DE2328492A1 - METHOD FOR PRODUCING AN ELECTROPHOTOGRAPHIC FILM OR ELECTROPHOTOGRAPHIC FILM - Google Patents

METHOD FOR PRODUCING AN ELECTROPHOTOGRAPHIC FILM OR ELECTROPHOTOGRAPHIC FILM

Info

Publication number
DE2328492A1
DE2328492A1 DE2328492A DE2328492A DE2328492A1 DE 2328492 A1 DE2328492 A1 DE 2328492A1 DE 2328492 A DE2328492 A DE 2328492A DE 2328492 A DE2328492 A DE 2328492A DE 2328492 A1 DE2328492 A1 DE 2328492A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
thin film
photoconductor
layer
film
photoconductor material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE2328492A
Other languages
German (de)
Other versions
DE2328492B2 (en
Inventor
Manfred Rudolf Kuehnle
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Coulter Information Systems Inc
Original Assignee
Coulter Information Systems Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Coulter Information Systems Inc filed Critical Coulter Information Systems Inc
Publication of DE2328492A1 publication Critical patent/DE2328492A1/en
Publication of DE2328492B2 publication Critical patent/DE2328492B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/082Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited

Description

PATENTANWÄLTE L V £ Q H v3 £ PATENT AGENCIES L V £ QH v3 £

DR.-PHIL. G. NICKEL · DR.-ING. J. DORNERDR. PHIL. G. NICKEL · DR.-ING. J. DORNER

8 MÜNCHEN 158 MUNICH 15

LANDWEHRSTR. 35 · POSTFACH IO4LANDWEHRSTR. 35 POST BOX IO4

TEL. (0811) 55 5719 TEL. (0811) 55 5719

München, den 1. Juni 1973 Anwaltsaktenz.: 181 - Pat. 2Munich, June 1, 1973 Attorney's files: 181 - Pat. 2

Coulter Information Systems, Inc., 7 De Angelo Drive, Bedford, Massachusetts, Vereinigte Staaten von AmerikaCoulter Information Systems, Inc., 7 De Angelo Drive, Bedford, Massachusetts, United States of America

Verfahren zur Herstellung eines elektrophotographischen Films bzw. elektrophotographischerMethod of making an electrophotographic film or electrophotographic film

Die Erfindung bezieht sich aiii die Herstellung eines elektrophotographischen Films sowie auf einen insbesondere nach einem derartigen Verfahren hergestellten elektrophotographischen Film, welcher, was hier vorausgeschickt sei, die neuartige Eigenschaft hat, daß ein Photoleiterwerkstoff, beispielsweise Kadmiumsulfid, Zink-Indium-Sulfid oder dergleichen, als dünner Filmbelag auf einen Träger aufgespritzt oder aufgesplittert wird, wobei eine ohmisch leitende Schicht zwischen dem Träger und der dünnen photoleitenden Schicht angeordnet ist.The invention relates aiii to the manufacture of an electrophotographic Films as well as one in particular after one of these Electrophotographic film produced by the method, which, having been pointed out here, has the novel property has that a photoconductor material, for example cadmium sulfide, Zinc indium sulfide or the like, as a thin film coating a carrier is sprayed or splintered, one ohmically conductive layer between the support and the thin photoconductive layer Layer is arranged.

Bei elektrophotographischen Bildaufseichnungsverfahren wird bekannterweise ein latentes elektrostatisches Bild auf der Oberfläche eines Photoleiters gebildet» Das photoleitende Bauteil wird zunächst über seine gesamte Oberfläche hin bei dunkler Umgebung aufgeladen^ wobei die Ladung durch geeignete Isolation des Bauteils gegenüber eimer Ableitung gehalten werden, kann, doch ist die Aufrechterhaltung der Ladung von den physikalischen Eigenschaften des betreffenden Werkstoffes abhängig. Unmittelbar nachIn electrophotographic image recording processes, as is known, a latent electrostatic image is formed on the surface of a photoconductor. "The photoconductive component is first charged over its entire surface in a dark environment Maintenance of the charge depends on the physical properties of the material in question. Immediately after

3 O S 8 5 1 / 1 Q=7 a3 O S 8 5 1/1 Q = 7 a

Aulladung der Oberfläche wird diese in bestimmter Form einer Strahlungsenergie ausgesetzt, welche entsprechend dem aufzuzeichnenden Bild in einer bestimmten Anordnung von Tönungen, Linien, Schriftzeichen und dergleichen besteht. Die Strahlungsenergie kann die Form aufprojizierten Lichtes in bestimmter Anordnung, die Form einer Röntgenstrahlung usw., haben. Diejenigen Bereiche der Oberfläche des photoleitenden Bauteils, welche den helleren Bereichen der Strahlungsverteilung ausgesetzt werden, werden in stärkerem Maße leitend als diejenigen Bereiche, welche den weniger stark belichtenden Teilen der Strahlungsverteilung ausgesetzt sind. Dies führt zu dem Ergebnis, daß die elektrische Ladung von den verschiedenen Bereichen der Oberfläche des photoleitenden Bauteils entsprechend dem jeweiligen Grad der Belichtung der Oberfläche selektiv und proportional abgeführt wird.The surface is charged in a certain form Exposed to radiant energy, which according to the image to be recorded in a certain arrangement of tones, lines, Characters and the like. The radiant energy the shape of the projected light can be arranged in a certain way, in the form of an X-ray, etc. Those areas of the surface of the photoconductive component which are the lighter Areas exposed to the radiation distribution are more conductive than those areas which are less are exposed to parts of the radiation distribution that are heavily exposed. This leads to the result that the electric charge of the different areas of the surface of the photoconductive member according to the respective degree of exposure the surface is discharged selectively and proportionally.

Die auf solche Weise erhaltene räumliche Anordnung von Ladungen bildet das oben erwähnte latente Bild. Die Ladung vermag nun feine Partikelchen elektrostatisch anzuziehen und bei xerographischen Verfahren werden solche feinen Partikelchen in Form von feinem Pulver oder in einer Flüssigkeitssuspension in Berührung mit der Oberfläche gebracht. Die Partikelehen haften selektiv an der Oberfläche in unterschiedlichem Maße entsprechend der das latente Bild darstellenden Ladungsverteilung, worauf die überschüssigen Partikelchen abgebürstet oder in anderer Weise von der Oberfläche entfernt werden, während der verbleibende Toner, wie die Partikelchen auch genannt werden, dag sichtbare Bild erzeugt. Dieses Bild wird im allgemeinen auf einen Träger, beispielsweise ein Papierblatt, übertragen und auf der Oberfläche des Trägers durch an sich bekannte Verfahren dauerhaft eingeschmolzen oder eingebrannt.The spatial arrangement of charges obtained in this way forms the above-mentioned latent image. The charge can now to attract fine particles electrostatically and in xerographic processes such fine particles are in the form of fine powder or in a liquid suspension brought into contact with the surface. The particle marriages adhere selectively on the surface to varying degrees according to the charge distribution representing the latent image, whereupon the excess Particles are brushed off or otherwise removed from the surface while the remaining toner as the particles are also called, that creates visible images. This image is generally on a support, for example a sheet of paper, transferred and permanently fused onto the surface of the carrier by methods known per se or burned in.

Im allgemeinen findet bei den weithin in Gebrauch befindlichen, im Handel erhältlichen Geräten als photoleitendes Bauteil eine große, mit Selen beschichtete Trommel Verwendung«, Das Aufzeichnungsverfahren geht in einer komplizierten und teueren Maschine vor sich , wobei die erzielbaren Geschwindigkeiten,,In general, the widely used, commercially available devices as a photoconductive member large, selenium-coated drum use «, The recording process goes in a complicated and expensive machine in front of you, with the achievable speeds ,,

3 υ a ö fi 1 / 1 ο 7 93 υ a ö fi 1/1 ο 7 9

lösungsvermögen und die Vielseitigkeit dieser Geräte und der entsprechenden Verfahren viel zu wünschen übrig lassen.solvency and the versatility of these devices and the corresponding procedures leave much to be desired.

Die bekannten Verfahren und Einrichtungen lassen sich nicht ohne weiteres zu der Art von Photographie verwenden, wie sie durch photographische Apparate und Kameras hoher Geschwindigkeit verwirklicht wird, in denen ein photographischer Film mit feinkörniger Silberhalogenid-Emulsion verwendet wird. Die für die bekannten Verfahren, Einrichtungen und Photoleiterwerkstoffe und -Filme eigentümlichen Nachteile haben bisher die Verwendung auf vielen Anwendungsgebieten verhindert, beispielsweise in der Hochgeschwindigkeitsphotographie, der Mikrophotographie mit feinster Auflösimg und auf vielen anderen technischen Gebieten. Eine Archivhaltung mittels projizierbarer Mikrofilme ist ein Gebiet, wo seit langem der Bedarf nach einem Verfahren zur raschen und wirtschaftlichen Herstellung projizierbarer Photographien hohen Auflösungsvermögens bestand, wobei einfache Geräte zur Anwendung kommen sollen und die Möglichkeit bestehen soll, die Aufzeichnungen über lange Zeit hinweg zu lagern. Beispielsweise wäre es auch* sehr vorteilhaft, von Zeit zu Zeit bei einer Mikrofilmaufzeichnung Informationen hinzufügen zu können, ohne daß die bereits auf dem Mikrofilm festgehaltene Information nachteilig beeinflußt wird .The known methods and devices cannot easily be used for the type of photography as they are carried out by high-speed photographic apparatus and cameras are realized in which a photographic film with fine grain Silver halide emulsion is used. Those for the known methods, devices and photoconductor materials and -Films peculiar disadvantages have hitherto prevented their use in many fields of application, for example in the High speed photography, microphotography with the finest Resolution and in many other technical fields. Archiving using projectable microfilms is an area where there has long been a need for a method of quickly and economically producing projectable photographs Resolving power existed, with simple devices to use should come and there should be the possibility of storing the records for a long time. For example it would also be * very beneficial from time to time with microfilming To be able to add information without the already on adversely affects information captured in the microfilm will .

Gebräuchliche photographische Mikrofilme lassen sich zum Hinzufügen von Informationen oder Aufzeichnungen nicht mehrmals belichten. Der den Filmen eigentümliche Aufbau und die Behandlung bewirkt eine Zerstörung der Emulsion, wenn der Mikrofilm entwickelt wird. Mit dem oben beschriebenen elektrophotographischen Verfahren ließe sich eine geeignete Mikrofilmaufzeichnung herstellen, wenn es möglich wäre, einen elektrophotographischen Film hohen Auflösungsvermögens und großer Lagerungsfähigkeit herzustellen. Man erkennt, daß dann, wenn die photoleitende dünne Filmschicht in unbegrenzter Lebensdauer ausgeführt werden könnte, bei einer Ergänzung der bereits auf dem Belag befindlichen Auf—Common photographic microfilms can be added Do not expose information or records several times. The inherent structure and treatment of the films cause the emulsion to be destroyed as the microfilm develops will. The electrophotographic process described above would produce a suitable microfilm record, if it were possible to make an electrophotographic film of high resolution and great storability. It will be seen that if the photoconductive thin film layer could be made indefinitely, in the case of an addition to the supports already on the surface

3 b HH51/ 1 0 7 93 b HH 51/1 0 7 9

zeichnung jedesmal nur eine Aufladung der Oberfläche des dünnen Filmbelages, eine Belichtung desselben und eine Fixierung des neuen Bildes auf der Oberfläche stattfinden müßte. Hierbei ist angenommen, daß der Toner unmittelbar auf die Oberfläche aufgebracht und darauf dauerhaft fixiert bzw. festgeschmolzen wird.drawing each time only a charge of the surface of the thin film covering, an exposure of the same and a fixation of the new image would have to take place on the surface. It is assumed here that the toner is applied directly to the surface and is permanently fixed or fused onto it.

Bisher bekannte transparente photographische Aufzeichnungsträger werden zerstört, wenn sie lange dem Licht, erhöhten Temperaturen und der Feuchtigkeit ausgesetzt sind. Sie müssen sorgfältig gehandhabt und unter Einhaltung bestimmter Bedingungen gelagert werden und können nur eine begrenzte Anzahl von Malen wiederholt belichtet werden. Ihre Verwendung für Aufzeichnungen dauerhafter Art ist sehr beschränkt. Aus diesem Grunde hat sich die Verwendung solcher Aufzeichnungsträger für Aufzeichnungen dieser Art als unpraktisch erwiesen.Transparent photographic recording media known so far are destroyed if they are exposed to light, elevated temperatures and moisture for a long time. They have to be handled carefully and stored under certain conditions and can only be repeated a limited number of times be exposed. Their use for record keeping Kind is very limited. For this reason, the use of such recording media for recordings of this type has developed proved impractical.

Die vorstehenden Überlegungen berücksichtigen die Nachteile bekannter Systeme nur aus einem begrenzten Blickwinkel. Bei Betrachtung einiger der Probleme, welche durch vorliegende Erfindung gelöst werden, ergibt sich, daß der erzielte Fortschritt nicht auf einen kleinen Bereich begrenzt ist.The above considerations take into account the disadvantages of known ones Systems only from a limited perspective. Considering some of the problems posed by the present invention are solved, it follows that the progress made is not limited to a small area.

Die bekannten Silberhalogenid- Gelatineschichten der photographischen Filme ergeben eine größere Geschwindigkeit und eine bessere Auflösung als bekannte elektrophotographische Filme der sogenannten xerographischen Art. Nichtsdestoweniger haben die Gelatineemulsionsschichten Nachteile, welche durch die Erfindung vermieden werden können. Zusätzlich ist die Tatsache bemerkenswert, daß der hier vorgeschlagene elektrophotographische Film wiederholt belichtet werden kann, um Informationen und Aufzeichnungen hinzuzufügen, ohne daß die schon vorhandene Aufzeichnung nachteilig beeinflußt oder zerstört wird.The known silver halide gelatin layers of the photographic Films give higher speed and better resolution than known electrophotographic films of the so-called xerographic type. Nonetheless, the gelatin emulsion layers have drawbacks which are addressed by the invention can be avoided. In addition, it is noteworthy that the electrophotographic film proposed here can be repeatedly exposed to information and records without removing the existing record is adversely affected or destroyed.

Gebräuchliche Silberhalogenidfilme besitzen eine Emulsionsschicht in einer Stärke von 140M- . Der dünne Filmbelag eines FilmesCommon silver halide films have an emulsion layer with a thickness of 140M- . The thin film covering of a film

3U9851/10793U9851 / 1079

nach der Erfindung besitzt eine Stärke eines Bruchteils eines Ai- . Aus diesem Grunde lassen sich gebräuchliche Silberhalogenidfilme nicht ohne weiteres abbiegen, ohne daß Beschädigungen auftreten. Auch ist das Auflösungsvermögen dieser Filme durch den Grad der Unterschneidung der Flanken begrenzt, wenn während des Entwickeins das Silber ausfällt. Luftblasen in der Emulsion erzeugen Wolken oder Fehler in dem entwickelten transparenten photographischen Film. Während der Herstellung kann der Film nicht in normalem Licht untersucht werden und eine Handhabung oder ein Transport ist nur in besonderen Dunkelpackungen möglich. Die Emulsion ist in den meisten Flüssigkeiten löslich und hygroskopisch. according to the invention has a strength of a fraction of an Ai . For this reason, conventional silver halide films cannot be easily bent without damage occurring. The resolving power of these films is also limited by the degree of undercutting of the flanks if the silver precipitates during development. Air bubbles in the emulsion create clouds or imperfections in the developed transparent photographic film. During production, the film cannot be examined in normal light and handling or transport is only possible in special dark packs. The emulsion is soluble in most liquids and is hygroscopic.

Seit langem besteht der Bedarf nach einem elektrophotographischen Film großer Dauerhaftigkeit. Die dünne Filmschicht oder die aktive Schicht soll so hart wie Glas sein. Außerdem soll sie in den meisten Flüssigkeiten unlöslich sein und eine ganz außerordentlich große Auflösung ermöglichen. Weiter soll die Schicht dicht un3frei von Blasen sein, was, worauf später noch eingegangen wird, erfindungsgemäß durch ein Sputterverfahren oder Spritzverfahren in Druckgefäßen erreicht wird. Die Schicht soll fernerhin nicht durch Licht verändert werden können, so daß eine freie Handhabung und ein leichtes Untersuchen in hellem Licht möglich ist. Weiter soll die Schicht nicht hygroskopisch sein und keinerlei Zerstörung durch diejenigen Einflüsse erleiden, welche zu einer Zerstörung üblicher Silberemulsions-Filmschichten führen. Pilze oder andere Mikroorganismen sollen auf einen elektrophotographischen Film keinen Einfluß haben.There has long been a need for an electrophotographic Film of great durability. The thin film layer or the active layer should be as hard as glass. Besides, she should be insoluble in most liquids and allow extremely high dissolution. The shift should continue be tight, not free from bubbles, which will be discussed later is, according to the invention by a sputtering process or spraying process is achieved in pressure vessels. The layer should also not be able to be changed by light, so that a free Handling and easy examination in bright light possible is. Furthermore, the layer should not be hygroscopic and not at all Sustained destruction by those influences which lead to the destruction of conventional silver emulsion film layers. Fungi or other microorganisms are said to be on an electrophotographic Film have no influence.

Weiter ist zu erwähnen, daß die üblichen photographischen Emulsionen und auch die Schichten elektrophotographischer Filme bekannter Art nur in einem begrenzten Spektralbereich ansprechen, wodurch die Verwendung begrenzt wird. Der photoelektrische Verstärkungsfaktor bekannter elektrophotographischer Beläge ist bedeutend geringer als derjenige des erfindungsgemäßen elektrophotographischen Films. Diese Tatsache ist weitgehend für dasIt should also be mentioned that the usual photographic emulsions and the layers of known electrophotographic films only respond in a limited spectral range, thereby limiting its use. The photoelectric gain of known electrophotographic coatings is important less than that of the electrophotographic of the present invention Films. This fact is largely for that

— 5 —- 5 -

3U9851/10793U9851 / 1079

Unvermögen bisher bekannter elektrophotographischer Filme verantwortlich, das extrem hohe Auflösungsvermögen des hier vorgeschlagenen Films zu erreichen. Die größere Dicke bekannter Filme bzw. ihrer aktiven Schicht ist ein wesentlicher Faktor für die Minderung des Auflösungsvermögens.Inability of previously known electrophotographic films responsible to achieve the extremely high resolution of the film proposed here. The greater thickness of known films or its active layer is a major factor in reducing the resolution.

Beispiele bisher bekannter Verfahren und Einrichtungen sind folgenden US-Patentschriften zu entnehmen:Examples of previously known methods and devices are as follows US patents can be found in:

2 861 903 3 003 8692 861 903 3 003 869

2 995 474 3 545 9692,995,474 3,545,969

3 379 527 3 398 021 3 519 480 3 393 070 3 535 112 3 095 324 3 573 905 3 104 229 3 574 615 3 677 816 3 592 643 2 732 313 3 615 404 2 844 4933 379 527 3 398 021 3 519 480 3 393 070 3 535 112 3 095 324 3 573 905 3 104 229 3 574 615 3 677 816 3 592 643 2 732 313 3 615 404 2 844 493

Durch die Erfindung soll also im wesentlichen die Aufgabe gelöst werden, die Vorteile elektrophotographischer Filme mit denjenigen der Filme mit Silberhalogenid-Emulsionsschicht zu vereinigen, ohne die jeweiligen Fehler in Kauf nehmen zu müssen.The invention is therefore essentially intended to achieve the object of combining the advantages of electrophotographic films with those of the films with the silver halide emulsion layer without having to accept the respective defects.

Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren zur Herstellung eines elektrophotographischen Films erfindungsgemäß durch folgende Verfahrensschritte gelöst:This object is achieved in a method for producing an electrophotographic film according to the present invention by the following method steps solved:

a) Ablagern einer dünnen Filmschicht eines ohmisch leitenden Werkstoffes auf einem dünnen, flexiblen, organischen, transparenten Träger unter inniger Verbindung mit diesem und in einer Stärke, in welcher die Filmschicht im wesentlichen transparent und flexibel ist, unda) Deposition of a thin film layer of an ohmically conductive material on a thin, flexible, organic, transparent support with intimate connection with this and in a thickness in which the film layer is essentially transparent and flexible, and

b) Aufsputtern eines dünnen Filmbelages eines vollständigb) sputtering on a thin film covering a completely

3 ü y ti 6 1 / 1 0 7 93 ü y ti 6 1/1 0 7 9

anorganischen Photoleiterwerkstoffes auf die Filmschicht aus ohmisch leitendem Werkstoff unter inniger Verbindung mit dieser Filmschicht und in einer Stärke, welche zu einem Photoleiter-Verstärkungsfaktor größer Eins führt und transparent sowie Flexibilität der Filmschicht ergibt, wobei der Film in seiner Gesamtstärke eine Lichtabsorbtion nicht über 30% und nicht unter etwa 15% aufweist.inorganic photoconductor material on the film layer made of an ohmically conductive material with an intimate connection with this film layer and in a thickness, which leads to a photoconductor gain factor greater than one and is transparent and flexible Film layer results, the film in its overall thickness and not more than 30% light absorption below about 15%.

Außerdem wird duroh die Erfindung ein Film vorgeschlagen, der gekennzeichnet ist durch einen Träger, welcher Filmschichten zu tragen vermag, ferner durch einen auf diesen Träger aufgesputterten, dünnen Filmbelag aus einem vollständig anorganischen, photoleitenden Werkstoff sowie durch eine dünne zwischen dem Träger und dem besagten dünnen Filmbelag befindliche Filmschicht, welche ein leichtes selektives Abführen von Ladungen von dem Filmbelag bei entsprechender selektiver Belichtung des Filmbelages mit einer bestimmten Strahlung ermöglicht.In addition, the invention proposes a film that features is by a carrier, which is able to carry film layers, also by a sputtered onto this carrier, thin film covering made of a completely inorganic, photoconductive material and a thin one between the support and a layer of film located on said thin film covering which enables easy selective removal of charges from the film covering with a corresponding selective exposure of the film covering with a certain radiation.

Zweckmäßige Ausgestaltungen des vorstehend angegebenen Verfahrens bzw. eines elektrophotographischen Films nach der Erfindung bilden im übrigen Gegenstand der anliegenden Ansprüche. Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert. Es stellen dar:Expedient embodiments of the method indicated above or of an electrophotographic film according to the invention otherwise form the subject of the attached claims. Exemplary embodiments are described below with reference to the drawing explained in more detail. They represent:

Figur 1 einen stark schematisierten Schnitt eines transparenten elektrophotographischen Films nach der Erfindung unter schematischer Angabe einer Schaltung zur Aufladung der Oberfläche der photoleitenden Oberschicht, FIG. 1 shows a highly schematic section of a transparent electrophotographic film according to the invention with a schematic indication of a circuit for charging the surface of the photoconductive top layer,

Figur 2 eine weitere Schnittdarstellung eines ähnlichen, leicht abgewandelten elektrophotographischen Films, Figure 2 is a further sectional view of a similar, slightly modified electrophotographic film;

Figur 3 eine ähnliche Darstellung wie Figur 2, jedoch unter Darstellung einer geringfügigen Abwandlung, Figure 3 is a similar representation to Figure 2, but showing a slight modification,

3 u dft 51/10793 u dft 51/1079

Figur k eine ähnliche Abbildung wie Figur 2, jedoch Figure k is a similar illustration to Figure 2, however

unter schematischer Angabe der Art und Weise, in welcher Toner auf die Oberfläche der photoleitenden Schicht nach Belichtung derselben aufgebracht wird undshowing schematically the manner in which toner is applied to the surface of the photoconductive Layer is applied after exposure of the same and

Figur 5 eine graphische Darstellung, aus welcher die Figure 5 is a graph from which the

Aufladungs- und Entladungsspannungen für einen elektrophotographischen Film nach der Erfindung im Vergleich zu dem Beispiel einer xerographischen Platte aufgetragen sind.Charge and discharge voltages for one electrophotographic film according to the invention in comparison with the example of a xerographic Plate are applied.

Es sei kurz nochmals zusammengefaßt, daß hier ein Gegenstand angegeben wird, der als elektrophotographischer Film verwendbar ist und einen Träger aus einem flexiblen, transparenten, blatt- oder folienartigen Polymer-Kunststoffkörper enthält, auf welchem sich ein dünner Filmbelag befindet. Der dünne Filmbelag enthält einen photoleitenden Werkstoff, beispielsweise η-leitendes Cadmiumsulfid oder Zink-Indium-Sulfid, wobei zwischen dem Trägerkörper und der photoleitenden Schicht eine dünne Zwischenschicht angeordnet ist, welche eine ohmisch leitende Schicht aus Indiumoxid oder dergleichen enthält oder hieraus besteht.It should be briefly summarized again that an object is given here which can be used as an electrophotographic film and has a support made of a flexible, transparent, sheet or film-like polymer plastic body contains on which there is a thin film layer. The thin film covering contains a photoconductive material, for example η-conductive cadmium sulfide or zinc indium sulfide, with between the support body and the photoconductive layer is provided with a thin intermediate layer which is an ohmically conductive layer of indium oxide or the like contains or consists of these.

Der Ausdruck "dünner Film" soll hier so definiert sein, daß er eine Schicht eines Werkstoffs, beispielsweise des Halbleiters oder des oben genannten Photoleiterwerkstoffs bezeichnet, welcher auf eine Oberfläche aufgebracht ist. Eine derartige dünne Filmschicht hat eine Stärke, welche mehrere Tausend Ängstroms mißt und beispielsweise etwa 5000 Ä oder 0,5 ,^* dick ist. Andererseits soll Efcer der Ausdruck "elektrophotographischer Film" oder "photographischer Film" in den nachfolgenden Ausführungen einen vollständigen Gegenstand bezeichnen, der sich aus verschiedenen Schichten oder Lagen zusammensetzt und in einem photographischen Verfahren verwendbar ist. Wird ein Träger oder ein Trägerkörper oder ein Trägerelement erwähnt, so soll hiermit nicht ein Film im vorstehend angegebenen Sinne bezeichnet sein, obgleich der Träger, der erfindungsgemäß zur Anwendung kommt, im herkömmli-The term "thin film" shall be defined herein to include a layer of a material, for example the semiconductor or the above-mentioned photoconductor material, which is applied to a surface. Such a thin film layer has a thickness which measures several thousand angstroms and is, for example, about 5000 Å or 0.5, ^ * thick. on the other hand shall the term "electrophotographic film" or Efcer "Photographic film" in the remarks below Designate a complete object, which is composed of different layers or plies and in a photographic Method is usable. If a carrier or a carrier body or a carrier element is mentioned, this is not intended to mean a film be designated in the above sense, although the carrier that is used according to the invention, in the conventional

JU Job 1 / 1 0 79JU Job 1/1 0 79

chen Sinne des Wortes ein Film sein kann.a film can be in the first sense of the word.

Man erkennt, daß der Träger vorzugsweise ein dünner, flexibler, transparenter Körper aus einem Kunststoffblatt oder einer Kunststoffolie ist, welche im allgemeinen als Kunststoffilm bezeichnet worden ist.It can be seen that the carrier is preferably a thin, flexible, transparent body made of a plastic sheet or a plastic film is what is commonly referred to as a plastic film has been.

Der elektrophotographische Film nach der Erfindung enthält eine dünne aufgesputterte Filmschicht aus einem anorganischen Photoleiterwerkstoff, welche sich über einer ebenfalls aufgesputterten dünnen Filmschicht eines Leitermaterials befindet, die ihrerseits mit einer dünnen flexiblen Isolations-Trägerschicht verbunden ist, beispielsweise mit einem blattartigen Kunststoffkörper hoher Stabilität. Die angestrebten Eigenschaften des elektrophotographischen Films sind Transparenz, Flexibilität, große Empfindlichkeit, hoher photoelektrischer Verstärkungsfaktor, Wirtschaftlichkeit, leichte Herstellung, Verwendung und Handhabung, die Möglichkeit einer vollständigen beliebig oft wiederholbaren Belichtung, Stabilität unter veränderlichen Bedingungen bezüglich Licht, Temperatur und Feuchtigkeit sowie weitere Eigenschaften, welche sich aus der nachfolgenden Beschreibung ergeben. Die Eigenschaften des hier vorgeschlagenen Films eröffnen die Möglichkeit für eine Vielfalt wichtiger Anwendungen, worunter die Mikrofilmaufzeichnung keineswegs die unwichtigste ist.The electrophotographic film of the invention contains one thin sputtered film layer made of an inorganic photoconductor material, which is also sputtered on Thin film layer of a conductor material is located, which in turn is connected to a thin flexible insulation carrier layer is, for example with a sheet-like plastic body high stability. The intended properties of the electrophotographic Films are transparency, flexibility, great sensitivity, high photoelectric gain, Economy, ease of manufacture, use and handling, the possibility of a complete exposure that can be repeated as often as required, stability under changing conditions with regard to light, temperature and humidity as well as other properties, which result from the following description. The properties of the film proposed here open up the Possibility for a variety of important applications, of which microfilming is by no means the least important.

Die drei wichtigen Bestandteile des elektrophotographischen Films 10 sind die aufgesputterte dünne Filmschicht 12 aus photoleitendem Werkstoff, die aufgesplitterte ohmisch leitende dünne Filmschicht lh und der Trägerkörper 16 „The three important components of the electrophotographic film 10 are the sputtered thin film layer 12 made of photoconductive material, the split ohmically conductive thin film layer lh and the carrier body 16 "

Betrachtat »h zunächst Figiar 5 dsr Zeichnungen, so erkennt ian, daß hier ©in Diagramm aufgezeichnet ist, in welchem die Eigenschaften sines typischen xerogr&pMsohen Trägers bisher bekannter Art (A) unü üle Eigenecfeaf tee. eines-©!©tetroptootographischen Films bei Verwendung in der hier aiagegetoeinien Art und einander gegenübergestellt sind»If you first look at Fig. 5 of the drawings, you can see that here a diagram is drawn in which the properties of this typical xerogic carrier of the type known up to now (A) are unequal . a- ©! © tetroptootographic film when used in the here aiagegetoeinien way and are juxtaposed »

:> Ί / 1 U 7 9:> Ί / 1 U 7 9

■fÖ■ fÖ

Die horizontale Achse in Figur 5 ist die Zeitachse mit nach rechts zunehmenden ¥erten, welche nicht notwendigerweise im gleichbleibendem Maßstab aufgetragen sind und die Ordinate ist nach aufwärts zunehmend in Potentialwerten geeicht, wobei wiederum nicht notwendigerweise ein gleichbleibender Maßstab eingehalten ist. Beim xerographischen Aufzeichnungsverfahren wird die photoleitende Oberfläche, beispielsweise ein Gemisch aus amorphem Selen oder Zinkoxid und Harz, durch Aussetzen der Oberfläche gegenüber einer Koronaentladung in Dunkelheit aufgeladen. Für die charakteristischen Dicken der entsprechenden Ofcerflächenschichten, nämlich in der Größenordnung von 20 ^u bis l60^u. folgt das durch die Ladung erzeugte Potential der durchgehenden Linie 30 und steigt auf beispielsweise etwa 500 Volt an. Dies geschieht in einer Zeitdauer von größenordnungsmäßig etwa 60 Sekunden. Während weiterhin noch Dunkelheit herrscht, beginnt die Ladung langsam abzufließen, wobei die Kennlinie zunächst dem in ausgezogener Linie dargestellten Kurvenabschnitt 32 und dann der gestrichelt angegebenen Linie 34 folgt. Als Sättigungsniveau 35 wird derjenige Punkt bezeichnet, in welchem der Koronastrom etwa genauso groß ist wie der Ableitungsstrom.The horizontal axis in FIG. 5 is the time axis with values increasing to the right, which are not necessarily plotted on a constant scale and the ordinate is increasingly calibrated upwards in potential values, again not necessarily on a constant scale. In the xerographic recording process, the photoconductive surface, for example a mixture of amorphous selenium or zinc oxide and resin, is charged by exposing the surface to a corona discharge in the dark. For the characteristic thicknesses of the corresponding surface layers, namely in the order of magnitude of 20 ^ u to 160 ^ u. the potential generated by the charge follows the solid line 30 and increases to, for example, about 500 volts. This takes place in a period of the order of about 60 seconds. While it is still dark, the charge begins to flow slowly, the characteristic curve initially following the curve section 32 shown in a solid line and then following the line 34 indicated by dashed lines. The point at which the corona current is approximately the same as the discharge current is referred to as the saturation level 35.

An dem durch die vertikale gestrichelte Linie 36 bezeichneten Zeitpunkt, beispielsweise am 90-Sekunden-Punkt, wird die xerographische Platte einer bestimmten Verteilung heller und dunkler Bereiche ausgesetzt, welche selbstverständlich die auf die Platte projizierte Information enthalten. Hierbei wird die Ladung selektiv in einem Maße abgeleitet, das proportional zur Menge des auf die Oberfläche treffenden Lichtes ist. Jedes Lichtphoton bringt ein Elektron von der Oberfläche zur Kombination mit einem Elementarladungsloch. Das vollständige Fehlen von Elektronen wird durch den Zustand der Bereiche der Oberfläche bei dem Restpotential bei 38 ganz unten im Diagramm dargestellt, wobei dieses Restpotential beispielsweise in der Größenordnung von JO Volt bis 50 Volt liegt. Dieser zuletzt betrachtet© Zustand entspricht, einem reinen Weiß der Auf zeichnung«, Vollständig schwarze Bereichs: At the point in time indicated by the vertical dashed line 36, for example at the 90 second point, the xerographic plate is exposed to a certain distribution of light and dark areas which of course contain the information projected onto the plate. Here, the charge is selectively diverted to an extent that is proportional to the amount of light hitting the surface. Each photon of light brings an electron from the surface to combine with an elementary charge hole. The complete absence of electrons is shown by the state of the areas of the surface at the residual potential at 38 at the very bottom of the diagram, this residual potential being, for example, in the order of magnitude of JO volts to 50 volts. This last viewed © state corresponds to a pure white of the recording «, completely black area :

- iO -- OK -

3U9S51/1073U9S51 / 107

nämlich diejenigen, welche absolut keine Elektronen verlustig gegangen sind, da sie nicht dem Licht ausgesetzt wurden, bleiben auf dem Sättigungsniveau oder dem Zustand praktisch vollständiger Aufladung entsprechend dem Kurventeil 3^. Sämtliche übrigen Bereiche befinden sich irgendwo zwischen diesen beiden Extremzuständen. namely, those who have lost absolutely no electrons because they have not been exposed to light remain at the saturation level or the state of practically complete charging according to the curve part 3 ^. All the rest Areas are somewhere between these two extreme states.

Der Ladungsabfall setzt sich in der dargestellten Weise fort, doch werden an irgend einem Zeitpunkt während der Verfahrensdauer zweckmäßig Tonerpartikel auf die Oberfläche der xerographischen Platte aufgebracht und diese werden dann gleichsam in einem Offsetvorgang auf ein Blatt Papier übertragen und durch Einbrennen im Papier dauerhaft fixiert. Hiernach wird der Toner, soweit er sich noch auf der xerographischen Platte befindet, von dieser abgebürstet und die Platte ist dann von neuem verwendbar. In der Zwischenzeit kann noch eine vollständige Entladung der Platte durch eine vollständige, sehr starke Belichtung erfolgen.The charge decay continues as shown, but at some point during the process, toner particles expediently become on the surface of the xerographic Plate applied and these are then as it were in an offset process on a sheet of paper and transferred through Burned-in permanently fixed in the paper. Then the toner, as far as it is still on the xerographic plate, is removed from this is brushed off and the plate can then be used again. In the meantime, the Plate made by a complete, very strong exposure.

Durch die Erfindung wird die Verwendung dessen, was als Platte bezeichnet wird, vorgeschlagen, um eine transparente photographische Filmaufzeichnung herzustellen, so daß keine Übertragung des Toners stattfindet. Man erkennt vielmehr, daß der Toner unmittelbar in den elektrophotographischen Film selbst eingeschmolzen ist, nachdem dieser belichtet und der Toner aufgebracht wurde, was durch die außerordentliche Wirtschaftlichkeit des hier vorgeschlagenen Verfahrens und der Werkstoffe möglich ist. Soweit bisher bekannt, existieren keine im Handel erhältlichen Xerographieeinrichtungen, welche die xerographische Platte oder den Träger selbst als ein transparentes Endprodukt liefern. In jedem Falle findet eine Übertragung statt. Kopierverfahren mit Zinkoxidpapier stellen eine Ausnahme dar, doch wird hier kein transparenter Aufzeichnungsträger erhalten. Tatsächlich können die bekannten Aufzeichnungsträger als Enderzeugnis nicht nutzbringend verwendet werden, wenn sie nicht transparent sind und als Negativ oder als transparente Filmaufzeichnung verwendbar sind.The invention suggests the use of what is referred to as a plate to make a transparent photographic Make movie record so that no transfer of the toner takes place. Rather, it can be seen that the toner fused directly into the electrophotographic film itself is after this has been exposed and the toner has been applied, which is due to the extraordinary economy the method proposed here and the materials is possible. As far as is known, none exist commercially available Xerographic devices which provide the xerographic plate or support itself as a transparent end product. In any case, a transfer takes place. Copying processes with zinc oxide paper are an exception, but here it is no transparent recording medium received. Indeed The known recording media cannot be used as an end product can be used usefully if they are not transparent and can be used as a negative or as a transparent film record are.

- 11 -- 11 -

1/10 7 91/10 7 9

Sieht man von dem Trägerkörper selbst afc, welcher eine Stärke von einem Bruchteil eines Millimeters hat, so ist die Dicke des elektrophotographischen Elementes nach der Erfindung in den meisten Fällen ein Bruchteil eines Λ*- . Die zu verwendenden Spannungen sind daher wesentlich geringer als diejenigen, wie sie für die Behandlung dicker xerographischer Platten für bekannte Verfahren notwendig sind. Um einen Vergleich durchführen zu können, ist in dem Diagramm nach Figur 5 eine Extrapolation der Kennlinien durchgeführt, wobei von einem Aufbau ausgegangen ist, in welchem die photoleitende Schicht im wesentlichen in derselben Stärke wie die photoleitende Schicht der xerographischen Platte angenommen ist.Looking at the support body itself, which is a fraction of a millimeter thick, the thickness of the electrophotographic element according to the invention is in most cases a fraction of Λ * - . The voltages to be used are therefore much lower than those required for the treatment of thick xerographic plates for known processes. In order to be able to carry out a comparison, an extrapolation of the characteristic curves is carried out in the diagram according to FIG. 5, assuming a structure in which the photoconductive layer is assumed to have essentially the same thickness as the photoconductive layer of the xerographic plate.

Für den extrapolierten Aufbau des elektrophotographischen Films ist daher der Dunkelabfall der Ladung so rasch, daß vollständig verschiedene Bedingungen vorherrschen. Zunächst ist festzustellen, daß die Koronaentladung, welcher die photoleitende Oberfläche ausgesetzt wird, deren Potential auf einen Wert in der Größenordnung von 2000 Volt oder darüber anhebt, was vielfach größer als der Wert des Sättigungspotentials ist. Das erreichte Potential soll selbstverständlich nicht über demjenigen Fert liegen, der zu einem Durchbruch der photoleitenden Schicht führt. Beim Einwirkenlassen der Koronaentladung steigt das Potential der photoleitenden Oberflächenschicht längs der Linie 40 auf den gewünschten Scheitelwert an, was innerhalb eines Bruchteiles einer Sekunde, hier innerhalb einer halben Sekunde, geschieht. Sobald die Aufladung durch Koronaentladung beendet ist, wobei sich der Film immer noch in Dunkelheit befindet, beginnt er sich längs der steil abfallenden Linie 42 zu entladen, welche zu derselben Kennlinie gehört wie der kleine Abschnitt 32 der Dunkelabfall-Kennlinie für den Fall A. Zu irgend einem Zeitpunkt, beispielsweise l/lOO einer Sekunde später, wird die Oberfläche der photoleitenden Schicht einem aufprojizierten Bild oder einer Strahlung in irgend einer anderen Form, beispielsweise einer Röntgenstrahlung, ausgesetzt. Die Geschwindigkeit der Belichtung kann wegen der Steilheit des Abfalls der Kennlinie sehr großFor the extrapolated structure of the electrophotographic film, therefore, the dark decay of the charge is so rapid that it is complete different conditions prevail. First, it should be noted that the corona discharge, which is the photoconductive surface whose potential increases to a value in the order of 2000 volts or above, which is many times greater than the value of the saturation potential. The potential achieved should of course not be higher than that which leads to a breakdown of the photoconductive layer. When the corona discharge is allowed to act, the potential increases of the photoconductive surface layer along the line 40 on the desired peak value, which happens within a fraction of a second, here within half a second. As soon the charging by corona discharge is finished, whereby the film is still in darkness, it begins to unload along the steeply sloping line 42 leading to the same Like the small section 32, the characteristic curve belongs to the dark decay characteristic curve for case A. At some point in time, for example 1/100 of a second later, the surface of the photoconductive layer a projected image or a Radiation in some other form, for example X-rays, exposed. The speed of exposure can be very large because of the steepness of the drop in the characteristic

- 12 -- 12 -

3ü9b5 1 / 10793ü9b5 1/1079

sein, nachdem dieser Abiall die Leichtigkeit der Entfernung von Elektronen von der Oberfläche der photoleitenden Schicht wiedergibt. Die Dunkelabfallskennlinie setzt sich in der gestrichelten Linie kk fort, welche weit unter dem Aufladungspotential schließlich auf das Sättigungsniveau trifft, während die Belichtungs-Entladungslinie längs der Linie 46 auf das Restpotential abfällt. Man erkennt, wie rasch sämtliche Vorgänge ausgeführt werden können, um den hier vorgeschlagenen elektrophotographischen Film in sehr schnellen Kameras und dergleichen verwenden zu können.after this volume represents the ease of removal of electrons from the surface of the photoconductive layer. The dark decay curve continues in the dashed line kk , which finally hits the saturation level well below the charging potential, while the exposure-discharge line falls along the line 46 to the residual potential. It can be seen how quickly all operations can be carried out in order to be able to use the electrophotographic film proposed here in very fast cameras and the like.

Ein großer Vorteil solcher sehr schneller elektrophotographischer Filme ist es, daß die Koronaentladung zur Wirkung gebrachtA great advantage of such very fast electrophotographic It is films that brought the corona discharge into effect

kann
werden7, wenn der photoleitende Oberflächenbelag bereits belichtet ist, d.h. die Korona kann bei Licht einwirken und der Toner kann zugeführt werden, wenn ein gewünschtes Potential erreicht ist. Dies kann gegenüber den dargestellten Verhältnissen weiter oben an einem Punkt der Kurve 52 und sogar nahe dem Scheitel 48 geschehen..
can
become 7 when the photoconductive surface covering is already exposed, ie the corona can act in light and the toner can be added when a desired potential is reached. Compared to the relationships shown above, this can take place at a point on curve 52 and even near apex 48 ..

Betrachtet man nun die tatsächlich zur Anwendung kommenden Potentiale, so ergibt sich, daß wegen der außerordentlich geringen Stärke der photoleitenden Schicht das tatsächliche Potential am Punkte maximaler Aufladung entsprechend dem Scheitelpunkt 48 nicht mehr als 50 Volt bis 60 Volt oder eine Spannung in diesem Bereich beträgt. Die anderen Spannungen sind entsprechend proportional kleiner, wodurch die Einrichtungen zur Ausübung des hier vorgeschlagenen Verfahrens in ihrem Aufbau sehr einfach werden. Das Restpotential beispielsweise beträgt bei dem hier vorgeschlagenen Verfahren einige wenige Volt, während es im Falle der gebräuchlichen xerographischen Platten bei 30 Volt bis 50 Volt liegt. Es kann festgestellt werden, daß der betriebsmäßige Spannungsbereich für den erfindungsgemäßen elektrophotographischen Film vollständig unterhalb der niedrigsten Spannung liegt, die bei herkömmlichen Xerographieverfahren zur Anwendung kommen.If one now looks at the potentials actually used, it follows that because of the extremely small thickness of the photoconductive layer, the actual potential am Points of maximum charge corresponding to vertex 48 no more than 50 volts to 60 volts or any voltage within this Range is. The other voltages are correspondingly proportionally smaller, which means that the facilities for exercising the The method proposed here is very simple in its structure will. The residual potential is, for example, a few volts in the method proposed here, while in the Case of the common xerographic plates is 30 volts to 50 volts. It can be noted that the operational Voltage range for the electrophotographic film of the present invention fully below the lowest voltage which are used in conventional xerographic processes.

- 13 -- 13 -

.■i/l U- 7 9. ■ i / l U- 7 9

Nunmehr sollen die Figuren i bis 3 näher betrachtet werden, in welchen ein elektrophotographischer Film nach der Erfindung im Schnitt gezeigt ist, wobei die Abmessungen übertrieben sind und in ihrem gegenseitigen Verhältnis nicht abgestimmt sind, um die einzelnen Teile des Films besser erläutern zu können. In jedem Falle sind ein Trägerkörper 16, eine photoleitende Schicht 12 und eine dazwischen befindliche leitende oder ohmische Schicht Ik vorhanden. In der Darstellung nach Figur 1 ist ein Kontakt bei 18 zu der ohmisch leitenden Schicht hergestellt, indem die photoleitende Schicht die ohmisch leitende Schicht nicht vollständig überdeckt, so daß ein Teil der leitenden Schicht Ik freiliegt. Mit 20 ist eine Hochspannungsquelle bezeichnet, während 21 einen Koronagenerator versinnbildlicht, wodurch schematisch eine Schaltung als Aufladeeinrichtung angegeben ist, welche auf den photoleitenden, dünnen Filmbelag 12 eine Oberflächenladung aufzubringen vermag.A closer look will now be given to FIGS. 1 to 3, in which an electrophotographic film according to the invention is shown in section, the dimensions being exaggerated and not coordinated in their mutual relationship in order to better explain the individual parts of the film. In each case, a carrier body 16, a photoconductive layer 12 and a conductive or ohmic layer Ik located between them are present. In the illustration according to FIG. 1, a contact with the ohmically conductive layer is made at 18 in that the photoconductive layer does not completely cover the ohmically conductive layer, so that part of the conductive layer Ik is exposed. A high-voltage source is denoted by 20, while 21 symbolizes a corona generator, which schematically indicates a circuit as a charging device which is able to apply a surface charge to the photoconductive, thin film covering 12.

In dem Ausführungsbeispiel nach Figur 2 ist längs des Randes in der bei 22 angedeuteten Weise ein Teil der ohmisch leitenden Schicht Ik oder ein gesonderter Streifen aus einem Leitermaterial, beispielsweise aus Aluminium vorgesehen, um die Kontaktierung der ohmisch leitenden Schicht Ik zu erleichtern. Bei der Ausführungsform nach Figur 3 hat dieser Streifen die Form eines Teiles 24, welches den Rand und einen Teil der Unterseite des Trägerkörpers 16 umgreift. Der Kontaktstreifen 22 bzw. 2k stellt einen guten Kontakt zu der ohmisch leitenden Schicht Ik her und kann leicht in beträchtlicher Dicke ausgebildet werden, um widerstandsfähig gegen Abnützung zu sein.In the exemplary embodiment according to FIG. 2, a part of the ohmically conductive layer Ik or a separate strip of a conductor material, for example aluminum, is provided along the edge in the manner indicated at 22 in order to facilitate the contacting of the ohmically conductive layer Ik. In the embodiment according to FIG. 3, this strip has the shape of a part 24 which engages around the edge and part of the underside of the carrier body 16. The contact strip 22 or 2k makes good contact with the ohmically conductive layer Ik and can easily be formed with a considerable thickness in order to be resistant to wear.

Die drei Bestandteile des grundsätzlichen Aufbaus werden durch ein Aufspritzverfahren oder durch Sputtern vereinigt, was in einer geeigneten Druckkammer durchgeführt wird. Der Trägerkörper wird vorzugsweise in der richtigen Breite ausgeschnitten, bevor die Beschichtung erfolgt und wird dann durch eine erste Druckkammer geführt, in welcher die ohmisch leitende dünne FiIm-The three components of the basic structure are combined by an injection molding process or by sputtering, which is shown in a suitable pressure chamber is carried out. The carrier body is preferably cut out to the correct width before the coating takes place and is then passed through a first pressure chamber in which the ohmically conductive thin film

- Ik - - Ik -

I / 1 υ VM I / 1 υ VM

schicht 14 auf eine der Oberflächen des Trägerkörpers aufgebracht wird. Bei einem anderen Verfahren ist der gesamte Vorrat zur Lieferung und zur Abnahme des streifenförmigen Trägerkörpers vollständig innerhalb der Druckkammer angeordnet. In entsprechender Weise wird dann die zweite Schicht oder der photoleitende Filmbelag 12 über die ohmisch leitende Filmschicht Ik aufgesputtert. Die Kontaktbereiche 18 oder die Randteile 22 bzw. die seitlichen Teile 2k können durch Vakuumtechniken oder Sputtervertahren und/ oder durch Maskieren aufgebracht werden, was gewöhnlich vor Aufbringen der beiden Filmschichten Ik und 12 erfolgt.layer 14 is applied to one of the surfaces of the carrier body. In another method, the entire supply for delivery and removal of the strip-shaped carrier body is arranged completely within the pressure chamber. In a corresponding W e ise the second layer or the photoconductive film covering 12 is then sputtered over the resistive conductive film layer Ik. The contact areas 18 or the edge parts 22 or the lateral parts 2k can be applied by vacuum techniques or sputtering processes and / or by masking, which usually takes place before the two film layers Ik and 12 are applied.

Die photoleitende Schicht 12The photoconductive layer 12

Die photoleitende Schicht 12 ist der wichtigste Bestandteil des elektrophotographischen Films, da er die wirkungsmäßigen und physikalischen Eigenschaften besitzt, welche die besonderen Vorteile des hier vorgeschlagenen Films gegenüber bekannten Filmen begründen. The photoconductive layer 12 is the most important component of the electrophotographic film because it is the most effective and physical Has properties which establish the particular advantages of the film proposed here over known films.

Der Werkstoff, aus welchem die Schicht 12 hergestellt ist, besteht in einer photoleitenden Verbindung oder Legierung, welche die beschriebenen Eigenschaften besitzt. In den beiden Beispielen, welche nachfolgend betrachtet werden, finden n-1eitendes !Cadmiumsulfid (CdS) und Zink-Indium-Sulfid (ZnIn2S^) Verwendung. Andere Werkstoffe, welche als photoleitender Filmbelag 12 verwendet werden können, sind Si_N., ZnS, Sb-S,, ASgS-, GaAs, CdSe, ZnSe und möglicherweise andere Werkstoffe. Diese können in verschiedener Weise dotiert werden. Die Eigenschaften des Werkstoffes seien nachfolgend genauer betrachtet.The material from which the layer 12 is made consists of a photoconductive compound or alloy which has the properties described. In the two examples which are considered below, n-1-sided! Cadmium sulfide (CdS) and zinc-indium sulfide (ZnIn 2 S ^) are used. Other materials that can be used as the photoconductive film covering 12 are Si_N., ZnS, Sb-S ,, ASgS-, GaAs, CdSe, ZnSe and possibly other materials. These can be doped in various ways. The properties of the material are considered in more detail below.

1. Der Werkstoff ist in jedem Falle vollständig anorganisches, mikrokristallines Material in einer Stärke von mehreren Tausend Sngstrom. Bisher bekannte photoleitende Schichten oder Platten sind beträchtlich stärker und sind daher nicht in hohem Maße flexibel und transparent. Bekannte Schichten sind sehr stark mit harzartigen Bindemitteln und anderen Stoffen1. The material is in any case completely inorganic, microcrystalline material with a thickness of several thousand Sngstrom. Previously known photoconductive layers or plates are considerably stronger and are therefore not in highly flexible and transparent. Known layers are very strong with resinous binders and other substances

- 15 -- 15 -

1 / 1 0 7 91/1 0 7 9

versetzt, welche die Undurchsichtigkeit erhöhen und sind im allgemeinen im Vakuumaufdampfverfahren aufgebracht, um eine Kristallstruktur zu vermeiden, da große Kristalle die Schichten brüchig machen. Die Dicke der dünnen Filmschicht 12 beträgt vorzugsweise unter 3500 Angstrom, kann aber auch 5000 Ängstrom erreichen. Die Leitung von Elektronen und Löchern durch die Schicht hindurch wird von solch dünnen Schichten in keiner Weise behindert. Die kristalline Struktur für mindestens eines der genannten Materialien ist vertikal ausgerichtet, also senkrecht zu der Oberfläche, auf welcher die Schicht aufgebracht wird, was auf dem Sputterverfahren des Aufbringens beruht, welches erfindungsgemäß verwendet wird.offset, which increase the opacity and are in generally applied by vacuum evaporation to a Avoid crystal structure, as large crystals make the layers brittle. The thickness of the thin film layer 12 is preferably below 3500 angstroms, but can also reach 5000 angstroms. The conduction of electrons and holes through the layer is in no way obstructed by such thin layers. The crystalline structure for at least one of the materials mentioned is oriented vertically, i.e. perpendicular to the surface on which the Layer is applied, which is based on the sputtering method of application, which is used according to the invention.

Als Beispiel für die Flexibilität der photoleitenden Schicht bei Ablagerung auf einen blattartigen, flexiblen Polyesterträger, in einer Stärke von 0,125 mm sei angegeben, daß der elektrophotographische Film um einen Dorn oder Zylinder mit einem Durchmesser von 6^25 mm geschlungen werden kann, ohne daß Sprünge oder Risse auftreten. Die Möglichkeit, den elektrophotographischen Film um zylindrische Körper oder Dorne mit einem Durchmesser von Bruchteilen von Zentimetern schlingen zu können, macht deutlich, daß der elektrophotographische Film nach der Erfindung ohne weiteres durch Behandlungsmaschinen und Wiedergabeeinrichtungen transportiert werden kann.As an example of the flexibility of the photoconductive layer when deposited on a sheet-like, flexible polyester support, in a thickness of 0.125 mm, it is indicated that the electrophotographic film can be wrapped around a mandrel or cylinder with a diameter of 6 ^ 25 mm without that cracks or cracks occur. The possibility of the electrophotographic Loop film around cylindrical bodies or mandrels that are fractions of a centimeter in diameter to be able to make it clear that the electrophotographic film of the invention can be easily processed by processing machines and playback devices can be transported.

Eine weitere Eigenschaft, welche mit der Tatsache zusammenhängt, daß die Schicht 12 anorganisch, dünn und kristallin ist, besteht in ihrer Härte. Oben wurde bereits die Forderung erwähnt, daß die Oberfläche so hart wie Glas sein soll. Eine Abriebfestigkeit ist beim Gebrauch und der Handhabung des Filmes wichtig, da sie Kratzer, Schrammen und dergleichen vermeiden hilft, welche zu einer Beschädigung oder einem Verlust von Einzelheiten und Daten führen können, insbesondere, wenn die aufgezeichnete Information sehr fein ist. Bei der Herstellung des elektrophotographischen FilmsAnother property related to the fact that layer 12 is inorganic, thin and crystalline is, consists in their hardness. The requirement that the surface should be as hard as glass was already mentioned above. Abrasion resistance is in use and handling of the film is important as it helps avoid scratches, scrapes and the like, which can lead to damage or a Loss of details and data can result, especially if the information recorded is very fine is. When making the electrophotographic film

- 16 -- 16 -

J U d α b 1 / 1 Ü 7 9JU d α b 1/1 Ü 7 9

treten auch keine Schwierigkeiten auf, wenn es notwendig ist, den Film durch Reibung zwischen der anliegenden Filmfläche und den Reibrädern oder Rollen oder dergleichen zu bewegen.no difficulties arise when necessary is to apply the film by friction between the adjacent film surface and the friction wheels or rollers or the like move.

Aufgrund seiner geringen Stärke und der Halbleitereigenschaften ist der Werkstoff elektrisch anisotrop. Das bedeutet, daß das Material mindestens während einer beträchtlichen Zeitdauer eine nicht gleichförmige Verteilung von Elektronen und Löchern, welche der Schicht aufgeprägt oder in der Schicht erzeugt sind, aufrecht erhalten werden kann, wie bei dem hier beschriebenen Verfahren zur Verwendung" des elektrophotographischen Filmes erforderlich ist.Due to its low strength and semiconductor properties, the material is electrically anisotropic. That means, that the material has a non-uniform distribution of electrons for at least a substantial period of time and holes embossed on the layer or made in the layer can be maintained, such as is required in the method of using "the electrophotographic film described herein.

Der Werkstoff hat die Eigenschaft eines hohen photoelektrischen Verstärkungsfaktors. Die beiden hier beispielsweise erwähnten besonderen Werkstoffe sind η-leitendes Kadmium-Sulfid und Zink-Indium-Sulfid. Ersteres hat einen Dunkelwiderstand von 10 SL· cm, einen spezifischen Hellwiderstand oder Widerstand bei Belichtung von 10 Sa/ cm und ein verbotenes Band von etwa 2,45 eV. Das zuletzt genannte Material hat einen spezifischen Dunkelwiderstand von 10 S2t cm und einen spezifischen Hellwiderstand von 10 Su cm bis 10 _ß- cm. Die optische Durchlässigkeit soll bei 70% liegen und nicht über 85% betragen. Ein Verhältnis des spezifischen Dunkelwider-The material has the property of a high photoelectric amplification factor. The two special materials mentioned here, for example, are η-conductive cadmium sulfide and zinc indium sulfide. The former has a dark resistance of 10 SL · cm, a specific light resistance or exposure resistance of 10 Sa / cm, and a forbidden band of about 2.45 eV. The last-mentioned material has a specific dark resistance of 10 S2t cm and a specific light resistance of 10 Su cm to 10 _ß- cm. The optical transmittance should be 70% and not more than 85%. A relationship of the specific dark repulsion

4 Standes zum spezifischen Hellwiderstand von 10 oder darüber ist besonders vorteilhaft zur Schaffung extrem rasch arbeitender elektrophotographischer Filme.4 Standes for the specific light resistance of 10 or more is particularly advantageous for creating extremely fast electrophotographic films.

Zink-Indium-Sulfid ist wegen seines hohen spezifischen Dunkelwiderstandes und des niedrigen spezifischen Hellwider— Standes in vielen Anwendungsgebieten der Elektrophotographie nach der Erfindung vorteilhaft, während Kadmium-Sulfid aufgrund des raschen Dunkelabfalles vorzugsweise Verwendung in denjenigen Verfahren findet, bei welchen Bilder sehr schnell erzeugt werden müssen.Zinc indium sulfide is because of its high specific dark resistance and the low specific light resistance in many areas of application of electrophotography advantageous according to the invention, while cadmium sulfide due of the rapid decline in darkness, preferably used in finds the method in which images have to be generated very quickly.

- 17 -- 17 -

/ 1 U / 9/ 1 U / 9

Die Eigenschaft des hohen photoelektrischen Verstärkungsfaktors ist bedeutsam, da sie die Empfindlichkeit des elektrophotographischen Films nach der Erfindung bis zu einem Grade erhöht, in welchem die Filmempfindlichkeit vergleichbar mit der Empfindlichkeit der raschesten photographischen Filme wird, wobei aber nicht notwendigerweise der gleiche eigentümliche Verlust von Feinheiten aufgrund großer Körner auftritt. Die erfindungsgemäßen Filme besitzen praktisch kein Korn, nachdem die kristalline Struktur der Oberflächenschicht mikroskopisch ist. Bei einem photoleitenden Werkstoff bedeutet ein hoher Verstärkungsfaktor, daß beim Auftreffen eines Photons auf das Material anstelle eines einzigen Elektrons eine Mehrzahl von Elektronen freigesetzt werden. Je mehr Elektronen freigesetzt werden, desto höher ist der Verstärkungsfaktor.The property of high photoelectric amplification factor is important as it increases the sensitivity of the electrophotographic Films according to the invention are increased to the extent that the film speed is comparable with the sensitivity of the fastest photographic Films will, but not necessarily, have the same peculiar loss of subtleties due to large grains occurs. The films according to the invention have practically no grain after the crystalline structure of the surface layer is microscopic. In the case of a photoconductive material, a high gain means that upon impact A photon on the material releases a plurality of electrons instead of a single electron will. The more electrons are released, the higher the gain factor.

Die Zunahme des Verstärkungsfaktors des Photoleiters des erfindungsgemäßen elektrophotographischen Films beruht vermutlich auf der Auslösung freier Elektronen aus Energieniveaus im verbotenen Band des Photoleiters und steht in exponentiellem Zusammenhang mit der geringen Stärke des Photoleiters. Mit anderen Worten, je dünner die photoleitende Schicht, desto größer die Auslösung von Elektronen und umso empfindlicher ist der elektrophotographische Film.The increase in the gain of the photoconductor of the electrophotographic film of the present invention is believed to be due on the release of free electrons from energy levels in the forbidden band of the photoconductor and stands in exponential relationship with the low strength of the photoconductor. In other words, the thinner the photoconductive Layer, the greater the release of electrons and the more sensitive the electrophotographic film.

Die photoleitende Filmschicht muß durch Sputtern aufgebracht werden, um die oben angegebenen Eigenschaften zu erhalten. Kein anderes Beschichtungs- oder Ablagerungsverfahren der heute bekannten Art führt zu den angegebenen Eigenschaften.The photoconductive film layer must be applied by sputtering in order to obtain the properties given above. No other coating or deposition process of the type known today leads to the specified properties.

Einige Überlegungen seien dem Verstärkungsfaktor der photoleitenden Schicht gewidmet. Wenn von der photoleitenden. Schicht ein Elektron abgeführt wird, wenn ein Photon absorbiert wird, so kann man sagen, daß der Verstärkungsfaktor den Wert Eins hat. Werden mehrere Elektronen herausgestoßen9 Some considerations will be given to the gain factor of the photoconductive layer. If from the photoconductive. Layer an electron is removed when a photon is absorbed, one can say that the gain factor has the value one. Are several electrons ejected 9

- 18 -- 18 -

1 / 11/1

so ist der Verstärkungsfaktor größer als Eins. Man erkennt, daß die Dicke der photoleitenden Schicht 12 so sein soll, daß genügend Material zur Erzeugung der gewünschten Lichtabsorbtion und der gewünschten Abriebfestigkeit vorhanden ist, während gleichzeitig die Schicht dünn genug ist, um den angestrebten Verstärkungsfaktor zu erreichen. Praktisch kann man so verfahren, daß man eine Schichtdicke ablagert, welche bei minimaler Stärke den maximalen Verstärkungsfaktor ergibt. Dies läßt sich leicht experimentell für ein bestimmtes Material durch Messen der Lichtabsorbtion und Bestimmung des Abriebwiderstandes und der Festigkeit durch geeignete Einrichtungen ermitteln, wobei man mit der Ablagerung von Photoleiterwerkstoff fortfährt, bis ein praktischer Kompromiss zwischen den erwähnten Eigenschaften der Schicht und dem gewünschten photoelektrischen Verstärkungsfaktor erzielt ist.so the gain factor is greater than one. It can be seen that the thickness of the photoconductive layer 12 should be so that there is sufficient material to produce the desired light absorption and the desired abrasion resistance while at the same time the layer is thin enough to achieve the desired gain factor. Practically can proceed in such a way that a layer thickness is deposited which gives the maximum gain factor with the minimum thickness. This can easily be done experimentally for a given material by measuring the light absorption and determining the amount of light Determine the abrasion resistance and the strength by suitable means, taking into account the deposition of photoconductor material continues until a practical compromise between the mentioned properties of the layer and the desired one photoelectric gain is achieved.

Die Forderungen bezüglich der Lichtabsorbtion müssen in jedem Falle eingehalten werden. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist dies möglich, wobei man eine photoleitende Schicht erhält, die einen Verstärkungsfaktor von wesentlich über. Eins besitzt und eine ausgezeichnete Abriebfestigkeit aufweist. The requirements regarding light absorption must be met in any case. In the method according to the invention this is possible, whereby one obtains a photoconductive layer which has an amplification factor of substantially above. Has one and is excellent in abrasion resistance.

Es versteht sich, daß die Anteile der einzelnen Elemente, welche an der photoleitenden Schicht beteiligt sind, stöchiometrisch richtig sind, was durch entsprechende Steuerung der Bedingungen bei der Ablagerung erreicht werden kann. Auch die Anteile des Dotierungsmittels müssen gesteuert werden, was jedoch, nachdem die" gesamte Schicht anorganisch ist, mit herkömmlichen Regelverfahren durchführbar und verhältnismäßig einfach ist.It goes without saying that the proportions of the individual elements which are involved in the photoconductive layer are stoichiometric are correct, which can be achieved by appropriate control of the deposition conditions. The proportions of the dopant must also be controlled, which, however, after the "entire layer is inorganic." is feasible with conventional control methods and is relatively simple.

3. Der Werkstoff hat eine Empfindlichkeit in einem weiten Spektralbereich. Eine Empfindlichkeitsspitze in der Gegend von 5000 Sngstrom ist besonders vorteilhaft für eine Vielfalt von Anwendungsfällen der Elektrophotographie. Die oben3. The material has a sensitivity in a wide range Spectral range. A sensitivity spike in the area of 5000 sng currents is particularly beneficial for a variety of use cases of electrophotography. The above

— 19 —- 19 -

23284322328432

als Werkstoff für die dünne Filmschicht 12 genannten Materialien zeigen eine breite spektrale Empfindlichkeit. Es versteht sich, daß es wünschenswert ist;, daß die meisten Strahlungsarten, mit welchen eine Aufzeichnung durchgeführt werden soll, auf dem elektrophotographischen Film der hier vorgeschlagenen Art Bilder erzeugen können« Die Ansprechempfindlichkeit des erfindungsgemäßen Films umfaßt den gesamten Bereich des sichtbaren Lichtes sowie Röntgenstrahlungen und Strahlungen, die in physikalischen Laboratorien anzutreffen sind und gegenwärtig mit anderen Mitteln aufgezeichnet werden» materials mentioned as the material for the thin film layer 12 show a broad spectral sensitivity. It understands that it is desirable; that most types of radiation, with which recording is to be made, on the electrophotographic film of the one proposed here Art can produce pictures «The responsiveness of the film of the present invention covers the entire range of visible light as well as X-rays and Radiations that can be found in physical laboratories and are currently recorded by other means »

Kadmium-Sulfid, das mit einem geeigneten Donatormateriai—do-— tiert worden ist, zeigt eine panchromatische Ansprechempfindlishkeit. Zink-Indium-Sulfid besitzt eine universellere Ansprechempfindlichkeit, muB jedoch selektiv dotiert werden,, um gegebenenfalls in bestimmten. Bereichen die Ansprechemp·4-findlichkeit zu verbessern«, Normalerweise hat die Ansprechempf indlichkeit ihr -Maximum bei etwa %800 Angstrom«, Als Dotierungsmittel für Kadmium-Sulfid wird in. den hier erwähnten Beispielen Kupfer verwendet.Cadmium sulfide doped with an appropriate donor material exhibits panchromatic responsiveness. Zinc indium sulfide has a more universal response sensitivity, but has to be doped selectively in order to be able to use certain. Areas to improve the Ansprechemp · 4 -findlichkeit "Normally the Ansprechempf indlichkeit her -Maximum% at about 800 angstroms," As dopant for cadmium sulphide the examples mentioned herein copper is used in..

Das Material kann leicht abgelagert xfsrdeno Diese Eigenschaft ist von Bedeutungj, da sie eine gleicliförmiges steuerbare Produktion mit hoher Geschwindigkeit ermöglicht« Das Aufbringen der Schicht geschieht durch Sputtern oder Aufspritzen in einer entsprechend es Brwstk.B,mmer unter Anwendung eines Hochfrequenzfeld©so Es brauchen keine Pasten,, Massen oder Harze gehandhafot werden«, SäEatliehe Werkstoffe werden in die Druckkammer eingebracht ^ entweder in Fora von sich verbrauchenden AnocäsEa«, oder ?oe Gas©n9 oder von sublimierten Verbindungen9 die in die Ätiaogpiiärs des bet reff end sin Druekgef ässes eisagebraciit "-/erden, nachdem das Verfahren in LaMf gesetst isto Die s'iöcliiometrisch richtigen Anfeile lasssn sie» !sieht sinregialiersn, so daß nanThe material can be easily deposited xfsrden o This property is of Bedeutungj, since it allows a gleicliförmige s controllable high speed production, "The application of the layer is done by sputtering or spraying in a correspondingly it Brwstk.B, mmer using a high frequency field © s o it do not need pastes ,, masses or resins gehandhafot be "SäEatliehe materials are introduced into the pressure chamber ^ either in Fora of consumable AnocäsEa", right? oe gas © n 9 or sublimated connections 9 of the bet reff in the Ätiaogpiiärs end sin pressure vessel eisagebraciit "- / earth, after the procedure has been set in LaMf o The s'iöcliiometres correct files let them»! sees sinregialiersn, so that nan

cox?cox?

3baoo1/iU73baoo1 / iU7

ein im wesentlichen fehlerloses und gleichförmiges Erzeugnis erzielen kann.a substantially flawless and uniform product can achieve.

Die oben erwähnten, vorteilhaften Eigenschaften sind keineswegs vollzählig. Bei Verwendung einer photoleitenden Schicht der hier vorgeschlagenen Art ergibt sieh eine Reihe weiterer Vorzüge. Außerdem ist die oben angeführte Reihenfolge nicht als eine Reihenfolge in der Bedeutsamkeit zu verstehen.The advantageous properties mentioned above are by no means complete. The use of a photoconductive layer of the type proposed here results in a number of others Benefits. In addition, the order given above is not to be understood as an order of importance.

Die ohmisch leitende Schicht 14The ohmically conductive layer 14

Die ohmische Schicht 14 ist eine leitende Schicht, welche auf dem Trägerkörper 16 abgelagert wird, bevor die Photoleiterschicht 12 aufgebracht wird. Der hauptsächliche Zweck der leitenden Schicht 14 ist es, die Ableitung von Elektronen von der Oberfläche der photoleitenden Schicht zu fördern, wenn letztere Photonen absorbiert. Außerdem dient die leitende Schicht dazu, die Haftung der photoleitenden Schicht an dem Trägerkörper zu verbessern.The ohmic layer 14 is a conductive layer on which the carrier body 16 is deposited before the photoconductor layer 12 is applied. The main purpose of the senior Layer 14 is to drain electrons from the surface to promote the photoconductive layer when the latter absorbs photons. In addition, the conductive layer serves to ensure the adhesion to improve the photoconductive layer on the support body.

Die ohmisch leitende Schicht ist bedeutend dünner als die photoleitende Schicht 12 und hat vorzugsweise eine Stärke in der Größenordnung von 500 Angstrom. Diese Stärke führt zu keiner nachteiligen Beeinflussung der Transparenz und der Flexibilität des fertigen photoelektrischen Filmes. Die leitende Schicht bildet eine Trennschicht zwischen der photoleitenden Schicht 12 und dem Trägerkörper 16. Die leitende Schicht ist als ein Teil einer kapazitiven Anordnung Tirährend der Aufladung der Oberfläche der Photoleiterschicht zusätzlich zu der Funktion wirksam, die herausgelösten Elektronen von der photoleitenden Schicht abzuführen.The ohmically conductive layer is significantly thinner than the photoconductive one Layer 12 and is preferably on the order of 500 Angstroms thick. This strength does not lead to any disadvantage Influence the transparency and flexibility of the finished photoelectric film. The conductive layer forms a separation layer between the photoconductive layer 12 and the Support body 16. The conductive layer is as part of a capacitive arrangement during the charging of the surface of the photoconductive layer effective in addition to the function of removing the released electrons from the photoconductive layer.

Eine bestimmte Reinheitssorte von Indiumoxid-Halbleitermaterial ist als Werkstoff für die ohmisch leitende Schicht 14 geeignet. Es läßt sich leicht mit den Aluminiumrändern oder mit Leiterstreifen verbinden. Außerdem kann es leicht durch Sputterverfahren in denselben Einrichtungen aufgebracht werden, die auch zum Aufbringen der Photoleiterschicht verwendet werden. Andere Aufbringver-A certain purity grade of indium oxide semiconductor material is suitable as material for the ohmically conductive layer 14. It can be easily connected with the aluminum edges or with conductor strips. Also, it can be easily put in by sputtering the same devices are applied that are also used to apply the photoconductor layer. Other application

- 21 -- 21 -

3U9851 /10793U9851 / 1079

fahren oder Ablagerungsverfahren bisher bekannter Art ergeben nicht die Dichte, die Verbindung und Dauerhaftigkeit sowie die Flexibilität, wie sie in einem photographischen Film erforderlich sind.drive or deposition processes of the previously known type do not result in the density, the connection and durability as well as the Flexibility as required in photographic film.

Eine metallische Schicht in einer Stärke von gr ößenordusingsmaß ig 100 Angstrom kann unmittelbar auf den Trägerkörper 16 zwischen der ohmisch leitenden Schicht 14 und dem Trägerkörper 16 aufgebracht werden, um die Haftung und Verbindung zwischen den Trägerkörper l6 rand den darüberliegenden,'anorganischen ohniisefr leitenden bzw. photoleitenden Schichten Ik und 12 zu verbessern, doch ist dies nicht unbedingt erforderlich. Eine solche metallische Schicht kann aus Titan bestehen und ist in Figur h mit 15 bezeichnet. Diese Schicht läßt sich leicht in derselben Verfahrensweise aufbringen, wie auch die anderen Schichten, d.h. vorzugsweise durch Sputtern, doch möglicherweise auch durch andere Ablagerungs- bzw. Beschichtungsverfahren.A metallic layer with a thickness of the order of magnitude of 100 Angstroms can be applied directly to the support body 16 between the ohmically conductive layer 14 and the support body 16 in order to ensure the adhesion and connection between the support body 16 at the edge of the overlying, inorganic, non-invasive conductive or to improve photoconductive layers Ik and 12, but this is not absolutely necessary. Such a metal layer may be made of titanium and is denoted in FIG h with 15 °. This layer can easily be applied in the same way as the other layers, ie preferably by sputtering, but possibly also by other deposition or coating processes.

Der Trägerkörper 16The carrier body 16

Der Trägerkörper 16 ist der Träger oder die mechanische Halterung für die photoleitende Schicht 12 und die ohmiseh leitende Schicht lh. Die Eigenschaften des Trägerkörpers sind oben abgehandelt, jedoch nicht im einzelnen diskutiert worden. Die mechanischen Eigenschaften sind Biegsamkeit, Festigkeit, Transpar renz, die Fähigkeit einer guten Haftung zu den abgelagerten Schichten und, was sehr bedeutsam ist, Stabilität. Die Stabilität umfaßt eine solche bezüglich der Abmessungen, eine Stabilität in der Beibehaltung einer bestimmten Stärke, die Stabilität bezüglich der Widerstandsfähigkeit gegenüber irgendwelchen Änderungen, welche aufgrund des Einwirkenlassens bestimmter Temperaturen und elektrischer Vorgänge auftreten könnten, welche innerhalb des Druckgefässes beim Beschichtungsverfahren gegenwärtig sind. Bei der Auswahl eines geeigneten Trägermaterials stellt auch noch die Abriebfestigkeit einen wichtigen Gesichtspunkt dar.The carrier body 16 is the carrier or the mechanical holder for the photoconductive layer 12 and the ohmic conductive layer lh. The properties of the carrier body have been dealt with above, but not discussed in detail. The mechanical properties are flexibility, strength, Transparent r ence, the ability of a good adhesion to the deposited layers and what is very significant stability. Stability includes dimensional stability, stability in maintaining a certain strength, stability in terms of resistance to any changes which might occur due to exposure to certain temperatures and electrical processes which are present within the pressure vessel during the coating process. When choosing a suitable carrier material, abrasion resistance is also an important aspect.

- 22 -- 22 -

> 1 Vi 7 9 > 1 Vi 7 9

Blattartiges Polyestermaterial in einer Stärk© vom O9125 mm ist !beispielsweise ein Träger&örperiaaterialj, welches smfirled ens teilende Ergebnisse liefert. Dieses Material ist ein organisches Polymer. Vorzügliche Eigenschaften hat beispielsweise öer unter dem Warenzeichen "Mylar" im Handel erfaä1tliche Werkstoff. Dieses Material gelangt in Zustand innerer Spannungen ote Verkauf,, die in dem Material aufgrund der Herstellungsweise vorMamcäeia sind. Vor der Verwendung werden solche Spannungen vorzugsweise entfernt j, was durch ein als- Normalisierung bezeichnetes Verfahren geschieht. Hierzu kann man die Folie in an sich feelEastmter Weise während einer Dauer von 30 Minuten einer Umgebung -w&n 80% relativer Luftfeuchtigkeit und einer Temperatur von 10® S aussetzen.Sheet-like polyester material with a thickness of Ø 9 125 mm is, for example, a carrier material which delivers uniformly dividing results. This material is an organic polymer. Excellent properties for example, has Oer under the trademark "Mylar" commercially erfaä 1 tliche material. This material comes into a state of internal tensions ote sale, which are in the material due to the way in which it is manufactured. Before use, such stresses are preferably removed j, which is done by a process called normalization. For this purpose, the film can be exposed to an environment -w & n 80% relative humidity and a temperature of 10 ° S for a period of 30 minutes in a manner that is per se feel-good.

Das Material des 'Trägerkörpers soll keine eingese&I®ss©aeii Gase enthalten nmü gegebenenfalls können solche Gase öinrslm Entgasen des Materials In entsprechenden Kammern entfernt reesraleEu Außerdem soil «Sas Foliemiiaterial vollständig sauber und frei ?o® statischen Aufladungen sein., Vor 'der Verwendung wird ei® sogenanntes radioaktives Abbürsten durchgeführte Hunaehr soll «Si© Art und Weise der Herstellung des elektro-photographiscSiem FiIns 10 näherThe material of the carrier body should not contain any gases, and if necessary, such gases can be degassed in appropriate chambers. In addition, the film material should be completely clean and free from static charges With so-called radioactive brushing carried out, the method of making the electro-photographic film 10 should be described in more detail

Geht ma.n von dem bereits vollständig vorbereitetem frägerkörper l6 aus ρ so !besteht der. erste Schritt bei der Herste I Issiag in der Aufbringung der ohiiisch leitenden Schicht lh, wele-Ens aiiea aus mehrereia Lagen aus Leitertaaterial bestellen kamia ims] fösispielsdie leitende Schicht 15 enthält*If we go from the already fully prepared interrogator l6 from ρ so! first step in the manufacture of I Issiag in the application of the ohiiisch conductive layer lh, wele-Ens aiiea order from several layers of conductor material kamia ims] fösig the conductive layer 15 contains *

Bei de® hier notwendig verwendeten BescßiGtotuagsverfaiiirs-m eine DrsiGlikasäiaer zum. Einsatz und die Beschichtung gssc durch Sputtern oder Aufspritzen Mit eines PlassaaiSanipf Issi Gegenwart eines elektrischen Hochfrequenzfeldes, öer fräger-iäörper wird auf. einer Anode angeordnet oder über eine Aaiseie BalEiwegge — führt j xvsiiK ein Fertigungsverfahren durchgeführt χ-ϊΐτά 5 t-jobei die Anode aus rostfreiem Stahl besteht und mittels Wasser oder ©inesIn the case of the BescßiGtotuagsverfaiiirs used here necessary a DrsiGlikasäiaer for. Use and the coating gssc by sputtering or spraying with a PlassaaiSanipf Issi presence of an electrical high frequency field, öer interfering body becomes on. an anode arranged or via an Aaiseie BalEiwegge - j xvsiiK a manufacturing process carried out χ-ϊΐτά 5 t-jobei the anode is made of stainless steel and by means of water or © ines

ο
anderem Kühlmittels auf etwa 80 C gekühlt wirdo SenäE einer b®-
ο
other coolant is cooled to about 80 C o SenäE a b®-

- 23 -- 23 -

3 ·. ,ι ο ο Ί / 1 0 7 93 ·. , ι ο ο Ί / 1 0 7 9

vorzugteil Form einer Beschichtungseinrichtung wird der Trägerkörper in Gestalt eines langen Streifens über die Anode bewegt, die dann von einer Solle oder Trommel gebildet wird. Kleine Trägerkörper von beispielsweise 5 cm Seitenlänge können itir laboratoriumsniäßige Fertigung oder für die Fertigung in geringerer Güte auf die Anode bekannter Sputtereinrichtungen gesetzt werden.Preferably in the form of a coating device, the carrier body is moved in the form of a long strip over the anode, which is then formed by a pulp or drum. Small support bodies with a side length of, for example, 5 cm can be placed on the anode of known sputtering devices for laboratory-standard production or for production in lower quality.

Die Kathode der Einrichtung besteht aus dem Werkstoff, aus welchem die abzulagernde Schicht bestehen soll oder enthält mehrere der in der Schicht enthaltenen Elemente. Weiter© Elemente können durch Einführung in die Kammer hinzugefügt werden. Bei einem für Versuchszwecke ausgeführten Beispiel bestand die Kathode aus einer Indiumoxid-Halbleiterart, Sie diente zur Ablagerung der ohmischen Leiterschicht 14. Die Kathode ist von der Anode entsprechend den physikalischen Eigenschaften der betreffenden Kammer entfernt, wobei die Geometrie der Anordnung, die verwendeten Spannungen und dergleichen zu berücksichtigen sind. Bei'dem erwähnten Beispiel wurds die, Kammer zumachst auf einen Druck nahe dem Bereich von 10 Torr evakuiert„ Dies stellt im wesentlichen ein Vakuum dar. Dann wurde hochreines Argon, GLiI0 ein Argon, das weniger als 0,01 Promill Wasser und Stickstoff enthielt, über ein Hilfs-Lüftungsventil in die Sputter-Beschichtungskanuner zugelassen, bis ein Druck von etwa 50 Millitorr erreicht war.The cathode of the device consists of the material from which the layer to be deposited is to be made or contains several of the elements contained in the layer. Next © Elements can be added by introducing them into the chamber. In an example carried out for experimental purposes, the cathode consisted of an indium oxide semiconductor type, it was used to deposit the ohmic conductor layer 14. The cathode is removed from the anode according to the physical properties of the chamber in question, the geometry of the arrangement, the voltages used and the like must be taken into account. In the example mentioned, the chamber was evacuated to a pressure close to the range of 10 Torr. This essentially represents a vacuum. Then high-purity argon, GLiI 0, became an argon that contained less than 0.01 parts per thousand of water and nitrogen , admitted into the sputter coating canal via an auxiliary vent valve until a pressure of about 50 millitorr was reached.

An einem geeigneten Punkt' wird das Hochfrequent!eld eingeschaltet und die Ionisierung des Argons führt zur Erzeugung von Elektronen bzw» Ionen, welche auf die Kathode oder die Anode treffen und Partikel des Indiumosid aus der Auftreffelektrode schlagen, wodurch ein Plasmadampi zwischen Kathode waä Anode erzeugt wird und die Partikelchen* im Sicntiang auf die Anode transportiert werden, wo sie auf dies Trägerlsörper albgelagert werden»At a suitable point the high frequency eld is switched on and the ionization of the argon leads to the generation of electrons or ions, which hit the cathode or the anode and knock particles of the indiumoside out of the impingement electrode, creating a plasma ampoule between the cathode and the anode and the particles * are transported in the Sicntiang to the anode, where they are stored on this carrier body »

Dieses Sputterwrfahress. oü&r Amispritsvsrfahrsn gsfet sit ©iner Geschwindigkeit vor siefcu die el ure Ia ca ie 3ecä ing tragen innerhalb der BeschichtungsksiMHäer Ibeeisiismt ist unü charakteristischerweiseThis sputterwrfahress. oü & r Amispritsvsrfahrsn gsfet sit © iner speed before siefcu the el ure Ia ca ie 3ecä ing wear within the coating system Ibeeisiismt is unü characteristic

- 24 -- 24 -

.3 09861/107.3 09861/107

etwas weniger als annähernd 75 Angstrom j© Sekunde beträgt. Die Bildung der Schichtstärke wird durch optische Einrichtungen überwacht, welche an sich bekannt sind, bis eine Schichtstärke von etwa 500 Angstrom erreicht ist.is slightly less than approximately 75 Angstroms per second. the Formation of the layer thickness is monitored by optical devices, which are known per se, up to a layer thickness of about 500 angstroms is reached.

Der Trägerkörper wird dann aus der Beschichtungskammer herausgenommen und während der fortschreitenden Fertigung in eine andere Kammer eingebracht oder durch die Kammer hindurciigeführt. Wird das Verfahren im Laboratorium ausgeführt oder handelt es sich um eine sehr kleine Fertigung, so kann dieselbe Kammer verwendet werden, doch ist die Kathode oder Auftreffelektrode auszuwechseln.The carrier body is then removed from the coating chamber and as the manufacturing progresses into another Chamber introduced or guided through the chamber. Will If the procedure is carried out in the laboratory or if it is a very small production, the same chamber can be used replace the cathode or the target.

Jedenfalls wird der Trägerkörper 16 mit seiner ersten Beschichtung in Form der ohmisch leitenden Schicht 14, im Falle des vorliegenden Beispiels mit seiaer Indiusioxidschicht, wieder an einer Anodenhaiterung befestigt oder über eine sich drehende Anode hinweggeführt oder dergleichen« In diesem Falle wird die Kühlung der .Anode verstärtet, so daß auf etwa 40° C heruntergekühlt wird, da bei der Ablagerung der pliotoleitenden Schicht 12 größere Energie?! wirksam and„ Als Kühlmittel können kaltes Wasser oder flüssiger Stickstoff verwendet werden»In any case, the carrier body 16 with its first coating in the form of the ohmically conductive layer 14, in the case of the present example with its indius oxide layer, is again attached to an anode holder or passed over a rotating anode or the like. In this case, the anode is cooled hardened, so that it is cooled down to about 40 ° C, since when the pliotoconductive layer 12 is deposited, greater energy ?! effective and "Cold water or liquid nitrogen can be used as a coolant"

Zur Herstellung eimer photoleitendea Schicht aus Kadmiumsulfid, welches n-leitene3 ist, wird die Kathode oder die Auftreffelektrode aus Kaämiuiisulfid oder sogar aus Kadmium allein, gebildet.For the production of a photoconductive layer made of cadmium sulfide, which is n-type3 becomes the cathode or the landing electrode formed from kaemia sulfide or even from cadmium alone.

—8
Der Druck wird zunächst auf 10 Torr abgesenkt, bevor er wieder auf 60 Millitorr angehoben wird und später Argongas und Wasserstoffsulfid zugegeben werden. Das Wasserstoffsulfid liefert die richtige Menge an Schwefel in den Plasmadampf, so daß die stöchiometriseh richtigen Anteile von Kadmium und Schwefel auf der ohmisch leitenden Schicht abgelagert werden. Es sei bemerkt, daß bei beiden Beschichtungsverfahren die rückwärtige Fläche des Trägerkörpers i6 abgedeckt ist, um eine Ablagerung während des normalen Verfahrens auf der Rückseite zu vermeiden. Im Falle einer Kadmiumsulfidkathode ist die Menge des beigegebenen Wasserstoffsulfids etwa 0,05 Promill bezogen auf das Argon. In anderen Fäl-
-8th
The pressure is first lowered to 10 torr before it is raised again to 60 millitorr and argon gas and hydrogen sulfide are added later. The hydrogen sulfide supplies the correct amount of sulfur in the plasma vapor so that the stoichiometrically correct proportions of cadmium and sulfur are deposited on the ohmically conductive layer. It should be noted that in both coating processes the rear surface of the carrier body i6 is covered in order to avoid deposition on the rear side during the normal process. In the case of a cadmium sulfide cathode, the amount of hydrogen sulfide added is about 0.05 per thousand based on the argon. In other cases

- 25 -- 25 -

30985 1/ 107930985 1/1079

len, in welchen eine Kadmiumkathode Verwendung findet s kann dieser Anteil erhöht werden,len in which a cadmium cathode is used s this proportion can be increased,

Eine geringe Kupfermenge in Form sublimierten Kupferchlorids wird in die Behändlungskammer zum Aufsputtern eingelassen, was in der Weise geschieht, daß das Kupfersalz in einem evakuierten Behälter gehalten wird, der mit der Behänd lungskammer über ein Regelventil Verbindung hat. Im vorliegenden Falle ist Kupfer das Dotierungsmittel, welches den. Kadmiumsulfid-Halbleiter n-leitend macht.A small amount of copper in the form of sublimed copper chloride is let into the handling chamber for sputtering, what happens in such a way that the copper salt is kept in an evacuated container with the Behänd treatment chamber over a Has control valve connection. In the present case, copper is the dopant, which the. Cadmium sulfide semiconductor n-type power.

Andere Verfahren der Dotierung sind die Ionenimplantation, das Eindiffxindierenlassen und dergleichen.Other methods of doping are ion implantation, that Diffusing and the like.

Die Anwendung einer hochfrequenten Hochspannung erzeugt das notwendige Plasma, um die Ablagerung des Kadmiums.iilfids auf der ohmisch leitenden Schicht zu srreichsns so daß die Photoleiterschicht 12 gebildet werden kann. Die Ablagerungsgeschwindigkeit bei einem ausgeführten Versuch betrug etiira 50 Angstrom je Sekunde. Das Kupfer wird in kleinen, geregelten Mengen zugegeben, welche ausreichen, um eine Dotierung des Kadiniumsulfids auf derThe application of a high-frequency high voltage produces the necessary plasma to the deposition of the Kadmiums.iilfids on the ohmic layer to srreichsn s so that the photoconductor layer may be formed 12th The rate of deposition in an experiment carried out was approximately 50 Angstroms per second. The copper is added in small, controlled amounts which are sufficient to cause the cadinium sulfide to be doped on the

-k-k

ohmisch leitenden Schicht in einer Stärke von 5 · iO Gewichtsprozenten zu erreichen. Das Aufsputtern wird fortgesetzt, his die Dicke der Schicht 12 3000 Angstrom erreicht. Bei dem ausgeführten Versuch hatte die Schicht eine mikrokristalline Struktur mit einem mittleren Durehmesser der Kristalle von etwa 0 oder etwa einem Drittel der Dicke der Schicht selbst.Ohmic conductive layer with a thickness of 5 · 10 percent by weight to reach. The sputtering continues until the thickness of layer 12 reaches 3000 Angstroms. In the case of the executed In the experiment, the layer had a microcrystalline structure with an average diameter of the crystals of about 0 or about one third the thickness of the layer itself.

Der auf diese Weise hergestellte elektrophotographisehe Film hat die oben bezüglich des Filmes 10 angegebenen Eigenschaften. Der im Versuch hergestellte Film hatte ein gelbliches Aussehen, welches kennzeichnend für die dünnen Schichten ist, die aufgebracht worden waren. Elektrophotographische Filme, bei welchen Sink-Indium-Sulfid Verwendung findet, benötigen keine Kupferdotierung In diesem Falle ist die Farbe des Filmes bläulich,The electrophotographic film thus prepared has the properties given above with respect to film 10. Of the The film produced in the experiment had a yellowish appearance, which is characteristic of the thin layers that were applied had been. Electrophotographic Films Including Sink Indium Sulphide Is used, do not require any copper doping In this case the color of the film is bluish,

- 26 -- 26 -

309851 /1079309851/1079

Zur Verwendung wird, der - elektrophotographische Filai mittels einer Koronaanordnung auf hohes Potential aufgeladen, wie Ina Zusammenhang mit Figur 5 erläutert wurde, wobei dieses Potential im Vergleich zum normalen Sättigungsniveau dee elektrophotographischen Filmes sehr hoch ist«, Die Belichtung erfolgt an einem sehr hoch auf der Dunkelabfallskennlinie gelegenen Punkt. Der Film wird also auf den Scheitelpunkt 48 der Kennlinie 40 aufgeladen und dann einen Bruchteil einer Sekunde später belichtet, naelndem lediglich der Abschnitt %2 der Kennlinie aufgrund des Dux&fcel-Ladungsabfalles durchlaufen ist«For use, the - electrophotographic filai by means of a Corona arrangement charged to high potential, as in Ina context with Figure 5, this potential being compared to the normal saturation level of electrophotographic Film is very high «, the exposure is on a very high point located on the dark decay curve. So the movie will charged to the apex 48 of the characteristic curve 40 and then exposed a fraction of a second later, just naelndem the section% 2 of the characteristic curve due to the Dux & fcel charge drop has gone through "

Die richtige Zeitvorgabe geschieht unter Steuerung eines Belichtungsmessers, so daß sich die Ladung auf einen Optimalwert für die jeweiligen Lichtbedingungen aufbaut, ranter welchem der elektrophotographische Film "belichtet xfird o Dies gescfeielit automatisch. The correct time is set under the control of an exposure meter, so that the charge builds up to an optimum value for the respective lighting conditions, depending on which the electrophotographic film is "exposed" or this is done automatically.

Es ist bemerkenswert j daß die bevorzugt© Art übt Verwendung des elektro-photographischen Filmes 10 disjeiaigs ist, bei welcher der t Film im wesentlichen einen Ladungsstoß erhält„ Bei feerlcömmlichen xerögraphisehen Verfahren" wird ö©r Aiiissiciiiniiigstrager oder die Platte Bis zur Sättigung aufgeladen;, üoha bis &nf eim©n Punkte in welchem die vom Träger albgeleitete Ladung annäSaeracS gleich dem Ladungsaufbau ist. Dies ist bezüglich der Kurve 3® etwa in der Höhe 35 der Fall. Bei der Verwe&dnnig des ele&trepiiotographisehen Filmes 10 wird dies.©r sehr rasch weit titoer das Sättigungsniveau aufgeladen und dann belichtet, ist die Spannung rasch zu erniedrigen.It is noteworthy j that the preferred © kind is exercises using the electro-photographic film 10 disjeiaigs, wherein the t film is substantially a charge shock receives "In feerlcömmlichen xerögraphisehen method" ö © r Aiiissiciiiniiigstrager or plate is charged to saturation ;, ü o h a to & nf eim © n points in which the charge conducted by the carrier is approximately equal to the charge build-up. This is the case with respect to curve 3® at approximately the height 35. When the ele & trepiiotographic film 10 is used, this becomes If the saturation level is charged very quickly and then exposed, the voltage must be lowered quickly.

Nachdem der elektrophotograpliiscfcis Fila beliciitet x-j©2°!ä©a ist, wird der Oberfläche der photoleitemdea Sohich-t seSar rassii umd gleichförmig Toner zugeführto Bsr Toner wird vorauagsx?sise in Gegenwart einer Vorspannung aufgebracht., welche im MMuiitmlh&rer Nähe der .Filmoberf lach© wirksam ist unu ßi® ToimerpairMEsslGfiiea in Richtung auf die Oberfläche beschleunigt, wodurch si®Sa ein© gleichförmigere Verteilung der Partikel ergibt „ BisAfter the elektrophotograpliiscfcis Fila beliciitet xj © 2 °! Ä © a, the surface of the photoleitemdea Sohich-t sesar rassii umd uniform toner supplied o Bsr toner is vorauagsx? Sise applied in the presence of a bias voltage. Which rer in MMuiitmlh & vicinity of .Filmoberf lach © effective is unu ßi® ToimerpairMEsslGfiiea accelerated towards the surface, which si®Sa © results in a more uniform distribution of the particles “Bis

- 27 -- 27 -

31 ■ 9851/107931 ■ 9851/1079

feinen Köhlenstof!^Tonerpartikel können zur Herstellung von schwarz-weiß Filmbildern verwendet werden. Auch lassen sich farbige oder gefärbte Harze verwenden.Fine carbon! ^ Toner particles can be used to produce black and white film images can be used. They can also be colored or use colored resins.

Schließlich wird überschüssiger Toner sogleich von der Oberfläche abgewischt und der verbleibende Toner wird an der Filmoberfläche durch eine gleichförmige Infrarotbestrahlung oder dergleichen festgeschmolzen, so daß der gesamte Vorgang vollendet ist, bevor die Oberflächenspannung des elektrophotographischen Films auf den niedrigsten Wert oder den Hintergrundwert abgefallen ist. Diese Zeit liegt in der Größenordnung eines kleinen Bruchteils einer Sekunde und beträgt vorzugsweise etwa IO Millisekunden. Der Toner haftet danach dauerhaft an der Oberfläche 28, wie in Figur 4 bei 26 angedeutet ist.Eventually, excess toner is immediately wiped off the surface and the remaining toner adheres to the film surface by uniform infrared irradiation or the like melted solidly so that the entire process is completed before the surface tension of the electrophotographic film the lowest value or the background value has fallen. This time is on the order of a small fraction one second and is preferably about 10 milliseconds. The toner is then permanently adhered to the surface 28, as in FIG Figure 4 is indicated at 26.

Bei der Verwendung des elektrophotographisehen Films 10 ist, nachdem der Toner aufgebracht worden ist und bevor die Fixierung durch Einschmelzen erfolgt, die Tonerverteilung bereits festgelegt. Der nachfolgende Ladungsabfall beeinflußt daher nicht wesentlich das nun sichtbar gemachte Bild, das durch die Lage der Tonerpartikel wiedergegeben ist. Für das Festschmelzen des Toners unmittelbar nach dem Verteilen und Entfernen des Überschusses ist keine mit hoher Geschwindigkeit arbeitende Einrichtung erforderlich. Vielmehr kann das Fixieren innerhalb einer vernünftig langen Zeitdauer erfolgen. Es wird jedoch noch ein weiterer Vorteil erzielt, der insbesondere im Falle der Verwendung des elektrophotographischen Films bei Versuchsarbeiten wertvoll ist. Vor dem Einschmelzen des Toners kann die Bedienungsperson nämlich den Film bzw. die Tonerverteilung genau untersuchen, um festzustellen, ob die gewünschte Bildqualität erreicht wurde. Ist das Bild nicht zufriedenstellend, so kann er die Belichtungsbedingungen, die Belichtungszeit, die Einstellung der Optik usw. verändern, um schließlich ein besseres Bild zu erhalten. Das während des vorausgegangenen Belichtungsvorganges erzeugte Tonerbild braucht lediglich von dem Film abgewischt zu werden, was inIn using the electrophotographic film 10, it is after the toner has been applied and before the fixing by melting down, the toner distribution is already determined. The subsequent drop in charge therefore does not have any significant effect the image now made visible, which is represented by the position of the toner particles. For fusing the toner immediately after spreading and removing the excess is not a high speed facility necessary. Rather, the fixing can be done within a reasonable amount of time take place over a long period of time. However, another advantage is achieved, particularly in the case of use of the electrophotographic film is valuable in experimental work. Before the toner is melted down, the operator can namely examine the film or the toner distribution carefully to determine whether the desired image quality has been achieved. If the image is not satisfactory, he can adjust the exposure conditions, the exposure time, the setting of the optics, etc. change to finally get a better picture. The toner image generated during the previous exposure process only needs to be wiped off the film, which is in

- 28 -- 28 -

0 9851/10790 9851/1079

einfacher Weise mittels eines Lappens oder Tuches geschehen kann, so daß eine saubere Oberfläche zurückbleibt. Es tritt also kein Verlust an elektrophotographischem Film auf und es sind keine Zeitverluste zur Erzielung der gewünschten Ergebnisse in Kauf zu nehmen.can be done easily by means of a rag or cloth, so that a clean surface remains. So there is no Loss of electrophotographic film and there is no loss of time to achieve the desired results to take.

Der resultierende Gegenstand ist ein transparentes Filmbild, welches projiziert oder zur Herstellung von Abzügen verwendet werden kann. Das Bild zeichnet sich durch einen hohen Grad von Auflösung aus, wodurch der Film und das vorgeschlagene Verwendungsverfahren besonders vorteilhaft zur Herstellung von Mikrofilmbildern sind. Das erzeugte Bild ist hervorragend kontrastreich und besitzt einen sehr reinen Hintergrund. Bei einer Projizierung in stark vergrößertem Maßstab zur Betrachtung oder zu Kopierzwecken ist das resultierende vergrößerte Bild in den Details immer noch sehr gut und ist in den weißen oder hellen Bereichen verhältnismäßig frei von Fehlern.The resulting object is a transparent film image, which projected or used to make prints. The picture is characterized by a high degree of resolution from what the film and the proposed method of use are particularly advantageous for the production of microfilm images. The image produced is extremely rich in contrast and has a very pure background. When projecting at a greatly enlarged Scale for viewing or for copying purposes, the resulting enlarged image is still very much in the details good and is relatively free of defects in the white or light areas.

Die oben erwähnten Verbindungen, welche auch Kadmiumsulfid und Zink-Indium-Sulfid umfassen, besitzen Eigenschaften, die von Verbindung zu Verbindung unterschiedlich sind. Die Forderungen bezüglich der spektralen Ansprechempfindlichkeit, des spezifischen Dunkel— und Hellwiderstandes, der Dunkel- und Hellabfallskennli— nie, des Verstärkungsfaktors, der leichten Aufbringbarkeit auf einen Träger durch Sputtern usw.. müssen berücksichtigt werden und erfordern möglicherweise eine experimentelle Bestimmung für die jeweiligen Umstände, unter welchen die betreffende Verbindung verwendet werden soll. Im allgemeinen ist festzustellen, daß sämtliche Verbindungen, welche al»s Photoleiter bekannt sind, wenn auch in unterschiedlichem Maße, brauchbar sind.The above-mentioned compounds, which also include cadmium sulfide and zinc-indium sulfide, have properties similar to those of compound to connection are different. The requirements regarding the spectral response sensitivity, the specific Dark and light resistance, the dark and light decay characteristic, the gain factor, the ease of application a carrier by sputtering etc .. must be considered and may require an experimental determination for the circumstances under which the connection in question is to be used. In general, it should be noted that all connections known as photoconductors, if also to varying degrees, are useful.

- 29 -- 29 -

3 0 9 8 5 1/10 7 93 0 9 8 5 1/10 7 9

Claims (19)

PatentansprücheClaims 1. Verfahren air Herstellung eines elektrophotographischen Films, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:1. Method of making an electrophotographic film, characterized by the following process steps: a) Ablagen einer dünnen Filmschicht eines ohmisch leitenden Werkstoffs auf einem dünnen, flexiblen, organischen, trans parenten Träger unter inniger Verbindung mit diesem und in einer Stärke, in welcher die Filmschicht im wesentlichen transparent und flexibel ist unda) Deposition of a thin film layer of an ohmically conductive material on a thin, flexible, organic, trans parent carrier in intimate association with this and in a thickness in which the film layer is substantially is transparent and flexible and b) Aufsputtern eines dünnen Filmbelages eines vollständig anorganischen Photoleiterwerkstoffes auf die Filmschicht aus ohmisch leitendem Werkstoff unter inniger Verbindung mit dieser Filmschicht und in einer Stärke, welche zu einem Photoleiter-Verstärkungsfaktor größer Eins führt und Trans parenz sowie Flexibilität des Filmbelages ergibt,b) sputtering on a thin film coating of a completely inorganic one Photoconductor material on the film layer Ohmically conductive material in close connection with this film layer and in a thickness which leads to a photoconductor gain factor greater than one and Trans parence and flexibility of the film covering results, wobei der Film in seiner Gesamtstärke eine Lichtabsorbtion nicht über 30% und nicht unter etwa 15% aufweist.the overall thickness of the film does not absorb light above 30% and not below about 15%. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß des Aufsputtern in Anwesenheit eines Hochfrequenzfeldes geschieht.2. The method according to claim 1, characterized in that the Sputtering takes place in the presence of a high-frequency field. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß während des Aufsputterns eine Dotierung des Photoleitermaterials durch Einführen eines Dotierungsmittels in das Hochfrequenzfeld erfolgt.3. The method according to claim 2, characterized in that a doping of the photoconductor material by during the sputtering Introducing a dopant into the high frequency field takes place. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufsputtern zum Aufbau der erforderlichen Dicke des Photoleiterwerkstoffs,allmählich erfolgt und daß das Aufsputtern so lange fortgesetzt wird, bis sich eine Dicke des Photoleiterwerkstoffs angesetzt hat, welche eine optimale Kombination von4. The method according to any one of claims i to 3, characterized in that that sputtering to build up the required thickness of the photoconductor material, takes place gradually and that the sputtering is continued until a thickness of the photoconductor material has set which is an optimal combination of - 30 -- 30 - 309851/1079309851/1079 Photoleiter—Verstärkungsfaktor, Transparenz, Flexibilität und Abriebfestigkeit ergibt,Photoconductor — gain, transparency, flexibility, and abrasion resistance results, 5. Elektrophotographischer Aufzeichnungsträger, welcher insbesondere entsprechend einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4 hergestellt ist, gekennzeichnet durch einen Trägerkörper (l6) auf welchen dünne Filmschichten aufbringbar sind, ferner durch einen aufgesputteirten dünnen Filmbelag (12) aus Photoleiterwerkstoff, welcher vollständig anorganisch ist und sich auf dem Trägerkörper befindet sowie durch eine dünne Filmschicht (l*t) welche sich zwischen dem Trägerkörper und dem dünnen Filmbelag aus Photoleiterwerkstoff befindet und eine selektive Ableitung von Ladungen aus dem Photoleiterwerkstoff bei selektiver Belichtung desselben durch eine Strahlung erleichtert.5. Electrophotographic recording medium, which in particular is manufactured according to a method according to one of claims 1 to 4, characterized by a carrier body (l6) on which thin film layers can be applied, furthermore by a sputtered thin film covering (12) made of photoconductor material, which is completely inorganic and is located on the carrier body and through a thin film layer (l * t) which is between the carrier body and the thin film covering made of photoconductor material and a selective derivation of charges from the photoconductor material in the case of selective Exposure of the same facilitated by radiation. 6. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper (16) ein flexibles, transparentes, organisches, aus einem Polymer bestehendes Folienmaterial oder Blattmaterial ist, daß der dünne Filmbelag (12) aus Photoleiterwerkstoff ein Halbleiter mit einer Lichtdurchlässigkeit über 70%. ist und daß der dünne Filmbelag (14) aus einem ohmisch leitenden Material hergestellt ist.6. Recording medium according to claim 5, characterized in that that the carrier body (16) is a flexible, transparent, organic film material or sheet material consisting of a polymer is that the thin film covering (12) made of photoconductor material is a semiconductor with a light transmittance of over 70%. is and that the thin film covering (14) is made of an ohmically conductive material. 7. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß der dünne Filmbelag (12) aus Photoleiterwerkstoff7. Recording medium according to claim 5 or 6, characterized in that that the thin film covering (12) made of photoconductor material 12 O einen spezifischen Dunkelwiderstand von mindestens 10 -A^ cm hat und daß sein Verhältnis zwischen spezifischem Dunkelwiderstand und spezifischem Hellwiderstand mindestens etwa 10 beträgt.12 O a specific dark resistance of at least 10 -A ^ cm has and that its relationship between specific dark resistance and specific light resistance is at least about 10. 8. Aufzeichnungsträger nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der dünne Filmbelag (12) aus Photoleiterwerkstoff und die dünne Filmschicht (lk) aus ohmisch leitendem Werkstoff weniger als etwa 5000 Angstrom dick sind, flexibel sind und zusammen mit dem Trägerkörper (l6) im wesentlichen solche Transparenz besitzen, daß weniger als30%, jedoch nicht unter 15%8. Recording medium according to one of claims 5 to 7, characterized in that the thin film covering (12) made of photoconductor material and the thin film layer (lk) made of ohmically conductive material are less than about 5000 angstroms thick, are flexible and together with the carrier body ( l6) essentially have such transparency that less than 30%, but not less than 15% - 31 -- 31 - 0 9 8 5 1/10 70 9 8 5 1/10 7 des einfallenden Lichtes absorbiert werden.of the incident light are absorbed. 9. Aufzeichnungsträger nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiter η-leitend ist.9. Recording medium according to one of claims 6 to 9, characterized characterized in that the semiconductor is η-conductive. 10. Aufzeichnungsträger nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der dünne Filmbelag (12) aus Photoleiterwerkstoff hauptsächlich aus Kadmiumsulfid besteht.10. Record carrier according to one of claims 5 to 9, characterized characterized in that the thin film covering (12) of photoconductor material consists mainly of cadmium sulfide. 11. Aufzeichnungsträger nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der dünne Filmbelag (12) aus Photoleiterwerkstoff hauptsächlich aus Zink-Indium-Sulfid besteht.11. Record carrier according to one of claims 5 to 9, characterized characterized in that the thin film coating (12) made of photoconductor material consists mainly of zinc indium sulfide. 12. Aufzeichnungsträger nach einem der Ansprüche 5 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der dünne Filmbelag (12) aus Photoleiterwerkstoff mit Kupfer dotiert ist.12. Record carrier according to one of claims 5 to 11, characterized characterized in that the thin film coating (12) made of photoconductor material is doped with copper. 13» Aufzeichnungsträger nach einem der Ansprüche 5 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß der dünne Filmbelag (12) aus Photoleiterwerkstoff etwa 3000 Angstrom dick ist und daß die dünne Filmschicht (14) aus ohmisch leitendem Werkstoff weniger als 1000 Angstrom dick ist.13 »Recording medium according to one of Claims 5 to 12, characterized characterized in that the thin film covering (12) made of photoconductor material about 3000 angstroms thick and that the thin film layer (14) of ohmically conductive material is less than 1000 Angstrom is thick. Ik. Aufzeichnungsträger nach einem der Ansprüche 5 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne Filmschicht (14) aus ohmisch leitendem Werkstoff im wesentlichen aus Indiumoxid besteht. Ik. Recording medium according to one of Claims 5 to 13, characterized in that the thin film layer (14) made of an ohmically conductive material consists essentially of indium oxide. 15. Aufzeichnungsträger nach einem der Ansprüche 5 bis ik, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der dünnen Filmschicht (14) aus ohmisch leitendem Werkstoff und dem dünnen Filmbelag (12) aus Photoleiterwerkstoff einerseits und dem Trägerkörper (16) andererseits eine dünne metallische Film-Zwischenschicht (15) angeordnet ist.15. Recording medium according to one of claims 5 to ik, characterized in that between the thin film layer (14) made of ohmically conductive material and the thin film covering (12) made of photoconductor material on the one hand and the carrier body (16) on the other hand, a thin metallic film intermediate layer ( 15) is arranged. 16. Aufzeichnungsträger nach einem der Ansprüche 5 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß mit der dünnen Filmschicht (14) aus16. Record carrier according to one of claims 5 to 15, characterized characterized in that comprising the thin film layer (14) - 32 -- 32 - 309851/1079309851/1079 ohmisch leitendem Werkstoff Leiterelemente (22, 24) Verbindung haben, welche den Anschluß zu äußeren Schaltungen bzw. Einrichtungen herstellen.Ohmic conductive material conductor elements (22, 24) connection have, which establish the connection to external circuits or devices. 17. Aufzeichnungsträger nach einem der Ansprüche 5 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß der dünne Filmbelag (12) aus Photoleiterwerkstoff einen Photoleiter-Verstärkungsfaktor aufweist, der wesentlich größer als Eins ist.17. Record carrier according to one of claims 5 to 16, characterized characterized in that the thin film coating (12) of photoconductor material has a photoconductor gain factor which is much greater than one. 18. Verfahren zur Erzeugung eines Filmbildes unter Verwendung eines elektrophotographischen Films, welcher einen flexiblen, filmartigen, transparenten Trägerkörper, eine flexible, transparente, dünne, ohmisch leitende Filmschicht, die mit dem Trägerkörper verbunden ist sowie einen flexiblen, transparenten, anorganischen, dünnen Filmbelag aus Photoleiterwerkstoff aufweist, der mit der ohmisch leitenden Schicht verbunden ist, wobei die Gesamtdicke der ohmisch leitenden Filmschicht und des Filmbela— ges aus Photoleiterwerkstoff weniger als etwa 5000 Angstrom beträgt, insbesondere unter Verwendung eines Aufzeichnungsträgers nach einem der Ansprüche 5 bis ±7, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:18. A method for forming a film image using an electrophotographic film comprising a flexible, film-like, transparent carrier body, a flexible, transparent, thin, ohmically conductive film layer, which is connected to the carrier body and a flexible, transparent, inorganic, has thin film coating made of photoconductor material, which is connected to the ohmically conductive layer, wherein the The total thickness of the ohmically conductive film layer and the film covering made of photoconductor material is less than about 5000 Angstroms, in particular using a recording medium according to one of claims 5 to ± 7, characterized by the following process steps: a) Aufladung der Oberfläche der Filmschicht aus Photoleiterwerkstoff durch Korona auf ein Potential, das wesentlich über dem Sättigungsniveau des Photoleiterbelages liegt,a) Charging of the surface of the film layer made of photoconductor material through corona to a potential that is significantly above the saturation level of the photoconductor coating, b) Belichten der Oberfläche des Filmbelages aus Photoleiterwerkstoff mit einer bestimmten Strahlungsverteilung nach Aufladung der Oberfläche, jedoch bevor ein wesentlicher Ladungsabfall stattgefunden hat undb) Exposing the surface of the film covering made of photoconductor material with a certain radiation distribution after the surface has been charged, but before a substantial one Cargo has been dropped and c) Zuführen von Toner zu der Oberfläche des Filmbelages aus Photoleiterwerkstoff so rasch wie möglich nach der Belichtung, um eine Tonerverteilung entsprechend der Strahlungsverteilung zu erhalten.c) supplying toner to the surface of the film coating made of photoconductor material as soon as possible after exposure, to obtain a toner distribution corresponding to the radiation distribution. - 33 -- 33 - 30985 1/107 930985 1/107 9 19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der Toner nach Zuführung festgeschmolzen oder festgebrannt wird.19. The method according to claim 18, characterized in that the toner is fused or burned solid after supply. 30 985 1/107930 985 1/1079 LeerseiteBlank page
DE2328492A 1972-06-08 1973-06-05 Electrophotographic recording material Withdrawn DE2328492B2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US26084872A 1972-06-08 1972-06-08
US32313273A 1973-01-12 1973-01-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2328492A1 true DE2328492A1 (en) 1973-12-20
DE2328492B2 DE2328492B2 (en) 1981-04-16

Family

ID=26948214

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2328492A Withdrawn DE2328492B2 (en) 1972-06-08 1973-06-05 Electrophotographic recording material

Country Status (16)

Country Link
JP (1) JPS609261B2 (en)
AR (1) AR195007A1 (en)
AU (1) AU476312B2 (en)
CA (1) CA998550A (en)
DD (1) DD105518A5 (en)
DE (1) DE2328492B2 (en)
ES (2) ES415572A1 (en)
FR (1) FR2188200B1 (en)
GB (1) GB1441455A (en)
HU (1) HU174427B (en)
IE (1) IE37737B1 (en)
IL (1) IL42446A (en)
IT (1) IT985309B (en)
LU (1) LU67745A1 (en)
NL (1) NL177857C (en)
SE (1) SE391590B (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2521518A1 (en) * 1974-06-10 1975-12-18 Xerox Corp METHOD FOR MANUFACTURING FLEXIBLE PHOTORECEPTORS
DE2722818A1 (en) * 1977-05-20 1978-11-23 Coulter Information Systems Photoconducting slice for electrophotography - is deposit on substrate which can be charged to retain latent image for development
DE2937098A1 (en) * 1979-09-13 1981-04-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München High quality photosensitive plate for photocopier - has coated conducting sub-layer to eliminate surface spots

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1505101A (en) * 1974-08-19 1978-03-22 Xerox Corp Preparation of a xerographic photoreceptor
DK644874A (en) * 1974-12-11 1976-06-12 Coulter Information Systems METHOD AND APPARATUS FOR CREATING IMAGES ON AN ELECTROPHOTOGRAPHIC FILM
SE430546B (en) * 1975-11-17 1983-11-21 Coulter Systems Corp SET FOR MANUFACTURING A DIRECT IMAGE BEARING PUBLIC PRINTING PLATE TO BE USED IN OFFSET OR LIKING LITOGRAPHIC PRINTING
US4258113A (en) * 1977-12-27 1981-03-24 Coulter Systems Corporation Endless belt or cylinder for use with electrostatic imaging and method of making the same
US4255508A (en) * 1977-12-27 1981-03-10 Coulter Systems Corporation Flexible metal printing cylinder having a coating of crystalline photoconductive material
JPH0619577B2 (en) * 1983-08-03 1994-03-16 東レ株式会社 Conductive sheet and electrostatic recording body using the same
JPH036856U (en) * 1989-06-07 1991-01-23

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1273325B (en) * 1955-09-30 1968-07-18 Minnesota Mining & Mfg Electrophotographic recording material
NL7116657A (en) * 1970-12-04 1972-06-06

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1273325B (en) * 1955-09-30 1968-07-18 Minnesota Mining & Mfg Electrophotographic recording material
NL7116657A (en) * 1970-12-04 1972-06-06
DE2159387A1 (en) * 1970-12-04 1972-06-08 Rca Corp Electrophotographic recording medium

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2521518A1 (en) * 1974-06-10 1975-12-18 Xerox Corp METHOD FOR MANUFACTURING FLEXIBLE PHOTORECEPTORS
DE2722818A1 (en) * 1977-05-20 1978-11-23 Coulter Information Systems Photoconducting slice for electrophotography - is deposit on substrate which can be charged to retain latent image for development
DE2937098A1 (en) * 1979-09-13 1981-04-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München High quality photosensitive plate for photocopier - has coated conducting sub-layer to eliminate surface spots

Also Published As

Publication number Publication date
FR2188200A1 (en) 1974-01-18
FR2188200B1 (en) 1977-12-30
IL42446A0 (en) 1973-08-29
HU174427B (en) 1980-01-28
GB1441455A (en) 1976-06-30
DE2328492B2 (en) 1981-04-16
AU5656573A (en) 1974-12-12
ES415572A1 (en) 1976-06-01
AR195007A1 (en) 1973-08-30
IL42446A (en) 1977-01-31
LU67745A1 (en) 1975-03-06
NL177857B (en) 1985-07-01
NL177857C (en) 1985-12-02
DD105518A5 (en) 1974-04-20
JPS4963440A (en) 1974-06-19
IT985309B (en) 1974-11-30
JPS609261B2 (en) 1985-03-08
IE37737B1 (en) 1977-09-28
AU476312B2 (en) 1976-09-16
SE391590B (en) 1977-02-21
CA998550A (en) 1976-10-19
NL7307778A (en) 1973-12-11
IE37737L (en) 1973-12-08
ES441862A1 (en) 1977-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1497219C3 (en) Method and recording material for electrophoretic imaging
DE1497164B2 (en) Process for producing a charge image on an insulating surface
DE1797549B2 (en) METHOD FOR CREATING A CHARGE IMAGE ON AN INSULATING SURFACE USING AN ELECTROPHOTOGRAPHIC RECORDING MATERIAL AND ELECTROPHOTOGRAPHIC DEVICE FOR PERFORMING THE METHOD
DE2328492A1 (en) METHOD FOR PRODUCING AN ELECTROPHOTOGRAPHIC FILM OR ELECTROPHOTOGRAPHIC FILM
DE2055269C3 (en) Electrophotographic recording material
DE2027323A1 (en) Electrophotographic plate and imaging method using it
DE2110553A1 (en) Electrophotographic imaging process and device for carrying out the process
DE1261398B (en) Electrophotographic recording material
DE2360909C3 (en) Process for the production of an electrophotographic recording material
DE1597905A1 (en) Device for electrophotography
DE2849573C2 (en)
DE2242508C3 (en) Electrophotographic process for making images
DE2912123C2 (en) Electrophotographic recording material and process for the electrophotographic production of an electrostatic charge image
DE2507079C2 (en) Electrophotographic recording material and process for its preparation - US Pat
DE2028641C3 (en) Process for generating a charge image and recording material for carrying out the process
DE2652252C2 (en) Electrophotographic process for the production of a flexible planographic printing form
DE2722818C2 (en) Electrophotographic recording material and method for producing an electrophotographic recording material
DE1810079C3 (en) Process for the production of an electrographic recording material
DE1772122B2 (en) METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTROPHOTOGRAPHIC RECORDING MATERIAL WITH A GLASS BINDER
DE1764864C3 (en) Process for producing a photosensitive powder from CdS crystals
DE2061655A1 (en) Xerographic panchromatic recording material - with intermediate amorp coat between crystalline and vitreous amorphous coats
DE3337814C2 (en) Electrophotographic recording material and method for making the same
DE1497169C3 (en) Process for producing a charge image on an insulating surface
DE1522655C (en) Electrophotographic recording material
DE2126549C3 (en) Electrophotographic recording material

Legal Events

Date Code Title Description
OGA New person/name/address of the applicant
8263 Opposition against grant of a patent
8230 Patent withdrawn