DE2118613A1 - Bilaterale Halbleiterschalttnode - Google Patents

Bilaterale Halbleiterschalttnode

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DE2118613A1
DE2118613A1 DE19712118613 DE2118613A DE2118613A1 DE 2118613 A1 DE2118613 A1 DE 2118613A1 DE 19712118613 DE19712118613 DE 19712118613 DE 2118613 A DE2118613 A DE 2118613A DE 2118613 A1 DE2118613 A1 DE 2118613A1
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semiconductor switching
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Demir Sertel Scottsdale Ariz Zoroglu (VStA) M
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Description

P AT E N TA N WALT DIPL.-ING. LEO FLEUCHAUS 2118613
8M0NCHEN71,
MelchioratraBe 42
Mein Zeichen: M182P/G" 515 / 5
Motorola, Inc. 9401 West Grand Avenue Franklin Park, Illinois V.St. A.
Bilaterale Halbleiters chalttriode
Die Erfindung betrifft eine bilaterale Halbleiterschalttriode hoher Schaltleistung mit einer Steuerschicht, einer Katodenschicht und einer Anodenschicht und einer Hauptschicht zwischen der Anodenschicht und der Steuerschicht.
Eine bilaterale Halbleiterschalttriode, ebenfalls als "triac" bekannt, stellt eine bekannte Mehrschichten-Festkörper-Schaltvorrichtung dar, die zumindest zwei Hauptelektroden und eine Steuerelektrode besitzt. Die bilaterale Halbleiterschalttriode ist in jeder Richtung nichtleitend, wenn die Spannung zwischen der Steuerelektrode und einer Hauptelektrode unterhalb eines bestimmten Wertes bzw. Zündwertes liegt. Diese Triode ist demgegenüber in beiden Richtungen leitend, wenn die Spannung zwischen der Steuerelektrode und einer Hauptelektrode über einem vorher bestimmten Wert liegt. Die Steuerelektrode verliert die
Wb/wb 109845/1674 Steuerung
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Steuerung der Leitfähigkeit der bilateralen Halbleiterschalttriode, sobald diese leitend wird; demgegenüber wird diese Triode nichtleitend (z.B. wenn keine Zündspannung an der Steuerelektrode liegt), sobald die an die Hauptelektrode angelegte Spannung auf Null abfällt, wobei jedoch noch die Ladung auf der Hauptschicht zu verbrauchen ist. Demzufolge wird eine bilaterale Halbleiterschalttriode nicht unmittelbar dann nichtleitend, nachdem die an die Hauptelektroden angelegte Spannung auf Null abfällt und demnach kann diese Triode leitend bleiben, obwohl die durch die Hauptelektroden fließende Spannung den * . Nullwert durchlaufen hat, wenn die an die Hauptelektroden angelegte Spannung verglichen mit der Zeit hoch ist, die zur Ladungsabgabe der Hauptschicht benötigt wird. Die Leitfähigkeit der bilateralen Halbleiterschalttriode wird in diesem Falle zur nächsten Halbperiode der auf die Hauptelektroden der Triode angelegten Spannung übertragen3 wodurch die Triode solange leitend bleibt, solange der HF-Wechselstrom auf die Hauptelektroden übertragen wird, wodurch die Einsatafähigkeit der bilateralen Halbleiterschalttriode auf niedrigere Frequenzen beschränkt würde.
Der Erfindung liegt demnach die Aufgabe zugrunde, eine bilaterale Halbleiterschalttriode zu schaffen, die schneller nichtleitend wird, nachdem die auf die Hauptelektroden angelegte P Spannung auf Null abfällt, als dies bei den bekannten Trioden dieser Art der Fall ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß innerhalb der bilateralen Halbleiterschalttriode ein Schlitz vorgesehen ist, der in die bilaterale Halbleiterschalttriode in einer Weise und bis zu einer Tiefe hineinragt, daß die Steuerschicht, die Katodenschicht und die Hauptschicht in zwei Teile zerschnitten werden, wobei der Schlitz genau über der Anodenschicht ausläuft, daß eine Steuerelektrode wenigstens beide Teile der Steuerelektrode, der Anodenelektrode und der Katodenelektrode der bilateralen Halbleiterschalttriode berührt.
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Eine besonders vorteilhafte Verwirklichung der Erfindung besteht in einem Schlitz, der durch nahezu die gesamte Halbleiterschalttriode läuft, wobei die einzelnen durch den Schlitz getrennten pn-Übergänge dadurch passiviert wer,den können, daß die freiliegenden Übergangs- bzw. Oberflächenschichten des Schlitzes mit einem Isolierstoff wie z.B. Siliziumdioxid beschichtet werden. Um die mechanische Festigkeit der bilateralen Halbleiterschalttriode wiederherzustellen, wird der übrige Teil des Schlitzes mit einem Isoliermaterial ausgefüllt, z.B. durch Einlagerung von polykristallinem Silizium in den Schlitz. Somit entsteht eine bilaterale Halbleiterschalttriode, die gegenüber den bekannten Trioden dieser Art bei einer höheren Geschwindigkeit umgeschaltet werden kann.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispieles in Verbindung mit den Ansprüchen und den Zeichnungen hervor. Es zeigen:
Fig. 1 eine Ansicht von oben einer erfindungsgemäß aufgebauten bilateralen Halbleiterschalttriode;
Fig. 2 eine Ansicht von unten der in Fig. 1 dargestellten Triode;
Fig. 3 und 6 Querschnittdarstellungen der in Fig. 1 gemäß der Linie 3-3 gezeigten Triode und
Fig. U und 5 Querschnittdarstellungen der in Fig. 1 gemäß der Linie U-M gezeigten Triode.
In Figur 1 stellt der obere Teil der Triode 10 die Katodenseite dar. Zwei Elektroden IU und 16 sind auf den oberen Teil der bilateralen Halbleiterschalttriode 10 aufgebracht. Die Elektrode m ist die Haupt- bzw. Katodenelektrode und erstreckt sich über
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die gesamte Breite des Hauptteiles der Katodenseite des Block-es, wobei in dieser Form ein Endbereich der Katodenseite freibleibt, der nicht von der Elektrode 14 bedeckt wird. Ein Ende der bilateralen Halbleiterschalttriode 10 wird von der Steuerelektrode 16 bedeckt. Die Elektrode 16 besitzt die Breite der Triode 10, wobei die Elektrode 16 in Längsrichtung der Triode 10 gleichförmig ausgebildet ist, außer daß eine Zunge 18 von der Mitte einer Seitenhälfte der Elektrode 16 herausragt, deren Funktion später erklärt wird. Die Elektroden 16 und 14 sind in der in Fig. 1 dargestellten Art voneinander getrennt. Eine weitere Haupt- oder Anodenelektrode 20 bedeckt fast vollständig die untere bzw. Anodenseite der bilateralen Halbleiterschalttriode wie in Figur 2 dargestellt ist.
Der Aufbau der bilateralen Halbleiterschalttriode 10 wird in Verbindung mit den Figuren 1, 2, 3 und 4 beschrieben, wobei die Figuren 3, 4, 5 und 6 zur Beschreibung der Betriebsweise der Triode 10 herangezogen werden.
Eine Gatterschicht 24 vom Typ N ragt mit Ausnahme des Schlitzes 26 und des Ausschnittes 28 durch die untere nahegelegene Kante der Triode 10 wie aus der Darstellung in Fig. 1 hervorgeht. Eine obere Basisschicht 30 vom Typ P liegt unter der Gatterschicht 24 und ragt auf beiden Seiten des Schlitzes 26 in die Aussparung 28. Wie aus Figur 1 ersichtlich, ragt auf der rechten Seite des Schlitzes 26 die P-Schicht 30 vom Schlitz 26 zur äußeren Kante der Triode in seitlicher Richtung und überragt die Länge der Triode 10 in Längsrichtung. Auf der linken Seite des Schlitzes 26 ragt die P-Schicht 30 vom Schlitz 26 zur Kante der Triode 10 in der Breitenausdehnung bzw. Seitenabmessung und überragt ebenfalls die Länge der Triode 10 in Längsrichtung. Auf der linken Seite des Schlitzes 26 befindet sich die P-Schicht 30 nicht unter der Gatterschicht 24, sondern unter einer N-Schicht 32 wie ebenfalls aus Figur 2 hervorgeht.
- 4 - Die
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Die P-Schicht 30 umfaßt den rechten Abschnitt des oberen Teiles der Triode 10, wobei der Teil ausgenommen ist, der von der Gatterschicht 24 bedeckt wird. Die P-Schicht 30 auf der linken Seite des Schlitzes 26 umfaßt den oberen Teil der Triode nur auf der Strecke zwischen der Kante der Elektrode 16 (jedoch nicht die Zunge 18) und der Elektrode 14-. Die P-Schicht 30 reicht ebenfalls durch den mittleren Teil der N-Schicht 32 wie in Figur 1 dargestellt. Die Zunge 18 der Elektrode 16 berührt die P-Schicht 30 außerhalb der Steuerschicht 24, wodurch die Steuerelektrode 18 beide Seiten der Steuerschicht 24 und die P-Schicht 30 auf beiden Seiten des Schlitzes berührt. Die Katodenelektrode 14 berührt die P-Schicht 30 auf beiden Seiten des Schlitzes '26 und die Katodenelektrode 14 berührt die N-Schicht 32 auf der linken Seite des Schlitzes 26 wie aus Figur 1 zu ersehen ist.
Eine Hauptbasisschicht 34 vom Typ N besitzt im wesentlichen eine gleichmäßige Dicke und ragt in jeder Seitenrichtung vom Schlitz 26 zur Kante der bilateralen Halbleiterschalttriode. Eine untere Basisschicht 36 vom Typ P liegt unter der gesamten Fläche der N-Schicht 34, wobei jedoch trotz des Einschnitts in die untere Basisschicht 36 durch den Schlitz 26 dieser die untere Basisschicht 36 nicht trennt. Wie in Fig. 2 dargestellt, besitzt die untere Basisschicht 36 einen L-förmigen Ausschnitt, um die untere N-Schich't 40 aufzunehmen. Der lange Teil der L-förmigen, unteren Schicht 40 verläuft längs der Triode 10 auf der linken Seite dieser Triode (siehe Fig. 2) und besitzt etwa die halbe Breite der Triode 10. Der kürzere Teil der L-Form ist größer als die Breite der Steuerschicht 24 und erstreckt sich auf die volle Breite der Triode am Ende der Steuerelektrode. Die Stärke der N-Schicht 40 kann sich entsprechend den Kennwerten ändern, die die Halbleitertriode besitzen soll. Die Anodenelektrode 20 berührt sowohl die untere Fläche der P-Schicht 36 als auch die untere Fläche der N-Schicht 40.
Der Schlitz 26 kann in den Block eingebracht werden,
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- 5 - bevor
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bevor der Block zur Herstellung der Halbleitertriode 10 weiterverarbeitet wird. Sofern gewünscht, kann dieser Schlitz auch nach der Herstellung eingebracht werden. Sämtliche pn-Obergänge, die durch die Wandungen des Schlitzes 26 freiliegen, werden durch Aufwachsen bzw. Auflage einer Siliziumdioxidschicht 42 auf die Wandungen des Schlitzes nach irgendeinem bekannten Verfahren passiviert. Der nichtausgefüllte Raum des Schlitzes 26 kann mit einem Isoliermaterial wie beispielsweise polykristallinem Silizium ausgefüllt werden. An dieser Stelle wird darauf hingewiesen, daß nur ein Teil der Schicht 36 und kein Teil der Schicht 40 vom Schlitz 26 durchdrungen wird.
Die Betriebsweise der erfindungsgemäß aufgebauten, bilateralen Halbleiterschalttriode wird unter Bezug auf Figur 3 beschrieben, wobei davon ausgegangen wird, daß die Spannung an der Gatterelektrode 16 gegenüber der Katodenelektrode 14 positiv und die Anodenelektrode gegenüber der Katodenelektrode 14 negativ ist. Wie durch die horizontal verlaufenden, durchgezogenen Pfeile gezeigt wird, fließt der Strom von der Elektrode 16 zur Elektrode 14, wodurch eine positive Spannung am Ende der Schicht 30 nahe des Ausschnittes 28 erzeugt wird. Der Übergang 52 zwischen den Schichten 30 und 34 wird in Vorwärtsrichtung zu dem Punkt betrieben (siehe senkrechte, durchgezogene Pfeile, pn-übergang 52), an dem eine Lochwanderung von der Schicht 30 zur Schicht 34 erfolgt. Einige dieser Löcher werden vom pn-übergang 54 zwischen den Schichten 34 und 36 aufgenommen, was zur Folge hat, daß im pn-übergang 55 zwischen den Schichten 36 und 40 ein noch stärkerer Fluß in Vorwärtsrichtung erfolgt. Die Elektronen werden somit veranlaßt, wie durch die unterbrochenen Pfeile dargestellt wird, über den pn-übergang 56 durch die Schicht 40 zur Schicht 36 zu fließen. Diese Elektronen werden vom Übergang 54 aufgenommen, was zur Folge hat, daß die Hauptschicht 34 noch negativer wird, wodurch mehr Löcher von der Schicht 34 in die Schicht 36 injiziert werden und somit die Triode 10 zwischen der Anodenelektrode 20 und der Katodenelektrode 14 voll leitend wird.
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- 6 - Nunmehr
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Es sei angenommen, daß die Gatterelektrode 16 gegenüber der Katodenelektrode 11 positiv und die Anodenelektrode gegenüber der Katodenelektrode 14 positiv ist. Bezugnehmend auf die Darstellung in Figur 4 fließt der Strom von der Gatterelektrode 16 zur Katodenelektrode 14, wodurch die Spannung am bzw. in Nähe des Randes des Teiles der Schicht 32, das sich der Schicht 24 am nahegelegendsten befindet, positiv wird. Übersteigt diese Spannung etwa ein halbes Volt, so wird tier nahegelegene Teil des pn-Obergangs 50 zwischen den Schichten 32 und 30 leitend und die durch die unterbrochenen Pfeile angedeuteten Elektronen werden von der Schicht 32 über den Übergang 50 und durch die Schicht 30 injiziert und vom pn-übergang 52 aufgenommen. Gelangen diese Elektronen in die Hauptschicht 34, so setzen sie deren Spannung gegenüber der Schicht 36 herab und somit werden Löcher von der Schicht 36 über den pn-übergang 54 in die Hauptschicht 34 injiziert. Innerhalb einer sehr kurzen Zeit steigt die Anzahl der Löcher auf einen Wert an, bei dem die Halbleiterschalttriode zwischen der negativen Anodenelektrode 20 und der positiven Katodenelektrode 14 voll leitend
Nunmehr sei angenommen, daß die Gatterelektrode 16 negativ und die Anodenelektrode 20 gegenüber der Katodenelektrode 14 positiv ist. Unter Bezugnahme auf Figur 5 wird festgestellt, daß der pn-übergang 58 zwischen der Gatterschicht 24 und der Schicht 30 in Vorwärtsrichtung betrieben wird, wodurch die Gatterschicht 24 in die Schicht 30 Elektronen injiziert,wie durch die linken, senkrechten und unterbrochenen Pfeile angezeigt wird. Diese Elektronen werden vom Übergang 52 aufgenommen, der die Spannung der Hauptschicht 34 herabsetzt, wodurch in die Hauptschicht 34 Löcher von der Schicht 36 injiziert werden, wie durch die unteren, durchgezogenen Pfeile (pn-übergang 54) dargestellt wird. Diese Elektronen werden vom Übergang 52 unter dem linken Ende des linken Teiles der Schicht 32 aufgenommen, wodurch■»eine Lochwanderung zur Elektrode 14 erfolgt, die bewirkt, daß sich am Ende der Schicht 32 nahe der Steuerschicht 24 eine positive Spannung aufbaut. Wie durch die rechten, unterbrochenen Pfeile dargestellt wird, fließen die Elekli,ien nunmehr vom lin-
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- 7 - ken
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ken Teil der Schicht 3 2 in die Schicht 34 und die Halbleiterschalttriode wird leitend, wobei die Katodenelektrode 14· negativ und die Anodenelektrode 20 positiv zur jeweils entgegengesetzten ist.
Es sei angenommen, daß die Gatterelektrode 16 und die Anodenelektrode 20 beide negativ gegenüber der Katodenelektrode sind. Somit wird, wie aus Figur 6 ersichtlich, der Übergang 58 zwischen der Gatterschicht 24 und der Schicht 30 in Vorwärtsrichtung betrieben, wodurch die Elektronen von der Schicht 24 in die Schicht 30 injiziert werden. Diese Elektronen werden vom pn-Obergang 52 aufgenommen und demzufolge wird die ρ Spannung der Hauptschicht 34 gegenüber der Schicht 30 herabgesetzt. Somit werden Löcher von der Schicht 30 in die Schicht 34 injiziert, wobei einige dieser Löcher vom pn-übergang 54 aufgenommen werden, wodurch die Spannung der Schicht 36 gegenüber der Schicht 40 erhöht wird und demzufolge Elektronen von der Schicht 40 in die Schicht 36 injiziert werden. Nachdem diese Elektronen vom pn-übergang 54 aufgenommen wurden, vermindert sich weiterhin die Spannung der Schicht 34, wodurch von der Schicht 30 eine verstärkte Lochwanderung in die Schicht 34 erfolgt. Diese Rückkopplungswirkung dauert an und nach sehr kurzer Zeit fließt der Strom von der pos±iven Katodenelektrode 14 zu der verhältnismäßig negativen Anodenelektrode 20.
^ Die obenstehende Erklärung der Betriebsweise der Halbleiterschalttriode 10 ist auf viele Typen des gezeigten Aufbaus anwendbar und zwar unabhängig davon, ob diese einen Schlitz 26 aufweisen oder nicht. Außerdem ist darauf hinzuweisen, daß, sofern die Spannung der Anode 20 gegenüber der Katode positiv ist, der Einsatz an der linken Seite des Schlitzes 26 stattfindet (siehe hierzu Fig. i,Abschnitt 4-4 sowie Fig. 4 und 5); ist die Spannung der Anode 20 gegenüber der Katode negativ, so findet der Einsatz an der rechten Seite des Schlitzes 26 statt (siehe hierzu Fig. 1, Abschnitt 3-3 sowie Fig. 3 und 6). Die Polarität der Steuerelektrode ändert hierbei nicht die Lage des Einsatzes.
- 8 - Es.
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Es wird darauf hingewiesen, daß die in der Hauptschicht 34· gespeicherten Ladungen eine aktive Wirkung auf die Leitfähigkeit der Halbleiterschalttriode ausüben. Während des Betriebes einer Halbleiterschalttriode wird ebenfalls eine Ladung in der Hauptschicht 34 gespeichert, wenn die Triode leitend ist, wobei die Ladung auf der einen oder der anderen Seite des Schlitzes 26 gespeichert wird, auf der sich der Einsatz der Schalttriode vollzieht und auf der die stärkste Leitung stattfindet. Darüberhinaus ist zu bemerken, daß die Leitung über einen Teil der Schalttriode auf einer Seite des Schlitzes und für eine Polarität der Anodenspannung sowie über einen Teil der Schalttriode auf der anderen Seite des Schlitzes 2*6 und für eine umgekehrte Anodenspannung erfolgt. Wird demzufolge die Ladung in der Hauptschicht 34- daran gehindert, von einer Seite der Schalttriode zur anderen zu fließen, wie dies beispielsweise durch den Schlitz 26 bewirkt wird, so kann die in der Schalttriode durch Stromfluß gespeicherte Ladung die Einsatzbedingungen der Schalttriode nicht beeinträchtigen, wenn der Stromfluß durch den Teil der Schalttriode auf der anderen Seite des Schlitzes in Gegenrichtung verläuft. Demzufolge kann die beschriebene Schalttriode eine Umschaltung wesentlich schneller vornehmen als dies bei bekannten Trioden dieser Art der Fall ist.
Da die Herstellung der beschriebenen Schalttriode nach in sich bekannten Verfahren erfolgen kann, wird auf eine Beschreibung des Herstellungsverfahrens verzichtet.
Zusammenfassend wird eine bilaterale Halbleiterschalttriode beschrieben, die zwei Teile verschiedener Schichten besitzt und dabei insbesondere eine Hauptschicht umfaßt, die von jeder anderen isoliert ist, wodurch bei Umkehrung der an die Hauptelektroden angelegten Spannung die in einem Teil der Hauptschicht der bilateralen Halbleiterschalttrxode während des Stromflusses in einer Richtung gespeicherte Ladung nicht in den anderen Teil der Hauptschicht fließen kann. Diese Isolation erhöht
- 9 - daher
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daher die maximale Schaltgeschwindigkeit der sich ergebenden bilateralen Halbleiterschalttriode über die Werte der bekannten Halbleiter-Schalttrioden hinaus.
- 10 - Pateritans prüche
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Claims (1)

  1. M182P/G-515/516 ·
    Patentansprüche
    Bilaterale Halbleiterschalttriode hoher Schaltleistung mit einer Steuerschicht, einer Katodenschicht und einer Anodenschicht und einer Hauptschicht zwischen der Anodenschicht und der Steuerschicht, dadurch gekennzeichnet, daß ein Schlitz (26) vorgesehen ist, der in die bilaterale Halbleiterschalttriode (10) in einer Weise und bis zu einer Tiefe hineinragt, daß die Steuerschicht (24), die Katodenschicht und die Hauptschicht (3M-) in zwei Teile zerschnitten werden, wobei der Schlitz (26) genau über der Anodenschicht ausläuft, daß eine Steuerelektrode wenigstens beide Teile der Steuerelektrode, der Anodenelektrode und der Katodenelektrode der bilateralen Halbleiterschalttriode (10) berührt.
    2. Bilaterale Halbleitersehalttriode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche des Schlitzes (26) mit einem Isoliermaterial beschichtet ist.
    3. Bilaterale Halbleiterschalttriode nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der übrige Teil des Schlitzes (26) mit einem festen Füllmaterial ausgefüllt ist.
    t. Bilaterale Halbleiterschalttriode hoher Schaltleistung, bestehend aus einem Block aus Halbleiterstoff mit einer oberen und einer unteren Fläche, einer Gatterschicht einer ersten
    - 11 -
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    M182P/G-515/516
    Leitfähigkeit mit einer Schaltung, die einen Teil der oberen Fläche des Blockes umfaßt, wobei die Gatterschicht einen Ausschnitt in der Fläche aufweist, ferner eine obere Basisschicht einer zweiten Leitfähigkeit, die unter der Gatterschicht liegt und in den Ausschnitt ragt und eine Fläche aufweist, die einen Teil der oberen Fläche des Blockes umfaßt, eine dritte Schicht der ersten Leitfähigkeit, die sich auf der oberen Basisschicht befindet, wobei eine Fläche der dritten Schicht einen Teil der Oberfläche des Blockes umfaßt und die dritte Schicht in der Oberfläche einen Ausschnitt aufweist, wobei die obere Basisschicht durch diesen Ausschnitt in der
    fc dritten Schicht reicht, um einen Teil der oberen Fläche des Blockes zu bilden, ferner eine Hauptschicht der ersten Leitfähigkeit unter der oberen Basisschicht liegt und eine Grundschicht der zweiten Leitfähigkeit unter der Hauptschicht liegt und in der unteren Fläche einen Ausschnitt aufweist, wobei eine Grundschicht der ersten Leitfähigkeit in einem Ausschnitt in der Grundschicht liegt und die untere Fläche dieser Grundschicht der ersten Leitfähigkeit einen Teil der Grundschicht des Blockes umfaßt und die untere Fläche des Blockes ebenfalls einen Teil der unteren' Fläche der Grundschicht der ersten Leitfähigkeit umfaßt, dadurch gekennz eichnet, daß ein Schlitz (26) in diesem Block von der oberen Fläche nach unten ragt und die Gatterschicht (24), die obere Basisschicht
    ™ (30) und die Hauptschicht (3M-) in zwei Teile trennt, wobei sich die dritte Schicht auf einer Seite des Schlitzes (26) befindet .
    5. Bilaterale Halbleiterschalttriode nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß für diesen Block eine Steuerelektrode, eine Katodenelektrode und eine Anodenelektrode vorgesehen sind, daß die Steuerelektrode beide Teile der Gatterschicht und die obere Basisschicht auf beiden Seiten des Schlit zes berührt, daß die Katode die obere Basisschicht auf einer
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    M182P/G-515/516
    • Seite des Schlitzes und die dritte Elektrode und die obere Basisschicht auf der anderen Seite des Schlitzes berührt and daß die Anodenschicht die beiden unteren Schichten berührt .
    6. Bilaterale Halbleiterschalttriode nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Innenseite des Schlitzes mit einer Isolierschicht ausgekleidet ist.
    7. Bilaterale Halbleiterschalttriode nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Gatterelektrode, die obere Basisschicht, die in den Ausschnitt in der Gatterschicht ragt, auf einer Seite des Schlitzes berührt und daß die Gatterelektrode die Basisschicht auf der anderen Seite des Schlitzes berührt.
    8. Bilaterale Halbleiterschalttriode nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Katodenelektrode die obere Basisschicht berührt, die in den Ausschnitt in der dritten Schicht ragt.
    - 13 -
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DE19712118613 1970-04-16 1971-04-16 Bilaterale Halbleiterschalttnode Pending DE2118613A1 (de)

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