DE10236355C1 - Vorrichtung zum Erzeugen kurzer leistungsstarker elektrischer Pulse - Google Patents
Vorrichtung zum Erzeugen kurzer leistungsstarker elektrischer PulseInfo
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Abstract
Eine Vorrichtung zum Erzeugen kurzer leistungsstarker elektrischer Pulse weist wenigstens einen Avalanche-Schalttransistor (10), einen Energiespeicherkondensator (11) und eine den oder jeden Energiespeicherkondensator (11) aufladende, zwischen Ladephasen einen hohen Ausgangswiderstand aufweisende Ladeeinheit auf. Es ist eine mit einem Triggersignal ansteuerbare Steuereinheit (14) vorhanden, mit der ein Ladesignal und ein Entsättigungssignal generierbar sind. Die Ladeeinheit weist wenigstens eine mit dem Ladesignal schaltbare Stromquelle (24) auf, die zwischen Ladephasen und auch während einer Ladephase einen hohen Ausgangswiderstand aufweist. Weiterhin ist eine mit dem Entsättigungssignal schaltbare Entsättigungseinheit (25) vorhanden, mit der nach Abklingen eines Pulses die Basis des oder jedes Schalttransistors (10) während einer Entsättigungsphase mit einem gegenüber der Lawinenvorspannung höheren sperrenden Entsättigungsvorspannung beaufschlagbar ist. Die erfindungsgemäße Vorrichtung zeichnet sich bei einer verhältnismäßig geringen zusätzlichen Belastung von Bauelementen durch die Ladeeinheit durch eine verhältnismäßig hohe Pulswiederholfrequenz bei kurzen Pulsen mit steilen Anstiegsflanken aus.
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Erzeugen kurzer
leistungsstarker elektrischer Pulse mit wenigstens einem in einer
Betriebsart mit einem Lawinendurchbruch betreibbaren Schalt
transistor, mit einer der Anzahl der Schalttransistoren ent
sprechenden Anzahl von Energiespeicherkondensatoren und mit
einer Ladeeinheit, mit der der oder jeder Energiespeicherkon
densator in Ladephasen aufladbar ist, wobei die Ladeeinheit
zwischen den Ladephasen einen hohen Ausgangswiderstand
aufweist.
Eine derartige Vorrichtung ist aus dem Artikel "Avalance tran
sistors give fast pulses . . ." von W. B. Mitchell, erschienen in
Electronic Design 6, 14. März 1968, Seiten 202 bis 209, be
kannt. Im Ausgangskreis eines als sogenannter Avalanche-
Transistor des npn-Typs ausgebildeten Schalttransistors, der in
einer Betriebsart mit einem Lawinendurchbruch, dem sogenann
ten Avalanche-Prozeß, betreibbar ist, liegt zwischen dem Kollek
tor des Schalttransistors und der Schaltmasse zusammen mit
einem Energiespeicherkondensator eine mit kurzen leistungs
starken elektrischen Pulsen zu beaufschlagende Last. Zwischen
der Versorgungsspannung und dem Kollektor des Schalttran
sistors liegt ein hochohmiger Kollektorversorgungswiderstand.
Die Pulse sind durch entsprechende Ansteuerung des Schalt
transistors mit über einen Koppelkondensator auf die über einen
Vorwiderstand an eine sperrende Basisvorspannung gelegte
Basis mit Triggersignalen zum Auslösen eines Lawinendurch
bruchs erzeugbar.
Um nach Erzeugen eines Pulses den nunmehr entladenen
Energiespeicherkondensator wieder aufzuladen, ist eine Lade
einheit vorgesehen, die einen passiv betriebenen Ladetransistor
des npn-Typs aufweist. Der Kollektor des Ladetransistors liegt
an der Versorgungsspannung, während zwischen dem mit dem
der Last abgewandten Anschluss des Energiespeicherkonden
sators verbundenen Emitter und dem mit dem Kollektor des
Schalttransistors verbundenen Kollektor des Ladetransistors
eine Diode geschaltet ist. Dadurch ist der hochohmige Kollektor
versorgungswiderstand während einer Ladephase aufgrund des
niedrigen Ausgangswiderstands der Ladeeinheit gebrückt,
während nach der mit einem im wesentlichen exponentiellen
Stromverlauf erfolgten Ladephase der Ausgangswiderstand der
Ladeeinheit aufgrund des gesperrten Ladetransistors wieder
hochohmig ist.
