DE2147028A1 - Ferroelektrische Vorrichtung und Ver fahren zu deren Herstellung - Google Patents
Ferroelektrische Vorrichtung und Ver fahren zu deren HerstellungInfo
- Publication number
- DE2147028A1 DE2147028A1 DE19712147028 DE2147028A DE2147028A1 DE 2147028 A1 DE2147028 A1 DE 2147028A1 DE 19712147028 DE19712147028 DE 19712147028 DE 2147028 A DE2147028 A DE 2147028A DE 2147028 A1 DE2147028 A1 DE 2147028A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- potassium nitrate
- ferroelectric
- layer
- electrical contact
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 134
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 claims description 66
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 claims description 65
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 4
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 2
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 36
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 24
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 22
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 potassium nitride Chemical class 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 2
- 210000000352 storage cell Anatomy 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- AGNTUZCMJBTHOG-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(2,3-dihydroxypropoxy)-2-hydroxypropoxy]propane-1,2-diol Chemical compound OCC(O)COCC(O)COCC(O)CO AGNTUZCMJBTHOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000726768 Carpinus Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010021118 Hypotonia Diseases 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 240000007313 Tilia cordata Species 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical compound [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000001037 epileptic effect Effects 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000402 monopotassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019796 monopotassium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- PJNZPQUBCPKICU-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid;potassium Chemical compound [K].OP(O)(O)=O PJNZPQUBCPKICU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- 229910052722 tritium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 1
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 230000003442 weekly effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
- H01G7/02—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
- H01G7/02—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric
- H01G7/025—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric having an inorganic dielectric
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
PATENTANWALT DIPL-INQ. JOACHIM STHASSE
2U7028
TECHI.OVATIO::, Ine .
3o63 Colony Drive
Grosse He, Michigan 4Ö138 2o. September 1971
U.r..... Zo/Nie - Io 655
Ferroelektrische Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
Die vorliogende Erfindung bezieht sich auf eine ferroelektrisclie
Vorrichtung und ein Verfahren für die Herstellung dieser forroelektrischen Vorrichtung.
Bekannte ferroelektrische Stoffe zeichnen sich durch eine
außergewöhnlich hohe Dielektrizitätskonstante aus und sind permanent polarisierbnr. Die Richtung der Polarisation ist
beispielsweise beim Quarz durch die "ristallachsen gegeben} beim IJarium-Titanat wird sie durch die Kichtung eines elektrischen
Abkühl-Feldes festgelegt. Da die ferroelektrischen
Stoffe piezoelektrisch sind, finden sie in Meßvorrichtungen und Priizisioiisgernten, die mit hoher Frequenzgenauigkeit arbeiten
müssen, als Schwinger technische Anwendung.
Ea ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine forroeloktrischc
Vorrichtung zu schaffen, die als diiitnfiliniges Dielektrikum
schnelle Schaltzeiten ermöglicht und in Form von
209815/1505 - 2 -
BAD
2H7028
Kondensator-Speicherzellen in Komputern eingesetzt wird. Des
weiteren ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Herstellung einer dünnfilmigen, im Hochvakuum aufgedampften
ferroelektrischen Zelle mit einer Schicht aus Kaliumnitrat
der Phase III zu ermöglichen, welche bei üblichen Raumtemperaturen und Atmosphärendruck stabil ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit einer ferroelektrischen
Vorrichtung dadurch gelöst, daß eine ferroelektrische Kaliumnitratschicht
eine Dicke von weniger als Ho Mikron aufweist und daß elektrische Kontakte an vorgegebenen Oberflächenstellen
ψ der ferroelektrischen Kaliumnitratschicht angeordnet sind.
Die Dicke der ferroelektrischen Kaliumnitratschicht liegt vorteilhafterweise
in einem Bereich von loo bis looo Angström-Einheiten.
Zumindest einer der elektrischen Kontakte umfaßt eine Elektrode, welche aus einem metallischen Material besteht,
das zumindest etwas Aluminium enthält. Ferner kann die ferroelektrische Kaliumnitratschicht eine Dicke von weniger als 1 Mikron
aufweisen und aus einem Kaliumnitrat der Phase III bestehen, welches bei Raumtemperatur und bei atmosphärischem Druck stabil
ist.
^ In weiterer Ausgestaltung der Erfindung besteht der eloktrisehe
Kontakt aus einem Material, welches zumindest etwas Silber aufweist und ist der andere elektrische Kontakt aus einem
Material gebildet, welches zumindest etwas Aluminium beinhaltet.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren für die Herstellung der
ferroelektrischen Vorrichtung wird ein erster elektrischer Kontakt gebildet, wobei zumindest über einen Teil dieses elektrischen
Kontakts eine Schicht aus Kaliumnitrat aufgebracht wird, ferner wird die Schicht aus Kaliumnitrat durch Spülen
mit einem kalten, trockenen Gas ohne Abschrecken gokühlt, um
eine stabile Schicht aus ferroelektrischom Kaliuwnitriit zu
.2 09815/1508
erhalten, und schließlich wird ein zweiter elektrischer Kontakt über zumindest einen Teil der stabilen Schicht aus ferroelektrischem
1 aliumnitrat gebildet.
Die Kaliumnitrntschicht wird in bevorzugter Weise über zumindest
einen Teil des ersten elektrischen Kontaktes durch Vakuumbedampfung
mit flüssigem Kaliumnitrat innerhalb einer Vakuumkammer xmd bei einem Druck nicht größer als Io tmn Quecksilbersäule
gebildet. Die Kühlung der Kaliunmitratschicht erfolgt forner durch Spülen mit einem kalten trockenen Stickstoffgas
hai einem Druck von ungefähr einer Atmosphäre.
In weiterer Ausführung des Verfahrens wird zuerst die aliuranitratschicht
über den ersten elektrischen Kontakt ausgebildet, wobei das Kaliumnitrat vom pulverförmigen Zustand in den flüssigen
Zustand durch langsames Erhöhen der Temperatur für eine Zeit von veniger als 1 Stunde umgewandelt wird. Die Umwandlung
des pulverförmigen Kaliunmitrats in flüssiges Kaliumnitrat
erfolgt bevorzugt durch Erhitzen mit Hilfe von Wärmestrahlung.
'.Vo i to rc Einzelheiten der Erfindung werden anhand der zeichnerisch
dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert.
E s ze i gen ί
Fite. 1 eine charakteristische elektrische Ilysteresisschloife
4er Polarisation in Abhängigkeit von dom
elektrischen Feld,
Fig. 2 eine Einheitszelle des Kaliumnitrats der Phase III,
Fig. 3 ein Temporatur-Druckzustandsdiagramti des I aliuninitrats,
Fig. k eine ferroelektrischo Kondensntorspeicherzelle als
Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,
209815/1505 ~ 'l "
Fig. 5A, 5B und 5C verschiedene Verfahrensschritte bei der
Bildung der Niederschlagsschichton der ferroelektrischen Vorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung,
Fig. 6 in schematischer Darstellung die für das erfindungsgemäße
Verfahren vorgesehene Vakuumanlage,
Fig. 7 ein Blockschaltbild eines Temperaturreglers, der
bei dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendet wird,
k Fig. 8 Schaltkurven einer erfindungsgemäßen ferroelektri-
schen Vorrichtung,
Fig. 9 Kurven der Schaltgeschwindigkeit in Abhängigkeit
von dem an die ferroelektrischen Vorrichtungen angelegten
elektrischen Feld,
Fig. Io ein eelbetheilendes Phänomen, welches während der
erfindungsgeinäßen Entwicklungsarbeiten festgestellt
wurde,
Fig. 11 ein nicht herkömmliches Kristallbild des Kaliumnitrats, welches während der erfindungsgemäßen
ψ Entwicklungsarbeiten entdeckt wurde,
Fig. 12 eine Darstellung der Dichte in Abhängigkeit von der Dicke für Aluminium,
Fig. 13 die Energie in Abhängigkeit von der stabilen
Ionstellung innerhalb der Kaliumnitrat-Einheitszelle,
wobei sich das Ion in der X-Y-Ebene befindet,
Fig. Ik die Energie in Abhängigkeit von der stabilen Ionstellung
innerhalb der Kaliuinnitrat-Einheitszelle,
wobei sich das Ion etwas außerhalb der X-Y-Ebene befindet,
209815/1505 BAD - 5 -
Fig. 15 die Energie in Abhängigkeit von der stabilen Ionstellung
innerhalb der Kaliumnitrat-Einheitezelle, wobei das Ion noch weiter außerhalb der X-Y-Ebene
wie in Fig. 14 liegt,
Fig. 16 einen elektrischen Schaltkreis, der angewandt wird, um die Ilysteresisschlexfe der erfindungsgemäßen
ferroelektrischen Vorrichtung zu erhalten,
Fig. 17 eine kleine Hysteresisschleife, die bei der Prüfung
einer erfindungsgemäßen ferroelektrischen Vorrichtung
auftritt und
Fif. Io einen elektrischen Stromkreis zur Aufzeichnung der
Schalteigenschaften der erfindungsgemäßen ferroelektrischen
Vorrichtung.
