to be preheated, is known based on the application of ultraviolet radiation based in an oxygen-containing atmosphere. In the process known from US Pat. No. 3,664,899 in contrast to the process of US Pat. No. 2,443,373
.5 keine äußere Heizvorrichtung wie z. B. eine heiße Platte verwendet Die vollständige Entfernung eines kohlenstoffhaltigen Films aus organischem Polymer von der Oberfläche eines Trägers wird bei dem aus der US-PS 36 64 899 bekannten Verfahren dadurch erzielt, daß eine Ultraviolettstrahlungsquelle angewandt wird, die eine Ultraviolettstrahlung mit einer Wellenlänge von 180 bis 350 nm und einer Intensität von mindestens 100 mW/cm2 auf der Oberfläche des Trägers erzeugt In der Ultraviolettstrahlungsquelle, die bei dem aus der US-PS 36 64 899 bekannten Verfahren angewandt wird, z. B. einer Mitteldruckquecksilberdampflampe, ist die Fähigkeit zum Erhitzen des Trägers durch Absorption von Strahlungsenergie mit der Erzeugung von Wärme unter Photodepolymerisation kombiniert Des weiteren verändert die Strahlungsenergie nicht die Temperatur der umgebenden sauerstoffhaltigen Atmosphäre, während andererseits durch die Ultraviolettstrahlungsquelle zur Entfernung des kohlenstoffhaltigen Films ausreichende Wärme erzeugt wird. Versuche haben jedoch gezeigt daß bei dem aus der US-PS 36 64 899 bekannten Verfahren sogar in einer reinen Sauerstoffatmosphäre die Entfernungsgeschwindigkeit des kohlenstoffhaltigen Films einige 10,0 nm/min nicht wesentlich überschreitet. .5 no external heating device such. B. a hot plate is used The complete removal of a carbonaceous film of organic polymer from the surface of a support is achieved in the method known from US Pat to 350 nm and an intensity of at least 100 mW / cm 2 on the surface of the support generated in the ultraviolet radiation source which is used in the method known from US Pat. B. a medium pressure mercury vapor lamp, the ability to heat the support by absorption of radiant energy is combined with the generation of heat by photodepolymerization will. Experiments have shown, however, that in the process known from US Pat. No. 3,664,899, even in a pure oxygen atmosphere, the rate of removal of the carbon-containing film does not significantly exceed a few 10.0 nm / min.
Eine derartige Entfermmgsgt.:chwindigkeit reicht
zwar für eine Vielzahl von Anwendungen aus, ist jedoch beispielsweise für Hersteller von Halbleitern, die an der
kontinuierlichen Entfernung eines negativen Photolacks von Halbleiterscheiben interessiert sind, nicht zufriedenstellend,
da für diesen Zweck eine Entfernungsgeschwindigkeit bis zu 1000 nm/min erwünscht sein kann.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur vollständigen Entfernung eines kohlenstoffhaltigen
Materials von der Oberfläche eines Trägers gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 derart
zu verbessern, daß eine Entfernungsgeschwindigkeit erzielt wird, wie sie beispielsweise für die kontinuierliche
Entfernung eines Photolacks von Halbleiterscheiben erwünscht ist.Such a removal speed is sufficient for a large number of applications, but is unsatisfactory, for example, for manufacturers of semiconductors who are interested in the continuous removal of a negative photoresist from semiconductor wafers, since a removal speed of up to 1000 nm / min may be desirable.
The invention is based on the object of improving a method for the complete removal of a carbonaceous material from the surface of a carrier according to the preamble of claim 1 in such a way that a removal speed is achieved as is desired, for example, for the continuous removal of a photoresist from semiconductor wafers.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß für die Reaktion zwischen dem kohlenstoffhaltigen Material und der
sauerstoffhaltigen Atmosphäre an der Grenzschicht zwischen dem Träger und der sauerstoffhaltigen Atmosphäre
Strahlungsenergie verwendet wird, wobei die Strahlungsenergie durch eine Entladungslampe für Ultraviolettstrahlung
erzeugt wird, die eine Ultraviolettstrahlung mit einer Wellenlänge von 180 bis 350 nm und
einer Intensität von mindestens 100 mW/cm2 auf der Oberfläche des Trägers erzeugt, und daß als sauerstoffhaltige
Atmosphäre eine Sauerstoff-Ozon-Mischung mit 0,5 bis 2% Ozon bei einem Druck von 9333 bis
106,7 kPa verwendet wird.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren wird dieThis object is achieved in that radiant energy is used for the reaction between the carbon-containing material and the oxygen-containing atmosphere at the boundary layer between the carrier and the oxygen-containing atmosphere, the radiation energy being generated by a discharge lamp for ultraviolet radiation which has an ultraviolet radiation with a wavelength of 180 to 350 nm and an intensity of at least 100 mW / cm 2 is generated on the surface of the carrier, and that the oxygen-containing atmosphere is an oxygen-ozone mixture with 0.5 to 2% ozone at a pressure of 9333 to 106.7 kPa is used.
The inventive method is the
Temperatur an der Grenzschicht zwischem dem Träger und der Sauerstoff-Ozon-Mischung auf mindestens etwa 2000C gehalten.Temperature at the boundary layer zwischem the support and the oxygen-ozone mixture to at least about 200 0 C.
Wie aus F i g. 1 ersichtlich ist, kann durch das erfindungsgemäße Verfahren, bei dem eine Entladungslampe für Ultraviolettstrahlung wie z. B. eine Mitteldruckquecksilberdampflampe in Verbindung mit einer Sauerstoff-Ozon-Mischung angewandt wird, im Vergleich zur Anwendung einer derartigen Entladungslampe in Verbindung mit einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre ohne Ozon und zur Anwendung einer Sauerstoff-Ozon-Mischung ohne Ultraviolettstrahlung — jeweils bei derselben Oberflächentemperatur des Trägers — eine bedeutende Verbesserung der Entfernungsgeschwindigkeit eines Photolacks von der Oberfläche eines Trägers erzielt werden. Als Entladungslampen für Ultraviolettstrahlung werden im erfindungsgemäßen Verfahren im allgemeinen Entladungslampen mit einem Gehäuse aus klarem Quarzglas, die Quecksilberdampf unter einem Druck von etwa 49 kPa bis 1,96 MPa enthalten, verwend^t, jedoch können auch andere Entladungslampen für Ultraviolettstrahlung, die eine Ultraviolettstrahlung mit einer Wellenlänge von 180 bis 350 nm emittieren, beispielsweise Xenon-, Metallhalogenid- oder Metalldampfbogenlampen, verwendet werden. Derartige Entladungslampen werden z. B. in »High Vapor Discharge«, W. Ellenbas, North Holland Publishing Company, Amsterdam (1951), näher beschrieben.As shown in FIG. 1 can be seen, by the inventive Method in which a discharge lamp for ultraviolet rays such. B. a medium pressure mercury vapor lamp in connection with an oxygen-ozone mixture is applied, compared to the Use of such a discharge lamp in connection with an oxygen-containing atmosphere without Ozone and for the use of an oxygen-ozone mixture without ultraviolet radiation - each with the same Surface temperature of the support - a significant improvement in the speed of removal a photoresist can be obtained from the surface of a substrate. Discharge lamps for ultraviolet radiation are used in the method according to the invention general discharge lamps with a housing made of clear quartz glass, the mercury vapor under a Contain pressure of about 49 kPa to 1.96 MPa, used, however, other discharge lamps for ultraviolet radiation that use ultraviolet radiation can also be used emit a wavelength of 180 to 350 nm, for example xenon, metal halide or metal vapor arc lamps, be used. Such discharge lamps are z. B. in "High Vapor Discharge", W. Ellenbas, North Holland Publishing Company, Amsterdam (1951).
Zu den organischen Photolacken, die durch das erfindungsgemäße Verfahren von verschiedenen Trägern entfernt werden können, gehören Acethylenpolymere der allgemeinen Formel:The organic photoresists that are produced from various carriers by the method according to the invention Can be removed include acetylene polymers of the general formula:
worin m 0 oder 1 ist und π eine ganze Zahl ist, die mindestens 10 beträgt Wenn m 0 ist, sind die Acetylenpolymere Polymere von Diethinylalkanen (Alkadiinen), Diethinylarenen oder Diethinylhalogenarenen, d. h. R ist Alkylen oder Arylen, wobei alkylsubstituiertes Halogenarylen eingeschlossen ist Die monomeren Diethinylalkane sind durch Reaktion von Natriumacetylid und einem Alkylendihalogenid leicht herstellbar. Die monomeren Diethinylarene und Diethinylhalogenarene sind durch Halogenierung mit anschließender Dehydrohalogenierung der entsprechenden Divisylarene, z. B. Divinylbenzole, Divinyltoluole oder Divinylnaphtaline, oder Diacetylarene, z. B. Diacetylbenzole, Diacetyltoluole, Diacetylxylylene, Diacetylnaphtaline oder Diacetylanthracene, leicht herstellbar.where m is 0 or 1 and π is an integer that is at least 10 When m is 0, the acetylene polymers are polymers of diethinylalkanes (alkadiynes), diethinylarenes or diethinylhalogenoarenes, i.e. R is alkylene or arylene, including alkyl-substituted haloarylene, which includes monomers Diethinylalkanes can easily be prepared by reacting sodium acetylide and an alkylene dihalide. The monomeric Diethinylarenes and Diethinylhalogenarenes by halogenation with subsequent dehydrohalogenation of the corresponding Divisylarenes, z. B. divinylbenzenes, divinyltoluenes or divinylnaphthalenes, or diacetylarenes, e.g. B. diacetylbenzenes, diacetyltoluenes, diacetylxylylene, diacetylnaphthalene or diacetylanthracene, easily produced.
Die Photosensibilisatoren, die in Verbindung mit dem vorstehend erwähnten Acetylenpolymer verwendet werden können, sind beliebige Materialien, die aktinische Strahlung, der sie ausgesetzt werden, absorbieren und derart absorbierte Energie zur Beschleunigung der Vernetzung des Polymers, in das sie eingemischt sind, ausnutzen können. Beispiele dafür sind verschiedene Farbstoffe, Carbonylverbindungen wie z. B. Ketone, Aldehyde, Anhydride und Chinone und 1,4-Diethinylbenzol, die in einer Menge von 0,1 bis 10Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Aeetylenpolymers und des Photosensibilisators, eingesetzt werden.The photosensitizers used in conjunction with the aforementioned acetylene polymer are any materials that absorb actinic radiation to which they are exposed and energy so absorbed to accelerate the crosslinking of the polymer into which they are blended, can take advantage of. Examples are various dyes, carbonyl compounds such. B. ketones, aldehydes, Anhydrides and quinones and 1,4-diethinylbenzene, in an amount of 0.1 to 10 wt .-%, based on the total weight of the Aeetylenpolymer and the Photosensitizer, can be used.
Außer den vorstehend erwähnten Acetylenpolymeren können durch das erfindungsgemäße Verfahren auch organische Polymere entfernt werden, die mit ungesättigten Imidoresien substituiert sind. Zu diesen ungesättigten imidosubstitrierten organischen Polymeren gehören z. B. ungesättigte imidosubstituierte Polyarylenoxide, Polycarbonate, Polyester, Polyamide und Polystyrole. Weitere lichtempfindliche Polymere, die entfernt werden können, sind aus der US-PS 29 48 610, die sich auf Azidpolymere bezieht, und aus der US-PS 27 25 372, die sich auf ungesättigte Ester von Polyvinylalkohol bezieht, bekannt, und ferner können z. B. Cinnamoyl-PoIystyrol-Harze entfernt werden. Weitere lichtempfindliche kohlenstoffhaltige Materialien, die entfernt werden können, sind von Jaromir Korsar inIn addition to the above-mentioned acetylene polymers, by the process of the invention organic polymers that are substituted with unsaturated imidoresies can also be removed. To those unsaturated imido-substituted organic polymers belong e.g. B. unsaturated imido-substituted polyarylene oxides, polycarbonates, polyesters, polyamides and polystyrenes. Other photosensitive polymers that can be removed are from US-PS 29 48 610, the relates to azide polymers; and US Pat. No. 2,725,372 which relates to unsaturated esters of polyvinyl alcohol relates, known, and further z. B. Cinnamoyl polystyrene resins removed. More photosensitive carbonaceous materials that removed are from Jaromir Corsair in
ίο »Light-Sensitive Systems«, John Wiley & Sons, Ina, New York (1965), Kapitel 4, Seiten 137 bis 155 beschrieben. Beispiele dafür sind Poiyvinyicinnamat, Styroi-Maleinsäureanhydrid-Copolymer mit Cinnamid, N-(Cinnamoylphenyl)-urethanderivate, partiell hydrolysiertes Celluloseacetat mit 3- oder 4-(*-Cyanocinnamido)-phtalsäureanhydrid, lösliche Polyamide, lichtempfindliches Cinnamyliden-Arylvinylacetophenon, Polymere, wie sie aus der US-PS 29 08 667 bekannt sind, und Verbindungen vom Chalkontyp wie z. B. Benzolacetophenon. ίο "Light-Sensitive Systems", John Wiley & Sons, Ina, New York (1965), Chapter 4, pages 137-155. Examples are polyvinyl cinnamate, styrofoam maleic anhydride copolymer partially hydrolyzed with cinnamide, N- (cinnamoylphenyl) urethane derivatives Cellulose acetate with 3- or 4 - (* - cyanocinnamido) phthalic anhydride, soluble polyamides, light-sensitive cinnamylidene aryl vinyl acetophenone, polymers, as they are known from US-PS 29 08 667, and compounds of the chalcone type such. B. benzene acetophenone.
Außer den vorstehend erwähntem ..jmgeformten organischen Polymeren, die in Form einer Lösung in einem organischen Lösungsmittel oder in Form einer Schmelze entweder durch Aufsprühen oder z. B. durch Tauchbeschichtungsverfahren oder Schleuder- bzw. Zentrifu^enbeschichtungsverfahren auf verschiedene Träger aufgebracht werden können, können durch das erfindungsgemäße Verfahren auch Filme aus organischem Polymer entfernt werden, die durch Oberflächen-Photopolymerisation verschiedener photopolymerisierbarer organischer Monomerer in Dampfform hergestellt worden sind. Beispiele für solche Monomere sind Diene wie z.B. Butadien, 1,5-Hexadien, 2,4-Hexadien und Hexachlorbutadien, Tetrafluorethylen, Ethylen, Methylmethacrylat N-Phenylmaleinsäureimid, Phenol, Pyromellithsäuredianhydrid und Acrylnitril und andere Materialien, die z. B. aus der US-PS 35 22 226 bekannt sind.Except for the aforementioned ..jmshaped organic Polymers in the form of a solution in an organic solvent or in the form of a Melt either by spraying or z. B. by dip coating processes or centrifugal or Centrifuge coating processes can be applied to various substrates, can by the Processes according to the invention also remove organic polymer films by surface photopolymerization various photopolymerizable organic monomers produced in vapor form have been. Examples of such monomers are dienes such as butadiene, 1,5-hexadiene, 2,4-hexadiene and hexachlorobutadiene, tetrafluoroethylene, ethylene, methyl methacrylate, N-phenylmaleimide, phenol, Pyromellitic dianhydride and acrylonitrile and others Materials z. B. from US-PS 35 22 226 are known.
Beispiele für verwendbare Träger sind beliebige ätzbare Materialien, z. B. Metalle, Nichtmetalle oder Oxide von Metallen wie z. B. Gold, Silber, Aluminium, Zinn oder Kupfer und Siliciumdioxid.Examples of substrates that can be used are any etchable material, e.g. B. metals, non-metals or oxides of metals such as B. gold, silver, aluminum, tin or copper and silicon dioxide.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren kann die vollständige Enfernung von kohlenstoffhaltigem Material von der Oberfläche eines Trägers "vie z. B. einer Siliciumscheibe mittels Strahlungsenergie einer Ultraviolettstrahlung mit einer Wellenlänge von 180 bis 350 nm in einer Sauerstoff-Ozon-Mischung bewirkt werden.The method according to the invention enables the complete removal of carbonaceous material from the surface of a carrier "such as a silicon wafer by means of radiant energy of ultraviolet radiation with a wavelength of 180 to 350 nm in an oxygen-ozone mixture will.
so Im Hinblick auf die Giftigkeit des Ozon in der Sauerstoff-Ozon-Mischunß wird es bevorzugt, ein geschlossenes System oder ein System, gegenüber dem die Bedienungsperson abgeschirmt ist und das entweder kontinuierlichen oder intermittierenden Betrieb erlaubt, zu verwenden. Eine Ausführungsform einer geeigneten Vorrichtung ist beispielsweise in Fig. 2 der US-PS 36 64 899 dargestellt.So with regard to the toxicity of the ozone in the oxygen-ozone mixture it is preferred to be a closed system or a system against which the operator operates shielded and that allows either continuous or intermittent operation to be used. One embodiment of a suitable device is shown, for example, in FIG. 2 of US Pat. No. 3,664,899 shown.
Um mit den Parametern des erfindungsgemäßen Verfahrens wirksame F'gebnisse zu erhalten, wird geeigneterweise für eine Filmentfernungsgeschwindigkeit gesorgt, die größer als 100 nm/min ist und bis zu etwa 1000 nm/min reicht. Es ist festgestellt worden, da'3 unter besonderen Bedingungen eine Entfernungsgeschwindigkeit erreicht werden kann, die größer als 1000 nm/ min ist und z. B. 1500 nm/min beträgt, was von der Temperatur des Trägers oder der Oberfläche des Photolacks, der sich unter dem direkten Einfluß der Ultraviolettstrahlung befindet, abhängt.In order to obtain effective results with the parameters of the method according to the invention, it is suitable provided a film removal rate greater than 100 nm / min and up to about 1000 nm / min is sufficient. It has been found that under special conditions a removal speed can be achieved that is greater than 1000 nm / min is and z. B. 1500 nm / min, depending on the temperature of the carrier or the surface of the photoresist, which is under the direct influence of ultraviolet radiation depends.
Ferner wurde festgestellt, daß die Entfernungsgeschwindigkeit des Photolacks durch verschiedene Faktoren wie z. B. die Konzentration des Ozons in der Sauerstoff-Ozon-Mischung, die Temperatur an der Oberfläche des Photolacks, die Intensität der Strahlungsenergie, die Wellenlänge der Ultraviolettstrahlung und die Art des Photolacks, der entfernt werden soll, beeinflußt wird.It was also found that the speed of removal of the photoresist was influenced by various factors such as B. the concentration of ozone in the oxygen-ozone mixture, the temperature on the surface of the photoresist, the intensity of the radiant energy, affects the wavelength of the ultraviolet radiation and the type of photoresist to be removed will.
Ozon kann in die sauerstoffhaitige Atmosphäre eingeführt werden, indem Sauerstoffgas durch einen Ozonisator (z. B mit elektrischer Entladung) hindurchgeleitet wird. Gewünschtenfalls kann als Ozonquelle flüssiges Ozon verwendet werden, jedoch wird das Ozon aus Sicherheitsgründen vorzugsweise in situ in Anwesenheit von Sauerstoff erzeugt. Der Druck, bei dem die Sauerstoff-Ozon-Mischung verwendet werden kann, liegt vorzugsweise zwischen 98,7 und 104,0 kPa, jedoch liefern auch Drücke von nur 9333 kPa und bis zuOzone can be introduced into the oxygenated atmosphere by bubbling oxygen gas through an ozonizer (e .g. with electrical discharge) will. If desired, liquid ozone can be used as the ozone source, but the ozone is turned off For safety reasons, it is preferably generated in situ in the presence of oxygen. The pressure at which the Oxygen-ozone mixture used is preferably between 98.7 and 104.0 kPa, however also deliver pressures as low as 9333 kPa and up to
* e\c ι i-n_ -_ r? I : * e \ c ι i-n_ -_ r? I:
Die Temperatur, bei der die wirksamste Entfernungsgeschwindigkeit erzielt wird, liegt zwischen etwa 200 und 260°C. Höhere und tiefere Temperaturen können ebenfalls gute Ergebnisse liefern, was jedoch von der Fähigkeit des Trägers, der Änderung seiner Eigenschaften zu widerstehen, abhängt. Die Temperatur kann in zufriedenstellender Weise gesteuert werden, wenn Ultraviolettstrahlung angewandt wird, die durch eine Mitteldruckquecksilberdampflampe, wie sie vorstehend beschrieben wurde, in variablem Abstand vom Träger erzeugt wird, um auf der Oberfläche des Photolacks eine Intensität von mindestens 100 mW/cm2 zu erzeugen. Die Oberflächentemperatur kann mit einem Thermoelement gemessen werden, das an der Oberfläche im Strahlungsfluß angeordnet ist. Um die Entfernungsgeschwindigkeit des kohlenstoffhaltigen Materials aufs Höchstmaß zu bringen, wird eine Ultraviolettstrahlung mit einer Wellenlänge von 180 bis 350 nm und vorzugsweise von 1843 bis 300 ηm angewandt. Der Begriff »Strahlungsenergie« schließt neben Ultraviolettstrahlungsenergie Energie des infraroten und Energie des sichtbaren Lichts ein, die von einer Entladungslampe für Ultraviolettstrahlung erzeugt werden und zu der Wirksamkeit des erfindungsgemäßen Verfahrens beitragen. Die Intensität des Strahlungsfluss'-s kann z. B. durch die Nennleistung der verwendeten Entladungslampe und durch deren Abstand von der Oberfläche des Trägers leicht variiert werden. Die Strahlungsintensität kann unter Anwendung einer Thermosäule bestimmt werden, wie es ζ. B. von R. G. Johnston und R. P. Madden in »Applied Optics«, Bd. 4, Nr. 2 (Dezember 1965), Seite 1574 beschriebe!, wird.The temperature at which the most effective removal rate is achieved is between about 200 and 260 ° C. Higher and lower temperatures can also give good results, however, depending on the ability of the wearer to withstand the change in properties. The temperature can be controlled in a satisfactory manner if ultraviolet radiation is applied, which is generated by a medium-pressure mercury vapor lamp, as described above, at a variable distance from the support in order to generate an intensity of at least 100 mW / cm 2 on the surface of the photoresist . The surface temperature can be measured with a thermocouple which is placed on the surface in the flow of radiation. In order to maximize the removal rate of the carbonaceous material, ultraviolet radiation having a wavelength of 180 to 350 nm, and preferably 1843 to 300 µm, is used. The term "radiation energy" includes, in addition to ultraviolet radiation energy, energy of infrared and energy of visible light, which are generated by a discharge lamp for ultraviolet radiation and which contribute to the effectiveness of the method according to the invention. The intensity of the radiation flux can e.g. B. can easily be varied by the nominal power of the discharge lamp used and by their distance from the surface of the carrier. The radiation intensity can be determined using a thermopile, as ζ. B. by RG Johnston and RP Madden in "Applied Optics", Vol. 4, No. 2 (December 1965), page 1574!
Durch das erfindungsgemäße Verfahren können Filme aus organischem polymerem Material mit einer Dikke bis zu etwa 25,4 μπι oder mehr wirksam entfernt werden, wobei eine kohlenstofffreie Trägeroberfläche erhalten werden kann, was z. B. durch die Auger-Emissionsanalyse, die von L A. Harris in »Journal of Applied Physics«, Bd. 39 (1968), Seite 1419, beschrieben worden ist, nachgewiesen wird.By the method according to the invention, films made of organic polymeric material with a thickness effectively removed up to about 25.4 μm or more whereby a carbon-free support surface can be obtained, e.g. B. by the Auger emission analysis, that of L.A. Harris in Journal of Applied Physics ", Vol. 39 (1968), p. 1419, has been described is proven.
Alle Teile in den nachstehenden Ausführungsbeispielen sind Gewichtsteile.All parts in the following exemplary embodiments are parts by weight.
Eine Siliciumscheibe mit einem Durchmesser von etwa 3,18 cm und einer gleichmäBigen Siiiciumoxidschicht mit einer Dicke von etwa ! μπι wurde in einer Schleuder- bzw. Zentrifugenbeschichtungsvorrichtung für Photolacke angeordnet und mit einer 6%igen Lösung eines Acetylenpolymers in einer Lösungsmittelmischung aus Toluol und Xylol behandelt. Die Siliciumscheibe wurde mit etwa 2000 U/min gedreht, wobei ein Photolackfilm mit einer Dicke von etwa 150 nm erhalten wurde. Das Acetylenpolymer war ein Copolymer, das in wesentlichen aus etwa 97 Mol-% 2,2-Bis(4'-propargyloxyphenylpropan) und etwa 3 Mol-% 1,4-Diethinylbenzol bestand. Die behandelte SiliciumscheibeA silicon wafer with a diameter of about 3.18 cm and a uniform silicon oxide layer with a thickness of about! μπι was in a centrifugal or centrifuge coating device for photoresists arranged and with a 6% solution of an acetylene polymer in a mixed solvent of toluene and xylene. The silicon wafer was rotated at about 2000 rpm to obtain a resist film having a thickness of about 150 nm became. The acetylene polymer was a copolymer consisting essentially of about 97 mole percent 2,2-bis (4'-propargyloxyphenylpropane) and about 3 mole percent 1,4-diethinylbenzene. The treated silicon wafer
to wurde etwa 30 min lang bei Raumtemperatur an der Luft getrocknet, wobei ein Stickstoffstrom verwendet
wurde, um die Verdampfung des Lösungsmittels zu erleichtern. Auf diese Weise wurde ein Siliciumscheibenaufbau
erhalten, der eine Siliciumscheibe als Träger, eine Siliciumoxidschicht mit einer Dicke von etwa 1 \im
und einen Photolackfilm aus Acetylenpolymer mit einer Dicke von etwa 150 nm enthielt.
Dieser Siliciumscheibenaufbau wurde dann in einerto was air dried for about 30 minutes at room temperature using a stream of nitrogen to facilitate evaporation of the solvent. In this way, a silicon wafer assembly was obtained that had a silicon wafer as a carrier, a silicon oxide film having a thickness of about 1 \ in and contained a photoresist film of polyacetylene with a thickness of about 150 nm.
This silicon wafer assembly was then turned into a
wurde in Berührung; mit dem Photolackfilm daran befestigt. Fig.2a zeigt den Siliciumscheibenaufbau 20 mit der als Träger dienenden Siliciumscheibe 10, der Siliciumoxidschicht 11, dem Photolackfilm 12 und der Maske 13. Der Photolackfilm wurde dann (F i g. 2b) etwa 10 bis 15 s lang der Ultraviolettstrahlung einer Ultraviolettlampe mit einer Nennleistung von etwa 100 W, deren Abstand von der oberen Oberfläche des Photolackfilms etwa 'Scm betrug, ausgesetzt. Der belichtete Photolackfilm wurde dann (F i g. 2c) entwickelt, indem die SiIiciumscheibe etwa 4 min lang bewegt wurde, während sie in Toluol eintauchte. Die Siliciumscheibe wurde danngot in touch; attached to it with the photoresist film. 2a shows the silicon wafer structure 20 with the silicon wafer 10 serving as a carrier, the silicon oxide layer 11, the photoresist film 12 and the mask 13. The resist film was then (Fig. 2b) exposed to ultraviolet radiation from an ultraviolet lamp for about 10 to 15 seconds with a nominal power of about 100 W, their distance from the top surface of the photoresist film about 'Scm. The exposed photoresist film was then developed (Fig. 2c) by agitating the silicon disk for about 4 minutes while dipped them in toluene. The silicon wafer was then
I h lang bei etwa 600C getrocknet, um den Siliciumscheibenaufbau vom Lösungsmittel zu befreien. Das belichtete Siliciumoxid auf dem Siliciumscheibenaufbau wurde dann mit einer Fluorwasserstoff-Ätzlösung, die einen Ammoniumfluoridpuffer enthielt, abgeätzt. NachDried for 1 hour at about 60 ° C. in order to free the silicon wafer structure from the solvent. The exposed silicon oxide on the silicon wafer assembly was then etched away with a hydrogen fluoride etching solution containing an ammonium fluoride buffer. To
I1 min wurde der Siliciumscheibenaufbau dann mit Wasser gewaschen und gespült und bei Raumtemperatur an der Luft getrocknet. Auf diese Weise wurde ein Siliciumscheibenaufbau (F i g. 2d) erhalten, der eine Siliciumscheibe 10 als Träger und eine in einem Konfigurationsmuster abgeätzte und durch den Photolack 12 geschützte Siliciumoxidschicht 11 enthielt.The silicon wafer structure was then used for 1 min Washed with water and rinsed and air dried at room temperature. In this way a Silicon wafer assembly (FIG. 2d) is obtained, which has a silicon wafer 10 as a carrier and one in a configuration pattern etched and protected by the photoresist 12 silicon oxide layer 11 contained.
Der in F i g. 2d gezeigte Siliciumscheibenaufbau wurde auf dem Boden eines Zylinders direkt unter einem darüber befindlichen Quarzfenster in der Zylinderwandung waagerecht angeordnet Der Zylinder wurde dann mit Stickstoff gespült, und ein Thermoelement wurde auf der Oberfläche der Siliciumscheibe angeordnet.The in F i g. The silicon wafer assembly shown in FIG. 2d was placed on the bottom of a cylinder directly below a above the quartz window arranged horizontally in the cylinder wall. The cylinder was then purged with nitrogen and a thermocouple was placed on the surface of the silicon wafer.
Dann wurde eine Siiuerstoff-Ozon-Mischung mit einem Ozongehalt von 0,5· bis 2 Gew.-%, deren Ozon durch einen Ozonisator mit stiller Entladung erzeugt worden war, in den Zylinder eingeleitet Während die Sauerstoff-Ozon-Mischung bei Atmosphärendruck über die Oberfläche der Siliciumscheibe strömte, war eine Ultraviolettlampe eingeschaltet, umd die Oberfläche der Siliciumscheibe mit Ultraviolettlicht, das durch das Quarzfenster hindurcbgelassen wurde, zu bestrahlen. Der Abstand der Ultraviolettlampe von der Oberfläche der SiIiciumscheibe betrug etwa 5 cm, was bei einer Belastung von 900 W ausreichte, um auf der Oberfläche der Siliciumscheibe eine Strahlungsintensität von mindestens 100 mW/cm2 zu erzeugen. Der 150 nm dicke Photolackfilm auf der Oberfläche der Siliciumscheibe verschwand,Then, an oxygen-ozone mixture having an ozone content of 0.5 × to 2% by weight, the ozone of which had been generated by a silent discharge ozonizer, was introduced into the cylinder When the surface of the silicon wafer was flowing, an ultraviolet lamp was turned on to irradiate the surface of the silicon wafer with ultraviolet light transmitted through the quartz window. The distance between the ultraviolet lamp and the surface of the silicon wafer was about 5 cm, which at a load of 900 W was sufficient to generate a radiation intensity of at least 100 mW / cm 2 on the surface of the silicon wafer. The 150 nm thick photoresist film on the surface of the silicon wafer disappeared,
es wie es in F i g. 2e graeigt ist, innerhalb von 10 bis 15 s, was einer Entfernungsgeschwindigkeit von etwa 1000 nm/min entspricht Die Temperatur an der Oberfläche der Siliciumscheibe, die auf der Grundlage derit as in Fig. 2e is sloping, within 10 to 15 s, which corresponds to a removal rate of about 1000 nm / min. The temperature at the surface the silicon wafer based on the
Ablesung des Thermoelements gemäß dem Verfahren von R. G. Johnston und R. P. Madden in der vorstehend erwähnten Literaturstelle ermittelt wurde, zeigte, daß die mittlere Temperatur an dieser Oberfläche während der Entfernung des Photolackfilms 2100C betrug. Die Oberfläche der Siliciumscheibe wurde dann durch Auger-Emissionsspektroskopie geprüft, wobei festgestellt wurdi·. daß sie völlig frei von kohlenstoffhaltigen Rückständen war.Reading of the thermocouple according to the method of Johnston and RG Madden RP was determined in the above-mentioned literature reference, showed that the mean temperature was 210 0 C at this surface during the removal of the resist film. The surface of the silicon wafer was then examined by Auger emission spectroscopy, whereby it was found. that it was completely free of carbonaceous residues.
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Das Verfahren von Beispiel 1 wurde wiederholt, außer daß 3,18 cm dicke Halbleiterscheiben mit einem Phoiolackfilm, dessen mittlere Dicke etwa 1000 nm betrug, kontinuierlich auf einer Förderkette in die Reaktionszone eingeführt wurden. Als Reaktionskammer wurde ein 2,4 m langer, liegender Stahlzylinder mit einem L^UrCniTicSäcr Von i5 CiTi VcrWcfiuci. uucü äüi ucPfi Stahlzylinder war in der Mitte ein 0,46 m langes, 10 cm breites Quarzfenster angeordnet. Die Förderkette war ein 10 cm breites gewebtes Metallstahlband. Der Stahlzylinder wies oben nahe an einer Seite des Quarzfensters eine Auspumpöffnung und am Boden an der anderen Seite des Quarzfensters eine Leitung zum Einführen einer Sauerstoff-Ozon-Mischung auf. Auf beiden Seiten des Stahlzylinders war an beiden Enden eine Stickstoffschutzschicht zum Schutz der Bedienungsperson vor der Sauerstoff-Ozon-Mischung vorgesehen. Es wurden vier Ultraviolettlampen wie in Beispiel 1 mit einer BeIastung von jeweils 900 W verwendet, und der Abstand der Siliciumscheiben von dem Quarzfenster betrug etwa 2,5 cm. Der Ozongehalt der Sauerstoff-Ozon-Mischung lag innerhalb des in Beispiel 1 angegebenen Bereichs. Verschiedene Halbleiterscheiben mit Photolacken wie in Beispiel 1 beschrieben an der Oberfläche wurden in der Sauerstoff-Ozon-Mischung kontinuierlich unter dem Quarzfenster vorbeigeführt. Die Oberflächentemperatur der Halbleiterscheiben wurde auf einer der Halbleiterscheiben, die durch die Reaktionszone geführt wurden, unter Anwendung eines Thermoelements gemessen und betrug etwa 250° C. Die Halbleiterscheiben konnten in etwa 1 min durch die Reaktionszone laufen, was eine mittlere Entfernungsgeschwindigkeit von etwa 1000 nm/min lieferte. In Abhängigkeit von der Dicke des Photolacks auf der Oberfläche der Halbleiterscheibe wurde die Geschwindigkeit der Förderkette so verändert, daß die Halbleiterscheiben vöüig von dem Photolack befreit wurden, was durch Auger-Emission entsprechend dem vorstehend erwähnten Verfahren festgestellt wurde.The procedure of Example 1 was repeated except that 3.18 cm thick wafers were placed with a Photo lacquer film, the mean thickness of which was about 1000 nm, were continuously introduced into the reaction zone on a conveyor chain. As a reaction chamber was a 2.4 m long, lying steel cylinder with a L ^ UrCniTicSäcr von i5 CiTi VcrWcfiuci. uucü äüi ucPfi Steel