DE2119611A1 - Verstärkerschaltung mit einer Tonabnehmer-Patrone hoher Impedanz - Google Patents

Verstärkerschaltung mit einer Tonabnehmer-Patrone hoher Impedanz

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Description

Düsseldorf, 19. £pril 1971
, .Jestinghouse Electric Corporation
Pittsburgh, Pa., ν. Et. A.
Verstärkerschaltung mit einer Tonabnehmer-'Patrone hoher Impedanz
Oie vorliegende. Erfindung betrifft eine Verstärkerschaltung mit einer, Lautsprecher und einem daran angeschlossenen Schaltelement zur Anpassung der Impedanz des Lautsprechers an die Impedanz einer LOna;,nrjri:. er-Patrone hoher Impedanz sowie eines von der Patrone gesteuerten Verstärkungs-Schaltelementes.
us sind einfache Plattenspieler bis zu dem Punkt entwickelt worden, daß ein Signal einer Tonabnehmer-Patrone hoher Impedanz zum Gitter einer Pentodenröhre geführt wird, die dann ihrerseits einen Lautsprecher über einen Anpassungs-Übertrager mit Leistung versorgt.
Es sind dann Versuche gemacht worden, äquivalente Schaltungen auf Halbleiterbasis aufzubauen, ohne dabei jedoch zu einem befriedigenden Ergebnis zu gelangen. Ls ist nämlich nicht möglich, einen solchen äquivalenten Schaltkreis unter Verwendung eines bipolaren Transistors bzw. bipolarer Transistoren aufzubauen, weil bipolare Transistoren einen .Basisstrom erfordern, den die keramische Tonabnehmer-Patrone hoher Impedanz nicht liefern kann.
V.'enn ein Silicium-Feldeffekttransistor verwendet wird, so v/erden zusätzliche Vorspannungs-Netzwerke notwendig, weil Übergangs- und
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IAO OBiGfNAL
211361t
Schottkysperrschicht-Schalteler'ente normalerweise in "Ein"- und -■'.OS-Schaltele^.ente normalerweise ir. "Aus''--Zustand Tin?.
Außerdem arbeiten solche Schaltelemente nicht linear, so daß es zu Verzerrungen kommen würde.
Aufgabe vorliegender Lrfinriung ist die Schaffung einer vereinfachten tialbleiter-Plattenspieler-Verstärkersohaltung.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist eine Verstärkerschaltung der eingangs genannten Art erfindungsgem-?.ß dadurch gekennzeichnet, daß das Verstärkungs-Schaltelerent als Dünnfilm-Feldeffekttransistor ausgebildet und in Reihe π it dem Anpassungs-Schaltelement zwischen die Klemmen einer Versorgungsspannung geschaltet ist und daß ein erster Anschluß der Tonabnehmer-Patrone an einer Gate-Elektrode des Dünnfilm-Feldeffekttransistors und ein zv/eiter Anschluß der Tonabnehmer-Patrone zusammen mit der Source-LlektrorLe des Dünnfilm-Feldeffekttransistors an der einen Klemme der Versorgungsspannung liegt.
Die Erfindung wird nachstehend zusammen mit weiteren Merkmalen anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit der zugehörigen Zeichnung erläutert. In der Zeichnung zeigen;
Fig. 1 schematisch ein Schaltbild eines Ausführungsbeispiels der Verstärkerschaltung nach der Erfindung;
Fig. 2 schematisch ein Schaltbild einer abgewandelten Ausführungsform der Schaltung nach Fig. 1;
Fig. 3 schematisch ein Schaltbild einer weiteren Abwandlung der Schaltung der Fig. 1;
Fig. 4 teilweise im Schnitt Seitenansichten der im Rahmen der un vorliegenden Erfindung eingesetzten Dünnfilm-Feldeffekttransistoren;
109848/1206. — oma,««.
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riii. <ί schenatisch pin Schaltbild eines "eiteren ^usführungsbeispiels oirier Verstärkerschaltung nach der T.'rfInnung;
Fiti. 7 perspektivisch eine Draufsicht au." einen v/eiteren, in Zusammenhang τι it rler vorliegenden ;rfindung einsetzbaren Oünnf ilr—Fr-] i.2f f ekt trans i stör.
IT1 einzelnen zeigt Fi'/. 1 eine erfin^uncs^^'iP aufgebaute Plattenspieler-Verstärkerschaltung nit eine;., Dünnfil^-Felccffekttransistor.
Die Verstärkerschaltung 10 hat Anschlußklemmen 12,14, über die sie an c?ine Versorgung.εspannuncr anschlie.C-bar ist. i.:in Anpassungs-Jbertrager Ib, der nit einen Lautsprecher IC gekoppelt ist, und ein Dünnf ilin-Feldef fekttransistor (DFFFT) 2"> sin:! elektrisch in Reihe zwischen rl it? i\nschlußkler.j.!en 12,] Ί coschaltet.
Der DFFiCT 20, uer nachstehend weiter ins einzelne gehend l.eschrieben wird, hat eine Source-Dlektrocc 22, eine Drain-Llektrorlo. 24 sovrie eine Gate-Flektrode 26.
.-ine keramische Tonabnehmer-Patrone 2 8 hoher !"nec'anz ist aber einen ersten Anschluß 30 rit der Gate-Llektrci'e 26 öes DFFET 20 und ric 3i:ie: zweiten Anschluß 32 elektrisch mit dor T nschlußklenme 14 verbunden, an -1er auch die 5ource-T::iektrode 2 2 des DFFLT 20 liegt.
Bei betrieb virc der Gate-Mel 11 on" "-r des ^FF^T ?0 ein Signal von der TonabneJr cr-Patrcne 2c zuref".hrt.
Der Anpassuncs-Ubertrager It" des Lautsprechern 18 liegt zwischen der Drain-Elektrode 24 des DFFET 20 und der .^nschlußklennc 12 der Versorgungssnannung.
"ivsnn ein n-!eilender DFFJ-JT für die Feh al tun" verwendet wird, soll das Potential der Anschlußklemme 12 gegenüber den Potential cry Λυ-schluSklem-ie 14 positiv sein, \:ährrnd ungekehrt bei Ve'rv.-
eines p-leitenden DFFET die Anschlußklemme 12 gegenüber der Anschlußklemme 14 negativ sein soll.
Wie mit Fig. 2 veranschaulicht, kann in einen Drain-Zweig 36 ein veränderlicher Widerstand 34 als Lautstärkeregler geschaltet sein. Statt dessen kann entsprechend Fig. 3 auch ein veränderlicher Widerstand 38 elektrisch in einen Source-Zweig 40 geschaltet sein, um die Lautstärke einzustellen. Ein dritte Möglichkeit zur Einstellung der Lautstärke wäre noch eine Veränderung der Größe der Versorgungsspannung.
Die Leistung, die die Verstärkerschaltung nach den Fig. i-3 abgeben kann, ist durch die Impedanz der Tonabnehmer-Patrone begrenzt. Wenn der Transistor groß gemacht wird, um eine hohe Ausgangsleistung zu erhalten, so wird damit auch die Eingangskapazität erhöht. Wenn dann der Transistor zu groß gewählt ist, so belastet seine Eingangskapazität die Patrone entsprechend stark, so daß auch das Ausgangssignal der Patrone verringert wird. Nach bisherigen Erfahrungen beträgt die von der Verstärkerschaltung abgegebene Leistung 1,25 W, wenn ein DFFET mit einer Kapazität von 500 pF, eine Arbeitsspannung von 10 V, eine von der Patrone abgegebene Eingangsspannung von 1 V ff, ferner ein Lautsprecher mit einer Impedanz von 25 »Ohm bzw* einem Widerstand, der unter Zwischenschaltung des Anpassungs-tibertragers 16 25 Ohm ausmacht, verwendet werden. Die so erhaltene Leistung von 1,25 W kann für die meisten Anwendungsfälle als voll ausreichend angesehen werden.
Der DFFET 20 der Schaltung nach der Erfindung ist ausführlicher in der auf dieselbe Anmelderin zurückgehenden früheren Anmeldung P 19 31 295 vom 20.6.1969 erläutert. Ein solcher DFFET 20 kann dann den mit Fig. 4 gezeigten Aufbau mit einem flexiblen Substrat 21 haben, an dessen Oberseite sich die Source-Elektrode 22, die Drain-Elektrode 24, eine die beiden Elektroden teilweise abdeckende Halbleiterschicht 25, eine sich über die Halbleiterschicht 25 erötrekkende Isolierschicht 27 sowie darüber die Gate-Elektrode 26 befinden·
Das Substrat kann aus jedem geeigneten bekannten Substratmaterial
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wie poliertes Glas, Saphir oder Quarz bestehen, ist jedoch, wie erwähnt, vorzugsweise flexibel. Als flexibles Material kommen beispielsweise Papier, Polyäthylenterephthalat, wie es unter der Bezeichnung Mylar vertrieben wird, Ester und Äther der Zellulose wie Äthylzellulose, Azetatzellulose und Nitrozellulose, Zellwolle wie Zellophan, ferner Polyvinylchlorid, Polyvinylchloridazetat, Polyvinylidenchlorid, wie es unter der Bezeichnung Saran verkauft wird, Nylonfilm, Polyimid- und Polyamidimid-Filme, Polytetrafluoräthylen, wie es unter der Bezeichnung Teflon verkauft wird, Polytrifluormonochloräthylen, wie es unter der Bezeichnung KeI F verkauft wird, sowie flexible Bänder und Folien aus Metallen wie Nickel, Aluminium, Kupfer, Zinn, Tantal sowie Legierungen daraus oder eisenhaltige Legierungen wie dünne Edelstahlstreifen in Frage. Im Hinblick auf die bei Betrieb der Schaltung nach.der Erfindung abzuführende Wärme ist das flexible Substrat vorzugsweise ein Metallband, wobei sich AIuminiumband als besonders günstig erweist.
Der in Verbindung mit dem Ausdruck "flexibles Substrat" verwendete Begriff "flexibel" ist so zu verstehen, daß ein solches Material um einen Dorn geschlagen werden kann, der maximal einen Durchmesser von etwa 25 mm, vorzugsweise jedoch einen Durchmesser in der Grössenordnung von 3-4 mm hat. Flexible, Feldeffekttransistoren entsprechend Fig. 4 tragende Substrate wurden auf Krümmungsradien vok bis zu 1,5 mm gebracht, ohne daß eine Beeinträchtigung der Arbeitsweise zu beobachten gewesen wäre.
Mit Fig. 5 ist eine etwas abgewandelte Ausführungsform eines in diesem Fall mit 120 bezeichneten Feldeffekttransistors wiedergegeben. Das flexible Substrat 121 des Feldeffekttransistors 120 wird von einer flexiblen Metallfolie oder einem flexiblen Metallband gebildet, auf die bzw. das vor der Fertigstellung des Schaltelementes eine Lage 130 aus einem elektrisch isolierenden Material aufgebracht wird, die den DFFET gegenüber dem Substrat Isoliert.
Je nach dem das Substrat bildenden Metall kann die Isolationalage 130 ein anodisches Oxid (Eloxalverfahren) des Bandmaterials seibat sein, beispielsweise Aluminiumoxid, wenn das für das Substrat 121
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verwendete Metall Aluminium ist, oder die Isolation kann von einem der elektrisch isolierenden, aushärtenden Harzwerkstoffe gebildet sein, wie sie als Isolation für elektrisch leitende Drähte Verwendung finden, beispielsweise polyvinylgebildete Phenolharze, wie sie unter der Bezeichnung Formex vertrieben werden, oder Epoxyharze einschließlich Gemischen mit Polyamidimiden und Polyamidharzen, wie sie in der US-Patentschrift 3 179 630 und der Britischen Patentschrift 1 028 927 beschrieben sind.
Die Source-Elektrode 22 bzw. 122 und die Drain-Elektrode 24 bzw. 124 der DFFET 20 bzw. 120 nach Fig. 4 bzw. Fig. 5 sind auf dem flexiblen Substrat 21 bzw. der das Substrat 121 isolierenden Lage 130 im Abstand voneinander angeordnet. Die Abstände zwischen der Source- und der Drain-Elektrode sind nicht kritisch und hängen von den gewünschten Eigenschaften ab. Die Source-Elektrode 22 (122) und die Drain-Elektrode 24(124) bestehen aus einem geeigneten elektrisch leitenden Metall wie Gold, Silber, Aluminium, Nickel und Grundlegierungen daraus. Die Source-Elektrode 22 (122) und die Drain-Elektrode 24 (124) sollen eine Dicke haben, die ausreicht, um ihre Funktion als ohmsche Kontakte zu gewährleisten. Für die meisten Schaltelemente wurde gefunden, daß eine Dicke von 80 A* bis 500 8 und vorzugsweise von 100 8 bis 300 8 als ausreichend angesehen werden kann.
Die Halbleiterschicht 25 (125) erstreckt sich zwischen der Source-Elektrode 22 (122) und der Drain-Elektrode 24 (124). Die Halbleiterschicht 25 (125) steht dabei mit den beiden Elektroden in Kontakt. Vorzugsweise sind die Source-Elektrode 22 (122) und die Drain-Elektrode 24 (124) durch die Halbleiterschicht 25 teilweise überlappt. Die Halbleiterschicht 25 kann aus einem Halbleitermaterial wie etwa Tellur, Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid, Silicium, Indiumarsenid, Galliumarsenid, Zinnoxid oder Bleitellurid bestehen« Dabei kann die Schicht 25 (125) einkristallin, polykristallin oder amorph sein.
Die Stärke der Halbleiterschicht 25 (125) muß so gewählt sein, daß das damit versehene Schaltelement sowohl mit Elektronenzunahme als
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auch Elektronenabgabe (Elektronen- bzw. Löcherleitung) arbeiten kann. Für ein p-leitendes Material wie Tellur ist eine Stärke von 100 8 bis 300 8, vorzugsweise etwa 125 8 ausreichend. Für ein η-leitendes Material wie Cadmiumsulfid ist eine Stärke von 100 8 bis 3.000 Ä als ausreichend anzusehen.
Die Isolierschicht 27 (127) braucht die Halbleiterschicht 25 (125) nicht vollständig abzudecken und auch nicht von der Source-Elektrode 22 (122) bis zur Drain-Elektrode 24 (124) zu reichen, sondern muß lediglich die Gate-Elektrode 26 (126) gegenüber der Halbleiterschicht 25 (125) isolieren.
Die Isolierschicht 27 (127) kann von einem geeigneten anorganischen Isolierstoff wie Siliciummonoxid, Siliciumdioxid, Aluminiumoxid, Calciumfluorid, Magnesiumfluorid und polymerislerbaren organischen Stoffen wie Polymeren des Hexachlorbutadiens, des Divinylbenzols, der Arylsulfone, fluorierter Alkenyle (beispielsweise Tetrafluoräthylen) oder des Para-Xylols gebildet sein.
Die Isolierschicht 27 (127) soll so dünn wie möglich sein, so daß der Strom des Schaltelementes bei einer verhältnismäßig niedrigen Spannung moduliert werden kann. Die Lage muß jedoch den an sie gestellten Anforderungen als elektrischer Isolator genügen. Für eine Lagenstärke von 100 8 wurde gefunden, daß dann gelegentlich feinporige öffnungen verbleiben, die die elektrische Isolierwirkung der Lage in nachteiliger Vieise beeinflussen. Eine Stärke von etwa 300 8 scheint die untere Grenze zu sein, wenn solche feinporigen öffnungen ausgeschlossen werden sollen, während eine Lagenstärke von'1.000 8 offenbar einen optimalen Kompromiß zwischen der Forderung nach einer durchgangsfreien Isolierlage einerseits und einer Modulation bei niedriger Spannung andererseits darzustellen scheint* übersteigt die Arbeitespannung der Schaltungsanordnung 100 V» so muß die Stärke etwa 3.000 8 betragen, und für eine Arbeltsspannung von 200 V soll die Dicke zwischen 500 8 und 6.000 8 liegen*
Öie Gate-Elektrode 26 <126) ist auf der Isolierschicht 27 (127)
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zwischen der Source-Slektrode 22 (122) und der Drain-Elektrode 24 (124) angeordnet.
Die Gate-Elektrode 26 (126) besteht aus einem elektrisch gut leitenden Metall wie Aluminium, Kupfer, Zinn, Silber, Gold oder Platin. Um sicherzustellen, daß die Gate-Elektrode 26 (126) eine ausreichende Leitfähigkeit besitzt, sollte sie eine Stärke zwischen 300 R bis IaOGO R, vorzugsweise von 500 R bis 1.000 8, haben.
Feldeffekttransistoren entsprechend Fig» 4 bzw. 5 weisen ein stabiles Betriebsverhalten auf und ließen sich bei Frequenzen bis zu 60 MHz einsetzen. Dabei wurden die Transistoren über 1.000 Stunden in Betrieb gehalten, ohne daß eine wesentliche, meßbare Änderung ihrer Eigenschaften eingetreten wäre.
Die Herstellung eines DFFET 20, wie er in Verbindung mit der vorliegenden Erfindung Verwendung findet, erfolgt in großen Zügen so, daß das Substrat, vorzugsweise ein flexibles Metallband, in eine Vakuumkammer gebracht und sodann ein Metall wie Gold oder eines der v/eiteren, oben genannten Metalle durch eine Schablone oder Maske unter Bildung der Source- und Drain-Elektroden aufgedampft wird. Die Maske wird dann durch eine zweite Maske ersetzt und hierauf ein Halbleitermaterial wie Tellur oder eines der weiteren, oben aufgeführten Halbleitermaterialien aufgedampft, so daß der Halbleiterbereich zwischen der Source- und Drain-Elektrode entsteht. Danach wird die Maske erneut ausgewechselt und eine elektrische Isolierschicht, beispielsweise eine Siliciummonoxidschicht, aufgedampft, die die Isolierschicht für die Gate-Elektrode bildet. Schließlich wird mittels einer vierten Maske die Gate-Elektrode aus Aluminium oder einem anderen geeigneten Metall auf die Isolierlage aufgedampft.
Wenn eine höhere Leistung als etwa 1,25 W, wie sie mit der Verstärkerschaltung nach Fig. 1 maximal erzielbar ist, benötigt wird, so kann mit einer abgewandelten Verstärkerschaltung entsprechend Fig. 6 gearbeitet werden. Diese Verstärkerschaltung 110 nach Fig. 6 ist mit Anschlußklemmen 112,114 für die Versorgungsspannung versehen.
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Ein Lautsprecher 118 und ein Leistungs-Dünnfilm-Feldeffekttransistor (LDFFET) 219 sind elektrisch in Reihe zwischen die Anschlußklemmen 112 und 114 geschaltet. Die Drain-Elektrode 224 des LDFFET 219 ist mit dera der Anschlußklemme 112 abgewandten Anschluß des Lautsprechers 118 verbunden. Die Source- Elektrode 222 des LDFFET ist mit der Anschlußklemme 114 verbunden.
Ein zweiter DFFET 120, der dem DFFET 20 der Fig. 1 entspricht, sowie ein Widerstand 150 sind ebenfalls in Reihe zwischen die Anschlußklemmen 112, 114 geschaltet. Die Drain-Elektrode 24 des DFFET 120 liegt an dem einen Ende 152 des Widerstandes 150, der' ί nit seinem anderen Ende 154 an die Anschlußklemme 112 geführt ist. Der Verbindungspunkt von Drain-Elektrode 24 und Widerstand 150 ist außerdem mit der Gate-Elektrode 226 des LDFFET 219 verbunden. Die Source-Elektrode 22 des DFFET 120 liegt an der Anschlußklemme 114.
Eine keramische Tonabnehmer-Patrone 128 hoher Impedanz liegt mit ihrem ersten Anschluß 130 an der Gate-Elektrode 26 des DFFET 120 und mit ihrem zweiten Anschluß 132 an der Anschlußklemme 114 der Versorgungsspannung.
Die Verwendung des LDFFET 219, der eine Impedanz zwischen 10 und 100 0hm hat, ermöglicht es, die Impedanz des DFFET 120, die etwa 2.000 0hm beträgt, an die Impedanz des Lautsprechers 118 anzupas- ™ sen, ohne daß dazu ein Anpassungs-Übertrager erforderlich wäre.
Der LDFFET 219 der Fig. 6 ist mit Leistungsdichten von bis zu 80 VJ/cm2 bei Frequenzen von bis zu 1 MFIz und mehr gebaut worden. Mit Fig. 7 ist eine praktische Ausführungsform einesLDFFET 219 schematisch veranschaulicht, wie er sich für die vorliegende Erfindung eignet. Dieser LDFFET 219 weist einen als Gate-Elektrode wirksamen Aluminiumblock 221 auf, auf dessen Oberseite sich eine Isolierlage 230 erstreckt, die beispielsweise aus Aluminiumoxid besteht. Die Oxid-Isolierlage 230 kann eine Stärke von 500 bis 1.000 8 haben und dient zur Isolation der Gate-Elektrode.
