DE2031725A1 - Einrichtung zum Verbinden eines Halbleiterelementes mit einer Tragerplatte - Google Patents

Einrichtung zum Verbinden eines Halbleiterelementes mit einer Tragerplatte

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Description

IBM Deutschland Internationale Büro-Maichinen Getelltchaft mbH
Böblingen, 19. Juni 1970 bm-rz
Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Arraonk, N.Y. IO
Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung
Aktenzeichen der Anmelderin; Docket FI 968 112; FI 969 047
Einrichtung zum Verbinden eines Halbleiterelementes mit einer Trägerplatte ____________________»_______
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zum Verbinden eines scheibenförmigen Halbleiterelementes mit einer parallelen Träger platte, die auf den einander zugewandten Seiten metallische Kontaktflächen und Kontaktbahnen besitzen, wobei das Halbleiterelement und die Trägerplatte durch Verbindungsstücke elektrisch und mechanisch miteinander verbunden und räumlich getrennt sind.
Die heutige Halbleitertechnik ist so weit fortgeschritten, daß eine Vielzahl von Schaltkreisen in nur einem Halbleiterplättchen von extrem kleiner Fläche, z.B. 0,6 ram χ 0,6 mm, untergebracht werden können. Die Schaltkreiselemente können dabei passiv, wie Widerstände und Kondensatoren, oder aktiv, wie Transistoren oder Dioden, sein und nach bekannten Verfahren wie beispielsweise Diffusion von Fremdatomen oder epitaxialem Aufwachsen gebildet werden.
Bei jedem derartigen Halbleiterelement müssen Mittel vorgesehen sein, die Verbindungen nach außen herstellen, z.B. zu anderen Halbleiterelementen, Stromversorgungsleitungen, usw. Eine bekannte Verbindungsart besteht darin, das Halbleiterelement über
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leitende Verbindungsstucke mit einer Trägerplatte, die jnetallische Kontaktbahnen besitzt, zu verbinden. Die Kontaktbahnen werden zu den Kanten der Trägerplatte geführt, damit eine Verbindung zu einer größeren Kontakteinheit hergestellt werden kann. -
Die elektrische Verbindung erfolgt zwischen Kontaktflächen auf der Halbleiteroberfläche und entsprechenden Kontaktflächen auf der Trägerplatte. Die Verbindungsstücke haben auch eine mechanische Funktion, da sie das Halbleiterplättchen tragen und dabei einen bestimmten Abstand zwischen diesem und der Trägerplatte herstellen müssen. Sind das Halbleiterplättchen und die Trägerplatte räumlich nicht voneinander getrennt, dann können durch die Kontaktflächen auf der Trägerplatte die im Halbleiter enthaltenen Schaltkreise kurzgeschlossen werden.
Starre Verbindungsstücke wie Kupferkugeln sind bereits verwendet worden; jedoch die Starrheit, die einen Vorteil dadurch ergibt, daß ein fester Abstand zwischen Halbleiter und Trägerplatte eingehalten wird, wirkt sich nachteilig auf die Ermüdungserscheinungen der Verbindungen aus. Eine typische Anwendung von Halbleiter-Trägerplatte-Anordnungen erfolgt in Rechenanlagen. Die Temperaturänderungen, die sich beim Wechsel vom Einschalt- in den Ausschaltzustand und umgekehrt ergeben, verursachen durch die verschiedenen thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Halbleiters und der Trägerplatte eine Schubbeanspruchung, die auf die Verbindungsstücke wirkt. Die ständigen Temperaturwechsel haben daher Ermüdungserscheinungen und eventuell einen Bruch der Verbindungsstücke zur Folge. Dadurch wird auch die entsprechende elektrische Verbindung unterbrochen, so daß die Anlage nicht mehr einwandfrei arbeitet. Die Starrheit der Kupferkugeln macht sie sehr empfindlich gegenüber Schubbeanspruchungen.
Nachgiebige Verbindungsstücke aus einem Lötmittel sind wider standsfähiger gegenüber mechanischen Beanspruchungen. Sie konnten jedoch ursprünglich nicht zufriedenstellend eingesetzt
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werden, da sie bei der nachträglichen Erwärmung, durch die die Verbindung hergestellt werden sollte, zusammengedrückt wurden und so die Trägerplatte mit dem Halbleiter in Verbindung kam.
Wie dieser Zusammenbruch der Lötverbindungen vermieden werden kann, wird in der US-Patentschrift 3 429 040 gezeigt. Hier bestehen die Kontaktflächen auf der Trägerplatte nur zum Teil aus mit dem Lötmittel benetzbarem Material. Diese benetzbaren Flächen haben eine vorgegebene Größe und sind von nicht benetzbarem Material umgeben. Das Lötmittel wird auf die benetzbaren Flächen aufgebracht und kann beim nachfolgenden Schmelzen nicht auseinanderfließen. Infolge der Oberflächenspannung behält es seine Form und bewirkt so einen ausreichenden Abstand zwischen Halbleiter und Trägerplatte.
In der US-Patentschrift 3 436 818 wird eine weitere Möglichkeit zur Vermeidung des Zusammenbruchs der Lötverbindungen beschrieben. Hierbei ist das gesamte Kontaktroaterial auf der Trägerplatte nur schwer mit dem Lötmittel benetzbar. Das Lötmittel wird zuerst auf die Kontaktflächen des Halbleiterplättchens aufgebracht und erhitzt, so daß es eine halbkugelförmige Gestalt annimmt. Das Halbleiterplättchen wird dann umgekehrt auf die Trägerplatte aufgesetzt, wobei das Lötmittel vorgegebene Stellen auf den Kontaktflächen der Trägerplatte berührt. Bei nochmaligem Erhitzen wird die Verbindung zwischen dem Lötmittel und den Kontaktflächen der Trägerplatte hergestellt. Ein Auseinanderlaufen des Lötmittels wird durch die schwere Benetzbarkeit des Kontaktmaterials verhindert, wodurch die Lötverbindungen ihre Form behalten und der Abstand zwischen Halbleiter und Trägerplatte gewahrt bleibt.
Die Möglichkeit, das Lötmittel im geschmolzenen Zustand vor dem Auseinanderfließen zu bewahren, ergibt gute elektrische und mechanische Verbindungen, die relativ nachgiebig gegenüber mechanischen Spannungen und somit widerstandefähiger als starre Verbindungen sind. Doch auch bei den bekannten Lötverbindungen können bei häufigen Temperaturänderungen noch Brüche auftreten·
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Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Gefahr des Auftretens solcher Brüche weiter zu verringern. Diese Aufgabe wird bei der anfangs genannten Einrichtung zum Verbinden eines scheibenförmigen Halbleiterelementes mit einer parallelen Trägerplatte erfindungsgemäß dadurch gelöst, ^3β fyr &ie Verbindungsstücke mindestens zwei verschiedene Ausführungsformen, die sich durch ihre Widerstandsfähigkeit gegen Schubbeanspruchung unterscheiden, vorgesehen sind.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert, wobei weitere Merkmale des Erfindungsgegenstandes beschrieben werden»
P Es zeigen:
Fig. 1 eine bekannte Halbleiter-Trägerplatte-Anordnung mit gleichartig ausgeführten Verbindungsstücken,
Fig. 2 eine Halbleiter-Trägerplatte-Anordnung nach der
Erfindung, bei der die äußeren Verbindungsstücke
ein größeres Volumen aufweisen als die inneren,
Fig. 3 eine Halbleiter-Trägerplatte-Anordnung, bei der die inneren Verbindungsstücke ein größeres Volumen aufweisen als die äußeren,
™ Fig. 4A eine Halbleiter-Trägerplatte-Anordnung, bei der die
vom Lötmittel benetzbaren Kontaktflächen auf der
Trägerplatte verschiedene Größen besitzen,
Fig. 4B eine Draufsicht auf die Trägerplatte nach Fig. 4A und
Fig. 5 eine Halbleiter-Trägerplatte-Anordnung mit Verbindungsstücken aus einem Lötmittel und aus Kupfer.
Die Fig. 1 stellt eine bekannte Halbleiter-Trägerplatte-Anord-Docket FI 968 112; FI 969 047
109808/12SG
BAD ORIGINAL
■ " ■ .■■.-.■'■ - 5 -
nung dar, bei der die Verbindungen durch nachgiebige Kugeln aus einem Lötmittel bestehen. Das Halbleiterplättchen 10 enthält passive und/oder aktive Bauelemente, die nach bekannten Verfahren hergestellt sind. Die Oberfläche 12des Plättchens 10 ist mit einer isolierenden Schutzschicht überzogen. Die elektrischen Verbindungen nach außen erfolgen über mit den Bauelementen verbundene Kontaktflächen 14, die vorzugsweise kreisförmig ausgebildet sind.
Das Halbleiterplättchen 10 ist mechanisch und elektrisch durch Verbindungsstücke 20 mit einer Trägerplatte 16 verbunden. Die Verbindungsstücke bestehen aus einem Lötmittel. Kontaktbahnen 22 auf der Oberfläche der Trägerplatte vervollständigen die elektrische Verbindung. Die Verbindung zwischen Halbleiterplättchen und Trägerplatte wird in bekannter Weise hergestellt, wobei nach dem Aufsetzen des Halblelterplättchens die Anordnung bis zum Schmelzpunkt des Lötmittels erhitzt wird. Die vom Lötmittel benetzbaren Flächen auf den Kontaktbahnen 22 sind dabei begrenzt, so daß ein Auseinanderlaufen des Lötmittels vermieden wird. Die isolierende Trägerplatte 16 besteht aus einem keramischen Material und ist vom Lötmittel nicht benetzbar. Die Kontaktbahnen 22 können aus zwei verschiedenen leitfähigen Materialien bestehen, von denen das eine vom Lötmittel benetzbar und das andere nicht benetzbar ist. Eine andere Ausführungsform besteht darin, daß die Kontaktbahnen 22 vollständig aus benetzbarem Material bestehen wobei die Flächen, die sich mit dem Lötmittel verbinden sollen, durch über die Kontaktflächen verlaufende isolierende Dämme, die vorzugsweise aus Glas bestehen und die einen Lötmittelfluß verhindern, begrenzt sind. Die Kontaktbahnen können auch, anstatt zu den Kanten der Trägerplatte zu laufen, durch diese hindurchgeführt werden. In diesem Fall sind die Flächen, auf die das Lötmittel aufgebracht wird, vollständig von der nicht benetzbaren Trägerplatte umgeben, so daß besondere Maßnahmen zur Eindämmung des Lötmittelflusses nicht erforderlich sind.
Die Verbindungestücke weisen nach dem Erhitzen die aus der Fig. Docket FI 968 112; FI 969 047
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- 6 1 ersichtliche Form einer etwas zusammengedrückten Kugel auf.
Ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Einrichtung zeigt die Fig. 2. Hier ist das Volumen der den Ecken der Trägerplatte am nächsten befindlichen Verbindungsstücke 24 .gegenüber dem Volumen der anderen Verbindungsstücke 26 vergrößert. Das vergrößerte Volumen des Lötmittels versucht den Abstand zwischen dem Halbleiterplättchen IO und der Trägerplatte 16 zu vergrößern. Dadurch werden die inneren Verbindungsstücke 26 gestreckt. Das Volumenverhältnis ist beispielsweise 2:1, wobei die Verbindungsflächen zwischen den verschiedenen Verbindungsstücken und dem Halbleiterplättchen bzw. der Trägerplatte gleich sind. Durch das Strecken der inneren Verbindungsstücke 26 wird deren Widerstandsfähigkeit gegen Schubbeanspruchungen erhöht. Die der äußeren Verbindungsstücke 24 wird dagegen vermindert, da sie etwas stärker zusammengedrückt sind als diejenigen in der Fig. 1. Bei gleicher Schubbeanspruchung erfolgt daher in den äußeren Verbindungsstücken zuerst ein Bruch.
Die Anordnung besitzt eine neutrale Stelle, an der keine Schubbeanspruchung auftritt. Diese Stelle wird durch die Positionen sämtlicher Verbindungsstücke bestimmt. Wenn sich beispielsweise alle Verbindungsstücke auf dem Umfang eines Kreises befinden, dann liegt die neutrale Stelle in der Mitte des Kreises. Je weiter ein Verbindungsstück von der neutralen Stelle entfernt ist, desto größer ist bei gleichen Bedingungen die auf es einwirkende Schubbeanspruchung. Die den Ecken der Trägerplatte am nächsten angeordneten Verbindungsstücke unterliegen daher normalerweise der größten Beanspruchung und brechen bei gleicher Ausführung aller Verbindungsstücke zuerst. Ih der Fig. 2 weisen die äußeren Verbindungsstücke 24 zudem noch eine geringere Widerstandsfähigkeit gegen Schubbeanspruchungen auf. Sie werden daher nur zur mechanischen Verbindung verwendet, d.h. zur Einhaltung eines bestimmten Abstandes, wodurch die anderen Verbindungsstücke gestreckt werden* Eine elektrische Verbindung besteht über die äußeren Verbindungsstücke nicht,
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so daß ein bei ihnen erfolgender Bruch sich nicht nachteilig auswirkt.
Die inneren Verbindungsstücke 26 besitzen über ihre gesamte Länge einen angenähert konstanten Umfang. Die mechanische Spannungsverteilung ist daher ebenfalls relativ gleichmäßig, wodurch die Widerstandsfähigkeit gegenüber Schubbeanspruchungen größer ist als bei den Verbindungsstücken 20 in der Fig. 1. Im Extremfall, wenn das Volumenverhältnis sehr groß gewählt wird, können die inneren Verbindungsstücke so stark gestreckt werden, daß die Spannungsverteilung wieder sehr ungleichmäßig wird. Das Volumenverhältnis sollte sich daher innerhalb bestimmter Grenzen bewegen.
In der Fig. 3 bilden die Verbindungsstücke 28 mit dem größeren Volumen, d.h. der geringeren Widerstandsfähigkeit gegen Schubbeanspruchungen, die inneren Verbindungsstücke. Damit sind die äußeren Verbindungsstücke 30, die eine größere Widerstandsfähigkeit aufweisen, auch den größeren Beanspruchungen ausgesetzt. In diesem Fall können die Verbindungsstücke 28 auch zur elektrischen Verbindung benutzt werden, da wegen der geringeren Beanspruchung bei ihnen ein Bruch nicht zu erwarten ist.
Eine andere Möglichkeit, die Widerstandsfähigkeit der Verbindungsstücke zu verändern, zeigen die Fign. 4Ά und 4B. Hierbei wird die vom Lötmittel benetzbare Fläche auf der Trägerplatte geändert. Zwischen einem Halbleiterplättchen 40 und einer Trägerplatte 42 sind Verbindungsstücke 76, 78, 80, 82 und 84 von gleichem Volumen angeordnet. Die unterschiedliche Form der Verbindungsstücke ergibt sich aus den verschieden großen benetzbaren Flächen auf der Trägerplatte. Diese sind aus der Fig. 4B ersichtlich, die eine Draufsicht der Trägerplatte 42 darstellt. Die kleineren benetzbaren Flächen 62, 66, 70 und 74 bewirken, daß die Verbindungsstücke eine bauchige Gestalt annehmen. Die größeren benetzbaren Flächen 60, 64, 68 und 72 haben zur Folge, daß die Verbindungsstücke einen annähernd gleichmäßigen Querschnitt aufweisen. Auch hier besitzen die äußeren Verbin-Docke t FI 968 112; FI 969 047
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dungsstücke 76, 78 und 80 die größere Widerstandsfähigkeit gegenüber Schubbeanspruchungen, so daß über alle Verbindungsstücke eine elektrische Verbindung erfolgen kann.
Zur Begrenzung der benetzbaren Flächen werden über die Kontaktbahnen 44, 46, 48, 50, 52, 54, 56 und 58 isolierende Stege 90, die beispielsweise aus Glas bestehen, gelegt. Es kann an diesen Stellen auch ein übergang in den Kontaktbahnen von einem benetzbaren zu einem nicht benetzbaren Leitermaterial erfolgen.
Die Form der Verbindungsstücke kann ebenso durch die den benetzbaren Flächen auf der Trägerplatte entsprechenden Kontaktflächen auf dem Halbleiterplättchen bestimmt werden.
Unter besonderen Umständen, die durch die Anzahl der verschiedenen Verbindungsstücke, die Größe der benetzbaren Kontaktflächen und der entsprechenden Kontaktflächen auf dem Halbleiterplättchen sowie das Volumenverhältnis gegeben wird, können bei Verbindungsstücken mit verschiedenem Volumen auch diejenigen mit dem größeren Volumen die gleichmäßigere Spannungsverteilung und damit die größere Widerstandsfähigkeit gegen Schubbeanspruchungen besitzen.
Schließlich kann die Widerstandsfähigkeit auch durch Verwendung verschiedener Materialien für die Verbindungsstücke variiert werden. Ein solches Beispiel zeigt die Fig. 5. Die Verbindungsstücke 100, 102 und 104 bestehen aus einem Lötmittel, deren Verbindungsstücke 106 und 108 durch Kupferkugeln dargestellt sind. Das Lötmittel ist ein relativ nachgiebiges Material, das eine größere Widerstandsfähigkeit gegenüber Schubbeanspruchungen besitzt, als die starren Kupferkugeln. Diese sind jedoch für die Einhaltung eines definierten Abstandes zwischen dem Halbleiterplättchen und der Trägerplatte besser geeignet. Da sie jedoch relativ nahe an der neutralen Stelle angeordnet sind, 1st die Beanspruchung bei ihnen nicht so stark wie bei den Verbindungsstücken 100, 102 und 104. Die Kupferkugeln selbst sind durch kleine Lötmittel-Plättchen 105 und 107 auf dem Halbleiterplättchen und auf der Trägerplatte befestigt.
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In den gezeigten Beispielen sind jeweils nur zwei verschiedene Ausführungsformen von Verbindungsstücken gezeigt. Es ist jedoch nicht erforderlich, diese Anzahl auf zwei zu begrenzen. Eine besonders vorteilhafte Ausgestaltung würde sich dadurch ergeben, daß die Widerstandsfähigkeit der Verbindungsstücke von dem jeweiligen Abstand von der neutralen Stelle abhängt. In diesem Fall müsste theoretisch bei allen Verbindungsstücken zur gleichen Zeit ein Bruch erfolgen.
Wenn das Lötmittel beim Schmelzen nach dem Aufsetzen des Halblei terplättchens auf die Trägerplatte wegen der Oberflächenspannung nicht auseinanderläuft, dann hat eine Erhöhung des Volumens der Verbindungsstücke eine Vergrößerung des Abstandes zwischen Halbleiterplättchen und Trägerplatte zur Folge. Eine '" Verminderung des Volumens dagegen würde den Abstand verringern. Weiterhin ist bei einem vorgegebenen Volumen die Widerstandsfähigkeit gegen Schubspannungen und auch von der Höhe der Verbindungsstücke abhängig. Eine Verringerung des Volumens der von der*neutralen Stelle am weitesten entfernten Verbindungsstücke würde eine allgemeine Verkleinerung des Abstandes zwischen Halbleiter und Trägerplatte bewirken und dabei wenigstens teilweise eine Steigerung der Widerstandsfähigkeit aufgrund der Volumenverminderung ausgleichen. Da die Schubbeanspruchung bei den nahe an der neutralen Stelle liegenden Verbindungsstücken am geringsten ist, kann ihr Volumen jedoch ohne nachteilige Folgen vergrößert und damit die Abstandsverminderung durch das | verkleinerte Volumen der entfernten Verbindungsstücke kompensiert werden.
Eine derartige Abhängigkeit der Widerstandsfähigkeit der Verbindungsstücke von ihrer Entfernung von der neutralen Stelle, bei der alle Verbindungsstücke zur gleichen Zeit ausfallen, 1st praktisch kaum zu erreichen. Es kann dieser Zustand jedoch weitgehend angenähert werden, wodurch die Ausfallzeit der Verbindungsstücke in großem Maße egalisiert und die gesamte Anordnung verbessert wird. Die stufenweise Änderung der Widerstandsfähigkeit gegen Schubspannungen kann durch eine entsprechende
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Änderung des Volumens der Verbindungsstücke, der benetzbaren Flächen auf der Trägerplatte oder der entsprechenden Kontakt-r flächen auf dem Halbleiterplättchen erzielt werden. Dabei können diese verschiedenen Möglichkeiten auch miteinander kombiniert .werden.
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Claims (12)

  1. PATENTAW S P R O C H E
    Einrichtung zum Verbinden eines scheibenförmigen Halbleiterelementes mit einer parallelen Trägerplatte, die auf den einander zugewandten Seiten metallische Kontaktflächen und Kontaktbahnen besitzen, wobei das Halbleiterelement und die Trägerplatte durch Verbindungsstücke elektrisch und mechanisch miteinander verbunden und räumlich getrennt sind, dadurch gekennzeichnet, daß für die Verbindungsstücke mindestens zwei verschiedene Ausfuhrungsformen, die sich durch ihre Widerstandsfähigkeit gegen Schubbeanspruchung unterscheiden, vorgesehen sind.
  2. 2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die verschiedenen Verbindungsstücke aus gleichem Material bestehen und eine ungleiche Form aufweisen.
  3. 3. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die verschiedenen Verbindungsstücke ungleiches Volumen besitzen.
  4. 4. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungsstücke aus einem Lötmittel bestehen.
  5. 5. Einrichtung nach einem der Ansprüche 2 oder. 3 und Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktflächen zwischen den Verbindungsstücken und dem Halbleiterelement sowie/oder der Trägerplatte bei den verschiedenen Verbindungsstücken unterschiedlich sind.
  6. 6. Einrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Kontaktmaterial auf der Trägerplatte aus vom Lötmittel benetzbarem und nicht benetzbarem Material besteht und daß die Flächen aus benetzbarem Material bei den verschiedenen Verbindungsstücken unterschiedlich groß sind.
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  7. 7. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsfähigkeit der Verbindungsstücke gegen Schubbeanspruchung mit der Entfernung von einer Stelle zwischen dem Halbleiterelement und der Trägerplatte, an der die Schubbeanspruchung verschwindet, zunimmt.
  8. 8. Einrichtung nach den Ansprüchen 6 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß die vom Lötmittel benetzbaren Flächen mit der Entfernung von der Stelle, an der die Schubbeanspruchung verschwindet, größer werden.
  9. 9. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die in der größten Entfernung von einer Stelle zwischen dem Halbleiterelement und der Trägerplatte, an der die Schubbeanspruchung verschwindet, angeordneten Verbindungsstücke die geringere Widerstandsfähigkeit gegen Schubbeanspruchung besitzen und daß diese Verbindungsstücke nicht für eine elektrische Verbindung zwischen Halbleiterelement und Trägerplatte eingerichtet sind.
  10. 10. Einrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die vom Lötmittel benetzbaren Flächen bei den in der größten Entfernung von der Stelle, an der die Schubbeanspruchung verschwindet, angeordneten Verbindungsstücken am kleinsten sind. ν
  11. 11. Einrichtung nach einem der Ansprüche 6, 8 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktflächen und Kontaktbahnen auf der Trägerplatte aus vom Lötmittel benetzbarem Material bestehen und daß zur Begrenzung des Lötmittelsflusses Isolierstege über die Kontaktflächen und -bahnen geführt sind.
  12. 12. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die verschiedenen Verbindungsstücke aus unterschiedlichen Materialien bestehen.
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    Leerseite
DE19702031725 1969-08-14 1970-06-26 Einrichtung zum Verbinden eines Halbleiterelementes mit einer Trägerplatte Expired DE2031725C3 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US850093A US3871014A (en) 1969-08-14 1969-08-14 Flip chip module with non-uniform solder wettable areas on the substrate
US85009369 1969-08-14
US85009469 1969-08-14
US850094A US3871015A (en) 1969-08-14 1969-08-14 Flip chip module with non-uniform connector joints

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2031725A1 true DE2031725A1 (de) 1971-02-18
DE2031725B2 DE2031725B2 (de) 1974-11-07
DE2031725C3 DE2031725C3 (de) 1976-04-15

Family

ID=

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0084464A2 (de) * 1982-01-20 1983-07-27 North American Specialities Corporation Konnektor für elektronische Bausteine
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Also Published As

Publication number Publication date
GB1298115A (en) 1972-11-29
DE2031725B2 (de) 1974-11-07
FR2057697A5 (de) 1971-05-21

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