üisvoi· noch näher die Figuren beschrieben werden, bedarf zunächst
der Ausdruck "ferroelektrisch11, der eine unter Uniständen
irreführende Bezeichnung darstellt, einer näheren Erläuterung, da in vielen ferroelektrischen Materialien gar keine
Ferro-Werkstoffe vorhanden sind. Die Bezeichnung "ferroelektrisch"
ist jedoch insofern angebracht, da das Phänomen der ferroelektrischen Materialien analog zu dem der Ferromagnetika
ist.
Die folgende Tabelle I zeigt diese Analogie zwischen den Ferromagnetika
und den ferroelektrischen Materialien auf.
209815/1505 .
«AD
Ferromagnetische Materialien Ferroelektrische Materialien
zeigen eine spontane magne- zeigen eine spontane elektri-
tieche Polarisation infolge sehe Polarisation infolge einer
einer Ausrichtung der Magnet- Ausrichtung der ionischen Di-
dipole. pole.
Weißsche Bezirke, Elektrische Bezirke,
Ausrichtung, Ausrichtung,
Nebenachse, Nebenachse,
Hauptachse, Hauptachse,
magnetische Ilysteresisschlei- elektrische Hystoresisschleife
fe (Magnetisierung) B über (Polarisation) P über äußerein
äußerem Magnetfeld H. elektrischem Feld E.
ferroelektrisches Material zeigt ein elektrisches Netto-Dipoluioinent,
d. h. in. ferroeloktrischen Zustand dos Materials
sind die Zentren der positiven und negativen Ladung nicht in 'oinzidenz. Drei Bedingungen müssen von einem kristallinen
Material erfüllt sein, um Ferroelektrizität zu besitzen.
1. Das Material muß einen Phasenübergang von einer polaren zu einer nicht-polaren Struktur aufweisen oder zumindest
muß es mit steigender Temperatur zu einem derartigen Übergang neigen.
2. Die Polarphase muß eine spontane Polarisation zulassen,
d. h. daß die Einhei tszelle ein Dipolinoment besitzen muß,
welches nicht allein auf die Raumanordnung aufgrund eines derartigen Moments zurückzuführen ist.
3. Die Richtung der spontanen Polarisation muß durch ein angelegtes
elektrisches Feld umkehrbar sein, wobei diese Bedingung die wichtigste von allen drei Bedingungen ist.
Einen charakteristischen Zusammenhang zwischen der Polarisation
und dem elektrischen Feld zeigt Fig. 1, wobei es sich um
209815/1505 SAD G
eine elektrische Hysteresisschleife handelt, die annlog zu
einer magnetischen Hysteresisschleife aufgebaut ist. Das elektrische
TeId E , welches der Polarisation Ivull entspricht, wird
als Koerzitiv-Ield bezeichnet. Ungleich einem üblichen Dielektrikum,
welches in Fig. 1 durch die gestrichelte Gerade dargestellt ist, weist die Polarisation für ein elektrisches Nullfold
nicht den Wert Null auf, sondern die sogenannte Rentanenz- oder Spontan-Polarisation P„. Diese Remanenz-Polarisation
hängt von der Richtung des zuvor angelegten Feldes ab und kann entweder P., odor -P., sein, je nach der Richtung des zuletzt
aufgebrachten Feldes. Es gibt zwei wohldefinierte Zustande für
das I'aterinl, die in Fig. 1 durch die Punkte Λ und B charakterisiert
sind. Diese liaterialien sind gut geeignet als binäre .Schaltelemente. Die Hysteresisschleife kann aufgrund der Annahme
von Bezirken bestimmter elektrischer Eigenschaften, ähnlich
der Vein'sehen Bezirke bei Ferromagnetikn, erklärt werden.
Ferroelektrische Kristalle umfassen im allgemeinen Vielfachzwillinge. In jedem Zwilling ist die spontane Polarisation
entlang einer spezifischen kristallographischen Richtung möglich. Da jedoch die Zwillinge in zueinander unterschiedlichen
Winkeln bezüglich ihrer kristallographischen Richtungen ausgerichtet sind, weist die Polarisation benachbarter Zwillinge
unterschiedliche Richtungen auf. Diese Einzelbereiche werden ferroelektrische Bezirke genannt. Zunächst sei angenommen, daß
das >iaterinl in Fig. 1 den ferroelektrischen Zustand Null besitzt.
Ks gibt keine nach außen wirksame Polarisation in dem Material, und es wird kein elektrisches Feld aufgebracht. In
diesem Zustand sind die Bezirke vollständig regellos und willkürlich orientiert. Bei einem Anstieg des elektrischen Feldes
in positiver Richtung wird die Anzahl der positiven Bezirke auf Kosten der negativen Bezirke erhöht. Die Bezirke werden
in Richtung des angelegten Feldes ausgerichtet, wodurch sie dieses Feld verstärken und zu einem weiteren Anstieg der Anzahl
der positiven Bezirke beitragen. Mit einem fortschreitenden Ansteigen der Feldstärke wird ein Zustand erreicht, in
welchen die Polarisation den Si; tti pingswert C besitzt, bei
209815/1505 - 3 -
den alle Bezirke in Richtung des angelegten Feldes ausgerichtet
sind. Bei diesem Vorgang handelt es sich um die Anfangspolarisation, die durch den Verlauf der Neu- oder Nullkurve
von Null bis C dargestellt iet. Wird dns Feld wieder auf Null reduziert, bleiben einige Bezirke weiterhin ausgerichtet, wodurch
sich eine nach außenhin wirksame Polarisation D ergibt. Durch das Anlegen eines elektrischen Feldes gleicher Stärke
und entgegengesetzter Richtung wird ein umgekehrtes Wachstum der Bezirke bis zu einer neuerlichen Sättigung erreicht. Dieser
Vorgang wird durch den Kurventeil von B nach D dargestellt. Eine Zurückführung des Feldes auf den Wert Null läßt das Material
in dem Zustand A mit der Heraanenz-Polarisation ""*'·}* ^e
fortgesetzte Anwendung von positiven und negativen Feldern ergibt die Schleife A-C-D-D-A. Verschiedene ferroelektrische
Materialien wurden bezüglich ihrer Eigenschaften für die Datenspeicherung
untersucht. Obwohl viele Materialien ferroelektrieches Verhalten besitzen, sind die bevorzugten Materialien
für die Speicherung von Daten Bariumtitanat, Kaliumdihydrogenphosphat,
Triglyzerinsulfat und Kaliumnitrat der Phase III. Die Kaliumnitrate der Phase III zeigen eine genau definierbare
kritische Schaltschwelle.
In Fig. 2 ist die rhornboedrische Struktur einer Einheitszelle
des Kaliumnitrats der Phase III dargestellt. Der Kreis im Zentrum gibt ein Stickstoffion wieder, die drei das Stickstoffion
umgebenden vollen Kreise sind die Sauerstoff-Ionen, und die
Kreise mit den horizontalen Mittellinien zeigen die Kalium-Ionen an.
Das Phasen- oder Zustandsdiagramm für Kaliumnitrat ist in
Fig. 3 dargestellt, in welcher die Horizontalachse den Druck in Kilobar und die Vertikalachse die Temperatur in Grad Celsiums
angeben. Kaliumnitrat existiert in drei Formen. Beim Temperaturen oberhalb von 13o ° C befindet sich das Kaliumnitrat in
der Phase I. Diese hohe Temperatur bewirkt eine Ausbildung in
- 9 209815/1505
2U7028
einer rhoniboedrischen Struktur der Raumgruppe D _ «. Lei Raumtemperaturen
besteht die Phase I.t, die eine ortho-rhombische
oder ein- und ein-achsige Struktur mit der Ilaunigruppe D „-aufweist,
box oiner Erhitzung über 13» ° C ändert Kaliumnitrat
aoine Kristallstruktur von der Phase II zur Phase 1. I3ei der
Abkühlung wird jedoch die Phase Ϊ nicht direkt in die Phose II
umgewandelt, sondern stattdessen findet eine Umwandlung in die
dritte Form, die Phase III, statt, und erst weiteres Abkühlen
führt zu der Phase Ii. Die Phase III ist ferroelektrisch und weist eine rhotuboedrische Struktur mit der Raumgruppe C^_ auf,
wie sie in l''ig. Li gezeigt ist.
Utifaugreiche Untersuchungen an ferroelektrischen Kondensatoren
aus zusammengepacktem Kaliumnitrat haben gezeigt, daß
1. eine exakt bestimmtbare Schaltschwelle nur in der
Phase 111 besteht,
2. die Phase LiI nur in einem Temperaturbereich oberhalb
der Raumtemperatur bei Λtnioapharendruck stabil ist,
3. eine in Achsenrichtnng aufgebrachte Druckkraft den Sta-
bilitfi tsbereich herabsetzt,
4. die kritische Schaltspannung mit abnehmender Dicke sinkt,
5. die üchaltzeit mit abnehmender Dicke gleichfalls sinkt.
Untersuchungen an einem anderen ferroelektrolytischon Material,
rnir.ilicti Lariunititanat, zeigen, daß die Schaltzeiten mit der
Dicke rior Zelle durch folgende Beziehung verknüpft sind:
tier *' *'' ° I)iCl{O <l<ifi Dielektrikums, E die
dstörlce hol der Schaltschwelle und E das
Feld darHtellen,
209815/1505.
BAD
Wenn die obige Gleichung auch für ferroelektrische Vo rf ich-"- -^
tungen aus Kaliumnitrat der Phase III gilt, ist die Annahme
gerechtfertigt, daß für das Erreichen von schnellen Schaltzei-■
ten das ferroelektriache Kondensator-Dielektrikum sehr dünn
gehalten werden muß. Die vorliegende Erfindung bezieht sich in erster Linie darauf, eine stabile Phase III des Kaliumnitrats
für ein dünnfilmiges Dielektrikum bei der üblichen Temperatur
und bei dem üblichen Druck zu erhalten und schnelle Schaltzeiten tnit einem derartigen dünnfilmigen Dielektrikum zu erreichen,
k fig. 1I zeigt eine ferroelektrische Vorrichtung gemäß der vor-
~ liegenden Erfindung in Form einer Kondensator-Speicherzelle
Geometrisch stellt die Speicherzelle 1 einen Kondensator mit einer oberen und unteren Metallelektrode 2 bzw. 3 dar, bei dem
das ferroelektrische Material die dielektrische Schicht k ist.
Stromleiter 5 und 6 sind elektrisch und mechanisch an der
oberon und unteren Metallelektrode 2 bzw. 3 angeschlossen. Die Herstellung dieser Zelle 1 unter Anwendung von Bedampfungstechniken
wird nachstehend noch näher beschrieben werden.
Die ferroelektrischen Vorrichtungen weisen eine Kaliumnitratschicht
auf, deren Dicke geringer als 1 Mikron ist. Die Herstellung einer vielschichtigen Vorrichtung, welche Metallfc
schichten mit einschließt, kann durch die Anwendung von Hochvakuumbedampf ungstechniken erfolgen. Die Film- oder Schichtdicke,
die bei dieser Erfindung einen wesentlichen Parameter darstellt, kann gleichfalls mittels Hochvakuum-Methoden kontrolliert
werden.
Bei einer erfindungsgemäßen Ausführungsform werden die Zellen
im Hochvakuum in Gruppen zu Io entsprechend einer 2x5 Matrix-Anordnung,
wie Fig. 5C zeigt, mit Hilfe einer bekannten Vakuum-Bedampfungsanlage hergestellt. Da die Io Zellen der
Matrix identisch sind, genügt die Beschreibung einer einzigen Zelle. In den Fig. 5Λ, 5D und 5C ist eine Unterlage 7, wie
- 11 -
209815/TSOS bad 03!3!Nte
_ lt . 2U7028
beispielsweise ein Objektivträger aus Pyrexglas, dargestellt,
dor 7,C CBi lnng, 2, *j!\ cm breit und o,l cm dick ist. Objektiv-
trüger können wegen ihrer günstigen thermischen, elektrischen
und Oberfläclieneigenschaft verwendet werden.
Die Unterlage 7 wird zunächst chemisch aufgrund einer ersten Waschung mit Azeton zum Entfernen von Fett gereinigt und anschließend
noch ein zweites Mal mit Äthylalkohol gewaschen, um joden chemischen Film zu entfernen, der eventuell nach der
Azeton-Reinigung zurückgeblieben ist. Die Unterlage 7 wird anschließend
an einem Aluminium-Heizblock 9 (vgl. Fig. 7) angebracht, welcher an einem Wagen des Transportmechanismus der
Unterlage (nicht dargestellt) angeordnet ist. Im Anschluß daran erfolgt ein dritter Reinigungeprozeß in einer Vakuumkammer
8 (Fig. 6) bei einem Druck von 2oo bis 25 Mikron unter Anwendung einer Hochspannungsentladung in einem ausgewählten Gas,
wie beispielsweise kalter, trockener Stickstoffatmosphäre. Es
ist sehr wichtig, daß die Unterlagenoberfläche vollständig gereinigt ist. Wenn ein Material im Vakuum auf dieser Oberfläche
niedergeschlagen wird, entsteht eine Molekularbindung zwischen dem niedergeschlagenen Material und der Unterlage 7·
In dünnen Filmen sind in vielen Fällen die vorhandenen mechanischen Kräfte größer als die Fließ- oder Streckspannungen
für das zusammengepackte Material. Eine gute Molekularbindung verhindert, daß sich der Film von der Unterlage 7 ablöst.
Der Transportmechanismus für die Unterlage liefert eine Linearbewegung
für die Positionierung der Unterlage 7 über drei nicht dargestellte Masken, wobei ein Leerfeld für eine Testete
llung während der Vakuumbehandlung vorgesehen ist, falls dies erwünscht ist. Die Masken sind in Schlitzen auf dem
Haskenschlitten angeordnet, so daß sie leicht ausgewechselt werden können, und die gesamte Maskenschlittenanordnung kann
von der Unterlage 7 entfernt werden, bevor diese in die nächste Stellung gebracht wird. Es ist selbstverständlich erforderlich,
- 12 -
209815/1505
2U7028
eine Zerstörung des dünnen Filmniederschlags zu vermeiden. Ein mechanisches Tor ist auf dem Boden der Maakenschlittenanordnung
vorgesehen und bildet eine Einrichtung für die Kontrolle dor Niederschlagszeit.
"■'nchdeni die Unterlage 7 durch Ionenbesdiuß geroinigt ist, wird
die Hochspannung abgeschaltet und die Untorlageii-Heizvori-iohtung
auf loo C iiit Hilfe eines elektronischen Temperaturreglers
gebracht, der in Zusammenhang mit Kig. 7 noch jviher beschrieben
worden wird.
W Hie Temperatur der Unterlage 7 ist w/jhrend des ' iederschla.ors
dos Kaliumnitrats kritisch. Eine orhöhte Temperatur ergibt eine
bessere bindung zwischen dem bilber und der niederschlag. Es
können selbstverständlich auch verschiedene andere Metalle für die Herstell\mg des ersten elektrischen Kontaktes einschließlich
anderer Edelmetalle verwendet werden. Eine Temperntür im
Bereich von ϋο ° bis 12o ° C liefert die besten Ergebnisse.
Fig. G zeigt schematise)! die Vakuumanlage, welche eine Vakuumkammer
ΰ aufweist, die mit einem Ausgangsverteiler I^ der
Vakuumkammer durch ein Vakuupi-Hauptabsperrventil 15 verbunden
ist. Eine Kältefalle 13 ist in der Einlaßöffnung des Auslaßverteilers
lh der Vakuumkammer angeordnet. Die ' ühlspulen Aar
Kältefalle 13 weisen einen Einlaß 16 und einen Auslaß 17 auf.
Eine Leitung 18 einschließlich eines Ionen-Anzeigers 10 steht
mit der Vakuumkammer ü in Verbindung. Eine Leitung 2o verbindet ein Ralgventil 21, das als Ablaßventil der Kammer arbeitet,
mit der Leitung Iu. Eine weitere Leitung 22 schließt ein Vorbalgventil
23 an die Leitung 13 an. Dieses Vorbalgvontil 23
ist mittels einer Leitung ?Jl mit einer Vorpumpe 2?, einem
Luftablaßventil 26 und einem vorgeschalteten Balgventil 27
verbunden. Das \rorge schalte te IJalgventil 27 steht mit einem
Halte-Balgvontil 2ό in Verbindung, welches an einer ilalteputnpe
29 und einem Luftnuslaf-Balgventil 3o angeschlossen ist. Eine
.. 209815/1505
,^«aC -- BAD ORIGINAL
2U7028
Leitung 31 verbindet das vorgeschaltete Balgventil 27 und das llalte-IJalgventil 2ß mit einer Diffusionspumpe 32, die im unteren
Teil des Auslaßverteilers Ik der Vakuumkaaimer angeordnet
ist.
i/ährend des Erhitzens der Unterlage 7 wird die Vakuumkammer 8
bis auf ungefiihr Io ~ khu Hg-Säule ausgepumpt. Wenn die Unterlage
7 οine Temperatur von loo C erreicht hat, wird sie oberhalb
der unteren Elektrodenrnasken angeordnet und ein Tantalbohnltor
nit einigen Gramm Silber großer Reinheit gefüllt und dio Temperatur auf ungefähr 12oo ° C durch Widerstandsheizung
erhöht. Da? Tor wird entfernt, und der Silberdanipf kann durch
die untere Elektrodenmaske auf die Unterlage in fünf horizontalen Reihen Io, welche o,lf53 cm breit sind (vgl. Fig. 5A)
aufgedampft werden.
Die Dicko der unteren Elektrode Io ist nicht zu kritisch, sollte
jodoch so gehalten werden, daß sich die Elektrode nicht von der Unterlage 7 lösen kann. Da die Korngröße des Silbers eine
Funktion verschiedener Parameter, darunter auch der Dicke ist, und da daher das Wachstum eine wichtige Rollo in der Ausrichtung
des Kaliumnitrat-Niederschlags spielt, sind die Dicke und das Elektrodenmaterial wosentlich.
Silber wird aus dem Grund für die untere Elektrode Io gewählt,
da es auch ale dünner Film gute Leitfähigkeit besitzt, leicht zu verdampfen ist und eine relative Beständigkeit gegen Kaliumnitrat
dampf aufweist.
Sobald die erwünschte Dicke der unteren Elektrode oder des i.ontaktos
Io erreicht ist, wobei die Niederschlagedicke eine Funktion der Behältertemporatür, des Dampfdruckes, der Unterlagetempora
tür und dor Zeit ist, wird das Tor zwischen dem Üehältor
und der Unterlage 7 angeordnet. Dio Widerstandsheizung wird abjioschaltot und dio Abkühlung des Tantalbehälters beginnt.
- \h 2 0 9 8 16/1505
2U7028
- lh -
Nach Beendigung des Niederschla^ens der unteren Elektrode vresr.?»--
den der Aluminium-IIeizblock 9 und die Unterlage 7 zu der dielektrischen Maske vorgebracht. Diese Jiaske ist derart ousjre-- :
l)i.ldet, daß sie eine Überlappung der unteren Elektroden Io um
o,19 cm auf jeder Seite ergibt, so daß eine Kürzung der Zellen
beim Aufbringen des zweiten elektrischen Kontakts oder der ;
oberen Elektrode - wie in den Fig. 5R und ^C dargestellt - vermieden
wird. Der Vorgang ist kritisch, der erforderlich ist, um einen Niederschlag von Kaliumnitrat der Phase III oder oiner
Schicht 11 zu erhalten, die beim Raunitenperatur und Ati.iosphä- .
fc rendruck stabil ist. Während die Unterlage 7 auf «iner Temperatur von loo ° C gehalten wird, erfolgt das Erhitzen des
schon vorbereiteten als Reagenz wirkenden Kaliuumitrats langsam
bis Ku seinem Schmelzpunkt bei 33'* ° C. Die Umwandlung von
dei»i jmlverförinigen in den flüssigen Zustand kann bei hohen;
Vakuum unter Anwendung der Kältefalle I3 (vgl. Fig. 6) für die
Kondensation der Feuchtigkeit und einer Bestrahlunf<3heiz;ung
in ungefähr einer halben Stunde durchgeführt werden. Die Geschwindigkeit
des Temperaturanstiegs soll klein gehalten werden, um das Ausfällen von Flüssigkeit und Gas aus dem pulverförmigen
Kaliumnitrat zu ermöglichen. Andernfalls führen die
Gaseinschlüsse kleine Explosionen herbei, die das Kaliumnitrat vor dem Erreichen seines Schmelzpunkte3 zerstreuen. Das
ψ pulverförmige Kaliumnitrat wird auf einem Objektivträger aus
Pyrexglas aufgehäuft und. ist 1 cm oberhalb einer mit Kohlelichtbogen
versehenen Widerstandsheizung angeordnet. Diese Anordnung sichert eine Strahlungsheizung zum Verdampfen des
Kaliumnitrats.
Die direkte Heizung mit einem Wolframbehältor liefert eine
schädliche thermische Reaktion zwischen dem geschmolzenen Kaliumnitrat und dem Wolfram. Eine direkte Heizung mit einem
Tantalbehälter bewirkt die voranstehend beschriebenen Gaseinechlüsse
infolge der lokalen Erhitzung. Aus diesen Gründen stellt die Erhitzung aufgrund der Wärmestrahlung die günstigste
,(,«.815/1506
Methode dar. Weitere Verfahren für die- Verdampfung des KaliumnitratiS
können von Vorteil sein, wie beispielsweise eine ilochfrequenzzerstäulung
oder eine LIoktronenstrahlerhitzung.
Sobald das gesainte .■ aliumnitrat sich im flüssigen Zustand beii'idot,
Viii-d die Temperatur des Brhitzers auf 77o C erhöht.
was luspuiiiptiii der Kammer wird bis zu einem Druck von ungefähr
lo~' 1:1111 Πμ-Sijule fortgesetzt. Um einen derartigem Druck zu or-ι(,οο1η;ιι,
wird flüssiger Stickstoff durch dio ühlspuleii der
kühlfall« IJ (Ii1:. G) geleitet. Zusätzlich vsu der kondousiürui
j; <lur iJaupffeuchtifrkeit kann noch ein . ältepuinpoxi vorgesehen
wonicu, un im;! schnelleres Auspumpen bi» zum gewünschten Absolutdruck
u»ul ura einen noch niedrigeren Absolutdruck zu erreichen
.
Bei einem Druck von Io mm Quecksilbersäule wird das Tor vregrce:;otrejv,
so daß sich das · aliumnitrat auf dor Silber- oder
unteren Elektrode Io wahrend 2-h liinuten niederschlagen kann.
1-ie endgültige Dicke der Kaliuinnitrat-liielektrikuinschicht
h.'iiijrt von dem Druck, der Temperatur dor Unterluge 7i der Touipera
tür C.iid geyclu-iolv-enen Kaliumnitrat» und der Xiederschlags-S-Uit
ab.
Die Krii·-tallprüfSe und die Kornorientierunj; sind zusätzlich
zu vielen weiteren Variablen auch eine Funktion der Niederrfciilagageschwindigkeit,
wobei eine geringe Xiederschlagsgeschtvindigkeit
die besten Ei-gebnisse liefert. Zwei oder vier I-iinuteit Hiederschlagszeit ergeben die gewünschte Dielektrikutnsdicke.
Das Niederschlagen wird durch Schließen des Tores und Abschalten der Stromzufuhr zu der mit einem Kohlelicht·»
bogen versehenen Heizung beendet. Anschließend wird der Heizblock abgeschaltet, das Hauptvakuuinabschlußventil I5 zu der
Vakuumkammer 3 geschlossen und kaltes, trockenes Stickstoffgas von einem nicht dargestellten Tank für flüssigen Stickstoff
in die Kaminer 3 bei Atniosphärendruck eingeleitet.
209815/1505
Nachstehend wird das Stabilitätsphänomen des dünnfilmigen Kaliumnitrats näher beschrieben. Stabiles Phase III-Kaliumnitrat
wird gemäß der vorliegenden Erfindung ohne Abschrecken erhalten.
Es ist von Interesse, daß im Rahmen dieser Erfindung eine nicht übliche durchwirbelte kristalline Struktur (vgl. Fig. H) festgestellt
wurde, welche nicht mit den üblichen optischen Dildern des Kaliumnitrats der Phase I, Phase II oder Phase III übereinstimmt.
Diese Struktur ist nur optisch sichtbar und entsteht aufgrund einer Anzahl von außergewöhnlichen Nieder-"
Schlagsbedingungen. Optische Betrachtungen und elektrische Messungen bestätigen, daß es stabiles Kaliumnitrat der Phase I,
II und III bei Raumtemperatur und Atmosphärendruck gibt. Nur die Phase II für zusammengepacktes Kaliumnitrat besitzt eine
stabile Phase als dünner Film während längerer Zeit. Diese Phasen sind während neun Monaten stabil gewesen und zeigen
keine sichtbaren Anzeichen einer Umwandlung oder Zerstörung.
Ein wichtiger Aspekt für dünne Filme ist der, daß sich die physikalischen Eigenschaften eines Materials als dünner Film
wesentlich von den physikalischen Eigenschaften des gleichen
Materials im zusammengepackten Zustand unterscheiden können.
Obwohl die Kristallstruktur von dünnen Filmen die gleiche wie die Kristallstruktur des zusammengepackten Materials ist,
kann sich die Strukturordnung des dünnen Films erheblich von der des zusammengepackten oder Dulkmaterials unterscheiden.
Die neuen Strukturen, die ausschließlich für das Phänomen des dünnen Films verantwortlich sind, umfassen verschiedene Formen,
wie beispielsweise amorphe, überstruktuierte, metastabile, unstabile
und stabile Polymorphe. Die Dichte eines Materials kann in starkem Maß von den Bulkwerten abweichen, sobald die
Filmdicke unterhalb eines kritischen Viertes abfällt. In Fig. 12, in welche die Dichte über der Dicke eines dünnen Films aus
Aluminium darstellt, ist auf der Horizontalachse die Dicke
209 815/1505
- 17 -
in X-rinheiten angegeben und auf der Vertikalachso die Dichte
in g/cm . Die obere horizontale durchgezogene Linie in Fig. zeigt eine Dichte von Π,7 an, die der Dichte des zusammengepackten
Aluminiums entspricht. Die untere Kurve gilt für Aluminium in Form eines dünnen Films.
Die Gitterkonstanten der dünnen Filme zeigen in einigen Fällen
eine erhebliche Abweichung von dem Bulkwert. Oberflüchenatonie
eines Kristalls haben im Gleichgewicht eine gegenüber den Atomen ir.i Verbund andere Umgebung. Die Atoinanordnung der Oberfläche
wird daher erherblüi von den Bulkwerten abweichen. Experimente
zeigen, daß ein sphärischer Kristallit mit einem Durchmesser D und einer Oberflächenspannung (Γ einen inneren
Druck —— besitzt. Der Gitterabstand a soll nun beispielsweise
Uta den Betrag ^a entsprechend
a " % ED
geändert werden, wobei E der Bulkmodul des Materials ist. Ein Aufstieg oder Abfall der Gitterkonstante hängt dann von dem
Vorzeichen von 6* ab.
Eine Änderung des Gitterabstandes des Inliumnitrations (Fig, 2)
bewirkt eine Änderung der freien Energie der Einheitszelle und
hat einen entsprechenden Effekt auf die Phasenstabilität dee Materials, Zusätzlich zu der Änderung des phasenstabilen Bereiches
wird die Verschiebung des !.alimnitrations die Größe
des elektrischen Feldes verändern, welches für die Bewegung des Ions von einer stabilen Phase in die andere erforderlich
iet. Die Fig. 13, Ik und 15 zeigen die Energie in Abhängigkeit
von der stabilen Ionstellung innerhalb der Einheitszelle des I.aliuDiniträte, in jeder dieser Abbildungen stellt die Ilorizontalachse
die Ions teilung und die Vertikalachso die Energie dar.
- ta -
- 13 -
Sicherlich spielt dna Abschrecken eine gewisse Rolle hoi dom
Stabilitätsphänomen, da es sehr große Spannungen schafft, jedoch
beweist die vorliegende Erfindung, daß das Abschrecken nicht unbedingt der bestimmende Faktor für die Phasenstabilität
ist, sondern es nur dazu beiträgt, den Stabilitätszuatand
zu erreichen und diesen zu unterstützen. Sobald die Strukturen der dünnen Filme einmal ausgebildet sind, sind sie, abgesehen von der Alterung, normal stabil. Die kritische Dicke,
bis zu welcher derartige Strukturen noch bestehen können, beträgt mehrere Mikron.
Es ist wichtig, darauf hinzuweisen, daß diesem Phänomen teilweise die Charakteristiken dünner Filme zugrundeliegon und
daß os bei zusammengepacktem Material nicht beobachtet wird.
Ebenso ist anzunehmen, daß sehr hohe Druckkräfte, die dem ErErscheinungsbild
des dünnen Films überlagert sind und iimewohnen,
den Mechanismus darstellen, durch welchen die Phasenstabilität besteht. Nach diesen Aueführungen über einen möglichen
Mechanismus für die Phaeenstabilität wird die Beschreibung
des Herstellungsverfahrens fortgesetzt·
Das Spülen der Kammer 8 bei Atmosphärendruck mit kaltem
trockenem Stickstoffgas für ungefähr 15 Minuten vervollständigt
die Umwandlung des Kaliumnitrate aus der Phase I in die Phase
-6
III. Anschließend wird die Kammer wieder bis auf Io mm Druck-Quecksilbersäule
evakuiert und die Unterlage-llelzblockanordnung
auf die obere Elektrodenmaske vorgebracht. Diese Maske ist
oberhalb eines Korbes aus Wolframdraht angeordnet, der mit einigen Gramm Aluminium großen Reinheitsgrades gefüllt ist.
Die Wolfram-Heizung wird dann auf looo 0CC erhöht, das Tor
entfernt, so daß sich das Aluminium über der dielektrischen Schicht 11 in zwei vertikalen Spalten 12 mit einer Breite
von 0.I53 cm (vgl. Fig. 5C) niederschlagen kann.
Experimentelle Untersuchungen haben ergeben, daß Aluminium den größten Anteil an betriebsbereiten, kurzschlußfreien Zellen
20ΪΙ16/1Β08 - 19 -
«AD ORIGINAL
2U7028
liefert, so daß die Verwendung von Silber, Kupfer, Blei oder
Blei-Zinn als obere Elektrode 12 nicht erforderlich ist.
Für das Auftreten eines Kurzschlußraechanismus zwischen den
Elektrodenschichten Io , 11 und 12 gibt es folgende mögliche
Erklärungen!
1. Erhöhte Temperatur des Behälters, die für die Verdampfung von höherechraelzenden Metallen erforderlich
ist, setzt Dampf mit einer höheren kinetischen Energie frei, wodurch das Metall in den dielektrischen Film
diffundiert.
2. Die Korngröße des Netalls kann klein genug sein, um
die Korngrenzen de· Kaliumnitrats zu durchdringen·
3. Die Beweglichkeit des Metalle ist zu groß, wodurch eine
zu heftige Bewegung des Metalls quer über die dielektrische Oberfläche 11 erfolgt, bevor noch die Kristallkernbildung anfängt.
Unabhängig von dem Kurzschlußproblem ist das Kriterium fUr die obere Elektrodendicke im wesentlichen dasselbe wie für
die untere Elektrode.
Sobald die erwünschte Elektrodendicke erreicht ist, wird das Vordampfungstor geschlossen und die Stromzufuhr zu dem Korb
aus Wolframdraht abgeschaltet. Die Matrix der fertigen Zellen kann entweder in die Prüfstellung gebracht werden, während
die Kammer 8 noch weiter evakuiert wird, oder es kann das
Hauptventil 15 geschlossen und die Kammer 8 mit Atmosphärendruck wieder gefüllt werden, so daß die Zellen für Prüfzwecke
entfernt werden können.
Fertige Zellenanordnungen können optisch mit einem bekannten
Mikroskop untersucht werden, welches eine R-Differential-
209815/1505 " 2o "
2H7028
- 2ο -
Interferenzanordnung für die Bestimmung der Phase des Kaliumnitrats
besitzt. Scharf abgegrenzte Korngrenzen polykristalliner Anordnungen trennen die Phasen I, II und III des Kaliumnitrats
voneinander.
Die einzelne lineare Kristallabmessung der Phase III hängt von vielen Parametern ab, die das Bedampfen beeinflussen, und
es wurde kein Versuch gemacht, eine vorgegebene Größe oder eine einheitliche Größe über eine vorgegebene Fläche einzuhalten.
Die linearen Abmessungen variieren von o,ol cm bis o,oo39 cm.
Zusätzlich zu der Feststellung der Anwesenheit des Kaliumnitrats der Phase III wird jede Zelle auf Kurzschlußkreise
überprüft. Mit der Annahme, daß keine Kurzechlußverbindungen
dadurch auftreten, daß der obere Elektrodenniederschlag durch die dielektrische Schicht 11 oder die dielektrischen Korngrenzen
diffundiert ist, können des weiteren noch Kurzschlußkreise aufgrund der mangelhaften Ausrichtung der Elektroden
Io und 12 oder infolge von Kissen oder sonstigen Mangeln in der dielektrischen überfläche auftreten. Zellendefekte dieser
Art können visuell mit Hilfe eines bekannten Mikroskops mit einer linearen Vergrößerung auf das ko- bis ^oo-fache festgestellt
werden. Ebenso kann das Erreichen der Ausrichtung der Bezirke bis zur Sättigung in den Punkten "C" oder "A" - wie
ψ in Fig. 1 gezeigt - rasch mit einer leicht abgewandelten
Ausführungsform des bekannten Mikroskops erkannt werden.
Nach der Feststellung des Vorhandenseins von Kaliumnitrat
der Phase III auf optischem Wege wird die Zellenmatrix auf einen temperaturgeregelten Aluminium-Dlock angeordnet. Kleine
Federn sind an Verbindungspunkten angelötet, um die elektrische Verbindung zu den Elektroden Io und 12 der Zellen herzustellen.
Eine herkömmliche elektrische Prüfmethode besteht darin, die ferroelektrische liysteresiskurve oder eine Ladungs-Spannungs-
209815/1505
" 2i '
zu beobachten, die durch Anlegen von positiven und negativen Spannungswerten, wie im Zusammenhang mit Fig. 1 beschrieben
wurde, erhalten wird. Fig. 16 zeigt einen Stromkreis für die Aufnahme dor Hysteresisschleifen. Ein Sinusgenerator 33 bekannter
Bauweise stellt eine Wechselstromquelle mit variabler Amplitude
und niederer Frequenz dar. Die Ladungs-Spannungs-Kurven werden durch Anlegen der Spannung über der Zelle Jk direkt
an einen Horizontaleingang 35 eines Speicher-Oszillographen
36 erhalten. Eine Spannung proportional zu dem Strom durch
die Zelle 34 wird über einen niederohtnigen Widerstand 37 von
beispielsweise loo Ohm abgenommen, der in Serie mit der Zelle
34 und mit dem Generator 33 liegt. Diese Spannung wird in
einem Verstärker-Integrator 3<3 integriert und die dabei erhaltene
Wellenform dem Vertikaleingang 39 des Speicher-Oszillographen 36 zugeführt. Auf diese Weise werden verschiedene
kleine Schleifen erhalten, wie beispielsweise die in Fig. 17 dargestellten Schleifen 4o.
Zur Bestimmung dor Schalteigenschaften der Zelle 34 wird eine
Pulsprüftnethode angowanrit. Ein in Fig. lö dargestellter Pulsgenerator
4l und die Zelle Jk zusammen mit einem loo-Ohm-Widerstand
42 bilden einen Serienkreis. Die gespeicherte Infornation in der Zolle 34, das ist +Q oder -O, wird als
eine Spannung über der Zeit gelesen, wenn die über den loo-Ohm-Widerstand
42 abgegriffene Spannung dem Vertikaleingang 39 des Speicher-Oszillographen zugeführt wird. Manuelles
Tritium rait oiner Puls verzöge rung des Generators 41 und extornofj
Triggern des Oszillographen 36 orlaubon es, die gesamte
Schaltwellenforiii in geeigneter Weise aufzuzeichnen.
Ausgehend davon, duß die Zolle eine "Eins" oder +0 gespeichert
hat, bewirkt ein negativer Impuls mit einem Absolutwort
größer als -V , der in die Zelle 34 eingespeist wird,
er
eine Polar isationaurnkehr. Die La du ng· linde rung 2Q„ bewirkt
»inen Strowfluß i^ = -^ durch den loo-Ohni-Widoratand 42.
Hut Iu vu.igol-.ultrtor Woisu die Zelle 34 den Wort "Null" oder
-Q1J gespeichert und wird ein negativer Impuls mit einem
209815/150 5 - 22 -
214702a
Absolutwert größer ale -Vcr zugeleitet, so erfolgt nur eine
geringe Änderung in der Polarisation und somit nur ein geringer ,Stromfluß durch den Widerstand %2.
Fig. 8 zeigt eine Wellenform 43 entsprechend einer gespeicherten "Eins" und ο ine Wellenfora hh. gemäß einer gespeicherten
"Null". Die Schaltzeit (t ) beträgt 21o Mikrosenkunden, der
Spitzenwert der Ausgangsimpuleaeplitude doo Millivolt. Dio
Horizontalachse besitzt eine Teilung von 5o Mikrosekunden und
die Vertikalachse von 2oo Millivolt.
\ Eine verhältnismäßig rasche und einfache Methode für das Trocknen und Verdampfen des als Reagenz wirkenden Kaliumnitratpulvers ist erfindungsgemäß geschaffen worden. Dieses Verfahren
liefert einen wirksamen dielektrischen Film 4 oder 11. Eine optische Prüfung des frischen dünnen Filme des Kaliumnitrats
der Phase III mit gekreuzten Polarisationslinsen zeigt eher eine gleichgroße "C"- und "Aw-Ausrichtung der Dereiche als
eine "C"- oder "A"-Bereichsorientierung. Die Orientierung folgt keinem bestimmten Muster und weist etwa einon Anteil
von 5o % des Bereiches "C" und 5o % des Bereiches "A" auf.
Kleine Hysteresisschleifen 4o zeigen die ferroelcktrische
Phase an und besitzen ausgezeichnete quadratische Schleifonw Charakteristiken.
Die beobachteten langen Schaltzeiten sind auf die Unmöglichkeit zurückzuführen, die Zelle 34 mit einem einzigen Impuls
zu sättigen. Auch für Bariuntitanat mit einem E kleiner als Ec tritt ein Schalteffekt auf, wobei jedoch die Schaltzeit
sehr lang ist.
Fig. 9 zeigt die Schallgeschwindigkeit in Abhängigkeit von
dem angelegten Feld. Die Elektrodengrenzschicht bedingt wahrscheinlich die Unmöglichkeit, ©ine Sättigung mit einem einzelnen Impuls zu erreichoii.
209815/1505 --3-
2U7028
Fig. 8 zeigt auch, daß bei einer zapfenförmigen Auebildung
des Zollenausgangsimpulses zum Erzielen einer Maximalamplitude
für eine gespeicherte "Eine" das Verhältnis der Ausgangswerte
"Eins" zu "Null" sehr groß 1st.
Eine der dünnen Filmzellen zeigt die Möglichkeit einer zerstörungsfreien
Zähleranzeige unter Anwendung des t* Teilschaltphänomens an. Diese Einzelzelle befindet sich im gesättigten
Zustand. Anschließend wird die Polarität des Pulsgeneratore
umgekehrt, und die Dauer der Impulse reduziert. Die Anwendung von schmalen Impulsen ergibt eine signifikante Anzeige-Wellenfortn,
bewirkt jedoch keine feststellbare Polarisationsumkehr.
Dieses Phänomen wurde gerade nur in einer Zelle beobachtet.
