DE2155220A1 - Verfahren zur Anodisierung von Dünnfilmbaueinheiten - Google Patents

Description

WESTERN ELECTRIC COMP., Inc.

195, Broadway

Jtfew*York, N. Y, 10007 / USA

A 32 652

Verfahren _zur Anodisi.erung__von__ Dünnfilmbaueinheiten

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Anodisierung einer Dünnfilmbaueinheit, insbesondere nach einem vorgewählten Muster von Anodisierungsschritten zur Einstellung eines Parameters der Dünnfilmbaueinheit auf einen gewünschten Wert»

Bei der Herstellung von Dünnfilmbaueinheiten, beispielsweise Dünnfilmwiderständen, ist oftmals ein hohes Maß an Präzision erforderlich, entweder in dem absoluten Wert eines Parameters einer fertiggestellten Baueinheit oder bei der Anpassung der Werte der Parameter in zwei oder mehreren fertiggestellten Baueinheiten. Im Fall von gewissen hochpräzisen Dünnfilmwiderständen können die notwendigen Toleranzen für fertiggestellte Widerstände in der Größenordnung von +0,1 %o eines Auslegungswertes oder des Widerstandswertes eines anzupassenden Widerstandes liegen» Ein bekanntes Verfahren zur Einstellung von Dünnfilmwiderständen auf einen vorgegebenen Wert umfaßt die Anodisierung, ein Verfahren, dem zufolge ein Teil der Dicke eines Widerstandes, der aus einem dünnen PiIm aus Tantal, Tantalnitrid oder anderem Material gefertigt sein kann, oxidiert wird, wobei eine dielektrische Schicht gebildet wird,

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so daß die Dicke des verbleibenden, nicht oxidierten Teiles des Filmes zwecks Steigerung des Widerstandswertes des Filmes reduziert wird*

Ein typisches Verfahren zur Herstellung von Dünnfilmwiderständen, wie es allgemein bei der Herstellung von Widerständen mit geringeren Ansprüchen an die Toleranzerfordernisse verwendet wird, und zwar im Bereich von + 0,5 % oder mehr, umfaßt einen aus zwei Stufen bestehenden Widerstands-Einstellvorgang. Eine erste Stufe der Einstellung des spezifischen Widerstandes umfaßt die Anodisierung jedes Dünnfilmwiderstandes bei einer ersten, verhältnismäßig hohen Geschwindigkeit mittels einer Reihe von bei verhältnismäßig hohem Strom ablaufenden Anodisierungsschritten, welche sich mit Widerstandsmeßvorgangen abwechseln können. Diese erste Anodisierungsstufe setzt sich fort, bis der Wider stands wert dea Dünnfilmwiderstandes gemäß Messung innerhalb eines ersten rohen Toleranzbereiches auf den Nominalwiderstandswert gesteigert wurde, typischerweise - 5 %* Eine zweite Stufe der Widerstandseinstellung ergibt eine genauere, bei verhältnismäßig geringer Geschwindigkeit stattfindende Anodisierung durch eine Reihe von bei verhältnismäßig geringem Strom stattfindenden Anodisierungsvorgangen. Diese zweite Anodisierungsstufe setzt sich fort, bis der Widerstandswert des Dünnfilmwiderstandes gemäß Messung in den typischen Bereich von + 0,5 % oder einen grösseren erforderlichen Toleranzbereich fällt. Um eine wirkungsvollere Anwendung der üntersuchungs- und Anodisierungsanordnung zu ermöglichen und damit die Anzahl von in einer gegebenen Zeitperiode nach diesem Verfahren hergestellten Dünnfilmwiderstände zu steigern, wird oftmals ein nach dem Multiplexverfahren arbeitendes System angewendet, wobei eine Anzahl von Dünnfilmwiderständen gleichzeitig anodisiert wird und eine aufeinanderfolgende Überprüfung die augenblicklichen Widerstandswerte der Widerstände während der Anodisierung bestimmt*.

Selbst durch Verwendung von Multiplexverfahren ergeben sich

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überlange Widerstandsverarbeitungszeiten für das oben erwähnte Verfahren, wenn dieses zur Herstellung von Widerständen mit beträchtlich genaueren Toleranzerfordernissen verwendet wird, beispielsweise bei + 0,1 960 des nominellen Widerstandswertes, Die zweite Anodisierungsstufe würde eine extrem geringe Geschwindigkeit der Widerstandsänderung erfordern, um ein Überlaufen der festgelegten präzisen Toleranzzone zu vermeiden. Ein wirksameres "Verfahren zur mit hoher Präzision erfolgenden Anodisierung zwecks Erzielung gewünschter Werte für Parameter von Dünnfilmbaueinheiten, beispielsweise Widerständen, in verhältnismäßig kurzer Zeitperiode wäre demgemäß wünschenswert* Ein solches Verfahren muß, wie sich versteht, gut reproduzierbare Kennwerte erzielen lassen und in seiner Art möglichst einfach sein, um es in einem Anodisierungsprograinm von großem Maßstab verwenden zu können.

Eine Aufgabe der Erfindung liegt in der Schaffung eines Verfahrens zur Anodisierung einer Dünnfilmbaueinheit, beispielsweise zur Einstellung eines Parameters der Baueinheit, insbesondere des Widerstandswertes, auf einen gewünschten Wert*

Die Erfindung strebt die Anodisierung einer Dünnfilmbaueinheit gemäß einem vorgewählten Muster von Anodisierungsschritten an, welche einen Parameter der Baueinheit, beispielsweise den Widerstandswert eines Dünnfilmwiderstandes, in einen sehr engen Toleranzbereich innerhalb einer minimalen Zeitperiode bringen, und zwar mit einer minimalen Wahrscheinlichkeit des Überlaufens des Nominalwertes in solchem Ausmaß, daß die Baueinheit aus der Toleranzzone herausfällt. Das angestrebte Muster zur Anodisierung zwecks Erzielung dieser Problemlösung umfaßt einen aus vielen Schritten bestehenden Vorgang, bei welchem jeder aufeinanderfolgende Schritt so ausgelegt ist, daß eine Abnahme um ein festes Bruchvielfaches der Prozentualabweichung des interessierenden Parameters von einem gewünschten Endwert

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des Parameters erzielt wird. Ein solches Muster wird durch eine Reihe von Schritten erreicht, wobei das Produkt des Anodisierungsstromes und der Anodisierungszeit für jeden aufeinanderfolgenden Schritt gleich einem solchen festen Bruchvielfachen des Produktes des Anodisierungsstromes und der Anodisierungszeit für jeden vorangehenden Schritt ist. Ein bevorzugtes festes Bruchvielfaches, welches bei Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens verwendet wird, ist gleich 1/2, so daß die prozentuale Abweichung des interessierenden Parameters von dem gewünschten Wert binär und kontinuierlich vermindert wird. Das binäre Muster wurde gewählt, - il man dadurch in der Lage ist, den Wert des interessierenden Parat meters schnell zu ändern, während jede Möglichkeit ausgeschlossen wird, den gewünschten Nominalwert um mehr als einen binären Schritt zu überlaufen, was einen unbeträchtlich geringen Wert darstellt, wenn einmal die Einstellung den Parameter in die Nähe des gewünschten Nominalwertes gebracht hat.

