DE202005013750U1 - Led-gehäuse - Google Patents

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Abstract

LED-Gehäuse, umfassend:
eine wärmeleitfähige Basisplatte;
eine Leuchtdiode, die auf der wärmeleitfähigen Basisplatte angeordnet ist;
eine transparente Einkapselungsschicht ohne Leucht-Pulver, welches die Leuchtdiode abdichtet;
eine Ventilationsschicht auf der transparenten Einkapselungsschicht, welche angepasst ist, um mit der äußeren Luft zu kommunizieren; und
eine Leucht-Platte über der Ventilationsschicht.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet einer Gehäuseanordnung für eine Leuchtdiode (LED, Light Emitting Diode). Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf das Gebiet einer Gehäuseanordnung mit Wärmeableitung für eine LED.
  • Zahlreiche LEDs, die lichtemittierende Halbleiterelemente verwenden um Licht zu erzeugen, sind vorgeschlagen worden. Beispielsweise eine weiße LED, die hergestellt werden kann, indem ein lichtemittierendes Halbleiterelement auf einem Substrat angeordnet wird und es in einem transparentem Harz, welches ein fluoreszentes Material enthält, eingekapselt wird.
  • Falls jedoch die Verteilung des fluoreszenten Materials in dem transparenten Harz nicht gleichförmig ist, wird das Entfernen des transparenten Harzes schwierig sein, da es an dem Substrat adhäsiv angebracht ist. Darüber hinaus können das Eindringen von Feuchtigkeit und eine thermische Expansion von Luft innerhalb des LED-Gehäuses nachteilige Effekte auf die mechanischen oder Lichteigenschaften davon haben.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Eine beispielhafte Ausführungsform der Erfindung liefert ein LED-Gehäuse, welches eine wärmeleitfähige Basisplatte beinhaltet und eine daran angeordnete Leuchtdiode. Eine transparente Einkapselungsschicht ohne Leucht-Pulver dichtet die Leuchtdiode ab, und eine Ventilationsschicht darauf ist angepasst, um mit der äußeren Luft zu kommunizieren. Eine Leucht-Platte befindet sich über der Ventilationsschicht.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die vorliegende Erfindung wird auf dem Wege beispielhafter Ausführungsformen, aber keinen Beschränkungen, beschrieben, die in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind, in welchen Bezugszeichen ähnliche Elemente angeben, und in welchen:
  • 1 eine perspektivische Querschnittsansicht eines LED-Gehäuses darstellt, das eine beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung betrifft.
  • 2 ist eine Draufsicht des LED-Gehäuses von 1.
  • GENAUE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Verschiedene Aspekte des Systems und Verfahrens der vorliegenden Erfindung werden beschrieben, und zum Zweck der Erklärung werden spezifische Konfigurationen und Details dargestellt, um ein gründliches Verständnis der vorliegenden Erfindung zu liefern. Es ist jedoch für einen Fachmann offensichtlich, dass die vorliegende Erfindung ohne diese spezifischen Details ausgeführt werden kann. Darüber hinaus sind gut bekannte Merkmale weggelassen oder vereinfacht worden um ein Unklarwerden der vorliegenden Erfindung zu verhindern.
  • Eine Querschnittsansicht eines LED-Gehäuses, das eine beispielhafte Ausführungsform der Erfindung betrifft, ist in 1 dargestellt. Das LED-Gehäuse umfasst eine wärmeleitfähige Basisplatte 90 für eine gute Wärmeleitfähigkeit. Vorzugsweise ist die wärmeleitfähige Basisplatte 90 ein Metallring, so wie aus Kupfer hergestellt, aber nicht darauf beschränkt.
  • Eine Leuchtdiode 30, die auf der wärmeleitfähigen Basisplatte 90 in den vorliegenden Beispielen angeordnet ist, ist ein Galliumnitrid-Halbleiterelement. Eine transparente Einkapselungsschicht 50 darin kann über die Außenseite der LED 30 zum Abdichten gebildet werden. Typischerweise umfasst die transparente Einkapselungsschicht Harz, Silikon, Harz, Epoxid oder Glas zum Schützen der abgedeckten LED 30.
  • Üblicherweise kann ein transparentes Harz, welches Phosphorpulver enthält, leicht eine verringerte Transparenz und beeinträchtigte Merkmale einer Leuchtdiode hervorrufen, da die Verteilung des Phosphorpulvers darin gewöhnlich nicht gleichförmig ist und das transparente Harz bei der Lichtausgabe direkt dem Phosphorpulver ausgesetzt ist, welches der LED ausgesetzt ist. Auf der anderen Seite, ist das transparente Pulver, welches Phosphorpulver enthält, schwierig nachzubearbeiten, wenn es adhäsiv an der LED angebracht worden ist. Somit können die vorhergehenden unerwünschten Effekte durch Bereitstellen einer spezifischen Ausführungsform des LED-Gehäuses, welches eine transparente Einkapselungsschicht ohne Leucht-Pulver verwendet, verhindert oder verringert werden.
  • In einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird eine bereitgestellte Ventilationsschicht 60 auf der transparenten Einkapselungsschicht 50 angepasst, um mit der äußeren Luft zu kommunizieren. Vorzugsweise ist die Ventilationsschicht 60 im Wesentlichen aus Luft hergestellt. Darüber hinaus kann die LED-Packung eine Leucht-Platte 80 zum Abdecken der Ventilationsschicht 60 umfassen.
  • Bezüglich 1 und 2 wird die wärmeleitfähige Basisplatte 90 in einem Beispiel durch einen unteren lichtundurchlässigen Körper 10 umgeben. Zusätzlich werden die transparente Einkapselungsschicht 50 und die Ventilationsschicht 60 durch einen oberen lichtundurchlässigen Körper 40 umgeben, der auf dem unteren lichtundurchlässigen Körper 10 gebildet ist. Typischerweise können der untere lichtundurchlässige Körper 10 oder der obere lichtundurchlässige Körper 40 keramisches Material oder nickel-überzogenes Messing (nickel-plated brass) umfassen.
  • Das Licht, welches von der LED 30 emittiert wird, kann vollständig durch die Leucht-Platte 80 verlaufen, da der untere lichtundurchlässige Körper 10 und der obere lichtundurchlässige Körper 40 das Licht am Durchlaufen (traveling) durch die Seitenoberfläche des LED-Gehäuses hindern.
  • In einem Beispiel kann der obere lichtundurchlässige Körper 40 weiters mindestens ein Loch 70 für eine Kommunikation zwischen der Ventilationsschicht 60 und der äußeren Luft umfassen. Deshalb kann ein Wärmeableitungsweg von der LED 30 entlang der Einkapselungsschicht 50, der Ventilationsschicht 60 und dem Loch 70 an die äußere Luft gebildet werden. Zusätzlich kann aufgestaute Feuchtigkeit oder wärmeexpandierte Luft innerhalb des LED-Gehäuses durch das Loch 70 entlüftet werden.
  • In einem weiteren Beispiel kann das LED-Gehäuse weiter einen engeren unteren Graben auf der transparenten Einkapselungsschicht 50 aufweisen, der durch den oberen lichtundurchlässigen Körper 40 für die Ventilationsschicht 60, die darin gebildet wird, umgeben wird. Und ein weiterer oberer Graben über den engeren unteren Graben wird durch den oberen lichtundurchlässigen Körper für die Leuchtplatte, die darin eingebettet ist, um die Ventilationsschicht 60 abzudecken, umgeben. Eine Erneuerung der eingebetteten Leuchtplatte 80 wird somit leicht ausgeführt, wenn die Funktion davon vermindert ist, da die eingebettete Leuchtplatte 80 leicht auseinander genommen werden kann.
  • Das LED-Gehäuse umfasst weiter Kontaktelektroden 20 auf dem unteren lichtundurchlässigen Körper 10, um die Leuchtdiode 30 elektrisch zu verbinden. Darüber hinaus können Kontakte 24, die durch den unteren lichtundurchlässigen Körper 10 verlaufen, die Kontaktelektroden 20 elektrisch verbinden.
  • In einem Beispiel kann die Leuchtplatte 80 eine ausgehärtete Epoxidschicht mit einer hinteren Seitenoberfläche und einer Phosphorschicht umfassen, die daran adhäsiv festgemacht ist. Typischerweise wird die Phosphorschicht durch Licht angeregt, welches von der Leuchtdiode 30 emittiert wird. Vorzugsweise kann die Phosphorschicht adhäsiv an der hinteren Seitenoberfläche der Leuchtplatte 80 durch Beschichten, Siebdruck (screen printing) oder Verteilen einer Phosphorpaste angebracht werden. Deshalb ist die Verteilung der Phosphorschicht auf der ausgehärteten Epoxidschicht gleichförmiger. Sogar falls die Phosphorschicht nicht gleichförmig ist, kann die Phosphorschicht noch immer leicht von der ausgehärteten Epoxidschicht entfernt werden.
  • Bezüglich 1 und 2 umfasst das LED-Gehäuse weiter vorzugsweise eine konkave Linse 100, um mindestens einen Abschnitt der Leuchtplatte 80, um das Licht zu sammeln, welches durch die Leuchtplatte 80 verläuft.
  • Während die Erfindung auf dem Weg des Beispiels und im Sinne der bevorzugten Ausführungsformen beschrieben worden ist, soll es verstanden werden, dass die Erfindung nicht auf die offenbarten Ausführungsformen beschränkt ist. Im Gegenteil, es ist beabsichtigt verschiedene Modifikationen und ähnliche Anordnungen, wie es für Fachleute offensichtlich ist, abzudecken. Deshalb sollte dem Schutzbereich der beigefügten Ansprüche die breitest mögliche Auslegung zugestanden werden, um somit alle derartigen Modifikationen und ähnlichen Anordnungen abzudecken.

Claims (14)

  1. LED-Gehäuse, umfassend: eine wärmeleitfähige Basisplatte; eine Leuchtdiode, die auf der wärmeleitfähigen Basisplatte angeordnet ist; eine transparente Einkapselungsschicht ohne Leucht-Pulver, welches die Leuchtdiode abdichtet; eine Ventilationsschicht auf der transparenten Einkapselungsschicht, welche angepasst ist, um mit der äußeren Luft zu kommunizieren; und eine Leucht-Platte über der Ventilationsschicht.
  2. LED-Gehäuse gemäß Anspruch 1, wobei die wärmeleitfähige Basisplatte einen Metallring umfasst.
  3. LED-Gehäuse gemäß Anspruch 1, wobei die wärmeleitfähige Basisplatte durch einen unteren lichtundurchlässigen Körper umgeben ist.
  4. LED-Gehäuse gemäß Anspruch 3, wobei die transparente Einkapselungsschicht und die Ventilationsschicht durch einen oberen lichtundurchlässigen Körper umgeben werden, der auf dem unteren lichtundurchlässigen Körper gebildet wird.
  5. LED-Gehäuse gemäß Anspruch 4, wobei der untere lichtundurchlässige Körper oder der obere lichtundurchlässige Körper keramisches Material umfasst.
  6. LED-Gehäuse gemäß Anspruch 4, wobei der untere lichtundurchlässige Körper oder der obere lichtundurchlässige Körper nickel-überzogenes Messing umfasst.
  7. LED-Gehäuse gemäß Anspruch 4, wobei der obere lichtundurchlässige Körper ein Loch zur Kommunikation zwischen der Ventilationsschicht und der äußeren Luft umfasst.
  8. LED-Gehäuse gemäß Anspruch 1, wobei die transparente Einkapselungsschicht Harz, Silikonharz, Epoxid oder Glas umfasst.
  9. LED-Gehäuse gemäß Anspruch 1, wobei die Ventilationsschicht im Wesentlichen aus Luft hergestellt ist.
  10. LED-Gehäuse gemäß Anspruch 3, weiter umfassend Kontaktelektroden auf dem unteren lichtundurchlässigen Körper, wobei die Kontaktelektroden die Leuchtdiode elektrisch verbinden.
  11. LED-Gehäuse gemäß Anspruch 3, weiter umfassend Kontakte, die durch den unteren lichtundurchlässigen Körper verlaufen, wobei die Kontakte elektrisch die Kontaktelektroden verbinden.
  12. LED-Gehäuse gemäß Anspruch 4, weiter umfassend: einen engeren unteren Graben auf der transparenten Einkapselungsschicht, der durch den oberen lichtundurchlässigen Körper für die darin gebildete Ventilationsschicht umgeben wird; und einen weiteren oberen Graben über dem engeren, unteren Graben, welcher durch den oberen lichtundurchlässigen Körper für die darin eingebettete Leuchtplatte umgeben wird, um die Ventilationsschicht abzudecken.
  13. LED-Gehäuse gemäß Anspruch 1, wobei die Leuchtplatte umfasst: eine ausgehärtete Epoxidschicht mit einer hinteren Seitenoberfläche; und eine Phosphorschicht, die adhäsiv an der hinteren Seitenoberfläche der ausgehärteten Epoxidschicht angebracht ist, welche durch Licht, das von der Leuchtdiode emittiert wird, angeregt wird.
  14. LED-Gehäuse gemäß Anspruch 1, weiter umfassend eine konkave Linse, welche mindestens einen Abschnitt der Leucht-Platte abdeckt.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2128905A3 (de) * 2008-05-29 2013-06-19 Nichia Corporation Lichtemittierendes Halbleiterbauelement

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
JP4640248B2 (ja) * 2005-07-25 2011-03-02 豊田合成株式会社 光源装置
KR100983836B1 (ko) * 2005-09-20 2010-09-27 파나소닉 전공 주식회사 Ｌｅｄ조명 기구
JP4013077B2 (ja) * 2005-11-21 2007-11-28 松下電工株式会社 発光装置およびその製造方法
KR100764391B1 (ko) * 2006-04-25 2007-10-05 삼성전기주식회사 발광 다이오드 모듈
US7842960B2 (en) * 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
KR100730772B1 (ko) 2006-10-11 2007-06-21 주식회사 쎄라텍 고출력 발광소자용 패키지
KR20080065451A (ko) * 2007-01-09 2008-07-14 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지
US9018667B2 (en) * 2008-03-25 2015-04-28 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and dual adhesives
US8207553B2 (en) * 2008-03-25 2012-06-26 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with base heat spreader and cavity in base
US20110278638A1 (en) 2008-03-25 2011-11-17 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with post/dielectric/post heat spreader
US8310043B2 (en) * 2008-03-25 2012-11-13 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader with ESD protection layer
US8212279B2 (en) * 2008-03-25 2012-07-03 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader, signal post and cavity
US8110446B2 (en) * 2008-03-25 2012-02-07 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with a post/base heat spreader and a conductive trace
US8193556B2 (en) * 2008-03-25 2012-06-05 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and cavity in post
US8269336B2 (en) * 2008-03-25 2012-09-18 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and signal post
US8354688B2 (en) 2008-03-25 2013-01-15 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bump/base/ledge heat spreader, dual adhesives and cavity in bump
US20090284932A1 (en) * 2008-03-25 2009-11-19 Bridge Semiconductor Corporation Thermally Enhanced Package with Embedded Metal Slug and Patterned Circuitry
US8129742B2 (en) * 2008-03-25 2012-03-06 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and plated through-hole
US8203167B2 (en) * 2008-03-25 2012-06-19 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and adhesive between base and terminal
US8148747B2 (en) * 2008-03-25 2012-04-03 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base/cap heat spreader
US20100181594A1 (en) * 2008-03-25 2010-07-22 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and cavity over post
US8415703B2 (en) * 2008-03-25 2013-04-09 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base/flange heat spreader and cavity in flange
US8324723B2 (en) 2008-03-25 2012-12-04 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bump/base heat spreader and dual-angle cavity in bump
US8525214B2 (en) 2008-03-25 2013-09-03 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader with thermal via
US20110156090A1 (en) 2008-03-25 2011-06-30 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with post/base/post heat spreader and asymmetric posts
US8067784B2 (en) * 2008-03-25 2011-11-29 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and substrate
US20110163348A1 (en) * 2008-03-25 2011-07-07 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bump/base heat spreader and inverted cavity in bump
US8288792B2 (en) * 2008-03-25 2012-10-16 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base/post heat spreader
US8329510B2 (en) * 2008-03-25 2012-12-11 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with a post/base heat spreader with an ESD protection layer
US20100072511A1 (en) * 2008-03-25 2010-03-25 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with copper/aluminum post/base heat spreader
US8232576B1 (en) 2008-03-25 2012-07-31 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and ceramic block in post
US20100052005A1 (en) * 2008-03-25 2010-03-04 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and conductive trace
US8378372B2 (en) * 2008-03-25 2013-02-19 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and horizontal signal routing
US7948076B2 (en) * 2008-03-25 2011-05-24 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and vertical signal routing
US8531024B2 (en) * 2008-03-25 2013-09-10 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and multilevel conductive trace
US8314438B2 (en) * 2008-03-25 2012-11-20 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bump/base heat spreader and cavity in bump
US8076833B2 (en) * 2008-06-30 2011-12-13 Bridgelux, Inc. Methods and apparatuses for enhancing heat dissipation from a light emitting device
JP2010021261A (ja) * 2008-07-09 2010-01-28 Toshiba Corp 光半導体素子の製造方法、光半導体素子及び光半導体装置の製造方法
TWI425656B (zh) * 2008-09-16 2014-02-01 Just Innovation Corp 發光二極體晶片及其製造方法
US8324653B1 (en) 2009-08-06 2012-12-04 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with ceramic/metal substrate
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
CN101858538A (zh) * 2010-04-26 2010-10-13 蔡鸿 平板led路灯
CN102332522A (zh) * 2010-07-15 2012-01-25 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及封装方法
US8669580B2 (en) 2010-12-22 2014-03-11 Psi Technologies, Inc. Scalable heat dissipating microelectronic integration platform (SHDMIP) for lighting solutions and method of manufacturing thereof
CN102569594A (zh) * 2010-12-24 2012-07-11 展晶科技(深圳)有限公司 封装载体及采用该封装载体的发光二极管封装结构
DE102011013277A1 (de) * 2011-03-07 2012-09-13 Schott Ag Gehäuse für Hochleistungsleuchtdioden - "2-Lagen-System"
TWI451605B (zh) * 2011-03-08 2014-09-01 Lextar Electronics Corp 具有金屬反射面與散熱塊之發光二極體結構
US9365766B2 (en) * 2011-10-13 2016-06-14 Intematix Corporation Wavelength conversion component having photo-luminescence material embedded into a hermetic material for remote wavelength conversion
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
US20140201991A1 (en) * 2013-01-24 2014-07-24 Cheih Oh Yang Method for connecting plates of a substrate device
DE102018109542B4 (de) * 2018-04-20 2022-08-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Licht emittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines licht emittierenden bauelements
JP7304512B2 (ja) * 2021-07-30 2023-07-07 日亜化学工業株式会社 保護フィルム付き発光モジュール

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2128905A3 (de) * 2008-05-29 2013-06-19 Nichia Corporation Lichtemittierendes Halbleiterbauelement

Also Published As

Publication number Publication date
TWM268733U (en) 2005-06-21
US20060054915A1 (en) 2006-03-16

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