DE2250689B2 - Electrophotographic X-ray imaging process - Google Patents

Electrophotographic X-ray imaging process

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Description

Die Erfindung betrifft ein fotografisches Röntgenaufnahmeverfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.The invention relates to an X-ray photographic method according to the preamble of claim 1.

Bei bekannten Anordnungen zur Röntgenelektrofotografie, die auch Xeror~.diogrs"e genannt wird, werden Selenschichten als fotoleitende, d. h. empfindliche. Schichten verwendet. Es ist : B. aus DE-ASIn known arrangements for X-ray electrophotography, which is also called Xeror ~ .diogrs "e, selenium layers are used as photoconductive, i.e. H. sensitive. Layers used. It is: B. from DE-AS

10 77 976 bekannt, diesen Schichten geringe Mengen von Arsen beizufügen, um erhöhte Empfindlichkeit und Beständigkeit zu erhalten. Gemäß der französischen Patentschrift 15 98 952 ist eine auch für die Belichtung mit Röntgenstrahlen vorgesehene Selenschicht zusätzlich zu einem Gehalt von 0,1 bis 10% Arsen mit 5 bis 900 parts per Million (ppm) eines Halogens dotiert. Nach der GB-PS 11 66 086 kann die Beständigkeit der Selenschicht hinsichtlich hitzeinduzierter Rekristallisation verbessert werden, wenn der Schicht bis zu 0,5% Arsen zugesetzt werden. Nachteilig bei diesen Schichten ist aber, daß nach jeder Aufnahme eine im Vergleich zu der möglichen Abbildungsfolge lange Zeit vergeht, bis die aufgenommenen Bilder aus der empfindlichen Schicht verschwunden sind. Es ist schwierig, diese Nachwirkungen zu vermeiden. Immer wieder kommt es vor, daß wegen der Nachwirkungen früher aufgenommene Bilder als Hintergrund bei späteren Bildern erscheinen. Diese Störung ist unter der Bezeichnung »Geisterbilder« bekannt. Auch bei der Aufnahme mit Schichten, die entsprechend der GB-PS 12 03 851 bzw.10 77 976 known to add small amounts of arsenic to these layers in order to increase sensitivity and To maintain consistency. According to French patent specification 15 98 952, one is also for exposure selenium layer provided with X-rays in addition to a content of 0.1 to 10% arsenic with 5 to 900 parts per million (ppm) of a halogen doped. According to GB-PS 11 66 086, the resistance of the Selenium layer can be improved with regard to heat-induced recrystallization if the layer is up to 0.5% Arsenic can be added. The disadvantage of these layers, however, is that after each exposure one is compared to the possible imaging sequence, it takes a long time for the captured images to come out of the sensitive Shift have disappeared. It is difficult to avoid these aftereffects. It keeps coming back suggest that, because of the after-effects, images taken earlier as the background for later images appear. This disorder is known as "ghosting". Even when recording with Layers that correspond to GB-PS 12 03 851 or

11 66 086 bis zu 1% bzw. weniger als 0,5% Arsen im Selen enthalten, tritt dieser Nachteil auf.11 66 086 up to 1% or less than 0.5% arsenic im Containing selenium, this disadvantage occurs.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ohne erhöhten Aufwand insbesondere die Erscheinung von Geisterbildern zu vermeiden.The invention is based on the object of, in particular, the appearance of Avoid ghosting.

Die vorgenannte Aufgabe ist erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Selenschicht 0,01 bis 1 Alom°/o Arsen im Selen enthält und daß die Aufladung negativ ist. Dadurch wird gegenüber den vorbekannten Schichten, die 0,5 bis ungefähr 20 Gewichtsprozent, insbesondere I bis to Gewichtsprozent, Arsen im Selen enthalten sollen, erhöhte Röntgenempfindlichkeit und wesentlich erhöhte Durchschlagsfestigkeit erhalten, weil die Dotierung mit den geringen Mengen Arsen nennenswert die Störbandleitfähigkeit des amorphen reinen Selens unterdrückt Diese Verbesserung wird durch die negative Aufladung auch schon bei Arsenmengen von den geringen Mengen 0,1 bis 0,4% noch erhöht Gleichzeitig erhalten dadurch die fotoelektrisch gebildeten Ladungsträger größere Schubwege und erhöhen damit die Röntgenempfindlichkeit Außerdem ist dieThe aforementioned object is achieved according to the invention in that the selenium layer is 0.01 to 1 Alom% Contains arsenic in selenium and that the charge is negative. This is compared to the previously known Layers that contain 0.5 to approximately 20 percent by weight, especially 1 to 1 percent by weight, of arsenic in selenium should contain increased X-ray sensitivity and significantly increased dielectric strength, because the doping with the small amounts of arsenic significantly reduces the interfering band conductivity of the amorphous pure selenium suppressed This improvement is already achieved with arsenic quantities due to the negative charge from the small amounts 0.1 to 0.4% still increased. At the same time, the photoelectrically formed ones are preserved Charge carriers have longer push paths and thus increase the X-ray sensitivity

ίο Ladungsspeicherung gegenüber den ebenfalls bekannten Schichten mit weniger als 1 bzw. 0,5% Arsen bei der negativen Aufladung wesentlich verbessert Gegenüber der Position Aufladung wird die Dunkelleitfähigkeit um einen Faktor von ca. 5 verbessert Auch bei dichtίο Charge storage compared to the also known Layers with less than 1 or 0.5% arsenic in the case of negative charging are significantly improved compared to the charging position will turn the dark conductivity around improved by a factor of approx. 5 Even with dense

is aufeinanderfolgenden Röntgenaufnahmen erscheinen keine Geistsrbilder. Dies beruht offenbar darauf, daß bestimmte Trapniveaus im verbotenen Band, die beim reinen amorphen Selen stets in großer Anzahl (1017— 1018cm-3) vorhanden sind, durch die Arsen-Dotierung besetzt werden und dadurch ein Einfangen der beweglichen Ladungsträger verhindern. Das Befreien der Ladungsträger kann beim reinen Selen durch Erwärmung herbeigeführt und damit die sog. Geisterbilder wieder beseitigt werden. Diese Erwärmung ist aber außer als zusätzlicher Arbeitsvorgang auch nachteilig, weil er die Struktur des Selens verändert.If consecutive X-rays are taken, ghost images do not appear. This is apparently based on the fact that certain trap levels in the forbidden band, which are always present in large numbers in pure amorphous selenium (10 17 - 10 18 cm -3 ), are occupied by the arsenic doping and thus prevent the trapping of the mobile charge carriers. In the case of pure selenium, the charge carriers can be liberated by heating, and so the so-called ghost images can be eliminated again. In addition to being an additional work process, this heating is also disadvantageous because it changes the structure of the selenium.

Die Erfindung ist an sich bei allen bekannten xerografischen Einrichtungen anwendbar. Es wird lediglich vorausgesetzt, daß die eigentliche empfindlicheThe invention can be used per se in all known xerographic devices. It will merely assuming that the actual sensitive

Schicht durch die erfindungsgemäße Schicht ersetztLayer replaced by the layer according to the invention

wird und daß die Koronaaufladungseinheit umpolbar istand that the corona charging unit can be reversed

Die Herstellung der Schicht kann nach allenThe making of the layer can be done after all

bekannten Verfahren erfolgen, etwa dadurch, daß das entsprechende Gemisch von Selen und Arsen auf den Träger, der wegen seiner elektrischen Leitfähigkeit aus Metall oder anderem leitfähigem Material bestehen kann, aufgedampft wird. Bekanntlich sind Metalle, wie etwa Aluminium, Messing, Bronze etc. anwendbar. Andere Materialien sind metallisiertes Papier oder leitfähig gemachter Kunststoff. Anstat*. einer Metallisierung kann auch die Behandlung mit einem leitfähigen Material, wie etwa Kupferiodid, auf einem isolierenden Material vorgesehen sein.known methods take place, for example, that the corresponding mixture of selenium and arsenic on the Carrier which, because of its electrical conductivity, consists of metal or other conductive material can, is vaporized. It is known that metals such as aluminum, brass, bronze, etc. can be used. Other materials are metallized paper or plastic made conductive. Instead of *. a metallization Can also be treated with a conductive material, such as copper iodide, on an insulating Material be provided.

Die Ausbildung der Erfindung wird nachfolgendThe embodiment of the invention is as follows

anhand des in der Figur dargestellten Ausführungsbeispiels weiter erläutert.further explained with reference to the embodiment shown in the figure.

Auf dem 03 bis 2 mm starken Träger 1 aus Aluminium ist die Schicht 2 aus S.'len, welches 0,3% Arsen enthält, aufgedampft. Die Dicke der Schicht 2 beträgt dabei 100 bis 500 μπι. Zur Einstellung der Empfindlichkeit wird die Kombination der Schicht 2 mit dem Träger 1 in Richtung des Pfeiles 3 unter der Koronaentladungseinheit 4 hindurch bewegt, so daß die zwischen der Kammelektrode 5 und der geerdeten Platte 6 sich ausbildende Entladung die Oberfläche der Schicht 2 negativ auflädt. Dazu ist über die Leitung 7 der positive Pol der Hochspannungsquelle 8, die eine Spannungsdifferenz von ca. 5500 V erzeugt, mit trde verbunden. Am negativen Pol liegt die Elektrode 5.On the 3 to 2 mm thick aluminum support 1 Layer 2 is made of S. oil, which contains 0.3% arsenic, vaporized. The thickness of the layer 2 is 100 to 500 μm. To adjust the sensitivity, the Combination of the layer 2 with the carrier 1 in the direction of the arrow 3 below the corona discharge unit 4 moved through, so that between the comb electrode 5 and the grounded plate 6 forming discharge negatively charges the surface of the layer 2. For this purpose, the line 7 is the positive one Pole of the high voltage source 8, which generates a voltage difference of approx. 5500 V, is connected to trde. At the negative pole is the electrode 5.

In einem wegen der damit erzielbaren guten Ergebnisse vorzuziehenden Herstellungsverfahren wird eine Aluminiumfolie von 0,5 bis 2 mm, insbesondere 1 mm, mit 0,3% Arsen enthaltendem Selen bedampft. Die Bedampfung erfolgt im Vakuum von 10~5 bis 10-4 torr und mit einer Geschwindigkeit von etwa 3 pm pro Minute, bis die Schicht die erforderliche Dicke erreicht hat, die in der Regel bei 100 bis 500 μπι liegt.In a production process which is preferable because of the good results that can be achieved with it, an aluminum foil of 0.5 to 2 mm, in particular 1 mm, is vaporized with selenium containing 0.3% arsenic. The vapor deposition is carried out in a vacuum of 10 -5 to 10 -4 torr and at a rate of about 3 pm per minute until the layer the required thickness has been reached, which is μπι usually at 100 to 500th

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (3)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Elektrofotografisches Röntgenaufnahmeverfahren, bei welchem eine elektrisch leitfähige Platte, die mit einer Schicht aus einer Selen-Arsen-Legierung bedeckt ist, elektrisch in einer Coronaentladungsanordnung aufgeladen und dann der abzubildenden Bestrahlung mit Röntgenstrahlen ausgesetzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierungsschicht neben dem Selen einen Anteil von 0,01 bis 1 Atom% Arsen enthält und daß die Aufladung negativ ist1. Electrophotographic X-ray imaging process, in which an electrically conductive plate covered with a layer of a selenium-arsenic alloy is covered, electrically charged in a corona discharge arrangement and then the image to be imaged Exposure to radiation with X-rays, characterized in that the Alloy layer in addition to the selenium contains a proportion of 0.01 to 1 atom% arsenic and that the Charge is negative 2. Röntgenaufnahmeverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil des Arsens 0,1 bis 0,4 Atom% beträgt2. X-ray recording method according to claim 1, characterized in that the proportion of arsenic Is 0.1 to 0.4 atomic percent 3. Verfahren zur Herstellung einer Selenschicht zur Durchführung eines Röntgenaufnahmeverfahrens nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet daß ein Träger aus Aluminium von 0,5 bis 2 mm Stärke auf 50" C erhitzt und dann darauf mit 03% Arsen dotiertes Selen mit 3 μΐη/min im Vakuum aufgedampft wird, bis die Schicht 100 bis 500 μπι stark ist3. Process for the production of a selenium layer for performing an X-ray recording process according to one of the preceding claims, characterized in that a carrier from Aluminum from 0.5 to 2 mm thick heated to 50 "C. and then on top with selenium doped with 03% arsenic 3 μΐη / min is evaporated in vacuo until the Layer 100 to 500 μπι is strong
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