DE212021000219U1 - electronic device - Google Patents

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    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate

Abstract

Elektronische Vorrichtung mit:
einem isolierenden Substrat, das eine Substratvorderseite aufweist, welche einer Seite in einer Dickenrichtung zugewandt ist;
einem Verdrahtungsabschnitt, der auf der Substratvorderseite ausgebildet ist und aus einem leitenden Material besteht;
einem Anschlussrahmen, der auf der Substratvorderseite angeordnet ist;
einem ersten Halbleiterelement und einem zweiten Halbleiterelement, die mit dem Anschlussrahmen elektrisch verbunden sind; und
einer ersten Steuereinheit, die mit dem Verdrahtungsabschnitt elektrisch verbunden ist und bewirkt, dass das erste Halbleiterelement als ein erster oberer Arm operiert und dass das zweite Halbleiterelement als ein erster unterer Arm operiert,
wobei der Anschlussrahmen einen ersten Pad-Abschnitt aufweist, mit welchem das erste Halbleiterelement verbunden ist, und einen zweiten Pad-Abschnitt aufweist, mit welchem das zweite Halbleiterelement verbunden ist,
wobei der erste Pad-Abschnitt und der zweite Pad-Abschnitt von dem Verdrahtungsabschnitt beabstandet sind und in einer ersten Richtung so angeordnet sind, dass ein erster Trennbereich zwischen dem ersten Pad-Abschnitt und dem zweiten Pad-Abschnitt eingezwängt ist, wobei die erste Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung steht, und
wobei die erste Steuereinheit von dem Anschlussrahmen in einer Betrachtung in der Dickenrichtung beabstandet ist und mit dem ersten Trennbereich in einer Betrachtung in einer zweiten Richtung überlappt, wobei die zweite Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung und der ersten Richtung steht.

Figure DE212021000219U1_0000
Electronic device with:
an insulating substrate having a substrate front surface facing one side in a thickness direction;
a wiring portion formed on the substrate front surface and made of a conductive material;
a lead frame arranged on the substrate front side;
a first semiconductor element and a second semiconductor element electrically connected to the lead frame; and
a first control unit which is electrically connected to the wiring portion and causes the first semiconductor element to operate as a first upper arm and the second semiconductor element to operate as a first lower arm,
wherein the lead frame has a first pad portion to which the first semiconductor element is connected and a second pad portion to which the second semiconductor element is connected,
wherein the first pad portion and the second pad portion are spaced from the wiring portion and are arranged in a first direction such that a first separation region is constrained between the first pad portion and the second pad portion, the first direction being perpendicular to the thickness direction, and
wherein the first control unit is spaced from the lead frame when viewed in the thickness direction and overlaps with the first separation region when viewed in a second direction, the second direction being perpendicular to the thickness direction and the first direction.
Figure DE212021000219U1_0000

Description

TECHNISCHES GEBIETTECHNICAL AREA

Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine elektronische Vorrichtung.The present disclosure relates to an electronic device.

STAND DER TECHNIKSTATE OF THE ART

Eine IPM (intelligentes Leistungsmodul, „intelligent power module“) genannte elektronische Vorrichtung ist eine von verschiedenen elektronischen Vorrichtungen. Solch eine elektronische Vorrichtung weist ein Halbleiterelement, ein Steuerelement und einen Anschlussrahmen („lead frame“) auf (siehe Patentdokument 1). Das Halbleiterelement ist ein Leistungshalbleiterelement, das Leistung steuert. Das Steuerelement steuert den Betrieb des Halbleiterelements. Der Anschlussrahmen stützt das Halbleiterelement und das Steuerelement und dient als ein Leitungspfad für diese Elemente.An electronic device called IPM (intelligent power module) is one of various electronic devices. Such an electronic device includes a semiconductor element, a control element, and a lead frame (see Patent Document 1). The semiconductor element is a power semiconductor element that controls power. The control element controls the operation of the semiconductor element. The lead frame supports the semiconductor element and the control element and serves as a conduction path for these elements.

DOKUMENTE DES STANDES DER TECHNIKPRIOR ART DOCUMENTS

Patentdokumentpatent document

Patentdokument 1: JP-A-2020-4893 Patent Document 1: JP-A-2020-4893

KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION

Von der Erfindung zu lösendes ProblemProblem to be solved by the invention

Da die Anzahl von Steuersignalen, die in das Steuerelement eingespeist werden bzw. an dieses angelegt werden oder von diesem ausgegeben werden, mit einem Anstieg der Integrationsdichte der elektronischen Vorrichtung steigt, muss die Anzahl an Leitungspfaden zum Steuerelement hin vergrößert werden. Allerdings kann ein Anstieg in der Integrationsdichte der elektronischen Vorrichtung schwierig sein, wenn diese Leitungspfade, wie in herkömmlichen Fällen durch Benutzung von Metallanschlussrahmen gebildet werden. Zum Beispiel werden die Anschlussrahmen durch Pressen, welches bspw. durch Benutzung einer Form oder von Ätzen ausgeführt wird, bearbeitet und deswegen ist es schwierig die Leitungspfade dünn zu machen oder die Dichte der Leitungspfade zu vergrößern und dies ist ein Faktor, der einen Anstieg in der Integrationsdichte verhindert.Since the number of control signals input to, applied to, or output from the control element increases with an increase in the integration density of the electronic device, the number of conductive paths to the control element must be increased. However, an increase in the integration density of the electronic device may be difficult when these conductive paths are formed by using metal lead frames as in conventional cases. For example, the lead frames are processed by pressing, which is performed by using a mold or etching, for example, and therefore it is difficult to make the conductive paths thin or to increase the density of the conductive paths, and this is a factor causing an increase in the integration density prevented.

In Anbetracht des Vorangegangenen ist es ein Ziel der vorliegenden Offenbarung, eine elektronische Vorrichtung bereitzustellen, die einen weiteren Anstieg in der Integrationsdichte erlaubt.In view of the foregoing, it is an object of the present disclosure to provide an electronic device that allows a further increase in integration density.

Mittel zur Lösung des Problemsmeans of solving the problem

Eine elektronische Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung weist auf: ein isolierendes Substrat, welches eine Substratvorderseite aufweist, die einer Seite in einer Dickenrichtung zugewandt ist; einen Verdrahtungsabschnitt, der auf der Substratvorderseite ausgebildet ist und aus einem leitenden Material besteht; einen Anschlussrahmen, der auf der Substratvorderseite angeordnet ist; ein erstes Halbleiterelement und ein zweites Halbleiterelement, welche elektrisch mit dem Anschlussrahmen verbunden sind; und eine erste Steuereinheit, die mit dem Verdrahtungsabschnitt elektrisch verbunden ist und die bewirkt, dass das erste Halbleiterelement wie ein erster oberer Arm („upper arm“) operiert und dass das zweite Halbleiterelement wie ein erster unterer Arm („lower arm“) operiert. Der Anschlussrahmen weist einen ersten Pad-Abschnitt auf, der mit dem ersten Halbleiterelement verbunden ist, und einen zweiten Pad-Abschnitt auf, der mit dem zweiten Halbleiterelement verbunden ist. Der erste Pad-Abschnitt und der zweite Pad-Abschnitt sind von dem Verdrahtungsabschnitt beabstandet und sind in einer ersten Richtung ausgerichtet, wobei ein erster Trennbereich zwischen dem ersten Pad-Abschnitt und dem zweiten Pad-Abschnitt eingezwängt („sandwiched“) ist, wobei die erste Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung verläuft. Die erste Steuereinheit ist von dem Anschlussrahmen in einer Betrachtung in der Dickenrichtung beabstandet und überlappt bzw. überschneidet den ersten Trennbereich in Betrachtung in einer zweiten Richtung, die senkrecht zu der Dickenrichtung und der ersten Richtung steht.An electronic device according to the present disclosure includes: an insulating substrate having a substrate front surface facing one side in a thickness direction; a wiring portion formed on the substrate front side and made of a conductive material; a lead frame arranged on the substrate front side; a first semiconductor element and a second semiconductor element electrically connected to the lead frame; and a first control unit that is electrically connected to the wiring portion and that causes the first semiconductor element to operate like a first upper arm and the second semiconductor element to operate like a first lower arm. The lead frame has a first pad portion connected to the first semiconductor element and a second pad portion connected to the second semiconductor element. The first pad portion and the second pad portion are spaced from the wiring portion and are aligned in a first direction, with a first isolation region being sandwiched between the first pad portion and the second pad portion, wherein the first direction is perpendicular to the thickness direction. The first control unit is spaced from the lead frame when viewed in the thickness direction and overlaps the first separating region when viewed in a second direction perpendicular to the thickness direction and the first direction.

Vorteile der ErfindungAdvantages of the Invention

Gemäß der elektronischen Vorrichtung der vorliegenden Offenbarung ist es möglich, die Integrationsdichte weiter zu vergrößern.According to the electronic device of the present disclosure, it is possible to further increase the integration density.

Figurenlistecharacter list

  • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine elektronische Vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform zeigt. 1 14 is a perspective view showing an electronic device according to a first embodiment.
  • 2 ist eine Draufsicht, welche die elektronische Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt. 2 12 is a plan view showing the electronic device according to the first embodiment.
  • 3 ist ein Diagramm, welches zu der Draufsicht von 2 gehört, in welchem ein Harzteil („resin member“) durch eine imaginäre Linie gezeigt ist. 3 12 is a diagram attached to the top view of FIG 2 belongs, in which a resin member is shown by an imaginary line.
  • 4 ist eine Unteransicht, die eine elektronische Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt. 4 14 is a bottom view showing an electronic device according to the first embodiment.
  • 5 ist eine Seitenansicht (linke Seitenansicht), die die elektronische Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt. 5 14 is a side view (left side view) showing the electronic device according to the first embodiment.
  • 6 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie VI-VI in 3. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI in FIG 3 .
  • 7 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie VII-VII in 3. 7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII in FIG 3 .
  • 8 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie VIII-VIII in 3. 8th is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG 3 .
  • 9 ist ein Beispiel eines Schaltdiagramms der elektronischen Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform. 9 12 is an example of a circuit diagram of the electronic device according to the first embodiment.
  • 10 ist eine Draufsicht, die eine elektronische Vorrichtung gemäß einer Variation der ersten Ausführungsform zeigt, in welcher das Harzteil durch eine imaginäre Linie gezeigt ist. 10 12 is a plan view showing an electronic device according to a variation of the first embodiment, in which the resin part is shown by an imaginary line.
  • 11 ist eine Draufsicht, die eine elektronische Vorrichtung gemäß einer Variation der ersten Ausführungsform zeigt, in welcher das Harzteil durch eine imaginäre Linie gezeigt ist. 11 12 is a plan view showing an electronic device according to a variation of the first embodiment, in which the resin part is shown by an imaginary line.
  • 12 ist eine Draufsicht, die eine elektronische Vorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform zeigt, in welcher das Harzteil durch eine imaginäre Linie gezeigt ist. 12 12 is a plan view showing an electronic device according to a second embodiment, in which the resin part is shown by an imaginary line.
  • 13 ist ein Beispiel eines Schaltdiagramms der elektronischen Vorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform. 13 14 is an example of a circuit diagram of the electronic device according to the second embodiment.
  • 14 ist eine Draufsicht, die eine elektronische Vorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform zeigt, in welcher das Harzteil durch eine imaginäre Linie gezeigt ist. 14 12 is a plan view showing an electronic device according to a third embodiment, in which the resin part is shown by an imaginary line.
  • 15 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XV-XV in 14. 15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV in FIG 14 .
  • 16 ist ein Beispiel eines Schaltdiagramms der elektronischen Vorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform. 16 14 is an example of a circuit diagram of the electronic device according to the third embodiment.
  • 17 ist eine Draufsicht, die eine elektronische Vorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform zeigt, in welcher das Harzteil durch eine imaginäre Linie gezeigt ist. 17 14 is a plan view showing an electronic device according to a fourth embodiment, in which the resin part is shown by an imaginary line.
  • 18 ist ein Beispiel eines Schaltdiagramms der elektronischen Vorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform. 18 14 is an example of a circuit diagram of the electronic device according to the fourth embodiment.
  • 19 ist eine Draufsicht, die eine elektronische Vorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform zeigt, in welcher das Harzteil durch eine imaginäre Linie gezeigt ist. 19 13 is a plan view showing an electronic device according to a fifth embodiment, in which the resin part is shown by an imaginary line.
  • 20 ist ein Beispiel eines Schaltdiagramms der elektronischen Vorrichtung gemäß der fünften Ausführungsform. 20 12 is an example of a circuit diagram of the electronic device according to the fifth embodiment.
  • 21 ist eine Draufsicht, die eine elektronische Vorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform zeigt, in welcher das Harzteil durch eine imaginäre Linie gezeigt ist. 21 12 is a plan view showing an electronic device according to a sixth embodiment, in which the resin part is shown by an imaginary line.
  • 22 ist ein Beispiel eines Schaltdiagramms der elektronischen Vorrichtung gemäß der sechsten Ausführungsform. 22 14 is an example of a circuit diagram of the electronic device according to the sixth embodiment.

MODUS BZW. AUSFÜHRUNGSFORM ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNGMODE RESPECTIVELY EMBODIMENT FOR CARRYING OUT THE INVENTION

Bevorzugte Ausführungsformen einer elektronischen Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung werden nachstehend mit Bezug auf die Zeichnungen erläutert. In der folgenden Beschreibung werden die gleichen oder ähnliche Bestandteile mit den gleichen Bezugszeichen benannt und überflüssige Beschreibungen davon werden weggelassen. In der vorliegenden Offenbarung werden Begriffe wie „erster“, „zweiter“, „dritter“ usw. lediglich als Bezeichnungen benutzt, und sind nicht notwendigerweise dafür vorgesehen, eine Reihenfolge des beschriebenen Gegenstandes bei Benutzung dieser Begriffe zu geben.Preferred embodiments of an electronic device according to the present disclosure will be explained below with reference to the drawings. In the following description, the same or similar components are denoted by the same reference numerals and redundant descriptions thereof are omitted. In the present disclosure, terms such as "first," "second," "third," etc. are used as labels only, and are not necessarily intended to indicate an order of the described subject matter when such terms are used.

Die 1 bis 9 zeigen eine elektronische Vorrichtung A1 gemäß einer ersten Ausführungsform. Die elektronische Vorrichtung A1 weist ein isolierendes Substrat 1, einen Verdrahtungsabschnitt 2, zwei Halbleiterelemente 31 und 32, eine Steuereinheit 41, eine Vielzahl von passiven Elementen 5, Anschlussrahmen 6, eine Vielzahl von Verbindungsteilen 71 bis 74 und ein Harzteil 8 auf. Die Steuereinheit 41 weist zwei Steuerelemente 4a und 4b auf. Die Anschlussrahmen 6 weisen eine Vielzahl von Anschlüssen 61 bis 64, 69 und 60 auf. Die elektronische Vorrichtung A1 ist zum Beispiel ein IPM (intelligentes Leistungsmodul) und wird als eine Klimaanlage, ein Motorsteuergerät oder Ähnliches benutzt. Die elektronische Vorrichtung A1 ist nicht auf ein IPM beschränkt.the 1 until 9 show an electronic device A1 according to a first embodiment. The electronic device A1 has an insulating substrate 1 , a wiring section 2 , two semiconductor elements 31 and 32 , a control unit 41 , a plurality of passive elements 5 , lead frames 6 , a plurality of connection parts 71 to 74 and a resin part 8 . The control unit 41 has two control elements 4a and 4b. The connection frames 6 have a large number of connections 61 to 64 , 69 and 60 . The electronic device A1 is, for example, an IPM (Intelligent Power Module), and is used as an air conditioner, an engine controller, or the like. The electronic device A1 is not limited to an IPM.

1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine elektronische Vorrichtung A1 zeigt. 2 ist eine Draufsicht, die eine elektronische Vorrichtung A1 zeigt. 3 ist ein Diagramm, das zu der Draufsicht von 2 gehört, in welchem das Harzteil 8 durch eine imaginäre Linie (Zwei-Punkt-Kettenlinie) gezeigt ist. 4 ist eine Unteransicht, die die elektronische Vorrichtung A1 zeigt. 5 ist eine Seitenansicht (linke Seitenansicht), die die elektronische Vorrichtung A1 zeigt. 6 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie VI-VI in 3. 7 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie VII-VII in 3. 8 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie VIII-VIII in 3. In 8 sind die Verbindungsteile 71 und 72 weggelassen. 9 ist ein Schaltdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration der elektronischen Vorrichtung A1 zeigt. 1 14 is a perspective view showing an electronic device A1. 2 12 is a plan view showing an electronic device A1. 3 is a diagram related to the plan view of 2 belongs, in which the resin part 8 is shown by an imaginary line (two-dot chain line). 4 12 is a bottom view showing the electronic device A1. 5 12 is a side view (left side view) showing the electronic device A1. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI in FIG 3 . 7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII in FIG 3 . 8th is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG 3 . In 8th the connecting parts 71 and 72 are omitted. 9 12 is a circuit diagram showing a circuit configuration of the electronic device A1.

Der Einfachheit der Beschreibung halber sind die drei zueinander senkrecht stehenden Richtungen in den 1 bis 8 als eine x-Richtung, eine y-Richtung und eine z-Richtung definiert. Die z-Richtung ist eine Dickenrichtung der elektronischen Vorrichtung A1. Die x-Richtung ist eine Links-Rechts-Richtung in einer Draufsicht (siehe 2 und 3) der elektronischen Vorrichtung A1. Die y-Richtung ist eine Oben-Unten-Richtung in einer Draufsicht (siehe 2 und 3) der elektronischen Vorrichtung A1. Eine Richtung der x-Richtung wird als x1 bezeichnet sein und die andere Richtung der x-Richtung wird als x2 bezeichnet sein. In ähnlicher Weise wird eine Richtung der y-Richtung als y1-Richtung und die andere Richtung der y-Richtung als y2-Richtung bezeichnet, und eine Richtung der z-Richtung wird als z1-Richtung bezeichnet, und die andere Richtung der z-Richtung wird als z2-Richtung bezeichnet. In der folgenden Beschreibung bezieht sich „Draufsicht“ auf eine Ansicht in der z-Richtung. Die x-Richtung ist ein Beispiel einer „ersten Richtung“, und die y-Richtung ist ein Beispiel einer „zweiten Richtung“.For simplicity of description, the three mutually perpendicular directions in the 1 until 8th defined as an x-direction, a y-direction and a z-direction. The z-direction is a thickness direction of the electronic device A1. The x-direction is a left-right direction in a plan view (see 2 and 3 ) of the electronic device A1. the y-direction is a top-bottom direction in a plan view (see 2 and 3 ) of the electronic device A1. One direction of the x-direction will be denoted as x1 and the other direction of the x-direction will be denoted as x2. Similarly, one direction of the y-direction is referred to as y1-direction and the other direction of the y-direction is referred to as y2-direction, and one direction of the z-direction is referred to as z1-direction and the other direction of the z-direction is called the z2 direction. In the following description, "top view" refers to a view in the z-direction. The x-direction is an example of a "first direction" and the y-direction is an example of a "second direction".

Das isolierende Substrat 1 hat eine plattenförmige Form. Die Form des isolierenden Substrats 1 in einer Draufsicht ist nicht in besonderer Weise beschränkt, aber ist zum Beispiel, eine rechteckige Form, die länglich in der x-Richtung ist. Die Dicke (Länge in der z-Richtung) des isolierenden Substrats 1 ist nicht in besonderer Weise beschränkt, aber beträgt bspw. zumindest 0,1 mm und ist nicht größer als 1,0 mm. Das isolierende Substrat 1 ist ist aus einem Material hergestellt, das eine isolierende Eigenschaft aufweist. Das Material des isolierenden Substrats 1 ist vorzugsweise ein Material, das eine höhere Wärmeleitfähigkeit hat als bspw. das Harzteil 8. Zum Beispiel wird ein keramisches Material wie Alumina (Al2O3) , Siliziumnitrid (SiN) , Aluminiumnitrid (AlN) , oder zirconiumumfassendes Alumina verwendet als Material für das isolierende Substrat 1.The insulating substrate 1 has a plate-like shape. The shape of the insulating substrate 1 in a plan view is not particularly limited, but is, for example, a rectangular shape that is elongated in the x-direction. The thickness (length in the z-direction) of the insulating substrate 1 is not particularly limited, but is, for example, at least 0.1 mm and not more than 1.0 mm. The insulating substrate 1 is made of a material having an insulating property. The material of the insulating substrate 1 is preferably a material having higher thermal conductivity than, for example, the resin part 8. For example, a ceramic material such as alumina (Al 2 O 3 ), silicon nitride (SiN), aluminum nitride (AlN), or containing zirconium Alumina used as the material for the insulating substrate 1.

Wie in den 6 bis 8 gezeigt, weist das isolierende Substrat 1 eine Substratvorderseite 11 und eine Substratrückseite 12 auf. Die Substratvorderseite 11 und die Substratrückseite 12 sind in z-Richtung voneinander beabstandet. Die Substratvorderseite 11 zeigt in die z2-Richtung und die Substratrückseite 12 zeigt in die z1-Richtung. Jede der Substratvorderseite 11 und der Substratrückseite 12 ist eine flache Oberfläche, die senkrecht zu der z-Richtung verläuft. Die Verdrahtungsabschnitte 2 sind auf der Substratvorderseite 11 ausgebildet und die Anschlussrahmen 6 und eine Vielzahl von elektronischen Bestandteilen sind auf der Substratvorderseite 11 angebracht. Die Vielzahl von elektronischen Bestandteilen umfasst zwei Halbleiterelemente 31 und 32 und die Steuereinheit 41 (Steuerelemente 4a und 4b). Die Substratrückseite 12 wird von dem Harzteil 8 freigelegt. Die Substratrückseite 12 kann durch das Harzteil 8 bedeckt sein.As in the 6 until 8th shown, the insulating substrate 1 has a substrate front 11 and a substrate back 12 . The substrate front 11 and the substrate back 12 are spaced apart from one another in the z-direction. The substrate front side 11 points in the z2 direction and the substrate back side 12 points in the z1 direction. Each of the substrate front 11 and the substrate back 12 is a flat surface perpendicular to the z-direction. The wiring portions 2 are formed on the substrate front surface 11 , and the lead frames 6 and a variety of electronic components are mounted on the substrate front surface 11 . The plurality of electronic components includes two semiconductor elements 31 and 32 and the control unit 41 (control elements 4a and 4b). The substrate back 12 is exposed from the resin part 8 . The substrate back 12 may be covered by the resin part 8 .

Die Verdrahtungsabschnitte 2 sind, wie in 3 gezeigt, auf der Substratvorderseite 11 ausgebildet. Die Verdrahtungsabschnitte 2 bestehen aus einem leitenden Material. Zum Beispiel werden Silber (Ag) oder eine Ag-Legierung (z.B. Ag-Pt oder AgPd) als ein Materialbestandteil der Verdrahtungsabschnitte 2 verwendet. Anstatt von Ag oder einer Ag-Legierung, können auch Kupfer (Cu), eine Cu-Legierung, Gold (Au), eine Goldlegierung oder dergleichen als Materialbestandteil verwendet werden. Die Verdrahtungsabschnitte 2 werden gebildet durch Druck eines pastenförmigen Materials, das die oben beschriebenen Materialbestandteile umfasst, und dann Brennen des pastenförmigen Materials. Das Verfahren zur Bildung der Verdrahtungsabschnitte 2 ist nicht auf dieses Verfahren beschränk, und kann in angemessener Weise gemäß dem Materialbestandteil geändert werden. Die Verdrahtungsabschnitte 2 sind Leitungspfade zur Steuereinheit 41. Verschiedene Steuersignale zur Steuerung der Halbleiterelemente 31 und 32 passieren die Verdrahtungsabschnitte 2. Diese Steuersignale umfassen Treibersignale („driving signals“), Erfassungssignale und dergleichen. Die Treibersignale sind Signale zur Steuerung des Betriebs der Halbleiterelemente 31 und 32. Die Erfassungssignale sind Signale zur Erfassung von Betriebszuständen (z.B. ein Spannungswert, ein Stromwert, usw.) der Halbleiterelemente 31 und 32. Außerdem wird der Betriebsstrom der Steuereinheit 41 zu den Verdrahtungsabschnitten 2 übermittelt.The wiring sections 2 are, as in 3 shown formed on the substrate front 11 . The wiring portions 2 are made of a conductive material. For example, silver (Ag) or an Ag alloy (eg, Ag—Pt or AgPd) is used as a constituent material of the wiring portions 2 . Instead of Ag or an Ag alloy, copper (Cu), a Cu alloy, gold (Au), a gold alloy, or the like can also be used as the constituent material. The wiring portions 2 are formed by pressing a paste material including the constituent materials described above and then firing the paste material. The method of forming the wiring portions 2 is not limited to this method, and can be changed appropriately according to the material composition. The wiring portions 2 are conductive paths to the control unit 41. Various control signals for controlling the semiconductor elements 31 and 32 pass through the wiring portions 2. These control signals include driving signals, detection signals, and the like. The drive signals are signals for controlling the operation of the semiconductor elements 31 and 32. The detection signals are signals for detecting operation states (e.g., a voltage value, a current value, etc.) of the semiconductor elements 31 and 32. In addition, the operation current of the control unit 41 is supplied to the wiring portions 2 transmitted.

Die Verdrahtungsabschnitte 2 umfassen eine Vielzahl von Pad-Abschnitten 21 und eine Vielzahl von Verbindungsdrähten 22 wie in 3 gezeigt. Die Form von jedem der Vielzahl von Pad-Abschnitten 21 in einer Draufsicht ist nicht in besonderer Weise beschränkt, aber ist zum Beispiel eine rechteckige Form. Die Form von jedem Pad-Abschnitt 21 in einer Draufsicht kann bspw. eine kreisförmige Form, eine elliptische Form oder eine polygonale Form sein. Die Vielzahl von Pad-Abschnitten 21 sind voneinander beabstandet. Die Vielzahl von Pad-Abschnitten 21 sind Abschnitte mit denen in angemessener Weise andere Bestandskomponenten verbunden sind. In der elektronischen Vorrichtung A1 sind die Steuereinheit 41 (Steuerelemente 4a und 4b), die Vielzahl von passiven Elementen 5, die Vielzahl von Anschlüssen 69 und 60 und die Vielzahl von Verbindungsteilen 71, 73 und 74 mit der Vielzahl von Pad-Abschnitten 21 verbunden. Die Vielzahl von Verbindungsdrähten 22 verbindet die Vielzahl von Pad-Abschnitten 21 untereinander, so dass die Leitungspfade der elektronischen Vorrichtung A1 eine Schaltungskonfiguration, wie bspw. in 9 gezeigt, bilden. Anordnung und Formen der Vielzahl von Pad-Abschnitten 21 und der Vielzahl von Verbindungsdrähten 22 in den Verdrahtungsabschnitte 2, sind nicht auf die der dargestellten Beispiele beschränkt.The wiring portions 2 include a plurality of pad portions 21 and a plurality of bonding wires 22 as in FIG 3 shown. The shape of each of the plurality of pad portions 21 in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape, for example. The shape of each pad portion 21 in a plan view may be a circular shape, an elliptical shape, or a polygonal shape, for example. The plurality of pad portions 21 are spaced from each other. The plurality of pad portions 21 are portions to which other constituent components are appropriately connected. In the electronic device A1, the control unit 41 (control elements 4a and 4b), the plurality of passive elements 5, the plurality of terminals 69 and 60, and the plurality of connection parts 71, 73, and 74 are connected to the plurality of pad portions 21. The plurality of bonding wires 22 interconnect the plurality of pad portions 21 so that the conductive paths of the electronic device A1 have a circuit configuration such as that shown in FIG 9 shown form. Arrangement and shapes of the plurality of pad portions 21 and the plurality of bonding wires 22 in the wiring portions 2 are not limited to those of the illustrated examples.

Jedes der zwei Halbleiterelemente 31 und 32 ist ein Leitungstransistor, der bspw. die Leistung steuert. Jedes der Halbleiterelemente 31 und 32 ist ein MOSFET (Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistor), der bspw. aus einem SiC (Siliconcarbid)-Substrat besteht. Zu beachten ist, dass jedes der Halbleiterelemente 31 und 32 ein MOSFET bestehend aus einem Si-Substrat sein kann, anstatt aus einem SiC-Substrat, und bspw. ein IGBT-Element umfassen kann. Außerdem kann jedes der Halbleiterelemente ein MOSFET sein, der GaN (Galliumnitrid) umfasst. Wie in den 3 und 8 gezeigt, ist das Halbleiterelement 31 auf dem Anschluss 61 angeordnet (Pad-Abschnitt 611, welcher später beschrieben werden soll) und das Halbleiterelement 32 ist auf dem Anschluss 62 angeordnet (Pad-Abschnitt 621, welcher später beschrieben werden soll). Jedes der Halbleiterelemente 31 und 32 überlappt mit dem isolierenden Substrat 1 und den Anschlussrahmen 6, aber ist in einer Draufsicht von den Verdrahtungsabschnitten 2, wie in 3 gezeigt, beabstandet. Die zwei Halbleiterelemente 31 und 32 sind in der x-Richtung angeordnet. Das Halbleiterelement 31 ist ein Beispiel eines „ersten Halbleiterelements“ und das Halbleiterelement 32 ist ein Beispiel eines „zweiten Halbleiterelements“.Each of the two semiconductor elements 31 and 32 is a conduction transistor that controls power, for example. Each of the semiconductor elements 31 and 32 is a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) made of, for example, a SiC (Silicon Carbide) substrate advice exists. Note that each of the semiconductor elements 31 and 32 may be a MOSFET composed of a Si substrate instead of a SiC substrate, and may include an IGBT element, for example. In addition, each of the semiconductor elements may be a MOSFET including GaN (gallium nitride). As in the 3 and 8th As shown, the semiconductor element 31 is placed on the terminal 61 (pad portion 611 to be described later) and the semiconductor element 32 is placed on the terminal 62 (pad portion 621 to be described later). Each of the semiconductor elements 31 and 32 overlaps with the insulating substrate 1 and the lead frame 6, but is separated from the wiring portions 2 in a plan view as shown in FIG 3 shown, spaced. The two semiconductor elements 31 and 32 are arranged in the x-direction. The semiconductor element 31 is an example of a “first semiconductor element”, and the semiconductor element 32 is an example of a “second semiconductor element”.

Das Halbleiterelement 31 umfasst eine Elementvorderseite 31a (erste Elementvorderseite) und eine Elementrückseite 31b (erste Elementrückseite) wie in den 6 und 8 gezeigt. Die Elementvorderseite 31a und die Elementrückseite 31b sind in der z-Richtung voneinander beabstandet. Die Elementvorderseite 31a zeigt in die z2-Richtung und die Elementrückseite 31b zeigt in die z1-Richtung. Jede der Elementvorderseite 31a und der Elementrückseite 31b ist flach. Die Elementvorderseite 31a und die Elementrückseite 31b sind im Wesentlichen senkrecht zur z-Richtung.The semiconductor element 31 includes an element front surface 31a (first element front surface) and an element back surface 31b (first element back surface) as shown in FIGS 6 and 8th shown. The element front 31a and the element rear 31b are spaced from each other in the z-direction. The element front 31a points in the z2 direction and the element rear 31b points in the z1 direction. Each of the element front 31a and the element back 31b is flat. The element front 31a and the element rear 31b are essentially perpendicular to the z-direction.

Wie in den 3, 6 und 8 gezeigt, umfasst das Halbleiterelement 31 eine Steuerelektrode 311 (erste Steuerelektrode), eine Vorderseitenelektrode 312 (erste Vorderseitenelektrode) und eine Rückseitenelektrode 313 (erste Rückseitenelektrode). Die Steuerelektrode 311 und die Vorderseitenelektrode 312 sind auf der Elementvorderseite 31a ausgebildet. Die Steuerelektrode 311 und die Vorderseitenelektrode 312 sind voneinander beabstandet und voneinander isoliert. Wie in 3 gezeigt, ist in einer Draufsicht die Vorderseitenelektrode 312 größer als die Steuerelektrode 311. Ein Verbindungsteil 71 ist mit der Steuerelektrode 311 verbunden. Eine Vielzahl von Verbindungsteilen 72 ist mit der Vorderseitenelektrode 312 verbunden. Die Rückseitenelektrode 313 ist auf der Elementrückseite 31b ausgebildet. Die Rückseitenelektrode 313 erstreckt sich im Wesentlichen über die gesamte Elementrückseite 31b. Die Rückseitenelektrode 313 ist mit dem Anschluss 61 (Pad-Abschnitt 611, welcher später beschrieben werden soll) verbunden. In einem Beispiel, in dem das Halbleiterelement 31 aus einem MOSFET besteht, ist die Steuerelektrode 311 bspw. eine Gate-Elektrode, die Vorderseitenelektrode 312 bspw. eine Source-Elektrode und die Rückseitenelektrode 313 bspw. eine Drain-Elektrode. As in the 3 , 6 and 8th As shown, the semiconductor element 31 includes a control electrode 311 (first control electrode), a front-side electrode 312 (first front-side electrode), and a back-side electrode 313 (first back-side electrode). The control electrode 311 and the face electrode 312 are formed on the element face 31a. The control electrode 311 and the face electrode 312 are spaced from and insulated from each other. As in 3 As shown, the front electrode 312 is larger than the control electrode 311 in a plan view. A plurality of connection parts 72 are connected to the front-side electrode 312 . The backside electrode 313 is formed on the element backside 31b. The backside electrode 313 extends substantially over the entire element backside 31b. The back electrode 313 is connected to the terminal 61 (pad portion 611 to be described later). In an example where the semiconductor element 31 is composed of a MOSFET, the control electrode 311 is, for example, a gate electrode, the front-side electrode 312 is, for example, a source electrode, and the back-side electrode 313 is, for example, a drain electrode.

Das Halbleiterelement 32 umfasst eine Elementvorderseite 32a (zweite Elementvorderseite) und eine Elementrückseite 32b (zweite Elementrückseite), wie in den 7 und 8 gezeigt. Die Elementvorderseite 32a und die Elementrückseite 32b sind in der z-Richtung voneinander beabstandet. Die Elementvorderseite 32a zeigt in die z2-Richtung, und die Elementrückseite 32b zeigt in die z1-Richtung. Jede der Elementvorderseite 32a und der Elementrückseite 32b ist flach. Die Elementvorderseite 32a und die Elementrückseite 32b sind im Wesentlichen senkrecht zu der z-Richtung.The semiconductor element 32 includes an element front surface 32a (second element front surface) and an element back surface 32b (second element back surface) as shown in FIGS 7 and 8th shown. The element front 32a and the element rear 32b are spaced from each other in the z-direction. Element front 32a faces in the z2 direction and element back 32b faces in the z1 direction. Each of the element front 32a and element back 32b is flat. Element front 32a and element back 32b are substantially perpendicular to the z-direction.

Wie in den 3, 7 und 8 gezeigt, umfasst das Halbleiterelement 32 eine Steuerelektrode 321 (zweite Steuerelektrode), eine Vorderseitenelektrode 322 (zweite Vorderseitenelektrode) und eine Rückseitenelektrode 323 (zweite Rückseitenelektrode). Die Steuerelektrode 321 und die Vorderseitenelektrode 322 sind auf der Elementvorderseite 32a ausgebildet. Die Steuerelektrode 321 und die Vorderseitenelektrode 322 sind voneinander beabstandet und voneinander isoliert. Wie in 3 gezeigt, ist in einer Draufsicht die Vorderseitenelektrode 322 größer als die Steuerelektrode 321. Ein Verbindungsteil 71 ist mit der Steuerelektrode 321 verbunden. Eine Vielzahl von Verbindungsteilen 72 ist mit der Vorderseitenelektrode 322 verbunden. Die Rückseitenelektrode 323 ist auf der Elementrückseite 32b ausgebildet. Die Rückseitenelektrode 323 erstreckt sich im Wesentlichen über die gesamte Elementrückseite 32b. Die Rückseitenelektrode 323 ist mit dem Anschluss 62 (Pad-Abschnitt 621, der später beschrieben werden soll) verbunden. In einem Beispiel in welchem das Halbleiterelement 32 aus einem MOSFET besteht, ist die Steuerelektrode 321 bspw. eine Gate-Elektrode, die Vorderseitenelektrode 322 bspw. eine Source-Elektrode und die Rückseitenelektrode 323 bspw. eine Drain-Elektrode.As in the 3 , 7 and 8th As shown, the semiconductor element 32 includes a control electrode 321 (second control electrode), a front-side electrode 322 (second front-side electrode), and a back-side electrode 323 (second back-side electrode). The control electrode 321 and the face electrode 322 are formed on the element face 32a. The control electrode 321 and the face electrode 322 are spaced from and insulated from each other. As in 3 As shown, the front electrode 322 is larger than the control electrode 321 in a plan view. A plurality of connection parts 72 are connected to the front-side electrode 322 . The backside electrode 323 is formed on the element backside 32b. The backside electrode 323 extends substantially over the entire element backside 32b. The rear electrode 323 is connected to the terminal 62 (pad portion 621 to be described later). In an example where the semiconductor element 32 is composed of a MOSFET, the control electrode 321 is, for example, a gate electrode, the front-side electrode 322 is, for example, a source electrode, and the back-side electrode 323 is, for example, a drain electrode.

Ein erstes Treibersignal wird von der Steuereinheit 41 (Steuerelement 4a) in die Steuerelektrode 311 (Gate-Elektrode) des Halbleiterelements 31 eingespeist und ein Leitungszustand und ein Unterbrechungszustand werden geschaltet gemäß dem eingespeisten ersten Treibersignal. Ein Betrieb bzw. eine Operation, bei welchem bzw. welcher der leitende Zustand und der Unterbrechungszustand geschaltet („switched“) werden, wird als Schaltungsbetrieb bzw. Schaltungsoperation bezeichnet. Wenn das Halbleiterelement 31 in dem Leitungszustand ist, fließt von der Rückseitenelektrode 313 (Drain-Elektrode) ein Strom zur Vorderseitenelektrode 312 (Source-Elektrode) und, wenn das Halbleiterelement 31 im Unterbrechungszustand ist, fließt kein Strom.A first driving signal is inputted from the control unit 41 (control element 4a) to the control electrode 311 (gate electrode) of the semiconductor element 31, and a conduction state and a breaking state are switched according to the inputted first driving signal. An operation in which the conductive state and the open state are switched is referred to as a circuit operation. When the semiconductor element 31 is in the conducting state, a current flows from the backside electrode 313 (drain electrode) to the frontside electrode 312 (source electrode), and when the semiconductor element 31 is in the breaking state, no current flows.

Ein zweites Treibersignal wird von der Steuereinheit 41 (Steuerelement 4b) in die Steuerelektrode 321 (Gate-Elektrode) des Halbleiterelements 32 eingespeist und ein Leitungszustand und ein Unterbrechungszustand werden geschaltet gemäß dem eingespeisten zweiten Treibersignal. Wenn das Halbleiterelement 32 in dem Leitungszustand ist, fließt ein Strom von der Rückseitenelektrode 323 (Drain-Elektrode) zu der Vorderseitenelektrode 322 (Source-Elektrode), und wenn das Halbleiterelement 32 in dem Unterbrechungszustand ist, fließt kein Strom.A second driving signal is inputted from the control unit 41 (control element 4b) to the control electrode 321 (gate electrode) of the semiconductor element 32, and a conduction state and a breaking state are switched according to the inputted second driving signal. When the semiconductor element 32 is in the conducting state, a current flows from the back-side electrode 323 (drain electrode) to the front-side electrode 322 (source electrode), and when the semiconductor element 32 is in the breaking state, no current flows.

Die schützenden Elemente 39A und 39B dienen dazu Rückspannung auf die Halbleiterelemente 31 und 32 zu verhindern. Wie in den 3 und 6 gezeigt, ist das schützende Element 39A auf dem Anschluss 61 (Pad-Abschnitt 611, welcher später beschrieben werden soll) angeordnet zusammen mit dem Halbleiterelement 31. Wie in 3 gezeigt, ist das schützende Element 39B auf dem Anschluss 62 (Pad-Abschnitt 621) zusammen mit dem Halbleiterelement 32 angeordnet. Zum Beispiel werden, wie in 9 gezeigt, Dioden als schützende Elemente 39A und 39B verwendet. Wie in 9 gezeigt, ist das schützende Element 39A mit dem Halbleiterelement 31 antiparallel verbunden und das schützendes Element 39B ist mit dem Halbleiterelement 32 antiparallel verbunden.The protective elements 39A and 39B serve to prevent reverse voltage to the semiconductor elements 31 and 32. FIG. As in the 3 and 6 1, the protective element 39A is arranged on the terminal 61 (pad portion 611 to be described later) together with the semiconductor element 31. As in FIG 3 As shown, the protective element 39B is arranged on the terminal 62 (pad portion 621) together with the semiconductor element 32. As shown in FIG. For example, as in 9 1, diodes are used as protective elements 39A and 39B. As in 9 As shown, the protective element 39A is connected to the semiconductor element 31 in anti-parallel, and the protective element 39B is connected to the semiconductor element 32 in anti-parallel.

Jedes der schützenden Elemente 39A und 39B umfasst eine Vorderseitenelektrode 391 und eine Rückseitenelektrode 392, wie in 6 gezeigt. Die Vorderseitenelektrode 391 ist auf der Vorderseite (Oberfläche, die in die z2-Richtung zeigt) von jedem der schützenden Elemente 39A und 39B ausgebildet. Die Rü ckseitenelektrode 392 ist auf der Rückseite (Oberfläche, die in die z1-Richtung zeigt) von jedem der schützenden Elemente 39A und 39B ausgebildet. In jedem der schützenden Elemente 39A und 39B ist eine Vielzahl von Verbindungsteilen 72 mit der Vorderseitenelektrode 391 verbunden. Die Vorderseitenelektrode 391 des schützenden Elements 39A und die Vorderseitenelektrode 312 des Halbleiterelements 31 sind elektrisch miteinander über die Vielzahl von Verbindungsteilen 72 verbunden. Die Vorderseitenelektrode 391 des schützenden Elements 39B und die Vorderseitenelektrode 322 des Halbleiterelements 32 sind elektrisch über die Vielzahl von Verbindungsteilen 72 miteinander verbunden. Die Rückseitenelektrode 392 des schützenden Elements 39A ist mit dem Anschluss 61 verbunden und ist elektrisch mit der Rückseitenelektrode 313 des Halbleiterelements 31 über den Anschluss 61 verbunden. Außerdem ist die Rückseitenelektrode 392 des schützenden Elements 39B mit dem Anschluss 62 verbunden und ist elektrisch mit der Rückseitenelektrode 323 des Halbleiterelements 32 über den Anschluss 62 verbunden. In einem Beispiel, in dem die schützenden Elemente 39A und 39B aus Dioden bestehen, ist die Vorderseitenelektrode 391 eine Anodenelektrode, und die Rückseitenelektrode 392 ist eine Kathodenelektrode. Die elektronische Vorrichtung A1 muss nicht notwendigerweise die beiden schützenden Elemente 39A und 39B umfassen.Each of the protective members 39A and 39B includes a front-side electrode 391 and a back-side electrode 392, as shown in FIG 6 shown. The front-side electrode 391 is formed on the front side (surface facing the z2 direction) of each of the protective members 39A and 39B. The back electrode 392 is formed on the back (surface facing the z1 direction) of each of the protective members 39A and 39B. A plurality of connection parts 72 are connected to the front-side electrode 391 in each of the protective members 39A and 39B. The front-side electrode 391 of the protective member 39</b>A and the front-side electrode 312 of the semiconductor element 31 are electrically connected to each other via the plurality of connection parts 72 . The front-side electrode 391 of the protective member 39</b>B and the front-side electrode 322 of the semiconductor element 32 are electrically connected to each other via the plurality of connection parts 72 . The backside electrode 392 of the protective member 39A is connected to the terminal 61 and is electrically connected to the backside electrode 313 of the semiconductor element 31 via the terminal 61 . Also, the backside electrode 392 of the protective member 39B is connected to the terminal 62 and is electrically connected to the backside electrode 323 of the semiconductor element 32 via the terminal 62 . In an example where the protective members 39A and 39B are made of diodes, the front-side electrode 391 is an anode electrode and the back-side electrode 392 is a cathode electrode. The electronic device A1 does not necessarily have to include the two protective members 39A and 39B.

Die Steuereinheit 41 steuert den Betrieb der Halbleiterelemente 31 und 32. Die Steuereinheit 41 bewirkt, dass das Halbleiterelement 31 wie ein oberer Arm (erster oberer Arm) operiert und bewirkt, dass das Halbleiterelement 32 wie ein unterer Arm (erster unterer Arm) operiert. Die Steuereinheit 41 ist auf der Substratvorderseite 11 angeordnet. Wie in 3 gezeigt, überlappt in einer Draufsicht die Steuereinheit 41 nicht mit den Anschlussrahmen 6 und ist von dem Anschlussrahmen 6 beabstandet. Die Steuereinheit 41 umfasst das Steuerelement 4a (erstes Steuerelement) und das Steuerelement 4b (zweites Steuerelement) . Die Steuereinheit 41 ist ein Beispiel einer „ersten Steuereinheit“.The control unit 41 controls the operation of the semiconductor elements 31 and 32. The control unit 41 makes the semiconductor element 31 operate like an upper arm (first upper arm) and makes the semiconductor element 32 operate like a lower arm (first lower arm). The control unit 41 is arranged on the front side 11 of the substrate. As in 3 1, the control unit 41 does not overlap with the lead frame 6 and is spaced from the lead frame 6 in a plan view. The control unit 41 comprises the control element 4a (first control element) and the control element 4b (second control element). The control unit 41 is an example of a “first control unit”.

Das Steuerelement 4a steuert den Betrieb des Halbleiterelements 31. Insbesondere steuert das Steuerelement 4a einen Schaltbetrieb des Halbleiterelements 31 durch Einspeisung des ersten Treibersignals (z.B. Gate-Spannung) in die Steuerelektrode 311 (Gate-Elektrode) des Halbleiterelements 31. Das Steuerelement 4a erzeugt das erste Treibersignal, welches bewirkt, dass das Halbleiterelement 31 als der obere Arm operiert. In der vorliegenden Ausführungsform stellt das Steuerelement 4a eine Steuervorrichtung 40 zusammen mit einem Harzgehäuse 401 und einer Vielzahl von Verbindungsterminals 402 dar. Die Steuervorrichtung 40 ist zum Beispiel ein SOP (Small Outline Package)-Typ-Gehäuse. Der Gehäusetyp der Steuervorrichtung 40 ist nicht auf den SOP-Typ beschränkt, und kann ein anderer Gehäusetyp wie ein QFP (Quad Flat Package)-Typ, ein SOJ (Small Outline J-Lead Package)-Typ, ein QFN (Quad Flatpack No Lead)-Typ, oder ein SON (Small-Outline No Lead)-Typ sein. Das Harzgehäuse 401 ist bspw. aus einem Epoxidharz hergestellt und bedeckt das Steuerelement 4a. Die Vielzahl von Verbindungsterminals 402 steht von dem Harzgehäuse 401 ab und ist elektrisch mit dem Steuerelement 4a innerhalb des Harzgehäuses 401 verbunden. Die Verbindungsterminals 402 des Steuerelements 4a sind verbunden und elektrisch verbunden mit den Pad-Abschnitten 21 (Verdrahtungsabschnitte 2) durch ein leitendes Verbindungsmaterial (z.B. Lot bzw. ein Lötmittel, eine Metallpaste oder ein gesintertes Metall, nicht gezeigt). Das Steuerelement 4a ist mit der Steuerelektrode 311 des Halbleiterelements 31 über die Verdrahtungsabschnitte 2 und die Verbindungsteile 71 elektrisch verbunden. Dementsprechend wird ein Treibersignal, das von dem Steuerelement 4a ausgegeben wird, in die Steuerelektrode 311 des Halbleiterelements 31 über die Verdrahtungsabschnitte 2 und die Verbindungsteile 71 eingespeist.The control element 4a controls the operation of the semiconductor element 31. Specifically, the control element 4a controls a switching operation of the semiconductor element 31 by supplying the first drive signal (e.g., gate voltage) to the control electrode 311 (gate electrode) of the semiconductor element 31. The control element 4a generates the first Drive signal that causes the semiconductor element 31 to operate as the upper arm. In the present embodiment, the control element 4a constitutes a control device 40 together with a resin case 401 and a plurality of connection terminals 402. The control device 40 is, for example, an SOP (Small Outline Package) type case. The package type of the controller 40 is not limited to the SOP type, and may be another package type such as a QFP (Quad Flat Package) type, a SOJ (Small Outline J-Lead Package) type, a QFN (Quad Flatpack No Lead ) type, or a SON (Small-Outline No Lead) type. The resin case 401 is made of, for example, an epoxy resin and covers the controller 4a. The plurality of connection terminals 402 protrude from the resin case 401 and are electrically connected to the control element 4a inside the resin case 401. As shown in FIG. The connection terminals 402 of the control element 4a are connected and electrically connected to the pad portions 21 (wiring portions 2) by a conductive connection material (eg, solder, metal paste, or sintered metal, not shown). The control element 4a is electrically connected to the control electrode 311 of the semiconductor element 31 via the wiring portions 2 and the connecting parts 71. FIG. Accordingly, a drive signal output from the control element 4a is input to the control electrode 311 of the semiconductor element 31 via the wiring portions 2 and the connection parts 71 are fed.

Das Steuerelement 4b steuert den Betrieb des Halbleiterelements 32. Insbesondere steuert das Steuerelement 4b einen Schaltbetrieb des Halbleiterelements 32 durch Einspeisung des zweiten Treibersignals (z.B. Gate-Spannung) in die Steuerelektrode 321 (Gate-Elektrode) des Halbleiterelements 32. Das Steuerelement 4b erzeugt das zweite Treibersignal, um zu bewirken, dass das Halbleiterelement 32 als der untere Arm operiert. Jedes der Vielzahl von Verbindungsteilen 73 ist mit dem Steuerelement 4b verbunden. Die Steuerelemente 4b sind elektrisch verbunden mit der Steuerelektrode 321 des Halbleiterelements 32 über die Verbindungsteile 73, die Verdrahtungsabschnitte 2 und das Verbindungsteil 71. Dementsprechend wird ein Treibersignal, das von dem Steuerelement 4b ausgegeben wird, in die Steuerelektrode 321 des Halbleiterelements 32 über die Verbindungsteile 73, die Verdrahtungsabschnitte 2 und das Verbindungsteil 71 eingespeist.The control element 4b controls the operation of the semiconductor element 32. Specifically, the control element 4b controls a switching operation of the semiconductor element 32 by supplying the second drive signal (e.g., gate voltage) to the control electrode 321 (gate electrode) of the semiconductor element 32. The control element 4b generates the second Drive signal to cause the semiconductor element 32 to operate as the lower arm. Each of the plurality of connecting parts 73 is connected to the control element 4b. The control elements 4b are electrically connected to the control electrode 321 of the semiconductor element 32 via the connection parts 73, the wiring portions 2 and the connection part 71. Accordingly, a drive signal output from the control element 4b is input to the control electrode 321 of the semiconductor element 32 via the connection parts 73 , the wiring portions 2 and the connector 71 are fed.

Wie in 3 gezeigt, ist die Vielzahl von passiven Elementen 5 auf der Substratvorderseite 11 des isolierenden Substrats 1 angeordnet. Jedes der passiven Elemente 5 ist mit einem Pad-Abschnitt 21 (Verdrahtungsabschnitt 2) verbunden und ist mit dem Verdrahtungsabschnitt 2 elektrisch verbunden. Die Vielzahl von passiven Elementen 5 sind bspw. Widerstände, Kapazitoren, Spulen, Dioden oder Ähnliches. Die Vielzahl von passiven Elementen 5 umfasst zum Beispiel eine Vielzahl von Thermistoren 5a und eine Vielzahl von Widerständen 5b.As in 3 1, the plurality of passive elements 5 are arranged on the substrate front side 11 of the insulating substrate 1. FIG. Each of the passive elements 5 is connected to a pad portion 21 (wiring portion 2 ) and is electrically connected to the wiring portion 2 . The multiplicity of passive elements 5 are, for example, resistors, capacitors, coils, diodes or the like. The plurality of passive elements 5 includes, for example, a plurality of thermistors 5a and a plurality of resistors 5b.

Jeder der Vielzahl von Thermistoren 5a ist so angeordnet, dass er zwei Pad-Abschnitte 21 der Verdrahtungsabschnitte 2 überspannt („spanning two pad portions“). Jeder Thermistor 5a ist verbunden und elektrisch verbunden mit diesen zwei Pad-Abschnitten 21. Die Pad-Abschnitte 21 sind mit zwei verschiedenen Anschlüssen 60 elektrisch über die Verdrahtungsabschnitte 2 verbunden. Jeder Thermistor 5a gibt einen Strom aus, der als Ergebnis einer Spannung, die zwischen den beiden Anschlüssen 60 anliegt, einer Umgebungstemperatur entspricht.Each of the plurality of thermistors 5a is arranged so as to span two pad portions 21 of the wiring portions 2 . Each thermistor 5a is bonded and electrically connected to these two pad portions 21. The pad portions 21 are electrically connected to two different terminals 60 through the wiring portions 2. FIG. Each thermistor 5a outputs a current corresponding to an ambient temperature as a result of a voltage applied between the two terminals 60.

Jeder der Vielzahl von Widerständen 5b ist so angeordnet, dass er zwei Pad-Abschnitte 21 der Verdrahtungsabschnitte 2 überspannt. Jeder Widerstand 5b ist verbunden und elektrisch verbunden mit diesen zwei Pad-Abschnitten 21. Von den zwei Pad-Abschnitten 21, die mit einem Widerstand 5b verbunden sind, ist ein Pad-Abschnitt 21 mit dem Steuerelement 4a oder 4b elektrisch verbunden, und der andere Pad-Abschnitt 21 ist mit der Steuerelektrode 311 oder 321 des Halbleiterelements 31 oder 32 über das Verbindungsteil 71 elektrisch verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform ist jeder Widerstand 5b bspw. ein Gate-Widerstand.Each of the plurality of resistors 5 b is arranged to span two pad portions 21 of the wiring portions 2 . Each resistor 5b is connected and electrically connected to these two pad portions 21. Of the two pad portions 21 connected to a resistor 5b, one pad portion 21 is electrically connected to the control element 4a or 4b, and the other Pad portion 21 is electrically connected to control electrode 311 or 321 of semiconductor element 31 or 32 via connection part 71 . In the present embodiment, each resistor 5b is a gate resistor, for example.

