DE202021106202U1

DE202021106202U1 - Rohrkathodengehäuse und Sputtervorrichtung

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Publication number: DE202021106202U1
Application number: DE202021106202.9U
Authority: DE
Original assignee: Von Ardenne Asset GmbH and Co KG
Current assignee: Von Ardenne Asset GmbH and Co KG
Priority date: 2021-11-12
Filing date: 2021-11-12
Publication date: 2021-11-22
Anticipated expiration: 2031-11-13

Abstract

Rohrkathodengehäuse (200), aufweisend:• ein Gehäuseinneres (202), welches in eine erste Richtung (105) freiliegt, zum Aufnehmen einer Rohrkathode (102);• eine erste Gehäusewand (204), welche das Gehäuseinnere (202) aus der ersten Richtung (105) begrenzt,• wobei die erste Gehäusewand (204) eine oder mehr als eine dem Gehäuseinneren (202) abgewandte Eingangsöffnung (204i) und mehrere Ausgangsöffnungen (204o) aufweist,• wobei die erste Gehäusewand (204) ferner einen Gasverteiler (206) aufweist, welcher zumindest zwei Ausgangsöffnungen der mehreren Ausgangsöffnungen (204o) miteinander und mit der Eingangsöffnung (204i) gasleitend koppelt;• eine zweite Gehäusewand (210a), welche das Gehäuseinnere (202) in eine zweite Richtung (101), die quer zu der ersten Richtung (105) ist, begrenzt;• wobei die zweite Gehäusewand (210a) zumindest einen Gaskanal (210k) aufweist, in dem zumindest eine Ausgangsöffnung der zwei Ausgangsöffnungen mündet, und der aus einem der ersten Gehäusewand (204) abgewandten Abschnitt der zweiten Gehäusewand (210a), vorzugsweise in die erste Richtung (105), austritt.

Description

Verschiedene Ausführungsbeispiele betreffen ein Rohrkathodengehäuse und eine Sputtervorrichtung.
Im Allgemeinen können Werkstücke oder Substrate prozessiert oder behandelt, z.B. bearbeitet, beschichtet, erwärmt, geätzt und/oder strukturell verändert werden. Ein Verfahren zum Beschichten eines Substrats ist die Kathodenzerstäubung (das so genannte Sputtern oder der Sputterprozess), welche vom Typ der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD) ist. Zum Sputtern kann mittels einer Sputtervorrichtung ein plasmabildendes Gas ionisiert werden, wobei mittels des dabei gebildeten Plasmas ein abzuscheidendes Material (auch als Targetmaterial bezeichnet) zerstäubt werden kann. Durch den Ionenbeschuss werden Bestandteile des Targetmaterials abgetragen, die sich als Funktionsschicht auf dem Substrat abscheiden können. Häufig wird die Bildung des Plasmas durch ein Magnetfeld unterstützt (wobei dann die Sputtervorrichtung auch als Magnetron bezeichnet wird).
Häufig werden die relevanten Eigenschaften der auf dem Substrat abgeschiedenen Funktionsschicht bewertet, wie z.B. deren Schichtdicke, deren Transmission, deren Reflektion, deren Leitfähigkeit, usw. Diesbezüglich wird häufig eine möglichst gleichmäßige Verteilung der Eigenschaften angestrebt. Diese angestrebte gleichmäßige Verteilung der Eigenschaften ist verschiedenen Störeinflüssen unterworfen, die eine ungleichmäßige Verteilung begünstigen, wie beispielsweise eine Inhomogenität des Plasmas, unterschiedliche Drücke und Zusammensetzungen der Prozessatmosphäre, die Gestaltung des Prozessraumes, Verschmutzungen, usw. Eine Möglichkeit den Störeinflüssen zu begegnen (z.B. diese zu kompensieren) ist das sogenannte Trimmen der Prozessatmosphäre (z.B. durch Beeinflussung der Prozessatmosphäre durch Druckverteilung und/oder Zusammensetzung). Weitere Möglichkeiten weisen auf: das sogenannte Shimmen (z.B. durch Veränderung der Magnetfeldstärke), eine Anpassung der Prozessumgebung durch konstruktive Maßnahmen, wie beispielsweise Blenden.
Die Inhomogenität des Plasmas oder der Prozessatmosphäre im Allgemeinen wird herkömmlicherweise dadurch kompensiert, dass die plasmabildende Atmosphäre (auch als Prozessatmosphäre bezeichnet) getrimmt wird. Das sogenannte Trimmen weist auf, die räumliche Verteilung der Prozessatmosphäre zu beeinflussen, z.B. gesteuert und/oder geregelt. Damit ergibt sich pro Stelle, an welcher die Prozessatmosphäre getrimmt (beeinflusst) wird, die Möglichkeit, einen Einfluss auf die Schichtbildung zu erlangen.
Die Sputtervorrichtung kann mit verschiedenen elektrischen Beschaltungen betrieben werden. Nachfolgend wird exemplarisch Bezug genommen auf den sogenannten DC-Betrieb, bei dem die an die Sputterkathode (vereinfacht auch als Kathode oder Target bezeichnet) angelegte Spannung zeitlich konstant ist. Anschaulich ist das Targetmaterial auf Kathodenpotential und eine andere Baugruppe in der Umgebung ist auf Anodenpotential. Bestehen hohe Anforderungen an die Homogenität der abgeschiedenen Funktionsschicht auf dem Substrat, wird eine separate Anodenbaugruppe in der Nähe der Sputterkathode angeordnet, welche eine homogene Anodenfläche anbietet.
Eine Möglichkeit, dies zu erreichen, ist die sogenannte Kastenanode (auch als Boxanode bezeichnet), wie in Bild 1 dargestellt. Diese Kastenanode kann angeordnet sein in einer Vakuumkammer mit Transportsystem für das Substrat, und Deckel mit angebauten Prozesskomponenten, welcher die Vakuumkammer verschließt. Genauer gesagt weist eine solche herkömmliche Sputtervorrichtung ein einzelnes Rohrmagnetron in der Kastenanode auf, wobei der Gaseinlass am Deckel erfolgt. Dargestellt sind: Kastenanode 1; mit der Basisplatte verbundene Anodenbleche 1a; wirksame Anodenfläche 1b; Rohrtarget 2; Prozessgaseinlass 3; Substrat 4; mögliche Targetrotationsrichtung A; Substrat-Transportrichtung B; Strömungrichtung C des Gasauslasses; Prozessbereich D (Ort des Prozessgasbedarfs) .
Eine die Schichtbildung beeinflussende Komponente der Sputtervorrichtung ist der Prozessgaseinlass 3. Dieser kann entweder in der Kammer oder gemeinsam mit der Sputtervorrichtung an dem Kammerdeckel angeordnet werden, der die Sputtervorrichtung trägt. Letztere Konfiguration erreicht eine hohe Flexibilität der Anlage, da der Deckel samt Sputtervorrichtung ausgetauscht werden kann.
In diesem Kontext wurde gemäß verschiedenen Ausführungsformen erkannt, dass der Weg, den das Prozessgas vom Gaseinlass 3 bis zum Prozessbereich D zurücklegen muss, relativ lang ist. Weiterhin strömt das Gas durch die Engstelle zwischen Rohrtarget 2 und Anodenblech 1a. Aufgrund dieser Gegebenheiten strömt das Gas nicht notwendigerweise nur in Richtung zum Substrat hin, sondern kann auch quer zum Substrat, d.h. in Längsrichtung des Prozessgaseinlasses bzw. in Richtung B strömen. Das hat zur Folge, dass die Veränderung der räumlichen Verteilung des Gaszuflusses am Prozessgaseinlass 3 weniger Auswirkung auf den Prozessbereich hat.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen werden ein Rohrkathodengehäuse und eine Sputtervorrichtung bereitgestellt, welche die Gaszufuhr verbessern, möglichst ohne den Wartungsaufwand zu vergrößern und/oder möglichst ohne die Empfindlichkeit des Prozessbereichs auf die räumliche Verteilung des Gaszuflusses zu reduzieren (z.B. auf die Gasflüsse einzelner Segmente). Anschaulich wird dies erreicht durch die räumliche Anordnung von Gaskanal und dessen Ausgangsöffnungen, Anode und Target.
Es zeigen

1 eine herkömmliche Sputtervorrichtung in einer schematischen Querschnittsansicht entlang der Drehachse der Rohrkathode; und
2 und 3 jeweils ein Rohrkathodengehäuse gemäß verschiedenen Ausführungsformen in verschiedenen schematischen Ansichten.

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben“, „unten“, „vorne“, „hinten“, „vorderes“, „hinteres“, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe „verbunden“, „angeschlossen“ sowie „gekoppelt“ verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung (z.B. ohmsch und/oder elektrisch leitfähig, z.B. einer elektrisch leitfähigen Verbindung), eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Begriff „gekoppelt“ oder „Kopplung“ im Sinne einer (z.B. mechanischen, hydrostatischen, thermischen und/oder elektrischen), z.B. direkten oder indirekten, Verbindung und/oder Wechselwirkung verstanden werden. Mehrere Elemente können beispielsweise entlang einer Wechselwirkungskette miteinander gekoppelt sein, entlang welcher die Wechselwirkung ausgetauscht werden kann, z.B. ein Fluid (dann auch als fluidleitend gekoppelt bezeichnet). Beispielsweise können zwei miteinander gekoppelte Elemente eine Wechselwirkung miteinander austauschen, z.B. eine mechanische, hydrostatische, thermische und/oder elektrische Wechselwirkung. Eine Kopplung mehrerer Vakuumkomponenten (z.B. Ventilen, Pumpen, Kammern, usw.) miteinander kann aufweisen, dass diese fluidleitend miteinander gekoppelt sind. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann „gekuppelt“ im Sinne einer mechanischen (z.B. körperlichen bzw. physikalischen) Kopplung verstanden werden, z.B. mittels eines direkten körperlichen Kontakts. Eine Kupplung kann eingerichtet sein, eine mechanische Wechselwirkung (z.B. Kraft, Drehmoment, etc.) zu übertragen.
Bezüglich des (z.B. schichtbildenden) Prozesses wird hierin auf das sogenannte Sputtern (auch als Kathodenzerstäubung bezeichnet) Bezug genommen. Der Begriff „Sputtern“ bezeichnet das Zerstäuben eines Materials (auch als Beschichtungsmaterial oder Targetmaterial bezeichnet) mittels eines Plasmas. Die zerstäubten Bestandteile des Beschichtungsmaterials (z.B. einzelne Atome und/oder Ionen) werden voneinander separiert und können beispielsweise zum Bilden einer Schicht woanders angelagert werden. Das Sputtern kann mittels einer sogenannten Sputtervorrichtung erfolgen, welche optional ein oder mehr als ein Magnetsystem aufweisen kann (dann auch als Magnetron bezeichnet). Das Beschichtungsmaterial kann mittels eines sogenannten Sputtertargets (kurz auch als Target bezeichnet) bereitgestellt sein, welches beispielsweise rohrförmig (dann auch als Rohrtarget bezeichnet) oder plattenförmig (dann auch als Plattentarget oder Planartarget bezeichnet) sein kann. Zum Erzeugen des Plasmas kann an das Sputtertarget (kurz auch als Target bezeichnet) eine Spannung (auch als Sputterspannung bezeichnet) angelegt werden, so dass das Sputtertarget als Kathode betrieben wird. Die Sputterspannung kann beispielsweise eine Gleichspannung, beispielsweise eine gepulste Gleichspannung, sein. Auch wenn die Sputterspannung eine Wechselspannung aufweist, wird die Begrifflichkeit der Kathode häufig beibehalten. Bezogen auf die Sputterspannung kann eine oder mehr als eine der Kathode zugeordnete Anode auf einer Referenzspannung sein, z.B. auf elektrischer Masse.
Zum Sputtern kann das Sputtertarget in einer Vakuum-Prozessierkammer (vereinfacht auch als Vakuumkammer bezeichnet) angeordnet sein, so dass das Sputtern in einem Vakuum erfolgen kann. Dazu können die Umgebungsbedingungen (die Prozessparameter) innerhalb der Vakuum-Prozessierkammer (z.B. Prozessdruck, Temperatur, Gaszusammensetzung, usw.) während des Sputterns eingestellt oder geregelt werden. Beispielsweise kann innerhalb der Vakuum-Prozessierkammer ein Arbeitsgas bereitgestellt sein oder werden, welches das plasmabildende Gas oder das plasmabildende Gasgemisch bezeichnet. Die Vakuum-Prozessierkammer kann beispielsweise luftdicht, staubdicht und/oder vakuumdicht eingerichtet sein oder werden, so dass innerhalb der Vakuum-Prozessierkammer eine Gasatmosphäre mit einer vordefinierten Zusammensetzung (auch als Arbeitsatmosphäre oder Prozessatmosphäre bezeichnet) oder einem Soll-Druck (auch als Arbeitsdruck oder Prozessdruck bezeichnet) bereitgestellt werden kann (z.B. gemäß einem Sollwert). Die Vakuumkammer kann derart eingerichtet sein, dass darin ein Vakuum (d.h. ein Druck kleiner als 0,3 bar) bereitgestellt sein oder werden kann, z.B. ein Druck in einem Bereich von ungefähr 1 mbar bis ungefähr 10^-3 mbar (mit anderen Worten Feinvakuum) oder weniger, z.B. ein Druck in einem Bereich von ungefähr 10^-3 mbar bis ungefähr 10^-7 mbar (mit anderen Worten Hochvakuum) oder weniger bereitgestellt werden kann, z.B. ein Druck von kleiner als Hochvakuum, z.B. kleiner als ungefähr 10^-7 mbar (mit anderen Worten Ultrahochvakuum) bereitgestellt sein oder werden kann.
Ausgehend davon kann dem Sputterprozess bzw. dem Plasma ein Prozessgas zugeführt werden, so dass in der Vakuumkammer ein Prozessvakuum (auch als Prozessatmosphäre bezeichnet) erzeugt werden kann als Gleichgewicht an der Vakuumkammer entzogenem (abgepumptem) Gas und der Vakuumkammer zugeführtem Prozessgas. Das Prozessvakuum kann einen Druck (auch als Prozessdruck oder Gesamtdruck bezeichnet) kleiner als 0,3 bar aufweisen oder weniger, z.B. in einem Bereich von ungefähr 1 mbar bis ungefähr 10^-3 mbar.
Das Prozessgas kann das sogenannte Arbeitsgas und/oder ein oder mehr als ein Reaktivgas aufweisen. Arbeitsgas und Reaktivgas(e) können separat voneinander zugeführt werden oder gemeinsam als Gasgemisch, beispielsweise mittels der Gaszuführvorrichtung. Beispielsweise kann ein Prozessgas mit der Gaszusammensetzung des Arbeitsgases zugeführt werden. Beispielsweise kann ein Prozessgas mit der Gaszusammensetzung des Reaktivgases zugeführt werden. Beispielsweise kann ein Prozessgas mit der Gaszusammensetzung eines Gasgemischs aus dem Reaktivgases und dem Arbeitsgas zugeführt werden.
Das Plasma kann dann mittels des Arbeitsgases (auch als plasmabildendes Gas bezeichnet) gebildet werden. Das Arbeitsgas kann beispielsweise ein oder mehr als ein Edelgas oder ein anderes Inertgas aufweisen oder daraus gebildet sein. Beispiele für das Edelgas weisen auf Helium, Neon, Argon (Ar), Krypton, Xenon, Radon.
Wird dem Plasma bzw. dem Sputterprozess ein oder mehr als ein Reaktivgas zugeführt, kann dieses eine höhere chemische Reaktivität als das Arbeitsgas aufweisen, z.B. bezüglich des Targetmaterials. Mit anderen Worten kann das zerstäubte Targetmaterial zusammen mit dem Reaktivgas (wenn vorhanden) schneller reagieren (d.h. mehr Reaktionsprodukt pro Zeit bilden) als zusammen mit dem Arbeitsgas (z.B., wenn es überhaupt mit dem Arbeitsgas chemisch reagiert).
Um das Target effektiv zu zerstäuben (auch als Sputtern bezeichnet), kann das Target um ein Magnetsystem (anschaulich um dieses herum) gedreht werden. Das Magnetsystem kann einen oder mehr als einen Magneten aufweisen. Dazu kann das Target bzw. dessen Targetmaterial rohrförmig eingerichtet sein (auch als Rohrtarget bezeichnet), wobei das Magnetsystem im Inneren des Rohrtargets angeordnet sein kann, so dass das Rohrtarget um das Magnetsystem gedreht werden kann. Das Rohrtarget kann beispielsweise ein Rohr aufweisen, auf dem das Targetmaterial als Schicht auf einer äußeren Mantelfläche des Rohrs befestigt sein kann und die Mantelfläche des Rohrs teilweise bedecken kann. Das Rohrtarget kann aber auch aus dem Targetmaterial gebildet sein.
Das Target kann mittels einer Lagervorrichtung drehbar gelagert sein oder werden, wobei die Lagervorrichtung optional ein Versorgen des Targets (z.B. mit Prozessleistung und Kühlfluid) bereitstellen kann. Beispielsweise kann die Lagervorrichtung zwei so genannte Endblöcke aufweisen, mittels welchen das Target an einander gegenüberliegenden Endabschnitten gelagert ist, wobei die Endblöcke ein Versorgen des Targets (z.B. mit Prozessleistung und Kühlfluid) bereitstellen können. Ferner können die Endblöcke zusätzlich eingerichtet sein, das Magnetsystem im Inneren des Rohrtargets zu halten (dann auch als Magnetron-Endblock bezeichnet).
Weist die Lagervorrichtung zwei Endblöcke auf, kann jeweils einer der Endblöcke (der sogenannte Antriebsendblock) einen Antriebsstrang aufweisen, der mit einer Antriebsvorrichtung (auch als Targetantrieb bezeichnet) zum Drehen des Rohrtargets gekuppelt ist; und/oder der andere der Endblöcke (der sogenannte Medienendblock) kann eine Fluidleitung zum Zuführen und Abführen von Kühlfluid (z.B. ein wasserbasiertes Gemisch) aufweisen, welches durch das Target hindurch geleitet werden kann.
Die Lagervorrichtung kann optional einen Träger aufweisen (auch als Magnetsystemträger bezeichnet), welcher zum Halten des Magnetsystems eingerichtet ist. Der Magnetsystemträger kann beispielsweise hohl sein (z.B. ein Rohr aufweisend) und optional stirnseitig mit einem Endblock, welcher den Magnetträger hält, fluidleitend gekoppelt sein (z.B. mit dessen Fluidleitung), so dass dieser mit dem Endblock das Kühlfluid austauschen kann. Auf der dem Endblock gegenüberliegenden Seite kann das Rohr beispielsweise stirnseitig verschlossen sein und dort eine seitliche Öffnung aufweisen, durch welche das Kühlfluid hindurchtreten kann. Der Magnetsystemträger kann rund sein oder eckig, z.B. ein Rundrohr oder ein Kantrohr aufweisend. Der Magnetträger und/oder das Magnetsystem können eine Länge (Ausdehnung entlang der Drehachse) in einem Bereich von 1 m ungefähr bis ungefähr 6 m aufweisen, z.B. in einem Bereich von 2 m ungefähr bis ungefähr 5 m.
