DE2054675A1 - Aus einer Anordnung von Halbleiter Dioden bestehende Vidicon Speicherplatte und Verfahren zum Behandeln bzw Prapa neren dieser Speicherplatte - Google Patents

Description

Dipl.-lng. H. Sauerland · Dr.-lng. R. König

¹^ Dlpl.-Ing. Bergen ^{α α}

Patentanwälte ■ 4ααα Düsseldorf · Ceciliensllee 7b · Telefon 43S732

Unsere Akte: 26 232 5. November 1970

RCA Corporation, New York» N.Y. (V.St.A.)

"Aus einer Anordnung von Halbleiter-Dioden bestehende Vidicon-Speicherplatte und Verfahren zum Behandeln (bzw. Präparieren) dieser Speicherplatte"

Gegenstand der vorliegenden Erfindung sind neuartige, aus einer Anordnung von Halbleiter-Dioden bestehende Vidicon-Speicherplatten (Auffangelektroden) sowie ein Verfahren zum Präparieren solcher Speicherplatten zwecks Verringerung von Abbauerscheinungen auf Grund etwa vorhandener schadhafter Dioden, und um Speicherplatten mit schadhaften Dioden retten zu können.

Aus einer Anordnung von Halbleiter-Dioden bestehende Vidicon-Speicherplatten, wie etwa die Silizium-Speicherplatten, können schadhafte, sogenannte "weiche" Dioden enthalten. Wenn die Speicherplatten-Dioden mit einer gegebenen Betriebsspannung rückwärts vorgespannt werden, lassen die weichen Dioden mehr Strom hindurch als die übrigen, brauchbaren, sogenannten "harten" Dioden der Speicherplatte. Das Vorhandensein weicher Dioden in einer Speicherplatte verschlechtert deren Betriebsverhalten. Auf Grund der geringen GröBe und der hohen Flächendichte der Dioden in einer Silizium-Speicherplatte kann man mit den heutigen Mikroprüftechniken die Dioden nicht prüfen bevor man die Speicherplatte in eine Röhre oder eine äquivalente Umgebung . eingebaut hat..Und selbst wenn man durch den Betrieb einer Speicherplatte festgestellt hat, daß diese weiche Dioden

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enthält, ist es auf Grund der geringen Größe und der hohen Flächendichte der Dioden gegenwärtig weder möglich, genau festzustellen, welche Diode weich ist noch kann man eine bekannte weiche Diode individuell behandeln um den Schaden zu heilen.

Die neuartige Speicherplatte gemäß der vorliegenden Erfindung enthält auf einer Oberfläche eines Halbleiter-Plättchens eine Anordnung von Halbleiter-Dioden, von denen mindestens eine schadhaft (weich) ist. Ein Kontakt für jede Diode liegt an der Oberfläche des Plättchens frei. Eine elektrisch isolierende Schicht über diesen Kontakten ist bei den weichen Dioden dicker als bei den harten Dioden und verringert bei angelegter Betriebsspannung den Strom über die weichen Dioden in wesentlich höherem Maße als den Strom über die harten Dioden ohne dabei die Betriebs-Kenndaten der harten Dioden nachteilig zu beeinflussen.

Die Speicherplatte kann auf folgende Weise hergestellt werden:

Die Dioden einschließlich ihrer Kontakte werden in dem Plättchen geformt;

das Plättchen wird mit Ausnahme der Kontakt-Flächen mit einer Abdeckschicht bedeckt;

die Kontakt-Flächen des Plättchens werden mit einer oxydierenden Elektrolyt-Lösung in Berührung gebracht;

eine anodisierende Spannung wird zwischen Plättchen und Lösung angelegt, wobei diese Spannung unterhalb der Durchbruch-Spannung der harten Dioden liegt. Hierbei kann ein elektrischer Strom durch die Dioden-Anordnung fließen, wodurch Isoliermaterial auf den Kontakt-Flächen der Dioden abgeschieden wird· Die Dicke des Isolienaaterials auf den weichen Dioden reicht aus um den bei Betriebsspannung

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durch die weichen Dioden fließenden Strom auf einen akzeptablen Wert herabzusetzen. Die Dicke des auf den harten Dioden abgeschiedenen Isoliermaterials ist so gering, daß die Betriebs-Kenndaten der harten Dioden praktisch unbeeinflußt bleiben.