Die Anschlussrahmen 6 umfassen ein metallisches Material. Die Anschlussrahmen 6 haben eine höhere Wärmeleitfähigkeit als das isolierende Substrat 1. Zum Beispiel wird Kupfer (Cu), Aluminium, Eisen (Fe), sauerstofffreies Kupfer, oder eone Legierung von irgendeinem dieser Metalle (z.B. eine Cu-Sn-Legierung, eine Cu-Zr-Legierung, eine Cu-Fe-Legierung, usw.) verwendet als Materialbestandteil der Anschlussrahmen 6. Die Oberflächen der Anschlussrahmen 6 können, falls angebracht, mit Nickel plattiert sein. Die Anschlussrahmen 6 können gebildet werden durch Pressen, wobei eine Form gegen eine Metallplatte gepresst wird, oder bspw. durch Ätzen einer Metallplatte. Die Dicke (Länge in der z-Richtung) von jedem Anschlussrahmen 6, ist nicht in besonderer Weise beschränkt, aber ist größer als die Dicke (Länge in der z-Richtung) der Verdrahtungsabschnitte 2. Die Dicke von jedem Anschlussrahmen 6 beträgt bspw. mindestens 0,4 mm und ist nicht größer als 0,8 mm. Die Anschlussrahmen 6 sind voneinander beabstandet. Wie in 3 gezeigt, umfassen die Anschlussrahmen 6 die Vielzahl von Anschlüssen 61 bis 64, 69 und 60. Jeder der Vielzahl von Anschlüssen 61 bis 64, 69 und 60 umfasst einen Abschnitt, der durch das Harzteil 8 bedeckt ist und einen Abschnitt, der von dem Harzteil 8 freigelegt ist.The lead frames 6 include a metallic material. The lead frames 6 have higher thermal conductivity than the insulating substrate 1. For example, copper (Cu), aluminum, iron (Fe), oxygen-free copper, or an alloy of any of these metals (e.g., a Cu-Sn alloy, a Cu- Zr alloy, a Cu-Fe alloy, etc.) are used as constituent materials of the lead frames 6. The surfaces of the lead frames 6 may be plated with nickel, if appropriate. The lead frames 6 can be formed by pressing, in which a mold is pressed against a metal plate, or by etching a metal plate, for example. The thickness (z-direction length) of each lead frame 6 is not particularly limited, but is larger than the thickness (z-direction length) of the wiring portions 2. The thickness of each lead frame 6 is, for example, at least 0.4 mm and is not larger than 0.8 mm. The lead frames 6 are spaced apart from one another. As in 3 As shown, the lead frames 6 include the plurality of terminals 61 to 64, 69 and 60. Each of the plurality of terminals 61 to 64, 69 and 60 includes a portion covered by the resin part 8 and a portion covered by the resin part 8 is exposed.

Jeder der zwei Anschlüsse 61 und 62 wird durch das Harzteil 8 und das isolierende Substrat 1 gestützt. Wie in 3 gezeigt, umfasst der Anschluss 61 einen Pad-Abschnitt 611 und einen Terminal-Abschnitt 612. Der Pad-Abschnitt 611 und der Terminal-Abschnitt 612 sind miteinander verbunden. Wie in 3 gezeigt, umfasst der Anschluss 62 einen Pad-Abschnitt 621 und einen Terminal-Abschnitt 622. Der Pad-Abschnitt 621 und der Terminal-Abschnitt 622 sind miteinander verbunden. Der Anschluss 61 ist ein Beispiel eines „ersten Anschlusses“, und der Anschluss 62 ist ein Beispiel eines „zweiten Anschlusses“.Each of the two terminals 61 and 62 is supported by the resin part 8 and the insulating substrate 1 . As in 3 As shown, the connector 61 includes a pad portion 611 and a terminal portion 612. The pad portion 611 and the terminal portion 612 are connected to each other. As in 3 As shown, the connector 62 includes a pad portion 621 and a terminal portion 622. The pad portion 621 and the terminal portion 622 are connected to each other. Port 61 is an example of a "first port" and port 62 is an example of a "second port."

Jeder der Pad-Abschnitte 611 und 621 ist durch das Harzteil 8 bedeckt. Jeder der Pad-Abschnitte 611 und 621 ist auf der Substratvorderseite 11 des isolierenden Substrats 1 angeordnet und überlappt das isolierende Substrat 1 in einer Draufsicht. Jeder der Pad-Abschnitte 611 und 621 hat in einer Draufsicht bspw. eine rechteckige Form. Jeder der Pad-Abschnitte 611 und 621 ist mit der Substratvorderseite 11 durch Verwendung eines Verbindungsmaterials (nicht gezeigt) verbunden. Eine Metallschicht kann auf der Substratvorderseite 11 bereitgestellt werden, mit welcher die Pad-Abschnitte 611 und 621 verbunden sind, um die Stärke der Bindung zwischen jedem der Pad-Abschnitte 611 und 621 und dem isolierenden Substrat 1 zu vergrößern. Wenn die Metallschicht aus dem gleichen Material hergestellt ist wie die Verdrahtungsabschnitte 2, kann die Metallschicht zusammen mit the Verdrahtungsabschnitten 2 ausgebildet sein.Each of the pad portions 611 and 621 is covered with the resin part 8 . Each of the pad portions 611 and 621 is arranged on the substrate front surface 11 of the insulating substrate 1 and overlaps the insulating substrate 1 in a plan view. Each of the pad portions 611 and 621 has, for example, a rectangular shape in a plan view. Each of the pad portions 611 and 621 is bonded to the substrate face 11 by using a bonding material (not shown). A metal layer may be provided on the substrate face 11 to which the pad portions 611 and 621 are bonded in order to increase the strength of bonding between each of the pad portions 611 and 621 and the insulating substrate 1 better. When the metal layer is made of the same material as the wiring portions 2, the metal layer can be formed together with the wiring portions 2.

Das Halbleiterelement 31 und das schützende Element 39A sind auf dem Pad-Abschnitt 611 montiert bzw. angebracht. Die Rü ckseitenelektrode 313 (Drain-Elektrode) des Halbleiterelements 31 und die Rückseitenelektrode 392 (Kathodenelektrode) des schützenden Elements 39A sind mit dem Pad-Abschnitt 611 durch Verwendung eines leitenden Verbindungsmaterials (nicht gezeigt) verbunden. Zum Beispiel wird Lot, eine Metallpaste, ein gesintertes Metall oder dergleichen als leitendes Verbindungsmaterial verwendet. Als Ergebnis sind die Rückseitenelektrode 313 des Halbleiterelements 31 und die Rückseitenelektrode 392 des schützenden Elements 39A elektrisch miteinander verbunden. Die Elementrückseite 31b des Halbleiterelements 31 und die Rückseite (Seite, die in die z1-Richtung zeigt) des schützenden Elements 39A sind dem Pad-Abschnitt 611 zugewandt. Der Pad-Abschnitt 611 ist ein Beispiel eines „ersten Pad-Abschnitts“.The semiconductor element 31 and the protective element 39A are mounted on the pad portion 611 . The backside electrode 313 (drain electrode) of the semiconductor element 31 and the backside electrode 392 (cathode electrode) of the protective member 39A are connected to the pad portion 611 by using a conductive bonding material (not shown). For example, solder, a metal paste, a sintered metal, or the like is used as the conductive connection material. As a result, the backside electrode 313 of the semiconductor element 31 and the backside electrode 392 of the protective member 39A are electrically connected to each other. The element back side 31b of the semiconductor element 31 and the back side (side facing the z1 direction) of the protective member 39A face the pad portion 611 . The pad section 611 is an example of a “first pad section”.

Das Halbleiterelement 32 und das schützende Element 39B sind auf dem Pad-Abschnitt 621 montiert. Die Rückseitenelektrode 323 (Drain-Elektrode) des Halbleiterelements 32 und die Rückseitenelektrode 392 (Kathodenelektrode) des schützenden Elements 39B sind durch Verwendung eines leitenden Verbindungsmaterials (nicht gezeigt) mit dem Pad-Abschnitt 621 verbunden. Zum Beispiel wird Lot, eine Metallpaste, ein gesintertes Metall oder dergleichen als leitendes Verbindungsmaterial verwendet. Als Ergebnis sind die Rückseitenelektrode 323 des Halbleiterelements 32 und die Rückseitenelektrode 392 des schützenden Elements 39B elektrisch miteinander verbunden. Die Elementrückseite 32b des Halbleiterelements 32 und die Rückseite (Seite, die in die z1-Richtung zeigt) des schützenden Elements 39B sind dem Pad-Abschnitt 621 zugewandt. Der Pad-Abschnitt 621 ist ein Beispiel eines „zweiten Pad-Abschnitts“.The semiconductor element 32 and the protective element 39B are mounted on the pad portion 621. FIG. The backside electrode 323 (drain electrode) of the semiconductor element 32 and the backside electrode 392 (cathode electrode) of the protective member 39B are connected to the pad portion 621 by using a conductive bonding material (not shown). For example, solder, a metal paste, a sintered metal, or the like is used as the conductive connection material. As a result, the backside electrode 323 of the semiconductor element 32 and the backside electrode 392 of the protective member 39B are electrically connected to each other. The element back surface 32b of the semiconductor element 32 and the back surface (side facing the z1 direction) of the protective element 39B face the pad portion 621 . The pad section 621 is an example of a “second pad section”.

Jeder der Terminal-Abschnitte 612 und 622 ist von dem Harzteil 8 freigelegt. Jeder der Terminal-Abschnitte 612 und 622 ist in der z2-Richtung gebogen („bent in the z2 direction“). Die Terminal-Abschnitte 612 und 622 sind externe Terminals der elektronischen Vorrichtung A1. Der Pad-Abschnitt 611 ist mit der Rückseitenelektrode 313 (Drain-Elektrode) des Halbleiterelements 31 elektrisch verbunden und dementsprechend fließt ein Drain-Strom des Halbleiterelements 31 durch den Terminal-Abschnitt 612. Außerdem ist der Pad-Abschnitt 621 mit der Rückseitenelektrode 323 (Drain-Elektrode) des Halbleiterelements 32 elektrisch verbunden und dementsprechend fließt ein Drain-Strom des Halbleiterelements 32 durch den Terminal-Abschnitt 622. Der Terminal-Abschnitt 612 ist ein Beispiel eines „ersten Terminal-Abschnitts“ und der Terminal-Abschnitt 622 ist ein Beispiel eines „zweiten Terminal-Abschnitts“.Each of the terminal portions 612 and 622 is exposed from the resin part 8 . Each of the terminal portions 612 and 622 is bent in the z2 direction. The terminal sections 612 and 622 are external terminals of the electronic device A1. The pad portion 611 is electrically connected to the backside electrode 313 (drain electrode) of the semiconductor element 31, and accordingly, a drain current of the semiconductor element 31 flows through the terminal portion 612. Also, the pad portion 621 is connected to the backside electrode 323 (drain -electrode) of the semiconductor element 32 is electrically connected, and accordingly, a drain current of the semiconductor element 32 flows through the terminal portion 622. The terminal portion 612 is an example of a “first terminal portion” and the terminal portion 622 is an example of one "second terminal section".

Jeder der zwei Anschlüsse 63 und 64 wird durch das Harzteil 8 gestützt. Wie in 3 gezeigt, umfasst der Anschluss 63 einen Pad-Abschnitt 631 und einen Terminal-Abschnitt 632. Der Pad-Abschnitt 631 und der Terminal-Abschnitt 632 sind miteinander verbunden. Wie in 3 gezeigt, umfasst der Anschluss 64 einen Pad-Abschnitt 641 und einen Terminal-Abschnitt 642. Der Pad-Abschnitt 641 und der Terminal-Abschnitt 642 sind miteinander verbunden. Der Anschluss 63 ist ein Beispiel eines „dritten Anschlusses“ und der Anschluss 64 ist ein Beispiel eines „vierten Anschlusses“.Each of the two terminals 63 and 64 is supported by the resin part 8 . As in 3 As shown, the connector 63 includes a pad portion 631 and a terminal portion 632. The pad portion 631 and the terminal portion 632 are connected to each other. As in 3 As shown, the connector 64 includes a pad portion 641 and a terminal portion 642. The pad portion 641 and the terminal portion 642 are connected to each other. Port 63 is an example of a "third port" and port 64 is an example of a "fourth port."

Jeder der Pad-Abschnitte 631 und 641 wird durch das Harzteil 8 bedeckt. Jeder der Pad-Abschnitte 631 und 641 überlappt nicht mit dem isolierenden Substrat 1 in einer Draufsicht. Eine Vielzahl von Verbindungsteilen 72 ist mit jedem der Pad-Abschnitte 631 und 641 verbunden. Jedes Verbindungsteil 72, das mit dem Pad-Abschnitt 631 verbunden ist, ist auch mit der Vorderseitenelektrode 322 des Halbleiterelements 32 verbunden. Deswegen ist der Pad-Abschnitt 631 mit der Vorderseitenelektrode 322 (Source-Elektrode) des Halbleiterelements 32 über die Verbindungsteile 72 elektrisch verbunden. Jedes Verbindungsteil 72, das mit dem Pad-Abschnitt 641 verbunden ist, ist auch mit der Vorderseitenelektrode 312 des Halbleiterelements 31 verbunden. Deswegen ist der Pad-Abschnitt 641 mit der Vorderseitenelektrode 312 (Source-Elektrode) des Halbleiterelements 31 über die Verbindungsteile 72 elektrisch verbunden.Each of the pad portions 631 and 641 is covered by the resin part 8. FIG. Each of the pad portions 631 and 641 does not overlap with the insulating substrate 1 in a plan view. A plurality of connection parts 72 are connected to each of the pad sections 631 and 641 . Each connection part 72 connected to the pad portion 631 is also connected to the front-side electrode 322 of the semiconductor element 32 . Therefore, the pad portion 631 is electrically connected to the front-side electrode 322 (source electrode) of the semiconductor element 32 via the connection parts 72 . Each connection part 72 connected to the pad portion 641 is also connected to the front-side electrode 312 of the semiconductor element 31 . Therefore, the pad portion 641 is electrically connected to the front-side electrode 312 (source electrode) of the semiconductor element 31 via the connection parts 72 .

Jeder der Terminal-Abschnitte 632 und 642 ist von dem Harzteil 8 freigelegt. Jeder der Terminal-Abschnitte 632 und 642 ist in der z2-Richtung gebogen. Die Terminal-Abschnitte 632 und 642 sind externe Terminals der elektronischen Vorrichtung A1. Der Pad-Abschnitt 631 ist elektrisch mit der Vorderseitenelektrode 322 (Source-Elektrode) des Halbleiterelements 32 verbunden und dementsprechend fließt ein Source-Strom des Halbleiterelements 32 durch den Terminal-Abschnitt 632. Außerdem ist der Pad-Abschnitt 641 mit der Vorderseitenelektrode 312 (Source-Elektrode) des Halbleiterelements 31 elektrisch verbunden und dementsprechend fließt ein Source-Strom des Halbleiterelements 31 durch den Terminal-Abschnitt 642.Each of the terminal portions 632 and 642 is exposed from the resin part 8 . Each of the terminal portions 632 and 642 is bent in the z2 direction. The terminal sections 632 and 642 are external terminals of the electronic device A1. The pad portion 631 is electrically connected to the front-side electrode 322 (source electrode) of the semiconductor element 32, and accordingly a source current of the semiconductor element 32 flows through the terminal portion 632. Also, the pad portion 641 is connected to the front-side electrode 312 (source -electrode) of the semiconductor element 31 is electrically connected, and accordingly a source current of the semiconductor element 31 flows through the terminal portion 642.

Jeder der Vielzahl von Anschlüssen 69 wird durch das Harzteil 8 und das isolierende Substrat 1 gestützt. Wie in 3 gezeigt, umfasst jeder Anschluss 69 einen Pad-Abschnitt 691 und einen Terminal-Abschnitt 692. In jedem Anschluss 69 sind der Pad-Abschnitt 691 und der Terminal-Abschnitt 692 miteinander verbunden.Each of the plurality of terminals 69 is supported by the resin part 8 and the insulating substrate 1. As shown in FIG. As in 3 As shown, each connector 69 includes a pad portion 691 and a terminal portion 692. In each connector 69 are the pad section 691 and the terminal section 692 are connected to each other.

Jeder Pad-Abschnitt 691 ist durch das Harzteil 8 bedeckt. Die Pad-Abschnitte 691 sind auf der Substratvorderseite 11 des isolierenden Substrats 1 angeordnet und überlappen mit dem isolierenden Substrat 1 in einer Draufsicht. Die Pad-Abschnitte 691 sind mit den Pad-Abschnitten 21 der Verdrahtungsabschnitte 2 durch Verwendung eines leitenden Verbindungsmaterials (nicht gezeigt) verbunden. Die Pad-Abschnitte 21, mit welchen die Pad-Abschnitte 691 verbunden sind, sind mit den Steuerelementen 4a und 4b (Steuereinheit 41) durch Verbindungsdrähte 22 elektrisch verbunden. Dementsprechend sind die Pad-Abschnitte 691 mit den Steuerelementen 4a und 4b (Steuereinheit 41) durch die Verdrahtungsabschnitte 2 elektrisch verbunden.Each pad portion 691 is covered with the resin part 8 . The pad portions 691 are arranged on the substrate front surface 11 of the insulating substrate 1 and overlap with the insulating substrate 1 in a plan view. The pad portions 691 are connected to the pad portions 21 of the wiring portions 2 by using a conductive bonding material (not shown). The pad portions 21 to which the pad portions 691 are connected are electrically connected to the controllers 4a and 4b (control unit 41) through bonding wires 22. FIG. Accordingly, the pad portions 691 are electrically connected to the control elements 4a and 4b (control unit 41) through the wiring portions 2. FIG.

Jeder Terminal-Abschnitt 692 ist von dem Harzteil 8 freigelegt. Jeder Terminal-Abschnitt 692 ist in der z2-Richtung gebogen. Die Terminal-Abschnitte 692 sind externe Terminals der elektronischen Vorrichtung A1. Die Pad-Abschnitte 691 sind mit den Steuerelementen 4a und 4b (Steuereinheit 41) elektrisch verbunden und dementsprechend ist jeder der Terminal-Abschnitte 692 ein Eingangsterminal für verschiedene Steuersignale der Steuereinheit 41, oder ein Ausgangsterminal für verschiedene Steuersignale von der Steuereinheit 41, oder ein Eingangsterminal zum Betreiben bzw. zur Stromversorgung der Steuerelemente 4a und 4b.Each terminal portion 692 is exposed from the resin part 8 . Each terminal portion 692 is bent in the z2 direction. The terminal sections 692 are external terminals of the electronic device A1. The pad sections 691 are electrically connected to the control elements 4a and 4b (control unit 41), and accordingly each of the terminal sections 692 is an input terminal for various control signals from the control unit 41, or an output terminal for various control signals from the control unit 41, or an input terminal for operating or for powering the control elements 4a and 4b.

Jeder der Vielzahl von Anschlüssen 60 wird durch das Harzteil 8 und das isolierende Substrat 1 gestützt. Die Anschlüsse 60 sind mit den Thermistoren 5a elektrisch verbunden. In der vorliegenden Ausführungsform werden zwei Anschlüsse 60 für jeden der zwei Thermistoren 5a bereitgestellt. Das heißt, dass die elektronische Vorrichtung A1 vier Anschlüsse 60 aufweist. Wie in 3 gezeigt, weist jeder Anschluss 60 einen Pad-Abschnitt 601 und einen Terminal-Abschnitt 602 auf. In jedem Anschluss 60 sind die Pad-Abschnitte 601 und die Terminal-Abschnitte 602 elektrisch miteinander verbunden.Each of the plurality of terminals 60 is supported by the resin part 8 and the insulating substrate 1. As shown in FIG. The terminals 60 are electrically connected to the thermistors 5a. In the present embodiment, two terminals 60 are provided for each of the two thermistors 5a. That is, the electronic device A1 has four terminals 60 . As in 3 As shown, each port 60 has a pad portion 601 and a terminal portion 602 . In each port 60, the pad portions 601 and the terminal portions 602 are electrically connected to each other.

Jeder Pad-Abschnitt 601 wird durch das Harzteil 8 bedeckt. Jeder Pad-Abschnitt 601 ist auf der Substratvorderseite 11 des isolierenden Substrats 1 angeordnet und überlappt in einer Draufsicht mit dem isolierenden Substrat 1. Die Pad-Abschnitte 601 sind mit den Pad-Abschnitten 21 der Verdrahtungsabschnitte 2 durch Verwendung eines leitenden Verbindungsmaterials (nicht gezeigt) verbunden. Jeder der Pad-Abschnitte 21 mit welchem die Pad-Abschnitte 601 verbunden sind, ist mit jeweils einem der beiden Thermistoren 5a über einen Verbindungsdraht 22 elektrisch verbunden. Dementsprechend sind die Pad-Abschnitte 601 mit den Thermistoren 5a über Verdrahtungsabschnitte 2 elektrisch verbunden.Each pad portion 601 is covered with the resin part 8 . Each pad portion 601 is arranged on the substrate front surface 11 of the insulating substrate 1 and overlaps with the insulating substrate 1 in a plan view. The pad portions 601 are connected to the pad portions 21 of the wiring portions 2 by using a conductive bonding material (not shown). tied together. Each of the pad portions 21 to which the pad portions 601 are connected is electrically connected to each of the pair of thermistors 5 a via a bonding wire 22 . Accordingly, the pad portions 601 are electrically connected to the thermistors 5 a via wiring portions 2 .

Jeder Terminal-Abschnitt 602 wird von dem Harzteil 8 freigelegt. Jeder Terminal-Abschnitt 602 ist in der z2-Richtung gebogen. Die Terminal-Abschnitte 602 überlappen mit den Terminal-Abschnitten 692 in einer Betrachtung in der x-Richtung. Die Terminal-Abschnitte 602 sind externe Terminals der elektronischen Vorrichtung A1. Die Pad-Abschnitte 601 sind mit den Thermistoren 5a elektrisch verbunden und deshalb sind die Terminal-Abschnitte 602 Temperaturerfassungsterminals.Each terminal portion 602 is exposed from the resin part 8 . Each terminal portion 602 is bent in the z2 direction. The terminal sections 602 overlap with the terminal sections 692 when viewed in the x-direction. The terminal sections 602 are external terminals of the electronic device A1. The pad portions 601 are electrically connected to the thermistors 5a, and therefore the terminal portions 602 are temperature detection terminals.

Der Pad-Abschnitt 611 und der Pad-Abschnitt 621 des Anschlussrahmens 6 sind in der x-Richtung so angeordnet, dass ein erster Trennbereich S1 zwischen den Pad-Abschnitten 611 und 621 eingezwängt ist. In der vorliegenden Ausführungsform ist ein „Bereich“ ein Konzept, welches einen dreidimensionalen Raum umfasst, und es gibt keine Beschränkung, ob ein Objekt in dem Raum angeordnet ist oder nicht, ist nicht. Die Steuereinheit 41 ist in dem ersten Trennbereich S1 angeordnet. Dementsprechend überlappt, wie in 8 gezeigt, die Gesamtheit der Steuereinheit 41 mit dem ersten Trennbereich S1 in einer Betrachtung in der y-Richtung. Außerdem überlappt wie in 3 gezeigt, die Gesamtheit der Steuereinheit 41 mit dem ersten Trennbereich S1 in einer Betrachtung in der x-Richtung. In der vorliegenden Ausfü hrungsform sind die Anschlussrahmen 6 nicht in dem ersten Trennbereich S1 platziert. In der vorliegenden Ausführungsform sind einige der passiven Elemente 5 auch in dem ersten Trennbereich S1 angeordnet.The pad portion 611 and the pad portion 621 of the lead frame 6 are arranged in the x-direction such that a first separation area S1 is sandwiched between the pad portions 611 and 621 . In the present embodiment, an “area” is a concept including a three-dimensional space, and there is no limitation as to whether or not an object is arranged in the space. The control unit 41 is arranged in the first separation area S1. Accordingly overlapped, as in 8th shown, the entirety of the control unit 41 with the first separating region S1 viewed in the y-direction. Also overlapped as in 3 shown, the entirety of the control unit 41 with the first separating area S1 viewed in the x-direction. In the present embodiment, the lead frames 6 are not placed in the first separating area S1. In the present embodiment, some of the passive elements 5 are also arranged in the first separation area S1.

Jedes der Vielzahl von Verbindungsteilen 71 bis 74 verbindet zwei Teile, die voneinander beabstandet sind, elektrisch miteinander. Die Vielzahl von Verbindungsteilen 71 bis 74 sind Bondingdrähte. Anstatt von Bondingdrähten können, falls angemessen, plattenförmige Anschlussteile („lead members“) als die Vielzahl von Verbindungsteilen 71 bis 74 verwendet werden.Each of the plurality of connection parts 71 to 74 electrically connects two parts that are spaced apart from each other. The plurality of connection parts 71 to 74 are bonding wires. Instead of bonding wires, plate-shaped lead members may be used as the plurality of connection members 71-74, as appropriate.

Wie in 3 gezeigt, ist jedes der Verbindungsteile 71 mit der Steuerelektrode 311 oder 321 (Gate-Elektrode) des Halbleiterelements 31 oder 32 und einem Pad-Abschnitt 21 verbunden und verbindet elektrisch die Steuerelektrode 311 oder 321 und den Pad-Abschnitt 21 miteinander. Jeder der Pad-Abschnitte 21, die mit den Verbindungsteilen 71 verbunden sind, ist elektrisch jeweils mit einem der beiden Steuerelemente 4a und 4b (Steuereinheit 41) über einen Verbindungsdraht 22 verbunden. Zum Beispiel wird Au als ein Materialbestandteil („constituent material“) der Verbindungsteile 71 verwendet, aber Cu oder Al können genauso verwendet werden. Der Drahtdurchmesser und die Anzahl von Verbindungsteilen 71 sind nicht auf die in 3 gezeigten beschränkt.As in 3 1, each of the connection parts 71 is connected to the control electrode 311 or 321 (gate electrode) of the semiconductor element 31 or 32 and a pad portion 21, and electrically connects the control electrode 311 or 321 and the pad portion 21 to each other. Each of the pad portions 21 connected to the connecting parts 71 is electrically connected to one of the two control elements 4a and 4b (control unit 41) via a connecting wire 22, respectively. For example, Au is used as a constituent material of the connection parts 71, but Cu or Al can be used as well. The wire diameter and the number of Connection parts 71 are not limited to the in 3 shown limited.

Wie in 3 gezeigt, ist jeder der Vielzahl von Verbindungsteilen 72 mit der Vorderseitenelektrode 312 oder 322 (Source-Elektrode) des Halbleiterelements 31 oder 32 und dem Pad-Abschnitt 641 oder 631 des Anschlusses 64 oder 63 verbunden, und verbindet die Vorderseitenelektrode 312 oder 322 und den Pad-Abschnitt 641 oder 631 elektrisch miteinander. Wie in den 3 und 6 gezeigt, sind von der Vielzahl von Verbindungsteilen 72, Zwischenabschnitte der Verbindungsteile 72, welche mit der Vorderseitenelektrode 312 des Halbleiterelements 31 verbunden sind, und der Pad-Abschnitt 641 des Anschlusses 64 auch mit der Vorderseitenelektrode 391 des schützenden Elements 39A verbunden. Somit sind die Vorderseitenelektrode 312 (Source-Elektrode) des Halbleiterelements 31 und die Vorderseitenelektrode 391 (Anodenelektrode) des schützenden Elements 39A elektrisch miteinander verbunden. Außerdem sind, wie in 3 gezeigt, von der Vielzahl von Verbindungsteilen 72, Zwischenabschnitte der Verbindungsteile 72, die mit der Vorderseitenelektrode 322 des Halbleiterelements 32 und dem Pad-Abschnitt 631 des Anschlusses 63 verbunden sind, auch mit der Vorderseitenelektrode 391 des schützenden Elements 39B verbunden. Somit sind die Vorderseitenelektrode 322 (Source-Elektrode) des Halbleiterelements 32 und die Vorderseitenelektrode 391 (Anodenelektrode) des schützenden Elements 39B elektrisch miteinander verbunden. Zum Beispiel wird Al oder Cu als ein Materialbestandteil der Verbindungsteile 72 verwendet, aber Au kann auch verwendet werden. Der Drahtdurchmesser und die Anzahl von Verbindungsteilen 72 ist nicht auf die in 3 gezeigten beschränkt.As in 3 shown, each of the plurality of connection parts 72 is connected to the front-side electrode 312 or 322 (source electrode) of the semiconductor element 31 or 32 and the pad portion 641 or 631 of the terminal 64 or 63, and connects the front-side electrode 312 or 322 and the pad - Section 641 or 631 electrically connected to each other. As in the 3 and 6 1, of the plurality of connection parts 72, intermediate portions of the connection parts 72 connected to the front-side electrode 312 of the semiconductor element 31 and the pad portion 641 of the terminal 64 are also connected to the front-side electrode 391 of the protective member 39A. Thus, the front-side electrode 312 (source electrode) of the semiconductor element 31 and the front-side electrode 391 (anode electrode) of the protective member 39A are electrically connected to each other. In addition, as in 3 As shown, of the plurality of connection parts 72, intermediate portions of the connection parts 72 connected to the front-side electrode 322 of the semiconductor element 32 and the pad portion 631 of the terminal 63 are also connected to the front-side electrode 391 of the protective member 39B. Thus, the front-side electrode 322 (source electrode) of the semiconductor element 32 and the front-side electrode 391 (anode electrode) of the protective member 39B are electrically connected to each other. For example, Al or Cu is used as a constituent material of the connection parts 72, but Au can also be used. The wire diameter and the number of connecting parts 72 are not limited to those in 3 shown limited.

In dem Beispiel, das in den 3 und 6 gezeigt ist, sind die Vorderseitenelektrode 312 (Halbleiterelement 31), die Vorderseitenelektrode 391 (schützendes Element 39A) und der Pad-Abschnitt 641 (Anschluss 64) elektrisch miteinander verbunden duch die Verbindungsteile 72, aber es gibt keine Beschränkung auf diese Konfiguration. Zum Beispiel können ein Draht, der die Vorderseitenelektrode 312 und die Vorderseitenelektrode 391 des schützenden Elements 39A elektrisch miteinander verbindet, und ein Draht, der die Vorderseitenelektrode 391 des schützenden Elements 39A und den Pad-Abschnitt 641 elektrisch miteinander verbindet, separat voneinander bereitgestellt werden, anstatt der Verbindungsteile 72. Alternativ können ein Draht, der die Vorderseitenelektrode 312 und den Pad-Abschnitt 641 elektrisch miteinander verbindet, und ein Draht, der die Vorderseitenelektrode 312 und die Vorderseitenelektrode 391 des schützenden Elements 39A elektrisch miteinander verbindet, separat voneinander bereitgestellt werden, anstatt der Verbindungsteile 72. Ähnliches kann auch von den Verbindungsteilen 72 gesagt werden, die die Vorderseitenelektrode 322 (Halbleiterelement 32), die Vorderseitenelektrode 391 (schützendes Element 39B) und den Pad-Abschnitt 631 (Anschluss 63) miteinander verbindet.In the example given in the 3 and 6 As shown, the front-side electrode 312 (semiconductor element 31), the front-side electrode 391 (protective element 39A), and the pad portion 641 (terminal 64) are electrically connected to each other through the connection parts 72, but there is no limitation to this configuration. For example, a wire that electrically connects the front-side electrode 312 and the front-side electrode 391 of the protective member 39A and a wire that electrically connects the front-side electrode 391 of the protective member 39A and the pad portion 641 may be provided separately from each other instead of the connecting parts 72. Alternatively, a wire that electrically connects the front-side electrode 312 and the pad portion 641 to each other, and a wire that electrically connects the front-side electrode 312 and the front-side electrode 391 of the protective member 39A to each other may be provided separately from each other instead of the Connecting parts 72. The same can be said of the connecting parts 72 connecting the front-side electrode 322 (semiconductor element 32), the front-side electrode 391 (protecting element 39B) and the pad portion 631 (terminal 63) to each other.

Wie in 3 gezeigt, ist jede der Vielzahl von Verbindungsteilen 73 mit dem Steuerelement 4b und einem Pad-Abschnitt 21 des Verdrahtungsabschnittes 2 verbunden und verbindet das Steuerelement 4b und den Verdrahtungsabschnitt 2 elektrisch miteinander. Zum Beispiel wird Au als ein Materialbestandteil der Verbindungsteile 73 verwendet, aber Cu oder Al können auch verwendet werden. Der Drahtdurchmesser und die Anzahl von Verbindungsteilen 73 ist nicht auf die in 3 gezeigten beschränkt.As in 3 1, each of the plurality of connection parts 73 is connected to the control element 4b and a pad portion 21 of the wiring section 2, and electrically connects the control element 4b and the wiring section 2 to each other. For example, Au is used as a constituent material of the connection parts 73, but Cu or Al can also be used. The wire diameter and the number of connecting parts 73 are not limited to those in 3 shown limited.

Das Verbindungsteil 74 ist mit der Vorderseitenelektrode 312 des Halbleiterelements 31 und einem Pad-Abschnitt 21 verbunden und verbindet die Vorderseitenelektrode 312 und den Pad-Abschnitt 21 miteinander. Dementsprechend wird ein Erfassungssignal zur Erfassung eines Stromes (z.B. eines Source-Stromes), der durch die Vorderseitenelektrode 322 des Halbleiterelements 32 fließt, an den Verdrahtungsabschnitt 2 übermittelt. Zum Beispiel wird Au als ein Materialbestandteil des Verbindungsteils 74 verwendet, aber Cu oder Al können auch verwendet werden. Der Drahtdurchmesser und die Anzahl von Verbindungsteilen 74 ist nicht auf die in 3 gezeigten beschränkt. Im Gegensatz zu dem gezeigten Beispiel, ist auch eine Konfiguration möglich, die ferner ein Verbindungsteil 74 umfasst, das mit der Vorderseitenelektrode 322 des Halbleiterelements 32 und einem Pad-Abschnitt 21 verbunden ist.The connection part 74 is connected to the front-side electrode 312 of the semiconductor element 31 and a pad portion 21, and connects the front-side electrode 312 and the pad portion 21 to each other. Accordingly, a detection signal for detecting a current (eg, a source current) flowing through the front-side electrode 322 of the semiconductor element 32 is transmitted to the wiring portion 2 . For example, Au is used as a constituent material of the connection part 74, but Cu or Al can also be used. The wire diameter and the number of connecting parts 74 are not limited to those in 3 shown limited. Unlike the shown example, a configuration further including a connection part 74 connected to the front-side electrode 322 of the semiconductor element 32 and a pad portion 21 is also possible.

Das Harzteil 8 bedeckt das isolierende Substrat 1 (außer die Substratrückseite 12), die Verdrahtungsabschnitte 2, die zwei Halbleiterelemente 31 und 32, die Steuereinheit 41, die Vielzahl von passiven Elementen 5, Abschnitte der Anschlussrahmen 6 und die Vielzahl von Verbindungsteilen 71 bis 74. Zum Beispiel kann ein Material, das eine isolierende Eigenschaft hat, wie ein an Epoxidharz oder Silicongel verwendet werden, als ein Materialbestandteil des Harzteils 8. Das Harzteil 8 ist bzw. wird bspw. durch Gießen ausgebildet.The resin part 8 covers the insulating substrate 1 (except for the substrate back 12), the wiring portions 2, the two semiconductor elements 31 and 32, the control unit 41, the plurality of passive elements 5, portions of the lead frames 6, and the plurality of connection parts 71 to 74. For example, a material having an insulating property such as an epoxy resin or silicone gel can be used as a constituent material of the resin part 8. The resin part 8 is formed by molding, for example.

Das Harzteil 8 umfasst eine Harzvorderseite 81, eine Harzrückseite 82 und eine Vielzahl von Harzseitenflächen 831 to 834 wie in den 1 bis 8 gezeigt. Die Harzvorderseite 81 und die Harzrückseite 82 sind voneinander in der z-Richtung beabstandet gezeigt wie in den 6 bis 8. Die Harzvorderseite 81 zeigt in die z2-Richtung und die Harzrückseite 82 zeigt in die zl-Richtung. Jede der Harzvorderseite 81 und der Harzrückseite 82 ist eine flache Oberfläche, die senkrecht zu der z-Richtung steht. Die Substratrückseite 12 wird von der Harzrückseite 82 freigelegt. In der vorliegenden Ausführungsform sind die Substratrückseite 12 und die Harzrückseite 82 bündig miteinander wie in den 6 bis 8 gezeigt, aber es ist auch eine Konfiguration möglich, in welcher die Substratrückseite 12 und die Harzrückseite 82 nicht bündig miteinander sind. Jede der Vielzahl von Harzseitenflächen 831 bis 834 ist mit der Harzvorderseite 81 und der Harzrückseite 82 verbunden. Wie in den 2 und 3 gezeigt, sind die zwei Harzseitenflächen 831 und 832 in der x-Richtung voneinander beabstandet. Die Harzseitenfläche 831 zeigt in die x1-Richtung, und die Harzseitenfläche 832 zeigt in die x2-Richtung. Wie in den 2 und 3 gezeigt, sin die zwei Harzseitenflächen 833 und 834 in der y-Richtung voneinander beabstandet. Die Harzseitenfläche 833 zeigt in die y1-Richtung, und die Harzseitenfläche 834 zeigt in die y2-Richtung. In dem gezeigten Beispiel besteht jede der Harzseitenflächen 831 bis 834 aus einer Oberfläche bei der ein Zentrumsabschnitt in der z-Richtung gebogen ist, aber die Harzseitenflächen 831 bis 834 können auch flache Oberflächen sein, die nicht gebogen sind.The resin part 8 comprises a resin face 81, a resin back face 82 and a plurality of resin side faces 831 to 834 as shown in FIGS 1 until 8th shown. The resin front 81 and the resin back 82 are shown spaced from each other in the z-direction as in FIGS 6 until 8th . The resin face 81 faces the z2 direction and the resin back face 82 faces the zl direction. Each of the resin front 81 and the resin back 82 is a flat surface perpendicular to the z-direction direction. The substrate backside 12 is exposed from the resin backside 82 . In the present embodiment, the substrate back 12 and the resin back 82 are flush with each other as in FIGS 6 until 8th shown, but a configuration in which the substrate backside 12 and the resin backside 82 are not flush with each other is also possible. Each of the plurality of resin side surfaces 831 to 834 is bonded to the resin front 81 and the resin back 82 . As in the 2 and 3 As shown, the two resin side surfaces 831 and 832 are spaced from each other in the x-direction. The resin side surface 831 faces the x1 direction, and the resin side surface 832 faces the x2 direction. As in the 2 and 3 As shown, the two resin side faces 833 and 834 are spaced from each other in the y-direction. The resin side surface 833 faces the y1 direction, and the resin side surface 834 faces the y2 direction. In the shown example, each of the resin side faces 831 to 834 consists of a surface in which a center portion is bent in the z-direction, but the resin side faces 831 to 834 may be flat surfaces that are not bent.

In der elektronischen Vorrichtung A1, steht jeder der Vielzahl von Anschlüssen 61 bis 64 von der Harzseitenfläche 833 ab, und jeder der Vielzahl von Anschlüssen 69 steht von der Harzseitenfläche 834 ab. Dementsprechend stehen Terminals für Leistung, welche mit den Halbleiterelementen 31 und 32 elektrisch verbunden sind, und Terminals für Steuersignale, welche mit der Steuereinheit 41 (den Steuerelementen 4a und 4b) elektrisch verbunden sind, von gegenüberliegenden Seitenflächen ab.In the electronic device A<b>1 , each of the plurality of terminals 61 to 64 projects from the resin side surface 833 , and each of the plurality of terminals 69 projects from the resin side surface 834 . Accordingly, terminals for power, which are electrically connected to the semiconductor elements 31 and 32, and terminals for control signals, which are electrically connected to the control unit 41 (the control elements 4a and 4b), protrude from opposite side surfaces.

Funktionen und vorteilhafte Effekte der elektronischen Vorrichtung A1 sind die folgenden.Functions and advantageous effects of the electronic device A1 are as follows.

Die elektronische Vorrichtung A1 umfasst das isolierende Substrat 1 und die Verdrahtungsabschnitte 2, die auf der Substratvorderseite 11 ausgebildet sind. Die Verdrahtungsabschnitte 2 übermitteln Steuersignale (z.B. das erste Treibersignal und das zweite Treibersignal) zur Steuerung der Halbleiterelemente 31 und 32 und stellen Übermittlungspfade der Steuersignale dar. Zum Beispiel werden Treibersignale zur Steuerung des Betriebs der Halbleiterelemente 31 und 32 von der Steuereinheit 41 (Steuerelemente 4a und 4b) ausgegeben und in die Steuerelektroden 311 und 321 über die Verdrahtungsabschnitte 2 und die Verbindungsteile 71 eingespeist. Die Verdrahtungsabschnitte 2 werden zum Beispiel dadurch gebildet, dass eine Silberpaste gedruckt wird und dann gebrannt wird. Mit dieser Konfiguration ist es möglich, einen Übermittlungspfad der Steuersignale dünn zu machen und die Dichte der Übermittlungspfade, im Vergleich zu einem Fall, in dem die Übermittlungspfade der Steuersignale bspw. aus Metallrahmen bestehen, zu steigern. Deswegen kann die Integrationsdichte der elektronischen Vorrichtung A1 gesteigert werden.The electronic device A1 includes the insulating substrate 1 and the wiring portions 2 formed on the substrate 11 front side. The wiring portions 2 transmit control signals (e.g., the first drive signal and the second drive signal) for controlling the semiconductor elements 31 and 32, and constitute transmission paths of the control signals. For example, drive signals for controlling the operation of the semiconductor elements 31 and 32 are transmitted from the control unit 41 (control elements 4a and 4a 4b) and fed to the control electrodes 311 and 321 via the wiring portions 2 and the connecting parts 71. The wiring portions 2 are formed, for example, by printing a silver paste and then firing it. With this configuration, it is possible to make a transmission path of the control signals thin and increase the density of the transmission paths compared to a case where the transmission paths of the control signals are made of metal frames, for example. Therefore, the integration density of the electronic device A1 can be increased.

In der elektronischen Vorrichtung A1, sind der Pad-Abschnitt 611, der mit dem Halbleiterelement 31 verbunden ist und der Pad-Abschnitt 621, der mit dem Halbleiterelement 32 verbunden ist, in der x-Richtung angeordnet, wobei der erste Trennbereich S1 zwischen den Pad-Abschnitten 611 und 621 eingezwängt ist. Die Steuereinheit 41, die die Halbleiterelemente 31 und 32 steuert, überlappt mit dem ersten Trennbereich S1 in einer Betrachtung in der y-Richtung. Mit dieser Konfiguration ist es möglich, eine Differenz zwischen der Distanz von der Steuereinheit 41 zu dem Halbleiterelement 31 und die Distanz zwischen der Steuereinheit 41 und dem Halbleiterelement 32 zu reduzieren. Dementsprechend ist es möglich, eine Differenz zwischen einer Übermittlungszeit des ersten Treibersignals, das von der Steuereinheit 41 (Steuerelement 4a) in das Halbleiterelement 31 (Steuerelektrode 311) eingespeist wird, und der Übermittlungszeit des zweiten Treibersignals, das von der Steuereinheit 41 (Steuerelement 4b) in das Halbleiterelement 32 (Steuerelektrode 321) eingespeist wird, zu reduzieren.In the electronic device A1, the pad portion 611 connected to the semiconductor element 31 and the pad portion 621 connected to the semiconductor element 32 are arranged in the x-direction with the first isolation region S1 between the pad - Sections 611 and 621 is constrained. The control unit 41, which controls the semiconductor elements 31 and 32, overlaps with the first separating region S1 when viewed in the y-direction. With this configuration, it is possible to reduce a difference between the distance from the control unit 41 to the semiconductor element 31 and the distance between the control unit 41 and the semiconductor element 32 . Accordingly, it is possible to detect a difference between a transmission time of the first driving signal inputted from the control unit 41 (control element 4a) to the semiconductor element 31 (control electrode 311) and the transmission time of the second driving signal inputted from the control unit 41 (control element 4b). is fed to the semiconductor element 32 (control electrode 321).

In der elektronischen Vorrichtung A1, ist das Halbleiterelement 31 mit dem Pad-Abschnitt 611 verbunden und die Rückseitenelektrode 313 des Halbleiterelements 31 und der Anschluss 61 sind elektrisch miteinander verbunden. Außerdem ist die Vorderseitenelektrode 312 des Halbleiterelements 31 mit dem Anschluss 64 über die Vielzahl von Verbindungsteilen 72 elektrisch verbunden. In ähnlicher Weise ist das Halbleiterelement 32 mit dem Pad-Abschnitt 621 verbunden, und die Rückseitenelektrode 323 des Halbleiterelements 32 und der Anschluss 62 sind elektrisch miteinander verbunden. Außerdem ist die Vorderseitenelektrode 322 des Halbleiterelements 32 mit dem Anschluss 63 durch die Vielzahl von Verbindungsteilen 72 elektrisch verbunden. Mit dieser Konfiguration bestehen die Pfade, durch welche ein relativ großer Strom zu den Halbleiterelementen 31 und 32 fließt, aus der Vielzahl von Anschlüssen 61 und 64 (Anschlussrahmen 6). Deswegen kann der erlaubte Strom in Strompfaden vergrößert werden, im Vergleich zu einem Fall, in dem die Strompfade der Halbleiterelemente 31 und 32 aus Verdrahtungsabschnitten 2 bestehen. Das heißt, dass es möglich ist, die Integrationsdichte der elektronischen Vorrichtung A1 zu steigern, während ein zulässiger Strom zu den Halbleiterelementen 31 und 32 sichergestellt wird.In the electronic device A1, the semiconductor element 31 is connected to the pad portion 611, and the backside electrode 313 of the semiconductor element 31 and the terminal 61 are electrically connected to each other. In addition, the front-side electrode 312 of the semiconductor element 31 is electrically connected to the terminal 64 via the plurality of connection parts 72 . Similarly, the semiconductor element 32 is connected to the pad portion 621, and the backside electrode 323 of the semiconductor element 32 and the terminal 62 are electrically connected to each other. In addition, the front-side electrode 322 of the semiconductor element 32 is electrically connected to the terminal 63 through the plurality of connection parts 72 . With this configuration, the paths through which a relatively large current flows to the semiconductor elements 31 and 32 are made up of the plurality of leads 61 and 64 (lead frame 6). Therefore, the allowable current in current paths can be increased compared to a case where the current paths of the semiconductor elements 31 and 32 are made up of wiring portions 2 . That is, it is possible to increase the integration density of the electronic device A<b>1 while ensuring an allowable current to the semiconductor elements 31 and 32 .

In der elektronischen Vorrichtung A1 haben die Anschlussrahmen 6 (Anschlüsse 61 und 62) eine höhere Wärmeleitfähigkeit als das isolierende Substrat 1. Deshalb ist es möglich, eine Reduktion in der Wärmeabfuhr von den Halbleiterelementen 31 und 32 zu unterdrücken, welche auftreten kann, wenn das isolierende Substrat 1 verwendet wird. Insbesondere sind die Halbleiterelemente 31 und 32 auf den Pad-Abschnitten 611 und 621 der Anschlüsse 61 und 62 montiert und deswegen kann Wärme in effizienter Weise von den Halbleiterelementen 31 und 32 an die Anschlüsse 61 und 62 abgegeben werden. Außerdem sind die Anschlüsse 61 und 62 von dem Harzteil 8 freigelegt und dementsprechend stellen die Anschlüsse 61 und 62 Leitungspfade vom Äußeren der Halbleiterelemente 31 und 32 dar, und Wärmeabfuhreigenschaften der Halbleiterelemente 31 und 32 können weiter gewährleistet sein. Ferner ist die Substratrückseite 12 des isolierenden Substrats 1 von dem Harzteil 8 (Harzrückseite 82) freigelegt und deswegen kann Wärme, die von den Halbleiterelementen 31 und 32 zu dem isolierenden Substrat 1 geleitet wird, in effizienterer Weise nach außen abgegeben werden.In the electronic device A1, the lead frames 6 (terminals 61 and 62) have higher thermal conductivity than the insulating substrate 1. Therefore, it is possible to suppress a reduction in heat dissipation from the semiconductor elements 31 and 32, which may occur when the insulating substrate 1 is used. Specifically, the semiconductor elements 31 and 32 are mounted on the pad portions 611 and 621 of the terminals 61 and 62, and therefore heat can be efficiently dissipated from the semiconductor elements 31 and 32 to the terminals 61 and 62. In addition, the terminals 61 and 62 are exposed from the resin part 8 and accordingly the terminals 61 and 62 are conductive paths from outside of the semiconductor elements 31 and 32, and heat dissipation properties of the semiconductor elements 31 and 32 can be further secured. Further, the substrate back 12 of the insulating substrate 1 is exposed from the resin part 8 (resin back 82), and therefore heat conducted from the semiconductor elements 31 and 32 to the insulating substrate 1 can be more efficiently released to the outside.

In der elektronischen Vorrichtung A1 ist das Steuerelement 4a durch das Harzgehäuse 401 bedeckt und stellt die Steuervorrichtung 40 dar. Wenn das Steuerelement 4a anstatt der Steuervorrichtung 40 verwendet wird, kann ein Hochspannungsstarkstrom („high voltage large current“), der für die Warenkontrolle („shipment inspection“) gebraucht wird, nicht durch das Steuerelement 4a wie es ist hindurchgehen, und deswegen kann die Warenkontrolle nicht durchgeführt werden, bis ein vollständiges Produkt, bedeckt durch das Harzteil 8, erreicht ist. In diesem Fall, wenn das Steuerelement 4a in der Warenkontrolle als defekt beurteilt wird, wird das vollständige Produkt ausrangiert, selbst wenn andere Bestandteile als das Steuerelement 4a funktionsfähig sind. Andererseits ist in der Steuervorrichtung 40 das Steuerelement 4a durch das Harzgehäuse 401 bedeckt, und deswegen kann ein Hochspannungsstarkstrom, der in der Warenkontrolle gebraucht wird, durch das Steuerelement 4a hindurchgehen. Dementsprechend ist es möglich, die Steuervorrichtung 40 zu kontrollieren, bevor die Steuervorrichtung 40 montiert wird, und deswegen ist es möglich nur eine defekte Vorrichtung auszurangieren. Das heißt, dass die elektronische Vorrichtung A1 hergestellt werden kann durch Benutzung von nur nicht defekten Steuervorrichtungen 40, und deswegen ist es möglich zu verhindern, dass funktionsfähige Bestandteile verschwendet werden. Außerdem können, wenn das Steuerelement 4a als die Steuervorrichtung 40 ausgebildet ist, die Verdrahtungsabschnitte 2 auch in einem Bereich der Substratvorderseite 11 ausgebildet sein, welcher mit der Steuervorrichtung 40 in einer Draufsicht überlappt (siehe 3) .In the electronic device A1, the control element 4a is covered by the resin case 401 and constitutes the control device 40. When the control element 4a is used instead of the control device 40, a high voltage large current required for commodity inspection (“ shipment inspection”) is needed cannot pass through the control element 4a as it is, and therefore the goods inspection cannot be performed until a complete product covered by the resin part 8 is reached. In this case, if the control element 4a is judged to be defective in the commodity inspection, the entire product is discarded even if components other than the control element 4a are functional. On the other hand, in the control device 40, the control element 4a is covered by the resin case 401, and therefore a high-voltage heavy current used in commodity inspection can pass through the control element 4a. Accordingly, it is possible to inspect the control device 40 before the control device 40 is assembled, and therefore it is possible to discard only a defective device. That is, the electronic device A1 can be manufactured by using only non-defective control devices 40, and therefore it is possible to prevent functional components from being wasted. In addition, when the control element 4a is formed as the control device 40, the wiring portions 2 may also be formed in a region of the substrate front surface 11 which overlaps with the control device 40 in a plan view (see FIG 3 ) .

In der ersten Ausführungsform wird ein Fall beschrieben, bei dem die Gesamtheit der Steuereinheit 41 (zwei Steuerelemente 4a und 4b) mit den ersten Trennbereichen S1 in einer Betrachtung in der x-Richtung überlappen, aber es gibt keine Beschränkung auf diesen Fall. Beispielsweise kann, wie in 10 gezeigt, ein Abschnitt der Steuereinheit 41 mit dem ersten Trennbereich S1 in Betrachtung in der x-Richtung überlappen. Es ist auch eine Konfiguration möglich, in welcher die Steuereinheit 41 nicht mit dem ersten Trennbereich S1 in einer Betrachtung in der x-Richtung überlappt. In diesen Variationen ist die Steuereinheit 41 vorzugsweise wie folgt angeordnet. Das heißt, dass die Steuereinheit 41, wie in 10 gezeigt, vorzugsweise auf den Seiten der Anschlüsse 69 in der y-Richtung mit Bezug zu dem ersten Trennbereich S1 angeordnet ist.In the first embodiment, a case where the entirety of the control unit 41 (two control elements 4a and 4b) overlap with the first separation areas S1 when viewed in the x-direction is described, but it is not limited to this case. For example, as in 10 1, a portion of the control unit 41 overlaps with the first separating area S1 as viewed in the x-direction. A configuration is also possible in which the control unit 41 does not overlap with the first separating region S1 when viewed in the x-direction. In these variations, the control unit 41 is preferably arranged as follows. This means that the control unit 41, as in 10 1, is preferably arranged on the sides of the terminals 69 in the y-direction with respect to the first separating area S1.

In der ersten Ausführungsform wird ein Beispiel beschrieben, in welchem die Steuereinheit 41 zwei Steuerelemente 4a und 4b umfasst und in denen der Betrieb der Halbleiterelemente 31 und 32 durch die Steuerelemente 4a und 4b gesteuert wird, aber es gibt keine Beschränkung auf dieses Beispiel. Beispielsweise kann der Betrieb der zwei Halbleiterelemente 31 und 32 durch ein einziges Steuerelement 4c, wie in 11 geeigt, gesteuert werden. 11 ist eine Draufsicht, die eine elektronische Vorrichtung gemäß dieser Variation zeigt, in welcher das Harzteil 8 durch eine eine imaginäre Linie gezeigt ist. Das Steuerelement 4c speist das erste Treibersignal in das Halbleiterelement 31 (Steuerelektrode 311) ein und speist das zweite Treibersignal in das Halbleiterelement 32 (Steuerelektrode 321) ein. In 11 ist das Steuerelement 4c durch das Harzgehäuse 401 bedeckt und ist als die Steuervorrichtung 40 ausgestaltet, aber es ist auch eine Konfiguration möglich, in der das Steuerelement 4c nicht durch das Harzgehäuse 401 bedeckt ist.In the first embodiment, an example is described in which the control unit 41 includes two control elements 4a and 4b and in which the operations of the semiconductor elements 31 and 32 are controlled by the control elements 4a and 4b, but it is not limited to this example. For example, the operation of the two semiconductor elements 31 and 32 can be controlled by a single control element 4c as shown in FIG 11 suitable to be controlled. 11 12 is a plan view showing an electronic device according to this variation, in which the resin part 8 is shown by an imaginary line. The control element 4c inputs the first drive signal to the semiconductor element 31 (gate 311) and inputs the second drive signal to the semiconductor element 32 (gate 321). In 11 For example, the control element 4c is covered by the resin case 401 and configured as the control device 40, but a configuration in which the control element 4c is not covered by the resin case 401 is also possible.

Die 12 und 13 zeigen eine elektronische Vorrichtung A2 gemäß einer zweiten Ausführungsform. 12 ist eine Draufsicht auf die elektronischenVorrichtung A2, in welcher das Harzteil 8 durch eine imaginäre Linie gezeigt ist. 13 ist ein Schaltdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration der elektronischen Vorrichtung A2 zeigt.the 12 and 13 12 show an electronic device A2 according to a second embodiment. 12 12 is a plan view of the electronic device A2, in which the resin part 8 is shown by an imaginary line. 13 FIG. 14 is a circuit diagram showing a circuit configuration of the electronic device A2.

Wie in den 12 und 13 gezeigt, sind im Gegensatz zu der elektronischen Vorrichtung A1, in der elektronischen Vorrichtung A2, die zwei Halbleiterelemente 31 und 32 elektrisch miteinander innerhalb des Harzteils 8 verbunden. In der elektronischen Vorrichtung A2 sind die zwei Halbleiterelemente 31 und 32 in Reihe geschaltet und stellen ein Bein („leg“) mit einer Konfiguration dar, wie sie bspw. unten beschrieben werden soll, wie gezeigt in 13. Das Halbleiterelement 31 stellt eine obere Armschaltung („upper arm circuit“) des Beins dar, und das Halbleiterelement 32 stellt eine untere Armschaltung („upper arm circuit“) des Beins dar. In dem in 12 und 13 gezeigten Beispiel umfasst die elektronische Vorrichtung A2 nicht die zwei schützenden Elemente 39A und 39B, aber die elektronische Vorrichtung A2 kann die schützenden Elemente 39A und 39B ähnlich zu der elektronischen Vorrichtung A1 umfassen.As in the 12 and 13 1, unlike the electronic device A1, in the electronic device A2, the two semiconductor elements 31 and 32 are electrically connected to each other within the resin part 8. As shown in FIG. In the electronic device A2, the two semiconductor elements 31 and 32 are connected in series and constitute a leg having a configuration such as that to be described below, as shown in FIG 13 . The semiconductor element 31 represents an upper arm circuit of the leg, and the semiconductor element 32 represents an upper arm circuit of the leg 12 and 13 In the example shown, the electronic device A2 does not include the two protective members 39A and 39B, but the electronic device A2 may include the protective members 39A and 39B similar to the electronic device A1.

Wie in 12 gezeigt, ist in der elektronischen Vorrichtung A2 die Vielzahl von Verbindungsteilen 72, die mit der Vorderseitenelektrode 312 des Halbleiterelements 31 verbunden ist, mit dem Anschluss 62 (ein Pad-Abschnitt 623, welcher später beschrieben werden soll), verbunden anstatt mit dem Anschluss 64. Als Ergebnis sind die Vorderseitenelektrode 312 des Halbleiterelements 31 und die Rückseitenelektrode 323 des Halbleiterelements 32 elektrisch über die Vielzahl von Verbindungsteilen 72 und den Anschluss 62 miteinander verbunden.As in 12 As shown, in the electronic device A2, the plurality of connection parts 72 connected to the front-side electrode 312 of the semiconductor element 31 are connected to the terminal 62 (a pad portion 623 to be described later) instead of the terminal 64. As a result, the front-side electrode 312 of the semiconductor element 31 and the back-side electrode 323 of the semiconductor element 32 are electrically connected to each other via the plurality of connection parts 72 and the terminal 62 .

In der elektronischen Vorrichtung A2 umfasst der Anschluss 62 des Anschlussrahmens 6 den Pad-Abschnitt 621, den Terminal-Abschnitt 622 und den Pad-Abschnitt 623. Das heißt, dass im Vergleich zu dem Anschluss 62 der elektronischen Vorrichtung A1, der Anschluss 62 der elektronischen Vorrichtung A2 ferner den Pad-Abschnitt 623 umfasst. Der Pad-Abschnitt 623 ist mit dem Pad-Abschnitt 621 und dem Terminal-Abschnitt 622 verbunden und ist zwischen dem Pad-Abschnitt 621 und dem Terminal-Abschnitt 622 platziert. Die Vielzahl von Verbindungsteilen 72, die mit der Vorderseitenelektrode 312 des Halbleiterelements 31 verbunden ist, ist mit dem Pad-Abschnitt 623 verbunden. Außerdem ist eines der Vielzahl von passiven Elementen 5 mit dem Pad-Abschnitt 623 verbunden. Dieses passive Element 5 ist bspw. ein Shunt-Widerstand („shunt resistor“) 5c. Der Shunt-Widerstand 5c ist so angeordnet, dass er den Pad-Abschnitt 623 (Anschluss 62) und den Pad-Abschnitt 641 (Anschluss 64) überspannt und ist verbunden und elektrisch verbunden mit dem Pad-Abschnitt 623 und dem Pad-Abschnitt 641. Ein Strom, der zu dem Anschluss 62 fließt, wird durch den Shunt-Widerstand 5c umgelenkt und an den Anschluss 64 übertragen. Dementsprechend fließt ein Strom, der von dem Strom der zu dem Anschluss 62 fließt, umgeleitet wurde, zu dem Terminal-Abschnitt 642.In the electronic device A2, the connector 62 of the lead frame 6 includes the pad portion 621, the terminal portion 622, and the pad portion 623. That is, compared to the connector 62 of the electronic device A1, the connector 62 of the electronic Device A2 further includes pad portion 623 . The pad section 623 is connected to the pad section 621 and the terminal section 622 and is placed between the pad section 621 and the terminal section 622 . The plurality of connection parts 72 connected to the front-side electrode 312 of the semiconductor element 31 is connected to the pad portion 623 . In addition, one of the plurality of passive elements 5 is connected to the pad section 623 . This passive element 5 is, for example, a shunt resistor (“shunt resistor”) 5c. The shunt resistor 5c is arranged to span the pad portion 623 (terminal 62) and the pad portion 641 (terminal 64) and is bonded and electrically connected to the pad portion 623 and the pad portion 641. A current flowing to the terminal 62 is deflected by the shunt resistor 5c and transmitted to the terminal 64. Accordingly, a current diverted from the current flowing to terminal 62 flows to terminal portion 642.

In der elektronischen Vorrichtung A2 ist bspw. eine Stromversorgungsspannung zwischen den Anschlüssen 61 und 63 angelegt. Der Anschluss 61 ist eine positive Elektrode (P-Terminal) und der Anschluss 63 ist eine negative Elektrode (N-Terminal). Die Stromversorgungsspannung, die zwischen den Anschlüssen 61 und 63 eingespeist wird, wird in einen Wechselstrom (Spannung) durch Schaltungsoperationen der zwei Halbleiterelemente 31 und 32 umgewandelt. Dann wird der Wechselstrom von dem Anschluss 62 ausgegeben. Dementsprechend sind die beiden Anschlüsse 61 und 63 Eingangsterminals für die Stromversorgungsspannung, und der Anschluss 62 ist ein Ausgangsterminal für Wechselstrom, von welchem die Spannung durch die beiden Halbleiterelemente 31 und 32 umgewandelt wurde.For example, in the electronic device A2, a power supply voltage is applied between the terminals 61 and 63. FIG. The terminal 61 is a positive electrode (P terminal) and the terminal 63 is a negative electrode (N terminal). The power supply voltage fed between the terminals 61 and 63 is converted into an alternating current (voltage) by switching operations of the two semiconductor elements 31 and 32 . Then the alternating current is output from the terminal 62 . Accordingly, the two terminals 61 and 63 are input terminals for the power supply voltage, and the terminal 62 is an output terminal for AC power from which the voltage has been converted by the two semiconductor elements 31 and 32.

Die elektronische Vorrichtung A2 umfasst ferner eine Vielzahl von Verbindungsteilen 75. Die Verbindungsteile 75 sind bspw. Bondingdrähte, ähnlich wie die anderen Verbindungsteile 71 bis 74. Zum Beispiel wird Au als Materialbestandteil der Verbindungsteile 75 benutzt, aber Cu oder Al kann auch verwendet werden. Jedes der Verbindungsteile 75 verbindet einen Verdrahtungsabschnitt 2 elektrisch, der mit einem Anschluss 60 elektrisch verbunden ist und einen Verdrahtungsabschnitt 2, der elektrisch mit einem Thermistor 5a verbunden ist.The electronic device A2 further includes a plurality of connection parts 75. The connection parts 75 are, for example, bonding wires, similar to the other connection parts 71 to 74. For example, Au is used as the constituent material of the connection parts 75, but Cu or Al can also be used. Each of the connecting parts 75 electrically connects a wiring portion 2 electrically connected to a terminal 60 and a wiring portion 2 electrically connected to a thermistor 5a.

Ähnlich zu der elektronischen Vorrichtung A1, umfasst die elektronische Vorrichtung A2 auch Verdrahtungsabschnitte 2, die auf der Substratvorderseite 11 ausgebildeet sind. In ähnlicher Weise zu der elektronischen Vorrichtung A1, übermitteln die Verdrahtungsabschnitte 2 Steuersignale (z.B. Treibersignale) zur Steuerung der Halbleiterelemente 31 und 32 und stellen Übermittlungspfade der Steuersignale dar. Deswegen ist es mit der elektronischen Vorrichtung A2 möglich, die Übermittlungspfade dünn zu machen und die Dichte der Übermittlungspfade zu steigern, und die Integrationsdichte zu steigern.Similar to the electronic device A1, the electronic device A2 also includes wiring portions 2 formed on the substrate 11 front side. Similarly to the electronic device A1, the wiring portions 2 transmit control signals (e.g. drive signals) for controlling the semiconductor elements 31 and 32 and constitute transmission paths of the control signals. Therefore, with the electronic device A2, it is possible to make the transmission paths thin and dense of the transmission paths, and to increase the integration density.

Ähnlich zu der elektronischen Vorrichtung A1 sind in der elektronischen Vorrichtung A2 der Pad-Abschnitt 611, dder mit dem Halbleiterelement 31 verbunden ist, und der Pad-Abschnitt 621, der mit dem Halbleiterelement 32 verbunden ist, in der x-Richtung angeordnet, wobei der erste Trennbereich S1 zwischen den Pad-Abschnitten 611 und 621 eingezwängt ist. Die Steuereinheit 41, welche die Halbleiterelemente 31 und 32 steuert, überlappt mit dem ersten Trennbereich S1 in einer Betrachtung in der y-Richtung. Deswegen macht es die elektronische Vorrichtung A2, ähnlich der elektronischen Vorrichtung A1 möglich, dass eine Differenz zwischen einer Übermittlungszeit des ersten Treibersignals, dasvon der Steuereinheit 41 (Steuerelement 4a) in das Halbleiterelement 31 (Steuerelektrode 311) eingespeist wird, und einer Übermittlungszeit des zweiten Treibersignals, das von der Steuereinheit 41 (Steuerelement 4b) in das Halbleiterelement 32 (Steuerelektrode 321) eingespeist wird, reduziert wird.Similar to the electronic device A1, in the electronic device A2, the pad portion 611 connected to the semiconductor element 31 and the pad portion 621 connected to the semiconductor element 32 are arranged in the x-direction with the first isolation region S1 is sandwiched between pad portions 611 and 621. The control unit 41, which controls the semiconductor elements 31 and 32, overlaps with the first separating region S1 when viewed in the y-direction. Therefore, similarly to the electronic device A1, the electronic device A2 makes it possible to have a difference between a transmission time of the first drive signal inputted from the control unit 41 (control element 4a) to the semiconductor element 31 (control electrode 311) and a transmission time of the second drive signal , which is fed from the control unit 41 (control element 4b) to the semiconductor element 32 (control electrode 321), is reduced.

Die 14 bis 16 zeigen eine elektronische Vorrichtung A3 gemäß einer dritten Ausführungsform. 14 ist eine Draufsicht auf die elektronische Vorrichtung A3, in welcher das Harzteil 8 durch eine imaginäre Linie gezeigt ist. 15 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XV-XV in 14. In 15 sind die Verbindungsteile 71 und 74 weggelassen. 16 ist ein Schaltdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration der elektronischen Vorrichtung A3 zeigt.the 14 until 16 12 show an electronic device A3 according to a third embodiment. 14 12 is a plan view of the electronic device A3, in which the resin part 8 is shown by an imaginary line. 15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV in FIG 14 . In 15 the connecting parts 71 and 74 are omitted. 16 FIG. 14 is a circuit diagram showing a circuit configuration of the electronic device A3.

Wie in den 14 bis 16 gezeigt, unterscheidet sich die elektronische Vorrichtung A3 von der elektronischen Vorrichtung A1 im Wesentlichen im folgenden Punkt. Das heißt, dass die elektronische Vorrichtung A3 vier Halbleiterelemente 31 bis 34 und zwei Steuereinheiten 41 und 42 umfasst. Außerdem umfassen die Anschlussrahmen 6 der elektronischen Vorrichtung A3 ferner eine Vielzahl von Anschlüssen 65 bis 68.As in the 14 until 16 shown, the electronic device A3 differs from the electronic device A1 mainly in the following point. That is, the electronic device A3 includes four semiconductor elements 31 to 34 and two control units 41 and 42 . In addition, the lead frames 6 of the electronic device A3 further include a plurality of leads 65-68.

Ähnlich den Halbleiterelementen 31 und 32 ist jeder der beiden Halbleiterelemente 33 und 34 bspw. ein Leitungstransistor, der Leistung steuert. Jedes der Halbleiterelemente 33 und 34 ist bspw. ein MOSFET bestehend aus einem SiC-Substrat. Das Halbleiterelement 33 ist auf dem Anschluss 65 (Pad-Abschnitt 651, welcher später beschrieben werden soll) angeordnet, und das Halbleiterelement 34 ist auf dem Anschluss 66 angeordnet (Pad-Abschnitt 661, welcher später beschrieben werden soll). Das Halbleiterelement 33 ist ein Beispiel eines „dritten Halbleiterelements“ und das Halbleiterelement 34 ist ein Beispiel eines „vierten Halbleiterelements“.Similar to the semiconductor elements 31 and 32, each of the two semiconductor elements 33 and 34 is, for example, a conduction transistor that controls power. Each of the semiconductor elements 33 and 34 is, for example, a MOSFET composed of a SiC substrate. The semiconductor element 33 is placed on the terminal 65 (pad portion 651 to be described later), and the semiconductor element 34 is placed on the terminal 66 (pad portion 661 to be described later). The semiconductor element 33 is an example of a “third semiconductor element”, and the semiconductor element 34 is an example of a “fourth semiconductor element”.

Das Halbleiterelement 33 ist in ähnlicher Weise wie das Halbleiterelement 31 ausgestaltet. Das Halbleiterelement 33 umfasst eine Elementvorderseite 33a (dritte Elementvorderseite), eine Elementrückseite 33b (dritte Elementrückseite), eine Steuerelektrode 331 (dritte Steuerelektrode), eine Vorderseitenelektrode 332 (dritte Vorderseitenelektrode) und eine Rückseitenelektrode 333 (dritte Rückseitenelektrode). Die Elementvorderseite 33a ist in ähnlicher Weise ausgestaltet wie die Elementvorderseite 31a des Halbleiterelements 31 und die Elementrückseite 33b ist in ähnlicher Weise ausgestaltet wie die Elementrückseite 31b des Halbleiterelements 31. Außerdem sind die Steuerelektrode 331, die Vorderseitenelektrode 332 und die Rückseitenelektrode 333 in ähnlicher Weise ausgestaltet wie die Steuerelektrode 311, die Vorderseitenelektrode 312 und die Rückseitenelektrode 313 des Halbleiterelements 31. In einem Beispiel, in dem das Halbleiterelement 33 aus einem MOSFET besteht, ist die Steuerelektrode 331 bspw. eine Gate-Elektrode, die Vorderseitenelektrode 332 bspw. eine Source-Elektrode und die Rückseitenelektrode 333 bspw. eine Drain-Elektrode.The semiconductor element 33 is configured in a manner similar to the semiconductor element 31 . The semiconductor element 33 includes an element front surface 33a (third element front surface), an element rear surface 33b (third element rear surface), a control electrode 331 (third control electrode), a front surface electrode 332 (third front surface electrode), and a rear surface electrode 333 (third rear surface electrode). The element front side 33a is designed in a similar way to the element front side 31a of the semiconductor element 31 and the element back side 33b is designed in a similar way to the element back side 31b of the semiconductor element 31. In addition, the control electrode 331, the front side electrode 332 and the back side electrode 333 are designed in a similar way as the control electrode 311, the front-side electrode 312 and the back-side electrode 313 of the semiconductor element 31. In an example where the semiconductor element 33 consists of a MOSFET, the control electrode 331 is a gate electrode, for example, the front-side electrode 332 is a source electrode and the backside electrode 333 is, for example, a drain electrode.

Das Halbleiterelement 34 ist ähnlich wie das Halbleiterelement 32 ausgestaltet. Das Halbleiterelement 34 umfasst eine Elementvorderseite 34a (vierte Elementvorderseite), eine Elementrückseite 34b (vierte Elementrückseite), eine Steuerelektrode 341 (vierte Steuerelektrode), eine Vorderseitenelektrode 342 (vierte Vorderseitenelektrode) und eine Rückseitenelektrode 343 (vierte Rückseitenelektrode). Die Elementvorderseite 34a ist ähnlich wie die Elementvorderseite 32a des Halbleiterelements 32 ausgestaltet und die Elementrückseite 34b ist ähnlich wie die Elementrückseite 32b des Halbleiterelements 32 ausgestaltet. Außerdem sind die Steuerelektrode 341, die Vorderseitenelektrode 342 und die Rückseitenelektrode 343 ähnlich wie die Steuerelektrode 321, die Vorderseitenelektrode 322 und die Rückseitenelektrode 323 des Halbleiterelements 32 ausgestaltet. In einem Beispiel, in welchem das Halbleiterelement 34 aus einem MOSFET besteht, ist die Steuerelektrode 341 bspw. eine Gate-Elektrode, die Vorderseitenelektrode 342 ist bspw. eine Source-Elektrode und die Rückseitenelektrode 343 ist bspw. eine Drain-Elektrode.The semiconductor element 34 is configured similarly to the semiconductor element 32 . The semiconductor element 34 includes an element front surface 34a (fourth element front surface), an element rear surface 34b (fourth element rear surface), a control electrode 341 (fourth control electrode), a front surface electrode 342 (fourth front surface electrode), and a rear surface electrode 343 (fourth rear surface electrode). The element front 34a is configured similarly to the element front 32a of the semiconductor element 32 and the element rear 34b is configured similar to the element rear 32b of the semiconductor element 32 . In addition, the control electrode 341, the front-side electrode 342 and the back-side electrode 343 are configured similarly to the control electrode 321, the front-side electrode 322 and the back-side electrode 323 of the semiconductor element 32. FIG. In an example where the semiconductor element 34 is composed of a MOSFET, the control electrode 341 is, for example, a gate electrode, the front-side electrode 342 is, for example, a source electrode, and the back-side electrode 343 is, for example, a drain electrode.

Ein Treibersignal wird von der Steuereinheit 42 (Steuerelement 4c, welches später beschrieben werden soll) in die Steuerelektrode 331 des Halbleiterelements 33 eingespeist und ein Leitungszustand und ein Unterbrechungszustand werden entsprechend dem eingespeisten Treibersignal geschaltet. Wenn das Halbleiterelement 33 im Leitungszustand ist, fließt ein Strom von der Rückseitenelektrode 333 (Drain-Elektrode) zu der Vorderseitenelektrode 332 (Source-Elektrode) und wenn das Halbleiterelement 33 in dem Unterbrechungszustand ist, fließt der Strom nicht. In ähnlicher Weise wird ein Treibersignal von der Steuereinheit 42 (Steuerelement 4c, welches später beschrieben werden soll) in die Steuerelektrode 341 des Halbleiterelements 34 eingespeist und ein Leitungszustand und ein Unterbrechungszustand werden entsprechend dem eingespeisten Treibersignal geschaltet. Wenn das Halbleiterelement 34 in dem Leitungszustand ist, fließt ein Strom von der Rückseitenelektrode 343 (Drain-Elektrode) zu der Vorderseitenelektrode 342 (Source-Elektrode), und wenn das Halbleiterelement 34 in dem Unterbrechungszustand ist, fließt der Strom nicht.A driving signal is inputted from the control unit 42 (control element 4c to be described later) to the control electrode 331 of the semiconductor element 33, and a conduction state and a breaking state are switched in accordance with the inputted driving signal. When the semiconductor element 33 is in the conducting state, a current flows from the back-side electrode 333 (drain electrode) to the front-side electrode 332 (source electrode), and when the semiconductor element 33 is in the breaking state, the current does not flow. Similarly, a drive signal from the control unit 42 (control element 4c, to be described later) is input to the control electrode 341 of the semiconductor element 34, and a conduction state and an open state are switched in accordance with the input drive signal. When the semiconductor element 34 is in the conducting state, a current flows from the back-side electrode 343 (drain electrode) to the front-side electrode 342 (source electrode), and when the semiconductor element 34 is in the breaking state, the current does not flow.

Wie in den 14 und 15 gezeigt, ist die Vielzahl von Halbleiterelementen 31 bis 34 in der folgenden Reihenfolge in der x-Richtung angeordnet. Das heißt, die Halbleiterelemente sind in der Reihenfolge angeordnet, in der das Halbleiterelement 31, das Halbleiterelement 32, das Halbleiterelement 33 und das Halbleiterelement 34 nacheinander von der x2-Seite zu der x1-Seite hin angeordnet sind. Die Vielzahl von Halbleiterelementen 31 bis 34 überlappt in einer Betrachtung in der x-Richtung untereinander.As in the 14 and 15 1, the plurality of semiconductor elements 31 to 34 are arranged in the following order in the x-direction. That is, the semiconductor elements are arranged in the order in which the semiconductor element 31, the semiconductor element 32, the semiconductor element 33, and the semiconductor element 34 are sequentially arranged from the x2 side toward the x1 side. The plurality of semiconductor elements 31 to 34 overlap one another when viewed in the x-direction.

Die Steuereinheit 42 steuert den Betrieb der Halbleiterelemente 33 und 34. Die Steuereinheit 42 bewirkt, dass das Halbleiterelement 33 wie ein oberer Arm (zweiter oberer Arm) opertiert und bewirkt, dass das Halbleiterelement 34 wie ein unterer Arm (zweiter unterer Arm) operiert. Die Steuereinheit 42 ist auf der Substratvorderseite 11 angeordnet. Die Steuereinheit 42 und die Steuereinheit 41 sind in der x-Richtung angeordnet und die Steuereinheit 42 überlappt mit der Steuereinheit 41 in einer Betrachtung in der x-Richtung. In einer Draufsicht überlappt die Steuereinheit 42 nicht mit den Anschlussrahmen 6 und ist von den Anschlussrahmen 8 beabstandet. Die Steuereinheit 42 ist ein Beispiel einer „zweiten Steuereinheit“.The control unit 42 controls the operation of the semiconductor elements 33 and 34. The control unit 42 causes the semiconductor element 33 to operate like an upper arm (second upper arm) and causes the semiconductor element 34 to operate like a lower arm (second lower arm). The control unit 42 is arranged on the front side 11 of the substrate. The control unit 42 and the control unit 41 are arranged in the x-direction, and the control unit 42 overlaps with the control unit 41 when viewed in the x-direction. Overlapped in a plan view the control unit 42 is not connected to the lead frames 6 and is spaced from the lead frames 8 . The control unit 42 is an example of a “second control unit”.

Die Steuereinheit 42 umfasst das Steuerelement 4c. Das Steuerelement 4c der Steuereinheit 42 steuert den Betrieb der zwei Halbleiterelemente 33 und 34. Insbesondere steuert das Steuerelement 4c eine Schaltoperation des Halbleiterelements 33 durch Einspeisung eines drittnr Treibersignals (z.B. Gate-Spannung) in die Steuerelektrode 331 (Gate-Elektrode) des Halbleiterelements 33. Das Steuerelement 4c der Steuereinheit 42 erzeugt das dritte Treibersignal um zu bewirken, dass das Halbleiterelement 33 wie ein oberer Arm operiert. Außerdem steuert das Steuerelement 4c eine Schaltoperation des Halbleiterelements 34 durch Einspeisung eines vierten Treibersignals (z.B. Gate-Spannung) in die Steuerelektrode 341 (Gate-Elektrode) des Halbleiterelements 34. Das Steuerelement 4c der Steuereinheit 42 erzeugt das vierte Treibersignal um zu bewirken, dass das Halbleiterelement 34 wie ein unterer Arm operiert.The control unit 42 includes the control element 4c. The control element 4c of the control unit 42 controls the operation of the two semiconductor elements 33 and 34. Specifically, the control element 4c controls a switching operation of the semiconductor element 33 by supplying a third drive signal (e.g. gate voltage) to the control electrode 331 (gate electrode) of the semiconductor element 33. The control element 4c of the control unit 42 generates the third drive signal to cause the semiconductor element 33 to operate like an upper arm. In addition, the control element 4c controls a switching operation of the semiconductor element 34 by supplying a fourth drive signal (e.g., gate voltage) to the control electrode 341 (gate electrode) of the semiconductor element 34. The control element 4c of the control unit 42 generates the fourth drive signal to cause the Semiconductor element 34 operates like a lower arm.

Wie oben beschrieben, umfassen die Anschlussrahmen 6 der elektronischen Vorrichtung A3 die Vielzahl von Anschlüssen 65 bis 68 zusätzlich zu der Vielzahl von Anschlüssen 61 bis 64 und 69 wie in 14 gezeigt.As described above, the lead frames 6 of the electronic device A3 include the plurality of terminals 65 to 68 in addition to the plurality of terminals 61 to 64 and 69 as in FIG 14 shown.

Jeder der zwei Anschlüsse 65 und 66 wird durch das Harzteil 8 und das isolierende Substrat 1 gestützt. Wie in 14 gezeigt, umfasst der Anschluss 65 einen Pad-Abschnitt 651 und einen Terminal-Abschnitt 652. Der Pad-Abschnitt 651 und der Terminal-Abschnitt 652 sind miteinander verbunden. Wie in 14 gezeigt, umfasst der Anschluss 66 einen Pad-Abschnitt 661 und einen Terminal-Abschnitt 662. Der Pad-Abschnitt 661 und der Terminal-Abschnitt 662 sind miteinander verbunden.Each of the two terminals 65 and 66 is supported by the resin part 8 and the insulating substrate 1. As shown in FIG. As in 14 As shown, the connector 65 includes a pad portion 651 and a terminal portion 652. The pad portion 651 and the terminal portion 652 are connected to each other. As in 14 As shown, the connector 66 includes a pad portion 661 and a terminal portion 662. The pad portion 661 and the terminal portion 662 are connected to each other.

Jeder der Pad-Abschnitte 651 und 661 wird durch das Harzteil 8 bedeckt. Jeder der Pad-Abschnitte 651 und 661 ist auf der Substratvorderseite 11 des isolierenden Substrats 1 angeordnet und überlappt mit dem isolierenden Substrat 1 in einer Draufsicht. Jeder der Pad-Abschnitte 651 und 661 hat in einer Draufsicht bspw. eine rechteckige Form. Jeder der Pad-Abschnitte 651 und 661 ist mit der Substratvorderseite 11 durch Verwendung eines Verbindungsmaterials (nicht gezeigt) verbunden. Eine Metallschicht kann auf der Substratvorderseite 11 bereitgestellt sein, mit welcher die Pad-Abschnitte 651 und 661 verbunden sind, um die Stärke der der Verbindung zwischen den Pad-Abschnitten 651 und 661 und dem isolierenden Substrat 1 zu vergrößern. Wenn die Metallschicht aus dem gleichen Material wie die Verdrahtungsabschnitte 2 hergestellt ist, kann die Metallschicht zusammen mit den Verdrahtungsabschnitten 2 gebildet werden.Each of the pad portions 651 and 661 is covered by the resin part 8. FIG. Each of the pad portions 651 and 661 is arranged on the substrate front surface 11 of the insulating substrate 1 and overlaps with the insulating substrate 1 in a plan view. Each of the pad portions 651 and 661 has, for example, a rectangular shape in a plan view. Each of the pad portions 651 and 661 is bonded to the substrate front surface 11 by using a bonding material (not shown). A metal layer may be provided on the substrate face 11 to which the pad portions 651 and 661 are connected in order to increase the strength of the connection between the pad portions 651 and 661 and the insulating substrate 1 . When the metal layer is made of the same material as the wiring portions 2, the metal layer can be formed together with the wiring portions 2.

Das Halbleiterelement 33 ist auf dem Pad-Abschnitt 651 montiert. Die Rückseitenelektrode 333 (Drain-Elektrode) des Halbleiterelements 33 ist verbunden und elektrisch verbunden mit dem Pad-Abschnitt 651 durch Verwendung eines leitenden Verbindungsmaterials (nicht gezeigt). Beispielsweise wird Lot, eine Metallpaste, ein gesintertes Metall oder dergleichen als leitendes Verbindungsmaterial benutzt. Die Elementrückseite 33b des Halbleiterelements 33 ist dem Pad-Abschnitt 651 zugewandt. Der Pad-Abschnitt 651 ist ein Beispiel eines „dritten Pad-Abschnitts“.The semiconductor element 33 is mounted on the pad portion 651 . The backside electrode 333 (drain electrode) of the semiconductor element 33 is bonded and electrically connected to the pad portion 651 by using a conductive bonding material (not shown). For example, solder, a metal paste, a sintered metal, or the like is used as the conductive connection material. The element back side 33b of the semiconductor element 33 faces the pad portion 651 . The pad section 651 is an example of a “third pad section”.

Das Halbleiterelement 34 ist auf dem Pad-Abschnitt 661 montiert. Die Rückseitenelektrode 343 (Drain-Elektrode) des Halbleiterelements 34 ist verbunden und elektrisch verbunden mit dem Pad-Abschnitt 661 durch Verwendung eines leitenden Verbindungsmaterials (nicht gezeigt). Zum Beispiel wird Lot, eine Metallpaste, ein gesintertes Metall oder dergleichen als leitendes Verbindungsmaterial benutzt. Die Elementrückseite 34b des Halbleiterelements 34 ist dem Pad-Abschnitt 661 zugewandt. Der Pad-Abschnitt 661 ist ein Beispiel eines „vierten Pad-Abschnitts“.The semiconductor element 34 is mounted on the pad portion 661 . The backside electrode 343 (drain electrode) of the semiconductor element 34 is bonded and electrically connected to the pad portion 661 by using a conductive bonding material (not shown). For example, solder, a metal paste, a sintered metal, or the like is used as the conductive connection material. The element back side 34b of the semiconductor element 34 faces the pad portion 661 . Pad section 661 is an example of a “fourth pad section”.

Jeder der Terminal-Abschnitte 652 und 662 ist von dem Harzteil 8 freigelegt. Jeder der Terminal-Abschnitte 652 und 662 ist in der z2-Richtung gebogen. Die Terminal-Abschnitte 652 und 662 sind externe Terminals der elektronischen Vorrichtung A3. Der Pad-Abschnitt 651 ist mit der Rückseitenelektrode 333 des Halbleiterelements 33 elektrisch verbunden und dementsprechend fließt ein Drain-Strom des Halbleiterelements 33 durch den Terminal-Abschnitt 652. Außerdem ist der Pad-Abschnitt 661 mit der Rückseitenelektrode 343 des Halbleiterelements 34 elektrisch verbunden und dementsprechend fließt ein Drain-Strom des Halbleiterelements 34 durch den Terminal-Abschnitt 662.Each of the terminal portions 652 and 662 is exposed from the resin part 8 . Each of the terminal portions 652 and 662 is bent in the z2 direction. The terminal sections 652 and 662 are external terminals of the electronic device A3. The pad portion 651 is electrically connected to the backside electrode 333 of the semiconductor element 33, and accordingly, a drain current of the semiconductor element 33 flows through the terminal portion 652. In addition, the pad portion 661 is electrically connected to the backside electrode 343 of the semiconductor element 34 and accordingly a drain current of the semiconductor element 34 flows through the terminal portion 662.

Jeder der zwei Anschlüsse 67 und 68 wird durch das Harzteil 8 gestützt. Wie in 14 gezeigt, umfasst der Anschluss 67 einen Pad-Abschnitt 671 und einen Terminal-Abschnitt 672. Der Pad-Abschnitt 671 und der Terminal-Abschnitt 672 sind miteinander verbunden. Wie in 14 gezeigt, umfasst der Anschluss 68 einen Pad-Abschnitt 681 und einen Terminal-Abschnitt 682. Der Pad-Abschnitt 681 und der Terminal-Abschnitt 682 sind miteinander verbunden.Each of the two terminals 67 and 68 is supported by the resin part 8 . As in 14 As shown, the connector 67 includes a pad portion 671 and a terminal portion 672. The pad portion 671 and the terminal portion 672 are connected to each other. As in 14 As shown, the connector 68 includes a pad portion 681 and a terminal portion 682. The pad portion 681 and the terminal portion 682 are connected to each other.

Jeder der Pad-Abschnitte 671 und 681 ist durch das Harzteil 8 bedeckt. Jeder der Pad-Abschnitte 671 und 681 überlappt in einer Draufsicht nicht mit dem isolierenden Substrat 1. Eine Vielzahl von Verbindungsteilen 72 sind mit den Pad-Abschnitten 671 und 681 verbunden. Das Verbindungsteil 72, das mit dem Pad-Abschnitt 671 verbunden ist, ist auch mit der Vorderseitenelektrode 342 des Halbleiterelements 34 verbunden. Folglich ist der Pad-Abschnitt 671 mit der Vorderseitenelektrode 342 (Source-Elektrode) des Halbleiterelements 34 durch das Verbindungsteil 72 elektrisch verbunden. Das Verbindungsteil 72, welches mit dem Pad-Abschnitt 681 verbunden ist, ist auch mit der Vorderseitenelektrode 332 des Halbleiterelements 33 verbunden. Folglich ist der Pad-Abschnitt 681 mit der Vorderseitenelektrode 332 (Source-Elektrode) des Halbleiterelements 33 durch das Verbindungsteil 72 elektrisch verbunden.Each of the pad portions 671 and 681 is covered with the resin part 8. As shown in FIG. Each of the pad portions 671 and 681 does not overlap with the insulating substrate 1 in a plan view. A plurality of connecting parts 72 are connected to the pad portions ten 671 and 681 connected. The connection part 72 connected to the pad portion 671 is also connected to the front-side electrode 342 of the semiconductor element 34 . Consequently, the pad portion 671 is electrically connected to the front-side electrode 342 (source electrode) of the semiconductor element 34 through the connection part 72 . The connection part 72 connected to the pad portion 681 is also connected to the front-side electrode 332 of the semiconductor element 33 . Consequently, the pad portion 681 is electrically connected to the front-side electrode 332 (source electrode) of the semiconductor element 33 through the connection part 72 .

Jeder der Terminal-Abschnitte 672 und 682 wird von dem Harzteil 8 freigelegt. Jeder der Terminal-Abschnitte 672 und 682 ist in der z2-Richtung gebogen. Die Terminal-Abschnitte 672 und 682 sind externe Terminals der elektronischen Vorrichtung A3. Der Pad-Abschnitt 671 ist mit der Vorderseitenelektrode 342 (Source-Elektrode) des Halbleiterelements 34 elektrisch verbunden und dementsprechend fließt ein Source-Strom des Halbleiterelements 34 durch den Terminal-Abschnitt 672. Außerdem ist der Pad-Abschnitt 681 mit der Vorderseitenelektrode 332 (Source-Elektrode) des Halbleiterelements 33 elektrisch verbunden und dementsprechend fließt ein Source-Strom des Halbleiterelements 33 durch den Terminal-Abschnitt 682.Each of the terminal portions 672 and 682 is exposed from the resin part 8. FIG. Each of the terminal portions 672 and 682 is bent in the z2 direction. The terminal sections 672 and 682 are external terminals of the electronic device A3. The pad portion 671 is electrically connected to the front-side electrode 342 (source electrode) of the semiconductor element 34, and accordingly a source current of the semiconductor element 34 flows through the terminal portion 672. Also, the pad portion 681 is connected to the front-side electrode 332 (source -electrode) of the semiconductor element 33 is electrically connected, and accordingly a source current of the semiconductor element 33 flows through the terminal portion 682.

Wie in den 14 und 15 gezeigt, ist unter den Anschlussrahmen 6 der elektronischen Vorrichtung A3, die Vielzahl von Pad-Abschnitten 611, 621, 651 und 661 in der folgenden Reihenfolge in der x-Richtung angeordnet. Das heißt, die Pad-Abschnitte sind angeordnet in der Reihenfolge des Pad-Abschnitts 611, des Pad-Abschnitts 621, des Pad-Abschnitts 651 und des Pad-Abschnitts 661 von der x2-Seite zu der xl-Seite hin. Die Vielzahl von Pad-Abschnitten 611, 621, 651 und 661 überlappt in einer Betrachtung in der x-Richtung untereinander.As in the 14 and 15 1, under the lead frame 6 of the electronic device A3, the plurality of pad portions 611, 621, 651, and 661 are arranged in the following order in the x-direction. That is, the pad sections are arranged in the order of the pad section 611, the pad section 621, the pad section 651, and the pad section 661 from the x2 side toward the xl side. The plurality of pad portions 611, 621, 651, and 661 overlap one another when viewed in the x-direction.

Ähnlich der ersten Ausführungsform und der zweiten Ausführungsform, sind unter den Anschlussrahmen 6 der elektronischen Vorrichtung A3, der Pad-Abschnitt 611 und der Pad-Abschnitt 621 in der x-Richtung so angeordnet, dass der erste Trennbereich S1 zwischen den Pad-Abschnitten 611 und 621 eingezwängt ist. Die Steuereinheit 41 überlappt mit dem ersten Trennbereich S1 in Betrachtung in der y-Richtung. In der vorliegenden Ausführungsform überlappt die Steuereinheit 41 nicht mit dem ersten Trennbereich S1 in einer Betrachtung in der x-Richtung und ist auf der Seite (y2-Seite) platziert, wo die Anschlüsse 69 in der y-Richtung in Bezug auf die Pad-Abschnitte 611 und 621 sind. In der vorliegenden Ausführungsform sind die Anschlussrahmen 6 nicht in dem ersten Trennbereich S1 platziert.Similar to the first embodiment and the second embodiment, under the lead frame 6 of the electronic device A3, the pad portion 611 and the pad portion 621 are arranged in the x-direction such that the first separation area S1 is between the pad portions 611 and 621 is constrained. The control unit 41 overlaps with the first separating area S1 viewed in the y-direction. In the present embodiment, the control unit 41 does not overlap with the first separating area S1 when viewed in the x-direction and is placed on the side (y2 side) where the terminals 69 are in the y-direction with respect to the pad portions 611 and 621 are. In the present embodiment, the lead frames 6 are not placed in the first separating area S1.

Unter den Anschlussrahmen 6 der elektronischen Vorrichtung A3 sind der Pad-Abschnitt 651 und der Pad-Abschnitt 661 in der x-Richtung so angeordnet, dass zwischen den Pad-Abschnitten 651 und 661 ein zweiter Trennbereich S2 eingezwängt ist. Der zweite Trennbereich S2 und der erste Trennbereich S1 sind in der x-Richtung angeordnet. Die Steuereinheit 42 überlappt mit dem zweiten Trennbereich S2 in einer Betrachtung in der y-Richtung. In der vorliegenden Ausführungsform überlappt die Steuereinheit 42 nicht mit dem zweiten Trennbereich S2 in Betrachtung in der x-Richtung und ist platziert auf der Seite (y2-Seite), wo die Anschlüsse 69 in der y-Richtung sind mit Bezug auf die Pad-Abschnitte 651 und 661. In der vorliegenden Ausführungsform sind die Anschlussrahmen 6 nicht in dem zweiten Trennbereich S2 platziert.Below the lead frame 6 of the electronic device A3, the pad portion 651 and the pad portion 661 are arranged in the x-direction such that a second isolation region S2 is sandwiched between the pad portions 651 and 661. The second separating area S2 and the first separating area S1 are arranged in the x-direction. The control unit 42 overlaps with the second separating area S2 when viewed in the y-direction. In the present embodiment, the control unit 42 does not overlap with the second separation area S2 viewed in the x-direction and is placed on the side (y2 side) where the terminals 69 are in the y-direction with respect to the pad portions 651 and 661. In the present embodiment, the lead frames 6 are not placed in the second separating area S2.

Ähnlich den elektronischen Vorrichtungen A1 und A2, umfasst die elektronische Vorrichtung A3 die Verdrahtungsabschnitte 2, die auf der Substratvorderseite 11 ausgebildet sind. Die Verdrahtungsabschnitte 2 übermitteln Steuersignale (z.B. Treibersignale) zur Steuerung der Halbleiterelemente 31 und 34 und stellen Übermittlungspfade der Steuersignale dar. Deswegen ist es mit der elektronischen Vorrichtung A3 möglich, die Übermittlungspfade dünn zu machen, die Dichte der Übermittlungspfade zu erhöhen, und die Integrationsdichte zu steigern. Similar to the electronic devices A1 and A2, the electronic device A3 includes the wiring portions 2 formed on the substrate 11 front side. The wiring portions 2 transmit control signals (e.g. drive signals) for controlling the semiconductor elements 31 and 34 and constitute transmission paths of the control signals. Therefore, with the electronic device A3, it is possible to make the transmission paths thin, increase the density of the transmission paths, and increase the integration density increase.

Ähnlich den elektronischen Vorrichtungen A1 und A2, sind in der elektronischen Vorrichtung A3 der Pad-Abschnitt 611, der mit dem Halbleiterelement 31 verbunden ist und der Pad-Abschnitt 621, der mit dem Halbleiterelement 32 verbunden ist, in der x-Richtung so angeordnet, dass der erste Trennbereich S1 zwischen den Pad-Abschnitten 611 und 621 eingezwängt ist. Die Steuereinheit 41, die die Halbleiterelemente 31 und 32 und increase the Integrationsdichte, überlappt mit dem ersten Trennbereich S1 in einer Betrachtung in der y-Richtung. Deswegen kann ähnlich der elektronischen Vorrichtung A1, die elektronische Vorrichtung A3 eine Differenz zwischen einer Übermittlungszeit des ersten Treibersignals, das von der Steuereinheit 41 (Steuerelement 4c) in das Halbleiterelement 31 (Steuerelektrode 311) eingespeist wird, und einer Übermittlungszeit des zweiten Treibersignals, das von der Steuereinheit 41 (Steuerelement 4c) in das Halbleiterelement 32 (Steuerelektrode 321) eingespeist wird, reduziert werden.Similar to the electronic devices A1 and A2, in the electronic device A3, the pad portion 611 connected to the semiconductor element 31 and the pad portion 621 connected to the semiconductor element 32 are arranged in the x-direction so that the first isolation area S1 is sandwiched between the pad portions 611 and 621. The control unit 41, which includes the semiconductor elements 31 and 32 and increases the integration density, overlaps with the first separating region S1 when viewed in the y-direction. Therefore, similar to the electronic device A1, the electronic device A3 can have a difference between a transmission time of the first drive signal inputted from the control unit 41 (control element 4c) to the semiconductor element 31 (control electrode 311) and a transmission time of the second drive signal inputted from of the control unit 41 (control element 4c) to the semiconductor element 32 (control electrode 321) can be reduced.

In der elektronischen Vorrichtung A3 sind der Pad-Abschnitt 651, welcher mit dem Halbleiterelement 33 verbunden ist, und der Pad-Abschnitt 661, mit welchem das Halbleiterelement 34 verbunden ist, in der x-Richtung so angeordnet, dass der zweite Trennbereich S2 zwischen den Pad-Abschnitten 651 und 661 eingezwängt ist. Die Steuereinheit 42, welche die Halbleiterelemente 33 und 34 steuert, überlappt mit dem zweiten Trennbereich S2 in einer Betrachtung in der y-Richtung. Deswegen kann die elektronische Vorrichtung A3 eine Differenz zwischen einer Übermittlungszeit des dritten Treibersignals, das von der Steuereinheit 42 (Steuerelement 4c) in das Halbleiterelement 33 (Steuerelektrode 331) eingespeist wird, und einer Übermittlungszeit des vierten Treibersignals, das von der Steuereinheit 42 (Steuerelement 4c) in das Halbleiterelement 34 (Steuerelektrode 341) eingespeist wird, reduziert werden.In the electronic device A3, the pad portion 651 connected to the semiconductor element 33 and the pad portion 661 to which the semiconductor element 34 is connected are arranged in the x-direction so that the second isolation region S2 between the Pad sections 651 and 661 is constrained. The control unit 42, which controls the semiconductor elements 33 and 34, overlaps with the second separating region S2 when viewed in the y-direction. Therefore, the electronic device A3 can detect a difference between a transmission time of the third drive signal inputted from the control unit 42 (control element 4c) to the semiconductor element 33 (control electrode 331) and a transmission time of the fourth drive signal inputted from the control unit 42 (control element 4c ) is fed into the semiconductor element 34 (control electrode 341) can be reduced.

Die 17 und 18 zeigen eine elektronische Vorrichtung A4 gemäß einer vierten Ausführungsform. 17 ist eine Draufsicht auf die elektronische Vorrichtung A4, in welcher das Harzteil 8 durch eine imaginäre Linie gezeigt ist. 18 ist ein Schaltdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration der elektronischen Vorrichtung A4 zeigt.the 17 and 18 12 show an electronic device A4 according to a fourth embodiment. 17 12 is a plan view of the electronic device A4, in which the resin part 8 is shown by an imaginary line. 18 FIG. 14 is a circuit diagram showing a circuit configuration of the electronic device A4.

Im Gegensatz zu der elektronischen Vorrichtung A3 sind in der elektronischen Vorrichtung A4 die zwei Halbleiterelemente 31 und 32 elektrisch miteinander verbunden und die zwei Halbleiterelemente 33 und 34 sind elektrisch miteinander verbunden innerhalb des Harzteils 8, wie in den 17 und 18 gezeigt. In der elektronischen Vorrichtung A4 sind die zwei Halbleiterelemente 31 und 32 in Reihe geschaltet und stellen ein Bein dar mit einer Konfiguration, die unten beschrieben werden soll, wie in 18 gezeigt. In dem Bein stellt das Halbleiterelement 31 eine obere Armschaltung dar, und das Halbleiterelement 32 stellt eine untere Armschaltung dar. Außerdem sind die zwei Halbleiterelemente 33 und 34 in Reihe geschaltet und stellen ein Bein dar wie in 18 gezeigt. In dem Bein stellt das Halbleiterelement 33 eine obere Armschaltung dar und das Halbleiterelement 34 stellt eine untere Armschaltung dar.Unlike the electronic device A3, in the electronic device A4, the two semiconductor elements 31 and 32 are electrically connected to each other and the two semiconductor elements 33 and 34 are electrically connected to each other within the resin part 8 as shown in FIGS 17 and 18 shown. In the electronic device A4, the two semiconductor elements 31 and 32 are connected in series and constitute one leg having a configuration to be described below, as in FIG 18 shown. In the leg, the semiconductor element 31 constitutes an upper arm circuit and the semiconductor element 32 constitutes a lower arm circuit. Also, the two semiconductor elements 33 and 34 are connected in series and constitute a leg as in FIG 18 shown. In the leg, the semiconductor element 33 constitutes an upper arm circuit and the semiconductor element 34 constitutes a lower arm circuit.

Wie in 17 gezeigt, ist eine in der elektronischen Vorrichtung A4 ein Verbindungsteil 72, welches mit der Vorderseitenelektrode 312 des Halbleiterelements 31 verbunden ist mit dem Anschluss 62 (Pad-Abschnitt 623) verbunden, anstatt mit dem Anschluss 64. Dementsprechend sind die Vorderseitenelektrode 312 des Halbleiterelements 31 und die Rückseitenelektrode 323 des Halbleiterelements 32 elektrisch miteinander über das Verbindungsteil 72 und den Anschluss 62 verbunden. Außerdem ist, wie in 17 gezeigt, in der elektronischen Vorrichtung A4, ein Verbindungsteil 72, welches mit der Vorderseitenelektrode 332 des Halbleiterelements 33 verbunden ist, mit dem Anschluss 66 verbunden (Pad-Abschnitt 663, welcher später beschrieben werden soll). Dementsprechend sind die Vorderseitenelektrode 332 des Halbleiterelements 33 und die Rückseitenelektrode 343 des Halbleiterelements 34 elektrisch miteinander über das Verbindungsteil 72 und den Anschluss 66 verbunden.As in 17 1, in the electronic device A4, a connection part 72, which is connected to the front-side electrode 312 of the semiconductor element 31, is connected to the terminal 62 (pad portion 623) instead of the terminal 64. Accordingly, the front-side electrode 312 of the semiconductor element 31 and the rear surface electrode 323 of the semiconductor element 32 is electrically connected to each other via the connection part 72 and the terminal 62 . In addition, as in 17 As shown, in the electronic device A4, a connection part 72, which is connected to the front-side electrode 332 of the semiconductor element 33, is connected to the terminal 66 (pad portion 663 to be described later). Accordingly, the front-side electrode 332 of the semiconductor element 33 and the back-side electrode 343 of the semiconductor element 34 are electrically connected to each other via the connection part 72 and the terminal 66 .

Verglichen mit dem Anschluss 66 der elektronischen Vorrichtung A3 umfasst der Anschluss 66 des Anschlussrahmens 6 ferner den Pad-Abschnitt 663. Der Pad-Abschnitt 663 ist mit dem Pad-Abschnitt 661 und dem Terminal-Abschnitt 662 verbunden. Das Verbindungsteil 72, welches mit der Vorderseitenelektrode 332 des Halbleiterelements 33 verbunden ist, ist mit dem Pad-Abschnitt 663 verbunden.Compared with the terminal 66 of the electronic device A3 , the terminal 66 of the lead frame 6 further includes the pad portion 663 . The pad portion 663 is connected to the pad portion 661 and the terminal portion 662 . The connection part 72 connected to the front-side electrode 332 of the semiconductor element 33 is connected to the pad portion 663 .

Ähnlich der elektronischen Vorrichtung A2 sind in der elektronischen Vorrichtung A4 die zwei Anschlüsse 61 und 63 Eingangsterminals für eine Stromversorgungsspannung, und der Anschluss 62 ist ein Ausgangsterminal für Wechselstrom, bei welchem die Spannung durch die zwei Halbleiterelemente 31 und 32 gewandelt worden ist. Außerdem ist in der elektronischen Vorrichtung A4 bspw. die Stromversorgungsspannung zwischen den zwei Anschlüssen 65 und 67 angelegt. Der Anschluss 65 ist eine positive Elektrode (P-Terminal) und der Anschluss 67 ist eine negative Elektrode (N-Terminal). Die Stromversorgungsspannung, die zwischen den zwei Anschlüssen 65 und 67 eingespeist wird, wird in Wechselstrom (Spannung) gewandelt durch Schaltungoperationen bzw. -vorgänge der zwei Halbleiterelemente 33 und 34. Dann wird der Wechselstrom von dem Anschluss 66 ausgegeben. Dementsprechend sind die zwei Anschlüsse 65 und 67 Eingangsterminals für die Stromversorgungsspannung, und der Anschluss 66 ist ein Ausgangsterminal für Wechselstrom, von dem die Spannung durch die zwei Halbleiterelemente 33 und 34 gewandelt wurde.Similar to the electronic device A2, in the electronic device A4, the two terminals 61 and 63 are input terminals for a power supply voltage, and the terminal 62 is an output terminal for AC power in which the voltage has been converted by the two semiconductor elements 31 and 32. Also, in the electronic device A4, the power supply voltage is applied between the two terminals 65 and 67, for example. The terminal 65 is a positive electrode (P terminal) and the terminal 67 is a negative electrode (N terminal). The power supply voltage inputted between the two terminals 65 and 67 is converted into AC (voltage) by switching operations of the two semiconductor elements 33 and 34. Then, the AC is output from the terminal 66. Accordingly, the two terminals 65 and 67 are input terminals for the power supply voltage, and the terminal 66 is an output terminal for AC power from which the voltage has been converted by the two semiconductor elements 33 and 34.

Ähnlich der elektronischen Vorrichtung A3, umfasst auch die elektronische Vorrichtung A4 die Verdrahtungsabschnitte 2, die auf der Substratvorderseite 11 ausgebildet sind. Die Verdrahtungsabschnitte 2 übermitteln Steuersignale (z.B. Treibersignale) zur Steuerung der Halbleiterelemente 31 und 34 und stellen Übermittlungspfade für die Steuersignale dar. Deswegen ist es mit der elektronischen Vorrichtung A4 möglich, die Übermittlungspfade dünn zu machen, die Dichte der Übermittlungspfade zu erhöhen, und die Integrationsdichte zu steigern. Similar to the electronic device A3, the electronic device A4 also includes the wiring portions 2 formed on the substrate 11 front side. The wiring portions 2 transmit control signals (e.g. drive signals) for controlling the semiconductor elements 31 and 34 and constitute transmission paths for the control signals. Therefore, with the electronic device A4, it is possible to make the transmission paths thin, increase the density of the transmission paths, and increase the integration density to increase.

Ähnlich der elektronischen Vorrichtung A3 überlappt in der elektronischen Vorrichtung A4 die Steuereinheit 41 mit dem ersten Trennbereich S1 in einer Betrachtung in der y-Richtung und die Steuereinheit 42 überlappt mit dem zweiten Trennbereich S2 in einer Betrachtung in der y-Richtung. Deswegen kann, ähnlich der elektronischen Vorrichtung A3, die elektronische Vorrichtung A4 eine Differenz zwischen einer Übermittlungszeit des ersten Treibersignals und einer Übermittlungszeit des zweiten Treibersignals reduziert werden, und eine Differenz zwischen einer Übermittlungszeit des dritten Treibersignals und einer Übermittlungszeit des vierten Treibersignals kann reduziert werden.Similar to the electronic device A3, in the electronic device A4, the control unit 41 overlaps with the first separation area S1 when viewed in the y-direction, and the control unit 42 overlaps with the second separation area S2 when viewed in the y-direction. Therefore, similar to the electronic device A3, the electronic device A4 can reduce a difference between a transmission time of the first drive signal and a transmission time of the second drive signal, and a difference between a transmission time of the third drive signal and a transmission time of the fourth drive signal can be reduced.

Die 19 und 20 zeigen eine elektronische Vorrichtung A5 gemäß einer fünften Ausführungsform. 19 ist eine Draufsicht auf die elektronische Vorrichtung A5, in welcher das Harzteil 8 durch eine imaginäre Linie gezeigt ist. 20 ist ein Schaltdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration der elektronischen Vorrichtung A5 zeigt.the 19 and 20 12 show an electronic device A5 according to a fifth embodiment. 19 12 is a plan view of the electronic device A5, in which the resin part 8 is shown by an imaginary line. 20 FIG. 14 is a circuit diagram showing a circuit configuration of the electronic device A5.

Wie in 19 gezeigt, unterscheidet sich die elektronische Vorrichtung A5 von der elektronischen Vorrichtung A4 in der Anordnung der vier Halbleiterelemente 31 bis 34. Dementsprechend wird die Konfiguration der Anschlussrahmen 6 in angemessener Weise geändert.As in 19 As shown, the electronic device A5 differs from the electronic device A4 in the arrangement of the four semiconductor elements 31 to 34. Accordingly, the configuration of the lead frames 6 is appropriately changed.

In der elektronischen Vorrichtung A5 sind die vier Halbleiterelemente 31 bis 34 in der Reihenfolge des Halbleiterelements 31, des Halbleiterelements 32, des Halbleiterelements 34 und des Halbleiterelements 33 von der x2-Seite zu der xl-Seite hin angeordnet. Dementsprechend sind die vier Pad-Abschnitte 611, 621, 651 und 661 in der Reihenfolge des Pad-Abschnitts 611, des Pad-Abschnitts 621, des Pad-Abschnitts 661 und des Pad-Abschnitts 651 von der x2-Seite zu der xl-Seite hin, angeordnet. Somit sind der Pad-Abschnitt 621 und der Pad-Abschnitt 661 in der x-Richtung zueinander benachbart.In the electronic device A5, the four semiconductor elements 31 to 34 are arranged in the order of the semiconductor element 31, the semiconductor element 32, the semiconductor element 34, and the semiconductor element 33 from the x2 side toward the xl side. Accordingly, the four pad sections 611, 621, 651, and 661 are in the order of the pad section 611, the pad section 621, the pad section 661, and the pad section 651 from the x2 side to the xl side down, arranged. Thus, the pad portion 621 and the pad portion 661 are adjacent to each other in the x-direction.

Die Anschlussrahmen 6 der elektronischen Vorrichtung A5 weisen den Anschluss 67 nicht auf. Deswegen ist das Verbindungsteil 72, das mit der Vorderseitenelektrode 342 des Halbleiterelements 34 verbunden ist, mit dem Pad-Abschnitt 631 (Anschluss 63) verbunden. Dementsprechend sind die Vorderseitenelektrode 342 (Halbleiterelement 34) und die Vorderseitenelektrode 322 (Halbleiterelement 32) elektrisch miteinander über zwei Verbindungsteile 72 und den Anschluss 63 verbunden. Das heißt, dass, wie in 20 gezeigt, in der elektronischen Vorrichtung A5, das Bein, das aus den zwei Halbleiterelementen 31 und 32 besteht und das Bein, das aus den zwei Halbleiterelementen 33 und 34 besteht, ein gemeinsames negatives Terminal (N-Terminal) teilen.The lead frames 6 of the electronic device A5 do not have the lead 67 . Therefore, the connecting part 72 connected to the front-side electrode 342 of the semiconductor element 34 is connected to the pad portion 631 (terminal 63). Accordingly, the front-side electrode 342 (semiconductor element 34 ) and the front-side electrode 322 (semiconductor element 32 ) are electrically connected to each other via two connection parts 72 and the terminal 63 . That means that, as in 20 1, in the electronic device A5, the leg composed of the two semiconductor elements 31 and 32 and the leg composed of the two semiconductor elements 33 and 34 share a common negative terminal (N-terminal).

Ähnlich den elektronischen Vorrichtungen A3 und A4 umfasst die elektronische Vorrichtung A5 auch die Verdrahtungsabschnitte 2, die auf der Substratvorderseite 11 angeordnet sind. Die Verdrahtungsabschnitte 2 übermitteln Steuersignale (z.B. Treibersignale) zur Steuerung der Halbleiterelemente 31 und 34 und stellen Übermittlungspfade der Steuersignale dar. Deswegen ist es mit der elektronischen Vorrichtung A5 möglich, die Übermittlungspfade dünn zu machen, die Dichte der Übermittlungspfade zu erhöhen und die Integrationsdichte zu steigern.Similar to the electronic devices A3 and A4, the electronic device A5 also includes the wiring portions 2 arranged on the substrate 11 front side. The wiring portions 2 transmit control signals (e.g. drive signals) for controlling the semiconductor elements 31 and 34 and constitute transmission paths of the control signals. Therefore, with the electronic device A5, it is possible to make the transmission paths thin, increase the density of the transmission paths, and increase the integration density .

Ähnlich den elektronischen Vorrichtungen A3 und A4 überlappt in der elektronischen Vorrichtung A5 die Steuereinheit 41 mit dem ersten Trennbereich S1 in einer Betrachtung in der y-Richtung und die Steuereinheit 42 überlappt mit dem zweiten Trennbereich S2 in einer Betrachtung in der y-Richtung. Daher kann ähnlich den elektronischen Vorrichtungen A3 und A4 die elektronische Vorrichtung A5 eine Differenz zwischen einer Übermittlungszeit des ersten Treibersignals und einer Übermittlungszeit des zweiten Treibersignals reduzieren und kann eine Differenz zwischen einer Übermittlungszeit des dritten Treibersignals und einer Übermittlungszeit des vierten Treibersignals reduzieren.Similar to the electronic devices A3 and A4, in the electronic device A5, the control unit 41 overlaps with the first separation area S1 when viewed in the y-direction, and the control unit 42 overlaps with the second separation area S2 when viewed in the y-direction. Therefore, similar to the electronic devices A3 and A4, the electronic device A5 can reduce a difference between a transmission time of the first drive signal and a transmission time of the second drive signal, and can reduce a difference between a transmission time of the third drive signal and a transmission time of the fourth drive signal.

In der elektronischen Vorrichtung A5 sind das Verbindungsteil 72, das mit der Vorderseitenelektrode 322 des Halbleiterelements 32 verbunden ist, und das Verbindungsteil 72, das mit der Vorderseitenelektrode 342 des Halbleiterelements 34 verbunden ist, mit dem Pad-Abschnitt 631 (Anschluss 63) verbunden. In dieser Konfiguration ist der Anschluss 67 in den Anschluss 63 integriert und deswegen ist der Anschluss 67 unnötig. Das heißt, ein gemeinsamer Anschluss kann als der Anschluss 63 und der Anschluss 67 dienen und die Anzahl von externen Terminals der elektronischen Vorrichtung A5 kann reduziert werden.In the electronic device A5, the connection part 72 connected to the front-side electrode 322 of the semiconductor element 32 and the connection part 72 connected to the front-side electrode 342 of the semiconductor element 34 are connected to the pad portion 631 (terminal 63). In this configuration, port 67 is integrated with port 63 and therefore port 67 is unnecessary. That is, a common port can serve as the port 63 and the port 67, and the number of external terminals of the electronic device A5 can be reduced.

Die 21 und 22 zeigen eine elektronische Vorrichtung A6 gemäß der sechsten Ausführungsform. 21 ist eine Draufsicht auf die elektronische Vorrichtung A6, in welcher das Harzteil 8 durch eine imaginäre Linie gezeigt ist. 22 ist ein Schaltdiagramm, das eine Schaltungskonfiguration der elektronischen Vorrichtung A6 zeigt.the 21 and 22 12 show an electronic device A6 according to the sixth embodiment. 21 12 is a plan view of the electronic device A6, in which the resin part 8 is shown by an imaginary line. 22 FIG. 14 is a circuit diagram showing a circuit configuration of the electronic device A6.

Wie in 21 gezeigt, unterscheidet sich die elektronische Vorrichtung A6 von den elektronischen Vorrichtungen A4 und A5 in der Anordnung der vier Halbleiterelemente 31 bis 34. Dementsprechend wird die Konfiguration der Anschlussrahmen 6 in angemessener Weise geändert.As in 21 As shown, the electronic device A6 differs from the electronic devices A4 and A5 in the arrangement of the four semiconductor elements 31 to 34. Accordingly, the configuration of the lead frames 6 is appropriately changed.

In der elektronischen Vorrichtung A6 sind die vier Halbleiterelemente 31 bis 34 in der Reihenfolge des Halbleiterelements 32, des Halbleiterelements 31, des Halbleiterelements 33 und des Halbleiterelements 34 von der x2-Seite zu der xl-Seite hin angeordnet.In the electronic device A6, the four semiconductor elements 31 to 34 are arranged in the order of the semiconductor element 32, the semiconductor element 31, the semiconductor element 33, and the semiconductor element 34 from the x2 side toward the xl side.

In der elektronischen Vorrichtung A6, weisen die Anschlussrahmen 6 den Anschluss 65 nicht auf und das Halbleiterelement 33 ist auf dem Pad-Abschnitt 611 (Anschluss 61) montiert. Die Rückseitenelektrode 333 des Halbleiterelements 33 ist verbunden und elektrisch verbunden mit dem Pad-Abschnitt 611. Dementsprechend sind die Rückseitenelektrode 333 (Halbleiterelement 33) und die Rückseitenelektrode 313 (Halbleiterelement 31) elektrisch miteinander über den Anschluss 61 verbunden. Das heißt, dass wie in 22 gezeigt, in der elektronischen Vorrichtung A6, das Bein, bestehend aus den zwei Halbleiterelementen 31 und 32, und das Bein, bestehend aus den zwei Halbleiterelementen 33 und 34, eine gemeinsame positive Elektrode (P-Terminal) teilen.In the electronic device A6, the lead frames 6 do not have the terminal 65, and the semiconductor element 33 is mounted on the pad portion 611 (terminal 61). The backside electrode 333 of the semiconductor element 33 is bonded and electrically connected to the pad portion 611 . That means that as in 22 shown in the electron ical device A6, the leg consisting of the two semiconductor elements 31 and 32 and the leg consisting of the two semiconductor elements 33 and 34 share a common positive electrode (P-terminal).

Wie in 21 gezeigt, ist der Pad-Abschnitt 611 zwischen dem Pad-Abschnitt 621 und dem Pad-Abschnitt 661 in der x-Richtung eingezwängt. Der Pad-Abschnitt 611 und der Pad-Abschnitt 621 sind so angeordnet, dass der erste Trennbereich S1 zwischen den Pad-Abschnitten 611 und 621 eingezwängt ist. Der Pad-Abschnitt 611 und der Pad-Abschnitt 661 sind so angeordnet, dass der zweite Trennbereich S2 zwischen den Pad-Abschnitten 611 und 661 eingezwängt ist. Der erste Trennbereich S1 und der zweite Trennbereich S2 sind in der x-Richtung angeordnet.As in 21 As shown, pad portion 611 is constrained between pad portion 621 and pad portion 661 in the x-direction. The pad portion 611 and the pad portion 621 are arranged so that the first separation area S<b>1 is sandwiched between the pad portions 611 and 621 . The pad portion 611 and the pad portion 661 are arranged such that the second isolation area S2 is sandwiched between the pad portions 611 and 661 . The first separating area S1 and the second separating area S2 are arranged in the x-direction.

Ähnlich den elektronischen Vorrichtungen A3 bis A5 umfasst die elektronische Vorrichtung A6 auch die Verdrahtungsabschnitte 2, die auf der Substratvorderseite 11 ausgebildet sind. Die Verdrahtungsabschnitte 2 übermitteln Steuersignale (z.B. Treibersignale) zur Steuerung der Halbleiterelemente 31 bis 34 und stellen Übermittlungspfade der Steuersignale dar. Deswegen ist es mit der elektronischen Vorrichtung A6 möglich, die Übermittlungspfade dünn zu machen, die Dichte der Übermittlungspfade zu erhöhen und die Integrationsdichte zu steigern.Similar to the electronic devices A3 to A5, the electronic device A6 also includes the wiring portions 2 formed on the substrate 11 front side. The wiring portions 2 transmit control signals (e.g., drive signals) for controlling the semiconductor elements 31 to 34 and constitute transmission paths of the control signals. Therefore, with the electronic device A6, it is possible to make the transmission paths thin, increase the density of the transmission paths, and increase the integration density .

Ähnlich den elektronischen Vorrichtungen A3 und A5 überlappt in der elektronischen Vorrichtung A6, die Steuereinheit 41 mit dem ersten Trennbereich S1 in Betrachtung in der y-Richtung, und die Steuereinheit 42 überlappt mit dem zweiten Trennbereich S2 in Betrachtung in der y-Richtung. Deswegen kann, ähnlich den elektronischen Vorrichtungen A3 bis A5, die elektronische Vorrichtung A6 eine Differenz zwischen einer Übermittlungszeit des ersten Treibersignals und einer Übermittlungszeit des zweiten Treibersignals reduzieren und kann eine Differenz zwischen einer Übermittlungszeit des dritten Treibersignals und einer Übermittlungszeit des vierten Treibersignals reduzieren.Similar to the electronic devices A3 and A5, in the electronic device A6, the control unit 41 overlaps with the first partition area S1 viewed in the y-direction, and the control unit 42 overlaps with the second partition area S2 viewed in the y-direction. Therefore, similar to the electronic devices A3 to A5, the electronic device A6 can reduce a difference between a transmission time of the first drive signal and a transmission time of the second drive signal, and can reduce a difference between a transmission time of the third drive signal and a transmission time of the fourth drive signal.

In der elektronischen Vorrichtung A6 sind die Rückseitenelektrode 313 des Halbleiterelements 31 und die Rückseitenelektrode 333 des Halbleiterelements 33 mit dem Pad-Abschnitt 611 (Anschluss 61) verbunden. In dieser Konfiguration ist der Anschluss 65 in den Anschluss 61 integriert und deshalb ist der Anschluss 65 nicht notwendig. Das heißt, dass ein gemeinsamer Anschluss als der Anschluss 61 und der Anschluss 65 dienen kann und die Anzahl von externen Terminals der elektronischen Vorrichtung A6 reduziert werden kann.In the electronic device A6, the backside electrode 313 of the semiconductor element 31 and the backside electrode 333 of the semiconductor element 33 are connected to the pad portion 611 (terminal 61). In this configuration, port 65 is integral with port 61 and therefore port 65 is not necessary. That is, a common port can serve as the port 61 and the port 65, and the number of external terminals of the electronic device A6 can be reduced.

In der dritten bis sechsten Ausführungsform werden Beispiele beschrieben, in denen die elektronischen Vorrichtungen A3 bis A6 keine passiven Elemente 5 umfassen, aber die passiven Elemente 5 (ein Thermistor 5a, ein Widerstand 5b, ein Shunt-Widerstand 5c, usw.) können, falls angemessen, gemäß den Spezifikationen, die bspw. für die elektronischen Vorrichtungen A3 bis A6 benötigt werden, bereitgestellt werden.In the third to sixth embodiments, examples are described in which the electronic devices A3 to A6 do not include the passive elements 5, but the passive elements 5 (a thermistor 5a, a resistor 5b, a shunt resistor 5c, etc.) may, if appropriate, according to the specifications required for the electronic devices A3 to A6, for example.

In der dritten bis sechsten Ausführungsform werden Beispiele beschrieben, in welchen die Steuereinheit 41 das Steuerelement 4c umfasst und in welchen das Steuerelement 4c Operationen der zwei Halbleiterelemente 31 und 32 steuert, aber es gibt keine Beschränkung auf diese Beispiele. Zum Beispiel können ein Steuerelement, das Operationen des Halbleiterelements 31 steuert und ein Steuerelement, das Operationen des Halbleiterelements 32 steuert, separat voneinander als die Steuereinheit 41 bereitgestellt werden (siehe erste Ausführungsform). Außerdem werden Beispiele beschrieben, in welchen die Steuereinheit 42 das Steuerelement 4c umfasst und in welchen das Steuerelement 4c Operationen der zwei Halbleiterelemente 33 und 34 steuert, aber es gibt keine Beschränkung auf diese Beispiele. Zum Beispiel können ein Steuerelement, das Operationen des Halbleiterelements 33 steuert und ein Steuerelement, das Operationen des Halbleiterelements 34 steuert, separat voneinander als Steuereinheit 42 bereitgestellt werden.In the third to sixth embodiments, examples are described in which the control unit 41 includes the controller 4c and in which the controller 4c controls operations of the two semiconductor elements 31 and 32, but it is not limited to these examples. For example, a control element that controls operations of the semiconductor element 31 and a control element that controls operations of the semiconductor element 32 may be provided separately from each other as the control unit 41 (see first embodiment). Also, examples in which the control unit 42 includes the controller 4c and in which the controller 4c controls operations of the two semiconductor elements 33 and 34 will be described, but it is not limited to these examples. For example, a control element that controls operations of the semiconductor element 33 and a control element that controls operations of the semiconductor element 34 may be provided as the control unit 42 separately from each other.

In der zweiten bis sechsten Ausführungsform, werden Beispiele beschrieben, in denen die Steuereinheit 41 nicht mit dem ersten Trennbereich S1 in einer Betrachtung in der x-Richtung überlappt, aber es gibt keine Beschränkung auf diese Beispiele. Zum Beispiel können Konfigurationen (Formen, Anordnung, usw.) der Verdrahtungsabschnitte 2 und der Anschlussrahmen 6 so geändert werden, dass die Gesamtheit der Steuereinheit 41 mit dem ersten Trennbereich S1 in einer Betrachtung in der x-Richtung überlappt, ähnlich der ersten Ausführungsform, oder ein Bereich der Steuereinheit 41 mit dem ersten Trennbereich S1 in Betrachtung in der x-Richtung überlappt, ähnlich der in 10 gezeigten Variation. In ähnlicher Weise werden in der dritten bis sechsten Ausführungsform Beispiele beschrieben, in welchen die Steuereinheit 42 nicht mit dem zweiten Trennbereich S2 in einer Betrachtung in der x-Richtung überlappt, aber es gibt keine Beschränkung auf diese Beispiele. Zum Beispiel können Konfigurationen der Verdrahtungsabschnitte 2 und der Anschlussrahmen 6 so geändert werden, dass die Gesamtheit der Steuereinheit 42 mit dem zweiten Trennbereich S2 in einer Betrachtung in der x-Richtung überlappt, oder so, dass ein Abschnitt der Steuereinheit 42 mit dem zweiten Trennbereich S2 in einer Betrachtung in der x-Richtung überlappt.In the second to sixth embodiments, examples are described in which the control unit 41 does not overlap with the first separating area S1 viewed in the x-direction, but it is not limited to these examples. For example, configurations (shapes, arrangement, etc.) of the wiring portions 2 and the lead frames 6 can be changed so that the entirety of the control unit 41 overlaps with the first separating area S1 when viewed in the x-direction, similarly to the first embodiment, or an area of the control unit 41 overlaps with the first separating area S1 viewed in the x-direction, similar to that in FIG 10 shown variation. Similarly, in the third to sixth embodiments, examples are described in which the control unit 42 does not overlap with the second separating region S2 viewed in the x-direction, but it is not limited to these examples. For example, configurations of the wiring portions 2 and the lead frames 6 can be changed so that the entirety of the control unit 42 overlaps with the second separation area S2 when viewed in the x-direction, or so that a portion of the control unit 42 overlaps with the second separation area S2 overlapped when viewed in the x-direction.

In der zweiten bis sechsten Ausführungsform werden Beispiele gezeigt, in welchen die elektronischen Vorrichtungen A2 bis A6 nicht die schützenden Elemente 39A und 39B umfassen, aber es gibt keine Beschränkung auf diese Beispiele, und die schützenden Elemente 39A und 39B können nach Bedarf bereitgestellt werden.In the second to sixth embodiments, examples are shown in which the electronic devices A2 to A6 do not include the protective members 39A and 39B, but it is not limited to these examples, and the protective members 39A and 39B can be provided as needed.

In der ersten bis sechsten Ausführungsform sind Formen und Anordnung der Verdrahtungsabschnitte 2 und Formen und Anordnung der Anschlussrahmen 6 (Anschlüsse 60 bis 69) nicht beschränkt auf die gezeigten Beispiele und können in angemessener Weise gemäß den benötigten Spezifikationen, Schaltungskonfiguration oder dergleichen geändert werden.In the first to sixth embodiments, shapes and arrangement of the wiring portions 2 and shapes and arrangement of the lead frames 6 (terminals 60 to 69) are not limited to the shown examples and can be changed as appropriate according to required specifications, circuit configuration or the like.

Eine elektronische Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung ist nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen beschränkt. Verschiedene Designänderungen können in spezifischen Konfigurationen von Bereichen der elektronischen Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung durchgeführt werden. Zum Beispiel umfasst eine elektronische Vorrichtung, gemäß der vorliegenden Offenbarung Ausführungsformen, die sich auf die folgenden Klauseln beziehen.An electronic device according to the present disclosure is not limited to the above-described embodiments. Various design changes can be made in specific configurations of portions of the electronic device according to the present disclosure. For example, an electronic device, according to the present disclosure, includes embodiments related to the following clauses.

Klausel 1clause 1

Elektronische Vorrichtung mit:

  • einem isolierenden Substrat, das eine Substratvorderseite uaufweist, welche einer Seite in einer Dickenrichtung zugewandt ist;
  • einem Verdrahtungsabschnitt, der auf der Substratvorderseite ausgebildet ist und aus einem leitenden Material besteht;
  • einem Anschlussrahmen, der auf der Substratvorderseite angeordnet ist;
  • einem ersten Halbleiterelement und einem zweiten Halbleiterelement, die mit dem Anschlussrahmen elektrisch verbunden sind; und
  • einer ersten Steuereinheit, die mit dem Verdrahtungsabschnitt elektrisch verbunden ist und bewirkt, dass das erste Halbleiterelement als ein erster oberer Arm operiert und dass das zweite Halbleiterelement als ein erster unterer Arm operiert,
  • wobei der Anschlussrahmen einen ersten Pad-Abschnitt aufweist, mit welchem das erste Halbleiterelement verbunden ist, und einen zweiten Pad-Abschnitt aufweist, mit welchem das zweite Halbleiterelement verbunden ist,
  • wobei der erste Pad-Abschnitt und der zweite Pad-Abschnitt von dem Verdrahtungsabschnitt beabstandet sind und in einer ersten Richtung so angeordnet sind, dass ein erster Trennbereich zwischen dem ersten Pad-Abschnitt und dem zweiten Pad-Abschnitt eingezwängt ist, wobei die erste Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung steht, und
  • wobei die erste Steuereinheit von dem Anschlussrahmen in einer Betrachtung in der Dickenrichtung beabstandet ist und mit dem ersten Trennbereich in einer Betrachtung in einer zweiten Richtung überlappt, wobei die zweite Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung und der ersten Richtung steht.
Electronic device with:
  • an insulating substrate having a substrate front side facing one side in a thickness direction;
  • a wiring portion formed on the substrate front surface and made of a conductive material;
  • a lead frame arranged on the substrate front side;
  • a first semiconductor element and a second semiconductor element electrically connected to the lead frame; and
  • a first control unit which is electrically connected to the wiring portion and causes the first semiconductor element to operate as a first upper arm and the second semiconductor element to operate as a first lower arm,
  • wherein the lead frame has a first pad portion to which the first semiconductor element is connected and a second pad portion to which the second semiconductor element is connected,
  • wherein the first pad portion and the second pad portion are spaced from the wiring portion and are arranged in a first direction such that a first separation region is constrained between the first pad portion and the second pad portion, the first direction being perpendicular to the thickness direction, and
  • wherein the first control unit is spaced from the lead frame when viewed in the thickness direction and overlaps with the first separation region when viewed in a second direction, the second direction being perpendicular to the thickness direction and the first direction.

Klausel 2clause 2

Elektronische Vorrichtung nach Klausel 1, wobei zumindest ein Abschnitt der ersten Steuereinheit mit dem ersten Trennbereich in einer Betrachtung in der ersten Richtung überlappt.The electronic device of clause 1, wherein at least a portion of the first control unit overlaps the first separation region when viewed in the first direction.

Klausel 3clause 3

Elektronische Vorrichtung nach Klausel 1 oder 2, wobei das erste Halbleiterelement eine erste Elementvorderseite aufweist, die in die gleiche Richtung zeigt wie die Substratvorderseite, und eine erste Steuerelektrode aufweist, die auf der ersten Elementvorderseite ausgebildet ist,
wobei das zweite Halbleiterelement eine zweite Elementvorderseite aufweist, die in die gleiche Richtung zeigt wie die Substratvorderseite, und eine zweite Steuerelektrode aufweist, die auf der zweiten Elementvorderseite ausgebildet ist, und
wobei die erste Steuereinheit ein erstes Treibersignal zur Steuerung des Betriebs des ersten Halbleiterelements in die erste Steuerelektrode einspeist und wobei die erste Steuereinheit ein zweites Treibersignal zur Steuerung des Betriebs des zweiten Halbleiterelements in die zweite Steuerelektrode einspeist.The electronic device according to clause 1 or 2, wherein the first semiconductor element has a first element face pointing in the same direction as the substrate face, and a first control electrode formed on the first element face,
wherein the second semiconductor element has a second element face facing in the same direction as the substrate face and a second control electrode formed on the second element face, and
wherein the first control unit inputs a first drive signal for controlling operation of the first semiconductor element into the first control electrode, and wherein the first control unit inputs a second drive signal for controlling operation of the second semiconductor element into the second control electrode.

Klausel 4clause 4

Elektronische Vorrichtung nach Klausel 3, wobei die erste Steuereinheit ein erstes Steuerelement aufweist, das das erste Treibersignal ausgibt, und ein zweites Steuerelement aufweist, das das zweite Treibersignal ausgibt.The electronic device of clause 3, wherein the first control unit includes a first control element that outputs the first drive signal and a second control element that outputs the second drive signal.

Klausel 5clause 5

Elektronische Vorrichtung nach Klausel 3 oder 4, wobei das erste Halbleiterelement eine erste Elementrückseite aufweist, die dem ersten Pad-Abschnitt zugewandt ist, und eine erste Rückseitenelektrode aufweist, die auf der ersten Elementrückseite ausgebildet ist,
wobei die erste Rückseitenelektrode mit dem ersten Pad-Abschnitt verbunden und elektrisch verbunden ist,
wobei das zweite Halbleiterelement eine zweite Elementrückseite aufweist, die dem zweiten Pad-Abschnitt zugewandt ist, und eine zweite Rückseitenelektrode aufweist, die auf der zweiten Elementrückseite ausgebildet ist, und
wobei die zweite Rückseitenelektrode mit dem zweiten Pad-Abschnitt verbunden und elektrisch verbunden ist.The electronic device according to clause 3 or 4, wherein the first semiconductor element has a first element rear surface facing the first pad portion and a first rear surface electrode formed on the first element rear surface,
wherein the first backside electrode is connected to the first pad section and electrically connected,
wherein the second semiconductor element is a second element element back surface facing the second pad portion, and a second back surface electrode formed on the second element back surface, and
wherein the second backside electrode is connected to the second pad portion and electrically connected.

Klausel 6clause 6

Elektronische Vorrichtung nach Klausel 5, wobei das erste Halbleiterelement ferner eine erste Vorderseitenelektrode aufweist, die auf der ersten Elementvorderseite ausgebildet ist, wobei das erste Halbleiterelement dazu ausgestaltet ist, zu bewirken, dass Elektrizität zwischen der ersten Rückseitenelektrode und der ersten Vorderseitenelektrode entsprechend dem ersten Treibersignal fließt, und wobei
das zweite Halbleiterelement ferner eine zweite Vorderseitenelektrode aufweist, die auf der zweiten Elementvorderseite ausgebildet ist, wobei das zweite Halbleiterelement dazu ausgestaltet ist, zu bewirken, dass Elektrizität zwischen der zweiten Rückseitenelektrode und der zweiten Vorderseitenelektrode entsprechend dem zweiten Treibersignal fließt.The electronic device according to clause 5, wherein the first semiconductor element further comprises a first front-side electrode formed on the first element front-side, the first semiconductor element being configured to cause electricity to flow between the first back-side electrode and the first front-side electrode according to the first drive signal , and where
the second semiconductor element further comprises a second front-side electrode formed on the second element front-side, the second semiconductor element being configured to cause electricity to flow between the second back-side electrode and the second front-side electrode according to the second drive signal.

Klausel 7Clause 7

Elektronische Vorrichtung nach Klausel 6, wobei der Anschlussrahmen einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss, die voneinander beabstandet sind, aufweist,
wobei der erste Anschluss den ersten Pad-Abschnitt und einen ersten Terminal-Abschnitt, der mit dem ersten Pad-Abschnitt verbunden ist, aufweist, und wobei
der zweite Anschluss den zweiten Pad-Abschnitt und einen zweiten Terminal-Abschnitt, der mit dem zweiten Pad-Abschnitt verbunden ist, aufweist.The electronic device of clause 6, wherein the leadframe has a first lead and a second lead that are spaced from each other,
wherein the first terminal has the first pad portion and a first terminal portion connected to the first pad portion, and wherein
the second port has the second pad portion and a second terminal portion connected to the second pad portion.

Klausel 8clause 8

Elektronische Vorrichtung nach Klausel 7, wobei der Anschlussrahmen ferner einen dritten Anschluss aufweist, der von dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss beabstandet ist, und
wobei die zweite Vorderseitenelektrode mit dem dritten Anschluss elektrisch verbunden ist.The electronic device of clause 7, wherein the leadframe further includes a third lead spaced apart from the first lead and the second lead, and
wherein the second face electrode is electrically connected to the third terminal.

Klausel 9clause 9

Elektronische Vorrichtung nach Klausel 8, wobei die erste Vorderseitenelektrode mit dem zweiten Anschluss elektrisch verbunden ist.The electronic device of clause 8, wherein the first face electrode is electrically connected to the second terminal.

Klausel 10Clause 10

Elektronische Vorrichtung nach Klausel 8, wobei der Anschlussrahmen ferner einen vierten Anschluss aufweist, der von dem ersten Anschluss, dem zweiten Anschluss und dem dritten Anschluss beabstandet ist, und
wobei die erste Vorderseitenelektrode mit dem vierten Anschluss elektrisch verbunden ist.The electronic device of clause 8, wherein the leadframe further includes a fourth lead spaced apart from the first lead, the second lead, and the third lead, and
wherein the first face electrode is electrically connected to the fourth terminal.

Klausel 11Clause 11

Elektronische Vorrichtung gemäß einer der Klauseln 8 bis 10, ferner mit einem dritten Halbleiterelement und einem vierten Halbleiterelement, die mit dem Anschlussrahmen elektrisch verbunden sind, wobei die Anschlussrahmen einen dritten Pad-Abschnitt aufweisen, mit welchem das dritte Halbleiterelement verbunden ist, und einen vierten Pad-Abschnitt aufweisen, mit welchem das vierte Halbleiterelement verbunden ist, und
wobei der dritte Pad-Abschnitt und der vierte Pad-Abschnitt von den Verdrahtungsabschnitten beabstandet sind und in der ersten Richtung so angeordnet sind, dass ein zweiter Trennbereich zwischen dem dritten Pad-Abschnitt und dem vierten Pad-Abschnitt eingezwängt ist.The electronic device according to any one of clauses 8 to 10, further comprising a third semiconductor element and a fourth semiconductor element electrically connected to the lead frame, the lead frames having a third pad portion to which the third semiconductor element is connected and a fourth pad -having a portion to which the fourth semiconductor element is connected, and
wherein the third pad portion and the fourth pad portion are spaced apart from the wiring portions and arranged in the first direction such that a second isolation region is sandwiched between the third pad portion and the fourth pad portion.

Klausel 12Clause 12

Elektronische Vorrichtung nach Klausel 11, ferner mit einer zweiten Steuereinheit, die mit dem Verdrahtungsabschnitt elektrisch verbunden ist und die bewirkt, dass das dritte Halbleiterelement als ein zweiter oberer Arm operiert und das vierte Halbleiterelement als ein zweiter unterer Arm operiert,
wobei die zweite Steuereinheit von den Anschlussrahmen in einer Betrachtung in der Dickenrichtung beabstandet ist und mit dem zweiten Trennbereich in einer Betrachtung in der zweiten Richtung überlappt.Electronic device according to clause 11, further comprising a second control unit which is electrically connected to the wiring section and which causes the third semiconductor element to operate as a second upper arm and the fourth semiconductor element to operate as a second lower arm,
wherein the second control unit is spaced from the lead frames when viewed in the thickness direction and overlaps with the second separation region when viewed in the second direction.

Klausel 13Clause 13

Elektronische Vorrichtung nach Klausel 12, wobei die erste Steuereinheit und die zweite Steuereinheit in der ersten Richtung angeordnet sind.The electronic device of clause 12, wherein the first control unit and the second control unit are arranged in the first direction.

Klausel 14Clause 14

Elektronische Vorrichtung nach Klausel 12 oder 13, wobei zumindest ein Abschnitt der zweiten Steuereinheit mit dem zweiten Trennbereich in einer Betrachtung in der ersten Richtung überlappt.The electronic device of clause 12 or 13, wherein at least a portion of the second control unit overlaps the second separation region when viewed in the first direction.

Klausel 15Clause 15

Elektronische Vorrichtung nach einer der Klauseln 12 bis 14, wobei das dritte Halbleiterelement eine dritte Elementvorderseite aufweist, die in die gleiche Richtung zeigt wie die Substratvorderseite, und eine dritte Steuerelektrode aufweist, die auf der dritten Elementvorderseite angeordnet ist,
wobei das vierte Halbleiterelement eine vierte Elementvorderseite aufweist, die in die gleiche Richtung zeigt wie die Substratvorderseite und eine vierte Steuerelektrode aufweist, die auf der vierten Elementvorderseite angeordnet ist, und
wobei die zweite Steuereinheit ein drittes Treibersignal zur Steuerung des Betriebs des dritten Halbleiterelements in die dritte Steuerelektrode einspeist und ein viertes Treibersignal zur Steuerung des Betriebs des vierten Halbleiterelements in die vierte Steuerelektrode einspeist.The electronic device according to any one of clauses 12 to 14, wherein the third semiconductor element has a third element face pointing in the same direction as the substrate face and a third control electrode arranged on the third element face,
wherein the fourth semiconductor element is a fourth element element face which faces in the same direction as the substrate face and a fourth control electrode which is arranged on the fourth element face, and
wherein the second control unit inputs a third drive signal for controlling operation of the third semiconductor element into the third control electrode and inputs a fourth drive signal for controlling operation of the fourth semiconductor element into the fourth control electrode.

Klausel 16Clause 16

Elektronische Vorrichtung nach Klausel 15, wobei das dritte Halbleiterelement eine dritte Elementrückseite aufweist, die dem dritten Pad-Abschnitt zugewandt ist, und eine dritte Rückseitenelektrode aufweist, die auf der dritten Elementrückseite ausgebildet ist,
wobei die dritte Rückseitenelektrode mit dem dritten Pad-Abschnitt verbunden und elektrisch verbunden ist,
wobei das vierte Halbleiterelement eine vierte Elementrückseite aufweist, die dem vierteb Pad-Abschnitt zugewandt ist, und eine vierte Rückseitenelektrode aufweist, die auf der vierten Elementrückseite ausgebildet ist, und
wobei die vierte Rückseitenelektrode mit dem vierten Pad-Abschnitt verbunden und elektrisch verbunden ist.The electronic device according to clause 15, wherein the third semiconductor element has a third element back surface facing the third pad portion and a third back surface electrode formed on the third element back surface,
wherein the third backside electrode is connected to the third pad section and electrically connected,
wherein the fourth semiconductor element has a fourth element back surface facing the fourth pad portion and a fourth back surface electrode formed on the fourth element back surface, and
wherein the fourth backside electrode is connected to the fourth pad portion and electrically connected.

Klausel 17clause 17

Elektronische Vorrichtung nach Klausel 16, wobei das dritte Halbleiterelement ferner eine dritte Vorderseitenelektrode aufweist, die auf der dritten Elementvorderseite ausgebildet ist, wobei das dritte Halbleiterelement dazu ausgestaltet ist zu bewirken, dass Elektrizität zwischen der dritten Rückseitenelektrode und der dritten Vorderseitenelektrode entsprechend dem dritten Treibersignal fließt, und
wobei das vierte Halbleiterelement ferner eine vierte Vorderseitenelektrode aufweist, die auf der vierten Elementvorderseite ausgebildet ist, wobei das vierte Halbleiterelement dazu ausgestaltet ist zu bewirken, dass Elektrizität zwischen der vierten Rückseitenelektrode und der vierten Vorderseitenelektrode entsprechend dem vierten Treibersignal fließt.The electronic device according to clause 16, wherein the third semiconductor element further comprises a third front-side electrode formed on the third element front-side, the third semiconductor element being configured to cause electricity to flow between the third back-side electrode and the third front-side electrode according to the third drive signal, and
wherein the fourth semiconductor element further comprises a fourth front-side electrode formed on the fourth element front-side, the fourth semiconductor element being configured to cause electricity to flow between the fourth back-side electrode and the fourth front-side electrode according to the fourth drive signal.

Klausel 18clause 18

Elektronische Vorrichtung nach Klausel 17, wobei der erste Pad-Abschnitt, der zweite Pad-Abschnitt, der dritte Pad-Abschnitt und der vierte Pad-Abschnitt in the ersten Richtung angeordnet sind.The electronic device of clause 17, wherein the first pad portion, the second pad portion, the third pad portion, and the fourth pad portion are arranged in the first direction.

Klausel 19clause 19

Elektronische Vorrichtung nach Klausel 18, wobei der zweite Pad-Abschnitt und der vierte Pad-Abschnitt des Anschlussrahmens in der ersten Richtung zueinander benachbart sind.The electronic device of clause 18, wherein the second pad portion and the fourth pad portion of the leadframe are adjacent to each other in the first direction.

Klausel 20Clause 20

Elektronische Vorrichtung nach Klausel 19, wobei die vierte Vorderseitenelektrode elektrisch mit dem dritten Anschluss verbunden ist.The electronic device of clause 19, wherein the fourth face electrode is electrically connected to the third terminal.

Klausel 21Clause 21

Elektronische Vorrichtung nach einer der Klauseln 1 bis 20, ferner mit einem Harzteil, von welchem ein Abschnitt des Anschlussrahmens freigelegt ist und der zumindest einen Abschnitt des isolierenden Substrats, des ersten Halbleiterelements, des zweites Halbleiterelements, der ersten Steuereinheit und des Verdrahtungsabschnittes bedeckt.The electronic device according to any one of clauses 1 to 20, further comprising a resin part from which a portion of the lead frame is exposed and which covers at least a portion of the insulating substrate, the first semiconductor element, the second semiconductor element, the first control unit and the wiring portion.

Klausel 22Clause 22

Elektronische Vorrichtung nach einer der Klauseln 1 bis 21, wobei das isolierende Substrat aus einer Keramik hergestellt ist.The electronic device according to any one of clauses 1 to 21, wherein the insulating substrate is made of a ceramic.

BezugszeichenlisteReference List

A1 bis A6A1 to A6
Elektronische Vorrichtungelectronic device
11
Isolierendes Substratinsulating substrate
1111
Substratvorderseitesubstrate front
1212
Substratrückseitesubstrate backside
22
Verdrahtungsabschnittwiring section
2121
Pad-Abschnittpad section
2222
Verbindungsdrahtconnecting wire
31 ,32, 33, 3431, 32, 33, 34
Halbleiterelementsemiconductor element
31a, 32a, 33a, 34a31a, 32a, 33a, 34a
Elementvorderseiteelement front
31b, 32b, 33b, 34b31b, 32b, 33b, 34b
Elementrückseiteelement back
311, 321, 331, 341311, 321, 331, 341
Steuerelektrodecontrol electrode
312, 322, 332, 342312, 322, 332, 342
Vorderseitenelektrodefront electrode
313, 323, 333, 343313, 323, 333, 343
Rückseitenelektroderear electrode
39A, 39B39A, 39B
Schützendes Elementprotective element
391391
Vorderseitenelektrodefront electrode
392392
Rückseitenelektroderear electrode
41, 4241, 42
Steuereinheitcontrol unit
4a, 4b, 4c4a, 4b, 4c
Steuerelementcontrol
4040
Steuervorrichtungcontrol device
401401
Harzgehäuseresin case
402402
Verbindungsterminalconnection terminal
55
Passives Elementpassive element
5a5a
Thermistorthermistor
5b5b
WiderstandResistance
5c5c
Shunt-Widerstandshunt resistance
66
Anschlussrahmenconnection frame
60 bis 6960 to 69
Anschlussconnection
601, 611, 621, 631, 641, 651, 661, 671, 681, 691601, 611, 621, 631, 641, 651, 661, 671, 681, 691
Pad-Abschnittpad section
602, 612, 622, 632, 642, 652, 662, 672, 682, 692602, 612, 622, 632, 642, 652, 662, 672, 682, 692
Terminal-Abschnittterminal section
623 ,663623,663
Pad-Abschnittpad section
71 bis 7571 to 75
Verbindungsteilconnection part
88th
Harzteilresin part
8181
Harzvorderseiteresin front
8282
Harzrückseiteresin backing
831 to 834831 to 834
Harzseitenflächeresin side face
S1S1
Erster TrennbereichFirst parting area
S2S2
Zweiter TrennbereichSecond parting area

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDED IN DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturPatent Literature Cited

  • JP 2020004893 A [0003]JP2020004893A [0003]

Claims (22)

Elektronische Vorrichtung mit: einem isolierenden Substrat, das eine Substratvorderseite aufweist, welche einer Seite in einer Dickenrichtung zugewandt ist; einem Verdrahtungsabschnitt, der auf der Substratvorderseite ausgebildet ist und aus einem leitenden Material besteht; einem Anschlussrahmen, der auf der Substratvorderseite angeordnet ist; einem ersten Halbleiterelement und einem zweiten Halbleiterelement, die mit dem Anschlussrahmen elektrisch verbunden sind; und einer ersten Steuereinheit, die mit dem Verdrahtungsabschnitt elektrisch verbunden ist und bewirkt, dass das erste Halbleiterelement als ein erster oberer Arm operiert und dass das zweite Halbleiterelement als ein erster unterer Arm operiert, wobei der Anschlussrahmen einen ersten Pad-Abschnitt aufweist, mit welchem das erste Halbleiterelement verbunden ist, und einen zweiten Pad-Abschnitt aufweist, mit welchem das zweite Halbleiterelement verbunden ist, wobei der erste Pad-Abschnitt und der zweite Pad-Abschnitt von dem Verdrahtungsabschnitt beabstandet sind und in einer ersten Richtung so angeordnet sind, dass ein erster Trennbereich zwischen dem ersten Pad-Abschnitt und dem zweiten Pad-Abschnitt eingezwängt ist, wobei die erste Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung steht, und wobei die erste Steuereinheit von dem Anschlussrahmen in einer Betrachtung in der Dickenrichtung beabstandet ist und mit dem ersten Trennbereich in einer Betrachtung in einer zweiten Richtung überlappt, wobei die zweite Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung und der ersten Richtung steht.Electronic device with: an insulating substrate having a substrate front surface facing one side in a thickness direction; a wiring portion formed on the substrate front surface and made of a conductive material; a lead frame arranged on the substrate front side; a first semiconductor element and a second semiconductor element electrically connected to the lead frame; and a first control unit which is electrically connected to the wiring portion and causes the first semiconductor element to operate as a first upper arm and the second semiconductor element to operate as a first lower arm, wherein the lead frame has a first pad portion to which the first semiconductor element is connected and a second pad portion to which the second semiconductor element is connected, wherein the first pad portion and the second pad portion are spaced from the wiring portion and are arranged in a first direction such that a first separation region is constrained between the first pad portion and the second pad portion, the first direction being perpendicular to the thickness direction, and wherein the first control unit is spaced from the lead frame when viewed in the thickness direction and overlaps with the first separation region when viewed in a second direction, the second direction being perpendicular to the thickness direction and the first direction. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei zumindest ein Abschnitt der ersten Steuereinheit mit dem ersten Trennbereich in einer Betrachtung in der ersten Richtung überlappt.Electronic device after claim 1 , wherein at least a portion of the first control unit overlaps the first separation region as viewed in the first direction. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das erste Halbleiterelement eine erste Elementvorderseite aufweist, die in die gleiche Richtung zeigt wie die Substratvorderseite, und eine erste Steuerelektrode aufweist, die auf der ersten Elementvorderseite ausgebildet ist, wobei das zweite Halbleiterelement eine zweite Elementvorderseite aufweist, die in die gleiche Richtung zeigt wie die Substratvorderseite, und eine zweite Steuerelektrode aufweist, die auf der zweiten Elementvorderseite ausgebildet ist, und wobei die erste Steuereinheit ein erstes Treibersignal zur Steuerung des Betriebs des ersten Halbleiterelements in die erste Steuerelektrode einspeist und wobei die erste Steuereinheit ein zweites Treibersignal zur Steuerung des Betriebs des zweiten Halbleiterelements in die zweite Steuerelektrode einspeist.Electronic device after claim 1 or 2 , wherein the first semiconductor element has a first element face pointing in the same direction as the substrate face, and a first control electrode formed on the first element face, wherein the second semiconductor element has a second element face pointing in the same direction as the substrate front side, and a second control electrode formed on the second element front side, and wherein the first control unit inputs a first drive signal for controlling the operation of the first semiconductor element into the first control electrode, and wherein the first control unit supplies a second drive signal for controlling the operation of the second semiconductor element feeds into the second control electrode. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei die erste Steuereinheit ein erstes Steuerelement aufweist, das das erste Treibersignal ausgibt, und ein zweites Steuerelement aufweist, das das zweite Treibersignal ausgibt.Electronic device after claim 3 , wherein the first control unit has a first control element that outputs the first drive signal and a second control element that outputs the second drive signal. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, wobei das erste Halbleiterelement eine erste Elementrückseite aufweist, die dem ersten Pad-Abschnitt zugewandt ist, und eine erste Rückseitenelektrode aufweist, die auf der ersten Elementrückseite ausgebildet ist, wobei die erste Rückseitenelektrode mit dem ersten Pad-Abschnitt verbunden und elektrisch verbunden ist, wobei das zweite Halbleiterelement eine zweite Elementrückseite aufweist, die dem zweiten Pad-Abschnitt zugewandt ist, und eine zweite Rückseitenelektrode aufweist, die auf der zweiten Elementrückseite ausgebildet ist, und wobei die zweite Rückseitenelektrode mit dem zweiten Pad-Abschnitt verbunden und elektrisch verbunden ist.Electronic device after claim 3 or 4 , wherein the first semiconductor element has a first element back surface facing the first pad portion and a first back surface electrode formed on the first element back surface, the first back surface electrode being connected to the first pad portion and electrically connected, wherein the second semiconductor element has a second element back surface facing the second pad portion and a second back surface electrode formed on the second element back surface, and the second back surface electrode is connected to the second pad portion and electrically connected. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei das erste Halbleiterelement ferner eine erste Vorderseitenelektrode aufweist, die auf der ersten Elementvorderseite ausgebildet ist, wobei das erste Halbleiterelement dazu ausgestaltet ist zu bewirken, dass Elektrizität zwischen der ersten Rückseitenelektrode und der ersten Vorderseitenelektrode entsprechend dem ersten Treibersignal fließt, und wobei das zweite Halbleiterelement ferner eine zweite Vorderseitenelektrode aufweist, die auf der zweiten Elementvorderseite ausgebildet ist, wobei das zweite Halbleiterelement dazu ausgestaltet ist, zu bewirken, dass Elektrizität zwischen der zweiten Rückseitenelektrode und der zweiten Vorderseitenelektrode entsprechend dem zweiten Treibersignal fließt.Electronic device after claim 5 , wherein the first semiconductor element further comprises a first front-side electrode formed on the first element front-side, the first semiconductor element being configured to cause electricity to flow between the first back-side electrode and the first front-side electrode according to the first drive signal, and wherein the second semiconductor element further comprising a second front-side electrode formed on the second element front-side, the second semiconductor element being configured to cause electricity to flow between the second back-side electrode and the second front-side electrode according to the second driving signal. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei der Anschlussrahmen einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss, die voneinander beabstandet sind, aufweist, wobei der erste Anschluss den ersten Pad-Abschnitt und einen ersten Terminal-Abschnitt, der mit dem ersten Pad-Abschnitt verbunden ist, aufweist, und wobei der zweite Anschluss den zweiten Pad-Abschnitt und einen zweiten Terminal-Abschnitt, der mit dem zweiten Pad-Abschnitt verbunden ist, aufweist.Electronic device after claim 6 , wherein the lead frame has a first lead and a second lead spaced from each other, wherein the first lead has the first pad portion and a first terminal portion connected to the first pad portion, and wherein the second port has the second pad portion and a second terminal portion connected to the second pad portion. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 7, wobei der Anschlussrahmen ferner einen dritten Anschluss aufweist, der von dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss beabstandet ist, und wobei die zweite Vorderseitenelektrode mit dem dritten Anschluss elektrisch verbunden ist.Electronic device after claim 7 , wherein the lead frame further comprises a third lead different from the first lead and the second terminal, and wherein the second face electrode is electrically connected to the third terminal. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei die erste Vorderseitenelektrode mit dem zweiten Anschluss elektrisch verbunden ist.Electronic device after claim 8 , wherein the first face electrode is electrically connected to the second terminal. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei der Anschlussrahmen ferner einen vierten Anschluss aufweist, der von dem ersten Anschluss, dem zweiten Anschluss und dem dritten Anschluss beabstandet ist, und wobei die erste Vorderseitenelektrode mit dem vierten Anschluss elektrisch verbunden ist.Electronic device after claim 8 , wherein the lead frame further comprises a fourth terminal spaced apart from the first terminal, the second terminal and the third terminal, and wherein the first face electrode is electrically connected to the fourth terminal. Elektronische Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 8 bis 10, ferner mit einem dritten Halbleiterelement und einem vierten Halbleiterelement, die mit dem Anschlussrahmen elektrisch verbunden sind, wobei die Anschlussrahmen einen dritten Pad-Abschnitt aufweisen, mit welchem das dritte Halbleiterelement verbunden ist, und einen vierten Pad-Abschnitt aufweisen, mit welchem das vierte Halbleiterelement verbunden ist, und wobei der dritte Pad-Abschnitt und der vierte Pad-Abschnitt von den Verdrahtungsabschnitten beabstandet sind und in der ersten Richtung so angeordnet sind, dass ein zweiter Trennbereich zwischen dem dritten Pad-Abschnitt und dem vierten Pad-Abschnitt eingezwängt ist.Electronic device according to any one of Claims 8 until 10 , further comprising a third semiconductor element and a fourth semiconductor element electrically connected to the lead frame, the lead frames having a third pad portion to which the third semiconductor element is connected and a fourth pad portion to which the fourth semiconductor element is connected is connected, and wherein the third pad portion and the fourth pad portion are spaced from the wiring portions and are arranged in the first direction such that a second isolation region is sandwiched between the third pad portion and the fourth pad portion. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 11, ferner mit einer zweiten Steuereinheit, die mit dem Verdrahtungsabschnitt elektrisch verbunden ist und die bewirkt, dass das dritte Halbleiterelement als ein zweiter oberer Arm operiert und das vierte Halbleiterelement als ein zweiter unterer Arm operiert, wobei die zweite Steuereinheit von den Anschlussrahmen in einer Betrachtung in der Dickenrichtung beabstandet ist und mit dem zweiten Trennbereich in einer Betrachtung in der zweiten Richtung überlappt.Electronic device after claim 11 , further comprising a second control unit which is electrically connected to the wiring section and which causes the third semiconductor element to operate as a second upper arm and the fourth semiconductor element to operate as a second lower arm, the second control unit being dependent on the lead frames in a view in FIG is spaced apart from the thickness direction and overlaps with the second separation region as viewed in the second direction. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 12, wobei die erste Steuereinheit und die zweite Steuereinheit in der ersten Richtung angeordnet sind.Electronic device after claim 12 , wherein the first control unit and the second control unit are arranged in the first direction. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 12 oder 13, wobei zumindest ein Abschnitt der zweiten Steuereinheit mit dem zweiten Trennbereich in einer Betrachtung in der ersten Richtung überlappt.Electronic device after claim 12 or 13 , wherein at least a portion of the second control unit overlaps with the second separation area as viewed in the first direction. Elektronische Vorrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei das dritte Halbleiterelement eine dritte Elementvorderseite aufweist, die in die gleiche Richtung zeigt wie die Substratvorderseite, und eine dritte Steuerelektrode aufweist, die auf der dritten Elementvorderseite angeordnet ist, wobei das vierte Halbleiterelement eine vierte Elementvorderseite aufweist, die in die gleiche Richtung zeigt wie die Substratvorderseite und eine vierte Steuerelektrode aufweist, die auf der vierten Elementvorderseite angeordnet ist, und wobei die zweite Steuereinheit ein drittes Treibersignal zur Steuerung des Betriebs des dritten Halbleiterelements in die dritte Steuerelektrode einspeist und ein viertes Treibersignal zur Steuerung des Betriebs des vierten Halbleiterelements in die vierte Steuerelektrode einspeist.Electronic device according to any one of Claims 12 until 14 , wherein the third semiconductor element has a third element face pointing in the same direction as the substrate face, and a third control electrode arranged on the third element face, wherein the fourth semiconductor element has a fourth element face pointing in the same direction as the substrate front side and a fourth control electrode arranged on the fourth element front side, and wherein the second control unit feeds a third drive signal for controlling the operation of the third semiconductor element into the third control electrode and a fourth drive signal for controlling the operation of the fourth semiconductor element into the fourth control electrode feeds. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei das dritte Halbleiterelement eine dritte Elementrückseite aufweist, die dem dritten Pad-Abschnitt zugewandt ist, und eine dritte Rückseitenelektrode aufweist, die auf der dritten Elementrückseite ausgebildet ist, wobei die dritte Rückseitenelektrode mit dem dritten Pad-Abschnitt verbunden und elektrisch verbunden ist, wobei das vierte Halbleiterelement eine vierte Elementrückseite aufweist, die dem vierteb Pad-Abschnitt zugewandt ist, und eine vierte Rückseitenelektrode aufweist, die auf der vierten Elementrückseite ausgebildet ist, und wobei die vierte Rückseitenelektrode mit dem vierten Pad-Abschnitt verbunden und elektrisch verbunden ist.Electronic device after claim 15 , wherein the third semiconductor element has a third element back surface facing the third pad portion and a third back surface electrode formed on the third element back surface, the third back surface electrode being connected and electrically connected to the third pad portion, wherein the fourth semiconductor element has a fourth element back surface facing the fourth pad portion and a fourth back surface electrode formed on the fourth element back surface, and the fourth back surface electrode is connected to the fourth pad portion and electrically connected. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 16, wobei das dritte Halbleiterelement ferner eine dritte Vorderseitenelektrode aufweist, die auf der dritten Elementvorderseite ausgebildet ist, wobei das dritte Halbleiterelement dazu ausgestaltet ist zu bewirken, dass Elektrizität zwischen der dritten Rückseitenelektrode und der dritten Vorderseitenelektrode entsprechend dem dritten Treibersignal fließt, und wobei das vierte Halbleiterelement ferner eine vierte Vorderseitenelektrode aufweist, die auf der vierten Elementvorderseite ausgebildet ist, wobei das vierte Halbleiterelement dazu ausgestaltet ist zu bewirken, dass Elektrizität zwischen der vierten Rückseitenelektrode und der vierten Vorderseitenelektrode entsprechend dem vierten Treibersignal fließt.Electronic device after Claim 16 , the third semiconductor element further comprising a third front-side electrode formed on the third element front-side, the third semiconductor element being configured to cause electricity to flow between the third back-side electrode and the third front-side electrode according to the third drive signal, and the fourth semiconductor element further comprising a fourth front-side electrode formed on the fourth element front-side, the fourth semiconductor element being configured to cause electricity to flow between the fourth back-side electrode and the fourth front-side electrode according to the fourth drive signal. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 17, wobei der erste Pad-Abschnitt, der zweite Pad-Abschnitt, der dritte Pad-Abschnitt und der vierte Pad-Abschnitt in the ersten Richtung angeordnet sind.Electronic device after Claim 17 , wherein the first pad section, the second pad section, the third pad section and the fourth pad section are arranged in the first direction. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 18, wobei der zweite Pad-Abschnitt und der vierte Pad-Abschnitt des Anschlussrahmens in der ersten Richtung zueinander benachbart sind.Electronic device after Claim 18 , wherein the second pad portion and the fourth pad portion of the lead frame are adjacent to each other in the first direction. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 19, wobei die vierte Vorderseitenelektrode elektrisch mit dem dritten Anschluss verbunden ist.Electronic device after claim 19 , wherein the fourth face electrode is electrically connected to the third terminal. Elektronische Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 20, ferner mit einem Harzteil, von welchem ein Abschnitt des Anschlussrahmens freigelegt ist und der zumindest einen Abschnitt des isolierenden Substrats, des ersten Halbleiterelements, des zweites Halbleiterelements, der ersten Steuereinheit und des Verdrahtungsabschnittes bedeckt.Electronic device according to any one of Claims 1 until 20 , further comprising a resin part from which a portion of the lead frame is exposed and which covers at least a portion of the insulating substrate, the first semiconductor element, the second semiconductor element, the first control unit and the wiring portion. Elektronische Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 21, wobei das isolierende Substrat aus einer Keramik hergestellt ist.Electronic device according to any one of Claims 1 until 21 , wherein the insulating substrate is made of a ceramic.
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