DE2208348C3 - Planarhalbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Planarhalbleiterbauelement und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP46008795A JPS5141473B1 (en:Method) | 1971-02-23 | 1971-02-23 | |
| JP46008794A JPS511547B1 (en:Method) | 1971-02-23 | 1971-02-23 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2208348A1 DE2208348A1 (de) | 1972-09-14 |
| DE2208348B2 DE2208348B2 (de) | 1977-10-13 |
| DE2208348C3 true DE2208348C3 (de) | 1979-06-28 |
Family
ID=26343388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2208348A Expired DE2208348C3 (de) | 1971-02-23 | 1972-02-22 | Planarhalbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| CA (1) | CA967275A (en:Method) |
| DE (1) | DE2208348C3 (en:Method) |
| FR (1) | FR2126313B1 (en:Method) |
| GB (1) | GB1359579A (en:Method) |
| IT (1) | IT948703B (en:Method) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3237271A (en) * | 1963-08-07 | 1966-03-01 | Bell Telephone Labor Inc | Method of fabricating semiconductor devices |
-
1972
- 1972-02-18 GB GB766772A patent/GB1359579A/en not_active Expired
- 1972-02-22 CA CA135,293A patent/CA967275A/en not_active Expired
- 1972-02-22 FR FR7205985A patent/FR2126313B1/fr not_active Expired
- 1972-02-22 IT IT48501/72A patent/IT948703B/it active
- 1972-02-22 DE DE2208348A patent/DE2208348C3/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2208348A1 (de) | 1972-09-14 |
| GB1359579A (en) | 1974-07-10 |
| FR2126313A1 (en:Method) | 1972-10-06 |
| IT948703B (it) | 1973-06-11 |
| CA967275A (en) | 1975-05-06 |
| DE2208348B2 (de) | 1977-10-13 |
| FR2126313B1 (en:Method) | 1976-07-09 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |