DE2057471C3 - Verfahren zur Herstellung einer gut reproduzierbaren, dichten Verbindung zwischen einem Metallteil und einem Hartglasteil - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer gut reproduzierbaren, dichten Verbindung zwischen einem Metallteil und einem HartglasteilInfo
- Publication number
- DE2057471C3 DE2057471C3 DE2057471A DE2057471A DE2057471C3 DE 2057471 C3 DE2057471 C3 DE 2057471C3 DE 2057471 A DE2057471 A DE 2057471A DE 2057471 A DE2057471 A DE 2057471A DE 2057471 C3 DE2057471 C3 DE 2057471C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- pressure
- glass
- metal
- vessel
- metal part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
- C03C27/02—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing by fusing glass directly to metal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J5/00—Details relating to vessels or to leading-in conductors common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J5/20—Seals between parts of vessels
- H01J5/22—Vacuum-tight joints between parts of vessel
- H01J5/26—Vacuum-tight joints between parts of vessel between insulating and conductive parts of vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2893/00—Discharge tubes and lamps
- H01J2893/0033—Vacuum connection techniques applicable to discharge tubes and lamps
- H01J2893/0037—Solid sealing members other than lamp bases
- H01J2893/0041—Direct connection between insulating and metal elements, in particular via glass material
- H01J2893/0043—Glass-to-metal or quartz-to-metal, e.g. by soldering
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S65/00—Glass manufacturing
- Y10S65/11—Encapsulating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49169—Assembling electrical component directly to terminal or elongated conductor
- Y10T29/49171—Assembling electrical component directly to terminal or elongated conductor with encapsulating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer gut reproduzierbaren, dichten Verbindung
/wischen einem Mcwillicil und einem Hartglasteil.
wobei die verbindende Metalloberfläche zunächst
oxydiert und dann mit dem Glas durch Erhitzen in einer inerten Atmosphäre verschmolzen wird.
F> sind bereits Verfahren zur Herstellung dichter
Verbindungen zwischen Glas und Metall bekannt. Beispielsweise werden hermetischt· bzw. vakuumdichte
Verbindungen bei der Herstellung von Leuchtkörpern mit (ilaskolben. Vakuumröhren. Isolatoren
und in letzter Zeit auch bei der Herviellung vv.n Dioden und Transistoren verwendet. Hierbei
ίο wird im allgemeinen ein Metall oder eine Metallegierung
und eine bestimmte Glaszusammensetzung ausgewählt, durch welche eine leichte Bindung erzielt
uud die gewünschten physikalischen Eigenschaften
erhalten werden. Nach dem bekannten Verfahren ist eine Kobalt-, Nickel-Eisen-Legierung und ein Glas
mit vergleichsweise niedrigem Schmelzpunkt, ein sogenanntes »weiches« Glas, verbunden worden.
Für viele Anwendungsfälle, in denen größere mechanische Festigkeit erforderlich ist oder bei denen
höhere Arbeitstemperaturen auftreten, ist es von Vorteil, sogenannte »harte« Gläser zu verwenden,
die auch als Hartgläser bezeichnet werden. Der Schmelzpunkt dieser Hartgläser liegt oberhalb von
70t) C.
as Aus den weiter uv.ten erörterten Gründen ist die
Anwendung von Molybdän gegenüber Metallegierungen der genannten Art zu bevorzugen. Es sind auch
Verfahren vorgeschlagen worden, die vakuumdichte Verbindungen zwischen Molybdän und bestimmten
Hartgläsern gewährleisten. Die mit Erfolg verwendeten Hartgläser enthalten ein oxydierendes Agens, wie
z. B. Eisenoxid, das während dem Glasschmelzvorgang die Oberfläche des Molybdäns oxydiert. Da die
Erzeugung einer dichten Verbindung zwischen Glas
und Metall vor allem auf einem Diffusionsvoigang beruht, bei welchem das Metalloxid in das Glas diffundiert,
stellt der auf das Molybdän einwirkende Cxjddtionseffekt des im Hartglas enthaltenen Eisenoxids
das Entstehen einer einheitlichen und zuverlässigen Bindung sicher.
Die Verwendung von Hartgläsern mit Eisenoxidgehalt erfordert für die Herstellung der Verbindung
Temperaturen von ungefähr 900 C. Diese Temperaturen sind für manche Erzeugnisse, z. B. Halbleiter
und Halbleitereinrichtungen, kritisch und beeinträchtigen deren Funktion nachteilig.
Um derart hohe Verfahrenstemperaturen zu vermeiden und trotzdem die Vorteile von Hartglas ausnutzen
zu können, sind Hartgläser mit niedrigerem Schmelzpunkt entwickelt worden, die mit Metallen
und besonders Molybdän bei niedrigeren Temperaturen, beispielsweise schon bei 800n C, verbunden
werden können. Hartgläser mit niedrigerem Schmelzpunkt enthalten jedoch kein Eisenoxid oder andere
leicht reduzierbare Metalloxide, so daß es daher zum Erzielen der erforderlichen Bindung zwischen dem
Glas und dem Metall notwendig ist, zunächst die Oberfläche des Metalls in. einem getrennten Verfahrensschfitt
zu oxydieren. Es ist also ein Zweischrittverfahren erforderlich, d. h., ein Verfahren, bei dem
zunächst das Metall oxydiert wird und dann in einem getrennten Verfahrensschritt das Glas und das Metalloxid
durch Schmelzung miteinander verbunden werden. Dieses Verfahren ist bekannt. Die dabei auf-1
retenden Produktionsprobleme erschweren jedoch seine Ausnutzung erheblich. Hinzu kommt, daß dieses
bekannte Einscbrillverfahren. bei dem die Oberfläche
ties Metalls unmittelbar vor dem Schmelzen
I lartglases owdierl und nach dem Verbleien mn
m reduzierenden Cias behandelt und. ;iu. Ii dessich
als unbefriedigend erwiesen hai. v-eil >.^
keine Reproduzierbarkeit gewährleistet und /u einer unerwünscht hohen Ausschußquote führt. Der Bildungsgrad
und die Leistungsfähigkeit der dichten Verbindung hängen hier weitgehend von der gemeinsamen
Anordnung der zu verbindenden Teile während der Verbindungsphase ab, worauf die relativ hohe
Ausschußquote zurückzuführen ist.
Es ist auch ein Verfahren zur Herstellung von
Verbindungen zwischen Glas und besonderen Metallen, wie z. B. Nickel, bekannt. Hier spielen die
Eigentümlichkeiten der entsp jchenden Metalle eine Rolle, insbesondere die Bildung der Oxidschichlen.
Auch dieses bekannte Verfahren benötigt mehrere Vei iahrensschriite für die Herstellung einer Verbindung,
besonders dadurch, daü eine spezielle Dicke der Oxidschicht kritisch ist und gesteuert werden
muß.
Ein weiteres bekanntes Verfahren «ur Verbindung von Glas und Metallen schlägt zwei Behandlungsphasen vor, einerseits mit einem inerten und andererseits
mit einem reduzierenden Gas entsprechend während der Entglasungsphase und während der Abdichtungsphase,
wobei auch eine vielfache Erhitzung und Handhabung der Teile in Kauf genommen werden
muß.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein gegenüber den bekannten Einschrittverfahren verbessertes Verfahren
zur vakuumdichten Verbindung von Metall und Hartglas vorzusehen, das nur eine einmalige Handhabung
der zu verbindenden Teile erfordert, reproduzierbar ist und eine große Zuverlässigkeit der Verbindung
gewährleistet.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist durch folgende Verfahrensführung gekennzeichnet:
a) das Metallteil und das Hartglasteil muß frei von oxydierenden Bestandteilen sein;
b) das Metallteil und das Hartglasteil werden in einer nichtoxydierenden Atmosphäre innerhalb
eines Druckgefäßes bei einem ersten Druck erwärmt, während die Teile in ihrer richtigen
Lage zueinander, jedoch lose gefügt sind;
c) die in dem Druckgefäß enthaltene Atmosphäre wird bis zum Erreichen eines zweiten niedrigeren
Druckes evakuiert, und in das Druckgefäß wird ein Sauerstoff enthaltendes Gas gemäß
einem Partialdruck eingeführt, um einen dritten Druck zu erzeugen, der höher als der zweite
Druck ist, während die Temperatur im Druckgefäß bis zu dem Bereich zunimmt, bei welchem
das Mctallteil leicht oxydierbar ist, so daß die Oberfläche des Metalltcils in bekannter Weise
oxydiert;
d) das Sauerstoff enthaltende Gas wird aus dem Druckgefäß gespült, in dem ein nichtoxydierendes
Gas unter Druck durch das Druckgefäß geleitet wird, um einen vierten Druck in dem Gefäß
zu erzeugen;
e) die Temperatur im Druckgefäß wird weiterhin gesteigert, bis das Glas mit dem Metallteil erweicht;
I) das erhaltene, abgedichtete Bauteil wird abgekühlt.
Hei dem erfindungsgemäßen Verfahren weiden die Nleiall- und Glasteiie zusammemwi/t. bevor der
'- Kvdationsschnii au^LH-tülin uw ; !■· im .tuch ·ϋ-I-innial-Aulliei/tLehni'k
viMtier-.iii.:'.. «cUi'e ucü iv
deutenden Vm teil hat. wenmer Warme /u benotigen
und in kürzerer Zeit das Sehmelzverfahren einzuleis
ten als das Doppcl-Autheizvenahren des bekannten
Standes der Technik. Der aufgezeigte Vorteil wirkt sich natürlich auch positiv auf die Senkung der Produktionskosten
aus.
Die vier unterschiedlichen Drücke bei der neuen
;a ArJich'iinesmethoi!·· führen zu einer besseren Steuerung
der Oxydation und es werden daher bessere abdichtende Verbindungen erzielt. Ferner folgen au-,
dem neuen Verfahren eine gute Reproduzierbarkcit. die für eine Massenfertigung, und eine Zuverlässigkeil,
die für eine vorhersehbare Lehensdauer für
hochqualifizierte Halbleiter-Bauteile notwendig sind. Die Erfindung wird nachstehend vor allem unter
Bezugnahme aui die Herstellung elektronischer Bauteile, wie beispielsweise Transistoren und Dioden, er-
läutert. Es ist selbstverständlich, daß sie nicht auf derartige Bauteile und deren Anwendung beschränkt
ist, sondern sich auch für die Herstellung von anderen Bauteilen oder Einrichtungen anwenden läßt.
:<nd zwar überall dort, wo dichte, insbesondere va kuumdichte Verbindungen zwischen Glas und Metall
benötigt werden. Weiterhin kann die Erfindung, obwohl deren Anwendung bei Molybdän als Metall von
besonderem Interesse ist, auch bei der Herstellung von Verbindungen anderer Metalle mit Glas ange wendet werden, wobei selbstverständlich die an sich
bekannten oder in einfacher Weise bestimmbaren optimalen Oxydationstemperaturen zu beachten sind.
Das Verfahren nach der L findung wird nachstehend an Hand der Fig. 1 und 2 der Zeichnung bei-
spielsweise erläutert. Es zeigt
F i g. 1 die Seitenansicht, teilweise im Schnitt, einer
gemäß der Erfindung hergestellten Diode, und
F i g. 2 einen schematisch dargestellten, teilweise aufgebrochenen Schmelzofen zur Ausführung des
In F i g. 1 ist eine Diode 10 dargestellt, die ein Teil, insbesondere eine Platte 11 enthält, das bzw.
die aus Halbleitermaterial besteht. Das Teil 11 wird in einer vorbestimmten Lage und in Kontakt mit den
Molybdän-Stiften 12 und 13 gehalten. Die das Teil 11 haltenden Flächen der Molybdän-Stifte 12 und 13
sind mit Platin-Kontaktflächen 14, 15 versehen. Der gesamte Avfbau ist von einer Glashülle 16 umgeben,
welche die Komponenten in ihrer gegensei'igen ReIa-
!ivlage hält, dein Aufbau mechanische Festigkeit verleiht und das Innere hermetisch,bzw. vakuumdicht
von der Atmosphäre abschließt. An den Molybdän-Stiften 12 und 13 sind leitende Anschlußdrähte 17.
18 elektrisch leitend befestigt. Vorzugsweise bestehen
diese Anschlußdrähte aus einer mit einer Kupferschicht überzogenen Nickel-Eisen-Legicrung.
Fig. 2 veranschaulicht einen Ofen 20, der zum Oxydieren der Oberfläche der Molybdän-Stifte und
zum hermetischen bzw. vakuumdichten Abschließen des Inhalts der dadurch gebildeten »Packung« geeignet ist. Der dargestellte Ofen weist eine Reihe von
Fächern 21. eine untere, mit einem Ventil versehene Leitung 22 und eine obere, ebenfalls mir einem Ventil versehene Leitung 23 auf. Auf den Fächern 21 ru
ft= hen untere Absclilußhaller 24 sowie obere Abschluß-
halter 25. Der Zweck dieser AKchlußhalter besteht darin, die Dioden IO währeiid'dcr Wärmebehandlung
in rieht!·, er vertikaler Ativ iduuiH: /u hallen. Um die
Einführung von Verunreinigungen in den Ofen zu
vermeiden und eine gleichmäßige Temperatur im gesamten Ofen sicherzustellen, bestehen die Abschlußhalter
vorteilhafterweise aus einem hochreinen Graphit hoher Dichte.
Sowohl die unleren Abschlußhalter 24 als auch die oberen Abschlußhalter 25 sind mit einer Anzahl
nicht dargestellter enger Durchgange versehen, die dazu dienen, die aus Kupfer oder einem anderen geeigneten
Material bestehenden Anschlußdrähte 17 aufzunehmen, um die Dioden während der Wärmebehandlung
in vertikaler Ausrichtung zu halten. Obwohl nur wenige Dioden 10. die von den Abschlußhaltern
gehalten werden, schematisch veranschaulicht sind, sei darauf hingewiesen, daß diese Abschlußhalter
im allgemeinen so ausgebildet und bemessen sind, daß sie eine wesentlich größere Anzahl
von Dioden, beispielsweise ungefähr 500 Stück, zum Zwecke der gleichzeitigen Behandlung aufnehmen
bzw. halten können.
Beim Betrieb wird zunächst der Anschlußdraht 17 in einen der unteren Abschlußhalter 24 eingeführt,
um den Molybdän-Stift 12 in einer aufrechten Lage anzuordnen. Daraufhin wird die Hülle 16 nach abwärts
über den Molybdän-Stift 12 geschoben.
Als nächstes wird das Teil oder die Platte 11 auf die Oberseite des Molybdän-Stifts 12 aufgebracht,
worauf der Molybdän-Stift 13 eingefügt wird. Wenn der untere Abschlußhalter vollständig mit Dioden
bestückt ist, wird der obere Abschlußhalter 25 derart aufgesetzt, daß die Anschlußdrähte 18 durch die Löcher
in diesem Abschlußhalter hindurchlaufen.
Die Abschlußhalter, welche die ausgerichteten Dioden enthalten, werden in den Ofen 20 eingebracht.
Der Ofen wird dann dicht verschlossen, und alle oxydierenden Gase werden durch kontinuierliches
Einführen von trockenem, gasförmigem, unter Druck stehendem Stickstoff über die Leitung 22 und
Auslaß des Stickstoffs über die Leitung 23 aus dem Ofen herausgespült.
Die Temperatur des Ofens wird schnell erhöht, wobei nach einer vorbestimmten Zeitdauer, die zum
Erreichen des für eine schnelle Oxydation erforderlichen Temperaturbereichs ausreicht, der im Falle des
Molybdäns bei ungefähr 480 bis 600" C liegt, die Stickstoffatmosphäre innerhalb des Ofens über die
mit einem Ventil versehene Leitung 22 evakuiert und ein Vakuum von ungefähr 10 360 kg/m2 gezogen
wird. Darauf hin wird eine Luft-Partial-Atmosphäre über die mit einem Ventil versehene Leitung 22 eingeleitet,
bis etwa Atmosphäre oder ungefähr 6910 kg/m2 erreicht sind. Nach einer kurzen Haltczeit
innerhalb des Ofens wird die Luft aus dem Ofen gespült, indem wiederum eine Strömung von unter
Druck stehendem Stickstoff durch den Ofen erzeugt wird, wobei der Stickstoff über die mit einem Ventil
versehene Leitung 22 zugeführt u\d die verunreinigten Gase bzw. die Mischung des Stickstoffs mit der
im Ofen befindlichen Gasatmosphäre über die mit einem Ventil versehene Leitung 23 abgeführt werden.
Die Auswahl der Temperatur, bei der ein Vakuum gezogen und die Luft in den Ofen eingeleitet wird, ist
wichtig. Einerseits ist es nicht erwünscht, die Oberfläche des Molybdäns bei Temperaturen unterhalb
von 500 C zu oxydieren, weil der Oxydationsvorgang bei diesen niedrigen Temperaturen zu langsam
vor sich geht. Andererseits sind im Falle des Molybdäns Temperaturen oberhalb von 650" C nicht befriedigend,
weil die Sublimationsgeschwindigkeit der Oxidschicht bei dieser Temperatur die Oxid-Bildungsgeschwindigkeit
zu übersteigen beginnt. Es wurde festgestellt, daß die optimale Bedingung für die Ausbildung einer Oxidschicht bei ungefähr
600 C liegt, und diese Temperatur wird bei dir Anwendung
der Erfindung weitgehend bevorzugt.
Wie bereits vorstehend erwähnt wurde, wird trockner Stickstoff kontinuierlich durch den Ofen hindurchgeleitet,
um alle oxydierenden Gase aus dem Ofen herauszuspülen. Obgleich in einer Verfahrensstufe etwas Luft in den Ofen eingeführt wird, um die
Molybdän-Stifte zu oxydieren, wird durch die Einleitung und die kontinuierliche Strömung von trockenem,
unter Druck stehendem Stickstoff jeder im Ofen verbliebene freie Sauerstoff ausgewaschen.
Diese Tatsache ist sehr wichtig, weil nur Spuren von Sauerstoff, beispielsweise 10 ppm, innerhalb der
»Packung« zugelassen werden können.
Nachdem die dichte Verbindung hergestellt worden ist, wird der Ofen abgekühlt, und zwar teilweise durch
Einführung von trockenem Stickstoff, der unter einem Druck steht, welcher den während dc^
Schmelz-Verfahrensschrittes angewandten Druck beträchtlich übersteigt. Auf Grund dieses Druckes werden
die Komponenten bzw. Einzelteile der »Packung«, d. h.. der zusammengefügten Einheit au-Halbieiter,
Moiybdan-Stiften und Glasrohr (einschließlich
der Anschlußleitungen) infolge der dadurch auftretenden Pressung in innigen Kontakt gedruckt,
während das Glas eine Temperatur besitz!, die noch hoch genug ist, um ein plastisches Fließen
des Glases zuzulassen.
Ein großer Teil der Festigkeit der »Packung« und die physikalischen Eigenschaften der Diode entstehen
während des Kühlvorgangs. Wie bereits obenerwähnt, fürt die Verwendung von Molybdän-Stiften
zu bestimmten erwünschten Vorteilen. Einer diesei Vorteile ist darin zu sehen, daß der Wärmeausdehnungskoeffizient
des Molybdäns etwas größer ah derjenige des Hartglases ist. Das bedeutet, daß sich
die Glashülle beim Abkühlen der »Packung« mit nie drigerer Geschwindigkeit zusammenzieht als di<
Molybdän-Stifte 12 und 13. Daher entsteht innerhall des Hohlraumes der Glashülle eine Zugspann .ng, di<
durch eine Druckspannung im Glas entlang der Molybdän-Stiften 12 und 13 ausgeglichen wird
welche diese zwangläufig gegeneinander in sicherer Kontakt mit dem Teil .11 drückt. Auf diese Weisi
wird das Teil 11 sicher in elektrischem Kontakt mi den Molybdän-Stiften 12 und 13 befestigt gehalten.
Drei Abschlußhalter werden mit ungefähr je 481 Dioden in der vorstehend in Verbindung mit de
Zeichnung beschriebenen Weise bestückt und in dei Ofen eingebracht. Der Ofen wird dicht verschlosser
uiui jede oxydierende Atmosphäre wird durch Hin
durchleiten von Sauerstoff durch den Ofen ausge spült. Die Stickstoffströmung durch den Ofen wir
fortgesetzt und mit der Heizung begonnen. Nac einer Dauer von ungefähr drei Minuten durchläul
die Ofentemperatur den kritischen Oxydaiicnstempe raiurbereich von ungefähr 480 bis 600° C. worai
der Stickstoff aus dem Ofen evakuiert wird, bis ei Vakuum von IG 630 kg/m2 erreicht ist/ Unrnitielbi
danach wird Luft in den Ofen eingeführt, und zwar während einer Dauer von ungefähr 6 bis 10 Sekunden,
bis das Druckmeßinstrument ungefähr 6910 kg/m2 anzeigt. Nach ungefähr 15 Sekunden
Halte?:it wird trockener Stickstoff, der unter einem
Druck \on einigen Atmosphären steht, in den Ofen eingeleitet, und gleichzeitig wird ein Auslaßventil geöffnet,
um alle Restmengen an Sauerstoff zu evakuieren bzw. abzuführen. Die Temperatur wird während
weiterer sieben Minuten in Fortsetzung der vorhergehenden Temperaturerhöhung noch weiter erhöht, bis
eine Endtemperatur von 800° C erreicht ist. Zu diesem Zeitpunkt wird das Auslaßventil geschlossen
und unter hohem Druck stehender Stickstoff eingeleitet, um die »Packungen« zusammenzupressen, wobei
eine weitere Erhitzung eingestellt wird.
Bei diesem Beispiel bestand die Glashülle aus einem alkalifreien Hartglas mit einem Erweichungspunkt
von ungefähr 700 ' C. Es sei weiterhin darauf
hingewiesen, daß sich im Sinne der vorliegenden Beschreibung Hartgläser von Weichgläsern dadurch unterscheiden,
daß letztere einen höheren Wärmeausdehnungskoeffizienten besitzen als die Hartgläser.
Um die Unversehrtheit der nach diesem Beispiel hergestellten Dioden festzustellen, werden diese in eine Flüssigkeit sehr niedriger Viskosität eingebracht und vier Stunden in der Flüssigkeit bei einem Druck von 70 kg/cm2 untergetaucht gehalten. Irgendwelche
Um die Unversehrtheit der nach diesem Beispiel hergestellten Dioden festzustellen, werden diese in eine Flüssigkeit sehr niedriger Viskosität eingebracht und vier Stunden in der Flüssigkeit bei einem Druck von 70 kg/cm2 untergetaucht gehalten. Irgendwelche
ίο Lecks in den »Packungen« können unter violettem
Licht festgestellt werden.
Die über eine beträchtliche Anzahl von Produktionsfolgen gemäß dem oberen Beispiel ermittelt«
Ausschußratc, welche sich auf Grund schlechte!
Dichtverbindung zwischen der Glashülle und det Molybdän-Stiften ergab, betrug ungefähr 0,1 0Zu
während dagegen vor Einführung des erfindungsge mäßen Verfahrens eine Ausschußrate von ungefähr
bis 3 0Zo üblicherweise auftrat.
bis 3 0Zo üblicherweise auftrat.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentansprüche:1. Verfuhren zur Herstellung einer gut reproduzierbaren, dichtenden Verbindung zwischen einem Metallteil und einem Hartglasteil, wobei die zu verbindende Metalloberfläche /unächsi oxydiert und dann mit dem Glas durch Erhitzen in einer inerten Atmosphäre verschmolzen wird, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensführune. bei der die Teile nur einmal gehandhabt werden:a) das Metallteil und das Glasteil, welches frei von oxydierenden Bestandteilen sein muß. werden zusammengesetzt:b) das Metallteil und das Glasieil werden in einer nichtoxydiercnden Atmosphäre innerhalb eines Druckgefäßes bei einem ersten Druck erwärmt, während die Teile in ihrer richtigen Lage zueinander, jedoch lose gefügt sind;c) die in dem Druckgefäß enthaltene Atmosphäre wird bis zum Erreichen eines zweiten niedrigeren Druckes evakuiert, und es wird in das Druckgefäß ein Sauerstoff enthaltendes Gas gemäß einem Partialdruck eingeführt, um einen dritten Druck zu erzeugen, der höher ist als der zweite Druck, während die Temperatur im Druckgefäß bis zu dem Bereich zunimmt, bei weiuiem das Metallteil leicht oxydierbar ist, so daß die Oberfläche des Metailteils in bekannter Weise oxydiert;d) das Sauerstoff enthaltende Gas wird aus dem Druckgefäß gespült, indem ein nichtoxydierendes Gas unter Druck durch das Gefäß geleitet wird, um einen vierten Druck in dem Gefäß zu erzeugen;e) die Temperatur im Gefäß wird weiterhin gesteigert, bis das Glas mit dem Metallteil erweicht;f) das erhaltene, abgedichtete Bauteil wird abgekühlt.Z.Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Metall Molybdän verwendet wird und daß das Sauerstoff enthaltende Gas im Temperaturbereich von 480 bis 650° C eingeführt und.3. Verfahren nach Anspruch I oder 2, dadurch gekennzeichnet, Jaß der vierte Druck des Abkühlungsschrittes aufrechterhalten wird, bis das Glas hart wird.4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein eisenoxidfreies Glas verwendet wird.5. Verfahren nach einem der Ansprüche I bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein alkalifreies Glas verwendet wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US87966969A | 1969-11-25 | 1969-11-25 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2057471A1 DE2057471A1 (de) | 1971-06-24 |
DE2057471B2 DE2057471B2 (de) | 1973-03-15 |
DE2057471C3 true DE2057471C3 (de) | 1973-10-18 |
Family
ID=25374634
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2057471A Expired DE2057471C3 (de) | 1969-11-25 | 1970-11-23 | Verfahren zur Herstellung einer gut reproduzierbaren, dichten Verbindung zwischen einem Metallteil und einem Hartglasteil |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3631589A (de) |
BE (1) | BE759209A (de) |
DE (1) | DE2057471C3 (de) |
FR (1) | FR2072339A5 (de) |
GB (1) | GB1328560A (de) |
NL (1) | NL7016893A (de) |
SE (1) | SE366974B (de) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3844029A (en) * | 1972-02-02 | 1974-10-29 | Trw Inc | High power double-slug diode package |
US3766634A (en) * | 1972-04-20 | 1973-10-23 | Gen Electric | Method of direct bonding metals to non-metallic substrates |
US4149910A (en) * | 1975-05-27 | 1979-04-17 | Olin Corporation | Glass or ceramic-to-metal composites or seals involving iron base alloys |
US4017495A (en) * | 1975-10-23 | 1977-04-12 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Encapsulation of integrated circuits |
DE3005301C2 (de) * | 1980-02-13 | 1985-11-21 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Varaktor- oder Mischerdiode |
AU601294B2 (en) * | 1987-10-05 | 1990-09-06 | Boc Group, Inc., The | Glass to metal sealing process |
US5522003A (en) * | 1993-03-02 | 1996-05-28 | Ward; Robert M. | Glass preform with deep radial gradient layer and method of manufacturing same |
US6358771B1 (en) * | 1998-07-02 | 2002-03-19 | Analog Devices, Inc. | Low oxygen assembly of glass sealed packages |
ES2358656B1 (es) * | 2009-10-28 | 2012-01-13 | Abengoa Solar New Technologies, S.A. | Nuevas composiciones de vidrio y procedimiento para realizar una union vidrio-metal. |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2279168A (en) * | 1940-02-29 | 1942-04-07 | Westinghouse Electric & Mfg Co | Process for kovar-glass seals |
US3490886A (en) * | 1966-06-16 | 1970-01-20 | Milton Stoll | Method and apparatus for producing glass to metal seals using two sealing gas pressures |
-
0
- BE BE759209D patent/BE759209A/xx unknown
-
1969
- 1969-11-25 US US879669A patent/US3631589A/en not_active Expired - Lifetime
-
1970
- 1970-11-16 SE SE15455/70A patent/SE366974B/xx unknown
- 1970-11-18 NL NL7016893A patent/NL7016893A/xx unknown
- 1970-11-19 GB GB5494970A patent/GB1328560A/en not_active Expired
- 1970-11-23 DE DE2057471A patent/DE2057471C3/de not_active Expired
- 1970-11-24 FR FR7042216A patent/FR2072339A5/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3631589A (en) | 1972-01-04 |
FR2072339A5 (de) | 1971-09-24 |
BE759209A (fr) | 1971-04-30 |
SE366974B (de) | 1974-05-13 |
DE2057471A1 (de) | 1971-06-24 |
GB1328560A (en) | 1973-08-30 |
NL7016893A (de) | 1971-05-27 |
DE2057471B2 (de) | 1973-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2633869C2 (de) | Verfahren zum Verbinden von Kupfer mit einem Substrat aus Keramikmaterial | |
DE69112596T2 (de) | Verfahren zur Herstellung doppelwandiger isolierender metallischer Behälter. | |
DE2253835A1 (de) | Verfahren zur herstellung von gasentladungsanordnungen | |
DE2319854A1 (de) | Verfahren zum direkten verbinden von metallen mit nichtmetallischen substraten | |
DE2057471C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer gut reproduzierbaren, dichten Verbindung zwischen einem Metallteil und einem Hartglasteil | |
DE3328975A1 (de) | Verfahren zum hartverloeten zweier bauteile mit unterschiedlichen waermeleitfaehigkeiten und hartgeloetetes schaltungsflachgehaeuse | |
DE1278804B (de) | Verfahren zum Voroxydieren von Werkstuecken aus Chromeisen und Chromnickeleisenlegierungen zur Erleichterung des Anschmelzens derselben an Glas | |
DE4403028A1 (de) | Glas-Metall-Dichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE69712834T2 (de) | Bogenentladungslampenröhre und Herstellungsverfahren derselben | |
DE69318107T2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Metallbehälters mit evakuierter Doppelwand | |
DE2308041A1 (de) | Lotlegierung und verwendung derselben | |
DE3317534A1 (de) | Ein- und durchfuehrungsisolator aus glas und verfahren zu dessen herstellung (glas-metall-leiter-durchfuehrung) | |
DE1907567A1 (de) | Elektrische Schaltungseinheit | |
DE3827318A1 (de) | Dichtung zwischen keramischen gegenstaenden oder zwischen keramischen und metallischen gegenstaenden | |
DE1004989B (de) | Verfahren zum Herstellen von vakuumdichten Huellen aus Metall- und Keramikteilen | |
DE102017125140B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil | |
DE2340018C2 (de) | Verfahren zum Verbinden von gesinterten Permanentmagneten aus Seltene-Erden-Kobalt-Verbindungen | |
DE1252035B (de) | ||
DE4433025C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Verbindung zweier Keramikteile bzw. eines Metall- und eines Keramikteils | |
DE1521481B1 (de) | Anordnung zur Waermebehandlung von scheibenfoermigen Halbleiterkoerpern | |
DE68903631T2 (de) | Verfahren zur herstellung einer metallschicht auf oxydkeramik mit hervorragender dichtungs- und loetfaehigkeit. | |
EP0230853A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer lötfähigen Schicht aus einer Metallegierung auf einem Keramik-, insbesondere Oxydkeramiksubstrat | |
DE2500206A1 (de) | Metallisierungssystem fuer halbleiter | |
DE1933130B2 (de) | Stromdurchführung für einen Kolben einer mit hoher Stromstärke betriebenen elektrischen Einrichtung, insbesondere einer elektrischen Lampe | |
DE2235376B2 (de) | Verwendung einer Lotlegierung zum Löten von Teilen aus schwer lötbarem Material untereinander oder mit einem nicht schwer lötbaren Metallteil |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |