DE2151050A1 - Differential-triggerschaltung - Google Patents

Differential-triggerschaltung

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DE2151050A1
DE2151050A1 DE19712151050 DE2151050A DE2151050A1 DE 2151050 A1 DE2151050 A1 DE 2151050A1 DE 19712151050 DE19712151050 DE 19712151050 DE 2151050 A DE2151050 A DE 2151050A DE 2151050 A1 DE2151050 A1 DE 2151050A1
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transistor
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transistors
emitter
operating
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Thomas Marinus Frederiksen
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/286Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
    • H03K3/2893Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger
    • H03K3/2897Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger with an input circuit of differential configuration

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

Differential-Triggerschaltung
Die Erfindung betrifft eine Differential-Triggerschaltung mit Differentialstufen.
Es gibt viele Anwendungsgebiete für Schwellwert-Triggerstufen, deren Betrieb unabhängig von Änderungen der Versorgungsspannung ist, und die eine symmetrische Hysterese für die Umschaltung in Abhängigkeit von Eingangssignalen unterschiedlichen Schwellwertes haben. Es sind bereits Schmitt-Trigger und andere Schwellwert-Triggerschaltungen bekannt, die ein Ausgangssignal abgeben, das anzeigt, wenn das Eingangssignal über oder unter einem bestimmten Bezugswert liegt. Diese Schaltungen besitzen ebenfalls eine Hysterese, d.h. die Umschaltung von einem ersten in einen zweiten Zustand findet bei einem bestimmten Niveau des Eingangssignals statt, wogegen die Zurückschaltung vom zweiten in den ersten Zustand bei einem verschiedenen Niveau des Eingangssignals erfolgt, wobei
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dieses Niveau von bestimmten Parametern abhängt, mit denen die Hysterese bewirkt wird. Es ist häufig wünschenswert,-dass die Umschaltung aufgrund einer symmetrischen Hysterese erfolgt, d.h. dass sich der Schaltungszustand jeweils bei einem bestimmten Betrag oberhalb und unterhalb eines Umschaltniveaus ändert.
Für viele Schwellwert-Triggerschaltungen sind Rückkopplungen erforderlich, die Kondensatoren umfassen, so dass sich Schwierigkeiten bei der Herstellung/integrierter Schaltkreistechnik ergeben. Häufig sind solche Schaltungen auch als Eintaktb stufen aufgebaut. Schaltungen zur Herstellung/integrierter Schaltkreistechnik erweisen sich als besonders günstig, wenn sie Differentialstufen oder einen Schaltungsaufbau mit Differentialverstärkern umfassen. Dabei sind besonders symmetrische Schaltabläufe bezüglich der Hysterese wünschenswert, damit eine möglichst hohe Immunität gegen falsche Triggerung aufgrund von G-eräuschsignalen erzielbar ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Differential-Triggerschaltung zu schaffen, die eine symmetrische Betriebshysterese hat und einfach in integrierter Schaltkreistechnik herstellbar ist. Ferner soll die Triggerschaltung eine Vielzahl von Betriebsstromquellen umfassen, so dass der Be-P trieb unabhängig von Änderungen der Betriebsspannung ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss dadurch gelöst, dass eine erste Betriebsstromquelle mit eingangsseitigen Umschalteinrichtungen verbunden ist, dass Differential-Umschalteinrichtungen zumindest erste und zweite eaittergekoppelte Transistoren umfassen, dass eine zweite BetriebsStromquelle zwischen die zusammengeschalteten Emitter der Transistoren und eine erste Betriebsspannungsquelle geschaltet ist, dass eine dritte Betriebsstromquelle zwischen eine zweite Betriebsspannungsquelle und den Kollektor des ersten Transistors
- 2 - geschaltet
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geschaltet ist, dass der erste Ausgang der Umsehalteinrichtungen mit der Basis des ersten Transistors und der zweite Ausgang der Umsehalteinrichtungen mit der Basis des zweiten Transistors verbunden sind, dass der Kollektor des ersten Transistors mit dem zweiten Transistor gekoppelt ist und der zweite Transistor das Ausgangssignal der Triggerschaltung liefert, und dass der erste und zweite Ausgang der Umschalteinrichtungen über Rückkopplungseinrichtungen verbunden sind.
Weitere Merkmale und Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.
Die Erfindung ist besonders vorteilhaft bei einer Triggerschaltung verwirklicht, die einen eingangsseitigen Differentialverstärker mit Lateral-PNP-Transistoren umfasst. Dieser eingangsseitige Differentialverstärker steuert einen ausgangsseitigen Differentialschalter, der aus in Kaskade geschalteten NPN-Transistoren aufgebaut ist. Eine erste Betriebsstromquelle liefert einen Strom für den eingangsseitigen Differentialverstärker und eine zweite Betriebsstromquelle liefert einen Strom über die Emitter der Transistoren des zugehörigen ausgangsseitigen DifferentialVerstärkers. Der Kollektor eines Transistors des ausgabeseitigen Differentialverstärkers ist mit einer dritten Betriebsstromquelle verbunden, die einen Strom kleiner als der von der ersten und zweiten Betriebsstromquelle gelieferten Strom liefert. Eine mit dem eingangsseitigen Differentialverstärker verbundene Rückkopplungsschaltung arbeitet mit der dritten Betriebsstromquelle zusammen und bewirkt, dass der ausgangsseitige Differentialverstärker aufgrund einer Regenerationswirkung sehr rasch vom einen in den anderen Betriebszustand umschaltbar ist. Die Schal thysteres.e wird von dem Wert der Emitterwiderstände im eingangsseitigen Differentialverstärker bestimmt.
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Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels in Verbindung mit den Ansprüchen und der Zeichnung hervor. Es zeigen:
Fig. 1 ein Schaltbild einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, aus dem die Funktion der Schaltung in einem Übergangszustand bzw. einem instabilen Schaltzustand erkennbar ist;
Fig. 2 einen Teil der Schaltung gemäss Fig. 1, die den Betrieb in einem stabilen Zustand illustriert;
Fig. 3 einen Teil der Schaltung gemäss Fig. 1, die den Betrieb der Schaltung im anderen stabilen Zustand illustriert.
In den einzelnen Figuren der Zeichnung sind gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen versehen. In Fig. 1 ist eine Differential-Triggerschaltung mit symmetrischer Hysterese dargestellt. Diese Schaltung wird vorzugsweise in monolithisch integrierter Weise aufgebaut, und zwar entweder als eine unabhängige Triggerschaltung bzw. ein unabhängiger Umschalter oder als Teil eines grösseren Schaltfeldes, in dem die einzelnen Schaltungen verschiedene Funktionen ausführen.
Die differentiellen Eingangssignale zum Betrieb der Triggerschaltung gemäss den Fig. 1, 2 und 3 werden an Eingangsklemmen 10 und 11 mit einer Phasenverschiebung von 180 angelegt. Die Eingangsklemme 10 ist mit der Basis eines Lateral-PHP-Transistors 12 verbunden, wogegen die Eingangsklemme 11 an die Basis eines entsprechenden Lateral-PNP-Transis-cors 14-angeschlossen ist. Die beiden eingangsseitigen Transistoren 12 und 14 stellen einen Differentialverstärker dar, der von einem weiteren Lateral-PNP-Transistor 15 mit dem Strom für
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den Betrieb versehen wird. Der Kollektor dieses Transistors 15 ist an den Verbindungspunkt zweier Emitterwiderstände 17 und 13 angeschlossen, die ihrerseits mit den Emittern der Transistoren 12 und 14 in Verbindung stehen.
Eine positive Versorgungsspannung wird von einer Klemme 19 aus über einen Emitterwiderstand 20 an den Transistor 15 angelegt, wobei die Leitfähigkeit dieses Transistors I5 durch eine Vorspannung bestimmt wird, die von einem Spannungsteiler aus einem Widerstand, einer Diode 22 und einem Widerstand 23 ableitbar ist. Dieser Spannungsteiler liegt ebenfalls an der positiven Spannungsversorgung, wobei der Verbindungspunkt der Diode 22 mit dem Widerstand 23 an die Basis des Transistors 15 angeschlossen ist. Für eine beispielsweise Betrachtung sei angenommen, dass der Transistor 15 einen Strom von etwa 100/uA an den Verbindungspunkt der Widerstände 17 und 18 liefert. Die Diode 22 bewirkt eine Temperaturkompensation für den Basis-Emitterübergang des Transistors 15, so dass dieser Transistor den Strom von 100 /uA über einen verhältnismässig grossen Variationsbereich der Vasorgungsspannung und einen verhältnismässig grossen Temperaturbereich liefert. Die Emitterwiderstände 17 und 18 bestimmen die Verstärkung des eingangsseitigen DifferentialVerstärkers mit den Transistoren 12 und 14-, der seinerseits wiederum die Betriebshysterese der Triggerschaltung bzw. die Grenzschwellwerte festlegt. Durch die Festlegung der Werte der Widerstände 17 und 18 werden die Punkte fixiert, bei welchen die Umschaltung nach einem Nulldurchgang des an die Klemmen 10 und 11 angelegten Eingangssignals erfolgt. Damit kann die Verzögerung der Umschaltung nach einem solchen Nulldurchgang durch eine Änderung der Verstärkung in Abhängigkeit von verschiedenen Vsrten der Widerstände 17 und 18 eingestellt werden. Für spezielle Anwendungsbereiche der Schaltung können die Widerstände 17 und 18 direkt als Teil der integrierten Schaltung hergestellt werden und behalten ihren festgelegten Wert,
- 5 - nachdem
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nachdem die Schaltung fertiggestellt ist. Wenn eine Einstellbarkeit der Betriebshysterese wünschenswert ist, können die Widerstände 17 und 18 in Form diskreter veränderbarer Potentiometer ausgeführt sein, die ausserhalb der integrierten Schaltung angeordnet und entsprechend angeschlossen sind. In jedem Fall ist die Wirkungsweise der Schaltung die gleiche. Wird in Verbindung mit der Schaltung gemäss Fig. 1 angenommen, dass die an die Klemmen 10 und 11 angelegten Eingangssignale gleiche Amplitude haben, so werden beide Transistoren 12 und 14 im gleichen Umfang leitend. Dies ist ein instabiler Schaltzustand bzw. ein Übergangszustand der Schaltung, der während des Umschaltens vom einen auf den anderen Schaltzustand auftritt. In diesem instabilen Zustand sind die Transistoren 12 und 14 in gleicher Weise leitend, wobei jeder der Transistoren an seinem Kollektor einen Strom in der Grössenordnung von 50/uA abgibt. Dieser Strom wird über Widerstände 26 und 28 einem Verbindungspimkt 29 zugeführt, in welchem die beiden Widerstände 26 und 28 miteinander verbunden sind. In diesem Verbindungspunkt 29 ergibt sich somit durch Addition ein Strom von 100 /uA, der über die Diodenkette 31 nach Masse fliesst. Dieser über die Diodenkette 31 fliessende Strom ist gleich dem Strom, welchen der Transistor 15 von der positiven Spannungsquelle zieht und dem Verbindungspunkt der Widerstände 17 und 18 zuführt.
Die Ausgangsseite der Differential··Triggerschaltung umfasst eine NPN-Differentialverstärkerstufe in Darlingtonschaltung, wobei zwei Kaskadenstufen 40 und 50 vorhanden sind, die zwei NPN-Transistoren 41 und 42 bzw. 51 und 52 umfassen.
Das Eingangssignal an die Darlington-Stufe 40 wird an die Basis des Transistors 41 vom Verbindungspunkt des Kollektors des Transistors 14 mit dem Widerstand 28 aus angelegt. In entsprechender Weise wird das Eingangssignal für die Darlington-Stufe 50. an die Basis des Transistors 51 angelegt, die
- 6 - mit
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mit dem Verbindungspunkt des Kollektors des Transistors 12 und des Widerstands 26 verbunden ist. Die Kollektoren der Transistoren 41 und 51 sind mit einer positiven Versorgungsspannung verbunden, wogegen die Emitter dieser Transistoren jeweils mit der Basis eines der Transistoren 42 bzw. 52 verbunden sind. Die letzteren Transistoren sind in Differentialschaltung mit direkter Emitterkopplung angeordnet und liegen über einen NPN-Transistor 60 und einen am Emitter dieses Transistors angeschlossenen Emitterwiderstand 61 an Massepotential. Die Basis des Transistors 60 wird mit einer stabilen Betriebsvorspannung von einem Spannungsteiler aus beaufschlagt, der aus den Widerständen 70 und 71, einer Diode 72 und einem Widerstand 73 besteht. Dieser Spannungsteiler hängt zwischen der positiven Versorgung^spannung an der Klemme 19 und Massepotential.
Die Parameter der Schaltung sind bezüglich des Transistors 60 so ausgelegt, dass dieser einen Strom von etwa 100,-uA zieht. Somit ist der gesamte über die Transistoren 42 und 52 der Differentialschaltung fliessende Strom auf 100 /uA begrenzt. Bei dem in Verbindung mit Fig. 1 betrachteten Beispiel ist das Basispotential der Transistoren 41 und 51 gleich gross, da der über die Widerstände 26 und 28 fliessende Strom im instabilen Betriebszustand der Schaltung gleich ist. Als Folge davon ziehen die beiden Transistoren 42 und 52 einen Strom gleicher Grosse-, so dass der Strom von 100/uA über den Transistor 60 in zwei gleiche über die Transistoren 42 und 52 fliessende Ströme aufgeteilt wird.
Der über den Transistor 42 fliessende Strom wird von einem Lateral-PNP-Transistor 76 geliefert, dessen Kollektor direkt mit dem Kollektor des Transistors 52 verbunden ist und dessen Emitter über einen Emitterwiderstand 77 an einer positiven Betriebsspannung liegt. Die Leitfähigkeit des Transistors 76 wird von einem Spannungsteiler bestimmt, der aus einem Widerstand 80, einer Diode 81 und einem Widerstand 82 besteht, und
- 7 - zwischen
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zwischen der positiven Versorgungsspannung an der Klemme 19 und Masse liegt. Die Basis des Transistors 76 liegt am Verbindungspunkt der Diode 81 mit dem Widerstand 82. Die Diode 81 dient der Temperaturkompensation für den Transistor 76 in entsprechender Weise wie die Dioden 22 und 72 der Temperaturkompensation für die "beiden Stromversorgungstransistoren dienen. Die Parameter der Schaltung mit dem Transistor 76 sind derart festgelegt, dass dieser Transistor einen Strom von
50 /UA liefert, der dem Kollektor des Transistors 42 zugeführt wird. Entsprechend dem in Fig. 1 dargestellten Schaltzustand zieht der Transistor 42 einen Strom von 50 /uA, wobei der gesamte vom Transistor 76 gelieferte Strom über den Transistor 42 fliesst.
Wie bereits erwähnt, zieht auch der Transistor 52 während des Übergangs- bzw. des instabilen Betriebszustands einen Strom von 50 /uA. Der Kollektor des Transistors 52 ist mit der Ausgangsklemme der Schaltung verbunden, so dass diese 50/UA von der an den Ausgang angeschlossenen Schaltung geliefert werden müssen. Der vom Transistor 52 gezogene Stromanteil wird vom Transistor 60 festgelegt und ist auf 50 /uA begrenzt, da der Transistor 60 nur 100/uA Strom liefern kann und 50/UA dieses Stromes gleichzeitig dem Transistor 42 zufliessen. Die an die Ausgangsklemme 90 angeschlossene Last soll von geeignetem Aufbau sein, so dass der dem Transistor 52 zuzuführende Strom geliefert werden kann. Diese Last ist jedoch kein Teil der Differential-Triggerschaltung..
