DE2236199A1 - Schaltungsanordnung mit halbleitern zum kontaktlosen steuern eines wechselstromes durch einen gleichstrom - Google Patents

Schaltungsanordnung mit halbleitern zum kontaktlosen steuern eines wechselstromes durch einen gleichstrom

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DE2236199A1 DE19722236199 DE2236199A DE2236199A1 DE 2236199 A1 DE2236199 A1 DE 2236199A1 DE 19722236199 DE19722236199 DE 19722236199 DE 2236199 A DE2236199 A DE 2236199A DE 2236199 A1 DE2236199 A1 DE 2236199A1
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Roland Moeckel
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Description

  • Schaltungsanordnvmg mit Halbleitern zum kontaktlosen Steuern eines Wechseistromes durch einen Gleichstrom Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung mit Halbleitern zum kontaktlosen Steuern eines iVechselstromes durch einen Gleichstrom, insbesondere als trägheitsarmveränderlicher VJiderstand zum Öffnen und Schließen eines Stromkreises mit Wechselspannungsquelle und Lastwiderstand und zur bedarfsweisen Einstelltlng der Größe der Amplitude des Wechsel stromes in dem Stromkreis.
  • Derartige Schaltungsanordnungen werden vielfältig benötigt, beispielsweise als Torschaltung oder als Steuerschaltung für Stellmotore. Sie lösen vielfach elektromechanische Schalter ab.
  • Es ist eine Schaltungsanordnung für einen trägheitslos veränderlichen Widerstand bekannt (DIR-PS 72 288, Kl. 21al-36/18), bei der in einem Diagonal zweig einer Graetz-Gleichrichterbrückenschaltung als regelbares aktives Bauelement ein Transistor angeordnet ist. Die andere Diagonale ist in den anfangs genannten Stromkreis geschaltet. Der Transistor wird mittels eines Gleichstromes angesteuert, so daß die Brücke entweder niederohmiger oder hochohmiger abgeschlossen wird.
  • Nachteilig bei dieser Schaltungsanordnung ist, daß für Wechselspannungen unterhalb der Durchlaßspannungen der Dioden keine Steuerung möglich ist. Darüber hinaus vergrößert sich die Verzerrung bei kleinen Wechsel spannungen, die in Größenordnung der Durchlaßspannung der Dioden liegen.
  • Bei Austausch des Transistors durch einen Thyristor verbessern sich die Verhältnisse auch nicht, da der einmal durchgeschaltete Thyristor erst wieder geöffnet werden kann, wenn die 'iechselspannung gegen Null geht, das heißt, der Wechselstromfluß läßt sich nicht zu jedem Zeitpunkt unterbrechen. Ur kleine FUechselpannungen ist der Thyristor gleichfalls nicht geeignet.
  • Es ist weiterhin eine Schaltungsanordnung bekannt (nTorschaltung für 300 kHz-Signale mit Feldeffekt-Transistoren", Elektronik 1965, H. 10, S. 321), die aus zwei in Reihe geschalteten, gleich aufgebauten Brücken besteht. Eine Brücke besteht wiederum aus je einem PestYdderstand in den ersten beiden Brückenzweigen, einer Parallel schaltung aus veränderbarem Widerstand und veränderbarem Kondensator im dritten Brückenzweig und einem Feldeffekttransistor im vierten Brückenzweig. Uber einen Eingangstransformator wird das hochfrequente Signal zugeführt und speist die erste Brücke, diese wiederum über ihren Ausgang die zweite Brücke, deren Ausgang auf einen Ausgangstransformator geht.
  • Eine Ausgangsklemme der ersten Brücke ist an Masse gelegt und somit auch eine Eingangsklemme der zweiten Brücke. Beide Feldeffektransistoren sind mit ihren Steuereingängen über gleiche Vorwiderstände an ein und dieselbe Steuerimpulsquelle anschaltbar, deren eine Klemme gleichfalls an Masse liegt.
  • Die 3rücken sind so abgeglichen, daß bei fehlendem Steuerimpuis kein Wechselspannungssignal am Ausgang der Schaltung vorhanden ist. Wird ein Steuerimpuls zugeführt, so wird das Brückengleichgewicht gestört und an den Ausgangsklemmen erscheint für die Impulsdauer das hochfrequente Signal.
  • Nachteilig bei dieser Schaltungsanordnung sind der große Bauelementeaufwand, die durch den Aufbau - transformatorische Einkopplung und Auskopplung - bedingte, nur mittelbare und verlustbehaftete Verbindung zwischen Wechselspannungsquelle und Lastwiderstand und die Frequenzabhängigkeit. Die Schaltungsanordnung ist demzufolge nur für kleine Leistungen geeignet. Auf Grund der 3ru'ckenbedingungen ist keine freie Wahl des Massepunktes möglich.
  • Zweck der Erfindung ist die Vermeidung der genannten Nachteile, insbesondere die Erhöhung der Funktionssicherheit und des Einsatzbereiches derartiger Halbleiterschaltungs anordnungen.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, zur kontaktlosen Steuerung eines Wechsel stromes mittels eines Gleichstromes für einen Wechsel stromkreis aus Spannungsquelle und Lastwiderstand eine Schaltungsanordnung zu schaffen, die als einstellbarer Widerstand bis zum Schalterbetrieb sowohl über einen großen Frequenzbereich, als auch für einen großen Leistungsbereich und für einen großen Spannungsbereich bis hinunter zu Spannungen unterhalb der Durchlaßspannungen von Dioden einsetzbar ist.
  • Dabei soll die Steuerung der Amplitude des Wechsel stromes weitestgehend trägheitslos erfolgen. Bei Schalterbetrieb soll die Schaltungsanordnung im geschlossenen Zustand einen hinreichend kleinen Durchlaßwiderstand haben und verzerrungsfrei arbeiten und im geöffneten Zustand eine große Stromdammung besitzen.
  • Erfindungsgemaß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß zwei Transistoren, deren Emitter miteinander verbunden sind, mit ihren Emitter-Kollektor-Strecken hintereinander in den Stromkreis geschaltet sind und die beiden Basiseingänge mit dem gemeinsamen Emitterpunkt den Steuereingang bilden, und für Wechseispannungen oberhalb der Knie spannung eines Transistors parallel zu Jeder Emitter-Kollektor-Strecke eine Diode geschaltet ist.
  • Bei Verwendung von npn-Transistoren sind die Anoden der Dioden mit dem gemeinsamen Emitterpunkt verbunden.
  • Bei Verwendung von pnp-Transistoren sind die Katoden der Dioden mit dem gemeinsamen Emitterpunkt verbunden.
  • Zur Symmetrierung der Schaltungsanordnung bezüglich des Emitterpunktes ist mindestens einer Basis ein abgleichbarer Widerstand vorgeschaltet.
  • Die Schaltung eignet sich sowohl für kleinere Wechsel spannungen als auch für große Wechselspannungen.
  • Für kleine Wechselspannungen fließt im durchgeschalteten Zustand der Wechselstrom nur über beide Transistoren, wobei der eine Transistor invers betrieben wird. Bei WechaelBpann mgen oberhalb der Knie spannung eines Trsnsistors übernimmt die betreffende parallel geschaltete Diode für den Jeweils invers betriebenen Transistor den größten Teil des Wechselstromes.
  • Demzufolge sind Verformungen der Kurvenform, sofern nicht durch entsprechende Steuerung beabsichtigt, weitgehendst ausgeschlossen. Bei Betrieb der Schaltungsanordnung als gesteuerter Widerstand wirkt sie wie eine Begrenzerschaltung.
  • Bei geeigneter Wahl der Transistoren können infolge ihrer Stromverstärkung mit relativ kleinen Gleichströmen große Wechsel ströme gesteuert werden. Der Wechselstromfluß kann beliebig zu jedem Zeitpunkt durch An- und Abschalten des Gleichstromes mit hinreichend kleiner Verzögerung ein- und ausgeschaltet werden.
