DE1162001B - Electron discharge device, in particular television pickup tubes - Google Patents
Electron discharge device, in particular television pickup tubesInfo
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Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY
DEUTSCHESGERMAN
PATENTAMTPATENT OFFICE
AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL
Internat. Kl.: HOIj Boarding school Kl .: HOIj
Deutsche Kl.: 21g-13/25 German class: 21g-13/25
Nummer:
Aktenzeichen:
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Auslegetag:Number:
File number:
Registration date:
Display day:
E 15322 VIII c/21g
6. Februar 1958
30. Januar 1964E 15322 VIII c / 21g
February 6, 1958
January 30, 1964
Die Erfindung betrifft eine Elektronenentladungsvorrichtung, deren Fangschirm eine Schicht aus einem Material enthält, das beim Bombardieren mit Elektronen ausreichend hoher Geschwindigkeit die Eigenschaft der induzierten Leitfähigkeit zeigt, so daß auf der Schicht beim Abtasten mit Elektronen hoher Geschwindigkeit ein von der jeweiligen Intensität des Abtaststrahles abhängiges Ladungsbild erzeugt wird, welches durch Abtasten der Schicht mit Elektronen niedriger Geschwindigkeit ausgleichbar ist. Derartige Elektronenentladungsvorrichtungen finden beispielsweise beim Fernsehen oder für andere Zwecke Verwendung.The invention relates to an electron discharge device, the protective screen of which is made of a layer contains a material which, when bombarded with electrons, has a sufficiently high velocity Property of induced conductivity shows so that on the layer when scanning with electrons A charge image dependent on the respective intensity of the scanning beam is generated at high speed which can be compensated for by scanning the layer with low-speed electrons is. Such electron discharge devices are found, for example, in television or for others Purposes use.
Unter der Eigenschaft der »induzierten Leitfähigkeit« wird dabei verstanden, daß das Material des Fangschirmes oder der Fangelektrode normalerweise nichtleitend oder halbleitend ist, jedoch leitend wird, wenn es mit einem Elektronenstrahl hoher Geschwindigkeit bombardiert wird. Vorrichtungen, bei denen Fangelektroden mit solchen Eigenschaften verwandt werden, sind bereits bekanntgeworden. Einige Beispiele finden sich in der deutschen Patentschrift 941545.The property of "induced conductivity" is understood to mean that the material of the The catching screen or the catching electrode is normally non-conductive or semiconducting, but becomes conductive, when bombarded with a high speed electron beam. Devices where Collecting electrodes with such properties are used, have already become known. Some examples can be found in German Patent 941545.
Sämtlichen bisherigen Einrichtungen ist gemeinsam, daß die Fangelektroden mit festen, dicht gepackten
Schichten aus dem die Eigenschaft der induzierten Leitfähigkeit besitzenden Material aufgebaut
sind. Derartige Fangelektroden weisen jedoch eine unerwünschte »Nacheilung« auf. Beispielsweise wird
bei einer der in der obenerwähnten Patentschrift angegebenen Elektronenentladungsvorrichtungen auf
die eine Seite der Fangelektrode ein Elektronenbild durch einen Strahl genügend hoher Geschwindigkeit
projiziert, so daß eine induzierte Leitfähigkeit hervorgerufen wird. Die gegenüberliegende Seite der
Fangelektrode wird mit einem Elektronenstrahl langsamer Geschwindigkeit abgetastet, wobei die auf
der Fangelektrode durch das Elektronenbild erzeugte Ladungsverteilung im wesentlichen auf ein Gleichgewichtspotential
ausgeglichen wird, um die für das Fernsehen geeigneten Bildsignale zu erzeugen. Die
obenerwähnte Nacheilung offenbart sich dadurch, daß eine merkliche Zeit vergeht, bevor die Ladungen
auf der Oberfläche der Fangelektrode auf ihren Gleichgewichtswert zurückgeführt werden. Beispielsweise
kann bei einer festen Schicht von einer Stärke von 0,5 μ die Nacheilung mehrere Sekunden andauern.
Dies ist ein unerwünschter Faktor. Aus diesem Grunde wurde es bislang für notwendig angesehen,
die Materialschicht dünn zu halten (beispielsweise in der obenerwähnten Stärke), damit sie
den erwünschten Effekt der induzierten Leitfähigkeit Elektronenentladungsvorrichtung,
insbesondere FemsehaufnahmeröhreAll previous devices have in common that the collecting electrodes are built up with solid, tightly packed layers made of the material which has the property of induced conductivity. Such collecting electrodes, however, have an undesirable "lag". For example, in one of the electron discharge devices disclosed in the above-mentioned patent, an electron image is projected onto one side of the target electrode by a beam at a sufficiently high speed so that an induced conductivity is produced. The opposite side of the target electrode is scanned with a slow speed electron beam, the charge distribution generated on the target electrode by the electron image being substantially equalized to an equilibrium potential in order to produce the image signals suitable for television. The above-mentioned lag is manifested in the fact that a noticeable time elapses before the charges on the surface of the target electrode are returned to their equilibrium value. For example, in the case of a solid layer with a thickness of 0.5 μ, the lag can last for several seconds. This is an undesirable factor. For this reason, it has heretofore been considered necessary to keep the material layer thin (for example in the above-mentioned thickness) in order to have the desired effect of the induced conductivity electron discharge device,
especially TV recording tube
Anmelder:Applicant:
Electric & Musical Industries Limited,Electric & Musical Industries Limited,
Hayes, Middlesex (Großbritannien)Hayes, Middlesex (Great Britain)
Vertreter:Representative:
Dr. K. R. Eikenberg, Patentanwalt,Dr. K. R. Eikenberg, patent attorney,
Hannover, Am Klagesmarkt 10/11Hanover, Am Klagesmarkt 10/11
Als Erfinder benannt:Named as inventor:
James Alec Lodge, Ealing, London,James Alec Lodge, Ealing, London,
Reginald Sidney Webley, Hayes, MiddlesexReginald Sidney Webley, Hayes, Middlesex
(Großbritannien)(Great Britain)
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 7. Februar 1957
und 27. Januar 1958 (Nr. 4225)Claimed priority:
Great Britain 7 February 1957
and January 27, 1958 (No. 4225)
bei einer geeigneten Arbeitsspannung zeigt. Die obenerwähnte Nacheilung kann dadurch verursacht sein, daß die Nacheilung eine Eigenschaft des Materials selbst ist und/oder daß die Schicht so dünn ist, daß die Kapazität über die Schicht notwendigerweise groß ist.shows at a suitable working voltage. The lag mentioned above can be caused by that the lag is a property of the material itself and / or that the layer is so thin that the capacity across the layer is necessarily large.
Die Nacheilung der die Eigenschaft der induzierten Leitfähigkeit besitzenden Schicht wird vermindert, wenn erfindungsgemäß die Schicht aus lose gepackten Materialteilchen zusammengesetzt ist.The lag of the layer possessing the property of induced conductivity is reduced, when according to the invention the layer is composed of loosely packed material particles.
Zur Herstellung einer solchen Schicht wird zweckmäßig das Material in einer Gasatmosphäre auf den Fangschirm aufgedampft, wobei vorzugsweise die mittlere freie Weglänge der verdampften Materialteilchen geringer gehalten wird als der Gesamtweg, den diese Teilchen in dem Gas zurücklegen.To produce such a layer, the material is expediently applied to the in a gas atmosphere Evaporated catch screen, preferably the mean free path of the evaporated material particles is kept less than the total path that these particles travel in the gas.
Die Stärke der lose gepackten Schicht kann 2 bis μ betragen. Als Material für eine solche Schicht hat sich rotes Antimontrisulfid als sehr geeignet erwiesen. Dieses Material, das als Fotoleiter bei Fernsehaufnahmeröhren mit fotoleitenden Fangschirmen, z. B. der Vidiconröhre, bekannt ist, wurde für Fang-The thickness of the loosely packed layer can be 2 to μ. As a material for such a layer red antimony trisulfide has proven to be very suitable. This material, which acts as a photoconductor in television pick-up tubes with photoconductive umbrella, e.g. B. the vidicon tube, is known, was used for catching
309 807/314309 807/314
3 43 4
schirme, die die Eigenschaft der induzierten Leit- auf das Potential der Schicht 3 gehalten wird. Die fähigkeit besitzen, bisher noch nicht in Vorschlag ge- beschleunigten Elektronen gehen durch die Schicht 3 bracIlt· hindurch und treten in die Schicht 4 ein. Dabei neh-Im weiteren Verfolg kann der Fangschirm mehrere men die Elementargebiete der Schicht 4 verschiedene lose gepackte Schichten enthalten. Auch kann die 5 Leitfähigkeiten an, und zwar in Abhängigkeit von Anordnung so getroffen sein, daß die Schicht eine der Intensität der entsprechenden Gebiete des Elek-Stärke von 2 bis 3 μ besitzt. Dabei können die tronenbildes, welche ihrerseits wiederum von der festen Schichten aus dem gleichen Material bestehen Belichtung der entsprechenden Elementargebiete des wie die lose gepackte Schicht oder auch aus davon optischen Bildes abhängen. Dies ergibt ein Ladungsverschiedenem Material. io muster auf derjenigen Oberfläche der Schicht 4, die Weitere Einzelheiten werden in Ausführungs- zum Elektronenstrahlerzeuger hinweist, sowie einen beispielen an Hand der Zeichnungen näher er- Stromfluß durch die Schicht 4, der größer ist als der läutert. Dabei zeigt Strom der Bildelektronen, so daß eine Stromverstär-Fig. 1 die Anwendung der beschriebenen Schicht kung auftritt. Die genannte Oberfläche der Schicht 4 bei einer Fernsehaufnahmeröhre, 15 wird durch einen Elektronenstrahl aus dem Elek-Fig. 2 im vergrößerten Maßstab eine Modi- tronenstrahlerzeuger abgetastet, wodurch die erfikation des Fangschirmes der Vorrichtung nach wähnten Elementargebiete wieder auf üir Gleich-Fig-1-gewichtspotential gebracht werden. Der Strahl aus Die in F i g. 1 gezeigte Fernsehaufnahmeröhre der Kathode 9 tastet die Oberfläche des Fangschirmes entspricht in ihrem allgemeinen Aufbau der Fig. 3 20 in Gegenwart eines logitudinalen Magnetfeldes ab, der bereits erwähnten deutschen Patentschrift welches durch eine Solenoidspule 15 erzeugt wird, so 941545, ist jedoch innerhalb ihrer evakuierten daß der Abtaststrahl auf der Fangelektrode im w&- Hülle 1 mit einem beschriebenen Fangschirm ver- sentlichen senkrecht zur Abtastbewegung auftrifft, sehen. Dieser Fangschirm enthält ein leitendes Das Gleichgewichtspotential der Fangeleköode Netz 2, welches beispielsweise 240 Zwischenräume 25 entspricht im wesentlichen dem Potential der Kapro Zentimeter besitzt. Auf diesem Netz ist eine thode 9. Bei der vorangehend beschriebenen Ausdünne durchgehende Schicht 3 aus leitendem Ma- führungsform wird die leitende Schicht 3 auf einem terial, beispielsweise Aluminium, angebracht, welche positiven Potential von beispielsweise 100 V in bezug als Träger für eine durchgehende Schicht 4 aus einem auf die Kathode 9 gehalten, so daß ein positives Material dient, das beim Bombardieren mit Elek- 30 Ladungsbild auf der abgetasteten Oberfläche der tronen die Eigenschaft der induzierten Leitfähigkeit Schicht 4 erzeugt wird. Dieses positive iil i Di Shih 3 k i idi bk id d bhshields, which the property of induced conductive on the potential of the layer 3 is kept. The ability to possess, not yet in overall proposal accelerated electrons pass through the layer 3 bracIlt · through and enter the layer. 