DE2038515A1 - Hysteresisschaltkreise mit Metalloxydhalbleitern (MOS) - Google Patents
Hysteresisschaltkreise mit Metalloxydhalbleitern (MOS)Info
- Publication number
- DE2038515A1 DE2038515A1 DE19702038515 DE2038515A DE2038515A1 DE 2038515 A1 DE2038515 A1 DE 2038515A1 DE 19702038515 DE19702038515 DE 19702038515 DE 2038515 A DE2038515 A DE 2038515A DE 2038515 A1 DE2038515 A1 DE 2038515A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- field effect
- effect transistor
- gate electrode
- voltage level
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/356—Bistable circuits
- H03K3/3565—Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/094—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
- H03K19/0944—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET
- H03K19/09441—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET of the same canal type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Description
DR. ING. E. HOFFMANN - DIPL,. ING. W. EITLE · DR. RER. NAT. K. HOFFMANN
PATENTANWÄLTE D-8000 MDNCHEN 81 · ARAB ELLASTRASSE 4 · TELEFON (0811) 911087 203851
NORTH AMERICAN ROCKWELL CORPORATION, El Segundo/Ca.
V. St. A.
Digitale Schaltkreise sind oft mit einem Rauschen behaftet, das ein Umschalten der Schaltkreise in einen anderen Zustand
bewirkt. Es wurden bereits verschiedene Verfahren benützt,um
die Rauschempfindlichkeit dieser Schaltkreise zu vermindern; diese Verfahren machen eine zusätzliche, ungerechtfertigt
große Anzahl von Schaltkreiskomponenten oder extreme Umformungen in den Wellenformen nötig, die verwendet werden, um
die Schaltkreise zu triggern. Ein weiteres erwähnenswertes Problem, das bei digitalen Schaltkreisen auftritt, besteht
in einem Ladungsabbau, wenn asynchrone Signale abgetastet werden.
109822/1653
Die vorliegende Erfindung überwindet das oben erwähnte Problem mittels eines digitalen Schaltkreises, der einen
Detektor enthält, der auf den Eingangssignalpegel zur Schaltung seines Ausgangs zwischen zwei Zuständen
anspricht, und der ein Ausgangssignal entsprechend dem
Ausgang des Detektors enthält, um zwischen zwei Zuständen zu schalten; dieser Schaltkreis ist durch ein erstes
Leitwertteil gekennzeichnet, das in Serie liegt mit dem Detektor, durch ein zweites schaltbares Leitweitbeil,
das parallel zu dem ersten Leitwertteil liegt, auf das das Signal anspricht, und durch eine Rückkoppelvorrichtung,
die zwischen dem Ausgang und dem zweiten schaltbaren Ätwertteil liegt, um das Schaltsignal
an das zweite schaltbare Leitwertbeil zu liefern.
Die Ausführungen der Schaltkreise gemäß der vorliegenden Erfindung beziehen sich auf einen Detektor, der
zwischen zwei Ausgangszuständen schaltet, wenn das Signal,
das an dem Detektor anliegt, vorherbestimmte Schwellwerte erreicht. Ein erstes Leitwertteil ist
in Serie mit dem Detektor geschaltet, um einen vollständigen Schaltkreis zu bilden und einen ersten
Schwellwert für den Detektor festzulegen; ein zweites schaltbares Leitwertteil ist dazu bestimmt, mit dem
Ausgang des Detektors, der zwischen zwei Zuständen entsprechend dem Ausgangszustand des Detektors schaltet,
und mit einer positiven Rückkoppeleinrichtung verbunden zu werden, die zwischen dem Ausgang des Ausgangsmittels
und dem zweiten Schaltbaren Leitwertteil verbunden ist, um den Schwellwert des Detektors entsprechend
dem Ausgang des Ausgangsmittels zu schalten und zwar durch eine Verbindung des zweiten Leitwertteils mit dem
ersten Leitwertteil.
109822/1653
Es zeigen:
Fig. 1 einen schematischen Schaltkreisaufbau einer ersten
Ausführungsform gemäß der Erfindung;
Fig. 2a und 2b die Wellenformen, die zum Verständnis der
Betriebsweise der ersten Ausführungsform gemäß der Erfindung brauchbar sind;
Fig. 3 einen scematischen Schaltkreisaufbau eines zweiten
Ausführungsbeispiels gemäß der Erfindung;
Fig. 4 einen schematischen Schaltkreisaufbau eines dritten Ausführungsbeispiels gemäß der Erfindung;
Fig. 5 einen schematischen Schaltkreisaufbau eines vierten
Ausführungsbeispiels gemäß der Erfindung;
Fig. 6a und 6b Wellenformen, die zum Verständnis der Betriebsweise
des vierten Ausführungsbeispiels gemäß der Erfindung brauchbar sind; und
Fig. 7 einen schematischen Schaltkreisaufbau eines fünften Ausführungsbeispiels gemäß der Erfindung.
In Fig. 1 sind Feldeffekttransistoren des P-Typs dargestellt;
die Torelektrode des Transistors 1o ist mit einer Eingangsklemme Y verbunden. Die Senkenelektrode des Transistors
1o ist mit einer Spannungsquelle mit negativem
Potential -V verbunden; die Quellenelektrode des Transistors 1o ist mit den Senkenelektroden der Transisto-
0 9 8 2 2/1653
ren 11 und 12 und mit der Torelektrode des Transistors 14·
verbunden. Der Transistor 1o arbeitet als Pegeldetektor, der anschaltet, wenn die Spannung an seiner Torelektrode
einen vorherbestimmten negativen Wert erreicht, im Vergleich zu der Spannung an der Quellenelektrode. Die Torelektrode
des Transistors 11 ist mit einer Spannungsquelle von negativem Potential -V1 mit der Gatterelektrode und
der Senkenelektrode des Transistors 13 verbunden. Der
Transistor 11 arbeitet als erstes Leitwertteil, welches in Serie mit dem Leitwert des Transistors Io liegt, um
ein Spannungsteilernetzwerk an der Klemme X zu bilden. Die Quellenelektrode des Transistors 13 und die Senkenelektrode
des Transistors 14 sind mit der Torelektrode des Transistors 12 und mit der Ausgangsklemme Z verbunden.
Die Quellenelektroden der Transistoren^! 1, 12 und 14-sind
mit Erde verbunden. Der Transistor 12 bildet ein zweites, schaltbares Leitwertteil, welches parallel zu
dem ersten Leitwertteil liegt, wenn der Transistor 12 an ist. Dies reduziert tatsächlich denWiderstanäswert
der Kombination aus dem ersten und zweiten Leitwertteil,, wobei das Spannungsteilerverhältnis zwischen dem Transistor
1o und den Transistoren 11 und 12 sich ändert.
Das Signal, das an der Klemme Y anliegt, ist in Fig. 2a
übertrieben dargestellt, wobei ebenfalls die Neigungen der voreilenden und nacheilenden Flan-ken übertrieben.
dargestellt sind, um klarer die Punkte zu zeigen, an denen die Vorrichtung an- und austriggert. Der Ausgangsimpuls,
der an der Ausgangsklemme Z verfügbar ist, ist in Fig. 2b dargestellt. '
109822/1653
Der Schaltkreis gemäß Fig. 1 arbeitet folgendermaßen: Wenn
das Eingangssignal an der Klemme Y negativ ist, ansteigt und das Triggerniveau E des Transistors 1o passiert, schaltet
der Transistor 1o an. Wenn der !Transistor 1o anschaltet, wird die Spannung an der Torelektrode des Transistors 14,
nämlich am Punkt X, negativer, der Transistor 14 schaltet an und treibt das Potential an der Ausgangsklemme Z gegen
Erde· Wenn die Ausgangsklemme Z gegen Erde geht., geht ebenso die Torelektrode des Transistors 12 gegen Erde, was darauf
abzielt, den Transistor 12 abzuschalten· Wenn der Transistor 12 abschaltet, bewirkt die Spannungsteilung zwischen
den Transistoren 11 und 1o, daß der Punkt X negativ wird, was wiederum darauf abzielt, den Transistor 14 schwerer anzuschalten.
Hierdurch wird die Ausgangsklemme Z näher an Erde getrieben und der Transistor 12 vollständig abgeschaltet.
Wenn das Signal an der Eingangsklemme Y positiver wird, wird der Punkt X positiver, was wiederum darauf abzielt,
den Transistor 14 auszuschalten. Wenn der Transistor beginnt auszuschalten, wird die Ausgangsklemme Z negativer
gegenüber dem Potential -V der Spannungsquelle$ hierdurch
schaltet der Transistor 12 eher ein, was wiederum bewirkt,
daß der Punkt X positiver gegenüber Erde wird; dies wiederum zielt darauf ab, den Transistor 14 abzuschalten,
welcher seinerseits das Anschalten des Transistors 12 erschwert. Der Spannungsanstieg und -abfall am Punkt X
ändert den Triggerpegel zwischen dem Pegel, bei dem der Transistor 1o anschaltet, und dem Pegel, bei dem der Transistor
1o abschaltet· Die Differenz zwischen dem Ein- und Ausschaltpegel erzeugt ein Hysteresisband, das bewirkt,
109822/1653
daß einmal der Transistor 1o an ist und an bleibt, sogar
bei Rauschen, und zwar solange, wie die Amplitude des Rauschpegels sich in dem Hysteresisband des Schaltkreises
befindet·
Der Leitwert des Transistors 1o und des Transistors 11
punfct
bestimmt den Trigger/» wenn das Eingangssignal positiv wird, und steuert dann den Triggerpegel an der nacheilenden Planke der Wellenform eines Eingangssignals zusammen mit den Transistoren 11 und 12, die in einem Verhältnis zu dem Transistor 1o stehen, der der dominierende ßteuerfaktor ist, wenn das Eingangssignal negativ wird. Die Verhältnisse, die in der Zeichnung dargestellt sind, nämlich 1 für den Transistor 1o, 1/8 für den Transistor 11, 1/4 für den Transistor 12 und 13 und 4 für den Transistor 14, sind Indices des Lextwertverhältnisses der einzelnen MOS-Vorrichtungen untereinander. Je größei" die Zahl ist, um so größer ist der Leitwert. Die Einheit 1 zeigt an, daß das Verhältnis der Oberflächenbreite gleich dem der Oberflächenlänge ist. Bei den Brüchen entspricht der Wert i« Zähler der Breite und der Wert im Nyienner der
bestimmt den Trigger/» wenn das Eingangssignal positiv wird, und steuert dann den Triggerpegel an der nacheilenden Planke der Wellenform eines Eingangssignals zusammen mit den Transistoren 11 und 12, die in einem Verhältnis zu dem Transistor 1o stehen, der der dominierende ßteuerfaktor ist, wenn das Eingangssignal negativ wird. Die Verhältnisse, die in der Zeichnung dargestellt sind, nämlich 1 für den Transistor 1o, 1/8 für den Transistor 11, 1/4 für den Transistor 12 und 13 und 4 für den Transistor 14, sind Indices des Lextwertverhältnisses der einzelnen MOS-Vorrichtungen untereinander. Je größei" die Zahl ist, um so größer ist der Leitwert. Die Einheit 1 zeigt an, daß das Verhältnis der Oberflächenbreite gleich dem der Oberflächenlänge ist. Bei den Brüchen entspricht der Wert i« Zähler der Breite und der Wert im Nyienner der
Der Schaltungsaufbau in Fig. 3 entspricht im wesentlichen
dem in fig· 1, wobei allerdings zusätzlich noch ein Traniistor
15 vorhanden ist. Der Transistor 15 liegt zwischen
din Transistoren 1o und 11 und ist mit seiner Senken- und
ferelektrode 1HiIt der Quellenelektrode des Transistors Io
verbunden; die Quellenelektrode des Transistors 15 ist mit
•den Senkenelektrode» der Transistoren 11 und 12 verbunden.
t 09 ft 22/18 53
Die andere Änderung besteht lediglich darin, daß die Torelektrode des Transistors 14 nun mit der Quellenelektrode
des Transistors 15 anstatt mit der Quellenelektrode des Transistors Io verbunden ist. Die Einschaltung eines zusätzlichen
Transistors zwischen den Transistoren Io und 11 bewirkt, daß der Triggerpunkt durch einen Abfall mehr erniedrigt
wird. Die Torelektrode des Transistors 14, die mit der Quellenelektrode des Transistors 15 verbunden ist,liegt
nun an zwei Vorrichtungsabfällen; sie liegt dann 12 V über
dem Quellenpotential -V anstatt eines Vorrichtungs#abfalls von 6 V, wie es bisher in dem Schaltungsaufbau der Fig. 1
der Fall war. Die Betriebsweise des Schaltungsaufbaus
stimmt abgesehen von dem verschiedenen Schwellwert mit dem λ
der Fig. 1 überein.
Der in Fig. 4 dargestellte Schaltungsaufbau stellt einen
Kompromiss zwischen den Schwellwerten in Fig. 1 und den Schwellwerten des Schaltungsaufbaus der Fig. J dar. In
diesem Schaltungsaufbau ist eine Inverterstufe hinzugefügt, die aus den Transistoren 19 und 2o besteht. Die Eingangsklemme
Y ist verbunden mit den Torelektroden der Transistoren lo, 13, 17 und 2o s/owie mit den Senkenelektroden
der Transistoren Ιο, Γ3 und 2oj alle diese Elektroden sind
auch mit der Spannungsquelle -V verbunden» Die Quellenelektrode des Transistors Io ist mit der Tor- und Senkenelektrode
des Transistors 12 zusammen mit der Senkenelektrode \
des Transistors 16 verbunden. Die Quellenelektroden der Transistoren
15 und 16 sind mit der Senkenelektrode des Transistors 17 und mit der Torelektrode des Transistors 18 verbunden.
Die Quellenelektroden der Transistoren 17, 18 und 19 sind mit Erde oder mit einem gemeinsamen Bezugspotential verbunden.
Die Torelektrode des Transistors 16 1st mit einer
109822/1653
Ausgangsklemme Z verbunden, welche ihrerseits mit der Quellenelektrode
des Transistors 2o und der Senkenelektrode des Transistors 19 verbunden ist.Die Quellenelektrode des Transistors
13 ist mit der Senkenelektrode des Transistors 18 und mit der Torelektrode des Transistors 19 verbunden. Bei
einem Null-Signal an der Eingangsklemme Y sind die TrarriL-storen
lo, 15 und 18 aus, der Transistor 19 an und das Potential an dem Ausgang der Klemme Z ist annähernd Null Volt.
Wenn ein negativ werdendes Eingangssignal an der Eingangsklemme Y empfangen wird, und wenn das negativ werdende Signal
den Einschaltpegelwert der Vorrichtung Io + 15 passiert, schalten sie an, was die Torelektrode des Transistors 18 negativer
macht. Dann schaltet der Transistor 18 ein, welcher seinerseits die Torelektrode des Transistors 19 mehr gegen
Erdpotential treibt. Dann schaltet der Transistor aus und die Ausgangsklemme Z wird negativer gegen -V hin,das gleichzeitig
die Torelektrode des Transistors 16 negativer macht. Hierdurch schaltet der Transistor 16 ein, welcher seinerseits
den Leitwert durch die Parallelkombination der Transistoren 15 und 16 erhöht, wodurch das negative Potential vergrößert
wird, das an der Senkenelektrode des Transistors 17
und der Torelektrode des Transistors 18 zu sehen ist; das negative Potential schaltet seinerseits den Transistor 18
sogar schwerer an, der den Transistor 19 voll aussteuert. Die Transistoren .13 und 2o wirken als Widerstandselemente
oder als Belastungen, da ihre Tor- und Senkenelektroden direkt mit der Spannungsquelle -V verbunden sind. Wenn das
Eingangssignal an der Klemme Y positiv einsetzt, beginnt der Transistor Io abzuschalten, der seinerseits den Traneistor
15 abschaltet; hierdurch wird die Spannung an der Torelektrode des Transistors 18 positiver, wodurch der
Transistor 18 abzuschalten beginnt. Hierdurch wird das Potential an der Torelektrode des Transistors 19 gegenüber
ORIGINAL If iSf^CTED
10 9 8 2 2/1653
dem Potential -V erhöht, wodurch der Transistor 19 anschal- ■
tet. Die Ausganffklemme Z ist dann positiv gegenüber Erdpotential,
wodurch der Transistor 16 abschaltet, so daß der Widerstandswert zwischen der Quellen- und Senkenelektrode
des Transistors 16 ansteigt. Hierdurch wird das Potential
an der Steuerelektrode des Transistors 18 sogar positiver, der Transistor 18 voll eingeschaltet; dieser schaltet seinerseits
den Transistor 19 voll an, wodurch dann tatsächlich Erdpotential an der Ausgangsklemme Z und an der Torelektrode
des Transistors 16ailiegt.
In den Fig. 5> 6a und 6b sind ein Schaltkreis bzw. die WeI- g
lenformen dargestellt, wobei das Hysteresisband weniger als zwei Schwellwertabfälle weg von Erde eingestellt ist.In dieser
Schaltungsausführung sind die Senkenelektrodender Transistoren 2o, 22, 25, 27 und die Torelektroden der Transistoren
2o, 22, 26, 23 und 27 mit der Quelle -V verbunden. Die
Eingangsklemme Y ist mit der Torelektrode des Transistors
21 verbunden. Die Quellenelektrode des Transistors 2o ist mit der Senkenelektrode des Transistors 21 und mit der Torelektrode
des Transistors 25 verbunden. Die Quellenelektrode des Transistors 21 ist mit der Senkenelektrode der Transistoren
23, 24 und mit der Quellenelektrode des Transistors
22 verbunden. Die Quellenelektroden der Transistoren 23,24-,
26 und 28 sind mit Erde oder einem anderen Bezugspotential verbunden. Die Quellenelektrode des Transistors 25 ist mit
der Senkenelektrode des Transistors 26 und mit der Torelektrode des Transistors 28 verbunden. Die Quellenelektrode des
Transistors 27 ist mit der Senkenelektrode des Transistors
und mit der Ausgangsklemme Z sowie mit der Torelektrode des Transistors 24 verbunden. Die Transistoren 22 und 23 bilden
einen Spannungsteiler, welcher immer angeschaltet ist. Wenn
109822/1653
-Ίο-das Spannungspotential -V ungefähr -25 V beträgt und das Eingangssignal
auf -15 V geht, beginnt d^r Transistor 21 anzuschalten
und wird leitend. Hierbei ist angenommen, daß der Punkt U auf ein Potential von ungefähr Io V durch den Teilerbetrieb
der Transistoren 22 und 2J gesetzt ist; die Torelektrode des Transistors 25 wird dann mit ungefähr -11 V
betrieben. Die Transistoren 25 und 26 wirken dann als Pegeldetektor.
Die Torelektrode des Transistors 28 ist dann um ungefähr 7 V positiver als die Torelektrode des Transistors
25. Dies entspricht ungefähr einem Abfall. Die Torelektrode des Transistors 28 würde dann positiver gegenüber
Erdpotential; dies unterbricht den Transistor 28, wodurch das Ausgangssignal an der Ausgangsklemme Z negativ bis zu
dem Potential -V wird. Dies würde bewirken, daß der Transistor 24 anschaltet. Die Senkenelektrode des Transistors
24 würde dann positiver, wodurch der Transistor 21 schwerer anschaltet. Dies wiederum würde bewirken, daß die Torelektroden
der Transistoren 25 und 28 positiver werden,wodurch diese beiden Transistoren schwerer absehalten,wodurch
wiederum der Transistor 24 eher anschaltet. Wenn das Eingangssignal an der Klemme Y positiv bis ungefähr -6V wird,
beginnt der Transistor 21 abzuschalten; Dies wiederum bewirkt, daß die Torelektroden der Transistoren 25 und 28 negativer
werden, wodurch der Transistor 28 abschaltet, was wiederum verursacht, daß das Ausgangssignal an der Klemme Z
positiv wird. Das positive Potential ist an der Torelektrode des Transistors 24 abgenommen, was bewirkt, daß der Transistor
24 abzuschalten beginnt. Dies wiederum bewirkt, daß die Quellenelektrode des Transistors 21 negativer wird. Wenn die
Quellenelektrode des Transistors 21 negativer wird, schaltet die Vorrichtung 21 sogar schneller ab. An dem Schaltungsauf-
10982 2/1653
bau der Fig. 5 kann eine zusätzliche Veränderung vorgenommen
werden, um eine Verschiebung des Hysteresisbandes zu erreichen.
Diese Änderung besteht darin, die Torelektrode des Transistors 23 durch gestrichelte Linien mit einer Klemme W
zu verbinden, welcher mit einer äußeren Signalquelle verbunden
ist, und die Torelektrode des Transistors 23 von der Versorgung -V abzutrennen. Das äußere Signal, das mit der
Klemme V/ verbunden ist, kann den Pegel steuern, bei welchem die Torelektrode 23 angeschaltet oder ausgeschaltet wird,was
wiederum die Stellung des Hysteresisbandes (des Triggerpunktes) beeinflußt, bei welchem das Ausgangssignal an der Klemme
Z den Zustand verschiebt.
Der besondere Schaltungsaufbau gemäß Fig. 7 wird verwendet,
wenn der Triggerpunkt näher an Erde oder einem Bezugspotential liegen muß. Das Triggerband ist gleich einem Abfall an
einer Vorrichtung; insbesondere erfordert es zwei Abfälle,um
anzugehen, wenn das Eingangssignal negativer wird, und einen Alifall, um auszugehen, wenn das Eingangssignal positiver
wird. In dem Schaltungsaufbau sind die Senkenelektroden der
Transistoren 3o, 32, 36 und die Torelektroden der Transistoren
31 j 32 und 36 mit der Versorgung -V verbunden. Die Quellenelektrode
des Transistors 3o ist mit der Senkenelektrode
des Transistors 31 und mit der Torelektrode des Transistors 34- verbunden. Die Senkenelektroden der Transistoren 31» 34-,
35 und 37 sind mit einem gemeinsamen Bezugspotential verbun- '
den, im allgemeinen der Erde. Die Quellenelektrode des Transistors 32 ist mit den Senkenelektroden der Transistoren 33
und 34 und mit der Torelektrode des Trarastors 37 verbunden.