Die Erfindung strebt ferner die Einstellung von Dünnfilmbaueinheiten gemäß einem Muster von Schritten an, wobei der Anodisierungsstrom und die Anodisierungszeit binär oder in anderer geometrischer Progression vermindert werden, so daß entweder der Anodisierungsstrom oder die Anodisierungszeit während einiger aufeinanderfolgender Schritte konstant gehalten werden können, während jeweils der andere Parameter gemäß dem Muster ψ vermindert wird. Ein beispielsweises Verfahren nach der Erfindung verwendet eine Anzahl von Schritten, wobei ein konstanter Anodisierungsstrom an eine Dünnfilmbaueinheit über Zeitperioden angelegt wird, die in fester geometrischer Progression abnehmen, wobei nachfolgend eine Anzahl von Schritten angewendet wird, bei denen die Anodisierungszeitperiode konstant gehalten und der Anodisierungsstrom gemäß der festen geometrischen Progression vermindert werden. Die Anodisierung kann während dieses Vorgangs kurz nach jedem Anodisierungszyklus,beispielsweise nach jedem Schritt, kurz unterbrochen

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werden, um der Prüfanordnung zu ermöglichen, den Portschritt des Aufbaues der Dünnfilmbaueinheit gegenüber dem Nominalwert zu prüfen. Ein Multiplexvorgang kann in Verbindung mit diesem Verfahren angewendet werden, um fertiggestellte anodisierte Dünnfilmbaueinheiten mit gesteigerter Geschwindigkeit zu produzieren.

Die Erfindung schafft also ein Verfahren zur Herstellung von Dünnfilmwiderständen und anderen Baueinheiten in präziser Weise gemäß Einstellung durch eine reguläre geometrische Folge von Schritten, Jeder Schritt eines Binärstufen-Anodisierungsmusters zur Einstellung eines Widerstandes auf einen normalen Widerstandswert 1st so ausgelegt, daß die prozentuale Abweichung des Widerstandswertes von dem Nominalwert an dem Ende jedes vorangehenden Schrittes um die Hälfte abgesenkt wird« Aufeinanderfolgende binäre Schrittverminderungen in der prozentualen Widerstandsabweichung werden durch eine Reihe von Binärstufen-Verminderungsvorgängen in dem Produkt aus dem Anodisierungsstrom und der Anodisierungszeit für jeden Schritt erhalten. Das entstehende Einstellungsmuster von abnehmender Geschwindigkeit bewirkt, daß jede Möglichkeit eines wesentlichen Überlaufens des gewünschten Nominalwertes vernachlässigbar ist, während ein schnelles Erreichen des Nominalwertes gewährleistet wird.

Ein Prcfczeßs-fceuerungsrechner wird zu diesem Zweck mit einer Reihe von Bänder oder anderen Programmeinrichtungen zur Speicherung der dem Anodisierungsstrom sowie der Anodisierungszeit entsprechenden Information verwendet, um aufeinanderfolgende Schritte des erfindungsgemäßen AnodisierungsVerfahrens durchzuführen. Eine solche Information entspricht derjenigen, welche von gegebenen Bedingungsgruppen und Widerstandskodierungen abgeleitet wurde, und zwar unter Einschluß verschiedener regulärer Anodisierungsmuster von geometrischer Progression und linearen Annäherungen, beispielsweise in Form einer

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linearen Annäherung eines Binärstufenmustersi Jeder Widerstand wird in aufeinanderfolgenden Schritten anodisiert, wo "bei nach jedem Schritt eine Widerstandsmessung durchgeführt und der Anodisierungsstrom sowie die Anodisierungszeit für den nächsten Schritt "bestimmt werden. Die Anodisierung wird beendet, wenn die Toleranzzone um den nominalen Widerstandswert erreicht wird*

Die Erfindung ist nachstehend anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

1 ein Schaubild zur Veranschaulichung des Produktes aua dem Anodisierungsstrom und der Anodisierungszeit als Punktion der prozentualen Abweichung eines Dünnfilmwiderstandes von P einem nominalen Widerstandswert entsprechend den ersten drei Schritten eines Anodisierungsmusters gemäß einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens nach der Erfindung,

Pig, 2 die Portsetzung des Schaubildes von Fig. 1 zur Verannchaulichung einiger zusätzlicher Verfahrensschritte in Nachfolge zu dem Anodisierungsmuster gemäß Pig. 1, in demgegenüber vergrößerter Ordinatendarstellung,

Pig, 3 ein Schaubild zur Veranschaulichung des Anodisierungsstromes als Punktion der prozentualen Abweichung von dem Wert für die ersten drei Schritte des Musters gemäß Pig. 1, 2,

Pig, 4 ein Schaubild zur Veranschaulichung des Anodisierungsstromes als Punktion der prozentualen Abweichung von dem Wert für einige zusätzliche Schritte in dem Muster gemäß Pigi 1,2,

Pig. 5 ein Punktionsschaubild zur Darstellung gewisser Schritte, welche gemäß einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens nach der Erfindung angewendet werden können, beispielsweise unter der Steuerung eines üblichen Prozeßsteuerungsrechners.

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Gemäß Pig. 1, 2 soll voraussetzungsgemäß eine Dünnfilmbaueinheit, "beispielsweise ein Dünnfilmwiderstand, anodisiert werden, um einen kennzeichnenden Parameter der Dünnfilmbaueinheit einzustellen, "beispielsweise deren Widerstandswert, so daß dieser Parameter innerhalb einer sehr engen Toleranz von beispielsweise +0,1 %o eines gewünschten Nominalwertes oder eines Wertes in festem Verhältnis zu dem Wert des Parameters in einer anzupassenden Dünnfilmbaueinheit liegt» Die spezifizierte Toleranzzone ist auf der rechten Seite 21 (Fig. 2) der in den Schaubildern von Pig. 1, 2 verwendeten Abszisseneint^ilung dargestellt, wobei Pig. 2 in einem gedehnten vertikalen Maßstab dargestellt ist und eine nach rechts gerichtete Portsetzung des Schaubildes von Pig. 1 darstellt. Ein Potentialbereich prozentualer Abweichungen von einem gewünschten Wert eines Parameters beginnend bei -5 % und endend bei etwa -0,1 %o ist längs der Abszisse von Pig. 1, 2 verans chaulicht *

Perner soll der Parameter der Dünnfilmbaueinheit innerhalb der sehr engen Toleranz des Nominalwiderstandswertes in einer kürzestmöglichen Gesamtzeit eingestellt werden, und zwar mit einer minimalen Wahrscheinlichkeit des Überlaufens der Toleranzzone in Zuordnung zu dem Nominalwert,

Die nachfolgend beschriebenen Verfahren zur Durchführung des Erfindungsgedankens sind im Sinne der Anodisierung zwecks Einstellung des Widerstandswertes eines Dünnfilmwiderstandes auf +0,1 %o eines gewünschten nominalen Widerstandswertes erläutert, wobei man von einer Anfangsabweichung in der Nähe von -5 % auegeht. Dies ist jedoch so zu verstehen, daß die Verfahren auch bei der Einstellung von Parametern, beispielsweise der Kapazität, anderer Dünnfilmbaueinheiten anwendbar sind, beispielsweise bei Dünnfilmkondensatoren, wobei die vorgewählten prozentualen Abweichungswerte von + 0,1 %o und -5 % lediglich ein Beispiel für einen weiten Bereich möglicher Endpunkte darstellen, die bei der Durchführung dieser

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Verfahren anwendbar sind.

Das Muster oder die Anodisierungsschritte gemäß Fig. 1,2 wurden so ausgelegt, daß der gewünschte Zweck erzielt wird, nämlich schnell und zuverlässig Dünnfilmwiderstände mit einer Toleranz von + O,1 %o zu erzeugen, ausgehend von -5 % Widerstands abweichung. Zehn aufeinanderfolgende Verfahrensstufen werden jeweils durch eine unterschiedliche Stufenzahl η =* 0 bis η β* 9 dargestellt» Jeder Schritt ji umfaßt eine unterschiedliche horizontale Erstreckung. Daher geht der Schritt η =* 1 von einer Abweichung von -5 % des Widerstandswertes zu einer Abweichung von -2,5 %_t während der Schritt η = 2 von der Abweichung von -2,5 % zu einer Abweichung von -1,25 % verläuft? der Schritt η =* 3 geht von der Abweichung von -1,25 % zu einer Abweichung von -0,625 %* Jeder aufeinanderfolgende Schritt kann so betrachtet v/erden, daß die Abweichung des Widerstandswertes, wie sie an dem Ende des vorangehenden Schrittes vorlag, um die Hälfte reduziert wird«

Gemäß Pig. 1, 2 kann eine Reihe von zehn Anodisierungsschritten in schneller Aufeinanderfolge gemäß einem Binärschrittmuster der Anodisierung durchgeführt werden, wobei die prozentuale Abweichung von -5 % auf innerhalb +0,1 %o des Nominalwertes eines Dünnfilmwiderstandes reduziert wird. Vermöge des extrem geringen Wertes, mit welchem sich jede Binärschrittzunähme dem gewünschten Wert annähert, ist jede Möglichkeit des Überlaufens des Toleranzbereiches in Zuordnung zu diesem gewünschten Wert^ selbst unter den nicht idealen Bedingungen bei einer Massenproduktion oder bei der Herstellung von Widerständen, minimal. Daher sollten jegliche Fehler der Widerstandsmessungen sowie auch jegliche Ungenauigkelten bei der Anwendung des theoretischen Verfahrens auf den tatsächlichen Produktionsprozeß im Hinblick auf irgendeinen einem Anodisierungsvorgang unterworfenen Dünnfilmwiderstand den endgültigen Widerstandswert des Widerstandes um nicht

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mehr als einen Binärschritt "beeinflussen, d.h. höchstens etwa in der Größenordnung von 0,1 %o des Nominalwertes für eine Toleranzzone von 0,2 %o. Ein solcher Effekt würde noch in die Toleranzzone für den Widerstand fallen.

Dargestellt durch die Ordinate von Mg, 1, 2 ist ein Produkt IT des Anodisierungsstromes I und der Anodisierungszeit T für jeden Schritt n. Damit jeder aufeinanderfolgende Schritt die prozentuale Widerstandsabweichung von dem Nominalwert um die Hälfte reduziert, wurde festgelegt, daß das Produkt des Anodisierungsstromes und der Anodisierungszeit binär mit jedem folgenden Schritt reduziert werden soll« Wie sich beispielsweise aus Pig. 1, 2 ergibt, wird das Produkt I., T., des Anodisierungsstromes und der Anodisierungszeit für den Schritt η = 1 zur Hälfte des Produktes IqT_q des Anodisierungsstromes und der Anodisierungszeit für den Schritt η = 0 gewählt, während das analoge Produkt I?^2 ^^{ür den} Schritt η = 2 die Hälfte des Produktes I₁T₁ ist. Das Produkt I T des Anodisierungsstromes und der Anodisierungszeit kann gemäß folgender allgemeiner Formel betrachtet werden:

Vn * ²'ⁿⁱ0^T0

Hier bedeuten I_Q, T_Q den an dem Dünnfilmwiderstand während eines Anfangsschrittes entsprechend η = 0 liegenden Strom bzw, die Zeit, über welche dieser Anodisierungsstrom während des Anfangsschrittes angelegt ist| Dieses Binärmuster vermindert sich, da das Strom/Zeit-Produkt für aufeinanderfolgende Anodisierungsschritte so gewählt wurde, daß das gewünschte Binärmuster der Abnahmen der prozentualen Abweichung von dem nominellen Widerstandswert eine schnelle Anodisierung ergibt, so daß eine minimale Wahrscheinlichkeit des Überlaufens der Toleranzzone entsteht*

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Um die Formel

¹Ii¹Ii ^{ά 1}O¹O

zu erfüllen, versteht es sich, daß das Änderungsmuster in dem Produkt I_n^_n mit aufeinanderfolgenden Schritten erreicht werden kannj indem eine oder beide der Variablen von Schritt zu Schritt verändert werden. Ein Beispiel eines Anodisierungsverfahrens gemäß einem solchen Muster ergibt sich aus Pig. 3_t 4 der Zeichnung« Eine erste Phase der Anodisierung gemäß diesem Verfahren (Fig. 3) umfassend Schritte von η = 0 bis η = 3 kennzeichnet sich durch ein BinärSchrittmuster von abnehmender Anodisierungszeit T , während der Anodisierungsstrom I für jeden Schritt auf einem gewählten Anfangswert I_Q konstant gehalten ist» Eine zweite Phase der Anodisierung gemäß dem Verfahren (Pig# 4) umfassend Schritte η =* 4 bis η = 9, ist durch ein Binärschrittmuster von abnehmendem Anodisierungsstrom I charakterisiert, wobei die Anodisierungszeitperiode für jeden Schritt auf dem Wert Tq/8 konstant gehalten wird, welcher während des letzten Schrittes, entsprechend η = 3, der ersten Phase der Anodisierung verwendet wird, wobei der Anodisierungsstrom für den ersten Schritt, nämlich η = 4» der zweiten Phase auf Iq/2 eingestellt v/ird. Daher steht das gesamte Anodisierungsmuster gemäß Pig« 3, 4 in Übereinstimmung mit der Gesamtformel

Ein Beispiel unter Einschluß der Auswahl verschiedener numerischer Werte zur Erzielung eines Anodisierungsmusters allgemein nach Art von Pig* 3, 4 ist nachfolgend erläutert. Es wird eine Annäherung verwendet, bei welcher ,ein im wesentlichen abschließender Anodisierungsschritt, beispielsweise η = N, zuerst vorgegeben wird. Alsdann wird eine Reihe von Schritten η = N-1, η = N-2 usw. durch Rückwärtsarbeiten abge-

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leitet, Ms Iferte für den Anodisierungsstrom I_Q und Tq zur Anwendung in einem ersten Schritt, entsprechend η = 0, abgeleitet wurden, welche einem Schritt η = N-N entsprechen. Daher soll unter Anwendung einer Widerstandsabweichung (D) von -0,2 %o als Ausgangspunkt auf einen Wert D = 0,1 %o während eines abschließenden oder nächst dem abschließenden Verfahrensschritt η = N befindlichen Verfahrensschrittes anodisiert werden, wobei die Toleranzzone, um den Nominalwiderstandswert erreicht wird. Die Wahl des Schrittes η = N soll sicherstellen, daß die abschließende Präzisionsanodisierung bei D = 0,1 %o nicht zu einem Überlaufen eines nominellen Widerstandswertes um mehr als einen Binärschritt führt. Ein typisches Dünnfilm-Widerstandsmaterial kann einen Widerstandswert von 50 0hm pro Quadratfläche aufweisen, was einen Widerstandswert darstellt, der gemäß empirischer Ermittlung einen Spannungsanstieg von 0,0167 Volt erfordert, um eine Änderung der Widerstandsabweichung an dem Punkt D = -0,2 %o um 0,1 %o herbeizuführen. Eine typische anwendbare minimale Anodisierungsperiode beträgt 25 Millisekunden, wobei dies eine Periode darstellt, welche eine brauchbare Anodisierungszeit für genau abgestimmte Anodisierungssehaltvorgänge ergibt. Eine Geschwindigkeit des Spannungsanstieges wird berechnet, indem die 0,0167 Volt Spannungsanstieg durch den 25 Millisekunden umfassenden minimalen Zeitperiodenwert geteilt werden, vfobei die berechnet* Geschwindigkeit des Spannungsanstieges 0^667 Volt pro Sekunde oder 40 Volt pro Minute beträgt. Diese Anfangsbedingungen werden als Schritt η = N in der unten angegebenen Tabelle fortgesetzt, wobei die prozentuale Widerstandswertabweichung (D) mit jedem aufeinanderfolgenden Schritt in der umgekehrten Schrittreihenfolge, d.h. N, N-1, N-2 usw., verdoppelt wird und die Geschwindigkeit des Spannungsanstieges in Volt pro Minute (V/Min) gemäß der nachfolgenden Tabelle eine Verdoppelung mit jedem folgenden Schritt für die Schritte N-1, N-2, N-3, N-4, N-5 erlaubt, während die Anodisierungszeit T_n auf

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ihrem Minimalwert über 25 Millisekunden gehalten wird, um eine Reihe schneller Anodisierungsschritte zu ermöglichen.

Schritt	D(~%)	V/Min.	Tn^Millisec.)	Phase	η
N+1	0.01	20	25	II	•9
N	0.02	40	25	II	8
N-1	0.04	80	25	II	7
N-2	0.08	160	25	II	6
N-3	0.16	320	25	II	5
N-4	0.32	640	25	II	4
N-5	0.64	1,280	25	II	3
N-6	1.28	1,280	50	I	2
N-7	2.56	1,280	100	I	1
N-8	5.12	1,280	200	I	0

Die Verdoppelung einiger in umgekehrter Reihenfolge verlaufender Schritte N+1 bis N - 5 gemäß der Tabelle setzt sich nicht für die Schritte N - 6, N - 7, N - 8 fort. Eine absolute Maximalgeschwindigkeit des zulässigen Spannungsanstieges ist auf 2000 Volt pro Minute eingestellt, da jeglicher Spannungsanstieg bei einer wesentlich höheren Geschwindigkeit zur Zerstörung des Oxidfilmes infolge eines Spannungsdurchbruches nebst nachfolgender Kristallisation der Oxidschicht führt. Der Schritt N-6 wäre charakterisiert durch eine Geschwindigkeit des Spannungsanstieges von 2560 Volt pro Minute, was einen Wert oberhalb des Wertes von 2000 Volt pro Minute darstellt, der als absolutes Maximum festgesetzt wurde, wenn die konstante Anodisierungszeitphase (Phase II) des Verfahrens in dem rückwärts gerichteten Portschreiten von Verfahrensschritten fortgesetzt würde. Daher wird der Schritt N-5 als Überkreuzungspunkt X hergenommen, bei welchem die konstante Anodisierungszeitphase (Phase II) in dem vorwärts gerichteten tatsächlichen Ablauf des berechneten Musters beginnt. Der Schritt N-6 ist der Phase I der Anodisierung zugeordnet, d.h. der Phase mit konstantem Anodisierungsstrom. Die Berechnung der Werte der Anodisierungszeit T_n für die Schritte N-6, N-7 usw. folgt durch

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Verdoppelung von T in jedem in umgekehrter Reihenfolge durchgeführten Schritt, wobei V/Min und I konstant bleiben, bis eine prozentuale WiderstandsWertabweichung von -5,12 %_t d. h« im Absolutwert größer als -5 %, für den Schritt N-8 erreicht ist, worauf die Berechnungen aufhören« Der Schritt N-8 entspricht nun ersichtlich dem Schritt η = O, wobei der 200 Millisekunden betragende Wert von T bei dem Schritt N-8 auf T_Q festgelegt wird.

Ein anfänglicher Ano<3isierungsstrom von verhältnismäßig hohem Wert Iq kann nunmehr aus der empirisch abgeleiteten Beziehung erhalten werden:

I = AV/3,225

Hierbei ist A der Bereich in mm des zu anodisierenden Dünnfilmwiderstandes, V die Geschwindigkeit des Spannungsanstieges in Volt pro Minute und I der Strom in Mikroampere. Daher ist für einen Wert V = 1280, wie in den vier Schritten N-5 bis N-8 der Phase I des Verfahrens, der Wert I entsprechend dem verhältnismäßig hohem Stromwert I_Q gleich 0,256 A.

Die Berechnungen und die in dem obigen Beispiel gegebene Zusammenstellung für Dünnfilm-Widerstandsmaterial bei einem Widerstandswert von 50 0hm pro Quadratfläche können übertragen werden, um einen weiten Bereich von Stoffen mit unterschiedlichen Widerstandswerten zu überdecken. Beispielsweise kann eine andere Tabelle für Stoffe von 25 0hm pro Quadratfläche als spezifischer Widerstand angelegt werden. Eine solche Tabelle hätte einen Überkreuzungspunkt X bei dem Schritt η = 4, wobei der Schritt η = 1 einer anfänglichen prozentualen Widerstandsabweichung D von etwa -5 %, beispielsweise -5,12 %, entspricht.

Die in Fig. 3, 4 dargestellten Anodisierungsmuster wurden lediglich zur besseren Darstellung angelegt und stellen nicht die aufgetragenen Resultate irgendeiner tatsächlichen Tabellenanlage der gerade beschriebenen Art dar. Tatsächlich scheint

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ein angenommener Anfangswert von -5_#12 % für die Abweichung D dem -5 % "betragenden Wert von Fig. 3 (und Fig. 1) vorzuziehen sein, einfach deshalb, weil 5,12 ein exaktes Binärvielfaches von O, 01 ist, d.h. 0,01 χ 2⁹.

Eine bevorzugte Art zur Anwendung eines Verfahrens nach der Erfindung umfaßt die Anwendung eines üblichen Prozeßsteuerungsrechners mit einem Gedächtnis oder peripheren Systemen, beispielsweise einer zugeordneten Bibliothek von Bändern, wobei Speicherinformation entsprechend den obigen Berechnungen und der obigen Tabellierung für einen weiten Bereich von Stoffen mit unterschiedlichen Widerstandswerten abgenommen werden kann. Anfängliche Werte des Anodisierungsstromes I_Q und der Anodisierungszeit T_Q zuzüglich richtiger Überkreuzungspunkte χ

sind für die verschiedenen Artwiderstände vorgesehen. Intermittierende Überprüfungen des Artwiderstandes können zwischen den Anodisierungsschritten durch Anwendung irgendeiner üblichen Meßschaltung eingestreut werden. Beispiele einer solchen Schaltung sind intermittierend arbeitende Anodisierungs- und Prüfschaltungen gemäß den USA-Patentschriften 3 341 444 und 3 341 445 oder Schaltungen, welche eine gleichlaufende Anodisierung und Widerstandsüberprüfung zulassen. Die Überprüfungen des Artwiderstandes zeigen das Portschreiten der Anodisierung längs der Abszisse, die prozentuale Widerstandsabweichung gemäß Fig, 3, 4, was eine Kontrolle der Anodisierung für das besondere bei dem betreffenden Widerstand angewendete Steuermuster unterstützt.

Ein Multiplexverfahren kajui mit Vorteil angewendet werden, um eine Anzahl von Dünnfilmwiderständen gleichzeitig mit einer augenblicklichen Kopplung jedes aufeinanderfolgenden, der Anodisierung unterworfenen Widerstandes zu einer Prüfbeziehung mit der Widerstandsmeßschaltung zu anodisieren. Die besondere verwendete Anordnung bildet keinen Gegenstand der Erfindung.

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In Fig. 3, 4 ist ein Paar gestrichelter Linien ^::a^i: und ^:ib^;: veranschaulicht, welche unterschiedliche stetige lineare Annäherungen der nichtlinearen Formel

-Vn * ^{ά 1}O¹O

darstellen, welche die ausgezogene Linie entsprechend dem BinärSchrittmuster gemäß Fig. 3, 4 darstellt. Jede solche lineare Annäherung kann mit Vorteil hei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahren angewendet werden. Daher kann ein Programmierungsband, welches die lineare Annäherung ^::b^i! beschreibt, zur Anodisierung eines Widerstandes verwendet werden, wobei jede intermittierende Überprüfung des Widerstandswertes eine Stelle längs der Abszisse von Fig. 3, 4 festlegt, d.h. die prozentuale Widerstandswertabweichung, welche die während des nächsten Anodisierungsschrittes entsprechend dem im wesentlichen binären Anodisierungsmuster der gestrichelten Linie "b^!! zu verwendende I- und T -Bedingung festlegt.

Die allgemeinen Erfindungsgrundlagen beziehen sich auf eine Anodisierung sowohl entsprechend einem nichtbinären als auch einem binären geometrischen Progressionsmuster, wobei ein kontinuierlich abnehmendes Produkt des Anodenstromes und der Anodisierungszeit in aufeinanderfolgenden Schritten erzielt wird. Eine allgemeine Formel zur Anodisierung gemäß der Erfindung hat folgende Form:

Hierbei ist K eine Konstante größer als 1, wobei alle anderen V/er te schon vorangehend definiert wurden. Die Formel

zur Definition der Lösung gemäß dem binären Schritt ist so

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betrachtet lediglich ein spezieller Fall der vorangehend ange gebenen allgemeinen Formel

wenn für K die ganze Zahl 2 eingesetzt wird. Andere ganzzahlige oder nichtganzzahlige Werte von K, größer oder kleiner ala 2| können in regulären geometrischen Progressionsmustern der Anodisierung gemäß der Erfindung verwendet werden, um diejenigen Fälle zu überdecken, denen zufolge geringere oder höhere Grade an Genauigkeit,der Gefahr des Überlaufens der Toleranzzonen oder der Schnelligkeit der Anodisierung gegenüber

^ denjenigen gemäß dem Binärschrittmuster nach Fig* 1-4 erzielt " werden sollen«

Gemäß Fig« 5 ist eine typische Anwendung des Erfindungsgegenstandes bei der Herstellung einer Anzahl von Tantalnitrid-Dünnfilmwiderständen mit einer Toleranz von +0,1 %o beschrieben. Fig» 5 stellt ein Funktionsschaubild mit einer Reihe von Verfahrensvorgangen dar, welche mit einem üblichen, für allgemeine Zwecke ausgelegten Prozeßsteuerungsrechner bei der Produktion derartiger Widerstände durchführbar sind. Die durchzuführenden Vorgänge gemäß dem Funktionsschaubild bestehen in der präzisen Anodisierung von vorangehend roh eingestellten Widerständen auf eine angenäherte Toleranz von h -5 % unter Verwendung einer üblichen Anodisierungsschaltung und üblichen Elektrolyten, beispielsweise unter Verwendung eines Elektrolyten aus .0,1 % Zitronensäurelösung in einem Karboxylmetholzellulose-Träger.

In dem Funktionsschaubild nach Fig. 5 werden gewisse vorangehend nicht erläuterte Ausdrücke verwendet. Der Ausdruck Rp stellt den programmierten Nominalwiderstandswert für irgendeinen Dünnfilmwiderstand dar, wobei r. einen Widerstandswert R. aufweist. Numerische Werte des Index I werden verwendet, um

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besondere Widerstände zu identifizieren, beispielsweise Widerstände r.j, r₂ mit V/iders tandswert en R.. bzw, R₂. Der Ausdruck !•Max bezieht sich auf die Gesamtzahl der in einer besonderen Gruppe von Widerständen zu anodisierenden Widerstände. Die Toleranzzone um den Nominalwert Rp für jeden Widerstand r*, d,h. die +0,1 %o umfassende Abweichungszone 0,9999 Rp_-^R^ 1,0001 Rp, ist als Grenzbereich 1 definiert« Der Ausdruck ⁿMax ^zeiS* ei»⁶ Maxiraalzahl von Anodiaierungsachritten, die hinsichtlich irgendeines Widerstandes r* zugelassen werden«

Die Anodisierung einer Anzahl i_Max von Dünnfilmwiderständen beginnt in der "Start"-Stellung 31 gemäß tfig, 5. Das Gedächtnis des Rechners, das beispielsweise durch ein Programraierungsband in Zuordnung zu einer besonderen Kodierung des zu anodisierenden Widerstandes bereitgestellt ist, wird untersucht (Kasten 32), um (Kasten 33) einen programmierten Nominalwiderstandswert R für den ersten Widerstand r> zu schaffen» AIa nächstes (Kasten 34) wird der Widerstandswert r* des Widerstandes r.. mittels eines üblichen Widerstandsprtbfverfahrena gemessen. Ein solches Gerät bestimmt, ob der Widerstandswert R.J mehr als 5 % oberhalb des Widerstandswertes Rp liegt, der für den Widerstand r^ (Kaeten 36) programmiert wurde, oder, wenn dies nicht zutrifft, ob der Widerstandswert R.. größer als der maximale Widerstandswert der programmierten Soleranzzone Ii in Zuordnung zu dem Widerstand r^ ist, d.h. ob R..> 1,0001 Rp für den Widerstandswert/Rp ist, der für den Widerstand v* (Kasten 37) programmiert wurdej und - falls dies nicht zutrifft -,ob der Widerstandswert R^ anfänglich in die programmierte $oleranzzone Ii in Zuordnung zu dem Widerstand r«. fällt, d.h., ob 09999 Rp^ R^ 1,0001 Rp für den Widerstandswert r ist, der für den Widerstand r.« (Kasten 38) programmiert wurde.

Wenn das übliche Widerstandsprüfgerät anzeigt (Kasten 36), daß der Widerstandswert R^ anfänglich um über 5 % darüber liegt, so wird der Rechner im Sinne der Anzeige programmiert,

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daß der Widerstand r^ "hoch" ist (Kasten 41), indem übliche Aufzeiohnungsmechanismen (nicht gezeigt) aktiviert werden. Wenn der Widerstandswert R.. (bei Kasten 37) als anfänglich oberhalb des maximalen Widerstandswertes der Toleranzzone L liegend bestimmt wurde, so tritt eine ähnliche ^wZurückweisen"-Aufzeichnung (Kasten-42) auf, Wenn der Widerstandswert R.. als in die Toleranzzone L um den programmierten Widerstandswert Rp für den Widerstand r., fallend gemessen wurde, so werden (bei Kasten 38) die Werte von Rp und die prozentuale Widerstandswertabweichung (#D) aufgezeichnet (Kasten 43)· In jedem dieser drei Fälle bestimmt der Rechner nach Aufzeichnung, ob der einzelne gerade überprüfte Widerstand r^, im vorliegenden Fall r^j der letzte einer Prüfung zu. unterwerfende ist, d.h.j ob i) -.^Μαΐ (Kasten 44) ist, und zwar vor der Adressierung eines nächsten Widerstandesi

Soweit wurde ein Programm zur Sortierung von Widerständen r., beschrieben, indem ein entsprechender aus einigen verschiedenen Kategorien gewählt wirdi Bs kann in gewissen Fällen als vorteilhaft angesehen werden, eine große Anzahl von Widerständen durch dieses Sortierprogramm mit rascher Aufeinanderfolge laufen zu lassen, ohne daß eine Anodiaierung auftritt. Diese Widerständej welche nicht den Prüfbedingungen der Kästen 36j 37 _r 38 entsprechen, d.h. Widerständej für welche der Wideratandswert R^ anfänglich geringer als derjenige an dem unteren Ende der Toleranzzone L ist, können später durch Anodisierung auf ihren Wert gebracht werden. In solchen Fällen könnt» Λβν Weg 46 gemäß der gestrichelten Darstellung in Fig, 5 als der Weg von dem Kasten 38 verwendet werden, wo der Zustand des Kastens 38, nämlich R. £ /L/, nicht erfüllt

Die Bestimmungen der Kästen 36, 37 sind für ein Anodisierungsprogramra nicht notwendig, sondern lediglich in einem Sortiervorgang zweckmäßig, welche entweder getrennt von einem Anodisierungsprogramm oder als Teil desselben durchführbar ist^

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Zurückkommend nunmehr auf die Anodisierung der Widerstände, "beispielsweise nach. Ausführung eines Sortierprogramms und Eliminierung aller Widerstände, für welche der anfängliche Widerstandswert r^ gleich oder größer als der Widerstandswert des unteren Endes der Toleranzzone ist, die für den Widerstand programmiert wurde, kann angenommen werden, daß die Prüfung R_± £ /L/ des Kastens 37 anfänglich eine "nein"-Anzeige ergibt. Der Rechner wird alsdann durch sein Programm zur Berechnung (Kasten 47) der Werte von I , D eingestellt, welche in einem ersten Anodisierungsschritt (gemäß Leitung durch den Kasten 48) verwendet werden.

Das Programmierungsband in Zuordnung zu der besonderen Verschlüsselring des Dünnf ilmwider Standes zum Durchlaufen einer Anodisierung verschafft dem Rechner die Information von der Art, wie sie in Fig. 3, 4 aufgetragen ist, sowie die Berechnungen und die Tabellierung gemäß der vorangehenden Beschreibung. Es wird angenommen, daß die lineare Annäherung ^:ib^:! des nichtlinearen Binärschrittmusters als das zweckmäßigste Muster der zu verwendenden Anodisierung für diese Verschlüsselung des Widerstandes ausgewählt wurde. Das übliche Widerstandswert-Prüfgerät zeigt eine prozentuale Abweichung des Widers tandswertes R. des Widerstandes r.. von dem für den Widerstand r.. programmierten Widerstandswert Rp an, wobei diese prozentuale Abweichung einer ersten Stellung längs der Abszisse, voraussetzungsgemäß von Pig. 3, entspricht« Der entsprechende Punkt auf der gestrichelten Linie ^Mb" soll der Punkt 51 von Fig. 3 sein. Die Anodisierungszeit T, welche durch den Rechner zur Anwendung in einem ersten Anodisierungsschritt bestimmt wurde, entspricht der Stellung des Punktes gegenüber der Ordinate von Pig. 2. Der anfängliche Anodisierungsstrom I_n ist der Wert I_Q, wie er aus der Formel

I « AV/3,225

bestimmt und in das Band programmiert wurde, wie bereits vorangehend beschrieben wurde. - 20 -

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Wenn einmal die Werte I , T für einen ersten Anodisierungsschritt gemäß dem linearisierten, allgemein "binären Muster "b^I? von Fig» 3, 4 gewählt wurden, so stellt das Programm den Rechner so ein, daß ein erster Anodisierungsschritt (Kasten 48) durchgeführt wird_t wobei der Widerstand in üblicher Weise "beim Vorliegen eines Elektrolyten analisiert wirdj danach wird ein neuer Widerstandswert R. des Widerstandes r. gemessen (Kasten 34), Wenn die Anodisierung zu dem vorausgesagten binären Muster der Abnahme der prozentualen Abweichung des Widerstandswertes führte, hat man nunmehr, den Punkt 52 aus der gestrichelten Linie ^l5b^;i erreicht.

' Der neue Wert von R^ wird nunmehr dem Vergleich der Kästen 36, 37, 38 unterworfen. Da die Zustände dieser Kästen nicht erfüllt sind, müssen die durch die Kästen 47, 48 geforderten wiederholt werden. Die Berechnungs-, Anodisierungs-, Meß- und Vergleichsvorgänge setzen sich alsdann fort, voraussetzungsgemäß angenähert durch die vorausgesagten Anodisierungs sehr it t-End punkte 53, 54, 55, 56, 57 usw», bis der von dem Kasten 38 geforderte Vergleich anzeigt, daß der Widerstand r.. seinen Widerstandswert R.. gesteigert hatte, so daß dieser in die Toleranzzone L um den programmierten Nominalwert Rp für den Widerstand r, fällt. Eine Änderung von einem konstanten Anodisierungsstrom einer ersten Anodisierungsphase

ψ zu einer zweiten Phase der Anodisierung mit konstanter Anodisierungs zeit zu einem entsprechenden Zeitpunkt wird durch das Programm entsprechend der gestrichelten Linie ^i!b^:! gesteuert, d^h. an dem Punkt 54. Die konstante Anodisierungszeit hat danach den vorbestimmten Wert von 25 Millisekunden.

Die Erreichung der vorausgesagten Zwischenpunkte 52, 53, 54 usw. ist weit davon entfernt, kritisch zu sein. Die Binärschrittannäherung wurde besonders wegen ihrer selbstkorrigierenden Art gewählt* Jeder aufeinanderfolgende Fehler, wenn irgendwelche Fehler vorliegen sollten, beeinflußt die Anodi-

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sierung lediglich in dem Bruchteil eines Binärschrittes« Der letzte aus einer Reihe von Anodisierungsschritten sollte somit den Widerstandswert des Widerstandes r.. in die Toleranzzone 1 bringen, d« h. daß die Bedingung erfüllt ist: 0,9999 Rp < R₁ < 1,0001 Rp.

Eine Kontrolle über irgendeinen Pail, bei dem der niedrigste Widerstandswert des Widerstandswert-Toleranzbereiches nicht in einer ausgedehnten Zahl von Schritten n*, erreicht wird, ergibt sich durch die Kästen 61, 62 gemäß Pig. 5, welche einen Vergleich der Anzahl von Anodisierungsschritten η nach jedem Schritt mit der Anzahl n™ und die Signalisierung des zugeordneten AufZeichnungsgerätes bewirken,um einen "Anhaltezustand" anzuzeigen, wenn einmal die Anzahl ru» von Schritten erreicht wurde.

Nachdem der Widerstand r.. auf seinen Wert eingestellt wurde, erfolgt ein Vergleich der Widerstandszahl i = 1 mit der Anzahl zu anodisierender Widerstände iM_ax· Da mehr als ein Widerstand zu anodisieren ist, findet man den Widerstand r^ nicht als den letzten Widerstand* Darauf wird das Reöhnerprogramm für die besondere Verschlüsselung des Widerstandes befragt (Kasten 63), um festzulegen, ob der abschließende Widerstandswert des ersten Widerstandes r^ auf den nächsten Widerstand r₂ anzupassen ist oder auf irgendeinen anderen folgenden Widerstand. Wenn nicht, werden die Kästen 32, 33 wiederum adressiertj um einen programmierten nominellen Widerstandswert Rp für den nächsten zu anodisierenden Widerstand r« abzugeben, worauf der gesamte Vorgang bezüglich des Widerstandes r« und danach bezüglich jedes folgenden Widerstandes wiederholt wird. Wenn dies zutrifft, wird der Wert von R.. aufgezeichnet (Kasten 64). Die Abgleichvorgänge treten danach durch Anwendung eines Wertes eines nominellen Zielwiderstandswerte Rp bei der Anodisierung des anpassenden Widerstandes auf, und zwar entsprechend dem aufgezeichneten Wert von R₁ multipliziert (Kasten 66) mit einem gewünschten Widerstandswertverhältnis, sofern ein anderer Wert

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als 1 vorliegt, was durch das Rechnergedächtnis (67) geleistet wird, das beispielsweise in der Form des Programmierungsbandes für die Verschlüsselung des die Anodisation durchlaufenden Widerstandes vorliegt. Ein solcher Abgleichvorgang kann bei der Herstellung von Dünnfilmwiderstandsnetzwerken einschließlich der Widerstände r^ , r„ usw. angewendet v/erden*

Die Anodisierung der Widerstände r., r₂ usw. setzt sich fort, bis ein Vergleich an dem Kasten 44 anzeigt, daß ein letzter Widerstand auf seinen Wert gebracht wurde. Darauf wird der AnodisierungsVorgang beendet (Kasten 68)»

Obgleich die verschiedenen Widerstände gemäß dem obigen Beispiel serienweise anodisiert wurden, versteht es sich, daß das Verfahren auch auf eine Multiplexanordnung anwendbar ist, wobei eine gleichzeitige Anodisierung von zwei oder mehr Widerständen durchgeführt wird. Sogar ohne Multiplexanordnung kann jedoch ein extrem schnelles und doch zuverlässiges Anodisierungsmuster durch das erfindungsgemäße Verfahren erzielt werden.

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Claims (6)

1. Ans_pr up hej

   iVVerfahren zur Anodisierung einer Dünnfilmbaueinheit zur Einstellung eines Parameters der Baueinheit innerhalb eines Toleranzbereiches eines gewünschten Endwertes durch Bewirkung mehrerer Schritte, in welchen ein Anodisierungsstrom der Baueinheit beim Vorliegen eines Elektrolyten über eine bestimmte Zeitperiode zugeführt wird, gekennzeichnet durch Auswahl eines Anodisierungsstromes sowie einer Zeitperiode für jeden Schritt zur Reduzierung der prozentualen Abweichung des Parameters von dem gewünschten Endwert um im wesentlichen ein festes Bruchvielfaches der prozentualen Abweichung und Beendigung der Anodisierung, wenn der Parameter der Dünnfilmbaueinheit (48) in den Toleranzbereich des gewünschten Endwertes fällt.
2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das feste Bruchvielfache dem Wert 0,5 entspricht.
3. 3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Produkt des Anodisierungsstromes und der Anodisierungszeit für jeden aufeinanderfolgenden Schritt als das feste Bruchvielfache multipliziert mit dem Produkt des Anodisierungsstromes und der Anodisierungszeit für den vorangehenden Schritt gewählt wird.
4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Bewirkung zumindest der letzten Schritte im wesentlichen nach einem Muster von Schritten entsprechend der Gleichung

   IT = κ""^ηΤ φ

   wobei η die Zahl jedes Schrittes, I der an der Baueinheit beim Vorliegen eines Elektrolyten während jedes Schrittes η

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   liegende Anodisierungsstrom, T die Zeit, über welche der Anodisierungsstrom I während jedes Schrittes η angelegt ist, K eine Konstante größer als 1, I_Q den an der Baueinheit während eines Anfangsschrittes entsprechend η = O liegenden Anodisierungsstrom und Tq die Zeit, über welche der Anodisierungsstrom I₀ während des Anfangsschrittes angelegt wird, bedeuten.
5. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Konstante K den Wert 2 hat,
6. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 4, 5, dadurch gekenn-λ zeichnet, daß die Verfahrensschritte entsprechend einer linearen Annäherung des nichtlinearen Musters gemäß folgender G-leichung durchgeführt Werdens

   7« Verfahren nach einem der Ansprüche 1-6, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest einer der Schritte eine Veränderung des Anodisierungsstromes gegenüber demjenigen beinhaltet, welcher während eines vorangehenden Schrittes verwendet wird, und daß zumindest einer der Schritte eine Änderung der Zeitperiode gegenüber derjenigen umfaßt, die während eines vorangehenden Schrittes verwendet wurde«

   8, Verfahren nach Anspruch l_t gekennzeichnet durch anfängliche Durchführung mehrerer Schritte, von denen jeder die Anlage eines konstanten Anodisierungsstromes an die Dünnfilmbaueinheit beim Vorliegen des Elektrolyten über Zeitperioden umfaßt, die sich im wesentlichen in geometrischer Progression gemäß dem bestimmten Bruchviolf.iclion ändern, und darauffolgende Durchführung mehrerer Schritte, von denen jeder die Anlegung von Anodisierungsstromen an die Dünnfilmbaueinheit beim Vorliegen des Elektrolyten über eine konstante Zeit-

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   QiT

   periode umfaßt, wobei die Ströme im wesentlichen in geometrischer Progression gemäß dem bestimmten Bruchvcielfachon geändert werden.

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