4 In the following, the safety screen can contain several layers of the elementary areas of the layer 4, different loosely packed layers. The 5 conductivities can also be selected, depending on the arrangement, in such a way that the layer has an intensity of 2 to 3 μ with the intensity of the corresponding areas of the electrical power. The tron images, which in turn consist of the solid layers made of the same material, can depend on the exposure of the corresponding elementary areas of the loosely packed layer or on the optical image thereof. This gives a different charge material. io pattern on that surface of the layer 4, which further details are referred to in the embodiment for the electron beam generator, as well as an example with reference to the drawings more detailed current flow through the layer 4, which is greater than the clarifies. The current of the image electrons shows, so that a current amplifier Fig. 1 the application of the stratification described occurs. Said surface of the layer 4 in the case of a television pick-up tube, 15 is activated by an electron beam from the electronics. 2 a sampled Modi tronenstrahlerzeuger on an enlarged scale, whereby the erfikation be made of the capture screen of the device according to mentioned elementary regions back to Fig üir DC-1-equilibrium potential. The ray from the in FIG. 1 shown television tube of the cathode 9 scans the surface of the protective screen corresponds in its general structure to Fig. 3 20 in the presence of a longitudinal magnetic field, the already mentioned German patent which is generated by a solenoid coil 15, so 941545, but is within its evacuated that the scanning beam impinges on the target electrode in the w & - shell 1 with a described protective screen substantially perpendicular to the scanning movement, see. This catch screen contains a conductive The equilibrium potential of the catch code network 2, which, for example, has 240 spaces 25 essentially the potential of the Kapro centimeters. On this network is a method 9. In the case of the thinning continuous layer 3 of conductive dimensions described above, the conductive layer 3 is applied to a material, for example aluminum, which has a positive potential of 100 V for example as a carrier for a continuous layer 4 from a held onto the cathode 9, so that a positive material is used, which when bombarded with electrons produces the property of the induced conductivity layer 4 on the scanned surface of the electrons. This positive ii l i Di Shih 3 ki idi bk id d bh
g p g gp g
zeigt. Die Schicht 3 kann in irgendeiner bekannten wird dann durch den Abtaststrahl von niedriger Ge-shows. The layer 3 can then be in any known manner by the scanning beam of low ge
Weise hergestellt sein, beispielsweise dadurch, daß schwindigkeit entladen. Das Entladen der Elementar-Wise made, for example, that speed unload. The unloading of the elementary
zunächst auf der Oberfläche des Netzes 2 ein KoI- gebiete der abgetasteten Oberfläche erzeugt die BiId-first on the surface of the network 2 a KoI area of the scanned surface generates the image
lodiumfilm gebildet und dann Aluminium auf diesen 35 signale über einen Widerstand 16, der mit der leiten-iodium film is formed and then aluminum on these 35 signals via a resistor 16, which is connected to the conductive
Kollodiumfilm aufgedampft wird, worauf schließlich den Schicht 3 verbunden ist. Die erforderlichen Po-Collodion film is evaporated, whereupon the layer 3 is finally connected. The required po-
der Kollodiumfilm durch Erhitzen entfernt wird. tentiale für die Elektroden 9, 10, 11, 12 und 13 kön-the collodion film is removed by heating. potentials for electrodes 9, 10, 11, 12 and 13
An dem einen Ende der Hülle 1 ist eine foto- nen von einer Quelle 17 abgenommen werden, überAt one end of the sheath 1 a photon can be taken from a source 17 over
elektrische Kathode 5 im Kontakt mit einer trans- die ein Potentiometer 18 gelegt ist, an dessen zahl-electrical cathode 5 in contact with a trans- which a potentiometer 18 is placed, on the number of
parenten leitenden Elektrode 6 angeordnet. Mit die- 40 reiche Abgriffe die Elektroden angeschlossen sind,Parent conductive electrode 6 arranged. With the 40 rich taps the electrodes are connected,
ser Einrichtung wird ein optisches Bild eines Gegen- Die Kathode 9 wird auf Erdpotential gehalten, dieThis device is an optical image of a counter- The cathode 9 is kept at ground potential, the
Standes, das von einem (in der Zeichnung nur an- Kathodenabschirmung 10 auf einem negativen Po-Stand, which is from a (in the drawing only an- cathode shield 10 on a negative po-
gedeuteten) Linsensystem auf die Kathode 5 pro- tential in bezug auf Erde, die Beschleunigungs-interpreted) lens system on the cathode 5 potential with respect to earth, the acceleration
jiziert wird, übertragen. Durch das optische Bild elektrode 11 auf einem positiven Potential in bezugis projected, transmitted. Through the optical image electrode 11 at a positive potential with respect to
werden aus der Kathode 5 Fotoelektronen freigesetzt, 45 auf die Kathode 9, die Wandanode 12 auf einem5 photoelectrons are released from the cathode, 45 on the cathode 9, the wall anode 12 on one
die mittels einer Elektrode 7 gegen die Fangelektrode hohen positiven Potential in bezug auf die Kathode 9the high positive potential with respect to the cathode 9 by means of an electrode 7 against the collecting electrode
beschleunigt und mittels einer Fokussierspule 8 und die Verzögerungselektrode 13 auf einem etwasaccelerated and by means of a focusing coil 8 and the deceleration electrode 13 on a something
fokussiert werden. In dem Beispiel der Fig. 1 wer- geringeren positiven Potential als die Wandanode 12.be focused. In the example in FIG. 1, there are lower positive potentials than the wall anode 12.
den die Fotoelektronen durch das Netz 2 und durch Die Schicht 4 ist eine poröse Schicht, die auswhich the photoelectrons pass through the network 2 and through The layer 4 is a porous layer made up of
die dünne, durchgehende Schicht 3 des leitenden Ma- 50 locker gepackten Partikeln zusammengesetzt ist. Einthe thin, continuous layer 3 of the conductive male 50 is composed of loosely packed particles. A
terials hindurch auf die Schicht 4 geworfen. geeignetes Material, aus dem die Schicht 4 gebildetterials thrown through onto layer 4. suitable material from which the layer 4 is formed
Die Oberfläche der Schicht 4 auf der der Foto- werden kann, ist rotes Antimontrisulfid. Zum BildenThe surface of layer 4 on which the photo can be taken is red antimony trisulfide. To educate
kathode abgelegenen Seite ist so eingerichtet, daß sie der porösen Schicht wird das Antimontrisulfid unterThe cathode remote side is set up so that the antimony trisulfide is underneath the porous layer
von einem Elektronenstrahl niedriger Geschwindig- geringem Gasdruck auf die leitende Schicht 3 auf-from a low speed electron beam low gas pressure onto the conductive layer 3
keit abgetastet werden kann. Dieser Elektronenstrahl 55 gedampft. Das Gas kann Luft, Argon, Xenon odercan be scanned. This electron beam 55 is vaporized. The gas can be air, argon, or xenon
niedriger Geschwindigkeit wird in einem Elektronen- ein anderes geeignetes Gas sein. Der Gasdruck kannlow velocity will be another suitable gas in an electron. The gas pressure can
strahlerzeuger erzeugt, der eine Kathode 9, eine Ka- beispielsweise 0,3 Torr bei Verwendung von Xenongenerated jet generator that has a cathode 9, a Ka- for example 0.3 Torr when using xenon
thodenabschirmung 10 und eine Beschleunigungs- sein, es kann jedoch auch ein höherer Gasdruck vonmethod shield 10 and an acceleration, but it can also be a higher gas pressure of
elektrode 11 enthält. Der Elektronenstrahl wird beispielsweise 1 Torr oder mehr verwendet werden,electrode 11 includes. The electron beam will be used, for example, 1 Torr or more,
durch eine Wandanode 12 beschleunigt und dann 60 Die mittlere freie Weglänge der verdampften Teil-accelerated by a wall anode 12 and then 60 The mean free path of the evaporated partial
durch eine Verzögerungselektrode 13 verzögert. Da- chen in dem Gas soll merklich geringer sein als diedelayed by a delay electrode 13. The data in the gas should be noticeably less than that
mit der Elektronenstrahl die Oberfläche der Schicht 4 Entfernung, über die der Verdampfungsvorgangwith the electron beam the surface of the layer 4 removal over which the evaporation process
abtasten kann, sind Abtastspulen 14 vorgesehen. stattfindet. Beispielsweise kann zur Erzeugung einercan scan, scanning coils 14 are provided. takes place. For example, to generate a
Die aus der Fotokathode 5 austretenden Foto- Schichtfläche von 1 cm2 die mittlere freie WeglängeThe photographic layer area of 1 cm 2 emerging from the photocathode 5 is the mean free path
elektronen werden auf eine geeignet hohe Geschwin- 65 0,01 cm betragen, während die Verdampfungsquelleelectrons will be at a suitably high velocity 65 0.01 cm while the evaporation source
digkeit beschleunigt, indem die Elektrode 6 auf einem in einer Entfernung von 1 cm von dem FangschirmSpeed is accelerated by placing the electrode 6 on one at a distance of 1 cm from the catch screen
geeigneten negativen Potential und die Elektrode 7 angeordnet ist. Die poröse Schicht kann eine Stärkesuitable negative potential and the electrode 7 is arranged. The porous layer can be a thickness
auf einem geeigneten positiven Potential in bezug von mehr als 0,5 μ aufweisen. Es wurde gefunden,have a suitable positive potential with respect to more than 0.5 μ. It was found,
daß bei einer Stärke der Schicht von 2 bis 3 μ die Nacheilung etwa Ve Sekunde oder weniger beträgt.that with a thickness of the layer of 2 to 3 μ the lag is about Ve seconds or less.
Mitunter kann das Verstärkungsmaß einer porösen Schicht geringer sein als das Verstärkungsmaß einer festen Schicht von gleicher Dicke. Jedoch liegt bei 5 einer festen Schicht von beispielsweise 0,5 μ die Geschwindigkeit des Elektronenstroms, der zum Erzeugen einer induzierten Leitfähigkeit mit maximaler Verstärkung benötgt wird, in der Größenordnung von etwa 12 kV und bei einer Stärke von 2 μ sogar in der Größenordnung von etwa 24 kV. Demgegenüber tritt mit einer porösen Schicht von 0,5 μ Stärke die maximale Verstärkung bei einer Elektronengeschwindigkeit von 3 kV auf, wobei allerdings das Verstärkungsmaß noch sehr gering ist. Es wurde jedoch gefunden, daß bei einer porösen Antimontrisulfidschicht von 2 μ Stärke eine Elektronengeschwindigkeit von 7 kV etwa eine zehnfache Verstärkung hervorruft.Sometimes the degree of reinforcement of a porous layer can be less than the degree of reinforcement of a solid layer of the same thickness. However, with a solid layer of, for example, 0.5 μ, the speed of the electron current that is required to generate an induced conductivity with maximum amplification is of the order of about 12 kV and, with a thickness of 2 μ, even of the order of about 24 kV. In contrast, with a porous layer 0.5μ thick, the maximum gain occurs at an electron speed of 3 kV, although the gain is still very low. It has been found, however, that with a porous antimony trisulfide layer 2μ thick, an electron velocity of 7 kV causes about a ten-fold gain.
Bei einer porösen Schicht wird die Dielektrizitätkonstante der Schicht vermindert mit dem Ergebnis, daß für die gleiche Schichtdicke die Kapazität über die Schicht im Vergleich zu der einen festen Schicht herabgesetzt wird. Auf diese Weise wird lediglich durch Ersatz der festen Schicht durch eine poröse Schicht der gleichen Stärke die durch die Kapazität hervorgerufene Nacheilung gleichermaßen vermindert. Es wurde gefunden, daß bei einer porösen Schicht aus Antimontrisulfid von etwa 2 μ Stärke die Gesamtnacheilung nicht die kapazitive Nacheilung überschreitet. In the case of a porous layer, the dielectric constant of the layer is reduced with the result: that for the same layer thickness the capacitance across the layer compared to the one solid layer is reduced. In this way it is only possible to replace the solid layer with a porous one Layer of the same thickness also reduces the lag caused by the capacitance. It was found that with a porous layer of antimony trisulfide about 2 μ thick, the overall lag does not exceed the capacitive lag.
An Stelle von Antimontrisulfid sind auch andere Stoffe zum Aufbau der Schicht geeignet, beispielsweise Arsentrisulfid, Siliziummonoxyd, Siliziumdioxyd, Magnesiumfluorid, Calciumfiuorid und Zinksulfid. Diese Stoffe können ebenfalls in poröser Form aufgebracht werden.Instead of antimony trisulfide, other substances are also suitable for building up the layer, for example Arsenic trisulfide, silicon monoxide, silicon dioxide, magnesium fluoride, calcium fluoride and zinc sulfide. These substances can also be applied in porous form.
Falls es gewünscht wird, kann in der in Fig. 2 gezeigten Weise nach dem Aufbringen der Schicht 4 eine dünnere feste Schicht 20 aus einem Material, das beim Bombardieren die Eigenschaft der induzierten Leitfähigkeit zeigt, auf der Schicht 4 angeordnet werden. Diese feste Schicht 20 ist dabei so angebracht, daß sie in Richtung des Abtaststrahles weist. Sie kann durch Verdampfen des Materials im Vakuum erzeugt werden. Falls es gewünscht wird, kann auch vor dem Niederschlagen der porösen Schicht 4 zunächst eine feste Schicht auf dem leitenden Netz 3 niedergeschlagen werden. Weiterhin kann auch an Stelle von oder zusätzlich zu einer oder verschiedenen der zusätzlichen festen Schichten eine solche Schicht verwendet werden, die die poröse Schicht auf beiden Seiten aufweist. Die feste Schicht oder die festen Schichten können sehr dünn sein, beispielsweise von 0,1 μ Stärke, weiterhin können sie aus dem gleichen Material wie die poröse Schicht gebildet sein oder aber aus davon verschiedenem Material.If so desired, after the application of the layer 4, in the manner shown in FIG a thinner solid layer 20 made of a material which, when bombarded, has the property of being induced Conductivity shows, can be arranged on the layer 4. This solid layer 20 is attached so that that it points in the direction of the scanning beam. It can be made by evaporating the material in the Vacuum can be generated. If desired, it can also be used before depositing the porous Layer 4 first a solid layer is deposited on the conductive mesh 3. Furthermore can also in place of or in addition to one or several of the additional solid layers such a layer can be used which has the porous layer on both sides. The solid layer or the solid layers can be very thin, for example 0.1 μ thick, they can also be formed from the same material as the porous layer or from a different material.
Claims (7)
Deutsche Patentschrift Nr. 941545;
deutsche Patentanmeldung ρ 48131 Villa/21a1 (bekanntgemacht am 15. 3.1951);Considered publications:
German Patent No. 941545;
German patent application ρ 48131 Villa / 21a 1 (published on 15.3.1951);
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