DE2111945B2 - Vorrichtung zur epitaktischen kristallzuechtung aus fluessiger phase - Google Patents
Vorrichtung zur epitaktischen kristallzuechtung aus fluessiger phaseInfo
- Publication number
- DE2111945B2 DE2111945B2 DE19712111945 DE2111945A DE2111945B2 DE 2111945 B2 DE2111945 B2 DE 2111945B2 DE 19712111945 DE19712111945 DE 19712111945 DE 2111945 A DE2111945 A DE 2111945A DE 2111945 B2 DE2111945 B2 DE 2111945B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- chamber
- substrate
- slide
- melt
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/063—Sliding boat system
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/072—Heterojunctions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur Flüssigphase-Epitaxie mit einem Sockel, der auf seiner
Oberseite eine kammerförmige Ausnehmung zur bündigen Aufnahme des Substrates aufweist (Substratkammer)
und oberhalb eines Kühlelementes angeordnet ist, und einem über dem Sockel verschiebbar geführten
Schiffchen mit einer die Schmelze aufnehmenden Kammer (Schmelzkammer), die nach oben durch einen
Einsatz verschließbar und unten offen ist, wobei da.
Schiffchen von einer ersten Stellung, in der die Schmelzkammer unterseitig verschlossen ist, in eine
zweite Stellung verschiebbar ist, in der sich die Schmelzkammer oberhalb der Substratkammer befindet.
Die Züchtung hochwertiger epitaktischer Kristallschichten aus flüssiger Phase verlangt eine sorgfältige
Steuerung sämtlicher Wachstumsparameter, insbesondere
das Bereitstellen einer bei Züchtungstemperaturen genau gesättigten Schmelze, die im Einzelfall auch eine
schmelzflüssige Lösung sein kann, um bei ungesättigter Schmelze unkontrolliertes Anlösen oder Anätzen des
Substrates und bei übersättigter Schmelze unkontrollierten Kristall-Wildwuchs auf dem Substrat zu vermeiden.
Außerdem sind infolge von Temperaturgradienten auftretende Konvektionsströmungen in der Schmelze
zu vermeiden, da dadurch Unregelmäßigkeiten in der aufwachsenden Kristallschicht sowohl hinsichtlich der
Topografie als auch hinsichtlich der Zusammensetzung auftreten können. Schließlich muß sorgfältig darauf
geachtet werden, daß das mit dem Substrat in Berührung kommende Schmelzvolumen frei von Verunreinigungen
ist, was insbesondere bei der Züchtung von Verbindungshalbleitern, speziell der HI-V-Yerbindungshalbleiter,
ein Problem ist
Aus diesem Grunde ist bei einer vorgeschlagenen Vorrichtung vorgesehen, die Oberfläche der Schmelze
unmittelbar vor dem Zusammenbringen mit der Unterlage mit Hilfe des Unterlage-Halters abzustreifen
(DT-\S 19 22 892). Da hier jedoch das Substrat am
oberen Ende des Schmelzvolumens angeordnet ist und
ίο das Substrat sich auf der niedrigeren Temperatur als die
Schmelze befinden muß, um Kristallwachstum zu
erhalten, treten unerwünschte Konvektionsströmungen innerhalb der Schmelze auf.
7ur Vermeidung solcher Konvektionsströmungen
war es auch schon bekannt (DT-OS 18 03 731), das Substrat am oberen Ende eines schrägstehenden die
Schmelze enthaltenden Schiffchens anzuordnen, wonach das Schiffchen in die andere Schräglage gekippt
wird, so daß dann die Schmelze das Substrat überflutet.
ίο Hierbei rollt aber die Schmelze mit einer möglicherweise
verunreinigten Oberfläche zunächst über das Substrat hinweg, so daß ernsthafte Verunreinigungsprobleme
auftreten können. Weiterhin ist auch dort wegen der vorhandenen Schräglage ein seitlicher Temperaturgradient,
und sind damit Konvektionsströmungen nicht vollständig ausgeschaltet.
Ein älterer Vorschlag (DT-OS 20 39 172) bedient sich
nun zur Beseitigung des Verunreinigungsproblems und der Konvektionsströmungen einer Vorrichtung der
einleitend beschriebenen Art. Hierbei ist es aber schwierig, wenn nicht gar unmöglich, die Schmelze vor
ihrer Verunreinigung mit dem Substrat bei der jeweiligen Zuchtungstemperatur genau gesättigt zu
halten. Vielmehr muß dort eher stets mit schwacher Untersättigung gearbeitet werden, um einen testen
Bodensatz zu vermeiden, da dieser zu Kristallwachstumsstörungen auf dem Substrat führt. Die Schmelze
wird daher bei ihrer Vereinigung mit dem Substrat dieses regelmäßig zunächst etwas anlösen, was gleichfalls
die Gefahr eines unregelmäßigen Materialabtrages mit sich bringt.
Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, die Anordnung so zu treffen, daß eine absolut saubere, bei Wachstumstemperatur exakt gesättigte Schmelze oder schmelzflüs-
sige Lösung dem Substrat bei strikter Vermeidung jeglicher Konvektionsströmungen dargeboten werden
kann.
Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe besteht für die Züchtungsvorrichtung der einleitend
beschriebenen Art darin, daß zwischen Schiffchen und Sockel ein Schieber vorgesehen ist, der eine oberseitige
Ausnehmung und eine Durchbrechung besitzt, wobei die Schmelzkammer in der ersten Stellung von der
Ausnehmung verschlossen und in der zweiten Stellung die Durchbrechung vor die Substratkammer gebracht
ist.
1st also die Schmelzkammer in der ersten Stellung nach unten von der schieberseitigen Ausnehmung
verschlossen, so kann mit einem gewissen Bodensatz an abzuscheidendem Kristallmaterial gearbeitet und damit
eine genaue Sättigung der Schmelze immer erreicht werden. Wenn dann der Schieber so verschoben wird,
daß seine Durchbrechung den Durchtritt der Schmelze zum Substrat hin gestattet, wird unmittelbar vorher das
in der schieberseitigen Ausnehmung befindliche Schmelzvolumen samt dem Bodensatz, der auch
mögliche Verunreinigungen umfassen kann, vom darüberstehenden Schmelzvolumen abgetrennt. Durch
dieses unterseitige Abstreifen der Schmelze unmittelbar
vordem Züchtungsvorgang ist es möglich, dem Substrat
eine exakt gesättigte und absolut saubere Schmelze darzubieten, in der sich auch Heine Konvektionsströmungen
ausbilden können, wenn anschließend zum Einleiten des Kristallwachstums die Temperatur des
untenliegenden Substrates abgesenkt wird.
Nachstehend ist die Erfindung anhand der Zeichnung beschrieben; es zeigen:
Fig. 1 eine Schrägansicht von Sockel, Schieber und Schiffchen der Kristallzüchtungsapparatur gemäß dem
Ausführungsbeispiel in auseinandergezogenem Zustand,
F i g. 2 eine Schrägansicht des - in den Sockel eingeschobenen Schiebers,
F i g. 3 eine Schrägansicht von Sockel, Schieber und Schiffchen innerhalb eines Horizontalofens im zusammengesetzten
Zustand, und
Fig.4A bis 4E Schnittansichten der Kristailzüchtungsapparatur
während verschiedener Stadien des Züch tungs Vorganges.
Nach Fig. 1 weist die Kristallzüchtungsapparatur einen Sockel 41 auf, der aus einem inerten Material, z. B.
aus extrem reinem Graphit, Aluminium, Quarz, Bornitrid oder keramischem Material, hergestellt ist. Diese
Materialien können auch mit einer (nicht gezeigten) Ausfütterung aus hochreinem Graphit verwendet
werden. In die Basis 42 des Sockels 41 ist eine Substratkammer 43 eingearbeitet, in die das Kristallzüchtungssubstrat
44 (F i g. 2) so eingesetzt ist, daß es von den Kammerwänden 46 eng umschlossen ist. Eine
zweite kammerförmige Ausnehmung 47 in der Sockelbasis dient zur Aufnahme eines Teils der für die
Kristallzüchtung vorgesehenen schmelzflüssigen Lösung
45 (F i g. 4E) bei Abschluß des Kristailwachstums.
Die Seitenwände 48-48 und die Basis 42 des Sockels 41 bilden eine Gleitschiene 49 für einen aus einem der
oben erwähnten inerten Materialien hergestellten Schieber 51. Der Schieber 51 besteht aus einem Basisteil
und einem, an seinem (in der Figur rechten) Ende angeordneten Anschlag 53. Er ist weiterhin mit einer
oberseitigen Ausnehmung 54, die zur Aufnahme eines Vorratsgemisches 56 (Fig.2) dieni, und mit einer
Durchbrechung 57 versehen, durch die die schmelzflüssige Lösuni; 45 (F i g. 4D) bei der Kristallzüchtung zum
Substrat 44 hin durchtritt.
