DE2213657C3 - Planare integrierte Halbleiterschaltung - Google Patents

Planare integrierte Halbleiterschaltung

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DE2213657C3
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unused
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Majid Poughkeepsie N.Y. Ghafghaichi
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International Business Machines Corp
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P95/00—
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DE2213657A 1971-03-30 1972-03-21 Planare integrierte Halbleiterschaltung Expired DE2213657C3 (de)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/129,430 US3983023A (en) 1971-03-30 1971-03-30 Integrated semiconductor circuit master-slice structure in which the insulation layer beneath unused contact terminals is free of short-circuits

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2213657A1 DE2213657A1 (de) 1972-10-12
DE2213657B2 DE2213657B2 (OSRAM) 1980-02-21
DE2213657C3 true DE2213657C3 (de) 1983-11-10

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DE2213657A Expired DE2213657C3 (de) 1971-03-30 1972-03-21 Planare integrierte Halbleiterschaltung

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US (1) US3983023A (OSRAM)
JP (1) JPS5134272B1 (OSRAM)
CA (1) CA964771A (OSRAM)
DE (1) DE2213657C3 (OSRAM)
GB (1) GB1320884A (OSRAM)

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Publication number Publication date
GB1320884A (en) 1973-06-20
DE2213657A1 (de) 1972-10-12
US3983023A (en) 1976-09-28
CA964771A (en) 1975-03-18
JPS5134272B1 (OSRAM) 1976-09-25
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