Durch die selektiv auf den weichen Dioden abgeschiedene isolierende Schicht wird bei der neuartigen Speicherplatte der verschlechternde Einfluß der in ihr enthaltenen weichen Dioden verringert oder ganz beseitigt. Ein weiterer Vorteil des neuen Verfahrens zur Herstellung der Speicherplatte besteht darin, daß das isolierende Material selektiv auf den weichen Dioden einer Dioden-Anordnung abgeschieden werden kann, ohne daß man vorher diese weichen Dioden lokalisieren muß. Die Menge des abgeschiedenen Materials wird durch das Verfahren selbst gesteuert.

Anhand der beigefügten Zeichnung wird die Erfindung näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 einen vergrößert gezeichneten und übertrieben dargestellten Querschnitt durch ein Bruchstück einer Silizium-Vidicon-Speicherplatte mit einer harten und einer weichen Diode, bei welcher das erfindungsgemäße Verfahren angewandt wurde;

Fig. 2 eine graphische Darstellung, die schematisch die elektrischen Kenndaten der Dioden der Speicherplatte gemäß Fig. 1 wiedergibt;

Fig. 3 einen Längsschnitt durch eine Apparatur, die sich zur Durchführung der bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens eignet. Fig. 3 enthält außerdem ein schematisches Schaltbild eines für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens geeigneten Stromkreises.

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Fig. 1 zeigt einen Ausschnitt aus einer Silizium-Vidicon-Speicherplatte 10. Die Speicherplatte 10 enthält ein η-leitendes Silizium-Grundplättchen 12 von etwa 20 Mikrometer (pm) Dicke und etwa 2 cm Durchmesser. Auf der einen Oberfläche des Grundplättchens 12, nämlich der abzutastenden Oberfläche 14, befindet sich eine Anordnung diskreter p-leitender Bereiche 16, die voneinander durch eine isolierende Siliziumdioxid-Schicht 18 getrennt sind, welche auf der Oberfläche 14 zwischen den p-leitenden Bereichen 16 aufgebracht ist. Durch diesen Aufbau entsteht eine Anordnung von pn-Übergangs-Dioden 20a, 20b, ... unterhalb der abzutastenden Oberfläche 14. Es sind etwa 724 Dioden entlang einer Linie von 1 cm Länge vorhanden. Die p-leitenden Bereiche der Dioden stellen gegenüber einem abtastenden Elektronenstrahl offen liegende Kontaktflächen 21 dar.

Die überwiegende Mehrzahl der Dioden 20a, 20b, ... hat im rückwärts vorgespannten Zustand eine akzeptable Strom-Spannungs-Charakteristik. Derartige Dioden, wie z.B. die Diode 20a in Fig. 1, sollen als harte Dioden bezeichnet werden. Die Strom-Spannungs-Charakteristik für harte Dioden, wie z.B. Diode 20a, wird in etwa durch die ausgezogene Linie 51 in Fig. 2 beschrieben. Einige Dioden, wie z.B. die Diode 20b in Fig. 1, haben jedoch eine nicht akzeptable Strom- Spannungs-Charakteristik, wie sie in etwa durch die ge strichelten Kurven 53 und 55 in Fig. 2 dargestellt ist. Derartige Dioden sollen als weiche Dioden bezeichnet werden. Sie sind dadurch gekennzeichnet, daß sie bei Rückwärts-Vorspannung einen wesentlich größeren Strom aufnehmen als harte Dioden. Bei der erfindungsgemäßen Speicherplatte 10 sind die offen liegenden Kontaktflächen 21 der weichen Dioden, wie z.B. der Diode 20b in Fig· 1, mit einer Schicht 22 aus elektrisch Isolierendem Material überzogen, welche vorzugsweise nach dem erfindungsgemäßen neu-

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artigen Verfahren hergestellt wird.

Die Kontaktflächen 21 der weichen Dioden, wie z.B. der Diode 20b, einer im übrigen fertiggestellten Silizium-Vidicon-Speicherplatte werden selektiv elektrochemisch mit einer Isolierschicht 22 aus einem glasartigen Oxid überzogen. Diese Schicht ist in Fig. 1 dargestellt. Das elektrochemische Beschichten erfolgt mittels einer Apparatur des in Fig. 3 dargestellten Typs.

Eine Änodenleitung 24 wird mit dem Grundplättchen 12 verbunden. Die gesamte Speicherplatte 10 wird mit einem Schutzwachs 26 überzogen, wobei lediglich die abzutastende Oberfläche 14 unbedeckt bleibt. Die so geschützte Speicherplatte 10 wird sodann als Anode gegenüber einer als Kathode dienenden Platin-Elektrode 28 in eine elektrochemische Zelle 30 eingesetzt, in welcher sich ein Elektrolyt 32 befindet, der aus etwa 10# Kaliumhydroxid und etwa 9096 Wasser besteht. Die kathodische Elektrode 28 steht über eine elektrische Leitung 34, ein Amperemeter 36 und ein Potentiometer 29 mit dem Minus-Pol einer elektrischen Batterie 38 in Verbindung. Die Anodenleitung 24 ist an den Plus-Pol der Batterie 38 angeschlossen. Indem nun die Spannung unter sorgfältiger Beobachtung des Stroms mittels des Amperemeters 36 erhöht wird, wird sie auf einen Wert für die anodisierende Spannung angehoben, der gerade noch unterhalb der Durchbruchspannung liegt. Unter "Durchbruchspannung" soll dabei die Durchbruchspannung der harten Dioden 20a verstanden werden. Unter "anodisierende Spannung" wird die Spannung verstanden, die über die Anordnung während der Bildung der Isolierschicht abfällt. Die anodisierende Spannung für die bevorzugte AusfUhrungsform* wird durch die punktierte Linie 57 in Fig. 2 dargeetellt. Bei der anodisierenden Spannung, die im allgemeinen etwa zwischen 30 und 200 V und bis zu etwa 10 V unterhalb der

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Durchbruchspannung liegt, liegt der Strom über die gesamte Anordnung in der Größenordnung von 1 Mikroampere. Bei der speziellen Speicherplatte 10 der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung betrug die Durchbruchspannung etwa 38 V, die anodisierende Spannung etwa 35 V; die Zeit für die Bildung des anodischen Niederschlags war etwa 20 Minuten. Die Durchbruchspannung einer Speicherplatte hängt von mehreren Faktoren ab, wie elektrischer Widerstand des Grundplättchens und Diffusionstiefe der Verunreinigungen in den p-leitenden Bereichen 16. Sie läßt sich leicht feststellen, indem man z.B. die Dioden mit einer Quecksilber-Sonde in Berührung bringt und die Strom-Spannungs-Charakteristik mittels eines Oszillographen beobachtet. Man findet, daß unter den allgemeinen Bedingungen einer RUckwärts-Vorspannung der anodisierenden Spannung eine wasserunlösliche, elektrisch isolierende Materialschicht 22 elektrochemisch auf den Kontaktflächen 21 der Diode 20b gebildet wird. Es wird angenommen, daß die isolierende Schicht 22 aus einem Oxid des Siliziums besteht. Die Geschwindigkeit, mit der die isolierende Schicht 22 auf einer speziellen Oberfläche 21 abgeschieden wird, ist der elektrischen Stromstärke in diesem Bereich direkt proportional. Demzufolge überziehen sich die weichen Dioden, wie z.B. Diode 20b, schnell mit einer isolierenden Schicht 22 von etwa 0,2 Mikrometer Dicke, während sich die harten Dioden, wie z.B. Diode 20a, nur mit einer relativ dünnen isolierenden Schicht 22 von weniger als 0,025 Mikrometer Dicke überziehen. Der Abscheidevorgang ist selbstbegrenzend, da die Stromstärke mit zunehmender Dicke der isolierenden Schicht 22 abnimmt. Die Schicht 22 bewirkt, daß die Stromstärke über die weichen Dioden 20b auf praktisch denselben Wert herabgesetzt wird wie die Stromstärke über die harten Dioden 20a. Im Anschluß an den Abscheidevorgang wird die Speicherplatte 10 aus der Zelle 30 herausgenommen und etwa 5 Sekunden lang in einer Lösung aus 98# Wasser und 2% Fluorwasserstoff bei etwa 26⁰C gespült um so gerade genug von der isolierenden

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Schicht 22 wieder zu entfernen, daß die Kontaktflächen 21 der harten Dioden 20a von dieser Schicht befreit sind, die Kontaktflächen 21 der weichen Dioden 20b jedoch ihre isolierende Schicht 22 behalten.

Eine weiche Diode verliert normalerweise praktisch ihre gesamte Ladung während einer normalen Abtastdauer von 1/30 Sekunde, wie sie in einem kommerziellen Vidicon üblich ist, unabhängig von der Intensität der lichterzeugenden Elemente in ihrer Nachbarschaft. Sie zeigt deshalb ein maximales Ausgangssignal bei jedem Abtastvorgang. Das hat zur Folge, daß schon eine einzige weiche Diode in einer Speicherplatte ein Signal erzeugen kann, welches als heller, weißer Punkt gegenüber dem Hintergrund einer normal ausgeleuchteten Szene vor dem Betrachter erscheint. Mit nachlassender Beleuchtung des Hintergrundes scheint der weiße Punkt an Helligkeit zuzunehmen, was eine Folge des zunehmenden Kontrastes zwischen diesem und dem Hintergrund ist. Der störende Einfluß eines weißen Punktes auf den Betrachter dürfte in erster Linie ein psychologisches Phänomen sein; denn es geht nur ein winziger Teil der Signal-Information als Folge einer einzigen weichen Diode verloren. Je größer der Kontrast des weißen Punktes zum Hintergrund ist, desto größer ist der störende Einfluß. Da Silizium-Vidicons in anderer Hinsicht ausgesprochen gute Aufnahmegeräte für schlechte Lichtverhältnisse sind, bedeuten weiche Dioden in einer Speicherplatte bei normalen Betriebsbedingungen gleißende, vom Bildinhalt ablenkende Störerscheinungen, so daß eine Speicherplatte, die mehrere brilliante weiße Punkte erzeugt, im allgemeinen für kommerzielle Anwendungen unbrauchbar ist.

Die Isolierschicht auf den weichen Dioden der erfindungsgemäßen Speicherplatte speichert die elektronische Ladung während des Abtastvorgangs und verhindert, daß die weichen

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Dioden durch den abtastenden Elektronenstrahl zur Abgabe eines Signals veranlaßt werden. Das hat zur Folge, daß eine weiche Diode, die ansonsten einen brillianten weißen Punkt erzeugen würde, nunmehr einen dunkelgrauen oder schwarzen Punkt erzeugt. Der Grauton des Punktes ist abhängig von der Dicke der isolierenden Schicht auf der Diode. Bei normal ausgeleuchteten Szenen oder Szenen mit niedriger Beleuchtungsstärke ist das Vorhandensein von dunklen Punkten im Signal erheblich weniger störend für den Betrachter als wenn die Punkte strahlend weiß wären. Man kann deshalb ansonsten für kommerzielle Zwecke unbrauchbare Speicherplatten durch das erfindungsgemäße Verfahren in brauchbare Platten verwandeln.