Die Sockelseitenwände 48 sind mit Führungsnuten 58 zur gleitenden Aufnahme eines Schiffchens 59 versehen,
das gleichfalls aus einem der oben erwähnten inerten Materialien hergestellt ist. Es weist »ine erste nach
unten offene Schmelzkammer 61 für die Schmelze 62 (F i g. 3), sowie eine zweite nach unten offene Kammer
63 auf, die Vorratsgemisch 56 aufnimmt und sich oberhalb der Ausnehmung 54 des Schiebers 51 befindet
(Fig.4A). Eine Zwischenkammer 60 trennt die Kammern 61 und 63. Der Boden 68 der Zwischenkammer 60
dient als Abdeckung für die Schieberausnehmung 54 während der Erhitzung (F i g. 4B). Das Schiffchen 59 hat
auf seinen beiden Längsseiten zwei Führungsrippen 64, mit deren Hilfe es in den Führungsnuten 58 des Sockels
verschiebbar geführt ist. Die Kammer 61 wird von einem Deckeleinsatz 65 abgedeckt, der aus einem der
oben erwähnten inerten Materialien hergestellt ist und die Verdampfung flüchtiger Bestandteile aus der
Schmelze 62 (F i g. 4B) und der schmelzflüssigen Lösung 45 (F ig. 4C) verhindert.
Vor dem eigentlichen Kristallzüchtungsvorgang wird der Schieber am Ende 67 des Sockels 41 aufgesetzt und
entlane der Gleitfläche 49 zu einem vorbestimmten
Punkt verschoben (Fig.2). Der Schieber 51 überfährt
dabei das Substrat 44 (F i g. 4B) in der Substratkammer 43 und besorgt deren Abdeckung. Die Oberfläche des
Substrates 44 schließt nach ihrem Einsetzen fast genau mit der Gleitfläche 49 des Sockels 41 ab. Bei durch den
Schieber 51 abgedecktem Substrat 44 ist deshalb der dieses umgebende freie Raum auf ein Minimum
begrenzt Hierdurch werden Verdampfungsverluste von Substratbestandteilen klein gehalten. Die Größe des
freien Raums sollte dabei so gewählt werden, daß im Idealfall der Verlust auf eine Monoschicht der
Substratoberfläche beschränkt ist. Der zulässige freie Raum ist deshalb abhängig vom Material des gewählten
Substrates und von den auftretenden Partial- Dampfdrücken.
Nachdem der Schieber 51 auf den Sockel 41 geschoben worden ist, wird das Schiffchen 59 am Ende
67 des Sockels 41 angesetzt und mit seinen Führungsrippen 64 in die Gleitführungsnuten 58 eingeschoben. Das
Schiffchen 59, wird dann bis zum Anschlag 53 verschoben. Die Schieberoberseite 69 steht mit dem
Schiffchen 59 in so enger Berührung, daß dessen Schmelzkammer 61 die darin befindliche Schmelze 62
halten kann und vor Verlusten durch Verdampfung schützt. Wenn das Schiffchen 59 an seinen Platz
geschoben ist, werden zwei Anschlagstäbe 50 und 55 in Schlitze 71 bzw. 72 (F i g. 1 und 3) des Sockels eingesetzt.
Wie in F i g. 3 gezeigt ist, ist die zusammengesetzte
Anordnung in einem Horizontalofen 74 angeordnet. Im Ofen 74 befindet sich ein Wärmetauscher 77. Der
Wärmetauscher 77 befindet sich benachbart der das Substrat 44 enthaltenden Kammer 43 und steht mit der
Sockelbasis 42 in Berührung. Durch nicht gezeigte Einlaß- und Auslaßeinrichtungen wird ein auf niedriger
Temperatur gehaltenes Gas durch den Wärmetauscher hindurchgeführt. Obwohl der Wärmetauscher 77 als
gasgekühlter Wärmetauscher beschrieben ist, kann auch jede andere Wärmesenke verwendet werden.
Im folgenden ist ein Kristallzüchtungsbeispiel beschrieben. Ein p-leitend dotiertes GaP-Substrat, das im
üblichen Ziehverfahren aus flüssiger Phase hergestellt worden ist, wird auf Größe geschnitten, geläppt,
gereinigt und sodann in die Substratkammer 43 des Graphitsockels 41 eingesetzt.
Der Schieber 51 wird dann eingeschoben (F i g. 2). Anschließend wird das Schiffchen 59 so weit eingeschoben,
bis seine Kammer 63 oberhalb der Ausnehmung 54 des Schiebers steht (Fig.4A). Sind Schiffchen und
Schieber aus hochreinem Graphit hergestellt, dann liegt die optimale Wandstärke für die Anordnung bei einem
Maximum von 3,175 mm.
Das Vorratsgemisch 56 ist eine Mischung aus 0,2 Gramm hochreinem, käuflich erhältlichem Ga2O3 und
0.2 Gramm zerkleinertem GaP-Material hohen spezifisehen
Widerstands. Es wird dai.n in die Kammer 63 eingefüllt und gelangt dadurch in die Ausnehmung 54
des Schiebers.
Eine Ga-GaP-Ga2O3-Zn-Schmeize 62 wird durch
Abwägen von zunächst 8 Gramm hochreinem Gallium, 0,2 Gramm Zink und 0,1 Gramm Ga2O3 je von
handelsüblicher Qualität vorbereitet. Hierzu werden 0,1 Gramm GaP hinzugefügt. Die resultierende Mischung
wird in die Schmelzkammer 61 des Schiffchens 59 eingefüllt. Die Menge des in der Schmelze 62 und im
Vorratsgemisch 56 insgesamt vorhandenen GaP ist derart bemessen, daß sich bei der Kristallwachstumstemperatur
von 9800C eine mit GaP gesättigte schmelzflüssige Lösung in Gallium ergibt, die mit
Sauerstoff und Zink dotiert ist.
Nach Beschickung des Schiffchens 59 wird ein Graphitdeckel 65 auf das zu erschmelzende Gemisch 62
in der Kammer 6t aufgesetzt, und werden die Anschlagstäbe 50 und 55 in die Schlitze 71 bzw. 72
eingesetzt. Beschickung und Zusammenbau von Sockel 41, Schieber 51 und Schiffchen 59 werden in einer (nicht
gezeigten) Kammer unter trockener und inerter Atmosphäre vorgenommen. Das Ganze wird dann in
einen Horizontalofen 74 eingesetzt (F i g. 3 und 4a). Der
Ofen 74 ist für eine der beschickten Vorrichtung angepaßte isotherme Einstellung ausgelegt. Durch nicht
gezeigte Einrichtungen wird Stickstoff durch den Ofen geleitet, der nachfolgend durch Wasserstoff ersetzt
wird.
Sodann werden der Schieber 51 und das auf ihm befindliche Schiffchen 59 gemeinsam nach rechts
verschoben, bis letzteres am Anschlagstab 50 anliegt (Fig.4B), so daß die Schmelzkammer 61 des Schiffchens
59 mit der Substratkammer 43 des Sockels 41 fluchtet, sich also das Substrat 44 unterhalb des
Gemisches 62 befindet und die Ausnehmung 54 des Schiebers von der Bodenfläche 68 des Schiffchens
abgedeckt ist. Der Ofen 74 wird auf die Kristallwachstumstemperatur
von 980° C aufgeheizt, wodurch das Gemisch 62 erschmolzen wird. Da in diesem Stadium
(Fig.4B) die Bodenfläche 68 des Schiffchens die Ausnehmung 54 des Schiebers und darin befindliche
Vorratsgemisch 56 abschließt, ist der letzteres umgebende freie Raum sehr klein und es werden Verdampfungsverluste
verhindert. Der Schieber 51 deckt seinerseits das Substrat 44 ab und hält so den das
Substrat 44 umgebenden freien Raum gleichfalls auf einem Minimum.
Im Anschluß an die Bildung der Schmelze 62 wird der Schieber 51 nach rechts verschoben (Fig.4C). Da das
Schiffchen 59 bereits am Anschlagstab 50 anliegt (vgl. F i g. 4B) wird nunmehr nur der Schieber verschoben. Er
wird so weit nach rechts geschoben, bis die Kammer 61 des Schiffchens über der Ausnehmung 54 des Schiebers
steht (Fig.4C) und so die Schmelze 62 und das
Vorratsgeniisch 56 zur Bildung einer gesättigten schmelzflüssigen Lösung 45 vereinigt werden.
Der Schieber 51 verbleibt in dieser Stellung, bis zwischen der Unterlage 44 und der gesättigten
schmelzflüssigen Lösung 45 ein thermisches Gleichgewicht erreicht ist Danach wird (s. F i g. 4D) bei weiterhin
durch den Anschlagstab 50 angehaltenem Schiffchen 59, der Schieber 51 noch weiter nach rechts verschoben, bis
die gesättigte schmelzflüssige Lösung 45, sobald die Durchbrechung 57 des Schiebers 51 tmter der Kammer
61 steht, mit der Kristanzüchtungsunteriage 44 zusammengebracht
ist Da die Unterlage 44 und die gesättigte schmelzftössige Lösung 45 die gleiche Temperatur
haben, tritt weder eine Abscheidung auf der Unterlage
44 noch eine Auflösung dieser auf und sind jegliche Konvektionsströmungen vermieden. Ersichtlich kann
die genaue Sättigung der schmelzflüssigen Lösung einfach dadurch bewerkstelligt werden, daß mit etwas
Bodensatz an Gelöstem gearbeitet wird; dieser verbleibt ebenso in der Ausnehmung 54 des Schiebers,
wie etwaige feste Verunreinigungen, wenn der Schieber von der Stellung nach Fig.4C in die nach Fig.4D
überführt wird. Die Unterlage kommt daher mit einer
ίο exakt gesättigten und absolut sauberen Lösung in
Berührung. Da die Unterlage bei dieser Anordnung nicht mit der freien Oberfläche der Schmelze in
Berührung kommt, besteht auch keine Gefahr einer Oberflächenverunreinigung durch aufschwimmende
Oxidhäutchen und dergleichc n.
Sodann wird inertes Kühlgas, z. B. N2, durch den
Wärmetauscher 77 geleitet. Dies hat eine Absenkung der Temperatur des der Ausnehmung 43 und der
Unterlage 44 benachbarten Teils des Schiebers 41 und einen senkrechten Temperaturgradienten in der
schmelzflüssigen Lösung über der Unterlage 44 zur Folge, wobei die Unterlage 44 die niedrigste Temperatur
hat. Auf diese Weise wird durch Abkühlung der gesättigten schmelzflüssigen Lösung 45 das Kristallwachstum
ausgelöst. Wegen des ausschließlich von oben nach unten gerichteten Temperaturgefälles sind unerwünschte
Konvektionsströmungen vermieden.
Der Wachstumsprozeß wird (s. Fig.4E) dadurch
abgeschlossen, daß der Schieber 51 zusammen mit dem Schiffchen 59 zurückgezogen wird, wodurch die
schmelzflüssige Lösung 45 von der Unterlage 44 getrennt wird. Die in der Durchbrechung 57 des
Schiebers 51 eingeschlossene Schicht der schmelzflüssigen Lösung 45 wird in die Ausnehmung 47 des Sockels
entleert, wenn der Schlitten 51 so weit zurückgezogen worden ist daß das Schiffchen 59 am Anschlagstab 55
anliegt und die Durchbrechung 57 des Schiebers 51 Verbindung mit der Sockelausnehmung 47 erhält. Das
ganze kann dann aus dem Ofen entnommen werden. Die GaP-Unterlage 44 wird 10 bis 60 Minuten lang in
Berührung mit der Schmelze 45 gehalten, was zu einer aufgewachsenen Kristallschicht von 7,4 μπι bis 76,2 μηι
führt.
Das vorliegende Ausführungsbeispiel ist anhand einer epitaktischen Züchtung p-leitender GaP-Kristalle auf
einem p-leitenden GaP-Substrat beschrieben. Es ist jedoch klar, die die beschriebene Vorrichtung auch für
die Kristallzüchtung nicht-halbleitender Materialien verwendet werden kann. Als Halbleitermaterialien
können selbstverständlich sowohl elementare als auch Verbindungshalbleiter Verwendung finden. Außerdem
ist die Vorrichtung bei vielen Kombinationen von Substraten und Schmelze anwendbar, wodurch sowohl
homogene Obergänge als auch Hetero-Übergänge
SS gebildet werden können.