Auf der Isolierlage 230 ist eine flalbleiterschicht 225 angeordnet,
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die aus einem der weiter oben für die Dünnfilm-Feldeffekttransistoren 20 bzw. 120 angegebenen Materialien bestehen kann. Geeignete Materialien sind beispielsweise Tellur für einen p-leitenden Kanal bzw. Cadmiumselenid für einen n-leitenden Kanal.
Auf der Halbleiterschicht 225 befinden sich die Source-Elektrode 222 und die im Verhältnis dazu versahnte Drain-Elektrode 224. Der Abstand zwischen den beiden Elektroden richtet sich nach der Größe des zu führenden Stromes, wobei als grobe Annäherung gilt, daß 1 mm Kanalbreite für IO mA Strom erforderlich sindj, so daß für ein Schaltelement, das für einen Strom von 1 A ausgelegt ist, eine Kanalbreite von 10 cm eingehalten werden muß. Da der spezielle Aufbau eines LDFFET entsprechend Fig» 7 keinen unmittelbaren Gegenstand der vorliegenden Erfindung bildet, soll darauf an dieser Stelle nicht weiter eingegangen werden, jedoch wird der Vollständigkeit halber auf die korrespondierende Patentanmeldung
vom gleichen Tage (US-Voranmeldung Ser.Mo. 34,842 vom 5.5.1970) verwiesen.
In Figo β kann der mit der strichpunktierten Linie eingefaßte Schaltungsteil auf einem gemeinsamen einzigen Substrat angeordnet sein. -
Mit der Schaltung nach der Erfindung steht eine Miniatair-Verstärkerschaltung zur Verfügung* die sich in besonders vorteilhafter Weise für Plattenspieler oder sonstige ähnliche Geräte aus dem Bereich der Tonfrequenztechnik einsetzen IaSt.
Patentansprüche i
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Claims (5)

P atentans. prtiche
1. Verstärkerschaltung mit einem Lautsprecher und einem daran angeschlossenen Schaltelement zur Anpassung der Impedanz des Lautsprechers an die Impedanz einer Tonabnehmer-Patrone hoher Impedanz sowie eines von der Patrone gesteuerten Verstärkungs-Schältelementes, dadurch gekennzeichnet, daß das Verstärkungs-Schaltelement als Dünnfilm-Feldeffekttransistor (20?120) ausgebildet und in Reihe mit dem Anpassungs-Schaltelement zwischen die Klemmen (12,14;112,114) einer Versorgungsspannung· geschaltet ist und daß ein erster Anschluß (30;130) der Tonabnehmer-Patrone (28;128) an einer Gate-Elektrode (26) des Dünnfilm-Feldeffekttransistors und ein zweiter Anschluß (32;132) der Tonabnehmer-Patrone (28;128) zusammen mit der Source-Elektrode (22) des Dünnfilm-Feldeffekttransistors an der einen Klemme (14;114) der Versorgungsspannung liegt.
2. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Anpassungs-Schaltelement ein Anpassungs-Übertrager (16) ist.
3. Verstärkerschaltung nach Anspruch !,dadurch gekennzeiehnmet daß das Anpassungs-Schaltelement ein zweiter Dünnfilm-Feldeffekttransistor (219) ist.
4. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1,2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß- zwischen die Source-Elektrode (22) des Feldeffekttransistors (20) und die Anschlußklemme (14) der Versor- ^gungsspannung ein veränderliche^ Widerstand (38) geschaltet ist. .
5. Verstärkerschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Anpassungs-übertrager (16) und die Anschlußklemme (12) der Versorgungsspannung ein veränderlicher Widerstand (34) geschaltet ist.
KN/hs 3
109848/1?GB
Leerseite
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS525204A (en) * 1975-07-01 1977-01-14 Seiko Epson Corp Hearing aid
US4620208A (en) * 1983-11-08 1986-10-28 Energy Conversion Devices, Inc. High performance, small area thin film transistor
GB2298983A (en) * 1995-03-17 1996-09-18 Martin Leach A power amplifier for driving an output transformer
TW548853B (en) * 2002-09-13 2003-08-21 Ind Tech Res Inst Method of manufacturing flexible TFT display

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6414669A (de) * 1964-01-16 1965-07-19
US3512100A (en) * 1968-07-03 1970-05-12 Intern Research Products Inc Audio frequency amplification circuit

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FR2091181A5 (de) 1972-01-14
GB1342109A (en) 1973-12-25

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