Die Diodenkette 31 bewirkt an dem Verbindungspunkt 29 eine Vorspannung, die somit an den Basen der Transistoren 41 und
51 wirksam ist und den Differentialverstärker aus den Darlington-Stufen 40 und 50 in den richtigen Betriebszustand vorspannt. Die Anzahl der Dioden in der Diodenkette 31 kann je nach den Vorspannungsbedingungen verschieden sein. Diese Dioden werden vorzugsweise aus Transistoren mit einer kurz-
- 8 - ge s chiο s s enen
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geschlossenen Basis-Kollektorstrecke gebildet.
Eine zusätzliche Rückkopplung wird über/iie Leitung 95 bewirkt, die'zwischen dem Kollektor des Transistors 76 und dem Verbindungspunkt der Basis des Transistors 51 mit dem Kollektor des Transistors 12 liegt. Mit den vorausstehend anhand der 51Ig. 1 beschriebenen Betriebsbedingungen fliesst über diese Leitung kein Strom.
In Fig. 2 ist der ausgangsseitige Differentialverstärker aus den Darlington-Stufen 40 und 50 in einem Betriebszustand dargestellt, der einem stabilen Schaltzustand, z.B. dem binären Zustand,1 entspricht. Die in Fig. 2 nicht dargestellten Teile der Schaltung sind identisch mit den in Fig. 1 dargestellten Schaltungsteilen. Im binären Zustand 1 gemäss Fig. 2 ist einer der Transistoren 12 und 14 voll leitend und der andere nicht leitend. Wie bereits erwähnt, ist die für die Umschaltung in diesen Zustand erforderliche Zeit von den Emitterwiderständen 17 "und 18 abhängig. Wenn Jedoch die Umschaltung stattgefunden hat, fliesst ein voller Strom von 100 /uA über den Transistor 12 und kein Strom über fen Transistor 14. Dies ist in Fig. 2 entsprechend mit Pfeilen dargestellt, so dass auch über den Widerstand 28 kein Strom fliesst. Damit sind auch bei diesem Schaltzustand die Darlington-Transistoren 41 und 42 in den nicht leitenden Zustand vorgespannt, so dass über den Transistor 42 kein Strom fliesst. Der Transistor 60 zieht jedoch weiterhin einen Strom von 100 /uA.
Die Darlington-Transistoren 51 und 52 werden in den voll leitenden Zustand aufgrund der Spannung am Widerstand 26 vorgespannt, so dass über den Transistor 52 der volle Strom von 100/UA fliesst. Damit fliesst auch dieser Strom vom Transistor 52 aus über die an die Ausgangsklemme 90 angeschlossene Last.
- 9 - Der
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Der Transistor 76 zieht weiterhin 50 /uA Strom, der Jedoch nunmehr über die Leitung 95 zu den 100 /uA vom Transistor 12 addiert wird. Somit fliesst ein Gesamtstrom von 150 /uA über den Widerstand 26 und die Diodenkette 51 nach Masse ab. Der zusätzliche über die Leitung 95 fliessende Strom steigt von Null auf 50 /uA an, wenn die Umschaltung beendet ist. Dieser zusätzliche Strom wirläb als positive Rückkopplung und beschleunigt die Umschaltung des DifferentialVerstärkers aus den Darlington-Stufen 40 und 50, so dass die Umschaltung schlagartig erfolgt, sobald sie eingeleitet ist. Der dem Schaltzustand einer binären 1 entsprechende stabile Zustand ist bezüglich der fliessenden Ströme in Fig. 2 dargestellt.
Wenn das an die Eingangsklemmen 10 und 11 angelegte Signal den Nullpunkt in einer Richtung durchläuft, so dass das Potential an der Klemme 11 negativer wird als das Potential an der Klemme 12, dann wird dadurch der Transistor 14- leitend und der Transistor 12 nicht leitend gemacht in Abhängigkeit von der Hysterese aufgrund der Widerstände 17 und 18. Mit der Änderung der Leitfähigkeit der Transistoren 12 und 14 beginnt der Transistor 14 Strom zu ziehen, wogegen der Strom im Transistor verringert wird. Dieses wiederum ändert die Leitfähigkeit der Transistoren 4-1, 42, 51 und 52, wobei die Transistoren 41 und 42 zunehmend leitend und die Transistoren 51 und 52 zunehmend nicht leitend werden, bis der zweite stabile Schaltzustand erreicht ist, der einer binären 0 entspricht. Dieser Schaltzustand ist bezüglich der fliessenden Ströme in Fig. 3 dargestellt.
Wenn der Gleichgewichtszustand für die Schaltung erreicht ist, zieht der Transistor 52 weniger als 50 /uA Strom von der angeschlossenen Last, während der Transistor 42 mehr als 50 /uA Strom zieht, um die vollen 100 /uA Strom über den Transistor 60 und den Widerstand 61 nach Masse abfliessen zu lassen. Da der Transistor 76 nur 50 /uA Strom dem Kollektor des Transistors
- 10 - 42 zuführt
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42 zuführt, muss ein zusätzlicher über 50/uA liegender Strom über die Leitung 95 dem Kollektor des Transistors 4-2 zugeführt werden. Dieser zusätzliche Strom wird vom Kollektor des Transistors 14- über die Widerstände 28 und 26 geliefert. Damit erhöht sich der Spannungsabfall an der Basis des Transistors 51, wodurch die Umschaltung der Darlington-Stufe 50 beschleunigt wird. Sobald diese Darlington-Stufe 50 den voll nicht leitenden Zustand eingenommen hat, ist die Darlington-Stufe 4-0 voll leitend, wobei der Transistor 42 einen Strom von 100 /uA führt. Von diesem Strom werden 50 /uA vom Transistor 76 "und 50/uA vom Kollektor des Transistors 14 über die Widerstände 28 und 26 sowie die Leitung 95 geliefert. In diesem Betriebszustand fliesst über die Diodenkette 31 ein Strom von 50 /uA nach Masse ab.
Es sei bemerkt, dass die Wirkungsweise der Schaltung symmetrisch ist, und dass in jedem der beiden stabilen Zustände ein Strom von 50 /uA von den Transistoren 42 oder 52 geliefert wird, je nachdem, in welchem der beiden stabilen Schaltzustände sich die Triggerschaltung befindet. Die Rückkopplungsschaltung, die die Leitung 95 sowie die Widerstände 26 und 28 umfasst, arbeitet als positive oder regenerative Rückkopplung für die ausgangsseitigen Darlington-Stufen 40 und 50 und erhöht damit die Umsehaltgeschwindigkeit der Triggerschaltung. Damit lässt sich eine schlagartige Umschaltung erzielen, wenn das Leitfähigkeitsgleichgewicht der eingangsseitigen Transistoren 12 und 14 vom einen in den anderen Zustand sich ändert.
Die Hystereseverzögerung oder die Hysterese-Grenzschwellwerte, die den Umschaltpunkt bestimmen, nachdem das an die Klemmen 10 und 11 angelegte Eingangssignal den Nullpunkt durchlaufen hat bzw. einen anderen Arbeitspunkt, bei welchem die Transistoren 12 und 14 gleichen Strom führen, hängt von der "Verstärkung der Transistoren 12 und 14 ab. Dies seinerseits wird von dem Wert der Widerstände 1? und 18 bestimmt. Wenn die
- 11 - Widerstände
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Widerstände 17 und 18 sowie die Widerstände 26 und 28 jeweils gleich sind, liegen die Hysterese-Grenzschwellwerte jeweils auf beiden Seiten gleichweit vom Nulldurchgang entfernt. Damit ist eine völlig symmetrische Wirkungsweise sichergestellt. Die Erfindung ist aufgrund des schaltungsmässigen Aufbaus besonders günstig in integrierter Bauweise herstellbar. Es werden keine Kondensatoren oder sonstigen Bauteile erforderlich, die nicht leicht in integrierter Schaltkreistechnik herstellbar sind.
- 12 - Patentansprüche
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Claims (5)

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    Patentansprüche
    rl J Differential-Triggerschaltung mit Differentialstufen, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste Betriebsstromquelle (15) mit eingangsseitigen Umschalteinrichtungen (12, 14) verbunden ist, dass Differential-Umschalteinrichtungen (40, 50) zumindest erste und zweite emittergekoppelte Transistoren (42, 52) umfassen, dass eine zweite Betriebsstromquelle (60) zwischen die zusammengeschalteten Emitter der Transistoren (42, 52) und eine erste Betriebsspannungsquelle geschaltet ist, dass eine dritte Betriebsstromquelle (76) zwischen eine zweite Betriebsspannungsquelle und den Kollektor des ersten Transistors (42) geschaltet ist, dass der erste Ausgang (Kollektor-Transistor 14) der Umsehalteinrichtungen mit der Basis des ersten Transistors (42) und der zweite Ausgang (Kollektor-Transistor 12) der Umschalteinrichtungen mit der Basis des zweiten Transistors (52) verbunden sind, dass der Kollektor des ersten Transistors (42) mit dem zweiten Transistor (52) gekoppelt ist und der zweite Transistor das Ausgangssignal der Triggerschaltung liefert, und dass der erste und zweite Ausgang der Umschalteinrichtungen über Rückkoppiungseinrichtungen (26, 28) verbunden sind.
  2. 2. Differential-Triggerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Hückkoppiungseinrichtungen einen ersten und zweiten Widerstand umfassen, die in einem gemeinsamen Verbindungspunkt (29) mit
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    Vorspannungseinrichtungen (31) verbunden sind, die diesen Verbindungspunkt auf ein bestimmtes Potential festlegen.
  3. 3. Differential-Triggerschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Differential-IJmschalteinrichtungen erste und' zweite Eingangstransistoren (41, 51) umfassen, deren Kollektoren mit einer positiven Versorgungsspannung beaufschlagbar sind, dass die Basis des ersten Eingangstransistors (41) mit dem ersten Ausgang der Umschalteinrichtungen und der Emitter mit der Basis des ersten Umschalttransistors ψ (42) verbunden sind, und dass die Basis des zweiten Eingangstransistors mit dem zweiten Ausgang der Umschalteinrichtungen und der Emitter mit der Basis des zweiten Umschalttransistors (52) verbunden sind.
  4. 4. Differential-Triggerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die eingangssextigen Umschalteinrichtungen in Differentialschaltung miteinander gekoppelte dritte und vierte Transistoren (14, 12) umfassen, die an den Basen mit dem Eingangssignal beaufschlagbar sind, und deren Emitter mit der ersten Betriebsstromquelle verbunden sind, und dass die Kollektoren der dritten und vierten Transistoren den ersten und zweiten Ausgang der Umsehalteinrichtungen darstellen.
  5. 5. Differential-Triggerschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennz eichnet, dass die dritten und vierten Transistoren über erste und zweite Widerstände (18, 17) emittergekoppelt sind, wobei der erste Emitterwiderstand (18) zwischen der ersten Betriebsstromquelle und dem Emitter des dritten Transistors sowie der zweite Emitterwiderstand (17) zwischen der ersten Betriebs-
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    stromquelle und dem Emitter des vierten Transistors (12) liegen.
    Differential-Triggerschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Betriebsstromquelle (15) eine konstante Stromquelle ist und zwischen der zweiten Betriebsspannungsquelle unc lern Verbindungspunkt des ersten und zweiten Emitterwiderstandes (18, 17) liegt, und dass der von der dritten Betriebsstromquelle gelieferte Strom kleiner ist als der von der ersten oder zweiten Betriebsstromquelle gelieferte Strom.
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    Leerseite
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