DE19956744A1 - Gassensor - Google Patents
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Abstract
Es wird ein Gassensor zur Detektion von Gasen nach dem Prinzip der Austrittsarbeitsmessung vorgestellt. Der eingesetzte Feldeffekttransistor wird in Flip-Chip-Technologie auf einem Keramiksubstrat montiert, wobei das Halbleiterbauelement direkt auf der gassensitiven Schicht aufsitzt. Als Abstandhalter dient eine im Bereich des Kanals des Feldeffekttransistors mit einer Öffnung versehene Passivierungsschicht mit definierter Stärke.
Description
Die Erfindung betrifft einen Gassensor, der durch mindestens
einen Feldeffekttransistor dargestellt wird, bestehend aus
Bereichen für Source, Drain und Kanal (Emitter, Kollektor und
Kanal). Eine auf einem Substrat befindliche Gate-Elektrode
weist eine gassensitive Schicht auf und ist mit einem Halb
leiterbauelement, das den Feldeffekttransistor enthält, zu
sammengefügt. Weiterhin ist beispielsweise ein Gaskanal vor
gesehen, um das zu analysierende Gas an die gassensitive
Schicht zu führen.
Gassensoren, die nach dem Prinzip der Austrittsarbeitsmessung
funktionieren, sind seit kurzer Zeit bekannt. Diese neuen
Gassensoren, die sich vor allem dadurch auszeichnen, daß sie
bei niedriger Betriebstemperatur von ca. 10°C bis maximal
120°C arbeiten und somit einen geringen Energieverbrauch von
weniger als beispielsweise 100 mW aufweisen, stellen eine we
sentliche Weiterentwicklung bisheriger Gassensor dar. Sie
sind durch ein großes Spektrum nachweisbarer Gase gekenn
zeichnet.
Das physikalische Meßprinzip für die neuen Gassensoren ist
die Messung der Änderung der Austragsarbeit bei der Wechsel
wirkung von gassensitiven Materialien mit Gasen. Durch die
Verwendung der Meßgröße Austrittsarbeit ist neben der Senkung
des Energieverbrauches auch eine deutliche Vereinfachung der
Materialpräparation gegeben. Da durch die Auswertung einer
reinen Oberflächeneigenschaft keine, im allgemeinen schwierig
zu reproduzierenden, Abhängigkeiten von Korngrenzen und Elek
trodenkontakten vorliegen, wie dies beispielsweise bei der
Messung von Leitfähigkeiten der Fall ist, sind deutliche Ver
besserungen der Reproduzierbarkeit der Sensorsignale möglich.
Ein Gassensorsystem nach dem Prinzip der Austrittsarbeit wird
in der Regel durch den Einsatz von Feldeffekttransistoren
realisiert. Eine Änderung der Austrittsarbeit an der gassen
sitiven Beschichtung des Gates des Transistors ruft dabei ei
ne Änderung der Einsatzspannung des Transistors hervor. Diese
Änderung der Einsatzspannung ist letztlich die gemessene
elektrische Größe. Hierzu ist ein Aufbau notwendig, der in
geeigneter Form die Änderung der Austrittsarbeit eines Detek
tionsmaterials in den Kanal eines Transistors einkoppelt.
Zur Realisierung dieses Meßprinzips ist beispielsweise die
direkte Beschichtung des Gates mit wasserstoffpermeablem Pal
ladium eingesetzt worden. Diese Lösung ist im wesentlichen
nur zur Wasserstoffdetektion einsetzbar und benötigt zur Ak
tivierung der Diffusion Energie, erlaubt also keinen Betrieb
bei niedriger Leistung. Weiterhin sind sogenannte Gas-
Feldeffekttransistoren (GasFET) mit Luftspalt zwischen sensi
tivem Material und Gate bekannt (Suspended Gate Feldeffekt
transistor, SGFET). In dieser Technologie wird jedoch die Si
lizium-Ätztechnologie mittels einer Spacerschicht (Abstands
schicht) verwendet, die zu einem monolithisch hergestellten
Aufbau führt. Umfangreiche bisherige Untersuchungen zeigten
jedoch, daß die meisten der sensitiven Schichten bei diesem
Aufbau während des Freiätzens des Luftspaltes beschädigt wur
den. Mit diesem Aufbau ist daher keine Freiheit bei der Wahl
der Detektionsschicht gegeben.
Hybrid aufgebaute Transistoren werden als SGFET oder als Ca
pacitive Controlled FET dargestellt. Dabei ist zwar durch den
hybriden Aufbau die Möglichkeit gegeben, das Gate mit einer
beliebigen Schicht zu versehen, wobei jedoch bisher keine
realisierbaren Aufbauten mit entsprechender Verbindungstech
nologie bekannt sind. Ausgegangen wird in der Regel von mi
kromechanisch hergestellten Siliziumteilen, die manuell zu
sammengebaut werden.
Das Grundkonzept eines industriell fertigbaren hybriden, ins
besondere mit Keramik und Silizium realisierten, Flip-Chip-
Aufbaus gibt die deutsche Patentanmeldung mit der amtlichen
Anmeldenummer P 198 14 857.7 wieder. Der hier gezeigte hybri
de Flip-Chip im Aufbau stellt eine kostengünstige Realisie
rung eines Gassensors nach dem Prinzip der Austrittsarbeits
messung dar. Dieser Stand der Technik wird in Verbindung mit
der Fig. 2 näher erläutert.
In Fig. 2 ist ein Keramiksubstrat dargestellt, das nach au
ßen hin über Steckpins kontaktierbar ist. Auf dem Keramiksub
strat verlaufen Leiterbahnen, die in der Regel durch Sieb
druck hergestellt sind. Das Keramiksubstrat trägt eine gas
sensitive Schicht, die integraler Bestandteil der Gate-
Elektrode ist. Das Keramiksubstrat dient als Träger für einen
in Flip-Chip-Technik aufgebrachten CMOS-Transistor. Dieser
wird mit seiner Frontseite, also umgedreht zur üblichen Mon
tage, mittels Leitkleber auf dem Keramiksubstrat montiert.
Die in diesem Halbleiterbauelement vorhandenen Bestandteile
des Feldeffekttransistors, der Source-, der Drain- und der
Kanalbereich bilden zusammen mit dem in der Seitenansicht
sichtbaren Gaskanal insgesamt das System des GasFETs. Mit dem
in Fig. 2 dargestellten Design eines gassensitiven Feldef
fekttransistors läßt sich jedoch keine funktionsfähige Aus
führung realisieren. Der in der Regel notwendige Gaskanal
kann für ein funktionsfähiges System mit diesem Aufbau nicht
reproduzierbar im µ-Meter-Bereich dargestellt werden.
Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, einen Gassen
sor nach dem Prinzip der Austrittsarbeitsmessung zur Verfü
gung zu stellen, der eine große Freiheit in der Auswahl und
Montage der gassensitiven Schichten erlaubt, der ein zuver
lässiges Detektionssignal liefert und der kostengünstig her
zustellen ist.
Die Lösung dieser Aufgabe geschieht durch die Kombination der
Merkmale entsprechend Anspruch 1.
Vorteilhafte Ausgestaltungen können den Unteransprüchen ent
nommen werden.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß zur Herstel
lung von Transistoren mit einer notwendigen Steilheit in ih
rer Kennlinie der Abstand zwischen sensitiver Schicht und dem
Kanalbereich des Transistors im µ-Meter-Bereich liegen muß.
Dabei sollten weiterhin geringe Toleranzwerte eingehalten
werden, wie beispielsweise 1 µm ± 0,4 µm oder 5 µm ± 1 µm.
Dies benötigt äußerst präzise Abstandshalter. Bei hybriden in
Flip-Chip-Technik aufgebauten gassensitiven Transistoren ste
hen als Beschichtungstechnologien für den Keramikteil im we
sentlichen Siebdruck oder Spin-Coating-Verfahren zur Verfü
gung. Daraus läßt sich mit den genannten Vorgaben die Ferti
gung eines Abstandshalters nicht erfüllen. Wenn berücksich
tigt wird, daß eine typische Schichtdicke im Bereich von
10 µm ± 2 µm liegt, ist dies leicht zu erkennen. Dies, insbeson
dere vor dem Hintergrund, daß die geforderte Gaskanaldimensi
on als Differenz der Abstände zweier Dickschichten erzeugt
werden muß. Erfindungsgemäß wird das in Flip-Chip-Technologie
auf das Trägersubstrat aufzubringende Halbleiterbauelement
modifiziert. Durch die letzte auf dem CMOS-Transistor aufge
brachte Schicht, ausnahmslos eine Passivierungsschicht, wird
ein Abstandshalter mit definierter Schichtdicke im gewünsch
ten Bereich hergestellt. Dazu wird die Schicht über dem Ka
nalbereich des Feldeffekttransistors geöffnet und direkt auf
die gassensitive Schicht, die sich auf dem Trägersubstrat be
findet, plaziert bzw. bei der Montage angedrückt. Dadurch be
steht weitgehende Freiheit bei der Wahl der Präparationstech
nik und der Dicke der gassensitiven Schicht.
Das Halbleiterbauelement wird in der Regel ein Silizium-
Bauelement sein. Zu dessen oberflächlichen Passivierung wer
den eine oder mehrere Passivierungsschichten aufgebracht, wo
bei es vorteilhaft ist, die oberste Schicht aus Siliziumni
trid herzustellen.
Der Kanal eines Feldeffekttransistors ist grundsätzlich durch
die damit verbundene Ladungsträgergeneration auch lichtemp
findlich. In manchen Anwendungen können daher wechselnde äu
ßere Lichtintensitäten Störsignale auslösen. Es ist daher
vorteilhaft, bei der Herstellung des Gaskanals, in der Regel
durch einen Ätzvorgang, die Öffnung der Abdeckschicht (Sili
ziumnitrid) auf dem Silizium-Bauelement im Eingangsbereich
mäanderförmig zu strukturieren. Die Gasdiffusion in den Gas
kanal ist trotz der mäanderförmigen Ausbildung gegeben, wobei
jedoch die geradlinige Ausbreitung des Lichtes behindert
wird.
Zur flexiblen Herstellung der Flip-Chip-Verbindung ist der
Einsatz von leitfähigen Polymeren zur Befestigung des Halb
leiterbauelementes auf einem Substrat vorteilhaft. Die dabei
herzustellenden Polymerbumps müssen nicht mit exakt gleicher
Höhe hergestellt werden, da sie bei der Flip-Chip-Montage im
noch nicht ausgehärteten Zustand verformbar sind.
Im folgenden wird anhand der schematischen Figuren ein Aus
führungsbeispiel beschrieben.
Fig. 1 zeigt eine geschnittene Seitenansicht eines GasFETs
mit einem Abstandshalter und der Darstellung des Gas
kanals,
Fig. 2 zeigt den Querschnitt eines Designs eines gassensiti
ven Feldeffekttransistors in Flip-Chip-Technologie
entsprechend dem Stand der Technik.
In Fig. 2 ist der prinzipielle Aufbau eines GasFETs darge
stellt, wobei einerseits das Keramiksubstrat mit der Gate-
Elektrode, in die die gassensitive Schicht integriert ist,
vorliegt, und andererseits ein Halbleiterbauelement, insbe
sondere ein Silizium-Bauelement bzw. ein CMOS-Transistor.
Dieser Transistor wird in Flip-Chip-Technologie auf das Kera
miksubstrat elektrisch leitend befestigt (gebondet).
Fig. 1 zeigt in einer stark verzerrten seitlichen Schnitt
darstellung einen gassensitiven Feldeffekttransistor. Auf ei
nem Substrat 1 ist eine Metallisierung 3, beispielsweise Kon
taktpads oder Leiterbahnen aufgebracht, auf die die elek
trisch leitenden Flip-Chip-Bonds 4 aufgesetzt sind. Bemaßun
gen sind der Fig. 2 neben entsprechenden Doppelpfeilen zu
entnehmen. Zentral ist die gassensitive Schicht 2 mit der Me
tallisierung 3 verbunden. Das Halbleiterbauelement besteht
aus dem Silizium-Bauelement 5, das eine p-Wanne 9 beinhaltet,
worin wiederum der Drain-Bereich 7 und der Source-Bereich 8
angesiedelt sind. Zwischen den Bereichen 7, 8 liegt der Ka
nalbereich des Transistors. Die oberste Passivierungsschicht
des Halbleiterbauelementes trägt das Bezugszeichen 6. In die
ser, im speziellen durch Siliziumnitrid dargestellten, Passi
vierungsschicht wird zentral ein Durchbruch herausgearbeitet,
so daß der Kanalbereich des Transistors frei liegt. Die Stär
ke der Isolatorschicht 6 ist gleichzeitig der Abstand zwi
schen dem Kanalbereich des Feldeffekttransistors und der gas
sensitiven Schicht. Somit liegt einerseits die gassensitive
Schicht direkt auf dem Silizium-Bauelement 5 auf, wird jedoch
durch die Isolatorschicht 6 elektrisch getrennt. Die Öffnung
bzw. der Durchbruch in der Isolatorschicht 6 stellt den Gas
kanal 10 dar, durch den das zu detektierende Gas an die Gate-
Elektrode bzw. an die gassensitive Schicht 2 gelangt.
Einige der in der Flip-Chip-Technik üblichen Bondtechniken
wie beispielsweise Goldbump, Löttechnik, erlauben entweder
keine ausreichende Flexibilität bei der Einstellung des Ab
standes oder gasen während des Trocknungsvorganges aus (Löse
mitteldämpfe). Dadurch können gassensitive Schichten geschä
digt werden. Entsprechend der Erfindung werden beim Fügen der
Einzelteile leitfähige Polymerbumps verwendet, insbesondere
silbergefülltes Epoxid-Harz. Diese können, solange das Mate
rial flexibel ist, ausreichend nachgeben bis das Halbleiter
bauelement auf der gassensitiven Schicht aufsitzt. Zum Aus
härten benötigen diese Materialien Temperaturen von maximal
100°C. Darüber hinaus treten keinerlei Ausgasungen, bei
spielsweise von Lösungsmitteln, auf. Ein geeigneter Klebstoff
ist beispielsweise ein Zwei-Komponenten-Silberleitkleber.
Die Standardmetallisierung des Silizium-Bauelementes, die in
der Regel aus Aluminium besteht, hat normalerweise eine ober
flächliche Passivierungsschicht aus Aluminiumoxid. Dieses na
türliche Oxid entsteht durch Oxidation an Luft und weist eine
Schichtdicke von 50 Å auf. Diese Schicht bildet einen sehr
hohen Übergangswiderstand, so daß vor dem Aufbringen des Po
lymers eine zusätzliche Vorbehandlung der Kontaktpads (Kon
taktflecken) erforderlich ist. Für diese Vorbehandlung kann
alternativ der naßchemische Zinkat-Prozeß oder ein Dünn
schichtprozeß wie beispielsweise Sputtern, benutzt werden.
Bei dem Dünnschichtprozeß wird das natürliche Al2O3 durch Io
nenätzen entfernt. Anschließend werden eine oder zwei Metall
schichten als Haftvermittler und Diffusionssperrschicht auf
gesputtert. Als Materialien für die Metallschichten sind zu
nennen TiN oder WCr oder TiW oder Ti/Pt. Die oberste Schicht,
die den Kontakt zum leitfähigen Flip-Chip-bond herstellt, ist
in jedem Fall auch bei Anwendung des Zinkat-Prozesses eine
Goldschicht. Das Polymer wird anschließend durch Schablonen
druck aufgebracht und die Polymerisation erfolgt durch Trock
nen bei ca. 120°C. Auf den Goldkontakten des Keramikteils
wird ebenfalls das Polymer durch Schablonendruck aufgebracht,
jedoch werden diese Bumps nicht ausgehärtet. Alternativ ist
das Aufdrucken des Polymers nur auf dem Silizium-Bauelement
oder nur auf dem Keramiksubstrat ohne anschließendes Aushär
ten möglich. Die endgültige Herstellung der Verbindung zwi
schen Silizium-Bauelement und Keramiksubstrat erfolgt dann
innerhalb der Topfzeit des Polymers unter erhöhter Temperatur
und mechanischen Druck mit einem speziellem Flip-Chip-Bonder.
Dabei wird das Polymer endgültig ausgehärtet. Alle diese Pro
zeßschritte lassen sich im Labormaßstab wie auch im Produkti
onsmaßstab mit halb- und vollautomatischen Anlagen durchfüh
ren. Zur Herstellung der Metallisierung der Bumps sind fol
gende Dünnschicht-Prozeßschritte möglich:
- - Ionenätzen zum Abtragen des natürlichen Aluminiumoxids,
- - Titandünnschicht als Haftvermittler, Stärke beispielsweise 75 nm,
- - Platindünnschicht als Diffusionssperrschicht, Stärke bei spielsweise 75 nm,
- - Golddünnschicht als Kontaktschicht, Stärke beispielsweise 150 nm.
Die Strukturierung erfolgt mit Hilfe des Lift-Off-Verfahrens.
Der Flip-Chip-Bond aus leitfähigem Polymer kann folgende
wichtige Vorteile erzielen:
- - Die Prozeßtemperatur beim Flip-Chip-Bonden kann relativ niedrig gehalten werden, so daß auch der Einsatz von tem peraturempfindlichen, gassensitiven Schichten 2 möglich ist.
- - Es werden keine Lösungsmittel frei und keine Lötflußmittel benötigt wie sie beim Standardverfahren des Weichlötens erforderlich sind. Lötflußmittel können die gassensitiven Schichten sehr leicht schädigen.
- - Durch einen Schablonendruck lassen sich relativ leicht Bumps erzeugen, die eine konforme Höhenverteilung aufwei sen. Dies ist wichtig, um ein gleichmäßiges Aufsetzen des Silizium-Bauelementes auf die gassensitive Schicht zu ge währleisten.
Falls als gassensitive Schicht eine besonders fließfähige
Substanz verwendet werden soll, kann es sein, daß die beim
Fügeprozeß auftretenden Kräfte bei einem Fließen des Sensor
materiales in den freizuhaltenden Gaskanal führen. In diesem
Fall kann es nötig sein, neben der gassensitiven Schicht eine
weitere Substanz auf das Keramiksubstrat aufzubringen, auf
welche dann der Abstandshalter, die Isolatorschicht 6, auf
liegt. In diesem Fall muß eine Schichtdicke der sensitiven
Schicht minimal kleiner sein als die Schichtdicke der Ab
standshalterschicht.
Claims (11)
1. Gassensor (A), dargestellt durch mindestens einen Feldef
fekttransistor mit Source-, Drain- und Kanalbereich in ei
nem Halbleiterbauelement und einer Gate-Elektrode auf ei
nem Substrat (1), in die eine gassensitive Schicht (2) in
tegriert ist, wobei das Halbleiterbauelement mit einer
Isolatorschicht (6) direkt auf der gassensitiven Schicht
aufliegt, ein Gaskanal (10) mittels einer Öffnung in der
Isolatorschicht (6) dargestellt ist und der Abstand zwi
schen Kanalbereich und gassensitiver Schicht durch die
Schichtdicke der Isolatorschicht (10) gegeben ist.
2. Gassensor nach Anspruch 1, wobei die Isolatorschicht aus -
Siliziumnitrid oder Borosilikatglas besteht.
3. Gassensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
das Halbleiterbauelement ein Silizium-Bauelement ist.
4. Gassensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
der Gaskanal (10) in seinem Eingangsbereich mäanderförmig
ausgebildet ist.
5. Gassensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
Flip-Chip-Bonds zur Befestigung des Halbleiterbauelementes
auf dem Substrat (1) aus einem leitfähigen Polymer beste
hen.
6. Gassensor nach Anspruch 5, wobei das Polymer ein Zwei-
Komponenten-Silberleitklebstoff ist.
7. Gassensor nach Anspruch 6, wobei der Zwei-Komponenten-
Silberleitklebstoff ein silbergefülltes Epoxidharz ist.
8. Gassensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
Kontaktpads am Halbleiterbauelement eine oberflächliche
Goldschicht aufweisen.
9. Gassensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
die Betriebstemperatur bei maximal 120°C liegt.
10. Gassensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
die Leistungsaufnahme maximal 100 mW beträgt.
11. Gassensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
die Schichtdicke der Isolatorschicht zwischen 1 und 5 µm
beträgt, mit Toleranzen von ± 0,4 bis ± 1 µm.
Priority Applications (2)
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