Bei Speicherplatten mit einer sehr hohen Flächendichte der Dioden, wie bei der bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Speicherplatte, trifft der abtastende Elektronenstrahl gleichzeitig auf mehrere Dioden. In diesem Fall wird das Fehlen eines Signals von einer nicht arbeitenden, nicht leitenden Diode ausgeglichen durch die Signale von den unmittelbar benachbarten Dioden. Deshalb ist hierbei das Vorhandensein einer einzelnen weichen Diode, die mit einer genügend dicken Schicht isolierenden Materials überzogen ist, im dargestellten Signal nicht zu erkennen. Andererseits würde die gleiche weiche Diode ohne die isolierende Schicht im dargestellten Signal immer noch als brillianter Punkt erscheinen. Den Grund hierfür kann man darin sehen, daß unter normalen Lichtverhältnissen der zusätzliche Signalanteil, der durch eine nicht abgedeckte weiche Diode beigesteuert wird, erheblich größer ist als der Signalanteil, der verloren geht, wenn diese Diode durch eine isolierende Schicht abgedeckt ist.

Das erfindungsgemäße Verfahren läßt sich auch auf Silizium-Vidicon-Speicherplatten anwenden, die Kontaktschichten auf

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den Dioden haben. Bei einem derartigen Aufbau der Speicherplatte werden die isolierenden Schichten auf die Kontaktschichten aufgebracht.

Die isolierende Schicht auf den weichen Dioden hat gegenüber Silizium und Siliziumoxid ein kontrastierendes Aussehen und läßt sich deshalb leicht unter einem Mikroskop erkennen. Auf diese Weise läßt sich rein visuell die Ausbeute an harten Dioden in einer hergestellten Speicherplatte feststellen, ohne daß man diese in einer Kamera-Röhre oder äquivalenter Umgebung betreiben muß.

Nicht alle schadhaften Dioden in einer aus einer Anordnung von Dioden bestehenden Speicherplatte haben die gleiche Strom-Spannungs-Charakteristik. Die gestrichelten Kurven 53 und 55 in Fig. 2 illustrieren zwei übliche Arten von Charakteristiken schadhafter Dioden. Schadhafte Dioden, die das Betriebsverhalten einer Speicherplatte verschlechtern, haben normalerweise eine Strom-Spannungs-Charakteristik, die durch eine Kurve innerhalb einer Kurvenschar dargestellt werden kann, die gänzlich oberhalb der Kurve 51 für harte, akzeptable Dioden liegt, und zwar mindestens im Spannungsbereich von etwas über Null bis gerade unterhalb der Durchbruchspaimung. Aus Gründen der Einfachheit werden im vorliegenden Fall alle derartigen Dioden als weiche Dioden bezeichnet. Eine Eigenschaft, die alle diese verschiedenen weichen Dioden gemeinsam haben, 1st die, daß bei einer gegebenen Rückwärts-Vorspannung gerade unterhalb der Durchbruchspannung der Strom durch die weichen Dioden in seiner Stärke relativ zum Strom durch die harten Dioden sehr viel größer ist. Die durch das erfindungsgemäße Verfahren auf den Kontaktflächen der Dioden der erfindungsgemäßen Speicherplatte gebildeten isolierenden Schichten verringern die relative Stromstärke über die weichen Dioden bei einer gegebenen Betriebsspannung unterhalb der Durch-

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bruchspannung. Eine wichtige Eigenart des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß die Selbstbegrenzung bei der Schichtbildung in Richtung einer Verringerung der Stromstärke-Unterschiede von Diode zu Diode auf einen minimalen Wert bei einer gegebenen Betriebsspannung für die Rückwärts-»Vorspannung wirkt, wodurch eine größtmögliche Einheitlichkeit des von der Speicherplatte kommenden Signals gewährleistet wird. Weiche Dioden mit relativ hohem Strom bei relativ niedriger Rückwärts-Vorspannung können bei Anodisierungs-Spannungen beschichtet werden, die wesentlich unter der Durchbruchspannung liegen. Weiche Dioden jedoch, deren Strom-Spannungs-Charakteristik dichter an derjenigen von harten Dioden liegt, etwa wie durch die untere gestrichelte Kurve in Fig. 2 dargestellt, lassen sich nicht mit genügender Selektivität beschichten, wenn man die für die Bildung der Schicht nötige Anodisierungs-Spannung nicht dicht unter die Durchbruchspannung einstellt. Es ist eine Eigenart des erfindungsgemäßen Verfahrens, daß weiche Dioden mit einer Charakteristik, die dicht bei derjenigen von harten Dioden liegt, zusammen mit anderen weichen Dioden selektiv beschichtet werden, indem man eine Anodisierungs-Spannung knapp unterhalb der Durchbruchspannung einstellt.

Die Konzentration des Kaliumhydroxids im Elektrolyten 32 der bevorzugten Ausführungsform ist nicht kritisch und kann zwischen 1 und 2096 Kaliumhydroxid liegen. Abwandlungen bei der Beschichtung können dadurch erreicht werden, daß man andere Beschichtungs-Lösungen als Kaliumhydroxid verwendet, einschließlich organischer Mischungen. Unter "oxydierendem Elektrolyt" ist ein Elektrolyt zu verstehen, der in der Lage ist, aus dem Material des Grundplättchens der Halbleiter-Speicherplatte ein anodisches Oxid zu bilden. Die Konzentration des Elektrolyten wird so eingestellt, daß eine Beschichtungs-Geschwindigkeit entsteht,

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die es erlaubt, die Beschichtung in einer vernünftigen Zeit zu bewerkstelligen, ohne daß sie derart schnell ist, daß man die Kontrolle über den Vorgang verliert. Man kann auch andere Anodisierungs-Techniken verwenden, solange die Anodisierungs-Spannung dabei gerade unterhalb der Durchbruchspannung bleibte

Die Konzentration des Fluorwasserstoffs in der Ätzlösung der bevorzugten Ausführungsform ist ebenfalls nicht kritisch. Die Lösung kann zwischen 1 und 10% Fluorwasserstoff und zwischen 99 und 90% Wasser enthalten, je nach gewünschter Ätzgeschwindigkeit. Auch andere Ätzverfahren, wie Sprüh- oder elektrochemisches Ätzen können angewandt werden.

Es ist wichtig, daß die zwecks Bildung einer isolierenden Schicht 22 auf den Kontaktflächen 21 an die Speicherplatte angelegte Anodisierungs-Spannung knapp unterhalb der Durchbruchspannung liegt. Es ist z,B. wünschenswert, daß diese für die Bildung des Niederschlags verwendete Spannung innerhalb einer Abweichung von 5% unterhalb der Durchbruchspannung liegt. Es wurde gefunden, daß dann, wenn diese Anodisierungs-Sp'annung nicht innerhalb einer Spanne von 10 V unterhalb der Durchbruchspannung liegt, kein genügend großer Unterschied in den Stromstärken über die harten und über die weichen Dioden entsteht, um eine merkliche Abnahme der relativen Stromstärke über die weichen Dioden 20b zu bewerkstelligen.

Die Dicke der Schicht, welche bei dem Ätzvorgang im Anschluß an den Beschichtungs-Vorgang entfernt wird, ist im Hinblick auf den Betrieb der Speicherplatte ebenfalls nicht kritisch. Selbst wenn überhaupt nichts entfernt wird, ist die Beschichtung der harten Dioden in der Regel so dünn, daß die Betriebs-Kenndaten der Speicherplatte im wesentli-

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chen unbeeinflußt bleiben; dies beruht darauf, daß die Strahl-Elektronen infolge Tunnel-Effekts durch eine dünne Schicht hindurchgelangen können. Die Signal-Stärke der Speicherplatte läßt sich jedoch leicht erhöhen, wenn man etwas oder alles von der isolierenden Schicht auf den harten Dioden entfernt.

Ein zusätzlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß Poren in der die p-leitenden Bereiche 16 voneinander trennenden Schicht 18 auf der Speicherplatte durch den Beschichtungs-Prozeß ebenfalls beeinflußt werden, und zwar so, daß sie das Betriebsverhalten der Speicherplatte nicht mehr dadurch beeinträchtigen, daß sie als weiße Punkte wiedergegeben werden.

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Claims (8)

1. RCA Corporation, New York, N.Y. (V.St.A.)

   Patentansprüche;

   Aus einer Anordnung von Halbleiter-Dioden bestehende Vidicon-Speicherplatte, gekennzeichnet durch ein Halbleiter-Plättchen (12) und eine Anordnung von Halbleiter-Dioden (20a, 20b), welche in diesem Plättchen gebildet sind und freiliegende Kontaktflächen (21) an einer Oberfläche des Plättchens (12) aufweisen, wobei die Anordnung vornehmlich aus harten Dioden (20a) besteht und mindestens eine weiche Diode (20b) enthält, und bei Rückwärts-Vorspannung auf eine gegebene, unterhalb der Durchbruchspannung der harten Dioden liegende Betriebsspannung die weiche Diode einen wesentlich höheren Strom durchläßt als ihn die harten Dioden bei Betriebsspannung durchlassen, und durch eine elektrisch isolierende Schicht (22) auf den Kontaktflächen, die auf den Kontaktflächen der weichen Dioden dicker ist als auf den Kontaktflächen der harten Dioden.
2. 2. Speicherplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiter aus Silizium und die isolierende Schicht (22) aus einem glasartigen Material mit einer Farbe besteht, die die Schicht (22) visuell unterscheidbar von den Kontaktflächen macht.
3. 3. Speicherplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Schicht (22) ein Oxid des Halbleiter-Plättchens (12) ist.
4. 4. Verfahren zum Präparieren einer Anordnung von Halbleiter-Dioden in einem Halbleiter-Plättchen gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch folgende Schritte: (a) Abdecken aller Flächen

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   des Plättchens mit Ausnahme der Kontaktflächen mittels
   einer Abdeckschicht, (b) Aussetzen der Kontaktflächen des Plättchens einer Elektrolyt-Lösung, (c) Anlegen einer anodisierenden Spannung zwischen Plättchen und Lösung, wobei diese Spannung innerhalb eines Bereichs von 10 V unterhalb der Durchbruchspannung der Dioden liegt und (d) Fließen
   eines elektrischen Stroms durch die Dioden-Anordnung und
   die Lösung, wobei sich eine dickere isolierende Schicht
   selektiv auf den Kontaktflächen derjenigen Dioden bildet, die einen größeren Strom durchlassen, wenn sie auf eine
   gegebene Betriebsspannung rückwärts vorgespannt sind, als andere Dioden der Anordnung.
5. 5· Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnung als Anode gegenüber einer chemisch inerten Kathode in eine elektrochemische
   Zelle eingebracht wird, in welcher der Elektrolyt im wesentlichen aus einer Lösung von Kaliumhydroxid und Wasser besteht.
6. 6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichtdicke der isolierenden Schicht auf den Kontaktflächen der Dioden durch Abätzen eines Teils der Schicht verringert wird.
7. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Abätzen mit einer wäßrigen Lösung von Fluorwasserstoff erfolgt.
8. 8. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Schicht
   aus einem Oxid des Halbleiter-Plättchens besteht.

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