Claims (2)
1. Vorrichtung zur Flüssigphase-Epitaxie mit einem Sockel, der auf seiner Oberseite eine
kammerförmige Ausnehmung zur bündigen Aufnahme
des Substrates aufweist (Substratkammer) und oberhalb eines Kühlelements angeordnet ist und
einem über dem Sockel verschiebbar geführten Schiffchen mit einer die Schmelze aufnehmenden
Kammer (Schmelzkammer), die nach oben durch einen Einsatz verschließbar und unten offen ist,
wobei das Schiffchen von einer ersten Stellung, in der die Schmelzkammer unterseitig verschlossen ist,
in eine zweite Stellung verschiebbar ist, in der sich die Schmelzkammer oberhalb der Substratkammer
befindet, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Schiffchen (59) und Sockel (41) ein
Schieber (51) vorgesehen ist, der eine oberseitige Ausnehmung (54) und eine Durchbrechung (57)
besitzt, wobei die Schmelzkammer (61) in der ersten Stellung von der Ausnehmung (54) verschlossen und
in der zweiten Stellung die Durchbrechung (57) vor die Substratkammer (43) gebracht ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Schieber (51) und die Seitenwände (48) des Socke's (4!) Anschläge (53) bzw. (50)
aufweisen, derart, daß beim Anschlagen des Schiffchens (59) an (53) und der Wand der
Schmelzkammer (61) an (50) die Schmelzkammer (61) und die Substratkammer (43) fluchten und dabei
die Schmelzkammer (61) durch den Schieber (51) unterseitig verschlossen ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US1987870A | 1970-03-16 | 1970-03-16 | |
US1987870 | 1970-03-16 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2111945A1 DE2111945A1 (de) | 1971-09-23 |
DE2111945B2 true DE2111945B2 (de) | 1977-02-10 |
DE2111945C3 DE2111945C3 (de) | 1977-09-29 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2084623A5 (de) | 1971-12-17 |
SE387057B (sv) | 1976-08-30 |
NL7103419A (de) | 1971-09-20 |
DE2111945A1 (de) | 1971-09-23 |
JPS528797B1 (de) | 1977-03-11 |
US3665888A (en) | 1972-05-30 |
BE764313A (fr) | 1971-09-16 |
NL155458B (nl) | 1978-01-16 |
GB1345367A (en) | 1974-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2243181C3 (de) | Verfahren zum Herstellen epitaktischer Halbleiterschichten aus der flüssigen Phase | |
DE944209C (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern | |
DE2257834A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelementes | |
DE2616700C2 (de) | Verfahren zum Ausbilden einer dünnen Schicht aus einem Halbleitermaterial der Gruppen III-V durch epitaxiales Aufwachsen, sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE2305019A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum epitaktischen aufwachsen von halbleitermaterial aus der schmelze | |
DE1282602B (de) | Verfahren zur Herstellung von eine oder mehrere Hohlkehlen aufweisenden Zwillingskristallen in einer Schmelze | |
DE1256202B (de) | Verfahren zum Herstellen homogener stabfoermiger Kristalle aus einer Schmelze | |
DE2227883C2 (de) | Flüssigphasenepitaxieverfahren | |
DE2161072C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus einer Halbleiterverbindung und Schiffchen zur Durchführung dieses Verfahrens | |
DE2613004C3 (de) | Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von Einkristallschichten auf Substraten aus einer Schmelzlösung | |
DE3100330A1 (de) | Vorrichtung zur epitaktischen ablagerung einer halbleitermaterialschicht | |
DE2111945C3 (de) | Vorrichtung zur epitaktischen Kristallzüchtung aus flüssiger Phase | |
DE2111945B2 (de) | Vorrichtung zur epitaktischen kristallzuechtung aus fluessiger phase | |
DE2111946C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsenlassen eines Kristalls auf einer Unterlage | |
DE2535160C3 (de) | Vorrichtung zum epitaktischen Züchten einer Kristallschicht auf einem Halbleitersubstrat | |
DE2452197C3 (de) | Verfahren zum Abscheiden von unterschiedlich dotierten Halbleiterschichten auf einem Halbleitersubstrat | |
DE2000096C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden einer Schicht aus einem Halbleitermaterial auf einer ebenen Fläche eines einkristallinen Substrats | |
DE2300921A1 (de) | Halbleiterbauteil und verfahren zu seiner herstellung | |
DE1946049C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Flüssigphasenepitaxie | |
DE2160746C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Einkristallen aus Verbindungen | |
DE2233734C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsen einer Einkristallschicht auf einem einkristallinen Substrat durch Flüssigphasen-Epitaxie | |
AT255489B (de) | Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von Halbleitermaterial | |
DE3731010A1 (de) | Verfahren zur fluessigphasenepitaxie | |
DE2830695B2 (de) | Vorrichtung zum Ziehen eines III/V-Verbindungseinkristalls aus einer Schmelze | |
DE2908834A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum wachstum von halbleiterverbindungen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |