DE2027770C3 - Verfahren zum Herstellen einer halbkugelförmigen Lagerschale für gasgelagerte Kreisel - Google Patents
Verfahren zum Herstellen einer halbkugelförmigen Lagerschale für gasgelagerte KreiselInfo
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Description
OH
H2C-CH-H2C
H2C-CH-H2C
-Lo-^
CH3
CH3
OH
-CH2-CH-CH2-
-CH2-CH-CH2-
N-CH-CHH-O-CH2-CH-I—NH2 H2N-
CH — CH2-O^ CH2-CH — N-
CH3
CH3 I CH3 |2Λ
und der Härter die folgende Strukturformel
CH3
H2N -CH — CH2 -j- O — CH2 — CH -j— NH2
H2N -CH — CH2 -j- O — CH2 — CH -j— NH2
wobei ;i angenähert zwischen 2 und 2,6 liegt, aufweist.
CH3
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer halbkugelförmigen Lagerschale für
gasgelagerte Kreisel der im Oberbegriff des Anspruchs 1 angegebenen Art. Sie hat auch ein duroplastisches
Harz zur Durchführung dieses Verfahrens zum Gegenstand.
Obwohl bei den meisten Trägheitssystemen elektronische Bauteile Verwendung finden, ist häufig auch die
Verwendung pneumatisch betätigter Teile möglich. Pneumatische Elemente sind billig, zuverlässig und
gegenüber Strahlungseinflüssen unempfindlich. Diese Elemente wiederum eignen sich auch gut zu einer
weiteren Heranziehung des Gases innerhalb des Systems etwa im Zusammenhang mit einem Gasantrieb,
und im Falle des Vorhandenseins eines Gasantriebs ist es wiederum natürlich, Gaslagerungen zu verwenden.
Eine der hauptsächlichen Kostenquellen bei der Herstellung von Kreiseln mit einer kugeligen Gaslagerung
bildet der sphärische Hohlraum in der Gaslagerung. Dieser Teil wird gewöhnlich mit einem Einzelpunktverfahren
bearbeitet und fordert mindestens 10% der Bearbeitungskosten des Kreisels.
Der sphärische Hohlraum dient zur Schwungachsenlagerung
und zur kardanischen Aufhängung des Kreisels. Zwei Hälften, die miteinander um eine unter
Druck gesetzte Kugel herum verschraubt sind und eine .Schwungfelge tragen, bilden gemeinsam den Kreiselrotor.
Der Spalt zwischen Kugel und umgebendem Gehäuse liegt in der Größenordnung von 12,7 χ IO-4cm. Hierzu werden extreme Anforderungen
an die Rundheit und die Abmessungen der einzelnen Teile gestellt, was so weit bisher nur mit Einzelpunktbearbeitung
erfüllt werden konnte.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren der im Oberbegriff des Anspruchs I angegebenen Art zu
schaffen, mit dem die gleiche Genauigkeit mittels einer weniger teuren Gießtechnik erreicht wird.
Dies wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Maßnahmen
erreicht. Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens hat sich das im Anspruch 2 gekennzeichnete
duroplastische Kunstharz als besonders vorteilhaft erwiesen, das vorzugsweise in der im Anspruch 3
umrissenen Form eingesetzt wird.
Dabei wird kein Elementenschutz für ein derartiges Epoxyd als solches oder für einen derartigen Härter als
solchen beansprucht und auch kein Schutz für eine derartige Kunststoff-Härter-Kombination an sich, sondern
nur im Zusammenhang mit deren Verwendung beim erfindungsgemäßen Verfahren Schutz begehrt.
Wegen des Schrumpfens nach dem Guß und wegen der Verspannung der gegossenen Teile war eine
Gießtechnik bisher bei der Herstellung von Lagerschalen für gasgelagerte Kreisel ausgeschlossen worden. Mit
der Erfindung kann jedoch das Schrumpfen auf ein Minimum gehalten und die Möglichkeit ausgeschlossen
werden, daß durch das Gießen hervorgerufene Spannungen eine Veispannung der Lagerschale bewirken.
Die Schicht aus duroplastischem Kunststoff an der Innenfläche der Lagerschale weist eine solche Dicke auf,
daß trotzdem die Lagerschale an ihrer Innenseite nur grob bearbeitet zu werden braucht, also auf billige
Weise hergestellt werden kann. Sie soll jedoch möglichst dünn sein, um die Lagerschale durch die
auftretenden Kräfte nicht zu verspannen. Auch wird eine geringe Dicke der Schicht deshalb angestrebt, um
den Schwund beim Gießen im wesentlichen auf den Wert Null zu vermindern.
