DE2248252A1 - METHOD AND DEVICE FOR DEVELOPING ELECTROSTATIC IMAGES - Google Patents

METHOD AND DEVICE FOR DEVELOPING ELECTROSTATIC IMAGES

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DE2248252A1
DE2248252A1 DE19722248252 DE2248252A DE2248252A1 DE 2248252 A1 DE2248252 A1 DE 2248252A1 DE 19722248252 DE19722248252 DE 19722248252 DE 2248252 A DE2248252 A DE 2248252A DE 2248252 A1 DE2248252 A1 DE 2248252A1
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dielectric constant
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particles
semiconductor
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DE19722248252
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Alwin Spencer Clements
Kenneth Archibald Metcalfe
Clive Westgarth Wilson
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Commonwealth of Australia
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Description

Beim Entwickeln elektrostatischer Bilder werden notwendigerweise markierend^ Partikel benutzt, die das Feld oder den Untergrund eines elektrostatischen Bildes entwickeln. Bekanntlich können diese Partikel in trockener Form vorliegen oder in einer Flüssigkeit suspendiert sein.When developing electrostatic images are necessarily marking ^ Particles used that form the field or the subsurface develop an electrostatic image. As is known, these particles can be in dry form or in a Be suspended in liquid.

Die Markierungspartikel müssen so auf die Oberfläche gebracht werden, daß sie sich entsprechend dem vorhandenen latenten Bild ablagern können, und dies gilt unabhängig davon,, ob sie in Form einer Pulverwolke vorliegen oder in Trägerpartikeln, die der. Teilchen eine triboelektrische Ladung erteilen, gehalten sind, oder ob sie in einer Flüssigkeit mit hohem elektrischen Widerstand suspendiert sind., so daß sie frei für die Ablagerung auf den -^iidflächenbereichen oder den bildfreien FlächenbereichenThe marking particles have to be brought onto the surface in this way that they can be deposited according to the existing latent image, and this applies regardless of whether they are in shape a powder cloud or in carrier particles, which the. Particles give a triboelectric charge, are held, or whether they are suspended in a liquid of high electrical resistance, leaving them free for deposition the - ^ iid surface areas or the non-image areas

verfügbar sind.Are available.

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Gewisse Fortschritte in der Technik haben das durch. .Entwickler erreichbare Auflösungsvermögen erheblich verbessert und dies gilt besonders in Bezug auf die Entwickler, die heute allgemein als flüssige Entwickler bezeichnet werden, also auf Entwickler, in denen die Markierungspartikel in einer Trägerflüssigkeit suspendiert sind, die einen elektrischen Widerstand von vorzugsxveise mehr als 10 Ohm.Centimeter und eine Dielektrizitätskonstante von weniger als 3 hat; die Teilchen werden vorzugsweise dadurch gesteuert, daß ein Netzmedium für die oder auf den Teilchen oder ein an den Teilchen angebrachtes Medium zur Steuerung der Partikelbewegung- benutzt wird bzw. werden.Certain advances in technology have made it through. .Developer achievable resolution improves considerably and this is especially true with regard to the developers working today in general are referred to as liquid developers, i.e. developers in which the marking particles are in a carrier liquid are suspended, which has an electrical resistance of preferably more than 10 Ohm.Centimeter and a dielectric constant of less than 3; the particles become preferably controlled by having a wetting medium for or on the particles or a medium attached to the particles to control the particle movement is or are used.

Es ist ebenfalls bekannt, daß das Verhalten von Teilchen in einer isolierenden Flüssigkeit sich in erheblichem Maße nach der Isoliereigenschaft der Teilchen verändert und daß so beispielsweise Teilchen, die leicht polarisierbar sind, das Bestreben haben, nach unten auf eine Oberfläche zu gehen, die aber dann zurückgeworfen werden, werra eine erneute Polarisation der Teilchen infolge des Kontaktes ,.rtattf indet; es kann durch Vorführung nachgewiesen werden, daß isolierende Teilchen normalerweise eine Ladung in einer Flüssigkeit haben, die eine Eigenladung sein kann, die aber verhältnismäßig zäh an den Teilchen infolge·der Unfähigkeit der Teilchen zur leichten Freigabe der Ladung gehalten werden. Daher haben isolierende Teilchen das Bestreben, wenn sie nach unten auf eine Fläche ees latenten Bildes gezogen \*erden, selbst an der Fläche viel dauerhafter zu haften, als es leitfähige Teilchen täten.It is also known that the behavior of particles in an insulating liquid varies significantly the insulating property of the particles changed and that so for example Particles that are easily polarizable tend to go down onto a surface that but then be thrown back, there will be a new polarization of the particles as a result of contact, .rtattf indet; it can go through Demonstration demonstrated that insulating particles normally have a charge in a liquid, which can be an intrinsic charge, but which is relatively viscous to the Particles are held due to the inability of the particles to easily release the charge. Therefore have insulating Particles endeavor when they are drawn down onto a surface of a latent image, even on the surface a lot to adhere more permanently than conductive particles would.

Es zeigt sich also, daß isolierende Teilchen auf einer Oberfläche niedergehen, weil das Vorzeichen ihrer Ladung der Ladung der Oberfläche entgegengesetzt ist, von der sie angezogen werden; sie werden auf dieser Fläche so lange gehalten, wie die relativen Polaritäten auf den Teilchen einerseits,auf de.r Oberfläche andererseits bestehen, doch wird, zwischen cüiasea Teilchen und der Oberfläche ein Austausch, stattfinde/ ,. der möglicherweise die Kräfte vermindert, durch die die Teilchen an derIt turns out that insulating particles fall on a surface because the sign of their charge is opposite to that of the surface to which they are attracted; they are held on this surface so long as the relative polarities on the particles on the one hand, on the other hand consist de.r surface, but is between cüiasea particles and the surface of an exchange that takes place /. which possibly reduces the forces by which the particles at the

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Oberfläche gehalten sind, und die Teilchen können dann -won der Oberfläche entkoSen, sofern sie nicht durch andere Hititel gehalten sind.Surface are held, and the particles can then-won the Dispose of the surface unless it is held by other hit titles are.

Wenn es sich andererseits um stärker leitfähige Teilchen handelt, die leichter Ladungen mit einer Oberfläche auszutauschen vermögen, wird ein Teilchen der einen Polarität dann, wenn es sich, zu einer Oberfläche entgegengesetzter Polarität bewegt Tbzw. dort anlangt, leicht Ladungen austauschen,und dies führt zu einea Abstoßen der leitfähigeren Teilchen unter einer recht hohen Rate, und sie werden wegen ihrer dann geänderten Polarität das Bestreiken haben, zu einem· entgegengesetzten Pol zu gehen v wo genau der gleiche Wechsel oder Austausch stattfindet, so daß solche Teilchen sich zwischen Flächenbereichen entgegengesetzter Polarität hin- und herbewegen.If, on the other hand, it is a question of more conductive particles, which are able to exchange charges with a surface more easily, a particle of one polarity will, if it moves to a surface of opposite polarity, T or. gets there, easily exchange charges, and this leads to a repulsion of the more conductive particles at a rather high rate, and because of their then changed polarity they will have the stricter to go to an opposite pole v where exactly the same change or exchange takes place so that such particles move back and forth between areas of opposite polarity.

Somit ist durch Auswahl von Teilchen der verlangten Dielektrizitätskonstanten eine ziemlich ausgedehnte Steuerung des Verhaltens des Entwicklers möglich. Es ist beispielsweise dort, wo gesteuerte Entwickler benutzt werden, üblich, ein ■verhältnismäßig isolierendes Medium auf der Oberfläche leitiähigerer Pigmentteilchen dazu zu benutzen, das Verhalten der Pigmentteilchen in einem elektrischen Feld zu steuern. Dieser T$j) eines Entwicklers wird, allgemein als "gesteuerter " Entwickler-!bezeichnet; solche Entwickler erlauben höhere Auflösungsvermögen und geringere Untergrundverschmutzung wegen des gleichförmigeren Niederschlags.Thus, by selecting particles of the required dielectric constant, quite extensive control over the behavior of the developer is possible. For example, where controlled developers are used, it is common to use a relatively insulating medium on the surface of more conductive pigment particles to control the behavior of the pigment particles in an electric field. This T $ j) of a developer is commonly referred to as a "controlled" developer! such developers allow higher resolution and less background pollution because of the more uniform precipitation.

Ein weiteres Problem in Verbindung mit der Technik der Entwicklung elektrostatischer Bilder liegt darin, daß die Oberflächen von Fotoleitern, die mit einem Bild versehen werden Müssen,zuerst im Dunkeln aufgeladen werden müssen, wonach die Ladung dann durch eine Belichtung mit Licht, Röntgenstrahlen oder dergl. bildgemäß modifiziert werden kann. Das Licht, die BiSntgenstrahlen oder eine andere elektromagnetische Welle bewirken, daß das Fo-Another problem related to the technique of development Electrostatic imaging is that the surfaces of photoconductors that must be imaged first must be charged in the dark, after which the charge is then exposed to light, X-rays or the like. can be modified according to the image. The light, the X-rays or another electromagnetic wave that causes the fo-

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toleitermedium leitfähig wird und daß somit die Ladungen von den so belichteten Stellen abfließen und ein Bild auf den übrigen Flächenbereichen hinterlassen, auf denen die elektromagnetischen Wellen nicht einen Abfluß der Ladung bewirkt haben.Conductive medium becomes conductive and that the charges thus flow away from the areas exposed in this way and an image on the rest Leave areas where the electromagnetic waves have not caused the charge to drain.

Durch die Anmelder ist vorgeschlagen worden, eine Entwicklung ohne besonderen vorherigen Aufladungsvorgang zu bewirken, denn es ist äußerst schwierig und kostspielig, eine Vorrichtung zum Erzielen einer gleichförmigen Aufladung zu schaffen.A development has been proposed by the applicants without effecting a special prior charging process, because it is extremely difficult and expensive to have a device for Achieve a uniform charge.

Eine der größten Schwierigkeiten zur Erzielung einer gleichförmigen Aufladung besteht darin, daß die Koronavorrichtung oder eine andere Aufladevorrichtung das Bestreben hat, auf einigen Flächenbereichen der Fotoleiteroberfläche wirksamer zu sein als auf anderen, und zwar teilweise infolge von Unregelmäßigkeiten in der Oberfläche und teilweise infolge einer seitlichen Strömung, die stattfinden kann, wenn eine ungleichmäßige Ladung zufolge der etwas ziellosen Bewegung der Teilchen in den üblichen Aufladungsverfaliren stattfindet.One of the greatest difficulties in achieving a uniform Charging is that the corona device or other charging device tends to work on some Area areas of the photoconductor surface to be more effective than on others, partly as a result of irregularities in the surface and partly as a result of a sideways flow that can take place when there is an uneven charge the somewhat aimless movement of the particles takes place in the usual charging processes.

Obgleich das Aufladen den Aufbau einer verhältnismäßig hohen Spannung auf einer Isolatorfläche gestattet, die ein Fotoleitermedium enthält, oder von einem Fotoleitermediuzi gebildet ist, ist zu berücksichtigen, daß diese höhere Ladung, auch wenn sie dank ihrer Größe durch Markierungspartikel leichter entwickelt v/erden kann, Unregelmäßigkeiten zufolge der erwähnten Effekte unterworfen ist; da außerdem das Ableiten der Ladung und ein seitlicher Fluß (Strömung) zwischen der Seit der Erzeugung des Bildes und der Anwendung des Entwicklers eintreten kann,treten in den Systemen, die das Aufladen einer Isolatorfläche benutzen, bekanntlich bestimmte Defekte auf.Although the charging builds up a relatively high Voltage on an insulator surface that contains a photoconductive medium or is formed by a photoconductive medium, It should be borne in mind that this higher charge, even if thanks to its size, is more easily developed by marking particles v / ground, is subject to irregularities as a result of the effects mentioned; there is also the discharge of the charge and a lateral flow (flow) can occur between the time the image is created and the developer is applied It is known to have certain defects in the systems that use the charging of an insulator surface.

Eine Aufgabe der Erfindung besteht in der Angabe einer verbesserten Entwicklungsform, in der es des Aufladens nicht bedarf und worin nicht notwendigerweise fotoleitfähige Oberflächen benutzt werden müssen, worin vielmehr ein Bild durch ModifizierenIt is an object of the invention to provide an improved Form of development in which it does not require charging and in which does not necessarily use photoconductive surfaces must be, in which rather an image by modifying it

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einer Halbleiteroberfläche mittels gemusterter elektronagnetischer Wellen erzeugt und dann das so erzeugte Bild entwickelt
wird.
a semiconductor surface is generated by means of patterned electronic magnetic waves, and then the image thus generated is developed
will.

Obgleich, es bisher möglich war, solche Bilder durch die heute
verfügbaren sehr empfindlichen flüssigen Entwickler zu entwikkein, hatfcedas Bild dennoch eine geringere Dichte; eine weitere Aufgabe der Erfindung liegt daher darin, ein Verfahren anzugeben, in dem die Dichte der Entwicklung vergrößert werden kann, ohne daß die Oberfläche vor dem Entwicklungsvorgang aufgeladen werden muß.
Although, it was previously possible to take such pictures through today
To develop the available very sensitive liquid developer, the image will still have a lower density; A further object of the invention is therefore to provide a method in which the density of the development can be increased without the surface having to be charged prior to the development process.

Die Ziele der Erfindung werden dadurch erreicht, daß von den unterschiedlichen Eigenschaften eines verhältnismäßig isolierenden Mediums oder Toners in Bezug auf verhältnismäßig leitfähige Tonerpartikel oder Partikel mit einer anderei? Dielektrizitätskonstanten gemacht wird, indem nämlich wenigstens zwei in ihren dielektrischen Eigenschaften variierende Materialien verwendet
werden, die die elektrisch isolierende Flüssigkeit und die markierenden Partikel sein können, und in dem die Partikel dazu
gebracht werden, sich x^ährend zweier getrennter Verfahrensstufen abzulagern; diese Stufest bestehen darin, daß eine erste
nnd dann eine entgegengesetzt gerichtete Vorspannung an die
Oberfläche gelegt.wird, die ein dielektrisches Bild enthält,das durch Belichtung mittels elektromagnetischer Wellen oder durch Druck oder durch thermische Gradienten verursacht ist, während sich die genannte Oberfläche in Kontakt mit dem Entwickler befindet; ä-i-e erste Vorspannung wird so gewählt, daß das isolierendere Medium auf die Oberfläche (hinab) getrieben wird, während die leitfähigen Partikel an einer Bewegung zur Oberfläche gehindert werden. Dadurch wirkt der Isolator- insoweit als Steuermedium für weitere Entwicklung, alsdann , wenn die leitfähigere Substanz durch die entgegengesetzte Spannung abwärts auf
die Oberfläche zu getrieben wird, die schon in ihrer Lage befindliche Substanz als eine dielektrische Steuerung wirktQ
The objects of the invention are achieved in that of the different properties of a relatively insulating medium or toner with respect to relatively conductive toner particles or particles with a differenti? Dielectric constant is made by using at least two materials which vary in their dielectric properties
which can be the electrically insulating liquid and the marking particles, and in which the particles are added
be brought to deposit during two separate stages of the process; this stage consists in the fact that a first
and then an oppositely directed bias to the
A surface containing a dielectric image caused by exposure to electromagnetic waves or pressure or thermal gradients while said surface is in contact with the developer; ä-i- e first bias voltage is chosen so that the more insulating medium is driven onto the surface (down) while the conductive particles are prevented from moving towards the surface. As a result, the insulator acts as a control medium for further development when the more conductive substance acts downwards through the opposite voltage
the surface is driven, the substance already in place acts as a dielectric control Q

Wenn also eine fotoleitfähige Oberfläche oder eine Halbleiter»So if a photoconductive surface or a semiconductor »

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oberfläche, die in Dunkeln angepaßt und damit vorbereitet ist, einem Bild aus Licht oder einem Bild einer anderen elektromagnetischen Strahlung oder einem Bild aus Drücken oder einem thermischen Bild "unterworfen wird, wird die Dielektrizitätskonstante der Oberfläche selektiv in den von Licht getroffenen Flächenbereichen verändert, so daß ein Bild geschaffen wird; wenn jetzt ein Entwickler, der eine Substanz von niedriger Elektrizitätskonstanten und ferner Tonerpartikel, die eine höhere Elektrizität skonstante haben, enthält, in Kontakt mit der modifizierten Oberfläche gebracht.werden, ist es durch Anlegen einer Spannung einer bestimmten Polarität an eine Elektrode an der Oberfläche oder nahe der Oberfläche möglich, zuerst das isolierendere Medium auf die Oberfläche zu treiben, das dann auf der Oberfläche, auf der es abgelagert ist, verbleibt> worauf die Oberfläche ein verstärktes dielektrisches Muster trägt, das/ourcli das Material mit höherer Dielektrizitätskonstanten, nämlich mit dem Tonermaterial ,verstärkt wird.surface that is adapted and thus prepared in the dark, an image of light or an image of another electromagnetic Radiation or an image from pressures or a thermal image "is subjected to the dielectric constant selectively changing the surface in the areas struck by light to create an image; if now a developer containing a substance of low electricity constant and further contains toner particles having a higher electricity constant in contact with the modified one Surface, it is done by applying a voltage of a certain polarity to an electrode on the surface or near the surface, first the more insulating medium to drift onto the surface, which then remains on the surface on which it is deposited> whereupon the surface bears a reinforced dielectric pattern, the / ourcli the material with a higher dielectric constant, namely with the toner material , is amplified.

Im Falle "ladungsloser" Bilder gelangt man letztlich zu Ergebnissen wie jenen, die durch voraufgeladene Oberflächen erreicht werden können, jedoch mit der Besonderheit, daß da, wo keine Aufladung stattgefunden hat, die Wiedergabe schärfer (Definition), besser und etwaige Fehler weitgehender reduziert sind. Darüber hinaus wird dieses Bild auf einfachere Weise erhalten, weil die Gesamtheit des etwas schwierigen Aufladeverfahrens entfällt.In the case of "no-charge" images, one finally arrives at results like those reached through pre-charged surfaces can, but with the peculiarity that where no charging has taken place, the reproduction is sharper (definition), better and any errors are reduced to a greater extent. In addition, this image is obtained in an easier way because the The whole of the somewhat difficult charging process is omitted.

Die Erfindung wird anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert. Fig. 1 zeigt schaubildlich eine Basis 1, die auf sich eine Membran 2 trägt, die ihrerseits einen Halbleiterüberzug 3 aufweist. Der Fläclienbereich 4 ist mit Licht belichtet, während der Flächenbereich 5 dunkel gehalten ist, was dazu führt, daß der Flächenbereich U- eine höhere Dielektrizitätskonstante hat (leitfähiger ist) als der Flächenbereich 5· Die Walze oder der Koller 5 trägt auf sich einen Entwickler 7j der eine Kombination aus positiven Toi erpartikeln 8 mit einer Kompoomte 9 aiedrigegerer DielektriaitätskonstantBn wie etwa einem Με.:.1 a ist.The invention is explained in more detail with reference to the accompanying drawing. 1 shows a diagrammatic view of a base 1 which has a membrane 2 on it, which in turn has a semiconductor coating 3. The surface area 4 is exposed to light, while the surface area 5 is kept dark, which means that the surface area U- has a higher dielectric constant (is more conductive) than the surface area 5. The roller or roller 5 carries a developer 7j on it which is a combination of positive toy particles 8 with a compact 9 of a lower dielectric constant Bn such as a Με.:. 1 a is.

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Die negative Ladung auf dem Roller 6, der einen isolierenden Überzug hat, hält die positiven Partikel 6 an sich fest,doe!i erlaubt er den Teilchen mit niedrigerer Dielektrizitätskonstanten, nach unten gegen die Basiselektrode 1 zu auf diejenigen Flächenbereiche bezogen zu werden, wo der HalbleiterÜberzug seine Dielektrizitätskonstante so-"weit in den Leitfähigkeits— bereich gehoben hat, daß er die Komponenten 9 unten in diesen Flächenbereich halten kann, um so einen isolierenden Schirm oder Schild zu bilden. Im Flächenbereich 5 bleibt jedoch das Vorzeichen des Halbleiters erhalten und es findet keine Ablagerung statt, es sei denn, daß eine übergroße Spannung an die Valze oder den Eoller 6 angelegt wird«The negative charge on the roller 6, which has an insulating coating, holds the positive particles 6 in place , so it allows the particles with lower dielectric constant to be related downwards towards the base electrode 1 to those areas where the Semiconductor coating has raised its dielectric constant so far into the conductivity range that it can hold the components 9 below in this area in order to form an insulating screen no deposition takes place unless an excessive voltage is applied to the Valze or the Eoller 6 «

Fig. 2 zeigt schaubildlich, wie die Tonerteilchen 8 dann,wenn die Walze 6 wiederum über die Halbleiterfläche geführt wird, während jin die Walze eine positive Spannung gelegt ist, von dei* Walze 6/gezwungen werden, wenn sie sich über dem Halbleiter— Flächenbereich 5 befinden, da durch diese Anordnung ein Feld hindurchgreifen kann, wenn die Spannung genügend groß ist,doch. kann das Feld nicht durch die Isolatorschicht 9 greifen, die zuvor durch den Walzengang gemäß Fig. 1 abgelagert istjsomii; kann sich hier kein Toner ablagern.Fig. 2 shows diagrammatically how the toner particles 8 when the roller 6 is again guided over the semiconductor surface, while a positive voltage is applied to the roller, from which Roller 6 / be forced when it is above the semiconductor— Area 5 are located, as this arrangement creates a field can reach through if the tension is high enough, but. the field cannot reach through the insulator layer 9 which has previously been deposited by the roller train according to FIG. 1; no toner can deposit here.

Die erforderliche Spannung und die Polarität jedes einzelnen Entwicklerpartikels kann leicht durch Versuch festgestellt werden, doch werden weiter unten Beispiele als Leitschnür angegeben. The voltage required and the polarity of each developer particle can easily be determined by experiment but examples are given below as a guideline.

Die Erfindung wird bequemerweise mit Fotoleiterschichten auf einer Membran benutzt, doch kann, wie gesagt, ebenso ein HaIbleitermedium benutzt werden, so daß ein Unterschied besteht, je nachdem, ob die Flächenbereiche dieser Anordnung durch Licht; oder durch Röntgenstrahlen oder durch Druck oder durch thermische Effekte variiert werden, so daß eine unterschiedliche Ab-The invention is conveniently used with photoconductor layers on a membrane, but, as stated, it can also be used with a semiconductor medium are used, so that there is a difference, depending on whether the surface areas of this arrangement by light; or by X-rays or by pressure or by thermal Effects can be varied so that a different

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lagerung des Isolators beim ersten Überlauf der Walze zustande kommt und danach die Differenz oder Abweichung für den zweiten Überlauf der Walze verstärkt.Storage of the insulator comes about when the roller overflows the first time and then the difference or deviation for the second Reinforced overflow of the roller.

Das Verfahren erlaubt somit eine Vergrößerung des Differentials der Dielektrizitätskonstanten in den Bildflächenteilen und den bildfreien Flächenteilen; das Verfahren erlaubt eine intensive Ablagerung von Entwickler durch eine Wirkung, die als "verstärk« ter Differentialeffekt" bezeichnet v/erden kann.The method thus allows the differential to be increased the dielectric constant in the image area parts and the non-image area parts; the procedure allows an intensive Deposition of developer by what may be termed an "enhanced differential effect".

Durch unterschiedliche Spannungen wie auch Behandlungszeiten und Polaritäten ist eine Steuerung sowohl des ersten als auch des zweiten Ablagerungsvorganges in engen Grenzen möglich. Natürlich kann das Medium mit höherem Isolationswert, also das mit der niedrigeren Dielektrizitätskonstanten,eine feinverteilte Substanz, wie ein Harz, sein, das etwa zusammengemischt mit den Tonerteilchen in einer isolierenden Flüssigkeit verwendet wird.By different voltages as well as treatment times and polarities, a control of both the first and the second deposition process possible within narrow limits. Of course, the medium with a higher insulation value, i.e. the one with the lower dielectric constant, a finely divided substance, like a resin, roughly mixed together with the toner particles is used in an insulating liquid.

Wenn das Medium höheren Isolationswertes ein Harz oder dergleichen ist und wenn der Untergrund trotz der Ablagerung (vor allem in ersten Verfahrensschritt) nicht eingefärbt werden sol}., sollte das Medium farblos sein oder es könnte auch ein opakes Weiß in denjenigen Fällen sein, in denen die Fotoleiterbasis selbst farbempfindlich gemacht ist (dye-sensitised) , so daß die Farbe abgedeckt wird und sich ein weißer Untergrund ergibt.If the medium has a higher insulation value, a resin or the like and if the substrate should not be colored in spite of the deposition (especially in the first process step), should the medium could be colorless or it could also be an opaque white in those cases where the photoconductor base itself is color sensitive is made (dye-sensitized), so that the color is covered and a white background results.

In einer zusammenfassenden Betrachtung erkennt man, daß die Erfindung in der Verwendung eines ersten oder vorbereitenden Schrittes besteht, unter Anwendung einer entsprechenden Spannung, wodurch die leitfähigeren Tonerteilchen von der Halbleiteroberfläche abgehalten werden und dadurch dem isolierenderen M-edium die Möglichkeit gegeben ist, sich auf den belichteten Flächenteilen abzulagern, wobei als belichtete Flächenteile solche zu verstehen sind, die durch elektromagnetische Wellen oder durch Druck oder thermisch belichtet sind, die dann allgemein einen höheren dielektrischen Effekt zeigen j die Ablage-In a summarizing view it can be seen that the invention consists of using a first or preparatory step, applying an appropriate voltage, whereby the more conductive toner particles are kept away from the semiconductor surface and thereby the more insulating M-edium is given the opportunity to be deposited on the exposed parts of the surface, as exposed parts of the surface those are to be understood that are exposed by electromagnetic waves or by pressure or thermally, which are then generally a higher dielectric effect is shown by the

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rung findet dann infolge der Steuerung und Beeinflussung statt, die durch die Größe und die Dauer der ersten Vorspannung ausgeübt werden kann.tion then takes place as a result of the control and influencing by the size and duration of the first bias can be exercised.

Durch Steuerung der zweiten umgekehrt gepolten Vorspannung können die Tonerteilchen nach unten auf die Bildflächenbereiche gezwungen werden, jedoch nicht dort, wo die Isolator-· schicht abgelagert worden ist.By controlling the second reversed bias voltage, the toner particles can be directed down onto the image areas be forced, but not where the insulator layer has been deposited.

Die Erfindung benutzt also unterschiedliche Ablagerungen von isolierenden und weniger isolierenden Teilchen.The invention thus uses different deposits of insulating and less insulating particles.

Beispiele von Überzügen auf einer TrägermembranExamples of coatings on a carrier membrane

Elektrofotografische Überzüge können wie folgt geschaffen v/erden :
Überzug 1
Electrophotographic coatings can be created as follows:
About g 1

Mowital Polyvinyl-Butyral (B60H)Mowital polyvinyl butyral (B60H)

(Hoechst) 70 g(Hoechst) 70 g

Zinkoxyd, kolloidaler GradZinc oxide, colloidal grade

(Durham Chemicals) 350 g(Durham Chemicals) 350 g

Das Mowital wurde in 500 ml Aceton und 50 ml Methyläthyl» keton aufgenommen und in einer Kugelmühle mit dem Zinkoxyd vermählen. *The Mowital was dissolved in 500 ml of acetone and 50 ml of methyl ethyl » taken up ketone and ground in a ball mill with the zinc oxide. *

Dieser Überzug kann entweder auf Film, auf Metallunterläge oder auf Papier aufgetragen werden.This coating can either be on film or on metal substrates or applied to paper.

Überzug 2Cover 2

Isojordosol 4501/60, ein Alkydharz kurzer öllänge Jordan Chemicals) . 4-30 gIsojordosol 4501/60, a short oil length alkyd resin Jordan Chemicals). 4-30 g

Zinkoxyd (kolloidaler Grad)
(Durham; 1^8 g
Zinc oxide (colloidal grade)
(Durham; 1 ^ 8 g

Bengalisch Rot (Sensibilisierfarbstoff) 0,2 gBengal Red (sensitizing dye) 0.2 g

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Toluol 1200 mlToluene 1200 ml

Diese Stoffe wurden in einer Kugelmühle zusammen zu einer Überzugskomposition vermählen.These substances were ground together in a ball mill to form a coating composition.

Trock-ner in Form von Ko"balt-und Zinknaphtenat wurden zugesetzt (0,5 Gew./ii und 0,5 Gew.% des festen Harzes.)Dryers in the form of cobalt and zinc naphtenate were added (0.5% by weight and 0.5% by weight of the solid resin.)

Überzug 3Cover 3

Isojordösol 4501/60, ein Alkydharz kurzer öllänge (Jordan Chemicals) 430 βIsojordösol 4501/60, a short oil length alkyd resin (Jordan Chemicals) 430 β

Titandioxyd I50 gTitanium dioxide 150 g

Toluol 1200 mlToluene 1200 ml

Diese Stoffe wurden in einer Kugelmühle zu einer Überzugskomposition oder -mischung zusamseo vermählen. Es wurden Trockner in Form von Kobaltnaphthenafc und Zinknaphthenat zugegeben (je 0,5 %t bezogen auf das feste Harz).These substances were ground together in a ball mill to form a coating composition or mixture. Dryers in the form of cobalt naphthenate and zinc naphthenate were added ( 0.5 % t each based on the solid resin).

Überzug 4Cover 4

Styrol-Butadien-Kopolymer (Esso Polymer 200)Styrene-butadiene copolymer (Esso Polymer 200)

(Buton 200) 150 g(Buton 200) 150 g

Zinkoxyd 5OO g Bleinaphtheaat, 6%ige Lösung in Mineralspiritus 1,0 g Kobaltnaphthenat, 6%ige Lösung xn MineralSpiritus 0,1 g Zirkoniumoctoat, 6% ige Lösung in Mineralspiritus 1 g Ceroctoat, 6% ige Lösung in Mineralsoiritus 0,05 gZinc oxide 5OO g lead naphtheaate, 6% solution in mineral spirit 1.0 g cobalt naphthenate, 6% solution xn mineral spirit 0.1 g zirconium octoate, 6% solution in mineral spirit 1 g cereal octoate, 6% solution in mineral alcohol 0.05 g

Lösungsmittel 11 sol 95/130 900 mlSolvent 11 sol 95/130 900 ml

Toluol 65 mlToluene 65 ml

Hexylacetat 10 eilHexyl acetate 10 parts

Äthyl ?ioetat 10 mlEthyl acetate 10 ml

Butaöol 10 ml Pentoxone 5 mlButaöol 10 ml Pentoxone 5 ml

Disu}-phineblau, 1 Gew.% in Methylalkohol 2 mlDisu} -phine blue, 1% by weight in methyl alcohol 2 ml

Acridinorange, 1 Gew.% in Methylalkohol 2 mlAcridine orange, 1% by weight in methyl alcohol 2 ml

Erythrosin B1 1 Gew.% in Methylalkohol 2 mlErythrosin B 1 1% by weight in methyl alcohol 2 ml

Natriumfluorescein 5 ^lSodium Fluorescein 5 ^ l

309822/TO Ί st309822 / TO Ί st

Diese Stoffe werden in einer Kugelmühle zusammen vermählen und im Tauchverfahren aufgetragen auf Papier, Metallunterlage, Holz- oder Filmbasis, um.eine Potoleiterschicht au formen»These substances are ground together in a ball mill and applied by immersion on paper, metal base, Wood or film base to form a potoconductor layer »

Die verwendeten Entwickler hatten folgende Eigenschaften bzw«, Zusammensetzungen: The developers used had the following properties or compositions:

Entwiekler 1 Ein Zweifarbenentwickler, der zur Demonstration des hier angewandten Prinzips benutzt wurde, da er das Ab3.agern von Blau auf den Untergrundflächen erlaubte, wenn eine zu hohe Spannung während der zweiten Stufe angelegt wurde, % der jedoch keinen Untergrundniederschlag weder von Blau noch von Schwarz ergab, wann die richtige Spannung angelegt wurde«'Because he allowed Entwiekler 1 A two-color developer was used to demonstrate the principle applied here the Ab3.agern of blue on the substrate surfaces when one has been created for high voltage during the second stage,% of but not underground precipitation neither blue nor Black showed when the correct voltage was applied «'

Entwickler 1 (a) Negativer schwarzer Entwickler (leitfähigerer Typ) Developer 1 (a) Negative black developer (more conductive type)

Kohinoor Carbon Black (Druckerschwärze) 100 gKohinoor Carbon Black (printer's ink) 100 g

Sonnenblumensamenöl (Meggitts) $00 gSunflower Seed Oil (Meggitts) $ 00 g

P.B.V.öl (Viscostatic) (British Petrolium) 500 g Alkydharz (1352/60) Super BeckosolP.B.V. oil (Viscostatic) (British Petrolium) 500 g Alkyd resin (1352/60) Super Beckosol

(Reichold Chemicals) 200 g(Reichold Chemicals) 200 g

0,1 Gewichtsteile des Entwicklers 1 (a) wurden zu einem Teil des folgenden Entwicklers 1 (b) und zu 0,1 Teilen des Entwicklers 1 (c) hinzugefügt.0.1 part by weight of Developer 1 (a) was added to one part of the following Developer 1 (b) and 0.1 part of Developer 1 (c).

Entwickler 1 (b) Kopolymerer blauer Entwickler (BAS Isolator) (Hostaperm Blau B3G, Hoechst) 100 gDeveloper 1 (b) Copolymer Blue Developer (BAS Isolator) (Hostaperm Blue B3G, Hoechst) 100 g

Styrol-Butadien-Kopolymer, z.B. "Solprene 1205" (Phillips Imperial Chemical) 200 gStyrene-butadiene copolymer, e.g. "Solprene 1205" (Phillips Imperial Chemical) 200 g

Vinyl-Toluol-Acrylat-Kopolymer, z.B. "PlioliteVinyl-toluene-acrylate copolymer, e.g., "Pliolite

VTAC" (Australian Synthetic Rubber) 100 g' ■VTAC "(Australian Synthetic Rubber) 100 g"

Die kopolymeren Harze wurden in Solvesso 100 aufgenommen und nachfolgend mit dem blauen Pigment vermählen.The copolymer resins were incorporated into Solvesso 100 and then grind with the blue pigment.

309822/1018309822/1018

Entwickler mit niedriger Dielektrizitätskomponente 1 (c) (Kopolymere Suspension in Isopar E (Esso), und mit isoparaffinischem Kohlenwasserstofflösungsmittel. Isopar E 200 ml Developer with low dielectric component 1 (c) (copolymer suspension in Isopar E (Esso), and with isoparaffinic hydrocarbon solvent. Isopar E 200 ml

"Solprene 1205" 5 g"Solprene 1205" 5 g

(Lösung von 1 gr festem Stoff in 2 ml)(Solution of 1 gram of solid substance in 2 ml)

"Pliolite Vl1AC" 5 g"Pliolite Vl 1 AC" 5 g

(Lösung von 1 g Feststoffen in 2 ml) 0,1 Gewichtsteile.(Solution of 1 g of solids in 2 ml) 0.1 part by weight.

Der Entwickler kann durch einfache Elektroden angewendet werden oder durch zwei Walzen, von denen die eine der anderen fjolgt, die jedoch entgegengesetzt vorgespannt sind.The developer can be applied through simple electrodes or through two rollers, one of which is the other follows, which, however, are biased in the opposite direction.

Die Zeit für die erste Vorspannung von 20 V ergibt sich aus der Geschwindigkeit von 30 cm/s.The time for the first bias of 20 V results from the speed of 30 cm / s.

Das Feld mit entgegengesetzter -^olung wird bei 20 V mit cm/s bewegt.The field with opposite - ^ olung is at 20 V with cm / s moved.

'Ähnliche Zeiten werden angewandt, wenn eine Vorspannungsplatte benutzt wird, die einen Abstand von 2 mm von der Oberfläche hat, die gerade entwickelt wird.Similar times are used when using a toughening plate which is 2 mm from the surface that is currently being developed.

Zusätzliche Entwickler folgen:Additional developers will follow:

Entwickler 2Developer 2

Blau /B/A/12Blue / B / A / 12

Graphtol Blau BLF (Sandoz) 54 gGraphtol Blue BLF (Sandoz) 54 g

Solprene 1205 20 gSolprene 1205 20 g

VTAC 10 gVTAC 10 g

Dispergier.t in Esso 100 100 mlDispersed in Esso 100 100 ml

Isopar E 2000 mlIsopar E 2000 ml

Erster Arbeitsgang bei 30 V und 20 cm/s Zweiter Arbeitsgang bei 50 V und 20 cm/s.First operation at 30 V and 20 cm / s Second work step at 50 V and 20 cm / s.

Entwickler developer 33

Hosterperm Blau B3G (Hoechst) 5^ gHosterperm Blue B3G (Hoechst) 5 ^ g

309822/1018309822/1018

Solprene 1205 VTAGSolprene 1205 VTAG

Dispergiert in EssoDispersed in Esso

Isopar E ' .Isopar E '.

Erster Arbeitsgang mit 20 cm/s "bei 50 V Zweiter Arbeitsgang mit 20 cm/s bei 10 V.First operation with 20 cm / s "at 50 V. Second work step with 20 cm / s at 10 V.

Entwickler 4 YeIl owDeveloper 4 YeIl ow

Graphtol Gelb 4813-0 (Sandoss) Solprene 1205 ■ VTAOGraphtol Yellow 4813-0 (Sandoss) Solprene 1205 ■ VTAO

Dispergiert in Esso Isopar EDispersed in Esso Isopar E.

Erster Arbeitsgang mit 20 cm/s bei JOO V Zweiter Arbeitsgang mit 20 -cm/s bei 100 V.First work step with 20 cm / s at JOO V Second work step with 20 cm / s at 100 V.

En. twickler 5 Permanent Gelb GG (Hoechst) Solprene 1205 VTAGDeveloper 5 Permanent Yellow GG (Hoechst) Solprene 1205 VTAG

Dispergiert in Esso Is pp ar EDispersed in Esso Is pp ar E

Erstei? Arbeitsgang mit 15 cm/s bei 100 V Zweiter Arbeitsgang mit 15 cm/s bei 50 VFirst Operation at 15 cm / s at 100 V. Second pass at 15 cm / s at 50 V.

Beispiel 6Example 6

Graphtol Rot 1630 Solprene 1205 VTL Copolymer Dispergiei* in Esso Isopar EGraphtol Red 1630 Solprene 1205 VTL Copolymer Dispergiei * in Esso Isopar E

Erster Arbeitsgang mit 20 cm/s bei 50 V Zweiter Arbeitsgang mit 20 cm/s bei 20 V.First work step with 20 cm / s at 50 V. Second work step with 20 cm / s at 20 V.

g 32 g ml mlg 32 g ml ml

40 g40 g

20 g20 g

10 g10 g

ml mlml ml

40 β 10 g40 β 10 g

7 S 100 ml ml7 S 100 ml ml

60 g 10 g 10 g , 100 ml 2000 ml60 g 10 g 10 g, 100 ml 2000 ml

309822/1018309822/1018

Beispiel 7Example 7

Isol-RubinrotIsol ruby red

Brillfast Rose Red (leuchtend Rosa)Brillfast Rose Red (bright pink)

Blasser,schwächender lithografischer Firnis (pale lowering lithographic Varnish)Pale, weakening lithographic varnish (pale lowering lithographic Varnish)

Alkydharz Hhodene ΙΛ2/70 Dispergiert in Esso 100 Isopar EAlkyd resin Hhodene ΙΛ2 / 70 Dispersed in Esso 100 Isopar E.

Erster Arbeitsgang mit 10 cm/s bei ^O V Zweiter Arbeitsgang mit 10 cm/s bei 10 V.First pass with 10 cm / s at ^ O V Second work step with 10 cm / s at 10 V.

Beispiel 8Example 8

5050 εε 3030th gG 2020th εε 200200 εε 100100 mlml 20002000 mlml

Isol RubinrotIsol ruby red 50 850 8 Leuchtend Rosa (Brillfast Rose Red)Brillfast Rose Red 30 g30 g Alkydharz P470Alkyd resin P470 150 g150 g BienenwachsBeeswax 12 g12 g Toluoltoluene 15 ml15 ml Dispergiert inDispersed in Esso 100Esso 100 100 ml100 ml Isopar EIsopar E 2000 ml2000 ml Erster Arbeitsgang mit 10 cm/s bei 20 VFirst step with 10 cm / s at 20 V. Zweiter Arbeitsgang mit 10 cm/s bei 2 V.Second work step with 10 cm / s at 2 V. Identifizierung der HandelsnamenIdentification of trade names

Mowital B60II, Polyvinyl Butyral Harz, Hersteller:?arbwerke Hoechst, Deutschland; 76 - 87 % Gehalt an Polyvinylacetal, 1 % Polyvinyl Acetat, 18 - 21 % Polyvinylalkohol. Mowital B60II , polyvinyl butyral resin, manufacturer:? Arbwerke Hoechst, Germany; 76 - 87 % content of polyvinyl acetal, 1 % polyvinyl acetate, 18 - 21 % polyvinyl alcohol.

Iso.jordosol 4501/60, Alkydharz kleiner öllänge, hergestellt von Jordan Chemicals Iso.jordosol 4501/60, small oil length alkyd resin, manufactured by Jordan Chemicals

Buton 200, Styrol-Butadien Kopolymerm hergestellt von Esso Solprene 120!?, Styrol-Butadien Kopolymer, hergestellt von PhüElips Petroleum Corp., V.St.A,; ein Blockkopolymer von Butadien und Styrol im Verhältnis 75/25, 97,5 gehalt an Gummikohlenwasserstoff, A.^*.T.M . No. 1205 mit überwiegendem Buton 200 , styrene-butadiene copolymer manufactured by Esso Solprene 120!?, Styrene-butadiene copolymer manufactured by PhüElips Petroleum Corp., V.St.A ,; a block copolymer of butadiene and styrene in the ratio 75/25, 97.5 content of rubber hydrocarbon, A. ^ *. T. M. No. 1205 with predominant

309822/101Ö309822 / 101Ö

Anteil von Styrol-Molekülen, zugesetzt als Polystyrol am Ende einer langen Kette von ^utadien-Einheiten.Proportion of styrene molecules, added as polystyrene on End of a long chain of ^ utadien units.

Superbeckosol 1352/60 , ein halbtrockenes mit Saffranöl isophtalisch modifiziertes Alkydharz kurzer öllänge mit 59 - 61 '% nicht flüchtiger Bestandteile; Säurewert 3 -6, Öllänge 60 %, Viskosität nach Gardner Eoldt Y-Z. Superbeckosol 1352/60 , a semi-dry alkyd resin of short oil length, isophthalic modified with saffron oil, with 59-61 % non-volatile components; Acid value 3 -6, oil length 60%, viscosity according to Gardner Eoldt YZ.

Vinylite VYJPI, ,ein Vinylchiorid-Acetat-Harz, Zusammensetzung angenähert 97 % Vinylchlorid, 3 % Vinylacetat; Wichte I539 g/cnr . . Vinylite VYJPI, a vinyl chloride acetate resin, composition approximately 97 % vinyl chloride, 3% vinyl acetate; Weight I 5 39 g / cnr. .

Pentacite P423. ein modifiziertes Pentarethyritol-rSsterhars mit einer Säurezahl 20 — 30.Penta cite P423. a modified Pentarethyritol-rSsterhars with an acid number 20 - 30.

Pl i öl it e V(P Se sin, ein kopolymerer Guss&l vom Styrol/Butadientyp, hergestellt von Goodyear Corp., Y.St.JL und hergestellt nach der "G.E.S."Methode, in der das Butadien, hauptsächlich durch einel,4~Addition polymerisiert» Pliolite VT ist ein Vinyl-Toluol/Butadien-Eandom Kopolymer Gummi, der in Mineral-Spiritus löslich ist. Pl i oil it e V (P Se sin , a copolymeric cast & l of the styrene / butadiene type, manufactured by Goodyear Corp., Y.St.JL and made by the "GES" method in which the butadiene is mainly obtained by single, 4 ~ Addition polymerizes »Pliolite VT is a vinyl-toluene / butadiene-andom copolymer rubber that is soluble in mineral spirits.

Pliolite S^D ist ein ein Styrol-Butadien^Kopolymer, KB-Vert 60, hergestellt von Goodyear Corp., V.St.A. Pliolite S ^ D is a styrene-butadiene ^ copolymer, KB-Vert 60, made by Goodyear Corp., V.St.A.

Pliolite V.T.A.C. ist ein Vinyl-Toluol-Acrylat-Kopolymer, KB-Vert 36. Pliolite VTAC . is a vinyl-toluene-acrylate copolymer, KB-Vert 36.

Esso 100 Solvent ist ein Kohlenwasserstofflösungsmittel, zu beziehen durch Esso Chemicals Australia Ltd.; es hat einen Aromatengehalt von 98 %, Flammpunkt 108°P und Destillationsbereich 159-182°C. Esso 100 Solven t is a hydrocarbon solvent available from Esso Chemicals Australia Ltd .; it has an aromatic content of 98%, flash point 108 ° P and distillation range 159-182 ° C.

Microlith Pigments umfassen ein Pigment und einen harzigen Träger. Microlith Schwarz Pigment enthält reine neutrale Druckerschwärze (Ruß) zusammen mit einem in Toluol löslichem Microlith pigments include a pigment and a resinous vehicle. Microlith Black Pigment contains pure, neutral printing ink (soot) together with one that is soluble in toluene

309 82-2;/«1-0:1 8.309 82-2; / «1-0: 1 8.

Trägerharz, wie etwa Stabilite Ester 10 der Hercules Powder Co., V.St.A,Carrier resin, such as Stabilite Ester 10 from Hercules Powder Co., V.St.A,

Hierölith Blau 4GT umfaßt ein stabiles Phthalocyanin-Blau-Pigment mit einem grünlichen Stich; es enthält ferner das Harz Stabilite Ester 10. Hierolith Blue 4GT comprises a stable phthalocyanine blue pigment with a greenish tinge; it also contains Stabilite Ester 10 resin.

Microlith Grün GT enthält einen mittleren Schimmer von Phthalocyanin Grün zusammen mit dem Harz Stabilite Ester 10; die Microlith-Pigmente werden hergestellt von Ciba Co.,Schweiz. Microlith Green GT contains a medium shimmer of phthalocyanine green together with the Stabilite Ester 10 resin; the Microlith pigments are manufactured by Ciba Co., Switzerland.

Farbindices der Pigmente Color indices of the pigments

Microlith Blau - Farbindex No. 74-160Microlith Blue - Color Index No. 74-160

Microlith Grün - Farbindex No. 72455Microlith Green - Color Index No. 72455

Elvacite Rosin ist ein Acrylharz, hergestellt von DuPont, Delaware, V.St.A,Elvacite R osi n is an acrylic resin made by DuPont, Delaware, V.St.A,

Überzüge aus in Kohlenwasserstoff dispersiblem flockigem. Covers made of flaky material disp ersible in hydrocarbons.

Schwarz (coates hydrocarbon dispersible flake black) umfassen reinen Ruß zusammen mit A'thylhydroxyd-Celluloseharz, Black (coates hydrocarbon dispersible flake black) comprise pure carbon black together with ethyl hydroxide cellulose resin,

B.P.V".Oil, ein synthetisches Kraftfaiirzeugschmieröl mit einem Gehalt eines Antioxidant "ZDP", Dialcylzinkdithiophosphat in Lösung;hergestellt von British Petroleum Ltd. BPV ".Oil , a synthetic motor vehicle lubricating oil containing an antioxidant" ZDP ", dialcyl zinc dithiophosphate in solution; manufactured by British Petroleum Ltd.

Kohinoor Carbon Black, (Druckerschwärze), zu beziehen von A.C.Hattrick Ltd.Australien Kohinoor Carbon Black, (printer's ink), available from ACHattrick Ltd., Australia

Sunflower Seed OiI1 ein Pflanzenöl·-* zu beziehen von Meggitts Ltd., Australien. Sunflower Seed OiI 1 a vegetable oil · - * available from Meggitts Ltd., Australia.

Hostaperm Blue B3G, ein Kupfer-Phthalocyanin Blau, reine Beta-Form, hergestellt von Farbwerke Hoechst, CI. Pigment Blau 15, Färb index No. 74160. Hostaperm Blue B3G , a copper phthalocyanine blue, pure beta form, manufactured by Farbwerke Hoechst, CI. Pigment Blue 15, color index No. 74160.

Graphtol Blue BlF, ein Phthalocyanin Blau, C.I.Pigment-Blau, hergestellt von Sandoz.Graphtol Blue BlF, a phthalocyanine blue, C.I. pigment blue, manufactured by Sandoz.

309822/101 8309822/101 8

Permanent Yellow 66, extras ein Diazo Gelb-Pigment ohne Farbenbildungsgruppen (lake forming groups), C.I.Pigment XeIlow 17, Farbindex No. 21105. Permanent Yellow 66, extras a diazo yellow pigment without lake forming groups, CIPigment XeIlow 17, color index No. 21105.

Brillfast Rose Red 4444- (Leuchtend Rosa). , ein roter Phosphor-Wolf ram-Molybol säure ton er.Brillfa st Rose Red 4444- (L uminous pink). , a red phosphorus-wolf ram-molybolic acid clay he.

Isol Ruby Red BKS 7520 (KVK), ein Lithol-Rubinrot, G.I.Pigment Rot 57 > Agfa, Calciumfarbe (Calcium lake).Isol Ruby Red BKS 7520 (KVK), a lithol ruby red, G.I. pigment Red 57> Agfa, calcium color (Calcium lake).

Pale lowering lithographic Varnish, ein Pirnis aus polymeri-· siertem Leinöl, hergestellt durch- Meggitts Ltd., Australien; Polylin 1/8, Säurewert 40-65, Viskosität 7,0 - 9,5 Poise bei 25 C, gewonnen aus alkali-raffiniertem Leinöl.Pale lowering lithog rap hic Varnish , a pirnis of polymerized linseed oil, manufactured by Meggitts Ltd., Australia; Polyline 1/8, acid value 40-65, viscosity 7.0 - 9.5 poise at 25 C, obtained from alkali-refined linseed oil.

Rhodene Resin L42/70, ein saffranöl-modifiziertes Alcydharz, hergestellt von Polymer Corporation, Australien, Säurewert 6-10, mit 69-71% Feststoffen, Öllänge 64%..Rhodene Resin L42 / 70, a saffron oil-modified Alcyd resin, manufactured by Polymer Corporation, Australia, acid value 6-10, with 69-71% solids, oil length 64% ..

Isopar G, ein Lösungsmittel aus flüssigem Kohlenwasserstoff mit einem Gehalt von mehr als 95% Isoparaffin und mit weniger als einem Prozent Aromaten und Olefinen; der Rest sind Cyeloparäffine und normale Paraffine; KB-Wert 27, endgültiger Kochpunkt 177°C.Isopar G, a liquid hydrocarbon solvent containing more than 95% isoparaffin and less as one percent aromatics and olefins; the rest are cyeloparaffins and normal paraffins; KB value 27, final Boiling point 177 ° C.

Isopar E, ein Lösungsmittel aus flüssigem Kohlenwasserstoff mit einem Gehalt an Isoparaffin von mehr als 95% und. mit weniger als 1% Aromaten und Olefinen; der Rest sind Cyclo-Paraffine und normale Paraffine; KB-Wert 29, endgültiger Kochpunkt 145°C. Isopar E, a liquid hydrocarbon solvent with an isoparaffin content of more than 95% and. with less than 1% aromatics and olefins; the rest are cyclo-paraffins and normal paraffins; KB value 29, final boiling point 145 ° C.

Esso 100 ist ein aromatisches Lösungsmittel mit 98% Aromaten, KB-Wert 9», endgültiger Kochpunkt 1820C. Esso 100 is an aromatic solvent with 98% aromatics, KB value 9 », final boiling point 182 0 C.

Patentansprüche :Patent claims:

3 0 982 2/10183 0 982 2/1018

Claims (12)

22A825222A8252 '- 18 Patentansprüche: '- 18 claims: l.\ Verfahren zum Entwickeln eines dielektrischen Musters aufl. \ method for developing a dielectric pattern r Halbleiteroberfläche, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte: Die Halbleiteroberfläche wird einen Entwickler unterworfen, der wenigstens zwei Entwicklerkomponenten aufweist, die sich in ihren Dielektrizitätskonstanten und in ihrer Polarität unterscheiden und von denen die eine Ent-.Wicklerkomponente eine Dielektrizitätskonstante hat, die kleiner als die der unmodifizierten Halbleiteroberfläche ist; eine erste Entwicklung wird durch Anlegen einer Vorsnannung der einen Polarität bewirkt, wobei die Vorspannung so gewählt ist, daß sich die Komponente des Entwicklers mit der geringeren Dielektrizitätskonstanten ablagert, um einen selektiven Schirm auf den Flächenbereichen höherer Dielektrizitätskonstante des Halbleiters infolge der größeren allgemeinen Leitfähigkeit in jenen Flächen zu bilden, und daß nachfolgend eine zweite Entwicklung durch Umpolung der Vorspannung zur Ablagerung der zweiten Entwicklerkomponente auf denjenigen Flächen der Oberfläche bewirkt wird, wo der erste, abschirmende Entwickler sich nicht abgesetzt hat und wo demnach jetzt die größere Leitfähigkeit infolge der geringeren Leitfähigkeit des abgelagerten Schirmes bzw. der abgelagerten Maske vorhanden ist.r semiconductor surface, marked through the following process steps: The semiconductor surface is subjected to a developer comprising at least two developer components has, which differ in their dielectric constants and in their polarity and from which the one developer .Winder component has a dielectric constant less than that of the unmodified semiconductor surface; a first Development is achieved by applying a bias voltage to one polarity causes, wherein the bias is chosen so that the component of the developer with the lower dielectric constant deposited to a selective screen on the surface areas of higher dielectric constant of the semiconductor as a result the greater general conductivity in those areas, and that subsequently a second development Reversal of the bias voltage for the deposition of the second developer component on those areas of the surface is effected, where the first, shielding developer has not settled and where therefore now the greater conductivity due to the lower Conductivity of the deposited screen or the deposited mask is present. 2. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiteroberfläche von der einen der Vorspannungselektroden getragen wird und daß sich die zweite Elektrode in einem Abstand von der genannten Oberfläche befindet, wobei der Entwickler zwischen dieser Oberfläche und der zweiten Elektrode liegt.2. The method according to claim 1, characterized in that that the semiconductor surface is carried by one of the bias electrodes and that the second Electrode located at a distance from said surface, with the developer between this surface and the second Electrode lies. 3. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiteroberfläche von der einen der Vorspannungselektroden getragen wird und daß der Entwickler von einem Applikator getragen wird, der über diese Oberfläche in3. The method according to claim 1, characterized in that that the semiconductor surface is carried by one of the bias electrodes and that the developer is carried by an applicator is carried over this surface in 309822/1018309822/1018 Kontakt mit ihr bewegt wird und die zweite Elektrode bildet.Contact with it is moved and forms the second electrode. 4. Verfahren nach Anspruch !,dadurch gekennzeichnet, daß der Entwickler Tonerteilchen höherer Dielektrizitätskonstanten und Harzteilchen geringerer Dielektrizitätskonstanten enthält.4. The method according to claim!, Characterized in that that the developer has toner particles of higher dielectric constant and resin particles of lower dielectric constant contains. 5. Verfahren nach Anspruch 4,dadurch gekennzeichnet, daß die Harzteilchen farblos sind.5. The method according to claim 4, characterized in that that the resin particles are colorless. 6. Verfahren nach Anspruch k, dadurch gekennzeichnet, daß die Harzteilchen farbig oder gefärbt sind.6. The method according to claim k, characterized in that the resin particles are colored or colored. 7. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß die erste Vorspannung verhältnismäßig länger als die zweite angelegt wird, daß ihr Betrag jedoch niedriger ist.7. The method according to claim 1, characterized in that that the first bias is applied relatively longer than the second, but that its amount is lower. 8. Verfahren nach Anspruch l,dadurchgekennzeichn et, daß die Halbleiteroberfläche ein. Fotoleiter ist und daß die Dielektrizitätskonstante durch die Anwendung elektromagnetischer Wellen variiert wird.8. The method according to claim l, characterized et that the semiconductor surface a. Photoconductor is and that the dielectric constant is varied by the application of electromagnetic waves. 9. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiteroberfläche ein Harz aufweist, in das verhältnismäßig leitfähige Partikel eingeschlossen sind, und daß die Dielektrizitätskonstante durch elektrische Impulse oder Druck oder thermisch mustergerecht bzw. bildgerecht variiert wird.9. The method according to claim 1, characterized in that that the semiconductor surface comprises a resin in which relatively conductive particles are included, and that the dielectric constant varies by means of electrical impulses or pressure or thermally in accordance with the pattern or in accordance with the image will. 10. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u—r ch gekennzeichnet, daß die Halbleiteroberfläche ein farbstoffsensibilisierter Fotoleiter von fein zerteilter Form, eingebettet in ein Harz'ist,und daß die erste Entwicklerkomponente weiß ist, um die Farbe des genannten Fotoleiters dort zu maskieren oder zu überdecken, wo Tonerteilchen nicht abgelagert sind.10. The method according to claim 1, d a d u — r ch characterized that the semiconductor surface is a dye-sensitized one Photoconductor of finely divided form, embedded in a resin, and that the first developer component is white, to mask or cover the color of said photoconductor where toner particles are not deposited. 309822/1018309822/1018 11. Verfahren zum Entwickeln eines dielektrischen Musters auf einer Halbleiteroberfläche, dadurch gekenn zeichnet, daß die Halbleiteroberfläche ein Harz mit darin eingeschlossenen Partikeln aufweist, die leitfähiger als das Harz sind, daß die Dielektrizitätskonstante durch elektromagnetische Wellen oder elektrische Impulse oder ein mechanisches (Druck) oder thermisches Muster variiert wird, und ferner gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte: Der Halbleiter wird von einer Vorspannungselektrode getragen und der Entwickler wird mittels eines Applikators, z.B. einer Walze,auf getragen, die übervöie Oberfläche in Kontakt mit ihr geführt wird und sie dabei die zweite Elektrode bildet; der genannte. Entwickler hat wenigstens zwei Entwicklerkomponenten, die in einer isolierenden Flüssigkeit getragen sind; diese Komnonenten variieren in ihrer Dielektrizitätskonstanten, wobei die eine Entwicklerkomponente eine Dielektrizitätskonstante hat, die kleiner als die nicht modifizierte Halbleiteroberfläche ist; eine erste Entwicklung wird durch Anlegen einer Vorspannung der einen Polarität bewirkt, die so gewählt ist, daß sich die Komponente des Entwicklers mit der niedrigeren Dielektrizitätskonstanten ablagert und so einen selektiven Schild oder Schirm (Maske) in den Flächen höherer Dielektrizitätskonstanten des Halbleiters infolge der größeren allgemeinen Leitfähigkeit in dfeen Flächenbereichen bildet; daß danach eine zweite·Entwicklung durch Polaritätsumkehr der Vorspannung bewirkt wird, und zwar so, daß sich die zweite Entwicklerkomponente in denjenigen Flächenbereichen der Oberfläche ablagert, in denen der erste abschirmende Entwickler nicht abgesetzt worden ist und wo demnach jetzt die größere Leitfähigkeit infolge der geringeren Leitfähigkeit des abgesetzten Schirmes in den anderen Flächenbereichen besteht.11. A method for developing a dielectric pattern on a semiconductor surface, characterized in that, that the semiconductor surface has a resin with particles entrapped therein, which is more conductive than the resin are that the dielectric constant by electromagnetic waves or electrical impulses or a mechanical (pressure) or thermal pattern is varied, and further characterized by the following process steps: The semiconductor is from a Bias electrode is carried and the developer is applied by means of an applicator such as a roller over the surface Surface is brought into contact with her and she thereby forms the second electrode; the said. Developer has at least two developer components carried in an insulating liquid; these components vary in their dielectric constant, wherein the one developer component has a dielectric constant that is less than the unmodified one Semiconductor surface is; an initial development is through Applying a bias voltage causes a polarity, which is chosen so that the component of the developer with the lower dielectric constant deposits and so a selective shield or screen (mask) in the areas of higher Dielectric constant of the semiconductor forms as a result of the greater general conductivity in the surface areas; that then a second development is effected by reversing the polarity of the bias voltage in such a way that the second developer component deposited in those areas of the surface in which the first shielding developer did not settle has been and where accordingly now the greater conductivity due to the lower conductivity of the remote screen in the other areas. 12. Verfahren zum Entwickeln eines dielektrischen Musters auf einer Halbleiteroberfläche durch Verwendung eines Zweikomponentenentwicklers, deren jede Komponente selektiv auf eine andere Polarität anspricht, dadurchgekennzeichnet, daß eine Vorspannung durch diese Oberfläche hindurch so angelegt12. A method of developing a dielectric pattern on a semiconductor surface by using a two-component developer, each component of which responds selectively to a different polarity, characterized by that a bias is so applied through this surface 309 822/1OiB309 822 / 10iB C I —- C I - wird, daß sich auf den höher dielektrischen Flächenbereichen des Musters eine Entwicklerkomponente absetzt, die eine geringere Dielektrizitätskonstante als die Halbleiteroberfläche aufweist, um so einen verhältnismäßig isolierenden Schirm an den Ablagerungsflächenteilen zu schaffen, und daß dann die Polarität der Vorspannung umgekehrt wird, um die andere Entwicklerkomponente auf den nicht abgeschirmten oder nicht maskierten Flächenbereichen zufolge der höherenDielektrizitätskonstanten in den nicht abgeschirmten Flächenbereichen abzulagern.is that a developer component is deposited on the higher dielectric surface areas of the pattern, which is a lesser one Has dielectric constant than the semiconductor surface, so as to provide a relatively insulating screen on the deposition surface parts and then the polarity of the bias is reversed to the other developer component on the unshielded or unmasked areas due to the higher dielectric constant in the not to deposit shielded areas. 309822/1Ό18309822 / 1Ό18 LeerseiteBlank page
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