DE2252912B2

DE2252912B2 - Electrophotographic X-ray imaging process

Info

Publication number: DE2252912B2
Application number: DE19722252912
Authority: DE
Inventors: Gottfried Dipl.-Phys. 8520 Erlangen Lange
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1972-10-27
Filing date: 1972-10-27
Publication date: 1980-06-04
Also published as: DE2252912C3; DE2252912A1

Description

Die Erfindung betrifft ein elektrofotografisches Röntgenaufnahmeverfahren, bei welchem eine elektrisch leitfähige Platte, die mit einer Schicht aus einer Selen-Arsen-Legierung bedeckt ist, elektrisch in einer Koronaentladungsanordnung aufgeladen und dann der abzubildenden Bestrahlung mit Röntgenstrahlen ausgesetzt wird und bei der nach der Patentanmeldung P 22 50 689.4 die Legierungsschicht neben dem Arsen einen Anteil von 0,01 bis 1 Atom % Selen enthält und daß die Aufladung negativ ist. Abschließend wird das noch unsichtbare elektrische Bild durch die übliche xerografische Entwicklung sichtbar gemacht. Derartige Verfahren werden angewandt, weil sie ein empfindliches Material haben, welches erst im Augenblick der Aufnahme empfindlich gemacht wird und weil außerdem das Verfahren schnell und wenig aufwendig ist.The invention relates to an electrophotographic X-ray recording method in which an electrically conductive plate covered with a layer of a selenium-arsenic alloy, electrically in one Corona discharge arrangement charged and then exposed to the radiation to be imaged with X-rays and in the case of the patent application P 22 50 689.4 the alloy layer next to the arsenic contains a proportion of 0.01 to 1 atom% selenium and that the charge is negative. In conclusion, that will still invisible electrical image made visible by the usual xerographic development. Such Processes are used because they have a sensitive material, which is only available at the moment Recording is made sensitive and because, moreover, the process is quick and inexpensive.

Bei bekannten Anordnungen zur Röntgenelektrofotografie, die auch Xeroradiografie genannt wird, werden Selenschichten als fotoleitende, d. h. empfindliche Schichten, verwendet. Es ist z. B. aus DE-AS 10 77 976 bekannt, diesen Schichten geringe Mengen von Arsen beizufügen, um erhöhte Empfindlichkeit und Beständigkeit zu erhalten. Nachteilig daran ist aber, daß nach jeder Aufnahme eine im Vergleich zu der möglichen Abbildungsfolge lange Zeit vergeht, bis die aufgenommenen Bilder aus der empfindlichen Schicht verschwunden sind. Es ist schwierig, diese Nachwirkungen zu vermeiden. Immer wieder kommt es vor, daß wegen der Nachwirkungen früher aufgenommene Bilder als Hintergrund bei späteren Bildern erscheinen. Diese Störung ist unter der Bezeichnung »Geisterbilder« bekannt.In known arrangements for X-ray electrophotography, which is also called xeroradiography, selenium layers are used as photoconductive, i.e. H. sensitive layers, used. It is Z. B. from DE-AS 10 77 976 known to add small amounts of arsenic to these layers in order to increase sensitivity and To maintain consistency. The disadvantage of this, however, is that after each recording one compared to the possible imaging sequence, it takes a long time for the recorded images to emerge from the sensitive layer Have disappeared. It is difficult to avoid these aftereffects. It happens again and again that pictures taken earlier will appear as the background of later pictures due to the aftereffects. This disorder is known as "ghosting".

Aufgabe der Erfindung ist, hei dem Verfahren n.-icn dem Hauptpatent ohne Erhöhung des Aufwandes, insbesondere im Hinblick auf die Erscheinung von Geisterbildern, die Wirksamkeit weiter zu verbessern.The object of the invention is, in the case of the n.-icn the main patent without increasing the effort, especially with regard to the appearance of Ghosting to further improve effectiveness.

Die Erfindung geht von einem elektrofotografischen Röntgenaufnahmeverfahren aus, bei welchem eine elektrisch leitfähige Platte, die mit einer Arsen enthaltenden Selenschicht bedeckt ist, elektrisch in einer Koronaentladungsanordnung aufgeladen und dann der abzubildenden Bestrahlung mit Röntgenstrahlen ausgesetzt wird, bei dem die Selenschicht 0,01 bis 1 Atom % Arsen im Selen enthält und bei dem die Aufladung negativ ist und ist dadurch gekennzeichnet, daß die Selenschicht auf eine oxydfreie Oberfläche der elektrisch leitfähigen Platte aufgedampft ist Durch die Erfindung wird erreicht, daß vom Subätratträger her verhindert wird, daß eine dünne Oxyd- oder oxydähoHche Schicht als injizierender Kontakt an die Halbleiterschicht angrenzt Diese nicht p-Leitung injizierende Wirkung der Unterlage ist speziell bei der negativen Koronabeladung der Arsen enthaltenen Selenschicht von großer Bedeutung, da amorpher Selen ein p-Leiter istThe invention is based on an electrophotographic X-ray recording method in which a electrically conductive plate covered with a selenium layer containing arsenic, electrically in a corona discharge device and then the X-ray radiation to be imaged is exposed, in which the selenium layer contains 0.01 to 1 atom% arsenic in the selenium and in which the Charge is negative and is characterized in that the selenium layer is on an oxide-free surface of the electrically conductive plate is evaporated by the invention is achieved that from Substrate carrier is prevented that a thin oxide or oxide layer is used as an injector Contact adjoining the semiconductor layer This is not the p-type line injecting effect of the substrate especially with the negative corona load of the arsenic contained selenium layer of great importance, since amorphous selenium is a p-conductor

In einer Ausgestaltung der Erfindung wird alsIn one embodiment of the invention, as

elektrisch leitfähige Platte, die den Träger der Selenschicht darstellt, z. B. eine Aluminiumplatte von 1 mm Stärke verwendet Diese wird dann an ihrer mit der Selenschicht zu bedampfenden Oberfläche einer elektrischen Glimmentladung von 1000 bis 2000V bei 200 mA für die Dauer von 10 bis 30 min ausgesetzt. Als Gas wird dabei Argon mit einem Druck von etwa 10-' torr verwendet. Durch diese Begiimmung wird erreicht, daß die Unterlage einmal von Wasserhäuten befreit wird und zum anderen eine Zerstörung von oxydhaltigen Oberflächenschichten erfolgt.electrically conductive plate which is the support of the selenium layer, e.g. B. an aluminum plate of 1 mm thickness is used electrical glow discharge of 1000 to 2000V at 200 mA for a period of 10 to 30 minutes. as Gas is used for this argon with a pressure of about 10- 'torr. Through this affirmation becomes achieved that the base is freed from water skins on the one hand and a destruction of on the other hand oxide-containing surface layers takes place.

^J5 In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung wird statt Argon das sog. Formiergas verwendet, welches 70 bis 80% Stickstoff, Rest Wasserstoff enthält. Die elektrischen Größen stimmen mit denjenigen überein, die bei der Benutzung von Argon verwendet wurden. ^J5 In a further embodiment of the invention, the so-called forming gas, which contains 70 to 80% nitrogen, the remainder hydrogen, is used instead of argon. The electrical quantities correspond to those that were used when argon was used.

Auch bei dieser Ausgestaltung wird erreicht, daß die Oberfläche von der ihr anhaftenden Oxydschicht befreit wird.In this embodiment, too, it is achieved that the surface is freed from the oxide layer adhering to it will.

Auch bei Verwendung anderer Metallplatten als Träger für die Selenschicht kann die Oberfläche von ^4Γ> Oxydschichten oder oxydähnlichen Schichten befreit werden, indem man in einer sauerstoffreien Atmosphäre beglimmt. Bekannte Metalle, die man außer Aluminium verwendet, sind z. B. Messing, Remanit, Kupfer oder Bronze.Even if other metal plates are used as a carrier for the selenium layer, the surface can be ^{freed from 4Γ>} oxide layers or oxide-like layers by glowing in an oxygen-free atmosphere. Known metals that are used in addition to aluminum are, for. B. brass, remanite, copper or bronze.

Einzelheiten und Vorteile der Erfindung werden nachfolgend anhand der Figuren weiter erläutert. In der Fig. 1 ist schematisch und im Schnitt eine Beglimmungseinrichtung für den elektrisch leitfähigen Träger der Selenschicht dargestellt und in der " Fig. 2 ein Ausschnitt aus dem mit der Selenschicht bedampften Träger.Details and advantages of the invention are further explained below with reference to the figures. In the Fig. 1 is a schematic and section of a glimmering device for the electrically conductive carrier of the selenium layer and in "Fig. 2 a section from that with the selenium layer vaporized carrier.

In der Fig. 1 ist mit 1 die vakuumdichte Glocke bezeichnet, die auf dem Tisch 2 steht und deren Innenraum mittels der Vakuumpumpe 3 auf 10-' torr ausgepumpt wird, nachdem an dein Stutzen 4 Argon eingefüllt worden ist. An den Halterungen, von denen die mit 5 und 6 sichtbar sind, ist in Abstand von der Platte 7 aus Aluminium die elektrisch leitfähige Platte 8 gehaltert, die als Träger für die Selenschicht benutzt ^h) werden soll. Zur Beseitigung der an der Oberfläche 9 anhaftenden Oxydschicht wird zwischen der Platte 7 und der Platte 8 ein elektrisches Gleichfeld von 2000 V ungelegt, welches über die Leitungen 10 und It derIn Fig. 1, 1 denotes the vacuum-tight bell, which stands on the table 2 and whose interior is pumped out by means of the vacuum pump 3 to 10- 'torr after 4 argon has been poured into your nozzle. To the brackets of which are visible to 5 and 6, the electrically conductive plate 8 is held at a distance from the plate 7 made of aluminum, which uses as a carrier for the selenium layer ^should) be ^h. To remove the oxide layer adhering to the surface 9, a direct electric field of 2000 V is applied between the plate 7 and the plate 8, which via the lines 10 and It the

romquelle 12 entnommen wird. Bei einem on 200 mA wird so für die Dauer von 20 min iL Nach Beendigung dieser Beglimmung erfolgt «!"verwendung der Platte 8 als Träger für eine licht, die aufgedampft wird,
dem Bedampfen wird eine Anordnung erhalten, us der F i g. 2 ersichtlich ist Dabei ist auf die als dienende Platte 8 die 0,1 Atom % Arsen nde Selenschicht 13 aufgedampft, die 100 bis itark ist Dabei wurde darauf geachtet, daß die Oberfläche 9 vor der Bedampfung nicht mehr oxydiert wird. Bei der Verwendung der Aluminiumplatte erfolgt dies im vorliegenden Beispiel dadurch, daß Aluminiumplatte 7 unter öl gesandstrahlt und dann in Toluol enttettet in die Vakuumapparatur eingeführt wird.romquelle 12 is removed. At an on 200 mA, iL is used for the duration of 20 min.
After the vapor deposition, an arrangement is obtained as shown in FIG. 2 is apparent It is vapor deposited on the serving plate 8 than 0.1 atomic% arsenic walls selenium layer 13 is 100 to itark Care was taken that the surface 9 is not oxidized prior to the vapor deposition. When using the aluminum plate, this is done in the present example in that aluminum plate 7 is sandblasted under oil and then degreased in toluene and introduced into the vacuum apparatus.

Bei dem dargestellten Beispiel ergibt sich die Funktion der Erfindung in der oben bereits dargelegten Weise durch Vermeidung eines injizierenden Kontaktes, so daß sich hier eine nochmalige Darlegung erübrigt.In the example shown, the function of the invention results from that already set out above Way by avoiding an injecting contact, so that there is no need to explain it again here.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

Patent claims:

1. Electrophotographic X-ray procedure, in which an electrically conductive plate covered with a layer of a selenium-arsenic alloy is electrically in a corona discharge arrangement charged and then exposed to the X-ray radiation to be imaged is and in the case of the patent application P 22 50 689.4 the alloy layer next to the Selenium contains 0.01 to 1 atom% arsenic and that the charge is negative, characterized in that that the selenium layer is vapor-deposited onto an oxide-free surface of the electrically conductive plate is

2. A process for preparing a radiograph plate for use in a method according to claim 1, characterized in that the 'torr when using aluminum as the electrically conductive plate to be vapor surface in an argon atmosphere of 10 ^-2 to 5 x 10, in particular 10- 'torr, argon is exposed to an electrical glow discharge of 1000 to 2000 V at a current of 100 to 300 mA, preferably 200 mA.

3. A method of making an X-ray plate for use in a method according to claim 1, characterized in that with a determination according to claim 2 the Gas consists of 70 to 80% nitrogen, the remainder hydrogen.