DE2008410A1 - Verfahren zur Herstellung eines Bandes aus monokristallinem Silizium und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Bandes aus monokristallinem Silizium und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens

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DE2008410A1
DE2008410A1 DE19702008410 DE2008410A DE2008410A1 DE 2008410 A1 DE2008410 A1 DE 2008410A1 DE 19702008410 DE19702008410 DE 19702008410 DE 2008410 A DE2008410 A DE 2008410A DE 2008410 A1 DE2008410 A1 DE 2008410A1
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monocrystalline
ribbon
tape
straight edge
longitudinal axis
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Pending
Application number
DE19702008410
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German (de)
English (en)
Inventor
James Claude Richardson; Harper Ronald Charles Lewisville; Tex. Boatman (V.St.A.)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20Controlling or regulating
    • C30B15/22Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
    • C30B15/24Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using mechanical means, e.g. shaping guides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
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DE19702008410 1969-03-12 1970-02-24 Verfahren zur Herstellung eines Bandes aus monokristallinem Silizium und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens Pending DE2008410A1 (de)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2700994A1 (de) * 1976-04-16 1977-10-27 Ibm Vorrichtung und verfahren zum ziehen von kristallinen siliciumkoerpern
DE2649201A1 (de) * 1976-10-28 1978-05-11 Siemens Ag Verfahren zum herstellen von einkristallinen halbleitermaterialbaendern durch senkrechtes ziehen aus einem schmelzfilm unter verwendung eines formgebungsteils

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DE2649201A1 (de) * 1976-10-28 1978-05-11 Siemens Ag Verfahren zum herstellen von einkristallinen halbleitermaterialbaendern durch senkrechtes ziehen aus einem schmelzfilm unter verwendung eines formgebungsteils

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