cylinder had a 0.46 m long, 10 cm wide quartz window in the middle. The conveyor chain was a 10 cm wide woven metal steel band. The steel cylinder had an exhaust port at the top near one side of the quartz window and at the bottom on the other Side of the quartz window has a line for introducing an oxygen-ozone mixture. On both sides of the steel cylinder was provided with a nitrogen blanket at both ends to protect the operator the oxygen-ozone mixture provided. There were four ultraviolet lamps as in Example 1 with a load of 900 W each was used, and the distance of the silicon wafers from the quartz window was about 2.5 cm. The ozone content of the oxygen-ozone mixture was within the range given in Example 1. Various semiconductor wafers with photoresists as described in Example 1 on the surface were in the oxygen-ozone mixture continuously passed under the quartz window. The surface temperature the semiconductor wafers were placed on one of the semiconductor wafers that passed through the reaction zone were measured using a thermocouple and found to be about 250 ° C. The wafers could run through the reaction zone in about 1 min, which was an average removal rate of about 1000 nm / min. Depending on the thickness of the photoresist on the surface of the semiconductor wafer the speed of the conveyor chain was changed so that the wafers were completely removed from the Photoresist was freed, which was done by Auger emission according to the above-mentioned procedure was established.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4202158C1 (en) * | 1992-01-27 | 1993-07-22 | Siemens Ag, 8000 Muenchen, De | |
| US5417826A (en) * | 1992-06-15 | 1995-05-23 | Micron Technology, Inc. | Removal of carbon-based polymer residues with ozone, useful in the cleaning of plasma reactors |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4341592A (en) * | 1975-08-04 | 1982-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Method for removing photoresist layer from substrate by ozone treatment |
| JPS5856340A (en) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Toshiba Corp | Purification of semiconductor wafer |
| GB2118028B (en) * | 1982-04-05 | 1985-12-18 | Maxwell Lab Inc | Decontaminating surfaces |
| JPH0612766B2 (en) * | 1983-03-04 | 1994-02-16 | 株式会社精密エンタプライズ | Light irradiation device |
| JPS6039238U (en) * | 1983-08-24 | 1985-03-19 | ウシオ電機株式会社 | UV cleaning equipment |
| JPS6039240U (en) * | 1983-08-24 | 1985-03-19 | ウシオ電機株式会社 | UV cleaning equipment |
| JPS6039239U (en) * | 1983-08-24 | 1985-03-19 | ウシオ電機株式会社 | UV cleaning equipment |
| JPS6049630A (en) * | 1983-08-29 | 1985-03-18 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS6053029A (en) * | 1983-09-02 | 1985-03-26 | Ushio Inc | Cleaning device using ultraviolet rays |
| JPS6127635A (en) * | 1984-07-17 | 1986-02-07 | Samuko Internatl Kenkyusho:Kk | High efficiency dry type removing device of photoresist |
| JPS6153335A (en) * | 1984-08-22 | 1986-03-17 | Tohoku Richo Kk | Dry etching of plastic |
| JPS6177852A (en) * | 1984-09-26 | 1986-04-21 | Fujitsu Ltd | Method and device for removing resist |
| JPH0622220B2 (en) * | 1984-11-19 | 1994-03-23 | 富士通株式会社 | Resist ashing method |
| JPS61163342A (en) * | 1985-01-14 | 1986-07-24 | Ricoh Co Ltd | Method for removing photoresist |
| JPH0810690B2 (en) * | 1987-01-29 | 1996-01-31 | 東京エレクトロン株式会社 | Ashing method and ashing apparatus |
| US4923486A (en) * | 1988-12-22 | 1990-05-08 | University Of Dayton | Gas chromatography methods and apparatus |
| US5028243A (en) * | 1988-12-22 | 1991-07-02 | University Of Dayton | Gas chromatography methods and apparatus |
| US5068040A (en) * | 1989-04-03 | 1991-11-26 | Hughes Aircraft Company | Dense phase gas photochemical process for substrate treatment |
| DE4113523A1 (en) * | 1991-04-25 | 1992-10-29 | Abb Patent Gmbh | METHOD FOR TREATING SURFACES |
| JPH05109674A (en) * | 1991-10-18 | 1993-04-30 | Ushio Inc | Method and device for ashing resist film |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2443373A (en) * | 1943-08-20 | 1948-06-15 | Victor N Borsoff | Method of removing carbon and carbonaceous matter |
| US3664899A (en) * | 1969-12-29 | 1972-05-23 | Gen Electric | Removal of organic polymeric films from a substrate |
-
1973
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- 1973-08-16 GB GB3882473A patent/GB1408067A/en not_active Expired
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- 1973-08-17 JP JP48091783A patent/JPS5815939B2/en not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4202158C1 (en) * | 1992-01-27 | 1993-07-22 | Siemens Ag, 8000 Muenchen, De | |
| US5417826A (en) * | 1992-06-15 | 1995-05-23 | Micron Technology, Inc. | Removal of carbon-based polymer residues with ozone, useful in the cleaning of plasma reactors |
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| Publication number | Publication date |
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| GB1408067A (en) | 1975-10-01 |
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| JPS503958A (en) | 1975-01-16 |
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