Es ist bereits ein Verfahren zum Herstellen einer halbkugelförmigen Lagerschale für die kardanische
Lagerung einer Kugel in einer Gelenkpfanne bekannt (US-PS 30 89 198). Dabei wird auf die Innenfläche der
Lagerschale zunächst eine Schicht aus einem phenolischen oder einem Epoxy-Bindemittel aufgetragen. Das
Bindemittel kann auch aus einem duroplastischen Material bestehen oder aus einem Material, das
chemisch härtbar ist. Um eine geringe Reibung der Lagerung zu erhalten, wird auf dieses Bindemittel ein
fasriges Material mit geringem Reibungskoeffizienten ■> aufgebracht, beispielsweise woileartiges Tetrafluorethylen,
worauf die Kugel in die Lagerschale gedruckt und das Bindemittel aushärten gelassen wird.
Nachstehend ist die Erfindung an Hand der Zeichnung beispielsweise beschrieben. Darin zeigt
ίο Fig. 1 einen Querschnitt einer Anordnung zur
Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens und
F i g. 2 einen Querschnitt durch das zusammengesetzte
Lagergehäuse eines gasgelagerten Kreisels mit erfindungsgemäß hergestellten Lagerschalen.
r> Zur Realisierung der Erfindung ist es zunächst
•notwendig, ein Werkzeug bzw. eine Matrize in exakten Dimensionen herzustellen. Dies geschieht durch Bearbeitung
eines Zylinders aus einer Aluminiumlegierung, die als 2024-Aluminiumlegierung bekannt ist. Diese
Legierung hat die folgende Zusammensetzung:
Fe
Cu
Mn
Mg
Cr
Zn
Ti
Andere
0,50 0,50 3,8—4,9
und der Rest Aluminium.
0,30-0,9
0,05
0,10
0.25
0,15
0,05%
Diese Matrize wird dann in die gewünschte halbkugelige Form gebracht, deren Endmaüe ein
leichtes Untermaß gegenüber dem Enddurchmesser hat. Die Halbkugel wird mit einem Material beschichtet,
welches unter der Handelsbezeichnung RTV 630 verkauft wird. Dieses Material ist ein bei Raumtemperatur
vulkanisierender Silikonkautschuk, bei dem es noch einen zusätzlichen Aushärtemechanismus gibt. Es
handelt sich um ein lineares Dimethyl-Polysiloxan mit einer geringen Vernetzungsdichte, nach der allgemeinen
Formel:
CH3
CH3-Si-O-
CH3
■Si—ΟΙ
CH3
CH3
CH3
-Si-CH3
ν CH3
ν CH3
wobei der Wert χ so groß ist, daß das Molekulargewicht
des Polymers zwischen 100 und 100 000 liegt. Der Silikonkautschuk wird auf die Matrize aufgebracht und
.über Nacht bei Raumtemperatur auf der Matrize ausgehärtet. Hieran schließt sich eine einstündige
Nachhärtebehandlungbei 125°C.
Die beschichtete Matrize ist in F i g. 1 dargestellt und besteht aus einer Grundplatte 10 mit der daraufliegenden
Halbkugel 12. Die Halbkugel ist mit dem Überzug 14 aus Silikonkautschuk beschichtet, wobei der Überzug
etwa 2,5 χ 10-? bis 2,5 χ 10-3cm dick ist und einen
Ansatz 16 aufweist, um die Stellung der Gasdurchlaßöffnung festzulegen. Um die Stellung des mittels der
Matrize zu formenden Werkstücks festzulegen, sind an der Grundplatte 10 Prisonstifte 18 angebracht. Für das
gemäß der Erfindung herzustellende Lager wird ein Epoxydharz der folgenden Strukturformel verwendet:
OH
H2C-CH -H2C-
-N-CH-CH2
CH,
CH,
O-
-O—CH,- CH
" I
CH3
-NH, H2N-
CH -CH2-O
CH3
CH3
CH,-CH- N-
CH3
wobei χ angenähert zwischen etwa 1 und etwa 2 liegt. Dieses Epoxydkunstharz kann hergestellt werden durch
Mischung von etwa 100 Gewichtsteilen eines handelsüblichen Materials mit der Handelsbezeichnung
DOW D.E.R. 332 mit etwa 32 Gewichtsteilen eines unter der Bezeichnung POPDA 230 im Handel erhältlichen
Materials. Der Überzug wird über Nacht bei Raumtemperatur (18 Stunden) getrocknet und über 1
Stunde bei 700C ausgehärtet. Die Dicke des Überzugs liegt zwischen etwa 2,5 χ 10-* und 2,5 χ 10'2cm.
