DE19947030A1 - Oberflächenstrukturierte Lichtemissionsdiode mit verbesserter Stromeinkopplung - Google Patents

Oberflächenstrukturierte Lichtemissionsdiode mit verbesserter Stromeinkopplung

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Abstract

Bei einer Lichtemissionsdiode (100) mit einer lichterzeugenden Schicht (20) und einer relativ dicken, transparenten Stromaufweitungsschicht (30) wird durch eine vertikale Strukturierung der Oberfläche der Stromaufweitungsschicht (30) eine Verbesserung der Lichtauskopplung erzielt und gleichzeitig durch eine zweite elektrische Kontaktschicht (50) mit einer verteilten, lateralen Struktur eine im wesentlichen homogene Einkopplung des elektrischen Stroms in die Stromaufweitungsschicht (30) erzielt.

Description

Die Erfindung betrifft eine Lichtemissionsdiode nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Insbesondere betrifft die Erfindung eine oberflächenstrukturierte Lichtemissionsdiode, bei der zur Verbesserung der Homogenität der Stromzufuhr eine elektrische Kontaktschicht eine laterale Struktur aufweist, mit welcher eine im wesentlichen homogene Einkopplung des elektrischen Stroms in die Lichtemissionsdiode erzielt werden kann.
Lichtemissionsdioden, wie Halbleiter-Leuchtdioden (LED), zeichnen sich insbesondere dadurch aus, daß je nach Material­ system der interne Umwandlungswirkungsgrad von zugeführter elektrischer Energie in Strahlungsenergie sehr groß, d. h. durchaus größer als 80% sein kann. Die effektive Lichtaus­ kopplung aus dem Halbleiterkristall wird jedoch durch den ho­ hen Brechungsindexsprung zwischen dem Halbleitermaterial (ty­ pischerweise n = 3,5) und dem umgebenden Harzguß-Material (typischerweise n = 1,5) erschwert. Der sich daraus ergebende kleine Totalreflexionswinkel an der Grenzfläche Halbleiter- Harzvergußmaterial von ca. 25° führt dazu, daß nur ein Bruch­ teil des erzeugten Lichts ausgekoppelt werden kann. In der typischerweise bei der Herstellung verwendeten einfachen wür­ felförmigen Gestalt der LED bleibt ein Strahlungsbündel, das nicht in dem ca. 26° weiten Auskoppelkegel emittiert wird, in dem Halbleiterkristall gefangen, da sein Winkel zu den Ober­ flächennormalen auch durch Vielfachreflexion nicht verändert wird. Das Strahlungsbündel wird infolgedessen früher oder später durch Absorption vor allem im Bereich des Kontakts, der aktiven Zone oder im Substrat verlorengehen. Insbesondere bei InGaAlP-LEDs stellt das absorbierende GaAs-Substrat ein besonderes Problem dar. In konventionellen LEDs dieser Art gehen die von der aktiven Zone in Richtung zur Oberfläche der LED emittierte Strahlen, die außerhalb des Auskoppelkegels liegen, mit hoher Wahrscheinlichkeit im Substrat durch Ab­ sorption verloren.
Der in der Praxis am häufigsten verwendete Weg, das geschil­ derte Problem zu mildern, besteht darin, eine dicke Halblei­ ter-Schicht an der Oberseite der LED aufzubringen. Dies er­ möglicht die teilweise Nutzung der seitlichen Auskoppelkegel der emittierten Lichtstrahlung.
In der U. S.-A-5,008,718 wird vorgeschlagen, in einer AlGaInP- LED hauptsächlich aus Gründen der lateralen Verbreiterung des durch einen elektrischen Kontakt injizierten Stromes eine elektrisch leitfähige und für die emittierte Lichtstrahlung transparente GaP-Schicht auf den aktiven, lichtemittierenden Schichten aufzubringen. Auf den vorteilhaften Nebeneffekt der Verminderung der internen Totalreflexion und die Ermöglichung der seitlichen Auskopplung der Lichtstrahlung durch die Wir­ kung der dicken GaP-Schicht wird an anderer Stelle hingewie­ sen. Zusätzlich wird vorgeschlagen, das für die emittierte Lichtstrahlung undurchsichtige GaAs-Substrat durch Abätzen zu entfernen und durch mindestens eine transparente Substrat­ schicht aus einem geeigneten Material, wie GaP, zu ersetzen.
Auch in der U. S.-A-5,233,204 wird die Verwendung einer oder mehrerer dicker und transparenter Schichten in einer Licht­ emissionsdiode vorgeschlagen. Für die Anordnung und Anzahl dieser transparenten Schichten werden verschiedene Konfigura­ tionen beschrieben. Unter anderem wird eine unterhalb der ak­ tiven, lichterzeugenden Schicht angeordnete, sich in Richtung auf das Substrat verjüngende und trichterförmig gebildete Schicht vorgeschlagen (Fig. 10).
Bei ersten Computersimulationen hat sich bereits gezeigt, daß eine Oberflächenstrukturierung der obersten dicken, transpa­ renten Halbleiterschicht zu verbesserten Werten für die Lichtauskopplung führt. Insbesondere eine Oberflächenstruktu­ rierung bestehend aus vorzugsweise regelmäßig angeordneten n­ seitigen Prismen, Pyramiden oder Pyramidenstümpfen, Zylin­ dern, Kegeln, Kegelstümpfen und dergleichen hat zu einer deutlichen Verbesserung der Lichtauskopplung geführt. Das liegt daran, daß die zunächst steil nach oben verlaufenden Strahlen an den strukturierten Oberflächen reflektiert wer­ den, mit jeder der Reflexionen jedoch flacher verlaufen, so daß sie schließlich seitlich aus den Seitenwänden der struk­ turierten Bereiche der Oberfläche ausgekoppelt werden.
Solche oberflächenstrukturierten Lichtemissionsdioden wurden zunächst so hergestellt, daß nach dem Aufwachsen der lichter­ zeugenden Halbleiterschichten auf einem Halbleitersubstrat und der oberen dicken, transparenten Halbleiterschicht eine zentrale elektrische Kontaktfläche auf die Oberfläche der dicken Halbleiterschicht aufgebracht wurde. Anschließend wur­ de in den Bereichen außerhalb der zentralen Kontaktfläche durch Ätztechnik die Strukturierung der Oberfläche der dicken Halbleiterschicht vorgenommen, worauf die Substratrückseite gedünnt und mit einem Rückseitenkontakt versehen wurde. Diese Vorgehensweise erwies sich jedoch als nachteilig, da die dicke Halbleiterschicht, das sogenannte Fenster, durch die Strukturierung fragmentiert wird, wodurch sich die Strom­ aufweitung verschlechtert. Somit findet keine ausreichende Verteilung des elektrischen Stromes in Bereiche außerhalb der zentralen Kontaktfläche statt, so daß die durch die Struktu­ rierung verbesserte Lichtauskopplung durch die mangelnde Stromaufweitung kompensiert wird, so daß die Steigerung des Gesamtlichtflusses nicht wie gewünscht ausfällt.
Es ist demzufolge Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Lichtemissionsdiode mit einer hohen effektiven Lichtauskopp­ lung anzugeben. Insbesondere ist es eine Aufgabe der vorlie­ genden Erfindung, bei einer Lichtemissionsdiode gleichzeitig für eine gute räumliche Verteilung des initiierten elektri­ schen Stromes und für eine gute Auskopplung der optischen Lichtstrahlung zu sorgen.
Diese Aufgabe wird mit den kennzeichnenden Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
Demgemäß beschreibt die vorliegende Erfindung eine Lichtemis­ sionsdiode mit einer Halbleiterschichtstruktur, enthaltend ein Substrat und mindestens eine auf dem Substrat geformte lichterzeugende Schicht und eine auf die lichterzeugende Schicht aufgebrachte, transparente Stromaufweitungsschicht, einer ersten elektrischen Kontaktschicht auf der Substra­ trückseite, und einer zweiten elektrischen Kontaktschicht, die auf der Stromaufweitungsschicht angeordnet ist, wobei die Oberfläche der Stromaufweitungsschicht eine vertikale Struk­ turierung zur Verbesserung der Lichtauskopplung aufweist, und die zweite elektrische Kontaktschicht eine laterale Struktur aufweist, mit welcher eine im wesentlichen homogene Einkopp­ lung des elektrischen Stromes in die Stromaufweitungsschicht erzielt werden kann. Die Stromaufweitungsschicht ist vorzug­ seise relativ dick, insbesondere in einem Bereich zwischen 5 und 80 µm.
Die Erfindung beruht somit auf einer Kombination einer Ober­ flächenstrukturierung des Halbleiters, die zur Lichtauskopp­ lung beiträgt und einer verbesserten Stromaufweitungsschicht, die durch eine im weitesten Sinne zu einem metallischen Kon­ taktgitter geformte zweite elektrische Kontaktschicht gewähr­ leistet wird. Unter Gitter ist hier und im folgenden nicht allein ein streng periodisches, geschlossenes Gitter, sondern auch einzelne Kontaktfinger oder eine andere zur Kontaktie­ rung geeignete Führung von Metallstegen zu verstehen. Durch ein solches Gitter werden die Probleme der Stromaufweitung bei strukturierten Lichtemissionsdioden überwunden und die verbesserte Lichtauskopplung kommt voll zum Tragen.
Die vertikale Strukturierung der Oberfläche der Stromaufwei­ tungsschicht kann jede nur denkbare Form aufweisen. Mögliche Strukturen sind beispielsweise n-seitige Prismen, Pyramiden oder Pyramidenstümpfe, Zylinder, Kegel, Kegelstümpfe und der­ gleichen.
Insbesondere kann die zweite elektrische Kontaktschicht eine zentrale, insbesondere kreisrunde Kontaktfläche und eine zu dem Mittelpunkt der zentralen Kontaktfläche rotationssymme­ trische Kontaktstruktur aus relativ schmalen Kontaktstegen und/oder Kontaktpunkten um die zentrale Kontaktfläche herum aufweisen. Die Rotationssymmetrie der Kontaktstruktur kann dabei ganzzahlig sein und insbesondere der Rotationssymmetrie der Lichtemissionsdiode entsprechen. Der Regelfall ist eine rechteckförmige oder quadratische Lichtemissionsdiode, bei der die Kontaktstruktur eine vierzählige Symmetrie aufweist.
Die zweite elektrische Kontaktschicht kann sowohl in sich zu­ sammenhängend ausgebildet oder auch in sich nicht zusammen­ hängend ausgebildet sein, wobei im letzteren Fall die nicht zusammenhängenden Abschnitte durch eine transparente, leitfä­ hige Materialschicht, beispielsweise aus Indiumzinnoxid (ITO), untereinander verbunden sind.
Die zweite elektrische Kontaktschicht kann sowohl auf struk­ turierten als auch auf unstrukturierten Abschnitten der Ober­ fläche der Stromaufweitungsschicht angeordnet sein.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbei­ spielen in Verbindung mit den Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische, vereinfachte Querschnittsdar­ stellung einer in einem Reflektor angeordneten er­ findungsgemäßen oberflächenstrukturierten Licht­ emissionsdiode;
Fig. 2 ein erstes Ausführungsbeispiel der zweiten elektri­ schen Kontaktschicht in einer Draufsicht auf die strukturierte Lichtaustrittsfläche der Lichtemissi­ onsdiode;
Fig. 3 ein zweites Ausführungsbeispiel für eine zweite elektrische Kontaktschicht in einer Draufsicht auf die strukturierte Lichtaustrittsfläche;
Fig. 4 ein drittes Ausführungsbeispiel einer zweiten elek­ trischen Kontaktschicht.
Die Fig. 1 zeigt einen LED-Chip 100, wie er in einem im Quer­ schnitt kreis- oder parabelförmigen Reflektor 200 angeordnet ist, so daß die von ihm emittierten Lichtstrahlen sowohl auf direktem Wege abgestrahlt werden als auch durch den Reflektor 200 gesammelt und im wesentlichen in dieselbe Richtung emit­ tiert werden. Im allgemeinen ist der LED-Chip 100 in einem Harzvergußmaterial eingebettet, so daß insbesondere an seiner lichtaustrittsseitigen Oberfläche eine Grenzfläche zwischen Halbleitermaterial und Harzvergußmaterial besteht. An dieser Grenzfläche existiert ein relativ großer Brechungsindex­ sprung, so daß bereits bei relativ geringen Einfallswinkeln zur Normalen eine Totalreflexion eintritt. Diese totalreflek­ tierten Strahlen sollen nach Möglichkeit durch die Seitenwän­ de des LED-Chips 100 ausgekoppelt werden und von dem Reflek­ tor 200 gesammelt werden können, anstatt in dem Substrat des LED-Chips 100 absorbiert zu werden.
Eine erfindungsgemäße Lichtemissionsdiode weist eine Halblei­ terschichtstruktur mit einem lichtabsorbierenden oder trans­ parenten Substrat 10 und mindestens einer auf dem Substrat 10 geformten lichterzeugenden Schicht 20 auf. Die lichterzeugen­ de Schicht 20 wird durch einen pn-Übergang gebildet. Falls gewünscht, kann eine Einfach- oder Mehrfach-Quantentrog­ struktur als lichterzeugende Schicht 20 vorgesehen sein. Oberhalb der lichterzeugenden Schicht 20 wird eine relativ dicke, transparente Halbleiterschicht, die sogenannte Strom­ aufweitungsschicht 30 aufgewachsen. Auf der Substratrückseite ist eine erste elektrische Kontaktschicht ganzflächig aufge­ bracht, während auf einem Abschnitt der Stromaufweitungs­ schicht 30 eine zweite elektrische Kontaktschicht 50 aufge­ bracht ist. Die Oberfläche der Stromaufweitungsschicht 30 weist eine Strukturierung 40 auf, durch die die Lichtauskopp­ lung verbessert werden soll. In der Querschnittsansicht der Fig. 1 ist die Strukturierung 40 als eine Mehrzahl von Pyra­ miden dargestellt. Diese Pyramiden können n ≧ 3 Seiten auf­ weisen, wobei im Grenzfall n = ∞ aus der Pyramide ein Kegel wird. Von dem entstehenden Gebilde kann auch die Spitze abge­ schnitten werden, so daß ein Pyramidenstumpf oder ein Kegel­ stumpf entsteht. Auf die mit der Strukturierung 40 versehene Oberfläche der Stromaufweitungsschicht 30 wird eine zweite elektrische Kontaktschicht 50 derart aufgebracht, daß eine möglichst homogene Stromeinkopplung erzielt werden kann. Zu diesem Zweck wird die zweite elektrische Kontaktschicht 50 mit einer gitterförmigen Struktur aufgebracht. In den Fig. 2 bis 4 sind Ausführungsbeispiele für die Form der zweiten elektrischen Kontaktschicht beschrieben.
In den Fig. 2 bis 4 ist jeweils eine quadratisch geformte Lichtemissionsdiode in einer Draufsicht auf ihre Licht­ austrittsseite, d. h. auf die Oberfläche der mit der zweiten elektrischen Kontaktschicht 50 versehenen Stromaufweitungs­ schicht 30, dargestellt. In dem Ausführungsbeispiel der Fig. 2 besteht die Strukturierung 40 aus einer Mehrzahl von ma­ trixförmig angeordneten vierseitigen Pyramiden oder Pyrami­ denstümpfen. Die zweite elektrische Kontaktschicht 50 kann generell entweder auf unstrukturierten Bereichen der Oberflä­ che der Stromaufweitungsschicht 30, also am Boden der Pyrami­ den, abgeschieden sein. Sie kann jedoch auch auf die Struktu­ rierung 40 direkt aufgebracht sein. Vorzugsweise besteht die zweite elektrische Kontaktschicht 50 aus einer Kontaktlegie­ rung, wie Au:Zn oder Au:Ge oder dergleichen. Die Ausführungs­ beispiele der Fig. 2 bis 4 zeigen mögliche Formen der Struk­ tur der zweiten elektrischen Kontaktschicht 50, die aus einer zentralen, insbesondere kreisrunden oder quadratischen Kon­ taktfläche 51 und einer zu dem Mittelpunkt der zentralen Kon­ taktfläche 51 rotationssymmetrischen Gitterstruktur aus rela­ tiv schmalen Kontaktstegen 52, 53 oder Kontaktpunkten 54 um die zentrale Kontaktfläche 51 herum bestehen. Um eine mög­ lichst homogene Einkopplung des elektrischen Stroms zu erzie­ len, weist die Gitterstruktur der zweiten elektrischen Kon­ taktschicht 50 dabei eine eben solche Rotationssymmetrie wie die Lichtemissionsdiode selbst auf. Wenn daher die Lichtemis­ sionsdiode wie in den Ausführungsbeispielen quadratisch ge­ formt ist, somit vierzählige Symmetrie aufweist, so ist die Gitterstruktur der zweiten elektrischen Kontaktschicht 50 ebenfalls mit vierzähliger Rotationssymmetrie um den Mittel­ punkt der zentralen Kontaktfläche 51 geformt.
Die Gitterstruktur der zweiten elektrischen Kontaktschicht 50 kann, wie in den Ausführungsbeispielen der Fig. 2 und 3, als zusammenhängende Struktur ausgebildet sein. Es kann jedoch auch vorgesehen sein, daß die Struktur nicht zusammenhängend ist. Ein solches Ausführungsbeispiel ist in Fig. 4 darge­ stellt. Hier weist die Gitterstruktur eine kreisrunde zentra­ le Kontaktfläche 51 auf, die in vierzähliger Symmetrie von kreisrunden Kontaktpunkten 54 umgeben ist, die nicht direkt mit der zentralen Kontaktfläche 51 zusammenhängen. Um gleich­ wohl für derartige Ausführungsbeispiele einen elektrischen Kontakt zwischen den nicht zusammenhängenden Abschnitten der zweiten elektrischen Kontaktschicht 50 herzustellen, wird nach dem Einlegieren der Kontaktflächen 51 und 54 eine zu­ sätzliche dünne transparente elektrisch leitfähige Schicht, beispielsweise aus Indiumzinnoxid (ITO) auf die Struktur ab­ geschieden. Die Gitterstruktur der zweiten elektrischen Kon­ taktschicht 50 kann aber auch anders geformt sein, beispiels­ weise eine Mäanderstruktur oder dergleichen aufweisen.
Die erfindungsgemäße Lichtemissionsdiode kann auf unter­ schiedliche Weise hergestellt werden. Da die zweite elektri­ sche Kontaktschicht 50 im Prinzip auf der Strukturierung 40 abgeschieden werden kann, besteht die einfachste Herstel­ lungsweise darin, zunächst die Oberfläche der Stromaufwei­ tungsschicht 30 mit den beschriebenen Möglichkeiten zu struk­ turieren und anschließend die zweite elektrische Kontakt­ schicht 50 durch eine Schattenmaske, die einen Öffnungsbe­ reich in der Form der gewünschten Struktur enthält, aufzu­ dampfen oder in einen Sputter-Prozeß aufzubringen. Alternativ dazu kann auch die zweite elektrische Kontaktschicht 50 zu­ nächst ganzflächig durch die genannten Prozesse aufgebracht werden und anschließend durch einen Lithographie- und Ätz­ schritt oder mittels Lift-Off-Technik strukturiert werden. Bei einer zweiten Herstellungsvariante wird die zweite elek­ trische Kontaktschicht 50 mit der gewünschten lateralen Struktur durch einen der vorgenannten Herstellungsprozesse auf die noch unstrukturierte Oberfläche der Stromaufweitungs­ schicht 30 aufgebracht und anschließend wird die vertikale Strukturierung der Oberfläche der Stromaufweitungsschicht 30 vorgenommen, wobei zu beachten ist, daß die zweite elektri­ sche Kontaktschicht 50 nicht beschädigt wird.
Bezugszeichenliste
10
Substrat
20
lichterzeugende Schicht
30
Stromaufweitungsschicht
40
vertikale Strukturierung
50
zweite elektrische Kontaktschicht
51
zentrale Kontaktfläche
52
Kontaktstege
53
Kontaktstege
54
Kontaktpunkte
100
Lichtemissionsdiode
200
Reflektor

Claims (9)

1. Lichtemissionsdiode (100), mit
  • - einer Halbleiterschichtstruktur enthaltend ein Substrat (10) und mindestens eine auf dem Substrat (10) geformte lichterzeugende Schicht (20) und eine auf die lichterzeu­ gende Schicht (20) aufgebrachte, transparente Stromaufwei­ tungsschicht (30),
  • - einer ersten elektrischen Kontaktschicht auf der Substrat­ rückseite, und
  • - einer zweiten elektrischen Kontaktschicht (50), die auf der Stromaufweitungsschicht (30) angeordnet ist,
dadurch gekennzeichnet, daß
  • - die Oberfläche der Stromaufweitungsschicht (30) eine verti­ kale Strukturierung (40) zur Verbesserung der Lichtauskopp­ lung aufweist, und
  • - die zweite elektrische Kontaktschicht (50) eine laterale Struktur aufweist, mit welcher eine im wesentlichen homoge­ ne Einkopplung des elektrischen Stroms in die Stromaufwei­ tungsschicht (30) erzielt werden kann.
2. Lichtemissionsdiode (100) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
  • - die zweite elektrische Kontaktschicht (50) eine zentrale, insbesondere kreisrunde oder quadratische Kontaktfläche (51) und eine zu dem Mittelpunkt der zentralen Kontaktfläche (51) rotationssymetrische Kontaktstruktur (52; 53; 54) aus relativ schmalen Kontaktstegen (52; 53) und/oder Kontaktpunkten (54) um die zentrale Kontaktfläche (51) herum angeordnet ist.
3. Lichtemissionsdiode (100) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
  • - die Rotationssymetrie ganzzahlig ist und insbesondere der Rotationssymetrie der Lichtemissionsdiode entspricht.
4. Lichtemissionsdiode (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
  • - die zweite elektrische Kontaktschicht (50) in sich zusam­ menhängend ausgebildet ist.
5. Lichtemissionsdiode (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß
  • - die zweite elektrische Kontaktschicht (50) in sich nicht zusammenhängend ist und durch eine transparente, leitfähige Materialschicht untereinander verbunden ist.
6. Lichtemissionsdiode (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
  • - die zweite elektrische Kontaktschicht (50) auf strukturier­ ten und/oder unstrukturierten Abschnitten der Stromaufwei­ tungsschicht angeordnet ist.
7. Lichtemissionsdiode (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
  • - die vertikale Strukturierung (40) die Form von vorzugsweise regelmäßig angeordneten n-seitigen (n ≧ 3) Pyramiden, Pyra­ midenstümpfen, Kegeln oder Kegelstümpfen aufweist.
8. Verfahren zur Herstellung einer Lichtemissionsdiode (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
  • - auf einem Substrat (10) eine lichterzeugende Schicht (20) und anschließend eine relativ dicke und transparente Strom­ aufweitungsschicht (30) aufgebracht wird und die Substrat­ rückseite mit einer ersten elektrischen Kontaktschicht ver­ sehen wird,
  • - in der Oberfläche der Stromaufweitungsschicht (30) eine vertikale Strukturierung (40) zur Verbesserung der Licht­ auskopplung erzeugt wird,
  • - auf die strukturierte Oberfläche der Stromaufweitungs­ schicht (30) eine zweite elektrische Kontaktschicht (50) mit der gewünschten lateralen Struktur aufgebracht wird.
9. Verfahren zur Herstellung einer Lichtemissionsdiode (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß
  • - auf einem Substrat (10) eine lichterzeugende Schicht (20) und anschließend eine relativ dicke und transparente Strom­ aufweitungsschicht (30) aufgebracht wird und die Substrat­ rückseite mit einer ersten elektrischen Kontaktschicht ver­ sehen wird,
  • - auf die Oberfläche der Stromaufweitungsschicht (30) eine zweite elektrische Kontaktschicht (50) mit der gewünschten lateralen Struktur aufgebracht wird, und
  • - in der Oberfläche der Stromaufweitungsschicht (30) eine vertikale Strukturierung (40) außerhalb der Bereiche der zweiten elektrischen Kontaktschicht (50) zur Verbesserung der Lichtauskopplung erzeugt wird.
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