1 veranschaulicht eine herkömmliche Beschichtungsvorrichtung in einer schematischen Querschnittsansicht entlang der Drehachse der Rohrkathode, wie einleitend erläutert ist.
2 veranschaulicht ein Rohrkathodengehäuse 200 gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Seitenansicht oder Querschnittsansicht, wobei zum besseren Verständnis ebenso die Lage der Rohrkathode 102 und die Gasführung 213, mittels der das Gas 211 zugeführt wird, dargestellt ist.
Das Rohrkathodengehäuse 200 weist ein Gehäuseinneres 202 (anschaulich einen Hohlraum 202) auf, welches in eine erste Richtung 105 (auch als Referenzrichtung 105 bezeichnet) freiliegt, und mehrere Gehäusewände, die das Gehäuseinnere 202 begrenzen. Beispielsweise kann das Rohrkathodengehäuse 200 eine Öffnung 202o aufweisen, welche entgegen der Referenzrichtung 105 in dem Gehäuseinneren 202 mündet.
Ist das Rohrkathodengehäuse 200 Teil einer Sputtervorrichtung, kann die Rohrkathode 102 zumindest teilweise in dem Gehäuseinneren 202 angeordnet sein, z.B. sich in dieses hinein erstreckend. Ferner kann die Sputtervorrichtung eine Lagervorrichtung aufweisen, mittels welcher die Rohrkathode 102 drehbar gelagert ist um eine Drehachse 201 herum. Die Drehachse 201 kann beispielsweise in dem Gehäuseinneren 202 angeordnet sein und/oder quer zu der Referenzrichtung 105 sein.
Die mehreren Gehäusewände des Rohrkathodengehäuses 200 weisen eine erste Gehäusewand 204 (auch als Basiswand oder vereinfacht als Boden bezeichnet) auf, welche das Gehäuseinnere 202 aus der Referenzrichtung 105 begrenzt. Die Basiswand 204 weist eine oder mehr als eine dem Gehäuseinneren 202 abgewandte Eingangsöffnung 204i (z.B. mittels eines Gasanschlusses bereitgestellt) und mehrere Ausgangsöffnungen 204o auf. Optional weist die Basiswand 204 eine Montagevorrichtung (nicht dargestellt) auf, mittels welcher diese an einer Kammerwand einer Vakuumkammer (nicht dargestellt) befestigt werden kann.
Die mehreren Ausgangsöffnungen 204o können beispielsweise ein oder mehr als ein Paar Ausgangsöffnungen (auch als Ausgangsöffnungspaar bezeichnet) aufweisen, wovon jedes Ausgangsöffnungspaar zwei auf einander gegenüberliegenden Seiten der Basiswand 204 angeordnete Ausgangsöffnungen aufweist. Die mehreren Ausgangsöffnungen 204o können beispielsweise pro Eingangsöffnung 204i zwei oder mehr Ausgangsöffnungen 204o aufweisen, z.B. pro Eingangsöffnung 204i ein oder mehr als ein Ausgangsöffnungspaar, die mit der Eingangsöffnung 204i gekoppelt sind.
Jedes Ausgangsöffnungspaar kann beispielsweise eine erste (anschaulich rechte) Ausgangsöffnung und eine zweite (anschaulich linke) Ausgangsöffnung aufweisen. Die erste Ausgangsöffnung kann beispielsweise auf einer ersten Seite 101a der Basiswand 204 angeordnet und/oder in eine zweite Richtung 101 (auch als Querrichtung 101 bezeichnet) aus der Basiswand 204 austreten. Die zweite Ausgangsöffnung kann beispielsweise auf einer der ersten Seite 101a gegenüberliegenden zweiten Seite 101b der Basiswand 204 angeordnet und/oder entgegen der Querrichtung 101 aus dieser austreten. Die Querrichtung 101 kann quer zu der Referenzrichtung 105 und/oder der Drehachse 201 sein.
Ferner weist die Basiswand 204 einen Gasverteiler 206 auf, welcher zumindest zwei der mehreren Ausgangsöffnungen 204o miteinander und mit einer Eingangsöffnung 204i gasleitend koppelt. Der Gasverteiler 206 kann einen oder mehr als einen Gaskanal (auch als Verteilerkanal bezeichnet) aufweisen und/oder in die Basiswand 204 eingebettet sein.
Funktional kann die Gasführung 213 in mehrere Segmente (auch als Trimmsegmente bezeichnet) unterteilt sein, von denen jedes Segment zumindest eine Eingangsöffnung 204i, ein oder mehr als ein Ausgangsöffnungspaar und einen Verteilerkanal, welcher die Eingangsöffnung 204i mit dem einen oder mehr als einen Ausgangsöffnungspaar gasleitend koppelt. Die Trimmsegmente können beispielsweise voneinander gassepariert sein. Die Trimmsegmente erleichtern es, die räumliche Verteilung des zugeführten Gases zu beeinflussen.
Die mehreren Gehäusewände weisen eine zweite Gehäusewand 210a (auch als erste Seitenwand bezeichnet) auf, welche das Gehäuseinnere 202 in die Querrichtung 101 begrenzt. Die erste Seitenwand 210a weist zumindest einen (d.h. einen oder mehr als einen) ersten Gaskanal 210k auf, in dem die oder jede erste Ausgangsöffnung der mehreren Ausgangsöffnungen 204o mündet, und der aus einem der Basiswand 204 abgewandten ersten Abschnitt 212a (auch als Endabschnitt bezeichnet) der ersten Seitenwand 210a austritt, beispielsweise in die Referenzrichtung 105.
Die mehreren Gehäusewände weisen optional eine zusätzliche zweite Gehäusewand 210b (auch als zweite Seitenwand bezeichnet) auf, welche das Gehäuseinnere 202 aus der Querrichtung 101 begrenzt. Die zweite Seitenwand 210b weist zumindest einen (d.h. einen oder mehr als einen) zweiten Gaskanal 210k auf, in dem die oder jede zweite Ausgangsöffnung der mehreren Ausgangsöffnungen 204o mündet, und der aus einem der Basiswand 204 abgewandten zweiten Abschnitt 212b (auch als Endabschnitt bezeichnet) der zweiten Seitenwand 210a austritt, beispielsweise in die Referenzrichtung 105.