Die Quellenelektrode des Transistors 33 ist mit der Senkenelektrode
des Transistors 35 verbunden. Die Quellenelektrode des Transistors 36 ist mit der Senkenelektrode des Transistors
37 und mit der Ausgangsklemme Z verbunden, welche mit
der Torelektrode des Transistors 35 verbunden ist.
10 98 22/1653
-12-
Wenn während des Betriebs das Eingangssignal an der Klemme Y um mindestens zwei Schwellwertabfalle negativer wird, beginnen
die Transistoren Jo und 32 anzuschalten. Wenn der Transistor
3o anschaltet, wird die Torelektrode des Transistors
34- negativ gegenüber dem Potential -V, wodurch dann der
Transistor 34 anschaltet. Hierdurch nimmt dann das Potential
an der Senkenelektrode des Transistors 33 gegenüber Erde ab,
wodurch der Transistor 37 abschaltet. Hierdurch wird das Potential an der Ausgangsklemme Z gegen das Potential -V getrieben,
wodurch wiederum der Transistor 35 anschaltet. Hierdurch wird das Potential an der Senkenelektrode des Transistors
35 positiver, wodurch der Transistor 33 anschaltet und
die Torelektrode des Transistors 37 auf Erde festgestellt wird. Wenn das Eingangssignal an der Klemme Y auf ein Potential
von weniger als zwei Schwellwertabfällen abnimmt,schaltet die "Vorrichtung 34- ab. Die Vorrichtungen 33 und 35 erhalten
die logische Bedingung des Schaltkreises. Wenn das Eingangssignal an der Klemme Y auf ein Potential von weniger
als einen ßchwellwertabfall abnimmt, schaltet der Transistor
33 ab, wodurch der Transistor 37 anschaltet. Dies wiederum bewirkt, daß die Ausgangsklemme Z gegen Nullpotential
bewegt wird, wodurch der Transistor 35 abschaltet.
Es wird also ein Triggerkreis angeschaltet, wenn das Eingangssignal
einen vorherbestimmten Pegel erreicht. Ein Triggerkreiß wird bei einem anderen Pegel mittels eines positiven
Rückkopplungskreises abgeschaltet, wenn sich der Triggerpegel des Eingangspegels, den die Transistoren aufnehmen,
ändert.
109822/1653
Claims (3)
- -13-P a t e η t a η s ρ r ü cn eDigitaler Schaltkreis zur Erzeugung eines ersten Ausgangsspannungspegels, der auf einen ersten Spannungspegel eines Eingangsimpulses anspricht, und zur Erzeugung eines zweiten Ausgangsspannungspegels, der auf einen zweiten Spannungspegel des später eintreffenden und geringeren Eingangsimpulses anspricht, wobei die ersten und zweiten Spannungspegel des Eingangssignals zwischen den extremen Spannungspegeln des Eingangsimpulses liegen, gekennzeichnet durch einen Detektor, der auf die Spannungspegel des Eingangsimpulses zur Erzeugung einer Steuerspannung als Funktion der ersten und zweiten£pannungspegel des Eingangssignals anspricht, durch ein steuerbares Leitwertglied, das auf die Steuerspannung zur Erzeugung der Ausgangsspannungspegel anspricht, durch eine Rückkoppelanordnung, die eine Rückkopplung von der Ausgangssteuerung, dem Detektor und der Rückkoppelanordnung einschließlich der steuerbaren Impedanzglieder aufnimmt, die elektrisch parallel miteinander zur Erzeugung einer Kontrollspannung als Funktion der Parallelimpedanz des Detektors und der Rückkoppelanordnung verbunden sind, wobei die Impedanz mindestens teilweise durch die Rückkopplung gesteuert wird.
- 2. Digitaler Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Detektor einen ersten und einen zweiten Feldef- { fekttransistor enthält, die in Serie geschaltet sind, wobei die Steuerspannung an einem Punkt zwischen den in Serie geschalteten Feldeffekttransistoren erzeugt wird, wobei der erste Feldeffekttransistor ein Eingangssignal empfängt, und daß die Rückkoppelanordnung einen dritten Feldeffekttransistor enthält, der elektrisch parallel mit dem zweiten Feldeffekttransistor geschaltet ist, und daß der dritte Feldef-109822/1653fekttransistor eine Torelektrode enthält, die mit dem Ausgang für die Rückkopplung verbunden ist, die die Impedanz der Parallelkombination des zweiten und dritten Feldeffekttransistors zur Steuerung des Steuerspannungspegel an dem Punkt ζ vischen dem ersten und zweiten Feldeffekttransistor schaltet.
- 3. Digitaler Schaltkreis nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß der Detektor einen ersten und zweiten Feldeffekttransistor enthält, die elektrisch in Reihe geschaltet sind und mit einer gemeinsamen Verbindung versehen sind, die eine Steuerspannung an dem schaltbaren Leitwertte.il vorsieht, und daß die Rückkoppelanordnung einen dritten Feldeffekttransistor enthält, der elektrisch in Reihe mit dem ersten Feldeffekttransistor geschaltet ist und eine Torelektrode besitzt, um die Rückkoppelung von dem Ausgang zur Schaltung der Impedanz des ersten und dritten Feldeffekttransistors aufzunehmen,die elektrisch parallel mit dem aweiten steuernden Feldeffekttransistor an der gemeinsamen Verbindung angeschlossen sind.4-, Digitaler Schaltkreis nach Anspruch J>, dadurch gekennzeichnet, daßcfer erste Detektor einen vierten Feldeffekttransistor enthält,der zwischen dem Eingang und der Torelektrode des zweiten Feldeffekttransistors zur Bestimmung des ersten Spannungspegels des Eingangsimpulses verbunden ist, auf den der digitale Schaltkreis anspricht3 daß der erste Feldeffekttransistor eine Torelektrode enthält, die mit dem Eingang zur Bestimmung des zweiten Spannungspegels des Eingangsimpulses verbunden ist, auf den der digitale Schaltkreis anspricht, und daß das öchaltbare Leitwertteil einen fünften Feldeffekttransistor enthält, der eine Torelektrode besitzt, die mit dem gemeinsamen Punkt zur Aufnahme der Steuerspannung verbunden ist.109822/1653Lee rsei te
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US87847869A | 1969-11-20 | 1969-11-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2038515A1 true DE2038515A1 (de) | 1971-05-27 |
Family
ID=25372111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19702038515 Pending DE2038515A1 (de) | 1969-11-20 | 1970-08-03 | Hysteresisschaltkreise mit Metalloxydhalbleitern (MOS) |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3612908A (de) |
| JP (1) | JPS4827490B1 (de) |
| DE (1) | DE2038515A1 (de) |
| FR (1) | FR2068933A5 (de) |
| GB (1) | GB1277338A (de) |
| NL (1) | NL7011946A (de) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3774053A (en) * | 1971-12-17 | 1973-11-20 | North American Rockwell | Clamping arrangement for reducing the effects of noise in field effect transistor logic circuits |
| US3801831A (en) * | 1972-10-13 | 1974-04-02 | Motorola Inc | Voltage level shifting circuit |
| US3806742A (en) * | 1972-11-01 | 1974-04-23 | Motorola Inc | Mos voltage reference circuit |
| JPS4998566A (de) * | 1973-01-22 | 1974-09-18 | ||
| GB1451732A (en) * | 1973-03-19 | 1976-10-06 | Motorola Inc | Signal shaping circuit |
| JPS51139223A (en) * | 1975-05-28 | 1976-12-01 | Hitachi Ltd | Mis level converter circuit |
| JPS51139220A (en) * | 1975-05-28 | 1976-12-01 | Hitachi Ltd | Sense amplifier |
| GB1480984A (en) * | 1975-09-25 | 1977-07-27 | Standard Telephones Cables Ltd | Schmitt trigger circuit |
| US4048524A (en) * | 1976-04-21 | 1977-09-13 | National Semiconductor Corporation | MOS voltage level detecting and indicating apparatus |
| US4023050A (en) * | 1976-05-10 | 1977-05-10 | Gte Laboratories Incorporated | Logic level converter |
| US4064405A (en) * | 1976-11-09 | 1977-12-20 | Westinghouse Electric Corporation | Complementary MOS logic circuit |
| US4069431A (en) * | 1976-12-22 | 1978-01-17 | Rca Corporation | Amplifier circuit |
| US4097772A (en) * | 1977-06-06 | 1978-06-27 | Motorola, Inc. | MOS switch with hysteresis |
| JPS5542410U (de) * | 1978-09-08 | 1980-03-19 | ||
| US4297596A (en) * | 1979-05-01 | 1981-10-27 | Motorola, Inc. | Schmitt trigger |
| US4307308A (en) * | 1979-11-19 | 1981-12-22 | Gte Laboratories Incorporated | Digital signal conversion circuit |
| JP2792475B2 (ja) * | 1995-07-25 | 1998-09-03 | 日本電気株式会社 | 入力バッファ |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3292008A (en) * | 1963-12-03 | 1966-12-13 | Rca Corp | Switching circuit having low standby power dissipation |
| US3267295A (en) * | 1964-04-13 | 1966-08-16 | Rca Corp | Logic circuits |
| US3526783A (en) * | 1966-01-28 | 1970-09-01 | North American Rockwell | Multiphase gate usable in multiple phase gating systems |
| US3509379A (en) * | 1966-04-15 | 1970-04-28 | Rca Corp | Multivibrators employing transistors of opposite conductivity types |
| US3484625A (en) * | 1966-06-07 | 1969-12-16 | North American Rockwell | Signal responsive device |
| US3382455A (en) * | 1967-04-03 | 1968-05-07 | Rca Corp | Logic gate pulse generator |
| US3522454A (en) * | 1968-07-08 | 1970-08-04 | Northern Electric Co | Pulse control circuit |
-
1969
- 1969-11-20 US US878478A patent/US3612908A/en not_active Expired - Lifetime
-
1970
- 1970-07-24 GB GB36094/70A patent/GB1277338A/en not_active Expired
- 1970-08-03 DE DE19702038515 patent/DE2038515A1/de active Pending
- 1970-08-13 NL NL7011946A patent/NL7011946A/xx unknown
- 1970-09-12 JP JP45080401A patent/JPS4827490B1/ja active Pending
- 1970-11-03 FR FR7039504A patent/FR2068933A5/fr not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2068933A5 (de) | 1971-09-03 |
| GB1277338A (en) | 1972-06-14 |
| JPS4827490B1 (de) | 1973-08-23 |
| NL7011946A (de) | 1971-05-24 |
| US3612908A (en) | 1971-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2038515A1 (de) | Hysteresisschaltkreise mit Metalloxydhalbleitern (MOS) | |
| DE2252130C2 (de) | Monolithisch integrierte Schmitt-Trigger-Schaltung aus Isolierschicht-Feldeffekttransistoren | |
| DE3708499C2 (de) | ||
| DE2252371C3 (de) | Schwellwert-Verknüpfungsglied mit komplementär-symmetrischen Feldeffekttransistoren | |
| DE2929450A1 (de) | Schnelle transistorschaltung mit geringer leistungsaufnahme | |
| DE2514462C3 (de) | Schaltungsanordnung zur Umwandlung eines Spannungspegels | |
| DE2410205A1 (de) | Hystereseschaltung | |
| DE2620187B2 (de) | Monostabile Multivibratorschaltung | |
| DE1942420C3 (de) | Antivalenz/ Äquivalenz-Schaltung mit Feldeffekt-Transistoren | |
| DE3536925C2 (de) | ||
| DE2749051A1 (de) | Mos-eingangspuffer mit hysteresis | |
| DE2740763A1 (de) | Integrierte stromversorgungsschaltung | |
| DE1956485C3 (de) | Schaltungsanordnung für eine bistabile Kippschaltung mit Feldeffekttransistoren | |
| DE2301855C3 (de) | Schaltungsanordnung mit Feldeffekttransistoren zur Pegelanpassung | |
| DE2461583C2 (de) | Schaltung zur Reduzierung der Einschaltverluste eines Leistungstransistors | |
| EP1653622A1 (de) | Schaltungsanordnung zur Pegelverschiebung | |
| DE2108101B2 (de) | Schalterstromkrels | |
| DE1807105B2 (de) | Treiberschaltung für Flip-Flops | |
| EP0753754A2 (de) | Integrierte Komparatorschaltung | |
| DE2431487C2 (de) | Triggerschaltung | |
| DE2262719A1 (de) | Impulsgeneratorschaltung | |
| DE2415629C3 (de) | Schaltungsanordnung zum zeitweiligen, von der Größe der veränderlichen Betriebsspannung abhängigen Blockieren eines Stromzweiges | |
| DE2904674C2 (de) | Schaltungsanordnung mit einem als Schalter dienenden Transistor | |
| DE1193997B (de) | Verstaerker mit gesteuertem Gleichrichterelement | |
| DE1512518C3 (de) | Binäre Verknüpfungsschaltung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OHJ | Non-payment of the annual fee |