  • Durch Einsatz von Transistoren mit entsprechender Grenzfrequenz ist die Schaltungsanordnung sowohl für den Niederfrequenzbereich als auch für den Hochfrequenzbereich geeignet.
  • Die Schaltungsanordnung kann vorteilhafterweise als ein Baustein in integrierter Technik hergestellt werden.
  • Die Erfindung soll nachstehend an einem ausführungsbeispiel näher erläutert werden.
  • In der zugehörigen Zeichnung ist ein Stromkreis mit einer Schaltungsanordnung mit Transistoren der Zonenfolge npn dargestellt.
  • Zwei Transistoren 1; 2 sind mit ihren Emittern miteinander verhunden. Der Verbindungspunkt ist mit einer Klemme 10 des Steuereinganges und den Anoden der Dioden 3; 4 zusammengeschaltet.
  • Der Kollektor des Transistros 1 ist mit der Katode der Diode 3 und mit einem Lastwiderstand 8 verbunden. Der Kollektor des Transistors 2 ist mit der Katode der Diode 4 und einer Wechselspannungsquelle 7 verbunden. Die WechaelgpE m ungsquelle 7 ist mit dem Lastwiderstand 8 in Reihe geschaltet. Die zweite Eingangsklemme 9 ist über einen Widerstand 5 mit der 3asi des Transistors 1 und über einen zweiten ungefahr gleich stoßen Widerstand 6 mit der Basis des Transistors 2 verbunden.
  • Im folgenden wird die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung beschrieben; dabei bilden die Klemmen 9; 10 den Gleichstromsteuereingang und die Klemmen 11 12 den Wechselstromeingang.
  • Liegt am Steuereingang 9; 10 kein Steuerstrom beziehungsweise keine Steuerspannung an, dann erhalten die Transistoren 1; 2 keinen Basisstrom und die Kollektor-Emitter-Strecken sind dann hochohmig. Von der Wechselspannungsquelle 7 fließt ueber den Lastwiderstand 8 nur ein Reststrom, der durch die Sperrwider stande der Jeweils sperrenden Transistoren 1 beziehungsweise 2 und der Dioden 3 beziehungsweise 4 bedingt ist. Liegt beispielsweise momentan der Pluspol der Wechsel spannungs quelle 7 an der Klemme 11, dann sperren Transistor 1 und Diode 3. FUr Minuspol an Klemme 11 sperren Transistor 2 und Diode 4.
  • Bei Anlegen einer Steuergleichspannung an den Steuereingang 9:10, insbesondere Pluspol an Klemme 9, fließt ein Basisstrom, der die Transistoren 1; 2 durchsteuert. Die Kollektor-Emitter-Strecken beider Transistoren werden niederohmig.
  • Ist die maximale Wechselspannungsamplitude der Wechselspannungsquelle 7 kleiner als die Durchlaßspannung einer Diode, so flieht der gesamte Wechselstrom über die Transistoren 1 2. Dabei wird Jeweils ein Transistor für eine Halbwelle invers betrieben. Für die positive Halbwelle ist es der Transistor 2 und flir die negative Halbwelle der Transistor 1. Für derart kleine Wechselapa u gen ist ein inverser Betrieb unkritisch.
  • Ist die maximale Wechselspannungsamplitude der Wechaelapannungaquelle 7 wesentlich großer als die Durchlaßspannung einer Diode, so wird der jeweils invers betriebene Transistor durch die ihm parallelgeschaltete Diode entlastet. Das geschieht derart, daß der Hauptteil des Wechseistromes über die betreffende Diode fließt, und der Spannungsabfall an der Kollektor-Rmitter-Strecke auf die Durchlaßspannung der Diode begrenzt wird. Liegt beispielsweise Plus an Klemme 11, so fließt der Wechselstrom über den Transistor 1 und weiter geteilt über Transistor 2 und Diode 4. Liegt Minus an Klemme 11, so fließt der Wechselstrom geteilt über Transistor 1 und Diode 3 und ungeteilt über Transistor 2.
  • Durch entsprechende Ubersteuerung der Transistoren 1 2 kann erreicht werden, daß der Wechselspannungsabfall über den Klemmen 11 12 im durchgesteuerten Zustand sehr klein bleibt und die Kurvenform des Wechsel stromes kaum beeinflußt wird.
  • Die Widerstande 5 6 sind für die prinzipielle Wirkungsweise von untergerodneter Bedeutung. Sie bewirken jedoch einmal eine Scherung der Transistoreingangskennlinien und zum anderen, daß der Steuergleichstrom in zwei annähernd gleich große Basisströme aufgeteilt wird. Besteht die Forderung nach Abgleich auf größtmögliche Symmetrie, so können beide Widerstände 5, 6 zweckmäßig durch einen einzigen Trinimwiderstand ersetzt werden, dessen Schleifer an Klemme 9 gelegt wird.
  • Im allgemeinen werden die Transistoren 1; 2 so weit Ubersteuert, daß sie für den Wechselstromspitzenwert voll durchgesteuert sind.
  • Pur Anwendungsfälle, wo eine Beeinflussung der Kurvenform des Wechselatromes gestattet oder erwünscht ist, kann der Steuergleichstrom kleiner gewählt werden. Die Spitzen der WechBelstromhalbwellenvwerden abgekappt und es fließt nicht mehr der volle Spitzenstrom über die Transistoren. Die Schaltungsanord nung arbeitet dann als Begrenzer, Durch entsprechende Xnderung des Steuergleichstromes ist infolge der Änderung des Wechselstromes eine Steuerung der Verbraucherleistung am Lasttiderstand möglich. Soll die Verbraucherleistung verkleinert werden, so muß die Verlustleistung an den Transistoten vergrößert werden. Pur große Schaltleistungen kann es deshalb zweckiniißig seint die Schaltungsanordnung über einen Schmitt-Trigger anzusteuern.
  • Die Schaltungsanordnung läßt sich ohne Schwierigkeiten mit Transistoren der Zonenfolge pnp ausführen. Sie eignet sich sowohl für Germaniumtransistoren als auch für Siliziumtransistoren. Als Dioden können gleichfalls sowohl Germaniumdioden als auch Siliziumdioden eingesetzt werden.
  • Verwendete Bezugszeichen: 1 = Transistor 2 = Transistor 3 = Diode 4 = Diode 5 = Widerstand 6 = Widerstand 7 = Wechselspannungsquelle 8 = Lastwiderstand 9 = Klemme des Gleichstromsteuereinganges 10 = Klemme des Gleichstromsteuereinganges 11 = Klemme des Wechselstromeinganges 12 = Klemme des Wechselstromeinganges

Claims (4)

  1. Patentansprüche: 9 Sehaltungsanordnung mit Halbleitern zum kontaktlosen Steuern eines Wechseistromes durch einen Gleichstrom, insbesondere als trägheitsarm veränderlicher Widerstand zum einen und Schließen eines Stromkreises mit Wechselspannungsquelle und Lastwiderstand und zur bedarfsweisen Einstellung der Größe der Amplitude des Wechsel stromes in dem Stromkreis, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Transistoren (1; 2), deren Emitter miteinander verbunden sind, mit ihren Emitter-Kollektor-.
    Strecken hintereinander in den Stromkreis geschaltet sind und die beiden Basiseingänge mit dem gemeinsamen Emitterpunkt den Steuereingang bilden und für Wechselspannungen oberhalb der Kniespannung eines Transistors (1; 2) parallel zu Jeder Emitter-Eollektor-Strecke eine Diode (3 4) geschaltet ist.
  2. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von npn-Transistoren die Anoden der Dioden (3; 4) mit dem gemeinsamen Emitterpunkt verbunden sind.
  3. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von pnp-Transistoren die Katoden der Dioden (3; 4) mit dem gemeinsamen Emitterpunkt verbunden sind.
  4. 4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zur Symmetrierung mindestens einer Basis ein abgleichbarer Widerstand (5; 6) vorgeschaltet ist.
    Leerseite
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