DE202008003973U1 - Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Halbleitersubstraten - Google Patents

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Abstract

Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Substraten, Halbleiterscheiben bzw. Wafern, unter Verwendung wenigstens einer Prozesskammer, einer mit der Prozesskammer verbundenen Schleusenkammer und einer innerhalb der Schleusenkammer vorgesehenen Hub-/Schwenkvorrichtung für wenigstens zwei, jeweils eine Auflagefläche für ein Substrat aufweisenden Haltekörpern, denen jeweils in der Schleusenkammer vorgesehene Öffnungen zugeordnet sind und die synchron zwischen wenigstens einer mit einem lösbar befestigten Deckel verschließbaren Lade- bzw. Entnahmestation und wenigstens einer unterhalb einer Prozesskammer vorgesehenen Arbeitsposition bewegbar sind, dadurch gekennzeichnet, dass den einerseits in eine Arbeitsposition und andererseits in eine Lade-/Entnahmeposition bewegbaren Haltekörpern (8) zur Abdichtung der jeweiligen Öffnungen (15, 16) in der Schleusenkammer (1) unterschiedliche und unabhängig voneinander ansteuerbare Hubvorrichtungen (3, 18) zugeordnet sind, dass diese Hubvorrichtungen jeweils eine innerhalb des Hubbereichs gegen die Schleusenkammer abgedichtete Hubplatte (4, 20) aufweisen und dass die Haltekörper (8) und/oder der ihnen jeweils zugeordnete Öffnungsbereich in der Schleusenkammer (1) so einander angepasst sind, dass die in den jeweiligen Positionen ablaufenden...

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Halbleitersubstraten nach den Merkmalen des Oberbegriffs des Anspruchs 1.
  • Derartige Vorrichtungen sind beispielsweise aus DE 198 06 282 C1 , DE 103 55 678 A1 und EP 0 905 275 B1 im Prinzip bekannt.
  • Halbleitersubstrate, auch als Wafer (engl. "Scheibe") bezeichnet, sind üblicherweise kreisrunde, wenige 100 μm dicke, vorzugsweise aus monokristallinem Silizium bestehende Scheiben, auf denen elektronische Bauelemente, vor allem integrierte Schaltkreise (IC, "Chip") oder mikromechanische Bauelemente durch verschiedene technische Verfahren hergestellt werden.
  • Zur Herstellung dünner Halbleiterchips in einer Größenordnung von weniger als 100 μm werden dickere Wafer in einem vorzugsweise zweistufigen Schleifprozess zunächst in einem Grobschliff und anschließend in einem Feinschliff auf die gewünschte Materialstärke reduziert. Da trotz des Feinschliffs störende Schleifspuren auf der Oberfläche und oberflächennahe Schädigungen im Silizium zurückbleiben, muss die Oberfläche der Wafer entsprechend nachbehandelt werden, weshalb erst danach die weiteren Prozessschritte zur Herstellung der integrierten Schaltkreise eingeleitet werden können. Bekannte Verfahren zur Oberflächenbehandlung verwenden z. B. aus einer Schwefelfluorverbindung und Sauerstoff mittels Plasma generierte Fluor- und Sauerstoffradikale, mit denen sich auf Grund einer chemischer Reaktion mit dem Silizium des Wafers eine weitgehende „Glättung" der Substratoberfläche und ein sanftes Entfernen der oberflächennahen Materialschädigung erreichen lässt. Auch der spontane Zerfall von fluorhaltigen Substanzen wie z, B, XeF kann zur Oberflächenbehandlung von Wafern genutzt werden. Als Abfallprodukt dieser chemischen Reaktionen entsteht ein Abgas in Form von z. B. Siliziumtetrafluorid und HF, SO2 und weiteren Zwischenprodukten, das aus Umweltgründen neutralisiert und sorgfältig abgesaugt werden muss. Insgesamt nimmt dieser Prozess mit den seriell ablaufenden Verfahrensschritten – Bereitstellung von Radikalen, Einleitung des Prozessgases in eine Prozesskammer, Ablauf des Reaktionsprozesses, Abpumpen des Abgases, Reinigung der Prozesskammer und Waferwechsel zwecks Einleitung eines neuen Ätzprozesses – relativ viel Zeit in Anspruch. Dies verzögert letztlich den gesamten Herstellungsprozess, weil vor- und nachfolgende Verfahrensschritte meist viel weniger Zeit beanspruchen.
  • Bei den bekannten Vorrichtungen wird diesem Problem mit Hilfe von wenigstens zwei innerhalb einer Transport bzw. Schleusenkammer mittels einer Hub-/Schwenkvorrichtung abwechselnd zwischen einer Arbeitsstation und einer Lade-/Entnahmestation bewegbaren Substrat-Trägerplatten begegnet. Mit Hilfe einer derart ausgebildeten Vorrichtung ist es möglich, dass während eines in der Prozesskammer ablaufenden Oberflächenbehandlungsprozesses gleichzeitig ein bereits behandeltes Substrat, das sich inzwischen an einer außerhalb der Prozesskammer in einer Lade-/Entnahmestation befindet, gegen ein noch zu behandelndes Substrat ausgetauscht werden kann. Auf diese Weise wird für den Substratwechsel praktisch keine Zeit benötigt, weil der Wechsel während einer Zeitphase erledigt werden kann, in der gerade ein Oberflächenbehandlungsprozess für ein anderes Substrat durchgeführt wird.
  • Die Belüftung der Prozesskammer erfolgt bei den bekannten Vorrichtungen vorzugsweise über die Transportkammer mittels einer dort angeschlossenen Vakuumpumpe, weshalb für den nach jeder Belüftung notwendigen Wiederaufbau eines Vakuums in der Transportkammer ein hoher Energieaufwand für den Betrieb der Vakuumpumpe erforderlich ist.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art in der Weise auszubilden, dass sowohl die Belüftung der Prozesskammer als auch der Substratwechsel in der Lade-/Entnahmestation mit einem möglichst geringen Aufwand an Zeit, Energie und Gasverbrauch durchgeführt werden können.
  • Die Lösung dieser Aufgabe ergibt sich erfindungsgemäß durch eine gemäß den Merkmalen des Anspruchs 1 ausgebildete Vorrichtung. Der Vorteil der erfindungsgemäßen Vorrichtung besteht vor allem darin, dass das in der Schleusenkammer vorhandene Vakuum unbeeinflusst von laufenden Prozessen unverändert bestehen bleibt und nicht immer wieder neu aufgebaut werden muss, so dass sowohl die Belüftung der Prozesskammer als auch der Austausch der Substrate einfach und insbesondere energiesparend, unter starker Reduktion des Spülgas-Verbrauches, durchgeführt werden können. Die Vorrichtung eignet sich in vorteilhafter Weise auch für große Substrate von 300 mm–450 mm Wafern, Solar-Wafern, bzw auch für die gleichzeitige Behandlung mehrere kleinere Substrate (Mini-Batch) in einer Prozesskammer, wobei in einer Prozesskammer bzw. in mehreren nacheinander zu durchlaufenden Prozesskammern ein oder mehrere Prozesse unter kontrollierten Druck-, Temperatur- und Gas-Bedingungen durchgeführt werden können, ohne dass die Substrate dabei Kontakt mit der Umgebung haben.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Merkmalen der Unteransprüche.
  • Einzelheiten der Erfindung werden im Folgenden an Hand der Zeichnung näher erläutert. Dabei zeigen:
  • 14: die prinzipielle Funktionsweise einer erfindungsgemäß ausgebildeten Vorrichtung in der Arbeitposition im Bereich der Prozesskammer an Hand mehrerer aufeinander folgender Betriebszustände.
  • 59: die prinzipielle Funktionsweise einer erfindungsgemäß ausgebildeten Vorrichtung in der Lade-/Entnahmestation an Hand mehrerer aufeinander folgender Betriebszustände.
  • 10: eine Anordnung mit hier beispielhaft vier Haltekörpern in perspektivischer Darstellung in einer Vorrichtung gemäß der Erfindung
  • Die 14 zeigen jeweils den gleichen Ausschnitt aus einer Schleusenkammer 1 mit kontrolliertem Druck z. B. einem Vakuum von 300 Pa im Bereich einer Arbeitsposition bzw. einer dort vorhandenen Prozesskammer 2. Sowohl in der Schleusenkammer 1 als auch in der Prozesskammer 2 herrscht ein Vakuum mit einem Druck von beispielsweise 300 Pa. Im Bodenbereich der Schleusenkammer ist eine Hubvorrichtung 3 vorgesehen, deren Hubplatte 4 in einer oder mehreren Führungen, z. B. einer oder mehreren Nuten 5, geführt und innerhalb des durch die Breite der Nuten 5 vorgegebenen Hubbereichs gegenüber der Schleusenkammer 1 abgedichtet ist. An der Oberseite der Hubplatte 4 ist eine Halteplatte 6 befestigt, die einen im Vergleich zur Hubplatte 4 etwas geringeren Querschnitt aufweist. Hubplatte 4 und Halteplatte können auch als einstückiges Bauteil ausgebildet sein. Der Antrieb der Hubvorrichtung 3 erfolgt über einen zentral geführten Hubkolben 7.
  • Die 2 zeigt den Betriebszustand bei in die Arbeitsposition seitlich eingeführtem Haltekörper 8, dessen Deckfläche als Auflagefläche 9 für ein dort lösbar befestigtes Halbleitersubstrat dient. Das auch als Wafer bezeichnete Halbleitersubstrat ist in der Zeichnung nicht dargestellt. Der Haltekörper 8 ist zusammen mit wenigstens einem weiteren Haltekörper an einem gemeinsamen Trägerkörper, der um eine vertikale Achse drehbar gelagert ist, vertikal verschiebbar gehalten, wobei die einzelnen Haltekörper mit Hilfe ihnen jeweils zugeordneter Hubvorrichtungen individuell bewegbar sind, aber auch gemeinsam angesteuert synchron sich bewegen lassen. Je nach Größe und Umfang der Vorrichtung sind zwei oder mehr Haltekörper vorgesehen, die in jeweils äquidistanten Abständen zueinander angeordnet sind. Die jeweiligen Haltekörper 8 haben in etwa die Form eines vertikal ausgerichteten Hohlzylinders, dessen oberes Ende durch die bereits erwähnte Auflagefläche 9 abgedeckt ist. In der Zylinderwand 10 sind mehrere, über den gesamten Umfang gleichmäßig verteilte Absaugkanäle 11 vorgesehen, auf die im Zusammenhang mit 4 noch näher eingegangen wird. Diese Absaugkanäle 11 schließen an deckungsgleich verlaufende Absaugkanäle 12 innerhalb der Hubvorrichtung 3 an, die wiederum in einen mit einer Absaugpumpe 13 verbundenen Endkanal 14 münden.
  • Die 3 zeigt den Zustand, bei dem der Haltekörper 8 durch die inzwischen aktivierte Hubvorrichtung 3 gegen die der Prozesskammer 2 zugewandte Öffnung 15 in der Schleusenkammer 1 gedrückt wird. Dichtungselemente, insbesondere Dichtungsringe 28, an den Berührungsstellen zwischen Haltekörper 8 und Öffnung 15 einerseits bzw. zwischen Haltekörper 8 und Hubvorrichtung 3 andererseits sorgen für eine ausreichende Abdichtung. In der Schleusenkammer bleibt weiterhin der unveränderte Druck von z. B. ca. 300 Pa erhalten, während in der Prozesskammer 2 und in den Absaugkanälen 11, 12 auf Grund der nun einsetzenden Absaugvorgangs nur noch ein Druck von z. B. ca. 250 Pa herrscht.
