DE2328492B2

DE2328492B2 - Electrophotographic recording material

Info

Publication number: DE2328492B2
Application number: DE2328492A
Authority: DE
Inventors: Manfred Rudolf Lexington Mass. Kuehne
Original assignee: Coulter Systems Corp
Current assignee: Coulter Systems Corp
Priority date: 1972-06-08
Filing date: 1973-06-05
Publication date: 1981-04-16
Also published as: HU174427B; ES441862A1; DD105518A5; JPS4963440A; IE37737L; AR195007A1; IE37737B1; NL177857B; CA998550A; NL177857C; NL7307778A; AU476312B2; IL42446A; IT985309B; FR2188200B1; IL42446A0; GB1441455A; LU67745A1; DE2328492A1; JPS609261B2

Description

Die Erfindung betrifft ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial, bei dem auf einen Schichtträger eine transparente elektrisch leitende Schicht und auf diese eine transparente Schicht eines anorganischen Photoleiters durch Sputtern im Hochfrequenzfeld aufgebracht ist.The invention relates to an electrophotographic recording material in which on a layer support a transparent electrically conductive layer and on top of this a transparent layer of an inorganic Photoconductor is applied by sputtering in the high frequency field.

Aus der niederländischen Patentanmeldung 71 16 657 ist ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial dieser Art als bekannt entnehmbar. Die durch Sputtern im Hochfrequenzfeld aufgebrachte Photoleiterschicht ist bei dem bekannten Aufzeichnungsmaterial in erster Linie Zinkoxid oder in bestimmten Fällen auch Kadmiumsulfid. Das bekannte Aufzeichnungsmaterial besitzt eine für viele Anwendungsfälle nicht ausreichend harte und abriebfeste Oberfläche. Ferner sind die photographischen Eigenschaften dieses bekannten Aufzeichnungsmaterials, nämlich Empfindlichkeit, spektrale Breite des Ansprechens und Auflösungsvermögen, nicht annähernd mit den entsprechenden Eigenschaften herkömmlicher photochemischer Aufzeichnungsmaterialien auf Silberhalogenidbasis vergleichbar.From Dutch patent application 71 16 657 there is an electrophotographic recording material of this type as known. The photoconductor layer applied by sputtering in a high-frequency field in the known recording material is primarily zinc oxide or, in certain cases, also Cadmium sulfide. The known recording material does not have one sufficient for many applications hard and abrasion-resistant surface. Furthermore, its photographic properties are well known Recording material, namely sensitivity, spectral range of response and resolving power, nowhere near the corresponding properties of conventional photochemical recording materials comparable on a silver halide basis.

Aus der Fach Veröffentlichung »rf-Sputtered Cadmium Sulfide Thin Crystals« von L Langnado und M. ■: Lichtensteiger, Journal of Vacuum Science and Technology. Band 7, Nr. 2, Seiten 318 bis 321, ist es bekannt, beim Sputtern von Kadmiumsulfid im Hochfrequenzfeid durch Einstellen der Sputterbedingungen vielerlei Strukturen des Kadmiumsulfidbelages hervorzubringen.From the specialist publication "rf-Sputtered Cadmium Sulfide Thin Crystals" by L Langnado and M. ■: Lichtensteiger, Journal of Vacuum Science and Technology. Volume 7, No. 2, pages 318 to 321, it is known when sputtering cadmium sulfide in the high frequency field to produce various structures of the cadmium sulfide coating by adjusting the sputtering conditions.

in Die in der Fachveröffentlichung diskutierten und untersuchten Beläge besaßen jedoch praktisch keine Photoleitereigenschaften und waren zum Aufbau eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials nicht geeignet. Insbesondere gibt die genannte Fachveröffentlichung keinen Hinweis darauf, daß die beschriebenen und untersuchten Kadmiumsulfidbeläge diejenigen Eigenschaften aufweisen könnten, welche etwa in der US-PS 28 44 493 für die Photoleiterschicht eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials zu fordern sind.in The discussed in the technical publication and investigated coverings had practically no photoconductor properties and were used to build a electrophotographic recording material not suitable. In particular, there is the technical publication mentioned there is no indication that the cadmium sulfide coatings described and investigated are those Could have properties which, for example, in US Pat. No. 2,844,493 for the photoconductor layer electrophotographic recording material are to be required.

Durch die Erfindung soll die Aufgabe gelösl werden, ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial der eingangs angegegebenen Art so auszugestalten, daß es bezüglich der photographischen Eigenschaften By the invention, the object is to be gelösl to design an electrophotographic recording material of the above type is given so that it with respect to the photographic properties

2^ri herkömmlichen photochemischen Aufzeichnungsmaterialien mindestens ebenbürtig ist, diese jedoch bezüglich der mechanischen und chemischen Widerstandsfähigkeit und Beständigkeit übertrifft.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Photoleiterschicht eine mikrokristalline Struktur unter vertikaler Orientierung der Mikrokristalle relativ zur Schichtträgerebene besitzt. 2 ^r i is at least on a par with conventional photochemical recording materials, but surpasses them in terms of mechanical and chemical resistance and durability.
This object is achieved according to the invention in that the photoconductor layer has a microcrystalline structure with vertical orientation of the microcrystals relative to the layer support plane.

Neben der Lösung der soeben angegebenen Aufgabe werden mit einem in dieser Weise aufgebautenIn addition to solving the problem just given, a built in this way is also possible

i^r> Aufzeichnungsmaterial zusätzlich Eigenschrften erreicht, wie sie bisher bei elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterialien und auch bei photochemischen Aufzeichnungsmaterialien überhaupt nicht bekannt waren, worauf weiter unten im einzelnen eingegangen werden wird. i ^r> recording material additionally achieved Eigenschrften as they were not previously known in electrophotographic recording materials and also in photochemical recording materials, will be followed by further discussed in detail below.

Zweckmäßige Ausgestaltungen und Weiterbildungen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials der soeben angegebenen Art sind Gegenstand der anliegenden Ansprüche 2 bis 9.Appropriate configurations and developments of an electrophotographic recording material of the type just specified are the subject matter of the attached claims 2 to 9.

Als besondere Vorteile des hier beschriebenen elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials seien ein extrem hohes Auflösungsvermögen, eine unbegrenzte Lagerungsfähigkeit, die Möglichkeit der wiederholten Verwendung und die Möglichkeit der HinzufügungParticular advantages of the electrophotographic recording material described here are an extremely high resolution, an unlimited shelf life, the possibility of repeated Use and the possibility of adding

V) einer Information zu einer bereits festgehaltenen Aufzeichnung erwähnt. V) information about a record that has already been recorded is mentioned.

Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert. Es stellt darIn the following, exemplary embodiments are explained in more detail with reference to the drawing. It puts represent

π Fig. 1 einen stark schematisierten Schnitt eines transparenten elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials nach der Erfindung unter schematischer Angabe einer Schaltung zur Aufladung der Oberfläche der photoleitfähigen Oberschicht, π Fig. 1 is a highly schematic sectional view of a transparent electrophotographic recording material according to the invention with a schematic indication of a circuit for charging the surface of the photoconductive topsheet,

Fig. 2 eine weitere Schnittdarstellung eines ähnlichen, leicht abgewandelten elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials,Fig. 2 is a further sectional view of a similar, slightly modified electrophotographic recording material,

Fig. 3 eine ähnliche Darstellung wie Fig. 2, jedoch unter Darstellung einer geringfügigen Abwandlung,3 shows a representation similar to FIG. 2, but showing a slight modification,

b5 Fig. 4 eine ähnliche Abbildung wie F i g. 2, jedoch untei schematischer Angabe der Art und Weise, in welcher Toner auf die Oberfläche der photoleitfähigen Schicht nach Belichtung derselben aufgebracht wird undb5 FIG. 4 shows a similar illustration to FIG. 2, however below a schematic indication of the manner in which toner is applied to the surface of the photoconductive Layer is applied after exposure of the same and

F i g. 5 eine graphische Darstellung, aus welcher die Aufladungs- und Entladungsspannungen für ein elektrophotographisches Aufzeichni'ngsmaterial nach der Erfindung im Vergleich zu dem Beispiel einer xerographischen Platte aufgetragen sind.F i g. 5 is a graph showing the charge and discharge voltages for an electrophotographic Recording material according to the invention compared to the example of a xerographic plate are applied.

Es se· kurz zusammengefaßt, daß hier ein Aufzeichnungsmaterial angegeben wird, das als elektrophoiographischer Film verwendbar ist und einen Träger aus einem flexiblen, transparenten, blatt- oder folienartigen Polymer-Kunststoff-Schichtträger enthält, auf welchem sich eine dünne Photoleiterschicht befindet. Die dünne Photoleiterschicht enthält einen photoleitfähigen Werkstoff, beispielsweise η-leitendes KadmiuiTisiilfid oder Zink-Indium-Sulfid, wobei zwischen dem Schichtträger und der Photoleiterschicht eine dünne Zwischenschicht angeordnet ist, welche eine elektrisch leitende Schicht, z. B. aus Indiumoxid.darstellt.Briefly summarized, here is a recording material is indicated that is useful as an electrophoresis film and a support contains a flexible, transparent, sheet-like or film-like polymer-plastic substrate on which there is a thin photoconductor layer. The thin photoconductor layer contains a photoconductive material, for example η-conductive KadmiuiTisiilfid or Zinc indium sulfide, with a thin intermediate layer between the substrate and the photoconductor layer is arranged which has an electrically conductive layer, e.g. B. from indium oxide.

Der Ausdruck »dünne Schicht« soll hier so definiert se'.n, daß er eine Schicht eines Werkstoffes, beispielsweise des Halbleiteis oder des obengenannten ^hotoleiterwerkstoffs bezeichnet, welcher auf eine Oberfläche aufgebracht ist. Eine derartige dünne Schicht hat eine Siärke, welche mehrere hundert nm mißt und beispielsweise etwa 500 nm dick ist. Andererseits soll aber der Ausdruck »elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial« in den nachfolgenden Ausführungen das /ollständige Aufzeichnungsmaterial bezeichnen, das sich aus verschiedenen Schichten oder Lagen zusammsnsetzt und in einem photographischen Verfahren verwendbar ist. Wird ein Schichtträger erwähnt, so soll hiermit eine Folie bezeichnet sein, auf die die einzelnen Schichten aufgetragen sind. Man erkennt, daß der Schichtträger vorzugsweise eine dünne, flexible, transparente Kunststoffolie ist.The term "thin layer" should be defined here as meaning a layer of a material, for example of the semiconductor or the above-mentioned hotoconductor material denotes which is applied to a surface. Such a thin layer has one Siark, which measures several hundred nm and is, for example, about 500 nm thick. On the other hand should but the expression "electrophotographic recording material" in the following explanations means that Designate complete recording material which is composed of different layers or plies and useful in a photographic process. If a support is mentioned, it should this means a film to which the individual layers are applied. You can see that the Layer support is preferably a thin, flexible, transparent plastic film.

Das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial enthält eine dünne aufgesputterte anorganische Photoleiterschicht, welche sich über einer ebenfalls aufgcspulterten dünnen elektrisch leitenden Schicht befindet, die ihrerseits mit dem dünnen flexiblen isolierenden Schichtträger verbunden ist, beispielsweise mit einem blattartigen Kunststoffkörper hoher Stabilität. Die angestrebten Eigenschaften des elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials sind Transparenz, Flexibilität, große Empfindlichkeit, hoher photoelektrischer Verstärkerfaktor, Wirtschaftlichkeit, leichte Herstellung, Verwendung und Handhabung, die Möglichkeit einer vollständigen beliebig oft wiedc-holbaren Belichtung, Stabilität unter veränderlichen Bedingungen bezüglich Licht, Temperatur und Feuchtigkeit sowie weitere Eigenschaften, welche sich aus der nachfolgenden Beschreibung ergeben. Die Eigenschaften des hier vorgeschlagenen Aufzeichnungsmaterials ei öffnen die Möglichkeit für eine Vielfalt wichtiger Anwendungen, worunter die Mikrofilmaufzeichnung keineswegs die unwichtigste ist.The electrophotographic recording material contains a thin, sputtered-on inorganic photoconductor layer, which is located over a thin electrically conductive layer that is also wound up, the is in turn connected to the thin flexible insulating substrate, for example with a sheet-like plastic body of high stability. The intended properties of the electrophotographic Recording material are transparency, flexibility, high sensitivity, high photoelectric Reinforcement factor, economy, ease of manufacture, use and handling, the possibility a complete exposure that can be repeated any number of times, Stability under changing conditions of light, temperature and humidity as well further properties, which result from the following description. The properties of here proposed recording material open the possibility for a variety of important applications, Of which microfilm recording is by no means the least important.

Die drei wesentlichen Bestandteile des eleklrophotographischen Aufzeichnungsmaterials 10 sind gemäß Fig. 1 die aufgesputterte dünne Photoleiterschicht 12 aus photoleilfähigem Werkstoff, die aufgesputterte elektrisch leitende dünne Schicht 14 und der Schichtträger 16.The three essential components of the electrophotographic recording material 10 are shown in FIG Fig. 1 the sputtered thin photoconductor layer 12 made of photoconductive material, the sputtered electrically conductive thin layer 14 and the layer carrier 16.

Betrachtet man zunächst Fig.5, so erkennt man ein Diagramm, in welchem die Eigenschaften eines typischen xerographischen Aufzeichnungsmaterials bisher bekannter Art (A) und die Eigenschaften eines elektrophotofjraphischen Aufzeichnungsmaterials der hier angegebenen Art (B) einander gegenübergestellt sind.5, a diagram can be seen in which the properties of a typical xerographic recording material of the previously known type (A) and the properties of an electrophotographic recording material of the type specified here (B) are compared with one another.

Die horizontale Achse in F i g. 5 ist die Zeitachse mit nach rechts zunehmenden Werten, und die Ordinate ist nach aufwärts zunehmend in Potentialwerten geeicht. Beim xerographischen Aufzeichnungsverfahren wird die photoleitfähige Oberfläche, beispielsweise ein Gemisch aus amorphem Seien oder Zinkoxid und Harz, durch Aussetzen der Oberfläche gegenüber einer Koronaentladung in Dunkelheit aufgeladen. Für die charakteristischen Dicken der entsprechenden Oberflächenschichten, nämlich in der Größenordnung von 20 μπι bis 160μΐη folgt das durch die Ladung erzeugte Potential der durchgehenden Linie 30 und steigt auf beispielsweise etwa 500 Volt an. Dies geschieht in einer Zeitdauer von größenordnungsmäßig etwa 60 Sekun-The horizontal axis in FIG. 5 is the time axis with values increasing to the right, and the ordinate is increasingly calibrated upwards in potential values. In the xerographic recording process, the photoconductive surface, for example a mixture of amorphous selenium or zinc oxide and resin, charged by exposing the surface to a corona discharge in the dark. For the characteristic thicknesses of the corresponding surface layers, namely in the order of 20 μm to 160 μm follows that generated by the charge Potential of the solid line 30 and rises to, for example, about 500 volts. This is done in a Duration of the order of about 60 seconds

r, den. Während weiterhin noch Dunkelheit herrscht, beginnt die Ladung langsam abzufließen, wobei die Kennlinie zunächst dem in ausgezogener Linie dargestellten Kurvenabschnitt 32 und dann der gestrichelt angegebenen Linie 34 folgt. Das Aufladungsniveau ist hier mit 35 bezeichnet.r the. While it is still dark, the charge begins to drain slowly, whereby the Characteristic curve first the curve section 32 shown in solid line and then the dashed line indicated line 34 follows. The charge level is denoted by 35 here.

An dem durch die vertikale gestrichelte Linie 36 bezeichneten Zeitpunkt, beispielsweise am 90-Sekunden-Punkt, wird die xerographische Platte einer bildniäßigen Belichtung ausgesetzt. Hierbei wird dieAt the point in time indicated by the vertical dashed line 36, for example at the 90-second point, the xerographic plate is exposed to imagewise exposure. Here the

υ Ladung selektiv in einem Maße abgeleitet, das proportional zur Menge des auf die Oberfläche treffenden Lichtes ist. Jedes Photon bringt ein Elektron von der Oberfläche zur Kombination mit einem Elementarladungsloch. Das vollständige Fehlen vonυ charge is selectively diverted to an extent proportional to the amount of on the surface the right light is. Each photon brings an electron from the surface to combine with one Elemental charge hole. The complete absence of

so Elektronen wird durch den Zustand der Bereiche der Oberfläche bei dem Restpotential 38 ganz unten im Diagramm dargestellt, wobei dieses Restpotential beispielsweise in der Größenordnung von 30 bis 50 Volt liegt. Dieser zuletzt betrachtete Zustand entsprichtso electrons are through the state of the areas of the surface at the residual potential 38 at the very bottom of the Diagram shown, with this residual potential, for example, on the order of 30 to 50 volts lies. This last condition considered corresponds to

!'. einem reinen Weiß der Aufzeichnung. Vollständig schwarze Bereiche, nämlich diejenigen, welche absolut keine Elektroner, verlustig gegangen sind, da sie nicht belichtet wurden, bleiben auf dem Niveau 35 oder dem Zustand praktisch vollständiger Aufladung entspre-! '. a pure white of record. Completely black areas, namely those which are absolutely no electrons, have been lost because they are not have been exposed, remain at level 35 or the state of practically complete charge

Ki chend dem Kurventeil 34. Sämtliche übrigen Bereiche befinden sich irgendwo zwischen diesen beiden Extremzuständen.Ki chend the curve part 34. All other areas are somewhere between these two extreme states.

Der Ladungsabfall setzt sich in der dargestellten Weise fort, doch werden an irgendeinem ZeitpunktThe drop in charge continues as shown, but will at some point in time

i^r, während der Verfahrensdauer zweckmäßig Tonerpartikel auf die Oberfläche des xerographischen Aufzeichnungsmaterials aufgebracht und diese werden dann gleichsam in einem Offsetvorgang auf ein Blatt Papier übertragen und durch Erwärmen im Papier dauerhaft i ^r , toner particles are expediently applied to the surface of the xerographic recording material during the process and these are then transferred, as it were, to a sheet of paper in an offset process and permanently in the paper by heating

V) fixiert. Hiernach wird der Toner, soweit er sich noch auf dem xerographischen Aufzeichnungsmaterial befindet, von diesem abgebürstet und das Aufzeichnungsmaterial ist dann von neuem verwendbar. In der Zwischenzeit kann noch eine vollständige Entladung des Aufzeichnungsmaterials durch eine ganzflächige, sehr starke Belichtung erfolgen. V) fixed. The toner, if it is still on the xerographic recording material, is then brushed off and the recording material can then be used again. In the meantime, the recording material can still be completely discharged by means of a whole-area, very strong exposure.

Vorliegend wird nun die Verwendung des vorgeschlagenen Aufzeichnungsmaterials zur Herstellung einer transparenten photographischen Aufzeichnung be-W) trachtet, wobei keine Übertragung des Toners stattfindet. Man erkennt vielmehr, daß der Toner unmittelbar in das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial selbst eingeschmolzen wird, nachdem dieses belichtet und der Toner aufgebracht wurde, was durch die μ außerordentliche Wirtschaftlichkeit des hier vorgeschlagenen Materials möglich ist.In the present case, the use of the proposed recording material for producing a transparent photographic recording is intended, with no transfer of the toner taking place. Rather, it can be seen that the toner directly enters the electrophotographic recording material itself is melted down after this has been exposed and the toner has been applied, which is caused by the μ extraordinary economy of the one proposed here Material is possible.

Sieht man von dem Schichtträger selbst ab, welcher eine Stärke von einem Bruchteil eines Millimeters hat.Apart from the substrate itself, which is a fraction of a millimeter thick.

so ist die Dicke des eleklrophotographischen Aufzcichnungsmaterials in den meisten Fällen ein Bruchteil eines um. Die zu verwendenden Spannungen sind daher wesentlich geringer als diejenigen, wie sie für die Behandlung dicker xerographiseher Aufzeichnungsmaterialien für bekannte Verfahren notwendig sind. LJin einen Vergleich durchführen zu können, ist jedoch in dem Diagramm nach Fig. 5 eine Ordinaten-Maßstabsveränderung für eine der Kennlinien durchgeführt, wobei von einem Aufbau ausgegangen ist, in welchem zur Untersuchung der Spannungsverhältnissc die photoleitfähige Schicht des vorliegend angegebenen Aufzeichnungsmaterials im wesentlichen in derselben Stärke wie die photoleitfähige Schicht des xerographischen Aufzeichnungsmaterials aufgenommen ist.so is the thickness of the electrophotographic recording material in most cases a fraction of an order. The voltages to be used are therefore considerably less than those required for the treatment of thick xerographic recording materials for known processes. LJin To be able to carry out a comparison, however, is a change in the ordinate scale in the diagram according to FIG. 5 carried out for one of the characteristics, assuming a structure in which the photoconductive layer of the present invention to investigate the stress ratios Recording material substantially the same thickness as the photoconductive layer of the xerographic Recording material is recorded.

Für den Vergieichs-Aufbau des eiektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials erscheint der Dunkelabfall der Ladung sehr rasch. Zunächst ist festzustellen, daß die Koronaentladung, welcher die photoleitfähige Oberfläche ausgesetzt wird, deren Potential auf einen theoretischen Wert in der Größenordnung von 2000 Volt oder darüber anhebt. Das erreichte Potential soll selbstverständlich nicht über demjenigen Wert liegen, der zu einem Durchbruch der photoleitfähigen Schicht führt. Beim Einwirkenlassen der Koronaentladung steigt das Potential der photoleitfähigen Oberflächenschicht längs der Linie 40 auf den gewünschten Scheitelwert an. was innerhalb eines Bruchteiles einer Sekunde, hier innerhalb einer halben Sekunde, geschieht. Sobald die Aufladung durch Koronaentladung beendet isi. wobei sich das Aufzeichnungsmaterial immer noch in Dunkelheil befindet, beginnt es sich längs der steil abfallenden Linie 42 zu entladen, welche zu derselben Kennlinie gehört wie der kleine Abschnitt 32 der Dunkelabfallskcnnlinic für den Fall A. Zu irgendeinem Zeitpunkt, beispielsweise Vioos später, wird die Oberfläche der photoleitfähigen Schicht einem aufproji-/ierten Bild oder einer Strahlung in irgendeiner anderen Form, beispielsweise einer Röntgenstrahlung, ausgesetzt. Die Geschwindigkeit der Belichtung kann wegen der Steilheit des Abfalls der Kennlinie sehr groß sein, nachdem dieser Abfall die Leichtigkeit der Entfernung von Elektronen von der Oberfläche der photoleitfähigen Schicht wiedergibt. Die Dunkelabfallskennlinie setzt sich in der gestrichelten Linie 44 fort, welche weit unter dem Aufladungspotential schließlich auf die Niveaulinie 35 trifft, während die Belichtungs-Entladungslinic längs der Linie 46 auf das Restpotential abfällt. Man erkennt, wie rasch sämtliche Vorgänge ausgeführt werden können, um das hier vorgeschlagene elektrophoiographische Aufzeichnungsmaterial, z. B. in sehr schnellen Kameras, verwenden zu können.For the comparison structure of the electrophotographic recording material, the dark decay of the charge appears very quickly. First, it should be noted that the corona discharge to which the photoconductive surface is exposed raises its potential to a theoretical value on the order of 2000 volts or more. The potential achieved should of course not be above that value which leads to breakdown of the photoconductive layer. When the corona discharge is applied, the potential of the photoconductive surface layer rises along the line 40 to the desired peak value. what happens within a fraction of a second, here within half a second. As soon as the corona discharge stops charging. while the recording material is still in darkness, it begins to discharge along the steeply sloping line 42, which belongs to the same characteristic as the small section 32 of the dark decay line for case A. At some point in time, for example Vioos later, the surface becomes the photoconductive layer is exposed to a projected image or to radiation in some other form, for example X-rays. The speed of exposure can be very great because of the steepness of the slope of the characteristic curve, since this slope reflects the ease of removal of electrons from the surface of the photoconductive layer. The dark decay curve continues in the dashed line 44, which finally meets the level line 35 far below the charging potential, while the exposure-discharge line drops along the line 46 to the residual potential. It can be seen how quickly all processes can be carried out in order to use the electrophoresis recording material proposed here, e.g. B. in very fast cameras to be able to use.

Ein großer Vorteil solcher sehr schneller eleklrophotographischer Aufzeichnungsmaterialien ist es, daß die Koronaentladung zur Wirkung gebracht werden kann, wenn der photoleitfähige Oberflächenbelag bereits belichtet wird, d. h. die Korona kann bei Licht einwirken, und der Toner kann zugeführt werden, wenn ein gewünschtes Potential erreicht ist. Dies kann gegenüber den dargestellten Verhältnissen weiter oben an einem Punkt der Kurve 52 und sogar nahe dem Scheitel 48 geschehen.A great advantage of such very high speed electrophotographic recording materials is that the Corona discharge can be brought into effect when the photoconductive surface covering is already is exposed, d. H. the corona can be exposed to light, and the toner can be added if a desired potential is reached. This can be compared to the relationships shown above on one Point of curve 52 and even near apex 48.

Betrachtet man nun die tatsächlich zur Anwendung kommenden Potentiale, so ergibt sich, daß wegen der außerordentlich geringen Stärke der photoleitfähigen Schicht das tatsächliche Potential am Punkte maximaler Aufladung entsprechend dem Scheitelpunkt 48 nicht mehr als 50 bis 60 Volt oder eine Spannung in diesem Bereich beträgt. Die anderen Spannungen sind entsprechend proportional kleiner, wodurch die Einrichtungen zur Ausübung des hier vorgeschlagenen Verfahrens in ihrem Aufbau sehr einfach werden. Das Restpotential beispielsweise beträgt bei den· hier vorgeschlagenen Verfahren einige wenige Volt, während es im Falle der gebräuchlichen xerographischen Aufzeichnungsmaterialien bei 30 bis 50 Volt liegt. Es kann festgestellt werden, daß der betriebsmäßige Spannungsbercich für das erfindungsgemäße elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial vollständig unterhalb der niedrigsten Spannung liegt, die bei herkömmlichen Xerographieverfahren zur Anwendung kommen.If one now considers the potentials actually used, it turns out that because of the extremely small thickness of the photoconductive layer the actual potential at the point maximum Charge corresponding to apex 48 no more than 50 to 60 volts or any voltage in this Area is. The other voltages are correspondingly proportionally smaller, thereby reducing the facilities to carry out the method proposed here are very simple in their structure. The residual potential for example, in the case of the method proposed here, it is a few volts, while in the case of common xerographic recording materials is 30 to 50 volts. It can be noted that the operational voltage range for the electrophotographic recording material according to the invention is completely below the lowest voltage found in conventional xerographic processes come into use.

Nunmehr sollen die Fig. I bis 3 näher betrachtet werden, in welchen ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial im Schnitt gezeigt ist. wobei die Abmessungen übertrieben sind und in ihrem gegenseitigen Verhältnis nicht abgestimmt sind, um die einzelnen Teile des Aufzeichnungsmaterial besser erläutern zu können. In jedem Falle sind ein Schichtträger 16, eine Photoleiterschicht 12 und eine dazwischen befindliche elektrisch leitende Schicht 14 vorhanden. In der Darstellung nach Fig. 1 ist ein Kontakt bei 18 zu der elektrisch leitenden Schicht hergestellt, indem die Photoieiterschicht die elektrisch leitende Schicht nicht vollständig überdeckt, so daß ein Teil der leitenden Schicht 14 freiliegt. Mit 20 ist eine Hochspannungsquelle bezeichnet, während 21 einen Koronagenerator versinnbildlicht, wodurch schematisch eine Schaltung als Aulladeeinrichtung angegeben ist. welche auf die Photoleiterschicht 12 eine Obcrflächenladung aufzubringen vermag.Referring now to Figs. 1 to 3, in which an electrophotographic recording material shown in section. the dimensions being exaggerated and mutually exclusive Ratio are not coordinated in order to better explain the individual parts of the recording material can. In each case there is a substrate 16, a photoconductor layer 12 and one therebetween electrically conductive layer 14 is present. In the illustration of Fig. 1 is a contact at 18 to the electrically conductive layer produced by the photo conductor layer not the electrically conductive layer completely covered so that part of the conductive layer 14 is exposed. At 20 there is a high voltage source denotes, while 21 symbolizes a corona generator, which schematically shows a circuit as Loading device is specified. which apply a surface charge to the photoconductor layer 12 able.

In dem Ausführungsbeispiel nach Fi g 2 ist längs des Randes in der bei 22 angedeuteten Weise ein Teil der elektrisch leitenden Schicht 14 oder ein gesonderter Streifen aus einem Leitermaterial, beispielsweise aus Aluminium vorgesehen, um die Kontaktierung der elektrisch leitenden Schicht 14 zu erleichtern. Bei der Ausführungsform nach F i g. 3 hat dieser Streifen die Form eines Teiles 24. welches den Rand und einen Teil der Unterseite des Schichtträgers 16 umgreift. Der Kontaktstreifen 22 bzw. 24 stellt einen guten Kontakt zu der elektrisch leitenden Schicht 14 her und kann leicht in beträchtlicher Dicke ausgebildet werden, um widerstandsfähig gegen Abnützung zu sein.In the embodiment of Fi g 2 is along the Edge in the manner indicated at 22 a part of the electrically conductive layer 14 or a separate one Strips made of a conductor material, for example made of aluminum, are provided to make contact with the electrically conductive layer 14 to facilitate. In the embodiment according to FIG. 3 this strip has the Shape of a part 24 which engages around the edge and part of the underside of the layer carrier 16. Of the Contact strip 22 or 24 makes good contact with the electrically conductive layer 14 and can easily be in considerable thickness to be resistant to wear and tear.

Die drei Bestandteile des grundsätzlichen Aufbaus werden durch Sputtern vereinigt, was in einer geeigneten Druckkammer durchgeführt wird. Der Schichtträger wird vorzugsweise in der richtigen Breite ausgeschnitten, bevor die Beschichtung erfolgt und wird dann durch eine erste Druckkammer geführt, in welcher die elektrisch leitende dünne Schicht 14 auf eine der Oberflächen des Schichtträger aufgebracht wird. Bei einem anderen Verfahren ist der gesamte Vorrat zur Lieferung und zur Abnahme des streifenförmigen Schichtträgers vollständig innerhalb der Druckkammer angeordnet. In entsprechender Weise wird dann die zweite Schicht oder die Photoleiterschicht 12 über die elektrisch leitende Schicht 14 aufgesputten. Die Kontaktberciche 18 oder die Randteile 22 bzw. die seitlichen Teile 24 können durch Vakuumtechniken oder Sputterverfahren und/oder durch Maskieren aufgebracht werden, was gewöhnlich vor Aufbringen der beiden Schichten 14 und 12 erfolgt.The three components of the basic structure are combined by sputtering, which in one suitable pressure chamber is carried out. The support is preferably of the correct width cut out before the coating takes place and is then passed through a first pressure chamber in which the electrically conductive thin layer 14 is applied to one of the surfaces of the substrate. at Another method is the entire supply for delivery and for the removal of the strip-shaped Layer carrier arranged completely within the pressure chamber. The second layer or the photoconductor layer 12 is sputtered on over the electrically conductive layer 14. the Contact areas 18 or the edge parts 22 or the side parts 24 can be made by vacuum techniques or Sputtering and / or masking can be applied, which is usually done prior to application of the two layers 14 and 12 takes place.

Die Photoleiterschicht 12The photoconductor layer 12

Die Photoleiterschicht 12 ist der wichtigste Bestandteil des clektrophotographischen Aufzeichnungsmatc-The photoconductor layer 12 is the most important component of the clektrophotographic recording matc-

rials, da er die wirkungsmäßigen und physikalischen Eigenschaften besitzt, welche die besonderen Vorteile des hier vorgeschlagenen Aufzeichnungsmaterials gegenüber bekannten Aufzeichnungsmaterialien begründen, ιrials because it has the physical and physical properties that give it its special advantages justify the recording material proposed here compared to known recording materials, ι

Der Werkstoff, aus welchem die Schicht 12 hergestellt ist, besteht in einer photoleitfähigen Verbindung oder Legierung, welche die beschriebenen Eigenschaften besitzt. In den beiden Beispielen, welche nachfolgend betrachtet werden, finden η-leitendes Kadmiumsulfid (CdS und Zink-Indium-Sulfid (Znln2S<i) Verwendung. Andere Werkstoffe, welche für die Photoleiterschicht 12 verwendet werden können, sind S13N4, ZnS, Sb2S3, AS2S3, GaAs, CdSe oder ZnSe. Diese können in verschiedener Weise dotiert werden. Die Eigenschaften des Werk- 1·-. Stoffs seien nachfolgend genauer betrachtet.The material from which the layer 12 is made consists of a photoconductive compound or Alloy that has the properties described. In the two examples which follow are considered, η-conductive cadmium sulfide (CdS and zinc indium sulfide (Znln2S <i) are used. Other materials that can be used for the photoconductor layer 12 are S13N4, ZnS, Sb2S3, AS2S3, GaAs, CdSe or ZnSe. These can be doped in various ways. The properties of the work- 1 · -. Substance are considered in more detail below.

1. Der Werkstoff ist in jedem Falle vollständig anorganisches, mikrokristallines Material in einer Stärke von mehreren hundert nm. Bisher bekannte _>o photoleitfähige Schichten sind beträchtlich stärker und sind daher nicht in hohem Maße flexibel und transparent. Bekannte Schichten sind sehr stark mit harzartigen Bindemitteln und anderen Stoffen versetzt, welche die Undurchsichtigkeit erhöhen r, und sind im allgemeinen im Vakuumaufdampfverfahren aufgebracht, um eine Kristallstruktur zu vermeiden, da große Kristalle die Schichten brüchig machen. Die Dicke der dünnen Photoleiterschicht 12 beträgt vorzugsweise unter 350 nm, kann «1 aber auch 500 nm erreichen. Die Leitung von Elektronen und Löchern durch die Schicht hindurch wird von solch dünnen Schichten in keiner Weise behindert. Die kristalline Struktur ist vertikal ausgerichtet, also senkrecht zu der Oberfläche, auf i-> welcher die Schicht aufgebracht wird, was auf dem Sputterverfahren des Aufbringens beruht.
Als Beispiel für die Flexibilität der Photoleiterschicht bei Ablagerung auf einen blattartigen, flexiblen Polyesterschichtträger in einer Stärke von 0,125 mm sei angegeben, daß das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial um einen Dorn oder Zylinder mit einem Durchmesser von 6.25 mm geschlungen werden kann, ohne daß Sprünge oder Risse auftreten. Die Möglichkeit, das elektrophoto- -r> graphische Aufzeichnungsmaterial um zylindrische Körper oder Dorne mit einem Durchmesser von Bruchteilen von Zentimetern schlingen zu können, macht deutlich, daß das elektrophotograpnische Aufzeichnungsmaterial ohne weiteres durch Be- ~>« handlungsmaschinen und Wiedergabeeinrichtungen transportiert werden kann.
Eine weitere Eigenschaft, welche mit der Tatsache zusammenhängt, daß die Schicht 12 anorganisch, dünn und kristallin ist. besieht in ihrer Härte. Oben wurde bereits die Forderung erwähnt, daß die Oberfläche hart sein soll. Eine Abriebfestigkeit ist beim Gebrauch und der Handhabung des Aufzeichnungsmaterials wichtig, da sie Kratzer. Schrammen und dergleichen vermeiden hilft, welche zu einer wi Beschädigung oder einem Verlust von Einzelheiten und Daten führen können, insbesondere wenn die aufgezeichnete Information sehr fein ist. Das hier beschriebene Aufzeichnungsmaterial besitzt eine glasharte Oberfläche. Bei der Herstellung des fa5 elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials treten auch keine Schwierigkeiten auf, wenn es notwendig ist, das Aufzeichnungsmaterial durch Reibung zwischen der anliegenden Oberfläche und den Reibrädern oder Rollen zu bewegen.
Aufgrund einer geringen Stärke und der Halbleitereigenschaften ist der Werkstoff elektrisch anisotrop. Das bedeutet, daß das Material mindestens während einer beträchtlichen Zeitdauer eine nicht gleichförmige Verteilung von Elektronen und Löchern, welche der Schicht aufgeprägt oder in der Schicht erzeugt sind, aufrechterhalten kann.
2. Der Werkstoff hat die Eigenschaft eines hohen photoelektrischen Verstärkungsfaktors. Die beiden hier beispielsweise erwähnten besonderen Werkstoffe sind η-leitendes Kadmiumsulfid und Zink-Indium-Sulfid. Ersteres hat einen Dunkelwiderstand von 10^l2Qcm, einen spezifischen Hellwiderstand oder Widerstand bei Belichtung von 10⁸QCm und ein verbotenes Band von etwa 2,45 eV. Das zuletzt genannte Material hat einen spezifischen Dunkelwiderstand von 1O¹⁴QCm und einen spezifischen Hellwiderstand von 10⁸QCm bis 10¹⁰QCm. Die optische Durchlässigkeit soll bei 70% liegen und nicht über 85% betragen. Ein Verhältnis des spezifischen Dunkelwiderstandes zum spezifischen Hellwiderstand von 10⁴ oder darüber ist besonders vorteilhaft zur Schaffung extrem rasch arbeitender elektrophotographischer Aufzeichnungsmaterialien. 1. The material is in any case completely inorganic, microcrystalline material with a thickness of several hundred nm. Previously known _> o photoconductive layers are considerably stronger and are therefore not flexible and transparent to a high degree. Known layers are very heavily mixed with resinous binders and other substances which increase the opacity r, and are generally applied by vacuum vapor deposition in order to avoid a crystal structure, since large crystals make the layers brittle. The thickness of the thin photoconductor layer 12 is preferably less than 350 nm, but can also reach 500 nm. The conduction of electrons and holes through the layer is in no way hindered by such thin layers. The crystalline structure is oriented vertically, that is to say perpendicular to the surface on which the layer is applied, which is based on the sputtering process of application.
As an example of the flexibility of the photoconductor layer when deposited on a sheet-like, flexible polyester support with a thickness of 0.125 mm, it should be mentioned that the electrophotographic recording material can be wrapped around a mandrel or cylinder with a diameter of 6.25 mm without cracks or tears occurring. The possibility of elektrophoto- -r> to loop recording material to cylindrical body or mandrels with a diameter from fractions of inches, makes clear that the elektrophotograpnische recording material without further treatment machine by working ~>"and reproducing devices can be transported.
Another property related to the fact that layer 12 is inorganic, thin and crystalline. seen in their hardness. The requirement that the surface should be hard was already mentioned above. Abrasion resistance is important in the use and handling of the recording material because it causes scratches. Helps avoid scratches and the like, which can lead to damage or loss of details and data, especially if the recorded information is very fine. The recording material described here has a glass-hard surface. In the production of the fa5 electrophotographic recording material, there are also no difficulties if it is necessary to move the recording material by friction between the abutting surface and the friction wheels or rollers.
Due to its low thickness and semiconductor properties, the material is electrically anisotropic. This means that the material can maintain a non-uniform distribution of electrons and holes impressed on the layer or created in the layer for at least a considerable period of time.
2. The material has the property of a high photoelectric amplification factor. The two special materials mentioned here, for example, are η-conductive cadmium sulfide and zinc indium sulfide. The former has a dark resistance of 10 ¹² Ωcm, a specific light resistance or exposure resistance of 10 ⁸ Ωcm, and a forbidden band of about 2.45 eV. The last-mentioned material has a specific dark resistance of 10 ¹⁴ Ωcm and a specific light resistance of 10 ⁸ Ωcm to 10 ¹⁰ Ωcm. The optical transmittance should be 70% and not exceed 85%. A ratio of dark resistivity to light resistivity of 10 ⁴ or more is particularly advantageous for providing extremely fast electrophotographic recording materials.

Zink-lndium-Sulfid ist wegen seines hohen spezifichen Dunkelwiderstandes und des niedrigen spezifischen Hellwiderstandes in vielen Anwendungsgebieten der Elektrophotographie nach der Erfindung vorteilhaft, während !Cadmiumsulfid aufgrund des raschen Dunkelabfalles vorzugsweise Verwendung in denjenigen Verfahren findet, bei welchen Bilder sehr schnell erzeugt werden müssen.Zinc indium sulfide is because of its high specificity Dark resistance and the low specific light resistance in many areas of application of electrophotography according to the invention, while cadmium sulfide due to the rapid decline in darkness, it is preferably used in those processes which images have to be generated very quickly.

Die Eigenschaft des hohen photoelektrischen Verstärkungsfaktors ist bedeutsam, da sie die Empfindlichkeit des elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials nach der Erfindung bis zu einem Grade erhöht, in welchem die Lichtempfindlichkeit vergleichbar mit der Empfindlichkeit der raschesten photographischen Aufzeichnungsmaterialien herkömmlicher Art wird, wobei aber nicht notwendigerweise der gleiche eigentümliche Verlust von Feinheiten aufgrund groben Kornes auftritt. Die erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterialien besitzen praktisch kein Korn, nachdem die kristalline Struktur der Oberflächenschicht mikroskopisch ist. Bei einem photoleitfähigen Werkstoff bedeutet ein hoher Verstärkungsfaktor, daß beim Auftreffen eines Photons auf das Material anstelle eines einzigen Elektrons eine Mehrzahl von Elektronen freigesetzt werden. Je mehr Elektronen freigesetzt werden, desto höher ist der Verstärkerfaktor. Die Zunahme des Verstärkungsfaktors des Photoleiters des erfindungsgemäßen elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials beruht vermutlich auf der Auslösung freier Elektronen aus Energieniveaus im verbotenen Band des Photoleiters.The high photoelectric gain property is significant because it allows the Sensitivity of the electrophotographic recording material according to the invention up to increased to a degree to which the photosensitivity is comparable to the sensitivity of the fastest photographic recording materials of the conventional type, but not necessarily the same peculiar loss of subtleties due to coarse grain occurs. The recording materials according to the invention have practically no grain after the crystalline structure of the surface layer is microscopic. For a photoconductive one Material means a high gain factor when a photon hits the material instead of a single electron, a plurality of electrons are released. The more Electrons are released, the higher the amplification factor. The increase in the gain factor of the photoconductor of the electrophotographic recording material according to the invention is probably based on the release of free electrons from energy levels in the forbidden Tape of photoconductor.

Die Photoleiterschicht muß durch Sputtern aufgebracht werden, um die oben angegebenen Eigenschaften zu erhalten. Kein anderes Beschichtungs- oder Ablagerungsverfahren der heute bekannten Art führt zu den angegebenen Eigenschaften.
Einige Betrachtungen seien nochmals dem Verstärkungsfaktor der Photoleiterschicht gewidmet.The photoconductor layer must be applied by sputtering in order to obtain the properties indicated above. No other coating or deposition process of the type known today leads to the specified properties.
Some considerations are again dedicated to the gain factor of the photoconductor layer.

Wenn von der Photoleiterschicht ein Elektron abgeführt wird, sobald ein Photon absorbiert wird, so kann man sagen, daß der Verstärkungsfaktor den Wert Eins hat. Werden mehrere Elektronen herausgestoßen, so ist der Verstärkungsfaktor größer als Eins. Man erkennt, daß die Dicke der Photoleiterschicht 12 so sein soll, d;iß genügend Material zur Erzeugung der gewünschten Lichtabsorbtion und der gewünschten Abriebfestigkeit vorhanden ist.If an electron is removed from the photoconductor layer as soon as a photon is absorbed, so one can say that the gain factor has the value one. Will be multiple electrons pushed out, the gain factor is greater than one. It can be seen that the thickness of the Photoconductor layer 12 should be such that there is sufficient material to produce the desired light absorption and the desired abrasion resistance is present.

Die Forderungen bezüglich der Lichtabsorbtion müssen in jedem Falle eingehalten werden. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist dies möglich, wobei man eine Photoleiterschicht erhält, die einen Verstärkungsfaktor von wesentlich über Eins besitzt und eine ausgezeichnete Abriebfestigkeit aufweist.The requirements regarding light absorption must be met in any case. In which This is possible according to the invention, whereby a photoconductor layer is obtained which has a Has a gain factor well above unity and excellent abrasion resistance having.

Es versteht sich, daß die Anteile der einzelnen Elemente, welche an der Photoleiterschicht beteiligt sind, stöchiometrisch richtig eingebaut sind, was durch entsprechende Steuerung der Bedingungen bei der Ablagerung erreicht werden kann. Auch die Anteile des Dotierungsmittels müssen gesteuert werden, was jedoch, nachdem die gesamte Schicht anorganisch ist, mit herkömmlichen Regelverfahren durchfuhr bar und verhältnismäßig einfach ist.It goes without saying that the proportions of the individual elements which participate in the photoconductor layer are, stoichiometrically correctly installed, what by appropriate control of the conditions can be achieved at the time of deposition. The proportions of the dopant must also be controlled which, however, after the entire layer is inorganic, with conventional control methods passable and relatively simple.

3. Der Werkstoff hat eine Empfindlichkeit in einem weilen Spektralbereich. Eine Empfindlichkeitsspitze in der Gegend von 500 nm ist besonders vorteilhaft für eine Vielfalt von Anwendungsfällen der Elektrophotographie. Die oben als Werkstoff für die dünne Photoleiterschicht 12 genannten Materialien zeigen eine breite spektrale Empfindlichkeit. Es versteht sich, daß es wünschenswert ist, daß die meisten Strahlungsarten, mit welchen eine Aufzeichnung durchgeführt werden soll, auf dem elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial der hier vorgeschlagenen Art Bilder erzeugen können. Die Ansprechempfindlichkeit des erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterials umfaßt den gesamten Bereich des sichtbaren Lichtes sowie Röntgenstrahlungen und andere Strahlungen, die gegenwärtig noch mit anderen Mitteln aufgezeichnet werden.3. The material has a sensitivity in a certain spectral range. A peak in sensitivity in the region of 500 nm is particularly advantageous for a variety of applications of electrophotography. Those mentioned above as the material for the thin photoconductor layer 12 Materials show a broad spectral sensitivity. It goes without saying that it is desirable that most types of radiation with which a recording is to be carried out, on the Electrophotographic recording material of the type proposed here produce images can. The sensitivity of the recording material according to the invention includes the entire range of visible light as well as X-rays and other radiations that can currently be recorded by other means.

Kadmiumsulfid, das mit einem geeigneten Donatormaterial dotiert worden ist, zeigt eine panchromatische Ansprechempfindlichkeit. Zink-Indium-Sulfid besitzt eine universellere Ansprechempfindlichkeit, muß jedoch selektiv dotiert werden, um gegebenenfalls in bestimmten Bereichen die Ansprechempfindlichkeit zu verbessern. Normalerweise hat die Ansprechempfindlichkeit ihr Maximum bei etwa 480 nm. Als Dotierungsmittel für Kadmiumsulfid wird in den hier erwähnten Beispielen Kupfer verwendetCadmium sulfide with a suitable donor material has been doped shows panchromatic responsiveness. Zinc indium sulfide has a more universal response, but must be selectively doped in order to if necessary to improve the sensitivity in certain areas. Normally the response sensitivity has its maximum at about 480 nm. As a dopant for Cadmium sulfide is used in the examples mentioned herein, copper

4. Das Material kann leicht abgelagert werden. Diese Eigenschaft ist von Bedeutung, da sie eine gleichförmige, steuerbare Produktion mit hoher Geschwindigkeit ermöglicht. Das Aufbringen der Schicht geschieht durch Sputtern oder Aufspritzen in einer entsprechenden Druckkammer unter Anwendung eines Hochfrequenzfeldes. Es brauchen keine Pasten, Massen oder Harze gehandhabt zu werden. Sämtliche Werkstoffe werden in die Druckkammer eingebracht, entweder in Form von sich verbrauchenden Elektroden oder von Gasen oder von sublimierten Verbindungen, die in die Atmosphäre des betreffenden Druckgefäßes eingebracht werden, nachdem das Verfahren in Lauf gesetzt ist. Die stöchiometrisch richtigen Anteile lassen sich so einregulieren, daß man ein im wesentlichen fehlerloses gleichförmiges Erzeugnis erzielen kann.4. The material can be easily deposited. This property is important because it is a enables uniform, controllable production at high speed. Applying the Layer is done by sputtering or spraying in a corresponding pressure chamber below Application of a high frequency field. No pastes, masses or resins need to be handled to become. All materials are brought into the pressure chamber, either in the form of consumable electrodes or gases or sublimed compounds that enter the Atmosphere of the pressure vessel in question can be introduced after the process is underway is set. The stoichiometrically correct proportions can be regulated in such a way that one im can achieve substantially flawless uniform product.

Die elektrisch leitende Schicht 14The electrically conductive layer 14

Die elektrische Schicht 14 ist eine leitende Schicht,The electrical layer 14 is a conductive layer,

ίο welche auf dem Schichtkörper 16 abgelagert wird, bevor die Photoleiterschicht 12 aufgebracht wird. Zweck der leitenden Schicht 14 ist es, die Aufladung zu erleichtern, die Ableitung von Elektronen von der Oberfläche der Photoleäterschicht zu fördern, wenn letztere Photonen absorbiert, und die Haftung der Photoleiterschicht an dem Schichtträger zu verbessern.ίο which is deposited on the laminate 16, before the photoconductor layer 12 is applied. The purpose of the conductive layer 14 is to charge facilitate to promote the dissipation of electrons from the surface of the photoconductive layer, if the latter absorbed photons, and to improve the adhesion of the photoconductor layer to the support.

Die elektrisch leitende Schicht ist bedeutend dünnerThe electrically conductive layer is significantly thinner

als die Photoleiterschicht 12 und hat vorzugsweise eine Stärke in der Größenordnung von 50 nm. Diese Stärke führt zu keiner nachteiligen Beeinflussung der Transparenz und der Flexibilität des fertigen Aufzeichnungsmaterials. Die leitende Schicht bildet eine Trennschicht zwischen der Photoleiterschicht 12 und dem Schichtträger 16. Die leitende Schicht ist, wie oben schon erwähnt, als ein Teil einer kapazitiven Anordnung während der Aufladung der Oberfläche der Photoleiterschicht zusätzlich zu der funktion wirksam, die herausgelösten Elektronen von der Photoleiterschicht abzuführen.than the photoconductor layer 12 and preferably has a thickness on the order of 50 nm. This thickness does not adversely affect the transparency and flexibility of the finished recording material. The conductive layer forms a separating layer between the photoconductor layer 12 and the substrate 16. The conductive layer is, as mentioned above, as part of a capacitive arrangement during the Charging the surface of the photoconductor layer in addition to the effective function of the leached out Dissipate electrons from the photoconductor layer.

Eine bestimmte Reinheitssorte von Indiumoxid-Halbleitermaterial ist als Werkstoff für die elektrisch leitende Schicht 14 geeignet. Es läßt sich leicht mit den Aluminiumrändern oder mit Leiterstreifen verbinden. Außerdem kann es leicht durch Sputterverfahren in denselben Einrichtungen aufgebracht werden, die auch zum Aufbringen der Photoleiterschicht verwendet werden. Andere Aufbringverfahren oder Ablagerungsverfahren bisher bekannter Art ergeben nicht die Dichte, die Verbindung und Dauerhaftigkeit so .vie die Flexibilität, wie sie in einem elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial erforderlich sind.A specific grade of indium oxide semiconductor material is suitable as a material for the electrically conductive layer 14. It can be easily done with the Connect aluminum edges or with conductor strips. Also, it can be easily put in by sputtering processes the same devices are applied that are also used to apply the photoconductor layer will. Other application methods or deposition methods of the type previously known do not result Density, connection and durability as much as flexibility as in an electrophotographic Recording material are required.

Eine metallische Schicht in einer Stärke von größenordnungsmäßig 10 nm kann unmittelbar auf den Schichtträger 16 zwischen der elektrisch leitenden Schicht 14 und dem Schichtträger 16 aufgebracht werden, um die Haftung und Verbindung zwischen dem Schichtträger 16 und den darüberliegenden anorganischen, elektrisch leitenden bzw. photoleitfähigen Schichten 14 und 12 zu verbessern, doch ist dies nicht unbedingt erforderlich. Eine solche metallische Schicht kann aus Titan bestehen und ist in Fig.4 mit 15 bezeichnet. Diese Schicht läßt sich leicht in derselben Verfahrensweise aufbringen, wie auch die anderen Schichten, d. h. vorzugsweise durch Sputtern, doch möglicherweise auch durch andere Ablagerungs- bzw. Beschichtungsverfahren.A metallic layer with a thickness of the order of 10 nm can be applied directly to the Layer carrier 16 is applied between the electrically conductive layer 14 and the layer carrier 16 be to the adhesion and connection between the layer support 16 and the overlying inorganic, to improve electrically conductive or photoconductive layers 14 and 12, but this is not absolutely necessary. Such a metallic layer can consist of titanium and is indicated by 15 in FIG designated. This layer can easily be applied in the same way as the others Layers, d. H. preferably by sputtering, but possibly also by other deposition or Coating process.

Der Schichtträger 16The support 16

Der Schichtträger 16 ist der Träger oder die mechanische Halterung für die Photoleiterschicht 12 und die elektrisch leitende Schicht 14. Die Eigenschaften des Schichtträgers sind oben abgehandelt, jedoch nicht im einzelnen diskutiert worden. Die mechanischen Eigenschaften sind Biegsamkeit, Festigkeit, Transparenz, die Fähigkeit einer guten Haftung zu den abgelagerten Schichten und, was sehr bedeutsam ist, Stabilität Die Stabilität umfaßt eine solche bezüglich der Abmessungen, eine Stabilität in der BeibehaltungThe layer carrier 16 is the carrier or the mechanical holder for the photoconductor layer 12 and the electrically conductive layer 14. The properties of the support are discussed above, but not been discussed in detail. The mechanical properties are flexibility, strength, transparency, the ability to adhere well to the deposited layers and, very importantly, Stability Stability includes dimensional stability and retention

einer bestimmten Stärke, die Stabilität bezüglich der Widerstandsfähigkeit gegenüber irgendwelchen Änderungen, welche aufgrund d"s Einwirkenlassens bestimmter Temperaturen und elektrischer Vorgänge auftreten könnten, welche innerhalb des Druckgefäßes <; beim Beschichtungsverfahren gegenwärtig sind. Bei der Auswahl eines geeigneten Trägermaterials stellt auch noch die Abriebfestigkeit einen wichtigen Gesichtspunkt dar. Blattartiges Polyestermaterial in einer Stärke von 0,125 mm ist beispielsweise ein Schichtträgermate- m rial, welches zufriedenstellende Ergebnisse liefert. Dieses Material ist ein organisches Polymer. Dieses Material gelangt im Zustand innerer Spannungen zum Verkauf, die in dem Material aufgrund der Herstellungsweise vorhanden sind. Vor der Verwendung werden solche Spannungen vorzugsweise entfernt, was durch ein als Normalisierung bezeichnetes Verfahren geschieht. Hierzu kann man die Folie in an sich bekannter Weise während einer Dauer von 30 Minuten einer Umgebung von 80% relativer Luftfeuchtigkeit und einer Temperatur von 100° C aussetzen.a certain strength, the stability in terms of Resistance to any changes resulting from the exposure to certain Temperatures and electrical processes could occur, which within the pressure vessel <; are present in the coating process. When choosing a suitable carrier material is also important Nor is abrasion resistance an important consideration. Sheet-like polyester material in one thickness A layer carrier mat of 0.125 mm is for example rial, which gives satisfactory results. This material is an organic polymer. This Material is sold in a state of internal tension, which occurs in the material due to the manufacturing process available. Before use, such stresses are preferably removed, which is due to a process called normalization occurs. For this purpose, the film can be used in a manner known per se Way for a period of 30 minutes in an environment of 80% relative humidity and expose to a temperature of 100 ° C.

Das Material des Schichtträgers soll keine eingeschlossenen Gase enthalten und gegebenenfalls können solche Gase durch Entgasen des Materials in entsprechenden Kammern entfernt werden. Außerdem soll das Folienmaterial vollständig sauber und frei von statischen Aufladungen sein. Vor der Verwendung wird ein sogenanntes radioaktives Abbürsten durchgeführt. Nunmehr soll die Art und Weise der Herstellung des elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials 10 jo näher untersucht werden.The material of the support should not be included Contain gases and, if necessary, can convert such gases into appropriate by degassing the material Chambers are removed. In addition, the film material should be completely clean and free from static Be charges. Before use, a so-called radioactive brushing is carried out. The manner in which the electrophotographic recording material 10 jo to be examined more closely.

Geht man von dem bereits vollständig vorbereiteten Schichtträger 16 aus, so besteht der erste Schritt bei der Herstellung in der Aufbringung der elektrisch leitenden Schicht 14, welche auch aus mehreren Lagen aus » Leitermaterial bestehen kann und beispielsweise die leitende Schicht 15 enthält.If one proceeds from the already completely prepared layer carrier 16, the first step consists in Production in the application of the electrically conductive layer 14, which also consists of several layers of » May consist of conductor material and, for example, contains the conductive layer 15.

Bei dem hier notwendig verwendeten Beschichtungsverfahren kommt eine Druckkammer zum Einsatz und die Beschichtung geschieht durch Aufsputtern mit 4η einem Plasmadampf bei Gegenwart eines elektrischen Hochfrcqucnzfeldes. Der Schichtträger wird auf einer Anode angeordnet oder über eine Anode hinweggeführt, wenn ein Fertigungsverfahren durchgeführt wird, wobei die Anode aus rostfreiem Stahl besteht und mittels Wasser oder eines anderen Kühlmittels auf etwa 8O⁰C gekühlt wird. Gemäß einer bevorzugten Form einer Beschichtungseinrichtung wird der Schichtträger in Gestalt eines langen Streifens über die Anode bewegt, die dann von einer Rolle oder Trommel gebildet wird. Kleine Schichtträger von beispielsweise 5 cm Seitenlänge können für laboratoriumsmäßige Fertigung oder für die Fertigung in geringerer Güte auf die Anode bekannter Sputtereinrichtungen gesetzt werden.In the coating process used here, a pressure chamber is used and the coating is carried out by sputtering with a plasma vapor in the presence of a high-frequency electric field. The substrate is placed on an anode or guided over an anode, when a manufacturing process is carried out, wherein the anode is made of stainless steel and is cooled to about 8O ⁰ C by means of water or other coolant. According to a preferred form of a coating device, the substrate is moved in the form of a long strip over the anode, which is then formed by a roller or drum. Small layer supports with a side length of, for example, 5 cm can be placed on the anode of known sputtering devices for laboratory production or for production of lower quality.

Die Kathode der Einrichtung besteht aus dem Werkstoff, aus welchem die abzulagernde Schicht bestehen soll oder enthält mehrere der in der Schicht enthaltenen Elemente. Weitere Elemente können durch Einführung in die Kammer hinzugefügt werden. Bei einem für Versuchszwecke ausgeführten Beispiel besteht die Kathode aus einer Indiumoxid-Halbleiterart. Sie dient zur Ablagerung der elektrisch leitenden Schicht 14. Die Kathode ist von der Anode entsprechend den physikalischen Eigenschaften der betreffenden Kammer entfernt, wobei die Geometrie der Anordnung und die verwendeten Spannungen zu berücksichtigen sind. Bei dem erwähnten Beispiel wird die Kammer zunächst auf einen Druck nahe dem Bereich von 1333 ■ 10 '"bar evakuiert. Dies stellt im wesentlichen ein Vakujm dar. Dann wird hochreines Argon, d. h. ein Argon, das weniger als 0,01% Wasser und Stickstoff enthält, über ein Hilfs-Lüftungsventil in die Sputter-Beschichtungskammer zugelassen, bis ein Druck von etwa 66,6 · 10"^b bar erreicht ist.The cathode of the device consists of the material from which the layer to be deposited is to be made or contains several of the elements contained in the layer. Further elements can be added by introducing it into the chamber. In an example carried out for experimental purposes, the cathode is made of an indium oxide semiconductor type. It serves to deposit the electrically conductive layer 14. The cathode is removed from the anode in accordance with the physical properties of the chamber in question, taking into account the geometry of the arrangement and the voltages used. In the example mentioned, the chamber is first evacuated to a pressure close to the range of 1333 · 10 '"bar. This essentially represents a vacuum. Then high-purity argon, ie an argon that contains less than 0.01% water and nitrogen contains, admitted into the sputter coating chamber via an auxiliary vent valve until a pressure of about 66.6 · 10 " ^b bar is reached.

An einem geeigneten Punkt wird das Hochfrequenzfeld eingeschaltet und die Ionisierung des Argons führt zur Erzeugung von Elektronen bzw. Ionen, welche auf die Kathode oder die Anode treffen und Partikel des Indiumoxid aus der Auftreffelektrode schlagen, wodurch ein Plasmadampf zwischen Kathode und Anode erzeugt wird und die Partikelchen in Richtung auf die Anode transportiert werden, wo sie auf dem Schichtträger abgelagert werden.At a suitable point, the high-frequency field is switched on and the ionization of the argon takes place to generate electrons or ions that hit the cathode or the anode and particles of the Beat indium oxide from the target electrode, creating a plasma vapor between the cathode and anode is generated and the particles are transported in the direction of the anode, where they are on the substrate be deposited.

Dieses Sputterverfahren oder Aufspritzverfahren geht mit einer Geschwindigkeit vor sich, die durch die Bedingungen innerhalb der Beschichtungskammer bestimmt ist und charakteristischerweise etwas weniger als annähernd 7,5 nm/s beträgt. Die Bildung der Schichtstärke wird durch optische Einrichtungen überwacht, welche an sich bekannt sind, bis eine Schichtstärke von etwa 50 nm erreicht ist.This sputtering process or spray-on process is carried out at a speed which is determined by the Conditions within the coating chamber is determined and characteristically somewhat less than is approximately 7.5 nm / s. The formation of the layer thickness is monitored by optical devices, which are known per se until a layer thickness of about 50 nm is reached.

Der Schichtträger wird dann aus der Beschichtungskammer herausgenommen und während der fortschreitenden Fertigung in eine andere Kammer eingebracht oder durch die Kammer hindurchgeführt. Wird das Verfahren im Laboratorium ausgeführt oder handelt es sich um eine sehr kleine Fertigung, so kann dieselbe Kammer verwendet werden, doch ist die Kathode oder Auftreffelektrode auszuwechseln.The support is then removed from the coating chamber and during the advancing Manufacturing introduced into another chamber or passed through the chamber. It will If the process is carried out in the laboratory or if it is a very small production, the same can be used Chamber can be used, but the cathode or target must be replaced.

Jedenfalls wird der Schichtträger 16 mit seiner ersten Beschichtung in Form der elektrisch leitenden Schicht 14, im Falle des vorliegenden Beispiels mit seiner Indiumoxidschichl. wieder an einer Anodenhalterung befestigt oder über eine sich drehende Anode hinweggeführt, !n diesem Falle wird die Kühlung der Anode verstärkt, so daß auf etwa 40⁰C heruntergekühlt wird, da bei der Ablagerung der Photoleiterschicht 12 größere Energien wirksam sind. Als Kühlmittel können kaltes Wasser oder flüssiger Stickstoff verwendet werden.In any case, the layer carrier 16 with its first coating in the form of the electrically conductive layer 14, in the case of the present example with its indium oxide layer. again attached to an anode holder or passed over a rotating anode, in this case the cooling of the anode is increased so that it is cooled ^{down to about 40 °} C., since greater energies are effective when the photoconductor layer 12 is deposited. Cold water or liquid nitrogen can be used as the coolant.

Zur Herstellung einer Photoleiterschicht aus Kadmiumsulfid, welches η-leitend ist, wird die Kathode oder die Auftreffelektrode aus Kadmiumsulfid oder sogar aus Kadmium allein gebildet. Der Druck wird zunächst auf 1333· 10-"bar abgesenkt, bevor er wieder auf 80 · 10~⁶ bar angehoben wird und später Argongas und Schwefelwasserstoff zugegeben werden. Der Schwefelwasserstoff liefert die richtige Menge an Schwefel in den Plasmadampf, so daß die stöchiometrisch richtigen Anteile von Kadmium und Schwefel auf der elektrisch leitenden Schicht abgelagert werden. Es sei bemerkt, daß bei beiden Beschichtungsverfahren die rückwärtige Fläche des Schichtträgers 16 abgedeckt ist, um eine Ablagerung während des normalen Verfahrens auf der Rückseite zu vermeiden. Im Falle einer Kadmiumsulfidkathode ist die Menge des beigegebenen Schwefelwasserstoffs etwa 0,05 Promill bezogen auf das Argon. In anderen Fällen, in welchen eine Kadmiumkathode Verwendung findet, kann dieser Anteil erhöht werden.To produce a photoconductor layer from cadmium sulfide, which is η-conductive, the cathode or the impingement electrode is formed from cadmium sulfide or even from cadmium alone. The pressure is first lowered bar to 1333 · 10 "before being raised again to 80 x 10 ~ ⁶ bar and later argon gas and hydrogen sulfide are added. The hydrogen sulfide provides the right amount of sulfur in the plasma vapor so that the stoichiometric right It should be noted that both coating methods cover the rear surface of the substrate 16 to prevent deposition on the rear surface during the normal process. In the case of a cadmium sulfide cathode, the amount is of the added hydrogen sulfide about 0.05 parts per thousand based on the argon In other cases in which a cadmium cathode is used, this proportion can be increased.

Eine geringe Kupfermenge in Form sublimierten Kupferchlorids wird in die Behandlungskammer zum Aufsputtern eingelassen, was in der Weise geschieht, daß das Kupfersalz in einem evakuierten Behälter gehalten wird, der mit der Behandlungskammer über ein Regelventil Verbindung hat Im vorliegenden Falle ist Kupfer das Dotierungsmittel, welches den Kadmiumsul-A small amount of copper sublimed in the form Copper chloride is admitted into the treatment chamber for sputtering, which is done in the way that the copper salt is kept in an evacuated container that is connected to the treatment chamber via a Control valve connection has In the present case, copper is the dopant that the cadmium sulphate

fid-Halbleiter η-leitend macht.makes fid semiconductors η-conductive.

Andere Verfahren der Dotierung sind die Ionenimplantation oder das Eindiffundierenlassen.Other methods of doping are ion implantation or allowing it to diffuse.

Die Anwendung eintr hochfrequenten Hochspannung erzeugt das noiwendige Plasma, um die Ablagerung des Kadmiumsulfids auf der elektrisch leitenden Schicht zu erreichen, so daß die Photoleiterschicht 12 gebildet werden kann. Die Ablagerungsgeschwindigkeit bei einem ausgeführten Versuch betrug etwa 5 nm/s. Das Kupfer wird in kleinen, geregelten Mengen zugegeben, welche ausreichen, um eine Dotierung des Kadmiumsulfids auf der elektrisch leitenden Schicht in einer Stärke von 5 · 10-⁴ Gewichtsprozenten zu erreichen. Das Aufsputtern wird fortgesetzt, bis die Dicke der Schicht 12 300 nm erreicht. Bei dem ausgeführten Versuch hatte die Schicht eine mikrokristalline Struktur mit einem mittleren Durchmesser der Kristalle von etwa 0,1 μιτι oder etwa einem Drittel der Dicke der Schicht selbst.The application of a high frequency high voltage generates the plasma necessary to achieve the deposition of the cadmium sulfide on the electrically conductive layer so that the photoconductor layer 12 can be formed. The rate of deposition in an experiment carried out was about 5 nm / s. The copper is added in small, controlled quantities sufficient that, by a doping of cadmium sulfide to reach the electrically conductive layer in a thickness of 5 x 10- ⁴ percent by weight. Sputtering is continued until the thickness of layer 12 reaches 300 nm. In the experiment carried out, the layer had a microcrystalline structure with a mean diameter of the crystals of about 0.1 μm or about one third of the thickness of the layer itself.

Das auf diese Weise hergestellte elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial hat die oben bezüglich des Aufzeichnungsmaterials 10 angegebenen Eigenschaften. Das im Versuch hergestellte Aufzeichnungsmaterial hatte ein gelbliches Aussehen, welches kennzeichnend für die dünnen Schichten ist. die aufgebracht worden waren. Elektrophotographische Aufzeichnungsmaterialien. bei welchen Zink-Indium-Sulfid Verwendung findet, benötigen keine Kupferdotierung. In diesem Falle ist die Farbe des Aufzeichnungsmaterials bläulich.The electrophotographic recording material prepared in this way has the above with respect to Recording material 10 specified properties. The recording material produced in the experiment had a yellowish appearance, which is characteristic of the thin layers. which have been applied was. Electrophotographic recording materials. at which zinc indium sulfide use finds, do not need copper doping. In this case, the color of the recording material is bluish.

Zur Verwendung wird das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial mittels einer Koronaanordnung auf hohes Potential aufgeladen, wie im Zusammenhang mit F i g. 5 erläutert wurde. Die Belichtung erfolgt an einem sehr hoch auf der Dunkelabfallskennlinie gelegenen Punkt. Das Aufzeichnungsmaterial wird also auf d'jn Scheitelpunkt 48 der Kennlinie 40 aufgeladen und dann einen Bruchteil einer Sekunde später belichtet, nachdem lediglich der Abschnitt 42 der Kennlinie aufgrund des Dunkel-Ladungsabfalls durchlaufen ist.The electrophotographic recording material is used by means of a corona arrangement charged to high potential, as in connection with FIG. 5 was explained. The exposure is on a point very high on the dark decay curve. So the recording material becomes charged to the apex 48 of the characteristic curve 40 and then exposed a fraction of a second later, after only section 42 of the characteristic curve has been passed through due to the dark charge drop.

Die richtige Zeitvorgabe geschieht unter Steuerung eines Belichtungsmessers, so daß sich die Ladung auf einen Optimalwert für die jeweiligen Lichtbedingungen aufbaut, unter welchen das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial belichtet wird. Dies geschieht automatisch.The correct timing is done under the control of a light meter so that the charge is on builds up an optimum value for the respective light conditions under which the electrophotographic Recording material is exposed. This happens automatically.

Es ist bemerkenswert, daß die bevorzugte Art der Verwendung des elektrophotographischcn Aufzeichnungsmaterials 10 diejenige ist, bei welcher das Aufzeichnungsmaterial im wesentlichen einen Ladungsstoß erhält. Bei herkömmlichen xerographischen Verfahren wird das Aufzeichnungsmaterial vergleichsweise langsam bis auf einen Punkt aufgeladen, in welchem die vom Aufzeichnungsmaterial abgeleitete Ladung annähernd gleich dem Ladungsaufbau ist. Dies ist bezüglich der Kurve 30 etwa in der Höhe 35 der Fall. Bei der Verwendung des clektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials 10 wird dieses sehr rasch weit über das Niveau 35 aufgeladen und dann belichtet, um die Spannung rasch zu erniedrigen.It is noteworthy that the preferred mode of using the electrophotographic recording material 10 is the one at which the recording material receives a substantial surge of charge. With conventional xerographic processes the recording material is charged comparatively slowly up to a point at which the the charge derived from the recording material is approximately equal to the charge build-up. This is re the curve 30 approximately at the height 35 the case. When using the clektrophotographic recording material 10 this is charged very quickly far above the level 35 and then exposed to the To lower tension quickly.

Nachdem das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial belichtet worden ist. wird der Oberfläche der Photoleiterschicht sehr rasch und gleichförmig Toner zugeführt. Der Toner wird vorzugsweise in Gegenwart einer Vorspannung aufgebracht, welche in unmittelbarer Nähe der Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials wirksam ist und die Tonerpartikelchen in Richtung auf die Oberfläche beschleunigt, wodurch sich eine gleichförmigere Verteilung der Partikel ergibt. Die üblichen feinen Kohlenstoff-Tonerpai tikel können zui Herstellung von Schwarzweiß-Bildern verwendet wer den. Auch lassen sich farbige oder gefärbte Harze verwenden.After the electrophotographic recording material has been exposed. becomes the surface toner is rapidly and uniformly supplied to the photoconductor layer. The toner is preferably in The presence of a bias applied, which is effective in the immediate vicinity of the surface of the recording material and the toner particles in Accelerated towards the surface, resulting in a more uniform distribution of the particles. the Usual fine carbon toner particles can be added Used to produce black and white images. Colored or colored resins can also be used use.

s Schließlich wird überschüssiger Toner sogleich vor der Oberfläche abgewischt und der verbleibende Tonei wird an der Oberfläche des Aufzeichnungsmaterial: durch eine gleichförmige Infrarotbestrahlung festgeschmolzen, so daß der gesamte Vorgang vollendet ists Finally, excess toner is immediately available wiped off the surface and the remaining clay egg on the surface of the recording material: melted solidly by uniform infrared radiation, so that the entire process is completed

ίο bevor die Oberflächenspannung des elektrophotogra· phischen Aufzeichnungsmaterials auf den niedrigster Wert oder den Hintergrundwert abgefallen ist. Diese Zeit liegt in der Größenordnung eines kleiner Bruchteils einer Sekunde und beträgt vorzugsweiseίο before the surface tension of the electrophotograph phical recording material has dropped to the lowest value or the background value. These Time is on the order of a small fraction of a second and is preferably

π etwa 10 Millisekunden. Der Toner haftet danach dauerhaft an der Oberfläche 28. wie in F i g. 4 bei 2f angedeutet ist.π about 10 milliseconds. The toner then sticks permanently on the surface 28 as in FIG. 4 at 2f is indicated.

Bei der Verwendung des elektrophotographischer Aufzeichnungsmaterials 10 ist, nachdem der ToneiWhen using the electrophotographic recording material 10, after the clay egg

>i> aufgebracht worden ist und bevor die Fixierung durcr Einschmelzen erfolgt, die Tonerverteilung bereit« festgelegt. Der nachfolgende Ladungsabfall beeinflußi daher nicht wesentlich das nun sichtbar gemachte Bild das durch die Lage der Tonerpartikel wiedergegeber> i> has been applied and before the fixation bycr Melting takes place, the toner distribution is ready «determined. The subsequent drop in charge influences therefore the image that is now made visible is not essentially that which is reproduced by the position of the toner particles

_>i ist. Füi das Festschmelzen des Toners unmittelbar nach dem Verteilen .«nd Entfernen des Überschusses ist keine mit hoher Geschwindigkeit arbeitende Einrichtung erforderlich. Vielmehr kann das Fixieren innerhalb einei vernünftig langen Zeitdauer erfolgen. Es wird jedoch_> i is. Immediately after the toner has solidified distributing and removing the excess is none Requires high speed facility. Rather, the fixing can be done within one reasonably long periods of time. It will, however

κι noch ein weiterer Vorteil erzielt, der insbesondere irr Falle der Verwendung des elektrophotographischer Aufzeichnungsniülerials bei Versuchsarbeiten wertvol ist. Vor dem Einschmelzen des Toners kann die Bedienungsperson nämlich das Bild bzw. die Tonerverκι still another advantage achieved, which is particularly irr The case of using the electrophotographic recording medium in experimental work is valuable is. Before the toner is melted down, the operator can namely the image or the toner server

r> teilung genau untersuchen, um festzustellen, ob die gewünschte Bildqualität erreicht wurde. Ist das Bile nicht zufriedenstellend, so kann er die Belichtungsbedin gungen, die Belichtungszeit oder die Einstellung dei Optik verändern, um schließlich ein besseres Bild ziExamine the division carefully to see if the desired image quality has been achieved. If the picture is not satisfactory, he can adjust the exposure conditions settings, the exposure time or the setting of the Change the optics to finally get a better picture

4Ii erhalten. Das während des vorausgegangenen Beiich tungsvorganges erzeugte Tonerbild braucht lcdiglicr von dem Aufzeichnungsmaterial abgewischt zu werden was in einfacher Weise mittels eines Lappens odei Tuches geschehen kann, so daß eine saubere Oberfläche4Ii received. That during the previous Beiich The toner image generated by the process needs to be wiped away from the recording material which can be done in a simple manner by means of a rag or cloth, so that a clean surface

•η zurückbleibt. Es tritt also kein Verlust an elektrophoto graphischem Aufzeichnungsmaterial auf und es sine keine Zeitverluste zur Erzielung der gewünschter Ergebnisse in Kauf zu nehmen.• η remains. So there is no loss of electrophoto graphic recording material and there is no loss of time to achieve the desired Accept the results.

Der resultierende Gegenstand ist ein transparente!The resulting object is a transparent one!

mi Bild, welches projiziert oder zur Herstellung vor Abzügen verwendet werden kann. Das Bild zeichne sich durch einen hohen Grad von Auflösung aus wodurch das Aufzeichnungsmaterial und das vorgc schlagcne Verwendungsverfahren besonders vorteilhafmi image that is being projected or prepared for Prints can be used. The picture is characterized by a high degree of resolution whereby the recording material and the proposed method of use are particularly advantageous

^r)5 zur Herstellung von Mikrofilnibildern sind. Da: erzeugte Bild ist hervorragend kontrastreich und besitz einen sehr reinen Hintergrund. Bei einer Projizierung ir stark vergrößertem Maßstab zur Betrachtung oder zi Kopierzwecken ist das resultierende vergrößerte Bild ir ^r ) 5 for the production of microfiln images. Da: The image produced is extremely rich in contrast and has a very pure background. When projected on a greatly enlarged scale for viewing or copying purposes, the resulting enlarged image is ir

ίο den Details immer noch sehr gut und ist in den weißer oder hellen Bereichen verhältnismäßig frei von Fehlern.ίο the details are still very good and is in the whiter or bright areas relatively free from defects.

Die obenerwähnten Verbindungen, welche auclThe above-mentioned compounds, which aucl

Kadmiumsulfid und Zink-lndium-Sulfid umfassen, besit /en Eigenschaften, die von Verbindung zu VerbindunjCadmium sulfide and zinc indium sulfide include / en Properties that vary from connection to connection

hi unterschiedlich sind. Die Forderungen bezüglich dei spektralen Ansprechempfindlichkeit, des spezifischer Dunkel- und Mcllwiderstandcs. der Dunkel- unc Hcllabfallskcnnlinic. des Verstärkungsfaktors, der lcichhi are different. The demands regarding the spectral responsiveness, more specific Dark and Mcll Resistancecs. the dark and garbage clinic. of the gain factor, the lcich

ten Aufbringbarkeit auf einen Schichtträger durch Sputtern müssen berücksichtigt werden und erfordern möglicherweise eine experimentelle Bestimmung für die jeweiligen Umstände, unter weichen die betreffende Verbindung verwendet werden soll.The ability to be applied to a layer substrate by sputtering must be taken into account and require possibly an experimental determination for the particular circumstances, which may be the case Connection should be used.

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings

Claims

Patent claims:

1. Electrophotographic recording material, in which on a layer support a transparent electrically conductive layer and on top of this a transparent layer of an inorganic photoconductor is applied by sputtering in a high-frequency field, characterized in that the photoconductor layer (12) is a microcrystalline Has structure with vertical orientation of the microcrystals relative to the layer support plane.

2. Recording material according to claim 1, characterized in that both the electrically conductive layer (14) and the layer support are flexible and transparent and the layer support consists of an organic material.

3. Recording material according to claim 1 or 2, characterized in that the layer support (16) the electrically conductive layer (14) and the thickness of the inorganic photoconductor layer (12) are so selected are that the transparency of the electrophotographic recording material to visible light is between 70% and 85%.

4. Recording material according to claim 1 or 2, characterized in that the electrically conductive Layer (14) and the inorganic photoconductor layer (12) together are less than 500 nm thick.

5. Recording material according to claim 4, characterized in that the electrically conductive Layer (14) is less than 100 nm and the inorganic photoconductor layer (12) is 300 nm thick.

6. Recording material! according to one of claims 1 to 5, characterized in that the electrically conductive layer (14) consists of indium oxide.

7. Recording material according to claim 6, characterized in that an electrically conductive Layer (16) made of metal and thereon an electrically conductive layer (14) made of indium oxide is provided.

8. Recording material according to one of claims 1 to 7, characterized in that CdS or ZnS · In ₂ S ₃ is used as the photoconductor.

9. Recording material according to claim 8, characterized in that copper-doped CdS or ZnS · In ₂ S ₃ is used as the photoconductor.