Diese Konfiguration des Rohrkathodengehäuses 200 stellt gegenüber der herkömmlichen Ausführung (siehe 1) bereit, dass das Gas weiter in Richtung des Targets 102 geführt wird. Anschaulich bilden der Gasverteiler 206 und der zumindest eine Gaskanal 210k pro Seitenwand 210a, 210b eine Gasführung 213, welche das Gas näher an das Target 102 (auch als bezeichnet) den Prozessbereich 230 führt, bevor dieses austritt.
Die erste Seitenwand 210a und/oder der zumindest eine erste Gaskanal 210k können im Wesentlichen in die Referenzrichtung 105 erstreckt sein. Alternativ oder zusätzlich kann die erste Seitenwand 210a lösbar (z.B. austauschbar) an der Basiswand 204 montiert sein. Dies erleichtert die Wartung. Die zweite Seitenwand 210b und/oder der zumindest eine erste Gaskanal 210k können in die Referenzrichtung 105 erstreckt sein. Alternativ oder zusätzlich kann die zweite Seitenwand 210b lösbar (z.B. austauschbar) an der Basiswand 204 montiert ist. Dies erleichtert die Wartung.
Der Endabschnitt 212a, 212b (z.B. der ersten Seitenwand 210a und/oder der zweiten Seitenwand 210b) kann beispielsweise abgewinkelt sein und/oder eine Oberfläche (auch als Außenfläche bezeichnet) aufweisen, welche beispielsweise eben ist. Die Außenfläche kann von der jeweils anderen Seitenwand weg erstreckt sein und/oder den Endabschnitt 212a, 212b in die Referenzrichtung 105 begrenzen.
Der Endabschnitt 212a, 212b (z.B. der ersten Seitenwand 210a und/oder der zweiten Seitenwand 210b) kann beispielsweise mit einem elektrischen Anschluss gekoppelt sein, z.B. wenn dieser dem Target 102 eine Anode bereitstellt (dann kann die Außenfläche auch als Anodenfläche bezeichnet werden). Das Rohrkathodengehäuse 200 kann beispielsweise eine sogenannte Kastenanode bereitstellen, die im Betrieb des Targets 102 auf Anodenpotential liegt.
Die erste Seitenwand 210a und die zweite Seitenwand 210b können beispielsweise im Wesentlichen gleich eingerichtet sein, und einander entgegengesetzt ausgerichtet sein. Dies erleichtert die Wartung weiter. Beispielsweise können die erste Seitenwand 210a und die zweite Seitenwand 210b gegeneinander austauschbar eingerichtet sein.
Der Gasverteiler 206 kann beispielsweise zwischen den zumindest zwei Ausgangsöffnungen jedes Ausgangsöffnungspaars 204o angeordnet sein. Der Gasverteiler 206 kann beispielsweise zwischen der ersten Gehäusewand 210a und der zweiten Gehäusewand 210b angeordnet sein.
Wie hier exemplarisch dargestellt, kann eine oder mehr als eine der mehreren Gehäusewände (z.B. die erste Seitenwand 210a, die Basiswand 204 und/oder die zweite Seitenwand 210b) mehrteilig eingerichtet sein (auch als mehrteilige Gehäusewand bezeichnet), z.B. zwei zusammengefügte Platten 220a, 220b aufweisend, wovon jede Platte beispielsweise ein Blech (auch als Anodenblech bezeichnet) und/oder Aluminium aufweisen kann. Dies vereinfacht die Konstruktion. In einer exemplarischen Implementierung sind die zwei Platten 220a, 220b miteinander verschraubt.
Eine oder mehr als eine der zwei Platten 220a, 220b kann ein Profil (z.B. Hohlprofil) aufweisen, um zumindest einen Gaskanal der Gehäusewand bereitzustellen. Beispielsweise können die zwei Platten 220a, 220b zusammengefügt einen oder mehr als einen Hohlraum bilden, wovon jeder Hohlraum einen Gaskanal der Gehäusewand bereitstellt.
Nachfolgend werden verschiedene exemplarische Implementierungen erläutert, welche optional miteinander kombiniert werden können.
In einer exemplarischen Implementierung der ersten Seitenwand 210a und/oder der zweiten Seitenwand 210b kann die an das Gehäuseinnere 202 angrenzende oder diesem zumindest zugewandte erste (anschaulich innere) Platte 220a einen oder mehr als einen Graben (oder anders geformte Vertiefung) aufweisen, wovon jeder Graben einen Gaskanal 210k bereitstellt und/oder mittels einer Durchgangsöffnung der ersten Platte 220a mit einer Ausgangsöffnung 204o der Basiswand 204 gekoppelt ist. Alternativ oder zusätzlich kann die an dem Gehäuseinneren 202 abgewandte zweite Platte 220b (der ersten Seitenwand 210a und/oder der zweiten Seitenwand 210b) über die erste Platte 220a überstehen und/oder abgewinkelt (in dem Endabschnitt 212a, 212b) sein.
In einer exemplarischen Implementierung der ersten Seitenwand 210a und/oder der zweiten Seitenwand 210b weist der zumindest eine Gaskanal 210k pro Seitenwand 210a, 210b mehrere Gaskanäle 210k auf, welche voneinander räumlich separiert sind, beispielsweise mittels einer sogenannte Gastrennung (z.B. einer Gastrennrippe). Dies hemmt eine Längsströmung (entlang der Drehachse 201) bzw. Vermischung des Gases innerhalb der Gasführung 213.
In einer exemplarischen Implementierung der ersten Seitenwand 210a und/oder der zweiten Seitenwand 210b sind die zwei Platten 220a, 220b miteinander verschraubt. Dies vereinfacht die Konstruktion.
In einer exemplarischen Implementierung der Basiswand 204 kann die an das Gehäuseinnere 202 angrenzende oder diesem zumindest zugewandte erste Platte 220a einen oder mehr als einen Graben (oder anders geformte Vertiefung) aufweisen, wovon jeder Graben einen Verteilerkanal bereitstellt und/oder mittels einer Durchgangsöffnung der zweiten Platte 220b der der Basiswand 204 mit einer Eingangsöffnung 204i gekoppelt ist.
In einer exemplarischen Implementierung des Gasverteilers 206 weist dieser pro Ausgangsöffnungspaar 204o einen Verteilerkanal auf, welcher das Ausgangsöffnungspaar miteinander und mit zumindest einer Eingangsöffnung 204i koppelt. Mehrere Verteilerkanäle des Gasverteilers 206 können räumlich separiert voneinander sein, beispielsweise mittels einer Gastrennung (z.B. einer Gastrennrippe). Dies hemmt eine Längsströmung (entlang der Drehachse 201) bzw. Vermischung des Gases innerhalb der Gasführung 213. In der oder einer anderen exemplarischen Implementierung ist die Gasführung 213 fest in ein oder mehr als ein Anodenblech als erste Platte 220a integriert, was den (De)Montageaufwand reduziert.
In einer exemplarischen Implementierung einer mehrteiligen Gehäusewand (z.B. der Basiswand 204, der ersten Seitenwand 210a und/oder der zweiten Seitenwand 210b) kann diese eine Folie (z.B. Kohlenstoff, z.B. in einer Kohlenstoffmodifikation, wie beispielsweise Graphit, oder ein Polymer aufweisend oder daraus gebildet) aufweisen, welche (z.B. flächig) zwischen den Platten angeordnet ist. Dies verbessert die Abdichtung der mehrteiligen Gehäusewand. Eine Graphitfolie ist beständiger gegenüber den im Bereich des Gasaustritts auftretenden höheren Temperaturen und höheren Strahlung vom Plasma. Allgemeiner gesprochen stellt die Graphitfolie eine bessere thermischen Beständigkeit und Wärmeleitfähigkeit bereit, so dass eine Temperaturdifferenz zwischen die erste Seitenwand 210a und/oder der zweiten Seitenwand 210b minimiert werden kann.
Anschaulich weist das Rohrkathodengehäuse 200 in einigen Implementierungen gemäß verschiedenen Ausführungsformen gegenüber der herkömmlichen Konfiguration nach 1 zusätzliche Gaskanäle 210k auf, welche die Gasführung 213 (auch als Prozessgasführung bezeichnet) bis zum Rand des Rohrkathodengehäuses 200 (dessen Anodenbleche) verlängern. Die Ausgangsöffnungen 204o gehen beispielsweise direkt in zusätzlichen Gaskanäle 210k der Anodenbleche 220a über. Dies verbessert die Gasführung 213 zu dem Prozessbereich 230, beispielsweise die Gastrimmung. Anschaulich kann der Prozessbereich 230 bzw. das darin gebildete Plasma schneller und/oder direkter auf eine Veränderung des Gaszuflusses an einer Eingangsöffnung 204i reagieren.
Ist das Rohrkathodengehäuse 200 Teil einer Prozessanordnung, kann diese ferner eine Transportvorrichtung aufweisen, welche eingerichtet ist ein Substrat an dem Rohrkathodengehäuse 200 vorbei zu transportieren, z.B. in die Querrichtung (dann auch als Transportrichtung 101 bezeichnet). Beispielsweise kann das Substrat beim Beschichten mittels der Transportvorrichtung relativ zu dem Rohrkathodengehäuse 200 bewegt werden oder der Substrattransport kann beim Beschichten pausiert werden. Dann kann das Substrat ortsfest relativ zu dem Rohrkathodengehäuse 200 angeordnet sein mittels der Transportvorrichtung. Ebenso kann das Substrat ortsfest relativ zu dem Rohrkathodengehäuse 200 angeordnet sein, wenn die Transportvorrichtung weggelassen wird.
Im betriebsbereiten Zustand kann das Rohrkathodengehäuse 200 an einer Kammerwand eines Kammergehäuses, mittels dessen die Vakuumkammer bereitgestellt ist, montiert sein. Die Kammerwand kann beispielsweise eine Platte aufweisen, an welcher das Rohrkathodengehäuse 200 befestigt ist. Die Kammerwand kann beispielsweise einen oder mehr als einen Pumpenanschluss aufweisen, der fluidleitend mit dem Gehäuseinneren 202 gekoppelt ist.
Beispielsweise kann die Kammerwand als Kammerdeckel eingerichtet sein, z.B. zum Verschließen einer Öffnung des Kammergehäuses.
Dann ist das Rohrkathodengehäuse 200 zusammen mit dem Kammerdeckel von dem Kammergehäuse abnehmbar. Beispielsweise können das Sputtertarget und/oder die Anode ebenso am Kammerdeckel montiert sein.
Alternativ kann die Kammerwand monolithischer Bestandteil des Kammergehäuses sein. Dann ist das Rohrkathodengehäuse 200, und optional das Sputtertarget und/oder die Anode, fest in der Vakuumkammer verbaut.
3 veranschaulicht ein Rohrkathodengehäuse 200 gemäß verschiedenen Ausführungsformen, in denen jede Seitenwand 210a, 210b drei oder mehr als Gaskanäle 210k aufweist, in einer schematischen Seitenansicht 300 mit Blick aus der Referenzrichtung 105. Zwei einander unmittelbar benachbarte Gaskanäle 210k derselben Seitenwand 210a, 210b können voneinander räumlich separiert sein mittels einer Gastrennung 210t (z.B. einer Gastrennrippe). Dies hemmt eine Längsströmung (entlang der Drehachse 201) bzw. Vermischung des Gases innerhalb der Gasführung 213.
Die hier gezeigte Gasführung (z.B. deren Gaskanäle) kann beispielsweise mittels (z.B. grabenförmigen) Vertiefungen in den Platten bereitgestellt sein. Alternativ oder zusätzlich kann die Gasführung (z.B. deren Gaskanäle) zumindest teilweise mittels Bohrungen und/oder Rohren bereitgestellt sein. Beispielsweise können die Rohre mit dem Anodenblech verbunden oder darin integriert sein.
Die hier gezeigten Implementierungen vermeiden, dass es notwendig wird, auf beiden Seiten außerhalb der Kastenanode jeweils einen Gaseinlass in der Nähe des Prozessbereiches 230 anzuordnen. Somit bleibt mehr Platz, um für den Targetwechsel einen Zugang zum Target 102 zu schaffen, indem beispielsweise nur die Seitenwände 210a, 210b (z.B. Anodenbleche) demontiert werden. Dies vermeidet gemäß verschiedenen Ausführungsformen somit, dass beim Targetwechsel eine (De)Montage separater Gaseinlässe nötig wird, bevor die Seitenwände demontiert werden können, und verringert so den Wartungsaufwand und das Risiko einer fehlerhaften Montage nach der Wartung.
Zu den hierin beschriebenen Implementierungen sei angemerkt, dass die eine oder mehr als eine Eingangsöffnung 204i nur für den Hauptgaseinlass (z.B. des Arbeitsgases) verwendet werden kann, beispielsweise zur Herstellung eines gleichmäßigen Prozessdruckes am Target 102. Alternativ kann eine erste Eingangsöffnung 204i für den Hauptgaseinlass und eine oder mehr als eine zweite Eingangsöffnung 204i für den Trimgaseinlass (z.B. das Reaktivgas aufweisend) verwendet werden. Der Trimgaseinlass kann beispielsweise zum Einlass von Reaktivgas und/oder zur lokalen Beeinflussung des Prozessdruckes dienen.
Zu den hierin beschriebenen Implementierungen sei ferner angemerkt, dass der Hauptgaseinlass zumindest teilweise auch unmittelbar von der Basiswand 204 in das Gehäuseinnere 202 abgegeben werden kann. Mit anderen Worten muss der Hauptgaseinlass nicht notwendigerweise den Seitenwänden zugeführt werden.
In Richtung 103 der Drehachse 201 der Kathode (auch als Richtung 103 der Substratbreite bezeichnet), die senkrecht zur Transportrichtung 101 sein kann, kann der Trimmgaseinlass auf mehrere Segmente der Gasführung 213 aufgeteilt sein oder werden, wobei optional der Gasfluss, der jedem Segment zugeführt wird, unabhängig von den anderen Segmenten geregelt werden kann. Alternativ oder zusätzlich kann der Hauptgaseinlass auf mehrere Segmente der Gasführung 213 aufgeteilt sein oder werden.
In verschiedenen Ausführungsformen weist die oder jede Gehäusewand ein Metall auf, z.B. Aluminium, Stahl und/oder Kupfer, oder ist daraus gebildet. Dies verbessert die Wärmeabfuhr. Aluminium erleichtert die Bearbeitung der Gehäusewand. Die oder Gehäusewand kann beispielsweise hochlegierten Stahl und/oder Kupfer (bessere Wärmeleitung) aufweisen oder daraus bestehen. Weitere Beispiele der Gehäusewand weisen einen Metallverbund (z.B. Edelstahl mit aufgespritzter Aluminiumschicht) auf oder sind daraus gebildet.
Zu den Ausführungen der mehrteiligen Gehäusewand wird angemerkt, dass diese das Reinigen erleichtert. Beispielsweise muss Targetmaterial, was sich an der inneren Platte anlagert, nicht notwendigerweise davon entfernt werden, sondern die gesamte innere Platte kann getauscht werden.
Zu den Ausführungen des abgewinkelten Endabschnitts 212a, 212b (z.B. mittels einer L-förmigen äußeren Platte bereitgestellt) wird angemerkt, dass diese dem Sputterprozess mehr Anodenfläche bereitstellen können, was den Sputterprozess verbessert.

Claims

Rohrkathodengehäuse (200), aufweisend: • ein Gehäuseinneres (202), welches in eine erste Richtung (105) freiliegt, zum Aufnehmen einer Rohrkathode (102); • eine erste Gehäusewand (204), welche das Gehäuseinnere (202) aus der ersten Richtung (105) begrenzt, • wobei die erste Gehäusewand (204) eine oder mehr als eine dem Gehäuseinneren (202) abgewandte Eingangsöffnung (204i) und mehrere Ausgangsöffnungen (204o) aufweist, • wobei die erste Gehäusewand (204) ferner einen Gasverteiler (206) aufweist, welcher zumindest zwei Ausgangsöffnungen der mehreren Ausgangsöffnungen (204o) miteinander und mit der Eingangsöffnung (204i) gasleitend koppelt; • eine zweite Gehäusewand (210a), welche das Gehäuseinnere (202) in eine zweite Richtung (101), die quer zu der ersten Richtung (105) ist, begrenzt; • wobei die zweite Gehäusewand (210a) zumindest einen Gaskanal (210k) aufweist, in dem zumindest eine Ausgangsöffnung der zwei Ausgangsöffnungen mündet, und der aus einem der ersten Gehäusewand (204) abgewandten Abschnitt der zweiten Gehäusewand (210a), vorzugsweise in die erste Richtung (105), austritt.
Rohrkathodengehäuse (200) gemäß Anspruch 1, ferner aufweisend: • eine zusätzliche zweite Gehäusewand (210b), welche das Gehäuseinnere (202) aus der zweiten Richtung (101) begrenzt, • wobei das Gehäuseinnere (202) vorzugsweise zwischen der zweiten Gehäusewand (210a) und der zusätzlichen zweiten Gehäusewand (210b) angeordnet ist; • wobei die zusätzliche zweite Gehäusewand (210b) zumindest einen zusätzlichen Gaskanal (210k) aufweist, in dem zumindest eine zusätzliche Ausgangsöffnung der zwei Ausgangsöffnungen mündet, und der aus einem der ersten Gehäusewand (204) abgewandten Abschnitt der zusätzlichen zweiten Gehäusewand (210b), vorzugsweise in die erste Richtung (105), austritt.
Rohrkathodengehäuse (200) gemäß Anspruch 2, wobei die zusätzliche zweite Gehäusewand (210b) in die erste Richtung (105) erstreckt ist und/oder austauschbar an der ersten Gehäusewand (204) montiert ist.
Rohrkathodengehäuse (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die zweite Gehäusewand (210a) in die erste Richtung (105) erstreckt ist und/oder austauschbar an der ersten Gehäusewand (204) montiert ist.
Rohrkathodengehäuse (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei zumindest eine Gehäusewand des Rohrkathodengehäuses (200), vorzugsweise die zweite Gehäusewand (210a) und/oder die zusätzliche zweite Gehäusewand (210b), mehrteilig eingerichtet ist.
Rohrkathodengehäuse (200) gemäß Anspruch 5, wobei die mehrteilig eingerichtete Gehäusewand zwei Platten aufweist, zwischen denen der Gaskanal (210k) der Gehäusewand gebildet ist.
Rohrkathodengehäuse (200) gemäß Anspruch 6, wobei die zwei Platten zumindest eine Hohlprofilplatte und/oder zumindest eine abgewinkelte Platte aufweisen.