  • Die 4 zeigt den durch eine Vielzahl von Pfeilen symbolisierten Absaugvorgang aus der Prozesskammer 2 über die Absaugkanäle 11 innerhalb des Haltekörpers 8 und die Absaugkanäle 12 in der Hubvorrichtung 3 bis in den gemeinsamen Endkanal 14 bzw. zur Absaugpumpe 13.
  • Nach Beendigung des Absaugvorgangs wird die Hubvorrichtung 3 abgesenkt, wobei der Haltekörper 8 in die Position gemäß 2 zurückkehrt und anschließend mit Hilfe eines sich drehenden Trägerkörpers (siehe 10) gegen einen anderen Haltekörper ausgetauscht wird. Diese Drehung kann stets in der gleichen Richtung erfolgen oder auch im links-rechts Wechsel (Pendelmodus).
  • Vorzugsweise gelangt der Haltekörper 8 aus der Position gemäß 4 in eine Lade-/Entnahmeposition, wobei die 5 bis 9 jeweils den gleichen Ausschnitt der Schleusenkammer 1 in mehreren Betriebzuständen zeigen.
  • Die 5 zeigt zunächst den Betriebszustand innerhalb der Lade-/Entnahmestation bei noch nicht eingetroffenem Haltekörper. Die dort vorge sehene Öffnung 16 in der Schleusenkammer 1 ist mit einem vorzugsweise schwenkbar befestigen, vertikal abnehmbaren oder horizontal verschiebbaren Deckel 17 verschlossen. In der Schleusenkammer 1 herrscht der unverändert beibehaltene Druck von z. B. 300 Pa, während außerhalb der normale Atmosphärendruck von 1 bar vorhanden ist. Die in der Lade-/Entnahmestation vorgesehene Hubvorrichtung 18 besteht ebenfalls aus einer in einer Nut 19 geführten Hubplatte 20 und einer darüber befestigten Halteplatte 21. Der Durchmesser der Hubplatte 20 ist etwas größer als der Durchmesser der Öffnung 16. Analog zur Hubvorrichtung 3 (siehe die 1 bis 4) ist auch hier die Hubplatte 20 innerhalb des durch die Breite der Nut 19 vorgegebenen Hubbereichs gegenüber der Schleusenkammer abgedichtet.
  • Die 6 zeigt den Zustand bei inzwischen eingetroffenem Haltekörper 8. Es herrschen weiterhin die bereits aus 5 bekannten Druckwerte.
  • Die 7 zeigt den Zustand bei inzwischen aktivierter Hubvorrichtung 18. Die Hubbewegung wird hier dadurch ausgelöst, dass über ein steuerbares Ventil V2 Luft aus einer Druckleitung 22 mit einem Atmosphärendruck von 1 bar in einen unterhalb der Hubplatte 20 gegenüber der Schleusenkammer 1 durch einen Dichtungsring 29 abgedichteten Raum einströmt. Dies führt dazu, dass der Haltekörper 8 an die Öffnung 16 gedrückt wird.
  • Anschließend wird, wie in 8 dargestellt, das Ventil V1 einer zweiten Druckleitung 23 geöffnet, die ebenfalls Luft mit dem Atmsphärendruck von 1 bar in den zwischen Deckel 17 und Haltekörper 8 vorhandenen Raum einströmen lässt.. Auf Grund des geringen Druckunterschieds, der sich durch die verschieden großen Durchmesser zwischen der Hubplatte 20 einerseits und der Öffnung 16 andererseits einstellt, wird der Haltekörper 8 weiterhin gegen die Öffnung 16 gedrückt. In diesem Zustand herrscht aber auch nur noch ein geringer auf den Deckel 17 einwirkender Druck, so dass, wie in 9 gezeigt, der Deckel 17 mit geringem Kraftaufwand geöffnet und das auf dem Haltekörper 8 haftend gehaltene Substrat entnommen und ein neues Substrat eingelegt werden kann.
