DE19943127C1 - Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen eines kurzen Strompulses - Google Patents
Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen eines kurzen StrompulsesInfo
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Abstract
Bei einer Vorrichtung und einem Verfahren zum Erzeugen eines kurzen Stromimpulses für einen Verbraucher wird zunächst magnetische Energie in einem induktiven Bauelement gespeichert, und anschließend an ein kapazitives Bauelement für eine Zeitdauer abgegeben, bis zu der eine entsprechende Spannung an dem kapazitiven Bauelement so groß ist, daß der Stromfluß über das kapazitive Bauelement zu dem Verbraucher unterbrochen wird.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung
und ein Verfahren zur Erzeugung eines kurzen Strompulses,
insbesondere auf eine Pulsstromquelle zur Erzeugung kurzer
Strompulse mit Halbwertzeiten herab bis zu wenigen Nano
sekunden und Spitzenströmen von 10 A (Ampere) aufwärts.
Solche Pulsstromquellen werden beispielsweise zur Ansteue
rung von Hochleistungs-Laserdioden verwendet, und anhand der
Fig. 6 und 7 werden nachfolgend im Stand der Technik be
kannte Pulsstromquellen beschrieben.
Die in Fig. 6 dargestellte bekannte Pulsstromquelle 600 um
faßt eine Gleichspannungsquelle UB, über die eine einstell
bare Gleichspannung geliefert wird. Der negative Anschluß
der Gleichspannungsquelle UB ist mit dem Masseanschluß ver
bunden, und ein Widerstand R1 ist mit einem ersten Anschluß
mit dem positiven Anschluß der Gleichspannungsquelle UB ver
bunden. Ein Kondensator C1 ist mit seinem ersten Anschluß
mit einem zweiten Anschluß des Widerstands R1 verbunden und
mit seinem zweiten Anschluß mit Masse verbunden. Parallel zu
dem Kondensator C1 liegt eine Serienschaltung aus dem Ver
braucher X1 und einem Schalttransistor T1, der bei dem in
Fig. 6 dargestellten Beispiel ein Feldeffekttransistor ist.
Der Verbraucher X1 ist mit seinem ersten Anschluß mit dem
ersten Anschluß des Kondensators C1 und dem zweiten Anschluß
des Widerstands R1 verbunden und ein zweiter Anschluß des
Verbrauchers X1 ist mit einem Drain-Anschluß D des Schalt
transistors T1 verbunden. Eine Source-Anschluß S des Schalt
transistors T1 ist mit Masse verbunden und ein Gate-Anschluß
G des Schalttransistors T1 ist mit einem Steuereingang der
Schaltung 600 verbunden, über den ein Steuersignal UE an der
Gate-Elektrode G des Transistors T1 anliegt, bevorzugter
weise in der Form eines Rechteckimpulses, wie dies darge
stellt ist.
Beim Betrieb der Pulsstromquelle 600 wird der Kondensator C1
über den Widerstand R1 aufgeladen und zur Erzeugung des er
wünschten Strompulses durch den Verbraucher X1 wird die
Steuerelektrode bzw. Gate-Elektrode G des Transistors T1 mit
einem positiven Spannungspuls entsprechender Länge und Höhe
gegenüber dem Masse-Potential beaufschlagt. Hierdurch wird
der Schalttransistor T1 in den leitenden Zustand versetzt
und der Kondensator T1 wird über den Verbraucher X1 ent
laden.
Anschließend wird der Transistor T1 wieder gesperrt, so daß
sich der Kondensator C1 über den Widerstand mit der Zeitkon
stante t1 auf die Gleichspannung UB auflädt, wobei die Zeitkon
stante t1 durch den Kapazitätswert des Kondensators C1 und
dem Widerstandswert des Widerstands R1 bestimmt ist. Der im
vorhergehenden beschriebene Ablauf kann nun erneut gestartet
werden.
Die in Fig. 6 dargestellte Pulsstromquelle 600 hat den Nach
teil, daß die mögliche Pulsbreite nach unten hin auf etwa 20
Nanosekunden begrenzt ist, da unvermeidbare Verzögerungszei
ten des Schalttransistors T1 sowie die parasitären Serien-
Induktivitäten im Verbraucherkreis den Stromanstieg verlan
gsamen. Die Länge des Steuerpulses UE muß daher stets kürzer
sein als der gewünschte Strompuls, was zu Ansteuerpulsen in
der Größenordnung weniger Nanosekunden mit Amplituden von 5
bis 10 Volt führt.
Ein weiterer Nachteil der Schaltungsanordnung 600 besteht
darin, daß der Zeitverlauf des Strompulses bedingt durch die
Schaltungsanordnung grundsätzlich unsymmetrisch ist, d. h.
einen steilen Anstieg und einen flachen Abfall aufweist.
Wiederum ein weiterer Nachteil besteht darin, daß die An
steuerquelle zur Erzeugung des Steuersignals UE einen extrem
niedrigen Innenwiderstand aufweisen muß, um die Eingangska
pazität des Schalttransistors T1 in kurzer Zeit umladen zu
können.
Ferner ist die Übertragung derart kurzer Pulse über längere
Entfernungen schwierig und aufwendig.
Hinsichtlich der in Fig. 6 gezeigten, bekannten Pulsstrom
quelle 600 kann zusammenfassend festgestellt werden, daß die
obigen Effekte dazu führen, daß zwar Pulse mit kurzen Puls
breiten erzeugt werden können, jedoch nur mit Amplituden im
mA-Bereich. Die Erzeugung von Pulsen mit Pulsbreiten unter
20 Nanosekunden bei Strömen von einigen Ampere aufwärts ist
kaum möglich.
Eine weitere bekannte Pulsstromquelle wird nachfolgend an
hand der Fig. 7 beschrieben, und die dort gezeigte Puls
stromquelle ist in ihrer Gesamtheit mit dem Bezugszeichen
700 versehen. Die Pulsstromquelle 700 umfaßt eine Gleich
spannungsquelle UB, deren negativer Anschluß mit Masse ver
bunden ist. Der positive Anschluß der Gleichspannungsquelle
UB ist mit einem ersten Anschluß eines Widerstands R1 ver
bunden, dessen zweiter Anschluß mit einem Kollektor-Anschluß
K eines Schalttransistors T2 verbunden ist. Wie zu erkennen
ist, handelt es sich bei dem Schalttransistor T2 um einen
Bipolartransistor. Ein Kondensator C1 ist zwischen den zwei
ten Anschluß des Widerstands R1 und Masse geschaltet. Ein
Emitter-Anschluß E des Transistors T2 ist mit einem ersten
Anschluß eines Verbrauchers X1 verbunden, dessen zweiter An
schluß wiederum gegen Masse verschaltet ist. Ein Basis-An
schluß B des Transistors T2 ist über einen Strombegrenzungs
widerstand R2 mit einem Steuereingang verbunden, an den ein
Ansteuersignal UE an den Basis-Anschluß B des Schalttransi
stors T2 anlegbar ist, vorzugsweise in der Form eines Recht
ecksignals, wie dies gezeigt ist.
Die Gleichspannungsquelle UB speist die Reihenschaltung des
Widerstands R1, des Schalttransistors T2 und des Verbrau
chers X2.
Bei dieser bekannten Quelle wird durch eine hohe Gleichspan
nung von mehreren hundert Volt der Bipolartransistor T2 in
der Nähe des sogenannten Lawinendurchbruchs der Kollektor-
Emitter-Strecke betrieben. Wird nun auf den Steueranschluß
(Basisanschluß B) des Schalttransistors T2 ein kurzer Span
nungspuls gegeben, so wird der Lawinendurchbruch ausgelöst,
und der Transistor schaltet in extrem kurzer Zeit in den
leitenden Zustand und entlädt den Kondensator C1 über den
Verbraucher X1.
Der Transistor kehrt selbständig wieder in den sperrenden
Zustand zurück und der Kondensator C1 lädt sich über den
Widerstand R1 auf die Betriebsspannung UB wieder auf, und
der gerade beschriebene Ablauf läßt sich erneut starten.
Die Schaltung 700 ist dahingehend nachteilhaft, daß zum
Betrieb eine hohe Gleichspannung von mehreren hundert Volt
benötigt wird, deren Erzeugung bzw. Bereitstellung auf
wendig, platzraubend und teuer ist. Ferner sind gegebenen
falls entsprechende Schutzvorschriften bezüglich Berührung
o. ä. zu beachten.
Ein weiterer Nachteil besteht darin, daß der verwendete Bi
polartransistor T2 für die spezielle Betriebsart des Lawi
nendurchbruchs geeignet sein muß, und es gibt derzeit welt
weit nur wenige Anbieter für solche Spezialbauteile, so daß
eine langfristige Verfügbarkeit derselben nicht garantiert
werden kann. Ferner besteht ein Nachteil dahingehend, daß
die Hersteller solcher Bipolartransistoren nur eine be
grenzte Anzahl von Strompulsen garantieren, so daß hierdurch
die Einsatzdauer der Pulsstromquelle eingeschränkt ist. Ein
weiterer Nachteil besteht darin, daß die verschiedenen Bi
polartransistor-Spezifikationen deutlich temperaturabhängig
sind.
Wiederum ein weiterer Nachteil dieser Anordnung besteht
darin, daß die Amplitude und der Zeitverlauf des Pulsstromes
stark von Streuungen der Transistordaten und parasitären
Komponenten der Schaltung abhängig sind.
Somit ist die Herstellung einer solchen Pulsstromquelle in
größeren Stückzahlen über längere Zeiträume insgesamt pro
blematisch.
Die WO 97/22179 zeigt eine Schaltung, mittels der kurze Im
pulse erzeugt werden. Die Schaltung umfaßt eine Gleichstrom
quelle, und zwischen die Gleichstromquelle und ein Schalt
element ist eine Spule geschaltet, welche über das Schalt
element mit Masse verbindbar ist. Ferner ist an einen An
schluß der Spule ein Kondensator in Serie mit einer Last
gegen Masse verschaltet. Der Schalter wird angesteuert, um
eine Verbindung der Spule gegen Masse herzustellen, um so
eine Speicherung von Energie in der Spule zu bewirken. Bei
Erreichen einer maximalen Spannung am Kondensator wird der
Schalter wieder durchgeschaltet, um den Nutzimpuls zu er
zeugen. Bei einer weiteren Schaltung ist ein zweiter Schal
ter vorgesehen, der nach dem Erreichen der maximalen Konden
satorspannung schaltet, um den Nutzimpuls zu erzeugen.
Die DE 32 16 312 A1 beschreibt eine Schaltungsanordnung zum
Betrieb von Pulslaserdioden. Ein Ansteuersignal für einen
ersten Schalter wird bereitgestellt, der einen Transformator
gegen Masse schaltet, so daß eine Batteriespannung über den
Transformator hochtransformiert wird. Die auf der Sekundär
seite des Transformators entstehende Spannung lädt einen
Kondensator auf und gleichzeitig wird ein zweites Ansteuer
signal erzeugt, welches bei Erreichen eines Maximalwertes
der Kondensatorspannung an einen zweiten Schalter in Form
eines Durchschalttransistors angelegt wird, wodurch der
Durchschalttransistor durchbricht, so daß ein kurzer
Spannungsimpuls erzeugt wird.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der vorliegen
den Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine verbesserte Vor
richtung zur Erzeugung eines kurzen Stromimpulses zu schaf
fen, die auf einfache Art und Weise die Erzeugung von Puls
strömen unter Vermeidung der eingangs beschriebenen Nach
teile der bekannten Pulsstromquellen ermöglicht.
Diese Aufgabe wird durch eine Vorrichtung nach Anspruch 1
gelöst.
Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung ist das induktive Bauelement über ein Schaltele
ment, welches z. B. durch einen Feldeffekttransistor reali
siert ist, mit dem Bezugspotential, z. B. Masse, verbunden,
und der Feldeffekttransistor wird über einen Steuereingang
derart angesteuert, daß er während der ersten Zeitdauer das
induktive Bauelement mit einer Gleichspannungsquelle ver
bindet, um so das Aufladen desselben zu bewirken und während
einer zweiten Zeitdauer das induktive Bauelement von der
Gleichspannungsquelle trennt, um so einen Stromfluß zu dem
Verbraucher und das Aufladen des kapazitiven Bauelements zu
bewirken. Bei Erreichen der vorbestimmten Spannung an der
Serienschaltung aus kapazitiven Bauelement und Verbraucher
bricht die Drain-Source-Strecke aufgrund des Lawinendurch
bruch-Effekts des Feldeffekttransistors durch, so daß der
selbe leitend wird. Die Spannung über den Drain- und
Source-Anschluß bleibt im wesentlichen konstant. Aufgrund
des Durchbruchs wird der Spannungsanstieg an dem kapazitiven
Bauelement gestoppt und damit auch der kapazitive Ladestrom,
so daß der Laststrom auf Null absinkt.
Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiels kann parallel
zwischen dem Drain- und dem Source-Anschluß eine Zener-Diode
vorgesehen sein, die gegenüber dem Feldeffekttransistor eine
niedrigere Druchbruchspannung hat. In diesem Fall wird der
Stromfluß durch das kapazitive Bauelement nicht durch den
Durchbruch des Feldeffekttransistors bewirkt, sondern
aufgrund des Durchbruchs der Zener-Diode.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist das induktive Bauele
ment entweder durch ein Spulenbauelement oder durch ein
Transformatorbauelement gebildet, wobei die Verwendung eines
Transformatorbauelements den Vorteil aufweist, daß im Gegen
satz zu einem Spulenbauelement weitere Freiheitsgrade hin
sichtlich der Entwicklung eingeführt werden können, da z. B.
über das Übersetzungsverhältnis, welches vom Wicklungsver
hältnis abhängt, der Strom und die Spannung, die verwendet
werden, eingestellt werden können.
Der Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß
durch diese eine Pulsstromquelle geschaffen wird, die die
eingangs beschriebenen Nachteile nicht mehr aufweist, und
insbesondere die Erzeugung von Pulsströmen von mindestens 10
A bei Pulsbreiten von beispielsweise unter 20 Nanosekunden,
bevorzugterweise unter 10 Nanosekunden, ermöglicht, wobei
die Kenndaten weitgehend unabhängig von Bauteil-Toleranzen
und der Temperatur sind.
Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß die Eingangspulse im
Bereich von einer Mikrosekunde bis 10 Mikrosekunden liegt,
die problemlos über lange Strecken übertragbar sind.
Wiederum ein weiterer Vorteil besteht darin, daß der Her
stellungsaufwand mit dem der bekannten Pulsstromquellen ver
gleichbar ist, und vorzugsweise sogar deutlich geringer ist.
Bevorzugte Weiterbildungen der vorliegenden Erfindung sind
in den Unteransprüchen definiert.
Nachfolgend werden unter Bezugnahme auf die beiliegenden
Zeichnungen bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden
Erfindung näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Pulsstromquelle
gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2A und 2B Realisierungen des in Fig. 1 gezeigten in
duktiven Bauelements;
Fig. 3 eine Pulsstromquelle gemäß einem ersten Ausführungs
beispiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 4 ein Diagramm zur Darstellung der Stromverläufe in
dem Verbraucher und dem Transistor in der Pulsstrom
quelle aus Fig. 3;
Fig. 5 eine Pulsstromquelle gemäß einem zweiten Ausfüh
rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 6 eine erste bekannte Pulsstromquelle; und
Fig. 7 eine zweite bekannte Pulsstromquelle.
In der nachfolgenden Beschreibung der vorliegenden Erfindung
werden in den unterschiedlichen Zeichnungen für gleichartige
oder gleichwirkende Elemente gleiche Bezugszeichen verwen
det, und eine entsprechende erneute Beschreibung dieser Ele
mente erfolgt nicht. In der nachfolgenden Beschreibung wird
Bezug genommen auf eine Massepotential. Es ist offensicht
lich, das anstelle des beschriebenen Massepotentials jedes
geeignete Bezugspotential verwenden werden kann.
Anhand der schematischen Darstellung in Fig. 1 wird nach
folgend die erfindungsgemäße Pulsstromquelle näher erläu
tert, wobei bevorzugte Ausgestaltungen und Realisierungen
derselben nachfolgend anhand der Fig. 3 und 5 erläutert
werden.
Die Pulsstromquelle 100 umfaßt einen Eingangsanschluß 102
sowie einen Ausgangsanschluß 104. An den Eingangsanschluß
102 kann eine Gleichspannungsquelle UB angeschlossen werden,
und am Ausgangsanschluß 104 ist der Verbraucher X angeordnet
bzw. mit dem Ausgangsanschluß 104 verbunden. Die Gleichspan
nungsquelle UB kann z. B. eine herkömmliche Laborgleichspan
nungsquelle sein, die eine 9 V bis 30 V Gleichspannung be
reitstellt.
Ein induktives Bauelement L umfaßt einen ersten Anschluß,
der mit dem Eingangsanschluß 102 verbunden ist. Ein zweiter
Anschluß des induktiven Bauelements L ist mit einem ersten
Anschluß eines Schaltelements T verbunden, dessen zweiter
Anschluß gegen Masse verschaltet ist. Ein Kondensator C ist
zwischen den zweiten Anschluß des induktiven Bauelements L
und den Ausgangsanschluß 104 geschaltet. Wie in Fig. 1 dar
gestellt ist, kann das Schaltelement T abhängig von einem
anliegenden Steuersignal, das über einen Steuersignaleingang
106 angelegt wird, das induktive Bauelement L mit Masse ver
binden oder von derselben trennen.
In Fig. 2 sind unterschiedliche Realisierungen für das in
duktive Bauelement L aus Fig. 1 dargestellt. Das induktive
Bauelement L kann entweder in Form einer herkömmlichen Spule
L (siehe Fig. 2A) oder in Form eines Transformators (siehe
Fig. 2B) realisiert werden. In Fig. 2B ist durch N1 und N2
die jeweilige Wicklungszahl der Spulen des Transformators
angegeben und ü gibt das Übersetzungsverhältnis an, das
durch das Verhältnis von N2 zu N1 bestimmt ist. Gegenüber
der einfachen Spule L, wie sie in Fig. 2A gezeigt ist, hat
der Transformator, wie er in Fig. 2B gezeigt ist, den Vor
teil, daß hierdurch zusätzliche Freiheitsgrade bei der Ent
wicklung oder beim Entwurf der Schaltung bereitgestellt wer
den, nachdem z. B. die durch eine Gleichspannungsquelle UB
abgegebene Spannung auf einem Wert gehalten wird, wie der
durch eine herkömmliche Spannungsquelle erreicht werden kann
und mittels des Transformators wird dann eine entsprechende
Umwandlung der Spannung in den erwünschten Spannungswert
herbeigeführt.
Wie später noch beschrieben wird, ist das Schaltelement T
(siehe Fig. 1) bevorzugterweise durch einen Feldeffekttran
sistor realisiert, wobei ein Einsatz von bipolaren Transi
storen jedoch ebenfalls möglich ist.
In Fig. 3 ist ein erstes Ausführungsbeispiel der erfindungs
gemäßen Pulsstromquelle dargestellt, die eine Spannungsquel
le UB umfaßt, die über ein induktives Bauelement L mit einem
Drain-Anschluß D des Schalttransistors T verbunden ist. Der
Source-Anschluß S des Schalttransistors T ist mit dem Mi
nus-Pol der Gleichspannungsquelle UB und mit Masse verbun
den.
Parallel zu dem Drain-Anschluß D und Source-Anschluß S des
Schalttransistors T ist die Reihenschaltung des Kondensators
C und des Verbrauchers X angeordnet.
An dem Steuerungsanschluß 106 ist eine nicht näher darge
stellte Steuerungseinrichtung angeordnet, die in dem darge
stellten Ausführungsbeispiel durch eine Spannungsquelle re
alisiert sein kann, die ein rechteckförmig verlaufendes
Spannungssteuersignal UE bereitstellt, welches zur Ansteue
rung des Schalttransistors T dient.
Die Erzeugung eines Pulsstromes wird nachfolgend anhand der
Fig. 3 und 4 näher erläutert, wobei in Fig. 4 ein Diagramm
der Stromverläufe in dem Verbraucher X bzw. in dem Schalt
transistor T gezeigt ist, wobei in Fig. 4 der mit dem Be
zugszeichen 108 gekennzeichnete Signalverlauf den Stromver
lauf im Verbraucher X darstellt, und der mit dem Bezugszei
chen 110 gekennzeichnete Stromverlauf den Stromverlauf in
dem Schalttransistor T darstellt. Die Signalverläufe 108 und
110 sind jeweils über der Zeit aufgetragen. In Fig. 4 ist
mit "0" jeweils die Null-Linie des jeweiligen Signalverlaufs
dargestellt.
Im Ruhezustand, der in Fig. 4 nicht dargestellt ist, ist die
Ansteuerspannung UE Null Volt und somit ist der Schalttran
sistor T geöffnet. Am Drain-Anschluß D liegt dann die
Gleichspannung UB an.
Zum Zeitpunkt tein wird die Steuerspannung UE auf einen po
sitiven Wert Uein geschaltet. Dieser positive Wert Uein der
Steuerspannung UE ist ausreichend weit über der Einsatzspan
nung des Schalttransistors T. Der Schalttransistor T wird in
den leitenden Zustand versetzt und ermöglicht einen Strom
fluß vom positiven Pol der Gleichspannungsquelle UB über das
induktive Bauelement L und den Schalttransistor T zurück zum
Minus-Pol der Gleichspannungsquelle UB.
Entsprechend den physikalischen Zusammenhängen zwischen
Strom und Spannung an einem induktiven Bauelement ergibt
sich ein im wesentlichen linearer Anstieg des Stroms IL, so
lange der Schalttransistor T durch die Ansteuerspannung UE
in seinem leitenden Zustand gehalten wird (siehe Fig. 4 -
Bezugszeichen 113).
Die Spannung US über der Serienschaltung des Kondensators C
und des Verbrauchers X entspricht damit der Einschaltspan
nung des Schalttransistors T. Diese Spannung kann in dieser
Phase vernachlässigt werden, und somit ist auch der Strom IS
gleich dem Strom IL.
Wird die Ansteuerspannung zum Zeitpunkt taus wieder auf Null
Volt gesetzt, kehrt der Schalttransistor T in seinen sper
renden Zustand zurück. Die in dem induktiven Bauelement L
gespeicherte magnetische Energie bewirkt, daß der vor der
Abschaltung fließende Strom über den Kondensator C und den
Verbraucher X fließt, und führt zu einer extrem schnellen
Aufladung des Kondensators C.
Erreicht die Spannung US die Durchbruchspannung des Schalt
transistors T, so setzt der kontrollierte Lawinendurchbruch
über die Drain-Source-Strecke ein, und die Spannung am
Drain-Anschluß D wird auf einem nahezu konstanten Wert ge
halten.
Damit wird der Stromfluß über den Kondensator C abrupt be
endet, und in der Summe wird ein sehr kurzer Stromimpuls mit
hoher Amplitude erzeugt. Die überschüssige Energie in dem
induktiven Bauelement L wird aufgrund des Lawinendurchbruchs
so abgebaut, daß sich ein im wesentlichen linearer Stromab
fall im Schalttransistor einstellt (siehe Fig. 4 - Bezugs
zeichen 114).
Anhand der Fig. 4 sei dieses Funktionsprinzip nochmals näher
erläutert. Wie gezeigt ist, wird, ausgehend von einem Zeit
punkt tein bis zu dem Zeitpunkt taus zu dem der Schalttran
sistor T von seinem leitenden in seinen nicht leitenden Zu
stand umschaltet, der Strom durch den Schalttransistor T
stetig anwachsen. Zum Zeitpunkt der Ausschaltung des Tran
sistors T erfolgt aufgrund der in dem induktiven Bauelement
L gespeicherten Energie und aufgrund des Stromflußweges, wie
er nun über das kapazitive Bauelement C zu dem Verbraucher X
definiert ist, eine sehr schnelle Aufladung des Kondensators
C, der seinerseits über den Verbraucher X aufgeladen wird.
Die an dem Kondensator C anliegende Spannung steigt eben
falls sehr schnell an und sobald diese die Durchbruchspan
nung der Drain-Source-Strecke des Schalttransistors T er
reicht, tritt im Schalttransistor der Lawinendurchbruch ein,
so daß ein Strom von dem induktiven Bauelement L wieder über
den Schalttransistor fließt, so daß zum einen ein Stromfluß
zu dem Kondensator C ausgehend von dem induktiven Bauelement
L unterbrochen wird, und gleichzeitig eine Entladung des
Kondensators C über das Verbraucherelement X nicht stattfin
det, so daß sich der in Fig. 4 dargestellte schmale und hohe
Strompuls 112 einstellt. Nach dem Eintreten des Lawinen
durchbruchs verbleibt die Drain-Spannung auf einem vorbe
stimmten Wert, und der Stromfluß durch den Schalttransistor
T nimmt linear ab, wie dies bei 114 in Fig. 4 gezeigt ist.
Äquivalent kann der Druchbruch der Drain-Source-Strecke des
Feldeffekttransistors als Verbindung des induktiven Bauele
ments mit Masse über eine "gedachte Durchbruchspannungs
quelle" mit im wesentlichen konstanter Spannung betrachtet
werden, so daß sich der oben beschriebene lineare Stromab
fall einstellt.
Die Amplitude des Strompulses 112 wird durch die Gleichspan
nung UB, die Induktivität des induktiven Bauelements L und
die Dauer des Ansteuerpulses (taus - tein) bestimmt. Somit
ergibt sich die Möglichkeit, die Stromamplitude über die
Dauer des Ansteuerpulses zu steuern.
Die Breite des Strompulses ist hierbei bei sonst gleichen
Betriebsbedingungen in erster Näherung umgekehrt propor
tional zu der Pulsamplitude, d. h. sie vermindert sich mit
steigender Amplitude.
Die beim Umschalten noch in dem kapazitiven Bauelement ge
speicherte Energie wird nach dem Lawinendurchbruch durch
eine Entladung des Kondensators C abgebaut, wobei sich hier
bei die in Fig. 4 bei 116 gezeigten Schwingungen einstellen,
die darauf zurückzuführen sind, daß das induktive Bauelement
L zusammen mit dem Kondensator C und dem Verbraucher X ein
schwingfähiges Gebilde mit einer bestimmten Eigenresonanz
und einem Dämpfungsverhalten darstellt. In diesem Zusammen
hang ist darauf zu achten, daß die Schaltung insgesamt so
dimensioniert ist, daß durch das Nachschwingen keine Strom
impulse erzeugt werden, die hoch genug sind, um z. B. den
Schwellenstrom der als Verbraucher vorgesehenen Laserdiode
zu überschreiten, so daß eine unerwünschte mehrfache Betäti
gung der Laserdiode vermieden wird.
Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung ist die in Fig. 3 gezeigte Pulsstromquelle derart
dimensioniert, daß dieselbe mit einer Betriebsspannung von
15 Volt betrieben wird, wobei die Eingangspulsbreite 5 µsec
beträgt, also die Pulsbreite des Rechtecksignals mittels dem
der Schalttransistor gesteuert wird, also die Dauer des An
steuerpulses taus - tein. Die Induktivität des induktiven
Bauelements L beträgt etwa 3 µH und die Kapazität des Kon
densators C beträgt etwa 470 pF. Mit dieser Beschaltung läßt
sich bei der Verwendung einer Laserdiode als Verbraucher X
eine Pulsbreite des Laserstroms im Bereich von 2 nsec bis 10 nsec
erreichen, bei Spitzenwerten für den Laserstrom von 20 A
bis 50 A.
In Fig. 5 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorlie
genden Erfindung gezeigt, welches im wesentlichen dem aus
Fig. 3 entspricht, wobei jedoch parallel zu der Drain-
Source-Strecke des Schalttransistors eine Zener-Diode ge
schaltet ist. Durch die Zener-Diode wird die Durchbruch-
Funktion, die im vorhergehenden Ausführungsbeispiel dem
Feldeffekttransistor zugeordnet war, aus dem Schalttransi
stor "ausgelagert". Hierdurch kann die Durchbruchspannung
unabhängig von den Eigenschaften des Schalttransistors durch
geeignete Auswahl der verwendeten Zener-Diode eingestellt
werden. Dies führt zu einer thermischen Entlastung des
Schalttransistors und bietet zusätzlich einen weiteren Frei
heitsgrad bei der Optimierung.
Zener-Dioden mit einem ausreichend schnellen Ansprechverhal
ten (≦ 0,5 nsek) und hoher Stoßstrombelastbarkeit im kW-Be
reich sind heute als Standardbauelemente ("Supressor-
Dioden") erhältlich.
Claims (9)
1. Vorrichtung zum Erzeugen eines kurzen Strompulses für
einen an einem Ausgangsanschluß (104) angeordneten Ver
braucher (X), mit
einem Eingangsanschluß (102) zum Anlegen einer Gleich spannung (UB);
einem Schaltelement (T; T, D) mit einem Steuereingang (106), an den ein Ansteuersignal (UE) anlegbar ist;
einem induktiven Bauelement (L), dessen erster Anschluß mit dem Eingangsanschluß (102) verbunden ist, und dessen zweiter Anschluß über das Schaltelement (T; T, D) mit einem Bezugspotential verbindbar ist, wobei das in duktive Bauelement (L) während einer ersten Zeitdauer mit einem Bezugspotential verbunden ist, um magnetische Energie zu speichern, wobei die erste Zeitdauer durch die Dauer bestimmt ist, während der das Ansteuersignal (UE) das Schaltelement (T; T, D) in seinem leitenden Zu stand hält; und
einem kapazitiven Bauelement (C), das zwischen den zwei ten Anschluß des induktiven Bauelements (L) und den Aus gangsanschluß (104) geschaltet ist, wobei, während einer zweiten Zeitdauer während der das induktive Bauelement (L) von dem Bezugspotential getrennt ist, aufgrund der gespeicherten magnetischen Energie ein Strom über das kapazitive Bauelement zu dem Verbraucher (X) fließt und das kapazitive Bauelement (C) aufgeladen wird,
wobei das Anliegen einer vorbestimmten Spannung an der Serienschaltung aus kapazitiven Bauelement (C) und Ver braucher (X) einen Durchbruch des Schaltelements (T; T, D) bewirkt und den Stromfluß über das kapazitive Bauele ment (C) zu dem Verbraucher (X) unterbricht, und
wobei die Höhe des zu erzeugenden Strompulses von der ersten Zeitdauer des Ansteuersignals (UE) abhängt.
einem Eingangsanschluß (102) zum Anlegen einer Gleich spannung (UB);
einem Schaltelement (T; T, D) mit einem Steuereingang (106), an den ein Ansteuersignal (UE) anlegbar ist;
einem induktiven Bauelement (L), dessen erster Anschluß mit dem Eingangsanschluß (102) verbunden ist, und dessen zweiter Anschluß über das Schaltelement (T; T, D) mit einem Bezugspotential verbindbar ist, wobei das in duktive Bauelement (L) während einer ersten Zeitdauer mit einem Bezugspotential verbunden ist, um magnetische Energie zu speichern, wobei die erste Zeitdauer durch die Dauer bestimmt ist, während der das Ansteuersignal (UE) das Schaltelement (T; T, D) in seinem leitenden Zu stand hält; und
einem kapazitiven Bauelement (C), das zwischen den zwei ten Anschluß des induktiven Bauelements (L) und den Aus gangsanschluß (104) geschaltet ist, wobei, während einer zweiten Zeitdauer während der das induktive Bauelement (L) von dem Bezugspotential getrennt ist, aufgrund der gespeicherten magnetischen Energie ein Strom über das kapazitive Bauelement zu dem Verbraucher (X) fließt und das kapazitive Bauelement (C) aufgeladen wird,
wobei das Anliegen einer vorbestimmten Spannung an der Serienschaltung aus kapazitiven Bauelement (C) und Ver braucher (X) einen Durchbruch des Schaltelements (T; T, D) bewirkt und den Stromfluß über das kapazitive Bauele ment (C) zu dem Verbraucher (X) unterbricht, und
wobei die Höhe des zu erzeugenden Strompulses von der ersten Zeitdauer des Ansteuersignals (UE) abhängt.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der das Schaltelement
(T; T, D) abhängig von dem Ansteuersignal (UE) derart
gesteuert ist, daß während der ersten Zeitdauer das in
duktive Bauelement (L) mit dem Bezugspotential verbunden
ist, so daß aufgrund der am Eingangsanschluß (102) an
liegenden Gleichspannung (UB) magnetische Energie in dem
induktiven Bauelement (L) gespeichert wird.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, bei der das Schalt
element (T) ein Feldeffekttransistor ist, dessen Drain-
Elektrode (D) mit dem zweiten Anschluß des induktiven
Bauelements (L) verbunden ist, dessen Source-Elektrode
(S) mit dem Bezugspotential verbunden ist, und dessen
Gate-Elektrode (G) mit dem Steuereingang (106) verbunden
ist,
wobei der Feldeffekttransistor (T) derart dimensioniert ist, daß bei Erreichen der vorbestimmten Spannung ein Lawinendurchbruch zwischen der Drain-Elektrode (D) und der Source-Elektrode (S) erfolgt.
wobei der Feldeffekttransistor (T) derart dimensioniert ist, daß bei Erreichen der vorbestimmten Spannung ein Lawinendurchbruch zwischen der Drain-Elektrode (D) und der Source-Elektrode (S) erfolgt.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, bei der dem Feldeffekttran
sistor (T) eine Zener-Diode (D) parallel geschaltet ist,
die bei Erreichen der vorbestimmten Spannung durch
bricht.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der
das induktive Bauelement (L) eine Spule ist.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der
das induktive Bauelement (L) ein Transformator ist.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der
das induktive Bauelement (L) eine Induktivität von etwa
3 µH, und das kapazitive Bauelement (C) eine Kapazität
von 470 pF hat.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei der
Verbraucher (X) eine Laserdiode ist.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei der
die Pulsdauer kleiner als 20 nsec ist, und bei der die
Amplitude 10 A bis 30 A oder höher ist.
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