Die Impulsprüfung offenbart auch eine selbstheilende Eigenschaft, die darin besteht, daß Wellen, die den dielektrischen
Durchbruchsspannungen ausgesetzt sind, zu dem normalen Betriebs·
zustand nach einigen Minuten Standzeit wieder zurückkehren. Die Erklärung für diesen Mechanismus ist durch das Phänomen
des dünnen Films gegeben, bei dem große Spannungen in der oberen Elektrode 2 oder 12 auftreten. Sowie der dielektrische
Durchbruch oder Durchschlag erscheint, wird die Bindung zwischen der dielektrischen Schicht k oder Il und der oberen
Elektrode 2 bzw. 12 an der Durchbruchstelle und einem Teil der näheren Umgebung gelöst. Das obere Elektrodenmetall hebt
sich von dem Strompfad ab. Dieser Effekt ist in Fig. Io dargestellt,
in welcher die kreisförmigen Flächen anzeigen, wo sich der obere Elektrodenfilm von dem zentralen Strompfad
gelöst hat.
Die Dünnfilm-Technik der vorliegenden Erfindung ermöglicht die Herstellung schneller, dichtgepackter, nicht verdampfbarer,
zerstörungsfreier Zähleranzeigespeicher.
In den Fig. 7, 8, 9 und 1o sind Bauteile dargestellt, die für
die Herstellung der Erfindung erforderlich sind. Die Tempera-
209815/1505 " 2k "
VAGINAL
2H7028
- 2k -
tür des Unterlageerhitzers und des Prüfblocks ist innerhalb
eines Temperaturbereiches zwischen 2o C und 2oo C rejrelbar.
Dies erfolgt mit Hilfe eines elektronischen Temperaturregelsystems,
dessen Blockschaltbild in Fig. 7 gezeigt ist. Das Temperaturfühlerelement ist ein Chrorael-Alurael-Thermoele-Bient
59 mit einem zweiten Chromel-Alutnel-· Thermoelement als
Referenzeleraent. Für den voranstehend angegebenen Temperaturbereich
reicht die Thermoelement-Spannung von o,8 biß zu ö , 13 riillivolt. " Die Thermoelement-Spannung wird direkt dem
Eingang eines GleichstromverBtärkers 6o mit einer fest vorgegebenen
Verstärkung von loo zugeleitet. Eine Referenzspannung
ψ von beispielsweise 1 Volt Gleichstrom wird über ein lo-gängiges
Potentiometer 61 angelegt. Die Spannung über einen Schieherkontakt 62 des Potentiometers gelangt direkt in einen Gleichstromverstärker
63 mit der Verstärkung 1. Die Ausgangespannungen
der Verstärker 60 und 63 bilden die Eingänge für einen Verstärker 6**, der eine Spannungsverstärkung von ungefähr
60 000 für einen offenen Kreis aufweist. Der Verstärker Gli
arbeitet als ein Spannungsvergleichsverstärker und sein Auegang
beträgt + oder -I5 V Gleichstrom in Abhängigkeit von der
Polarität der Eingangswerte.
Liegt die Temperatur des Aluminium-Erhitzerblocks 9 unterhalb
des angezeigten Einstellwertes, so beträgt der Ausgang des " Verstärkers Gk I5 V Gleichstrom. Der Ausgang des Verstärkers
6k wird einem Unijunktion-Transistor-Triggerkreis 65 zugeleitet,
welcher schnelle Impulse zu einer Torschaltung 66 eines Steuer-Siliziuingleichrichters 67 liefert, wenn der Verstärkerauegang
positiv ist. Der Steuer-Siliziumgleichrichter 67 liegt in Reihe mit einem Widerstandheizelement 68 und regelt
den Strom durch das Element 68, welches an dem Aluminium-Erhitzerblock 9 angeordnet ist. Die Stromversorgung des Erhitzer-Siliziufnsteuergleichrichterkreises
erfolgt durch einen ungefilterten Diodenbrückengleichrichter, der mit einer Leitung
7o an das Netz angeschlossen ist.
20981-5/1 505 - 25 -
8AD ORIGINAL
Ist die Temperatur des Aluminium-Erhitzerblocks 9 gleich oder
größer als der Einsteilwert, so weist der Ausgang des Verstärkers
6k eine negative Sättigung auf und beträgt -15V
Gleichstrom. Wenn die -15 V Gleichstrom an den Eingang des
Unijunktion-Triggerkreises 65 gelangen, werden keine Trigger-Impulse
für die Torschaltung 66 des Steuer-Siliziumgleichrichters 67 mehr erzeugt. Da dieser nicht mehr leitend ist, fließt
auch kein Strom durch das Widerstandsheizelement 68.
Die Temperaturmessung wird noch in der Weise vervollständigt,
daß die Spannung des Thermoelementenverstärkers 60 auf einem
Meßgerät angezeigt und in Beziehung zu einer entsprechenden
Temperaturspannungsreihe für das Thermoelement gesetzt wird· Metrische Skalenteilungen und Kreisscheibenteilungen sind in
Millivolt ablesbar, so daß andere Thermoelement-Kombinationen verwendet werden können, um den Temperaturbereich des Steuergerätes
auszudehnen oder zu ändern. Die Genauigkeit der absoluten Temperaturmessung wird durch die Genauigkeit des Thermoelementes
59 und der Vergleichestelle begrenzt, wobei jedoch innerhalb des Instrumentenbereicheβ jeder Wert mit einer Genauigkeit
von o,2 ° C in bezug auf den Einsteilwert efreieft«-
bar ist.
Ss let selbstverständlich, daß Änderungen und Abwandlungen in
der Ausgestaltung und in Einzelheiten möglieh sind, ohne daß dadurch der Umfang des Erfindung·gedenken« überschritten wird*
Ansprüche t
ORIGINAL
209811/1505.
Claims (3)
- 2U7028- 26 -AnsprücheFerroelektrische Vorrichtung, dadurch gekennzeichnet , daß eine ferroelektrische Kaliumnitratsch ic ht eine Dicke von weniger als lio Mikron aufweist und daß elektrische Kontakte an vorgegebenen Oberflächenstellen der ferroelektrischen Kaliumnitratschicht angeordnet sind.
- 2. Ferroelektrische Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Dicke der ferroelektrischen Kaliumnitratschicht in einem Bereich von loo bis looo Se liegt,3· Ferroelektrische Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest einer der elektrischen Kontakte eine Elektrode umfaßt, welche aus einem metallischen Material besteht, das zumindest etwas Aluminium enthält.km Ferroeiektrische Vorrichtung nach den Ansprüchen 1, 2 oder dadurch gekennzeichnet, daß die ferroelektrische Kaliumnitratschicht eine Dicke von weniger als 1 Mikron aufweist und aus einem Kaliumnitrat der Phase III besteht, welches bei Raumtemperatur und bei atmosphärischem Druck stabil 1st.5* Ferroeiektrlache Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß einer der elektrischen Kontakte aus einen Material besteht, welches zumindest etwas Silber aufweist und daß der andere elektrische Kontakt aus einem Material gebildet ist, welches eumindeet etwas Aluminium beinhaltet.β* Verfahren für die Herstellung einer ferroelektrischen Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 6* dadurch209815/15052U7028gekennzeichnet , daß ein erster elektrischer Kontakt gebildet wird, wobei zumindest über einen Teil die*ses elektrischen Kontaktes eine Schicht aus Kaliumnitrat aufgebracht wird, ferner diese Schicht aus Kaliumnitrat durch Spülen mit einen kalten trockenen Gas ohne Abschrekken gekühlt wird, um eine stabile Schicht aus ferroelektrischetn Kaliumnitrat zu erhalten und schließlich ein zweiter elektrischer Kontakt über zumindest einen Teil der stabilen Schicht aus ferroelektrischem Kaliumnitrat gebildet wird.Verfahren nach Anspruch 6f dadurch gekennzeichnet, daß die Kaliumnitratschicht über zumindest einen Teil des ersten elektrischen Kontaktes durch Vakuumbedämpfung mit flüssigem Kaliumnitrat innerhalb einer Vakuumkammer und bei einen Drucl Puecksilbersäule gebildet wird.Vakuumkammer und bei einen Druck nicht größer als Io ram
- 3. Verfahren nach einea der Ansprüche 6 oder 7* dadurch gekennzeichnet , daß di.« Kaliumnitratechicht durch Spülen mit einen kalten trockenen Stickstoffgas bei einem Druck von ungefähr einer Atmosphäre gekühlt wird.9· Verfahren nach einen der Ansprüche 6 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß zuerst die Kaliumnitratschicht über den ersten elektrischen Kontakt ausgebildet wird, wobei das Kaliumnitrat vom pulverförmigen Zustand in den flüssigen Zustand durch langsames Erhöhen der Temperatur für eine Zeit ton weniger als 1 Stunde umgewandelt wird.Io. Verfahren nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, daß die Umwandlung d&s pulverförmigen Kaliumnitrats in flüssiges Kaliumnitrat durch Erhitzen mit Hilfe von Wärmestrahlung erfolgt.209815/1505Leerseite
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US7605970A | 1970-09-28 | 1970-09-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2147028A1 true DE2147028A1 (de) | 1972-04-06 |
Family
ID=22129683
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19712147028 Pending DE2147028A1 (de) | 1970-09-28 | 1971-09-21 | Ferroelektrische Vorrichtung und Ver fahren zu deren Herstellung |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3728694A (de) |
JP (1) | JPS5244181B1 (de) |
CA (1) | CA951436A (de) |
DE (1) | DE2147028A1 (de) |
FR (1) | FR2108045B1 (de) |
GB (1) | GB1325961A (de) |
NL (1) | NL7113279A (de) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5214300A (en) * | 1970-09-28 | 1993-05-25 | Ramtron Corporation | Monolithic semiconductor integrated circuit ferroelectric memory device |
US4713157A (en) * | 1976-02-17 | 1987-12-15 | Ramtron Corporation | Combined integrated circuit/ferroelectric memory device, and ion beam methods of constructing same |
FR2341929A2 (fr) * | 1977-02-09 | 1977-09-16 | Technovation | Dispositif ferroelectrique et sa methode de fabrication |
US4149301A (en) * | 1977-07-25 | 1979-04-17 | Ferrosil Corporation | Monolithic semiconductor integrated circuit-ferroelectric memory drive |
JPS62222512A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-30 | キヤノン株式会社 | 誘電体材料 |
US4946710A (en) * | 1987-06-02 | 1990-08-07 | National Semiconductor Corporation | Method for preparing PLZT, PZT and PLT sol-gels and fabricating ferroelectric thin films |
US5063539A (en) * | 1988-10-31 | 1991-11-05 | Raytheon Company | Ferroelectric memory with diode isolation |
US5168420A (en) * | 1990-11-20 | 1992-12-01 | Bell Communications Research, Inc. | Ferroelectrics epitaxially grown on superconducting substrates |
US5273927A (en) * | 1990-12-03 | 1993-12-28 | Micron Technology, Inc. | Method of making a ferroelectric capacitor and forming local interconnect |
US5926412A (en) * | 1992-02-09 | 1999-07-20 | Raytheon Company | Ferroelectric memory structure |
US5392189A (en) | 1993-04-02 | 1995-02-21 | Micron Semiconductor, Inc. | Capacitor compatible with high dielectric constant materials having two independent insulative layers and the method for forming same |
US6791131B1 (en) * | 1993-04-02 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a storage cell capacitor compatible with high dielectric constant materials |
US5524092A (en) * | 1995-02-17 | 1996-06-04 | Park; Jea K. | Multilayered ferroelectric-semiconductor memory-device |
TW456027B (en) * | 1999-08-18 | 2001-09-21 | Matsushita Electronics Corp | Method of making ferroelectric thin film, ferroelectric capacitor, ferroelectric memory and method for fabricating ferroelectric memory |
US8519846B2 (en) | 2004-03-16 | 2013-08-27 | Newage Industries, Inc. | Tracking system for gamma radiation sterilized bags and disposable items |
US8592767B2 (en) * | 2006-08-07 | 2013-11-26 | The Trustees Of The University Of Pennsylvania | Tunable ferroelectric supported catalysts and method and uses thereof |
US8405508B2 (en) | 2006-08-09 | 2013-03-26 | Emd Millipore Corporation | Use of gamma hardened RFID tags in pharmaceutical devices |
WO2009017612A2 (en) | 2007-08-02 | 2009-02-05 | Millipore Corporation | Sampling system |
US20090256679A1 (en) * | 2008-04-11 | 2009-10-15 | General Electric Company | Rfid based methods and systems for use in manufacturing and monitoring applications |
US20100006204A1 (en) | 2008-07-07 | 2010-01-14 | Millipore Corporation | Wireless enabled bags and containers |
FR2935537B1 (fr) * | 2008-08-28 | 2010-10-22 | Soitec Silicon On Insulator | Procede d'initiation d'adhesion moleculaire |
FR2943177B1 (fr) | 2009-03-12 | 2011-05-06 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure multicouche avec report de couche circuit |
FR2947380B1 (fr) | 2009-06-26 | 2012-12-14 | Soitec Silicon Insulator Technologies | Procede de collage par adhesion moleculaire. |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3142044A (en) * | 1961-05-17 | 1964-07-21 | Litton Systems Inc | Ceramic memory element |
-
1970
- 1970-09-28 US US00076059A patent/US3728694A/en not_active Expired - Lifetime
-
1971
- 1971-07-28 GB GB3537671A patent/GB1325961A/en not_active Expired
- 1971-08-18 JP JP46062841A patent/JPS5244181B1/ja active Pending
- 1971-09-21 DE DE19712147028 patent/DE2147028A1/de active Pending
- 1971-09-24 FR FR7135357A patent/FR2108045B1/fr not_active Expired
- 1971-09-27 CA CA123,752,A patent/CA951436A/en not_active Expired
- 1971-09-28 NL NL7113279A patent/NL7113279A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL7113279A (de) | 1972-03-30 |
GB1325961A (en) | 1973-08-08 |
FR2108045A1 (de) | 1972-05-12 |
JPS5244181B1 (de) | 1977-11-05 |
US3728694A (en) | 1973-04-17 |
CA951436A (en) | 1974-07-16 |
FR2108045B1 (de) | 1976-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2147028A1 (de) | Ferroelektrische Vorrichtung und Ver fahren zu deren Herstellung | |
EP0021087B1 (de) | Verfahren zur Herstellung grobkristalliner oder einkristalliner Metall- oder Legierungsschichten sowie Anwendung des Verfahrens zur Herstellung von Halbleiterschaltungen und Kontaktelektroden | |
DE1483246B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer amorphen Legierungsschicht | |
DE2516749C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Metallkörpern mit wiederholt reversiblem Gestaltwechselvermögen | |
DE1950126A1 (de) | Verfahren zur Aufringung isolierender Filme und elektronische Bauelemente | |
DE3340584C2 (de) | ||
DE2356442A1 (de) | Verfahren zur herstellung von stabilem kaliumnitrat der phase iii sowie daraus hergestellter gegenstaende | |
DE2821539A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiter-bauelementen | |
DE2513844A1 (de) | Pulvermasse und ihre verwendung zur herstellung von widerstaenden | |
DE3003136C2 (de) | ||
DE60034616T2 (de) | Iridium-Verbundsbarrierestruktur und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE2039734B2 (de) | Verwendung eines metall-isolatorhalbleiter-bauelements, metall-isolatorhalbleiter-bauelemente hierfuer und verfahren zur herstellung derselben | |
DE1813844A1 (de) | Herstellung von Mangan-Wismut | |
DE2232000A1 (de) | Domaenen-schaltelement und verfahren zu dessen herstellung | |
DE2440169C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Josephson-Kontakten | |
DE1044889B (de) | Zwischen Elektroden angeordneter ferroelektrischer Kristall als Informationsspeicher | |
CH634605A5 (en) | Process for the preparation of coarsely crystalline and monocrystalline metal layers | |
DE2532655A1 (de) | In der hochtemperaturphase stabilisierte stoffzusammensetzung aus mangan- wismuth | |
DE2716331A1 (de) | Temperaturempfindlicher kondensator, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung | |
DE2534414A1 (de) | Magneto-widerstand und verfahren zu dessen herstellung | |
DE1790082A1 (de) | Metallschicht-Widerstandselement | |
DE1279242B (de) | Elektronisches Festkoerperbauelement zum Schalten | |
DE102020210163B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer ferroelektrischen Schicht oder einer antiferroelektrischen Schicht und Bauelement | |
DE2118823C3 (de) | Ferroelektrische Kristalle aus dotierten Aminosäureverbindungen | |
DE4143405C2 (de) | Permanenter ferroelektrischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
OHW | Rejection | ||
OI | Miscellaneous see part 1 |