  • Die 10 zeigt einen beispielhaften Aufbau mit vier Haltekörpern 8, deren jeweilige Funktion sich aus der Beschreibung zu den 1 bis 9 ergibt. Diese vier Haltekörper sind an einem gemeinsamen, um eine zentrale Achse 24 drehbar gelagerten Trägerkörper 25 in äquidistanten Abständen gehalten und jeweils in klammerartigen Haltegriffen 26 des Trägerkörpers 25 vertikal bewegbar geführt. Vorzugsweise ist ein derartiger Aufbau für eine Vorrichtung vorgesehen, bei der jeweils zwei benachbarte Haltekörper je einer Prozesskammer und die beiden anderen je einer Lade-/Entnahmestation zugeordnet sind. Nach Abschluss eines Behandlungsprozesses wird der Trägerkörper 25 um 180 Grad gedreht, so dass die zuvor im Bereich einer Prozesskammer vorhandenen Haltekörper nun in einer Lade-/Entnahmestation sind und umgekehrt. Es ist aber auch im beispielhaft dargestellten Vier-Kammer-System eine Anordnung möglich mit insgesamt drei Prozesskammern, in denen seriell verschiedene Prozesse ablaufen, und nur einer einzigen Lade-/Entnahmestation. Eine Erweiterung auf fünf oder mehr Kammern oder auch eine Reduktion auf nur zwei Kammern ist möglich. An den Randbereichen der Haltekörper 8 sind mehrere, in jeweils gleichen Abständen angeordnete und zu Absaugkanälen 11 (siehe 2 bis 4) führende Absaugöffnungen 27 vorgesehen. Die Haltekörper können wahlweise kühl- und/oder heizbar sein, wobei die jeweilige Betriebstemperatur gegebenenfalls individuell regelbar ist.
  • Alternativ bzw in Ergänzung zu der im Zusammenhang mit den 2 bis 4 erläuterten Entlüftung der Prozesskammer ist auch eine direkte Entlüftung über einen unmittelbar aus der Prozesskammer abgehenden Absaugkanal möglich. Zu diesem Zweck weist das vorzugsweise haubenartige Gehäuse der Prozesskammer einen beispielsweise trichterförmigen Kammereinsatz auf, dessen verjüngtes Endstück zur Deckfläche des Gehäuses weist, aus der Radikale in die Prozesskammer eingebracht werden. Eine möglicht optimale und homogene Entlüftung lässt sich dadurch erreichen, dass. der Kammereinsatz mehrere kaskadenartig angeordnete Entlüftungsöffnungen aufweist, wobei sich die Zahl der Entlüftungsöffnungen in Richtung des verjüngten Trichterendbereichs stufenartig verringert und die Entlüftungsöffnungen pro Stufe in jeweils z. B. äquidistanten Abständen angeordnet sind.
  • 1
    Schleusenkammer
    2
    Prozesskammer
    3
    Hubvorrichtung
    4
    Hubplatte
    5
    Nut
    6
    Druckplatte
    7
    Hubkolben
    8
    Haltekörper
    9
    Auflagefläche
    10
    Zylinderwand
    11
    Absaugkanäle
    12
    Absaugkanäle
    13
    Absaugpumpe
    14
    Endkanal
    15
    Öffnung
    16
    Öffnung
    17
    Deckel
    18
    Hubvorrichtung
    19
    Nut
    20
    Hubplatte
    21
    Druckplatte
    22
    Druckleitung
    23
    Druckleitung
    V1
    Ventil
    V2
    Ventil
    24
    Achse
    25
    Trägerkörper
    26
    Haltegriffe
    27
    Absaugöffnungen
    28
    Dichtungsringe
    29
    Dichtungsring
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • - DE 19806282 C1 [0002]
    • - DE 10355678 A1 [0002]
    • - EP 0905275 B1 [0002]

Claims (13)

  1. Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Substraten, Halbleiterscheiben bzw. Wafern, unter Verwendung wenigstens einer Prozesskammer, einer mit der Prozesskammer verbundenen Schleusenkammer und einer innerhalb der Schleusenkammer vorgesehenen Hub-/Schwenkvorrichtung für wenigstens zwei, jeweils eine Auflagefläche für ein Substrat aufweisenden Haltekörpern, denen jeweils in der Schleusenkammer vorgesehene Öffnungen zugeordnet sind und die synchron zwischen wenigstens einer mit einem lösbar befestigten Deckel verschließbaren Lade- bzw. Entnahmestation und wenigstens einer unterhalb einer Prozesskammer vorgesehenen Arbeitsposition bewegbar sind, dadurch gekennzeichnet, dass den einerseits in eine Arbeitsposition und andererseits in eine Lade-/Entnahmeposition bewegbaren Haltekörpern (8) zur Abdichtung der jeweiligen Öffnungen (15, 16) in der Schleusenkammer (1) unterschiedliche und unabhängig voneinander ansteuerbare Hubvorrichtungen (3, 18) zugeordnet sind, dass diese Hubvorrichtungen jeweils eine innerhalb des Hubbereichs gegen die Schleusenkammer abgedichtete Hubplatte (4, 20) aufweisen und dass die Haltekörper (8) und/oder der ihnen jeweils zugeordnete Öffnungsbereich in der Schleusenkammer (1) so einander angepasst sind, dass die in den jeweiligen Positionen ablaufenden Prozesse unter Beibehaltung der in der Schleusenkammer herrschenden Druckverhältnisse unabhängig voneinander getrennt durchführbar sind.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Haltekörper (8) an seinem über die Auflagefläche (9) für das Substrat hinaus reichenden Randbereich mehrere Absaugöffnungen (26) aufweist, denen jeweils durch den Haltekörper führende Absaugkanäle (11) zugeordnet sind.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Absaugöffnungen (26) in regelmäßigen Abständen angeordnet sind
  4. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Absaugkanäle (11) des Haltekörpers (8) an deckungsgleich angeordnete Absaugkanäle (12) in der Hubvorrichtung (3) anschließen, die außerhalb der Schleusenkammer (1) in einen gemeinsamen zu einer Absaugpumpe (13) führenden Endkanal (14) münden.
  5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Prozesskammer mehrere nach außen führende, gegebenenfalls ventilgesteuerte Entlüftungskanäle aufweist.
  6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass im Innern der Prozesskammer ein trichterförmiger Kammereinsatz vorgesehen ist, durch dessen verjüngtes Endstück die Radikale in die Prozeßkammer eingebracht werden.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Kammereinsatz mehrere kaskadenartig angeordnete Entlüftungsöffnungen aufweist derart, dass die Zahl der Entlüftungsöffnungen in Richtung des verjüngten Trichterendbereichs stufenartig verringert ist.
  8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Entlüftungsöffnungen pro Stufe in jeweils regelmäßigen Abständen angeordnet sind.
  9. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Haltekörper (8) an einem gemeinsamen, um eine zentrale Achse (24) drehbar gelagerten Trägerkörper (25) in äquidistanten Abständen gehalten und jeweils in klammerartigen Haltegriffen (26) des Trägerkörpers (25) vertikal bewegbar geführt sind.
  10. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die in der Lade-/Entnahmeposition vorgesehene Hub vorrichtung (18) mittels Gas, das über eine ventilgesteuerte Druckleitung (22) in einen unterhalb der Hubplatte (20) gegenüber der Schleusenkammer (1) abgedichteten Raum einströmt, steuerbar ist
  11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass eine weitere ventilgesteuerte Druckleitung (23) zur Einleitung von Gas in den zwischen Haltekörper (8) und Deckel (17) abgedichteten Raum vorgesehen ist.
  12. Vorrichtung nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Hubplatte (20) einen im Vergleich zur Öffnung (16) in der Schleusenkammer (1) größeren Querschnitt aufweist.
  13. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine weitere Prozesskammer vorgesehen ist,. die parallel zur ersten Prozesskammer (2) betreibbar ist.
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