Eine Gehäusehälfte 20 wird mit Ausnahme ihrer halbkugeligen Höhlung in den Endmassen hergestellt.
Die Hohlseite wird grob oberflächenbearbeitet, und zwar mit einem Übermaß von einigen tausendstel
Zentimetern. Das Innere der Höhlung wird mit einem Epoxydkunstharz ausgestrichen. Dieses Epoxydkunst-
harz ist ein flüssiges Bisphenol-Epichlorhydrin-Harz mit
einem Epoxyd-Äquivalentgewicht E.E.Q. 170—180 mit einem Härtungsmitlei vom Typ eines Polyoxypropylenaminsder
folgenden Formel:
CH1
H, N-CH CH,
H, N-CH CH,
CH,
O -CII,-ClH—NH,
wobei π annähernd 2,6 beträgt. Die so vorbereitete
Gehäusehälfte 20 wird dann, wie in F i g. 1 veranschaulicht, über das Werkzeug bzw. die Matrize gepreßt und
so lange dort festgehalten, bis das Harz gehärtet ist. Beim Abnehmen bleibt ein dünner Harzfilm, der nach
der Kontur des Werkzeuges geformt ist.
In F-" i g. 2 ist dargestellt, wie die Gehäusehälftc 20 des
Kreisels über der Lagerkugel 22 angeordnet ist. Durch die Öffnung 24, die ursprünglich wegen des Ansatzes 16
ausgespart wurde, wird Gas geleitet. Das Gas fließt durch die Lagerkugel 22 und tritt am Spalt 24a aus. Die
Lagerkugel steht fest, und die Gehäusehälften 20, 20a
rotieren um die Lagerkugel.
Der dünne Kautschukfilm ist in seiner Form sehr genau, da er mittels einer präzisen halbkugeligen
Höhlung geformt wurde. Er behält seine Form bei, da er dünn ist und an eine Metallunterlage gebunden ist. Der
Kautschuk haftet nur deswegen an der Metallunterlage, da diese speziell grundiert worden ist. Silikonkautschuk
haftet normalerweise nicht an anderen Stoffen. Daher kann das Epoxyd leicht füflgenommen werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Verfahren zum Herstellen einer halbkugelförmigen Lagerschale für gasgelagerte Kreisel, bei dem
eine Lagerschale mit halbkugelförmiger Innenfläche mit einem Übermaß gegenüber dem zu lagerndei
Kugelkörper grob hergestellt, deren Innenfläche mit einem härtbaren duroplastischen Kunststoff ausgestrichen
und die Kunststoffschicht unter Zwischenschaltung einer haftungsabweisenden Schicht bis
zum Härten gegen eine halbkugelförmige Matrize fixiert und gepreßt wird, dadurch gekennzeichnet,
daß das Herstellen der kugelförmigen Innenfläche mit einem Obermaß von einigen
hundertstel Millimetern erfolgt und zum Zwischenschalten der haftungsabweisenden Schicht die aus
ίο einer Aluminiumlegierung bestehende Matrize in
einer genau bearbeiteten Urform mit einem Film aus vulkanisierbarem Silikonkautschuk überzogen und
der Silikonkautschuk durch Vulkanisieren mit der Matritze haftend verbunden wird.
2. Duroplastisches Kunstharz zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch I1 dadurch gekennzeichnet,
daß es aus Bisphenolepichlorhydrin-Epoxyd-Hara
mit einem Polyoxypropylen-amin-Härter besteht
3. Duroplastisches Kunstharz nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Epoxydharz die
folgende Strukturformel
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE2027770B2 DE2027770B2 (de) | 1978-06-08 |
DE2027770C3 true DE2027770C3 (de) | 1979-02-08 |
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ID=25271042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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-
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- 1970-04-24 FR FR7014972A patent/FR2052334A5/fr not_active Expired
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Also Published As
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
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