DE2310616C3 - Empfangsantenne für mehrere Frequenzbereiche - Google Patents

Description

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Die Erfindung bezieht sich auf eine Antenne in Form eines Dipols oder Unipols für den Empfang des amplitudenmodulierten Rundfunks in einem unteren Frequenzbereich sowie des frequenzmodulierten Rundfunks in einem oberen Frequenzbereich, wobei die Länge des Dipols oder Monopols so gewählt ist, daß sie im unteren Frequenzbereich sehr kun. gegen die Wellenlänge ist. Ferner ist an die Ausgangsklemmen des Dipols oder Monopols eine Frequenzweiche angeschlossen, an deren einen Ausgang der Übertragungsweg für den unteren Frequenzbereich und an deren anderen Ausgang der Übertragungsweg für den oberen Frequenzbereich angeschlossen ist. Hierbei enthält ferner die Frequenzweiche für den unteren Frequenzbereich eine Tiefpaßschaltung, deren Eingang an den Dipol oder Monopol angeschlossen ist und deren Ausgang an die Steuerstrecke eines Feldeffekttransistors oder eines ähnlich wirkenden elektronischen Vcrstärkerelements mit hochohmig kapazitivem Eingang als Eingangstransistor des Übertragungsweges für den unteren Frequenzbereich angeschlossen ist. Ferner ist die Längsinduktivität der Tiefpaßschaltung ganz oder teilweise die Primärspulc eines Übertragers, an dessen Sekundärspule der Übertragungsweg des oberen Frequenzhereichs angeschlossen ist.

Die Fig. 1 beschreibt in einem einfachen Beispiel die Anordnung, soweit sie beim Betrieb des unteren Frequenzbereichs wirksam ist. Der kurze Dipol oder Monopol ist schematisch als Quelie 7 mit den Ausgangsklemmen 3 und 4 dargestellt. An diese Klemmen angeschlossen ist der Tiefpaß, der im unteren Frequenzbereich durch seine Längsinduktivität Ll und die Querkapazitäten C₁ und C₂ wirkt. Am Ausgang des Tiefpasses liegt das elektronische Verstärkerelement 9, dargestellt als Feldeffekttransistor, als Eingangstransistor des Übertragungsweges S des unteren Frequenzbereichs. In Fig. 2 findet man den Übertrager, dessen Primärspule (L₁) als Längsinduktivität des Tiefpasses vor dem Eingang des Übertragungsweges 5 des unteren Frequenzbereichs liegt und an dessen Sekundärspule (L₂) der Übertragungsweg 6 des oberen Frequenzhereichs .ingeschlossen ist.

Es gibt verschiedene Möglichkeiten zur Gestaltung der Frequenzweiche, wobei die zahlreichen bekannten Frequen/weichen hier insofern nicht anwendbar sind, als sie fur Quellen mil reellem Innenwiderstand und reelle Verbraucherimpedanzen geschaffen sind.

In der deutschen OS I °1^U744 ist in den Fig. 1 und 2 eine Autoantenne in Form eines Monopols für den Empfang der beiden Rundfunkbcreiche beschrieben, wobei die im unteren Frequenzbereich wirksame elektrische Lange des Monopols sicher kurz gegen die Wellenlänge ist. Für den unteren Frequenzbereich sind der Punkt 14 der Fig. 1 dereine Anschlußpunkt des Monopols und die leitende Karosserie des Autos der zweite Anschlußpunkt. Der Punkt 14 ist mit dem Punkt 15 von Fig 2 verbunden, 16 ist die kleine Längsinduktivitat des Tiefpasses und 4 der Eingangstransistor des Übertragungsweges des unteren Frequenzbereichs. Die Querkapazitäten C₁ und C, der Tiefpaßschaltung sind in diesen Figuren nicht gesondert gezeichnet, sondern sind die unvermeidbaren Schaltungskapazitäten einschließlich der Kapazität der Schutzdiode 18. In der OS ist die Ankopplung des zweiten Ubertragungsweges dadurch erfolgt, daß die Antenne eine kompliziertere Form besitzt und mit Hilfe der zwischen den Leitern 2 und 7 bestehenden Kapazität in zwei Teile derart geteilt ist, daß am Punkt 10 das Signal des oberen Frequenzbereichs entnommen werden kann, ohne daß an diesem Punkt merkliche Anteile eines Signals des unteren Frequenzbereichs bemerkhar sind. Die Frequenzweiche ist dort also Bestandteil der Antenne im allgemeinsten Sinn.

In der deutschen OS 2 115657 ist eine Anordnung fur den breitbandigen Empfang im unteren Frequenzbereich beschrieben, wobei der Eingangstransistor Γ für den unteren Frequenzbereich so gewählt ist, daC er eine hochohmig kapazitive Eingangsimpedanz be sitzt. 7. B. ein Feldeffekttransistor ist. In den Fig. ' und 8 dieser OS erzeugt die Spule /., ein Tiefpaßver halten. Die Auftrennung in zwei Übertragungsweg^ für die verschiedenen Frequenzbereiche erfolgt ii ■ ■ig. 11 am Ausgang des Transistors T₁.

In tier US-PS 3465344 ist in Fig. I eine Anord iiung beschrieben, bei der ein Empfänger 7 an seiner Eingang eine abstimmbare Resonanzschaltung besitz und iibei die Primärspule eines Übertragers an ein Antenne 5 angeschlossen ist und an die Sekundär spule des Übertragers 13 der Empfänger 9 angc schlossen ist.

Die DT-AS I 275 701 zeigt in ihrer Fig. 7 die Sc

rieiisehaltung eines Verbrauchers W₁' und von Primärspulcn von Übertragern, aus deren Sekundarsoitcn jeweils über Bandfilter BP-η Signale anderer Frequenzhereiehe entnommen werden. Die Ausgangssignale aller Handl'ilter werden dem gleichen Verbraucher R₁ zugeführt. Ebenso findet man in der Zeitschrift Nachrichtentechnik X. Heft 1, 1958, in Bild 4 eine Videoschaltung, bei der durch ein Kilter aus /- und C das Ciesanitsignal in zwei Teilsignale /erlegt wird, ein Teilsignal für ein uiitc es Frequenzband, und diese Teilsignale durch getrennte Übertrager übertragen und am Ausgang der Übertrager wieder /u einem Gesamtsignal kombiniert werden.

Die beiden letztgenannten Vorverollenllichungen gehen aus von einer Uuelle mit einem nahezu frequen/unabhängigen, reellen I η nc η widerstand und Verbrauchern gleicher Art. wie es in der Fernmeldetechnik üblich ist. Sie geben keine Hinweise für den Fall, daß die Ouclle eine frequenzabhängige Impedanz wie ein Dipol hat und zumindest im unteren Frequenzbereich einen frequenzabhängigen kapazitiven Verbraucher in Form eines Transistors. Im vorliegenden Anwendungsfall gibt es nur dann einen weitgehend frequenzunabhängigen Empfang im unteren Frequenzbereich, wenn die Gesamtanordnung wie ein kapazitiver Spannungsteiler nach der bereits genannten C)S 21I5ivS7. dort Fig. I und Gl. (1) wirkt. In dieser Gleichung ist C _h die Summe aller Kapazitäten, die an den Dipol bzw. Monopol angeschlossen sind, z. B. in Fig. 1 der Beschreibung die Eingangskapazitat des Feldeffekttransistors und die Kapazitäten des Tiefpasses. Wenn man im vorliegenden Fall nach Fig. 2 den Übertragungsweg 6 des oberen Frequenzbereichs zuschaltet, so verursacht dieser wie in Fig. 3 beim Betrieb im unteren Frequenzbereich eine zusätzliche Impedanz 6a parallel zum Übertragungsweg 5 des unleren Frequenzbereichs, d.h. parallel zu C_f . Dadurch verkleinert sich die Signalspannung des Übertragungsweges 5, und zwar um so mehr, je kleiner die Impedanz 6« ist. Bei Anordnungen wie in der OS 1919749, bei denen die Antenne durch eine Kapazität in zwei Teile geteilt wird, bestimmt diese Unterbrechungskapazität die Impedanz 6fl, die dann etwa gleich der Unterbrechungskapazität ist. Bei der Anordnung nach unserer Fig. 2 besteht die Impedanz 6a teils aus Impedanzbestandteilen, die der übertrager von seiner Sekundärseite in seine Primärseite überträgt, teils aus der unvermeidbaren Kapazität, die in jedem Übertrager zwischen s.einer Primärwicklung und seiner Sekundärwicklung besteht.

Aufgabe der Erfindung ist es, den Übertragungsweg des oberen Frequenzbereichs in der Frequenz weiche so an den Übertragungsweg des unteren Frequenzbereichs anzuschließen, daß dabei die zusätzliche Impedanz 6a, die die Empfangsspannung des Übertragungswegs des unteren Frequenzbereichs vermindert, möglichst hochohmig wird und gleichzeitig für die Übertragung des oberen Frequenzbereichs eine günstige Form erreicht wird.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der übertrager des oberen Frequenzbereichs lose gekoppelt ist und eine primäre und/oder sekundäre Resonanz im oberen Frequenzbereich besitzt. Hierbei ist unter Resonanz zu verstehen, daß bei gegebener Feldstärke der empfangenen Welle in Ab hängigkeit von der Frequenz die Signalamplitude im Übertragungsweg des oberen Frequenzbereichs ein Maximum bei der Resonanzfrequenz erreicht. Hierbei ergibt im Fall der primären Resonanz die Priniärspule des Übertragers zusammen mit der Kapazität des Dipols oder Monopols, den Bestandteilen der Tiel'paßschaltung und der Hingangskapazität des Eingangsverstärkerelements 9 des unteren Frequenzbereichs die Resonanz. Hierbei ergibt ferner im Fall der sekundären Resonanz die Sekundiiispuie des Übertragers zusammen mit licr Eingangsimpedanz des Übertragungsweges 6 des oberen Frequenzbereichs die Resonan/. Durch Anwendung der losen Kopplung des Übertragers kann die MÖrende Wirkung der Impedanz 6« erheblich vermindert und dadurch dei Empfang im unteren Frequenzbereich entscheidend verbessert werden, insbesondere mit wesentlich kürzeren Dipolen die erstrebte Hmpfangsqualität erreicht we'den. Der lose gekoppelte Übertrager ergibt die wesentlich kleinere Kapazität zwischen der primären und dtr sekundären Wicklung, aber auch die kleinere 1 npedanzrückwirkung der Sekundärst¹ ite auf die Primärseite im unteren Frequenzbereich.

Ausgehend von den Forderungen nach Empfangs qualität im unteren Frequenzbereich müßte der Übertrager extrem lose gekoppelt sein. Dies würde jedoch der gleichzeitigen Forderung nach hochwertiger

Übertragung im oberen Frequenzbereich widersprechen. Jedoch kann man mit sehr loser Kopplung eine hochwertige Übertragung des oberen Frequenzbereichs erreichen, wenn man erfindungsgemäß Übertragerresonanzen im oberen Frequenzbereich st halft und dadurch die Ströme und Spannungen vergrößert. Übertrager mit sekundärer Resonanz sind von H. Meinke, Einführung in die Elektrotechnik höherer Frequenzen. 1. Band (Berlin 1965), Seite 80 beschrieben worden.

Eine Übertragung mit kleinem L₁ und kleiner Kopplung wird durch die Schaffung einer Resonanz auf der Sekundärseite des Übertragers möglich, v/obei die Resonanzfrequenz im Frequenzbereich des Weges 6 liegt. Diese Resonanz kann dadurch erreicht werden, daß die Eingangsimpedanz des Weges (S aus einer Kombination eines Kondensators und eines Widerstandes besteht oder wie eine solche wirkt, wobei Kondensator und Widerstand parallel wie in Fig. 4 oder in Serie v/ie in Fig. 5 Ιίεμεη können.

Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung bt trifft Antennen für mehr als zwei getrennte Frequenzbereiche. Als Beispiel werden Antennen mit drei Frequenzbereichen und getrennten Übertragun§;swegen 5,6,7 beschrieben. Entsprechend Fig. 6 sind für

die beiden höheren Frequenzbereiche je ein Übertrager vorgesehen, wobei die beiden Übertrager in Serie geschaltet sind und beide Übertrager eine sekundäre Resonanz verwenden, wobei die Resonanzfrequenz jedes Übertraiiers im zugehörigen Frequenzbereich

^lieg*

Man kann den Aufwand bei mehr als .zwei Übertragungswegen dadurch verringern, daß man nach F ig. 7 nmr eine Primärspule verwendet und an sie melirere Sekundärspulem ankoppelt. Wenn es sich um Luftspu-

len, handelt, ordnet man beispielsweise die Sekuiidärspulen wie in Fig. 8 a an, wobei die Sekundärspulen über die Primiirspule gewickelt sind. Wesentlich is.t bei derartigen Anordnungen, daß auch die Kopplung zwischen den beiden Sekundärspulen klein bleibt.

Vorteilhaft ist die Verwendung eines Ferritstabes als Übertragerkern, wobei man bei Verwendung mehrerer Sekundäi-spulen alle Spulen wie in Fig. 8 b auf den gleichen Ferritstab wickelt. Bei Verwendung eines

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l-erritstalies kann man die Abstände /wischen den Übertragungsweg der niedrigeren Frequenzen im BeSpulen größer als bei L.uftkopplung machen und da- reich der niedrigeren Frequenzen noch kleiner wird, durch unerwünschte kapazitive Kopplungen zwischen Diese Resonanzen werden besonders wirksam, wenn den Spulen klein haltei. die Resonanzfrequenzen beider Resonanzkreise

Die Schaltung mit Feldeffekttransistor macht es ₅ gleich oder annähernd gleich sind. Eh ist dann beson-

möglich, den Übertrager auch in Primärresonanz mit ders günstig, wenn die Kopplung des Übertragers so

einer Resonanzfrequenz im Frequenzbereich der hö- eingestellt wird, daß ein zweikreisiges, kritisch oder

heren Frequenzen zu vei"wenden. Den Vorteil der Pri- schwach überkritisch gekoppeltes Resonanzbandfilter

märresonanz beschreibt das bereits zitierte Buch von entsteht. Dadurch entsteht in bekannter Weise eine

H. Meinke auf Seite 79. Diese Primärresonanz ent- i₀ breitere und gleichmäßigere Durchlaßkurve des

steht erfindungsgemäß dadurch, dall die Primärin- Übertragers im Vergleich zu anderen Resonanzfor-

duktivität Ll so gewählt wird, daß sie zusammen mit men.

allen Kapazitäten des in Fig. I gezeichneten Ein- Es ist für die Selektivität und die Durchlässigkeit

gangskreises (Antennenkapazität, Zuleitungskapazi- des Übertragungsweges 6 der höheren Frequenzen

tat C₁, Zuleitungskapazität C₁ und Eingangskapazität _l5 vorteilhaft, die Bandbreite des genannten Bandfilters

des Feldeffekttransistors) die gewünschte Resonanz- möglichst genau auf die Sollbandbreite dieses Fre-

frequenz ergibt. Der Vorteil der Primärresonanz be- quenzbercichs einzustellen. Wenn alle Kapazitäten

steht darin, da?, die Kopplung zwischen Primärspule des Bandfilters Werte haben, die bereits durch die

und Sekundärspule kleiner sein kann als ohne Reso- Antenne und die Transistoren vorgegeben sind, wenn

nanz und die Impedanzrückwirkungen der Sekundär- ₂₀ ferner die Resonanzfrequenz und als Konsequenz die

seit«- auf die Primärspule außerhalb des Resonanzbe- Induktivitätswerte festliegen und die Kopplung des

reichs, d. h. im Frequenzbereich der niedrigeren Übertragers durch die Forderung nach kritischer

Frequenzen besonders klein sind. Primärseitige Reso- Kopplung festgelegt ist, kann man die Bandbreite

nanz und sekundärseitige Resonanz können unabhän- nicht mehr frei erwählen. Um die Freiheit bei der gig voneinander verwendet werden. _a5> Wahl der verlangten Bandbreite und der Steilheit der

Mehrere, später noch beschriebene Vorteile wer- Filterflanken zu gewinnen, wird daher eine Zusatzden erzieh, wenn man in der Schaltung der Fig. 2 den kapazität parallel zu den Eingangskiommen des Tran-Übertragi ngsweg 6 dei höheren Frequenzen mit ei- sistors 10 geschaltet (C, in Fig. 10) und die Resonanz nem Tran.istor beginnen läßt. Eine solche Schaltung des Sekundärkreises einschließlich dieser Zusatzzeigt Fig. 9 mit einem Transistor 10. Grundsätzlich ₃₀ kapazität hergestellt. Die freie Wahl des Wertes dieser können hier alle bekannten Transistorschaltungen Kapazität schafft in vielen Fällen den Freiheitsgrad, und Transistortypen verwendet werden. Nach dem der zur Erfüllung der genannten Bandbreitenfordederzeitigen Stand der Technik werden für höhere Fre- rung benötigt wird.

quenzen bipolare Transistoren bevorzugt, Vorzugs- In einer solchen Schaltung läßt sich auch durch geweise in Basisschaltung oder Emitterschaltung, wobei ₃₅ eignete Dimensionierung Rauschanpassung zwischen die Wahl der Schaltung sich nach der Aufgabenstel- Antenne und Transistor 10 in einem größeren Frelung richtet und die bekannten Vorzüge der jeweiligen quenzbereich herstellen. Das Grundprinzip der breit-Schaitung ausgenutzt werden. bandigen Rauschanpassung ist in der deutschen OS

In manchen dieser Schaltungen wirkt der Transistor 1591 300 im Prinzip beschrieben worden; dort ist ins-

10 wie die in Fig. 4 dargestellte Kombination einer ^₀ besondere in den Fig. 9, 10 und 13 dargestellt, daß

Kapazität und eines Wirkwiderstandes. Bei richtiger die Impedanz der Antenne eine Schleife in der kom-

Dimensionierung der Sekundärinduktivität entsteht plexen Widerstandsebene durchlaufen muß, wobei die

dann die bereits beschriebene sekundäre Resonanz Schleifenkurve zweimal durch die optimale Impedanz

zwischen der Eingangskapazität des Transistors und läuft oder die optimale Impedanz umläuft. Da der

der Induktivität der Sekundärspule, gegebenenfalls ₄₅ Transistor 10 für den Bereich der höheren Frequenzen

unter Einschluß der in diesem Kreis vorhandenen in der Schaltung nach der Erfindung nicht direkt an

weiteren Kapazitäten, z.B. C3 in Fig. 10. die Antenne angeschlossen wird, ist hier die Rausch-

Die Antenne als Spannungsquelle wird im Fre- anpassung in der Form zu schaffen, daß die Schaltung

quenzbereich der höheren Frequenzen durch den die für Rauschanpassung optimale Impedanz an den-

Übertrager an die Eingangsklemmen des Transistors _5O jenigen Klemmen (12 und 13 in Fig. 10) besitzt, an

10 übertragen. Den Innenwiderstand der so über- die der Transistor angeschlossen ist Die Antenne als

tragenen, an den Eingangsklemmen des Transistors Quelle wird dann durch die Schaltung so transfor-

10 erscheinenden Quelle kann man durch Einstellung miert, daß sie zwischen den Klemmen 12 und 13 als

der Kopplung des Übertragers auf verschiedene transformierte Quelle mit einem transformierten In-Werte einstellen, beispielsweise vorteilhaft auf solche ₅₅ nenwiderstand erscheint, der in Abhängigkeit von der

Werte, die bei einer Frequenz des Frequenzbereichs Frequenz in der komplexen Widerstandsebene als

der höheren Frequenzen Rauschanpassung zwischen Schleifenkurve erscheint, wobei diese Kurve entweder

Quelle und Transistor herstellen. Rauschanpassung ist zweimal durch den für Rauschanpassung optimalen

in allgemeiner Form in der deutschen OS 1591300 Punkt gent oder die Schleife der Impedanzkurve diebeschrieben worden. 6o ^se" Punkt umschließt.

Man kann die bereits beschriebene Resonanz der Wenn beispielsweise die Antenne die Form eines Primärseite und die Resonanz der Sekundärseite des Unipols hat und im Frequenzbereich der höheren Fre-Übertragers auch gleichzeitig anwenden und neben quenzen nicht langer als eine Viertelwellenlänge ist, den bereits genannten Vorteilen zusätzliche Vorteile so stellt die Schaltung der Fig. 10 im Bereich der hödurch die Kombination beider Maßnahmen herbei- e₅ heren Frequenzen ein zweikreisiges, transformatoführen. Man kann dann die Kopplung des Übertragers risch gekoppeltes Bandfilter dar, das bei überkritinoch mehr verkleinern, so daß die Rückwirkung des scher Kopplung in bekannter Weise eine Impedanz-Übertragungsweges der höheren Frequenzen auf den schleife in der komplexen Widerstandsebene bildet.

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Durch Wahl der induktiven Kopplung, Einstellung der Resonanzfrequenzen und richtige Wahl der Kreiskapazitäten kann diese Impedanzschlcife in der komplexen Widerstandsebene so festgelegt werden, daß im vorgeschriebenen Betriebsfrequenzbereich optimale Rauschanpassung erzeugt wird.

In der DT-OS 2 115657 werden weitere Einzelheiten über die Schaltung des Feldeffekttransistors für den Übertragungsweg S der niedrigeren Frequenzen beschrieben, die auch in der vorliegenden Antenne verwendbar sind, insbesondere die Maßnahmen zur rauscharmen Linearisierung des Feldeffekttransistors und das Ausfiltern des Frequenzbereichs der höheren Frequenzen auf der Ausgangsseite des Feldeffekttransistors. Fig. 11 zeigt die Schaltung einer realisierten Antenne, in der ein Serienresonanzkreis aus L4 und C₄ die höheren Frequenzen vom Ausgang des Übertragungswegs der niedrigeren Frequenzen fernhält.

Falls die genannten Linearisierungsmaßnahmen für den Feldeffekttransistor auch in der Antenne nach der vorliegenden Erfindung verwendet werden, ergibt sich die Möglichkeit, den Transistor 10 zweifach zu verwenden, einmal als Verstärker für den Bereich der höheren Frequenzen und gleichzeitig zur Erzeugung und Stabilisierung des Gleichstroms des Feldeffekttransistors, d. h. als Transistor T₃ der Schaltung von Fig. 5 und 6 der DT-OS 2115657. Fig. 11 zeigt das vollständige Schaltbild einer so ausgeführten Antenne. Der Gleichstrom, der durch den Transistor 9 fließt, fließt auch durch den Transistor 10, wobei die /wischengeschaltete Drossel D verhindert, daß die Wechselströme des einen Transistors durch den anderen Transistor fließen. Die Gleichspannung an der Basis des Transistors 10 wird durch die Diode Di stabilisiert. LMK ist in Fig. Il der Ausgang für das verstärkte Signal der niedrigeren Frequenzen, UKW der Ausgang des verstärkten Signals der höheren Frequenzen. Zwischen den Punkten 4 und 5 wird die

ίο speisende Gleichspannung zugeführt.

Antennen nach der Erfindung, bei denen die beiden, an die Klemmen 3 und 4 angeschlossenen Antennenteile keine leitende Verbindung besitzen, können sich durch elektrische Felder der Atmosphäre oder durch Berührung mit geladenen Körpern oder durch Reibungselektrizität aufladen und diese Aufladespannungen auf den Eingang des Übertragungsweges der niedrigeren Frequenzen übertragen. Sie erzeugen dadurch Störspannungen im Übertragungsweg oder zerstören empfindliche Transistoren. Daher ist in solchen Fällen in Fig. 11 ein Entladungswiderstand R₁ vorgesehen. Dieser Widerstand ergibt ein zusätzliches Rauschen, das um so geringer ist, je größer der Widerstand ist. Wenn man diesen Entladungsschutz

mit einer Serie η kapazität C₅ in der Zuleitung zwischen Antenne und Primärspule kombiniert, kann man den Schutz des Übertragungsweges S so ausreichend gestalten, daß R₁ so groß gemacht werden kann, daß sein Rauschen niedriger ist als das Eigenrauschen der

Übertragungswege.

Hierzu 6 Blatt Zeichnungen

Claims (18)

Patentansprüche:

1. Antenne in Form eines Dipols oder Unipols (1, 2) für den Empfang des amplitudenmodulierten Rundfunks in einem unteren Frequenzbereich sowie des frequenzmodulierten Rundfunks in einem oberen Frequenzbereich, bei der die Länge des Dipols oder Monopols so gewählt ist, daß sie im unteren Frequenzbereich sehr kurz gegen die Wellenlänge ist, und bei der ferner an die Ausgangsklemmen (3, 4) des Dipols bzw. Monopols eine Frequenzweiche angeschlossen ist, an deren einen Ausgang der Übertragungsweg (5) für den unteren Frequenzbereich und an deren anderen Ausgang der Übertragungsweg (6) für den oberen Frequenzbereich angeschlossen ist, und die Frequenzweiche eine Tier'paüschaltung (C₁. L₁, C₁) für den unteren Frequenzhereich enthalt, deren Eingang an den Dipol bzw. Monopol angeschlossen ist und deren Ausgang an die Steuerstrecke eines Feldeffekttransistors oder eines ähnlich wirkenden elektronischen Verstarkerelements mit hochohmig kapazitivem Eingang als Eingangstransistor (9) des Übertragungsweges tür den un- leren Frequenzbereich angeschlossen ist. und die Längsinduktivität (L₁) der Tiefpaßschaltung ganz oder teilweise die Primärspulc eines Übertragers ist, an dessen Sekundärspule (L₂) der Übertragungsweg (6) des oberen Frequenzbereichs angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Übertrager (/L₁,/.,) lose gekoppelt ist und eine primäre und'oder sekundäre Resonanz im oberen Frequenzbereich derart besitzt, daß bei gt gebener Feldstärke der empfangenen Welle in Abhängigkeit von der Frequenz die Signalamplitude im Übertragungsweg (6. 7) des oberen Frequenzbereichs ein Maximum bei der Resonanzfrequenz erreicht, wobei im Fall der primären Resonanz die Pnmärspule (L₁) des Übertragers zusammen mit der Kapazität des Dipols oder Monopols (1, 2). den Bestandteilen der Tiefpaßschaltung (C₁, /.,. C\) und der Eingangskapazität des Eingangsverstärkerelements (9) des unteren Frequenzbereichs die Resonanz ergibt, und im Fall der sekundären Resonanz die Sekundärspule (L,) des Übertragers zusammen nut der Eingangsimpedanz des Übertragungsweges des oberen Frequenzbereichs die Resonanz ergibt.

2. Antenne nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß in Serie zur Pnmärspule (/.,) des Übertragers (L₁, /.,) weitere Primärspulen von Übertragern liegen und an dk· Sekundarspulen

( /-,) dieser Übertrager die Übertragungswege (7) weiterer, getrennter Frequenzbereiche angeschlossen sind und jeder dieser Übertragungswege in Kombination mit der /u ihm gehörenden Sekundärspule (L._:) innerhalb des zu ihm gehörenden Frequenzbereichs eine Resonanz des Eingangskreises besitzt (Fig. ft).

3. Antenne nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an die Primärspulc (L₁) des Übertragers (/_M, /.,) mehrere Sekundarspulen ( L₂) induktiv angekoppelt sind und jede dieser Sekundiirspulcn (L₂) ^al1 einen gesonderten, von den anderen Frequenzbereichen getrennten Übertragungsweg (6. 7) angeschlossen ist und jeder dieser Ühcrtragiingswege in Kombination mit der zugehörigen Sekundäispule (L₂) innerhalb des zugehörigen Frequenzbereichs eine Resonanz der Eingangsschaltung besitzt (Fig. 7).

4. Antenne nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Übertrager (L₁, L,) einen stabförmige η Ferritkern besitzt und alle Spulen des Übertragers nebeneinander auf diesen Ferritstab autgewickelt sind (Fig. 8b).

5. Antenne nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingangsimpedanz des an die Sekundärspule (L₂) angeschlossenen Übertragungsweges der höheren Frequenzen aus der Serienschaltung eines Wirkwiderstandes und einer Kapazität besteht (Fig. 5) oder wie eine solche Kombination wirkt, und die Kombination der Induktivität der Sekundärspule (L,) und der Eingangskapazität dieses Übertragungsweges die sekundäre Resonanz ergibt.

(>. Antenne nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß die Eingangsimpedanz des Übertragungsweges der höheren Frequenzen aus der Parallelschaltung eines Wirk Widerstandes und einer Kapazität (Fig. 4) besteht, oder wie eine solche Kombination wirkt, und die Kombination der Induktivität der Sekundärspule und der Eingangskapazität dieses Übertragungsweges die sekundäre Resonanz ergibt.

7. Antenne nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuleitung zwischen Antenne und Primärspule möglichst kurz und kapazitätsarm ausgeführt ist.

8. Antenne nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuleitung zwischen Primärspule und Feldeffekttransistor möglichst kurz und kapazitätsarm ausgeführt ist.

9. Antenne nach Anspruch 1, dadurch gekennzeicnnet, daß die Steuerstrecke eines Transistors (10) an die Sekundärseite des Übertragers geschaltet ist und dieser Transistor den Eingang des Übertragungsweges (6, 7) der höheren Frequenzen darstellt.

IU. Antenne nach Anspruch⁰, dadurch gekennzeichnet, daß die Induktivität der Sekundärspule (L₂) so dimensioniert wird, daß zusammen mit der Eingangskapazität des an sie angeschlossenen Transistors (10) die sekundäre Resonanz entsteht.

II. Antenne nach Anspruchs, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplung des Übertragers (/.,. /.,) so eingestellt ist, daß die Impedanz der Antenne als Quelle durch den Übertrager so an die Eingangsklemmen des Transistors (10) transformiert wird, daß die Rauschanpassung des Transistors bei einer Frequenz des oberen Frequenzbereichs eintritt.

12 Antenne nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Resonanzfrequenzen der Resonanz der Primärseite und der Resonanz der Sekundärseite gleich oder annähernd gleich sind.

IV Antenne nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Resonanzschaltung der Primärseite und die Resonanzschaltung der Sekundärseite zusammen ein Bandfilter ergeben und die Kopplung des Übertragers (L₁, L₁) so eingestellt ist, daß kritische oder schwach überkritische Kopplung besteht.

14. Antenne nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Bandbreite des Bandfilters

durch eine Zusatzkapazität (C3) auf der Sekundärseite des Übertragers auf den für den oberen Frequenzbereich geforderten Wert eingestellt ist.

15. Antenne nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Bandfilter so dimensioniert ist, daß es die Antenne als Quelle so an die Eingangsklemmen des Transistors (10) transformiert, daß bestmögliche Rauschanpassung im ganzen oberen Frequenzbereich entsteht, also der an den Eingangsklemmen des Transistors erscheinende, transformierte Innenwiderstand der Quelle in Abhängigkeit von der Frequenz in der komplexen Impedanzebene eine Schleifenkurve in der Umgebung der für Rauschanpassung optimalen Impedanz erzeugt.

16. Antenne nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Gleichstrom des Transistors (9) des Übertragungsweges (5) des unteren Frequenzbereichs auch durch den gleichstrommäßig

in Serie geschalteten Transistor (10) des Übertragungsweges des oberen Frequenzbereichs fließt.

17. Antenne nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß in der Verbindungsleitung der beiden Transistoren (9,10) eine Drossel (D) liegt, die so groß gewählt ist, daß nahezu keine Wechsel ströme des einen Transistors durch den anderen Transistor fließen (Fig. 11).

18. Antenne nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zu den Anschlußkiemmen der passiven Antenne ein Hntladungswiderstand (Ri) liegt.

\9. Antenne nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß in der Zuleitung von der passiven Antenne zur Primiirspule des Übertragers ein Serienkondensator (CS) liegt, der wesentlich größer als die Eigenkapazität der Antenne ist, und der Entladungswiderstand so gewählt ist, daß sein Rauschen kleiner als das Eigenrauschen der Übertragungswege ist.