DE2008410A1 - Verfahren zur Herstellung eines Bandes aus monokristallinem Silizium und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Bandes aus monokristallinem Silizium und Vorrichtung zur Durchführung des VerfahrensInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 64
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 206010010219 Compulsions Diseases 0.000 description 1
- 206010035148 Plague Diseases 0.000 description 1
- 241000607479 Yersinia pestis Species 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000011081 inoculation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229960005486 vaccine Drugs 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000004018 waxing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
- C30B15/24—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using mechanical means, e.g. shaping guides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US80652569A | 1969-03-12 | 1969-03-12 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2008410A1 true DE2008410A1 (de) | 1970-09-24 |
Family
ID=25194240
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19702008410 Pending DE2008410A1 (de) | 1969-03-12 | 1970-02-24 | Verfahren zur Herstellung eines Bandes aus monokristallinem Silizium und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS508714B1 (enrdf_load_stackoverflow) |
DE (1) | DE2008410A1 (enrdf_load_stackoverflow) |
FR (1) | FR2037453A5 (enrdf_load_stackoverflow) |
GB (1) | GB1295541A (enrdf_load_stackoverflow) |
NL (1) | NL7001278A (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2700994A1 (de) * | 1976-04-16 | 1977-10-27 | Ibm | Vorrichtung und verfahren zum ziehen von kristallinen siliciumkoerpern |
DE2649201A1 (de) * | 1976-10-28 | 1978-05-11 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen von einkristallinen halbleitermaterialbaendern durch senkrechtes ziehen aus einem schmelzfilm unter verwendung eines formgebungsteils |
-
1970
- 1970-01-29 NL NL7001278A patent/NL7001278A/xx unknown
- 1970-02-04 JP JP937470A patent/JPS508714B1/ja active Pending
- 1970-02-06 GB GB1295541D patent/GB1295541A/en not_active Expired
- 1970-02-24 DE DE19702008410 patent/DE2008410A1/de active Pending
- 1970-03-02 FR FR7007340A patent/FR2037453A5/fr not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2700994A1 (de) * | 1976-04-16 | 1977-10-27 | Ibm | Vorrichtung und verfahren zum ziehen von kristallinen siliciumkoerpern |
DE2649201A1 (de) * | 1976-10-28 | 1978-05-11 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen von einkristallinen halbleitermaterialbaendern durch senkrechtes ziehen aus einem schmelzfilm unter verwendung eines formgebungsteils |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS508714B1 (enrdf_load_stackoverflow) | 1975-04-07 |
FR2037453A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 1970-12-31 |
GB1295541A (enrdf_load_stackoverflow) | 1972-11-08 |
NL7001278A (enrdf_load_stackoverflow) | 1970-09-15 |
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