Rohrkathodengehäuse (200) gemäß Anspruch 6 oder 7, wobei die mehrteilig eingerichtete Gehäusewand eine Folie, vorzugsweise eine Graphitfolie, aufweist, die zwischen den zwei Platten angeordnet ist und/oder den Gaskanal (210k) der Gehäusewand abdichtet.
Rohrkathodengehäuse (200) gemäß einem der Ansprüche 6 bis 8, wobei die mehrteilig eingerichtete Gehäusewand mehrere Gräben aufweist, die sich in eine der zwei Platten hinein erstrecken.
Rohrkathodengehäuse (200) gemäß Anspruch 1 oder 9, wobei zumindest eine Gehäusewand des Rohrkathodengehäuses (200), vorzugsweise die zweite Gehäusewand (210a) und/oder die zusätzliche zweite Gehäusewand (210b), Aluminium, Stahl und/oder Kupfer aufweist oder daraus gebildet ist.
Rohrkathodengehäuse (200) gemäß Anspruch 1 oder 10, ferner aufweisend: • eine elektrisch isolierende, vorzugsweise dielektrische, Haltevorrichtung, welche mit der ersten Gehäusewand (204) gekuppelt ist zum Halten der ersten Gehäusewand (204), wobei die erste Gehäusewand (204) zwischen der Haltevorrichtung und dem Gehäuseinneren (202) angeordnet ist.
Rohrkathodengehäuse (200) gemäß Anspruch 1 oder 11, ferner aufweisend: • einen elektrischen Anschluss, der mit dem der ersten Gehäusewand (204) abgewandten Abschnitt der zweiten Gehäusewand (210a) und/oder mit dem der ersten Gehäusewand (204) abgewandten Abschnitt der zusätzlichen zweiten Gehäusewand (210b) elektrisch, vorzugsweise ohmsch, gekoppelt ist zum Bereitstellen einer Anode.
Rohrkathodengehäuse (200) gemäß Anspruch 1 oder 12, wobei der der ersten Gehäusewand (204) abgewandte Abschnitt der zweiten Gehäusewand (210a) und/oder der der ersten Gehäusewand (204) abgewandte Abschnitt der zusätzlichen zweiten Gehäusewand (210b) eine Elektrode, vorzugsweise eine Anode, bereitstellt.
Rohrkathodengehäuse (200) gemäß Anspruch 1 oder 13, wobei der der ersten Gehäusewand (204) abgewandte Abschnitt der zweiten Gehäusewand (210a) und/oder der der ersten Gehäusewand (204) abgewandte Abschnitt der zusätzlichen zweiten Gehäusewand (210b) abgewinkelt ist.
Rohrkathodengehäuse (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei die zumindest eine Ausgangsöffnung der mehreren Ausgangsöffnungen (204o) aus der zweiten Richtung (101) in dem Gasverteiler (206) mündet.
Rohrkathodengehäuse (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei die Eingangsöffnung (204i) in die erste Richtung (105) in dem Gasverteiler (206) mündet.
Rohrkathodengehäuse (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 16, wobei die erste Gehäusewand (204) zwei Platten aufweist, zwischen denen der Gasverteiler (206) gebildet ist.
Rohrkathodengehäuse (200) gemäß Anspruch 17, wobei die zwei Platten zumindest eine Hohlprofilplatte aufweisen.
Rohrkathodengehäuse (200) gemäß Anspruch 17 oder 18, wobei die erste Gehäusewand (204) eine Folie, vorzugsweise eine Polymerfolie, aufweist, die zwischen den zwei Platten angeordnet ist und/oder den Gasverteiler (206) abdichtet.
Rohrkathodengehäuse (200) gemäß einem der Ansprüche 17 bis 19, wobei der Gasverteiler (206) mehrere Gräben aufweist, die sich in eine der zwei Platten hinein erstrecken.
Rohrkathodengehäuse (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 20, ferner aufweisend: • eine Kühlvorrichtung, vorzugsweise eine oder mehr als eine Kühlfluidleitung aufweisend, welche mit der ersten Gehäusewand (204) und/oder der zweiten Gehäusewand (210a) thermisch gekoppelt ist, oder zumindest eingerichtet ist, dieser thermische Energie zu entziehen.
Rohrkathodengehäuse (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 21, wobei der der ersten Gehäusewand (204) abgewandte Abschnitt der zweiten Gehäusewand (210a) einen, vorzugsweise plattenförmigen, Vorsprung aufweist, der in die erste Richtung (105) von dem Gehäuseinneren (202) weg erstreckt ist; und/oder wobei die zweite Gehäusewand (210a) L-förmig ist.
Sputtervorrichtung, aufweisend: • ein Rohrkathodengehäuse (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 22, • eine Lagervorrichtung zum drehbaren Lagern eines Rohrtargets (102) in dem Gehäuseinneren (202), • wobei eine Drehachse (201) der Lagervorrichtung, die dem Rohrtarget (102) bereitgestellt wird, zumindest eines von Folgendem ist: quer zu der ersten Richtung (105) ist, quer zu der zweiten Richtung (101) ist und/oder in dem Gehäuseinneren (202) angeordnet ist.
Sputtervorrichtung, gemäß Anspruch 23, ferner aufweisend: • das Rohrtarget, das zumindest teilweise in dem Gehäuseinneren (202) angeordnet und mittels der Lagervorrichtung drehbar gelagert ist.
Sputtervorrichtung gemäß Anspruch 23 oder 24, die eingerichtet ist, ein Plasma zu bilden zum Zerstäuben des Rohrtargets, vorzugsweise in die erste Richtung (105).
Sputtervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 23 bis 25, ferner aufweisend: • ein zumindest Stellglied, vorzugsweise pro Eingangsöffnung (204i) der ersten Gehäusewand (204) ein Stellglied aufweisend, das eingerichtet ist, in Antwort darauf angesteuert zu werden, einen der Eingangsöffnung (204i) zugeführten Gasstrom zu verändern.
Prozessanordnung, aufweisend: • eine Vakuumkammer, • eine in der Vakuumkammer angeordnete Sputtervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 23 bis 26.
Prozessanordnung gemäß Anspruch 27, ferner aufweisend: • eine Transportvorrichtung zum Transportieren eines Substrats durch die Vakuumkammer und/oder an der Sputtervorrichtung vorbei.