Die Pulswiederholfrequenzen bei derartigen Vorrichtungen
liegen bei einer Last von beispielsweise 1 Ohm typischerweise
im Bereich bis etwa 30 kHz und sind bei Bewahren von Pulsen
mit steilen Anstiegsflanken unter anderem durch den hoch
ohmigen Kollektorversorgungswiderstand und den ohmschen
Widerstand der Diode begrenzt. Nachteilig bei dieser Vorrich
tung ist eine Verschlechterung der Pulsform, das heißt in erster
Linie eine Abflachung der Anstiegsflanken durch die Induktivität
der Diode und eine Verlängerung der Pulsdauer. Aufgrund des
Diodenwiderstands nimmt auch die Pulsamplitude ab. Außer
dem kann der Ladestrom am Anfang des exponentiellen Lade
vorganges sehr groß sein, da der Ladetransistor einen kleinen
Ausgangswiderstand aufweist. Dieser Strompuls kann Stö
rungen, insbesondere ein Übersprechen, in empfindliche Schal
tungen einer Messvorrichtung wie beispielsweise in einem
Empfänger eines Laserentfernungsmessgerätes verursachen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung der
eingangs genannten Art anzugeben, die sich bei durch die
Ladeeinheit hervorgerufenen verhältnismäßig geringen zusätz
lichen Belastungen von Bauelementen oder Leistungsverlusten
durch eine verhältnismäßig hohe Pulswiederholfrequenz bei
kurzen Pulsen mit steilen Anstiegsflanken auszeichnet.
Diese Aufgabe wird bei einer Vorrichtung der eingangs genann
ten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass eine mit einem
Triggersignal ansteuerbare Steuereinheit vorhanden ist, mit der
ein Ladesignal und ein Entsättigungssignal generierbar sind,
dass die Ladeeinheit eine der Anzahl der Energiespeicher
kondensatoren entsprechende Anzahl von mit dem Ladesignal
der Steuereinheit schaltbaren Stromquellen aufweist, die jeweils
auch während des Ladevorgangs einen hohen Ausgangswider
stand aufweisen, und dass eine mit dem Entsättigungssignal der
Steuereinheit schaltbare Entsättigungseinheit vorhanden ist, mit
der nach Abklingen eines Pulses die Basis des oder jedes
Schalttransistors während einer Entsättigungsphase mit einem
gegenüber der Lawinenvorspannung höheren sperrenden Ent
sättigungsvorspannung beaufschlagbar ist.
Dadurch, dass die erfindungsgemäßen Vorrichtung eine mit
einem Triggersignal ansteuerbare Steuereinheit aufweist, mit der
über Ladesignale und Entsättigungssignale wenigstens eine
Stromquelle einer Ladeeinheit beziehungsweise eine zum Ver
kürzen der Sättigungsphase durch schnelles Abführen von
Ladungsträgern aus der Basis des oder jedes Schafttransistors
eingerichtete Entsättigungseinheit ansteuerbar sind, ist eine
Entkopplung der Aufladung des oder jedes Energiespeicher
kondensators und der Vorbereitung des oder jedes Schalttran
sistors auf den nächsten Lawinendurchbruch, dem sogenannten
Avalanche-Effekt, geschaffen. Nunmehr sind die Betriebs- und
Bauteilparameter für jeden dieser beiden Vorgänge im wesent
lichen unabhängig voneinander ohne gegenseitige Beeinflus
sung insbesondere im Hinblick auf kurze Pulse mit steilen An
stiegsflanken und eine kurze Lade- sowie Entsättigungsphase
optimierbar. Es wird auch die Gefahr von unter Umständen
durch die Ladeeinheit ausgelösten spontanen Lawinendurch
brüchen im wesentlichen beseitigt.
Da die oder jede Stromquelle der Ladeeinheit auch während der
Ladephasen einen verhältnismäßig hohen Ausgangswiderstand
aufweist, werden die Bauelemente und insbesondere auch der
oder jeder Schalttransistor durch den mit einem im wesentlichen
konstanten Strom erfolgenden Ladevorgang nur verhältnismäßig
gering belastet, und die Leistungsverluste sind verhältnismäßig
gering. Weiterhin sind durch die verhältnismäßig geringe Strom
änderungsrate die von dem Ladestrom verursachten, oben
erwähnten Störungen relativ gering bis praktisch vernachlässig
bar.
Durch diese Maßnahmen wird bei geringen Leistungsverlusten
und Belastungen der Bauelemente sowie kurze Pulse von eini
gen Nanosekunden mit steilen Anstiegsflanken der Pulse eine
erhebliche Steigerung der Pulswiederholfrequenz gegenüber
dem Stand der Technik um etwa einen Faktor 100 und mehr
erzielt.
Bei einer zweckmäßigen Weiterbildung der erfindungsgemäßen
Vorrichtung ist zum Verkürzen der Entsättigungsphase vor
gesehen, dass die Entsättigungseinheit wenigstens einen mit
dem Ansteueranschluss eines Schalttransistors verbundenen
Entsättigungswiderstand aufweist, der kleiner als ein ebenfalls
mit dem Ansteueranschluss des Schalttransistors verbundener
resultierender Widerstand einer Lawinenvorspannungsschaltung
einer mit dem Triggersignal beaufschlagbaren Lawinensignal
generiereinheit ist.
Bei einer weiteren zweckmäßigen Weiterbildung der erfindungs
gemäßen Vorrichtung weist die Steuereinheit zeitbestimmende
Glieder, insbesondere ein Zeitverzögerungsglied und zwei
Pulsdauerglieder mit beispielsweise unterschiedlichen Halte
zeiten, zum zeitversetzten Generieren zuerst des Entsättigungs
signals anschließend des Ladesignals auf.
Bei einer weiteren zweckmäßigen Weiterbildung der erfindungs
gemäßen Vorrichtung weist die Steuereinheit eine differenzielle
Verstärkerschaltung mit einem ersten Steuertransistor und
einem zweiten Steuertransistor auf, bei denen die Ansteuer
anschlüsse an zueinander komplementäre Ausgänge eines
Pulsdauerglieds, zwei Ausgangsanschlüsse über eine gemein
same Steuerwiderstandsschaltung an eine Spannung, der
andere Ausgangsanschluss eines Steuertransistors an eine
weitere Spannung und der andere Ausgangsanschluss des
anderen Steuertransistors an den Eingang wenigstens einer
Stromquelle der Ladeeinheit angeschlossen sind.
Zweckmäßig ist weiterhin, dass die oder jede Stromquelle einen
mit seinem Ansteueranschluss über eine Spannungsteiler
schaltung mit der Steuereinheit verbundenen Ladetransistor
aufweist, wobei ein Ausgang des Ladetransistors mit einer
Ladewiderstandsschaltung und der andere Ausgang des
Ladetransistors mit einem Energiespeicherkondensator und
einem Ausgang des Schalttransistors verbunden sind.
Bei einer weiteren zweckmäßigen Ausgestaltung einer Weiter
bildung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung mit einer einen
Entsättigungswiderstand aufweisenden Entsättigungseinheit ist
bei mehreren Schalttransistoren zweckmäßigerweise vorgese
hen, dass die Entsättigungseinheit eine der Anzahl der Schalt
transistoren entsprechende Anzahl von Entsättigungswider
ständen und in Durchlassrichtung geschaltete Entkopplungs
dioden aufweist, die jeweils in Reihe geschaltet und an die Basis
eines Schalttransistors gelegt sind. Dadurch sind die Schalt
transistoren unter Ausgleich von möglicherweise unterschied
lichen Betriebscharakteristika voneinander getrennt ansteuerbar.
Weitere zweckmäßige Ausgestaltungen und Vorteile der Erfin
dung sind Gegenstand der nachfolgenden Beschreibung von
Ausführungsbeispielen unter Bezug auf die Figuren der Zeich
nung. Es zeigen:
Fig. 1 einen Schaltplan mit den wesentlichen Elementen
eines Ausführungsbeispiels einer an eine Last an
geschlossenen erfindungsgemäßen Vorrichtung mit
einem Schalttransistor,
Fig. 2 in einem Zeitdiagramm zur ergänzenden Erläuterung
der erfindungsgemäßen Vorrichtung gemäß Fig. 1 die
zeitliche Korrelation von Triggersignalen, Pulsen, Ent
sättigungssignalen, Ladesignalen und Kondensator
spannungen,
Fig. 3 in einem Blockschaubild ein weiteres Ausführungsbei
spiel einer erfindungsgemäßen Vorrichtung mit einer
Anzahl von Schalttransistoren und
Fig. 4 einen Schaltplan mit den wesentlichen Elementen
einer Entsättigungseinheit des Ausführungsbeispiels
gemäß Fig. 3.
Fig. 1 zeigt einen Schaltplan mit den wesentlichen Elementen
eines Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Vor
richtung. Das Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1 weist eine
Triggersignalleitung 1 auf, der von einer in Fig. 1 nicht dargestell
ten Triggersignalgeneriereinheit ein Triggersignal, beispielsweise
ein Signal mit Pegeln einer Logik, beispielsweise einer
Transistor-Transistor-Logik (TTL), einspeisbar ist.
Das Triggersignal ist zum einen einer mit der Triggersignal
leitung 1 in Verbindung stehenden Lawinensignalgeneriereinheit
2 einspeisbar. Die Lawinensignalgeneriereinheit 2 verfügt über
einen Pulsleistungsverstärker 3, einer dem Pulsleistungsver
stärker 3 nachgeordneten Beschleunigungsschaltung 4 mit
einem zu einem Widerstand 5 parallel geschalteten Beschleuni
gungskondensator 6 und über eine an den Ausgang der Be
schleunigungsschaltung 4 sowie an eine in diesem Ausführungs
beispiel negative erste Spannung -V1 gelegte Lawinenvor
spannungsschaltung 7 mit einem zu einem Lawinenfestwider
stand 8 in Reihe geschalteten Lawinenpotentiometer 9 mit einem
einstellbaren Widerstand.
Der Ausgang der Beschleunigungsschaltung 4 ist mit der Basis
eines als sogenannter Avalanche-Transistor ausgeführten
Schalttransistors 10 verbunden. Ein Ausgang des Schalttran
sistors 10, beispielsweise wie bei dem in Fig. 1 dargestellten
Ausführungsbeispiel mit einem Schalttransistor 10 des npn-Typs
der Emitter, ist auf Schaltmasse gelegt. An den anderen Aus
gang, beispielsweise wie bei dem dargestellten Ausführungsbei
spiel mit einem Schalttransistor 10 des npn-Typs an den Kollek
tor, ist ein Anschluss eines Energiespeicherkondensators 11
gelegt. Der andere Anschluss des Energiespeicherkondensators
11 steht bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel mit einer
Last 12 in Verbindung. Der Ausgang der beispielsweise als
Halbleiterlaser oder Sendeantenne ausgeführten Last 12 ist über
einen Messwiderstand 12' zum bedarfsweisen Abgreifen von
Spannungen zusammen mit der Kathode einer zum Schutz einer
spannungsempfindlichen Last 12 vorgesehenen Lastschutz
diode 13 an Schaltmasse gelegt. Die Anode der Lastschutzdiode
13 ist mit dem Energiespeicherkondensator 11 verbunden.
Das Triggersignal ist weiterhin einer mit der Triggersignalleitung
1 in Verbindung stehenden Steuereinheit 14 einspeisbar. Die
Steuereinheit 14 weist ein beispielsweise als Monoflop aus
gebildetes Zeitverzögerungsglied 15 auf, das über einen Aus
gang mit einem ersten Pulsdauerglied 16 und über einen in
vertierenden Ausgang mit einem zweiten Pulsdauerglied 17 in
Verbindung steht, die beispielsweise ebenfalls als Monoflops mit
unterschiedlichen Einschaltverzögerungen ausgebildet sind. Mit
dem Zeitverzögerungsglied 15 und den Pulsdauergliedern 16,
17 ist das Triggersignal beziehungsweise das invertierte Trigger
signal um jeweils eine für das Zeitverzögerungsglied 15 und die
Pulsdauerglieder 16, 17 charakteristische Verzögerungszeit
verzögerbar.
Das erste Pulsdauerglied 16 liegt mit einem Ausgang an der
Basis eines ersten Steuertransistors 18 und mit einem invertie
renden Ausgang an der Basis eines zweiten Steuertransistors 19
einer differenziellen Verstärkerschaltung 20 an. Ein Ausgang des
ersten Steuertransistors 18, beispielsweise bei einem ersten
Steuertransistor 18 gemäß dem in Fig. 1 dargestellten npn-Typs
der Kollektor, liegt an einer bei dem Ausführungsbeispiels ge
mäß Fig. 1 positiven zweiten Spannung +V2. Der andere Aus
gang des ersten Steuertransistors 18 ist mit dem entsprechen
den Ausgang des zweiten Steuertransistors 19, beispielsweise
bei den Steuertransistoren 18, 19 gemäß dem in Fig. 1 dar
gestellten npn-Typs jeweils der Emitter, zusammengeschaltet
und über eine einen Steuerstromfestwiderstand 21 und ein
Steuerstrompotentiometer 22 in Reihenschaltung aufweisende
Steuerwiderstandsschaltung 23 mit einem einstellbaren resul
tierenden Widerstand an die in dem dargestellten Ausführungs
beispiel negative erste Spannung -V1 gelegt.
Der andere Ausgang des zweiten Steuertransistors 19, bei
spielsweise wie bei einem ersten Steuertransistor 18 gemäß
dem in Fig. 1 dargestellten npn-Typs der Kollektor, ist an einen
Steuereingang einer Stromquelle 24 einer Ladeeinheit ange
schlossen. Der Ausgang des zweiten Pulsdauerglieds 17 steht
mit einem Steuereingang einer als Monotransistorentsättigungs
einheit 25 ausgebildeten Entsättigungseinheit in Verbindung.
Die Monotransistorentsättigungseinheit 25 weist einen Entsätti
gungstransistor 26 auf, dessen Basis über einen Entsättigungs
arbeitswiderstand 27 einer einen resultierenden festen Wider
stand aufweisenden Entsättigungswiderstandsschaltung 28 mit
dem Ausgang des zweiten Pulsdauerglieds 17 in Verbindung
steht und über einen Entsättigungswiderstand 29 der Entsätti
gungswiderstandsschaltung 28 an die in dem dargestellten
Ausführungsbeispiel negative erste Spannung -V1 angeschlos
sen ist. Ein Ausgang des Entsättigungstransistors 26, beispiels
weise bei einem Entsättigungstransistor 26 gemäß dem in Fig. 1
dargestellten npn-Typs der Emitter, ist direkt an die in dem
dargestellten Ausführungsbeispiel negative erste Spannung -V1
angeschlossen, während der andere Ausgang, beispielsweise
bei dem Entsättigungstransistor 26 gemäß dem in Fig. 1 dar
gestellten npn-Typs der Kollektor, über einen Entsättigungs
festwiderstand 30 mit einem festen Widerstand mit der Basis
des Schalttransistor 10 verbunden ist.
Die Stromquelle 24 weist eine mit dem Ausgang des zweiten
Steuertransistors 19 der Steuereinheit 14 verbundene Span
nungsteilerschaltung 31 mit einem ersten Spannungsteilerfest
widerstand 32 und einem zweiten Spannungsteilerfestwider
stand 33 auf, die in Reihe geschaltet sind und jeweils einen
festen Widerstand aufweisen. Zwischen den ersten Spannungs
teilerfestwiderstand 32 und den zweiten Spannungsteilerfest
widerstand 33 ist ein Anschluss eines Ladetransistorarbeits
widerstands 34 gelegt, der einen festen Widerstand aufweist und
mit seinem anderen Anschluss mit der Basis eines einen hohen
differenziellen Ausgangswiderstand und damit zu einem den
wesentlichen konstanten Ladestrom führenden Ladetransistors
35 verbunden ist.
Ein Ausgang des Ladetransistors 35, beispielsweise bei einem
Ladetransistor 35 gemäß dem in Fig. 1 dargestellten pnp-Typs
der Kollektor, ist mit dem mit einem Ausgang des Schalttran
sistors 10 verbundenen Anschluss des Energiespeicherkonden
sators 11 verbunden, während der andere Ausgang, beispiels
weise bei einem Ladetransistor 35 gemäß dem in Fig. 1 dar
gestellten pnp-Typs der Emitter mit einer einen Ladefestwider
stand 36 mit einem festen Widerstand und ein Ladepotentio
meter 37 mit einem einstellbaren Widerstand in Reihenschaltung
aufweisende Ladewiderstandsschaltung 38 an eine in dem
dargestellten Ausführungsbeispiel positive dritte Spannung +V3
gelegt ist. Parallel zu dem Ladetransistor 35 und der
Ladewiderstandsschaltung 38 ist ein Ladeparallelwiderstand 39
geschaltet, der sicherstellt, dass die Spannung auf dem Kollektor
des Schalttransistors 10 nach dem Aufladen des Energie
speicherkondensators 11 ungefähr gleich der positiven dritten
Spannung +V3 ist.
Fig. 2 zeigt zur ergänzenden Erläuterung der erfindungs
gemäßen Vorrichtung gemäß Fig. 1 in einem Zeitdiagramm die
zeitliche Korrelation von auf einer Pegelachse 40 gegen eine
Zeitachse 41 abgetragene relative Pegel von in die Trigger
signalleitung 1 eingespeisten Triggersignalen 42 und die Last 12
beaufschlagenden Pulsen 43 mit zugehörigen, während der
Entsättigungsphasen am Eingang der Monotransistorentsätti
gungseinheit 25 anliegenden Entsättigungssignalen 44, während
der Ladephasen am Eingang der Stromquelle 24 anliegenden
Ladesignalen 45 und der zwischen dem Kollektor und dem
Emitter des Schalttransistors 10 anliegenden Spannung 46.
Mit einer ansteigenden Flanke des Triggersignals 42 zu einem
charakteristischen ersten Zykluszeitpunkt 47 wird bei aufgrund
des zu diesem ersten charakteristischen Zykluszeitpunkt 47
niedrigen Pegels des Entsättigungssignals 44 deaktivierter
Monotransistorentsättigungseinheit 25 durch das an der Basis
des Schalttransistors 10 anliegende Ausgangssignal der Lawi
nensignalgeneriereinheit 2 der Schalttransistor 10 in einen
Avalanche-Modus gebracht und ein kurzer leistungsstarker
elektrischer Puls 43 generiert.
Nach Abklingen des betreffenden Pulses 43 nach dem Lawinen
durchbruch wird mit einer ansteigenden Flanke des Entsätti
gungssignals 44 zu einem durch die der typischen Dauer der
Pulse 43 entsprechende Zeitverzögerung des Zeitverzögerungs
glieds 15 und der einer kurzen Karenzzeit entsprechenden
Zeitverzögerung des zweiten Pulsdauerglieds 17 bestimmten
charakteristischen zweiten Zykluszeitpunkt 48 zum Beginn der
Entsättigungsphase die Monotransistorentsättigungseinheit 25
aktiviert. Dadurch werden durch Vergrößerung der sperrenden
Vorspannung über den Entsättigungsfestwiderstand 30, der
kleiner als der resultierende Widerstand der Lawinenvor
spannungsschaltung 7 ist, Ladungsträger aus der Basis des
Schalttransistors 10 verhältnismäßig schnell abgeführt, so dass
die Entsättigung verhältnismäßig rasch erfolgt.
Bei einem charakteristischen dritten Zykluszeitpunkt 49, der um
eine durch das Zeitverzögerungsglied 15 und das erste Puls
dauerglied 16 bestimmte Zeitverzögerung nach dem charakte
ristischen ersten Zykluszeitpunkt 47 und auch nach dem charak
teristischen zweiten Zykluszeitpunkt 48 liegt, wird mit einer
ansteigenden Flanke des Ladesignals 45 bei gesperrtem und
zwischenzeitlich in der Regel im wesentlichen entsättigten
Schalttransistor 10 die Stromquelle 24 zum Beginn einer Lade
phase aktiviert, so dass die zwischen dem Kollektor und dem
Emitter des Schalttransistors 10 anliegende Spannung 46 bis
zur zu einem charakteristischen vierten Zykluszeitpunkt 50 zum
Ende der Ladephase abfallenden Flanke des Ladesignals 45 im
wesentlichen frei von Stromspitzen kontinuierlich ohne abrupte
Stromänderungen ansteigt und nach Deaktivieren der Strom
quelle 24 aufgrund deren hohen Ausgangswiderstand und des
gesperrten Zustandes des Schalttransistors 10 von dem charak
teristischen vierten Zykluszeitpunkt 50 bis zum erneuten Auf
treten der ansteigenden Flanke des Triggersignal 42 zum cha
rakteristischen ersten Zykluszeitpunkt 47 zum Starten eines
neuen Pulses 43 im wesentlichen aufrechterhalten bleibt.
Durch das von der Steuereinheit 14 bis auf die Ladephase
zwischen dem charakteristischen dritten Zykluszeitpunkt 49 und
dem charakteristischen vierten Zykluszeitpunkt 50 erzwungene
Deaktivieren der Stromquelle 24 wird weiterhin ein unter Um
ständen störender Einfluß der Ladeeinheit auf das Durchbruchs
verhalten des Schalttransistors 10 unterbunden sowie eine
zusätzliche Belastung des Schalttransistors 10 durch hohe
Ströme aus einer nicht deaktivierbaren Stromquelle vermieden.
Fig. 3 zeigt in einem Blockschaubild ein weiteres Ausführungs
beispiel einer erfindungsgemäßen Vorrichtung mit einer Anzahl
von Schalttransistoren 10, die jeweils entsprechend dem anhand
Fig. 1 erläuterten Ausführungsbeispiel mit einem Energie
speicherkondensator 11 verbunden sind, welche wiederum bei
dem dargestellten Ausführungsbeispiel an eine gemeinsame
Last 12 gelegt sind. Jeder Schalttransistor 10 ist gemäß dem
Ausführungsbeispiel nach Fig. 3 mit einer entsprechend dem
Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 aufgebauten Lawinensignal
generiereinheit 2 zum Auslösen der kurzen leistungsstarken
Pulse 43 verbunden. Jeder Schalttransistor 10 des Ausführungs
beispiels gemäß Fig. 3 ist an eine ebenfalls entsprechend dem
Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 aufgebaute Stromquelle 24 der
Ladeeinheit angeschlossen, die entsprechend den Erläute
rungen zu dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 mit der Steuer
einheit 14 aktivierbar und deaktivierbar sind. Mit einer weiter
unten näher erläuterten, als Multitransistorentsättigungseinheit
51 ausgebildeten Entsättigungseinheit sind entsprechend den
voranstehenden Erläuterungen die Entsättigungsphasen der
Schalttransistoren 10 verhältnismäßig kurz einrichtbar.
Fig. 4 zeigt einen Schaltplan mit den wesentlichen Elementen
der Multitransistorentsättigungseinheit 51 des Ausführungs
beispiels gemäß Fig. 3, wobei sich bei der Monotransistorentsät
tigungseinheit 25 gemäß dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 1
und der Multitransistorentsättigungseinheit 51 gemäß dem
Ausführungsbeispiel nach Fig. 3 und Fig. 4 entsprechende
Elemente mit den gleichen Bezugszeichen versehen und im
weiteren nicht näher erläutert sind.
An dem mit den Basen von nunmehr mehreren Schalttransisto
ren 10 verbundenen Ausgang des Entsättigungstransistors 26
und zwischen den einzelnen Basen der jeweiligen Schalttran
sistoren 10 sind nunmehr jeweils in Reihenschaltung eine in
Durchlassrichtung geschaltete erste Entkopplungdiode 52 und
ein erster Entsättigungsfestwiderstand 53 mit einem festen
Widerstand sowie entsprechend der Anzahl der Schalttransisto
ren 10 weitere Entkopplungsdioden und Entsättigungsfestwider
stände bis zu einer n. Entkopplungsdiode 54 und einem n.
Entsättigungsfestwiderstand 55 gelegt, wobei n der Anzahl der
Schalttransistoren 10 entspricht. Durch das Vorsehen einer
Entkopplungsdiode 52, 54 für jeden Schalttransistor 10 sind die
eine ordnungsgemäße Avalanche-Betriebsweise möglicherweise
negativ beeinflussenden Wechselwirkungen zwischen den unter
Umständen unterschiedliche Betriebscharakteristika aufweisen
den Schalttransistoren 10 wirkungsvoll unterbunden.
Es sei angemerkt, dass die oben erläuterten Ausführungs
beispiele mit Bipolartransistoren jeweils eines bestimmten Typs
ausgeführt sind. Zum einen sind selbstverständlich die npn-
beziehungsweise pnp-Bipolartransistorentypen unter ent
sprechenden Anpassungen der Polaritäten gegeneinander
austauschbar. Zum anderen sind wenigstens einige Bipolar
transistoren durch Feldeffekttransistoren, sogenannte FET's,
austauschbar, wobei die Basis, der Kollektor beziehungsweise
der Emitter eines Bipolartransistors durch das Gate, die Source
beziehungsweise den Drain eines Feldeffekttransistors ersetzt
sind. Dabei wird unter dem Oberbegriff "Ansteueranschluss" die
Basis eines Bipolartransistors oder das Gate eines Feldeffekt
transistors verstanden.
Es versteht sich weiterhin, dass die funktionale Ausgestaltung
einzelner Einheiten der erfindungsgemäßen Vorrichtung nicht
auf die oben erläuterten Ausführungen beschränkt ist, sondern
auch durch andere gleichwirkende logische und analoge Schal
tungen und Bauelemente, insbesondere durch Ersatz der Bi
polartransistoren in der Lawinensignalgeneriereinheit 2, der
Steuereinheit 14, der Stromquelle 24 und den Entsättigungsein
heiten 25, 51 durch Feldeffekttransistoren, umsetzbar sind.
Claims (6)
1. Vorrichtung zum Erzeugen kurzer leistungsstarker elek
trischer Pulse mit wenigstens einem in einer Betriebsart
mit einem Lawinendurchbruch betreibbaren Schalttran
sistor (10), mit einer der Anzahl der Schalttransistoren
(10) entsprechenden Anzahl von Energiespeicherkon
densatoren (11) und mit einer Ladeeinheit, mit der der
oder jeder Energiespeicherkondensator (11) in Lade
phasen aufladbar ist, wobei die Ladeeinheit zwischen
den Ladephasen einen hohen Ausgangswiderstand
aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass eine mit einem
Triggersignal (42) ansteuerbare Steuereinheit (14) vor
handen ist, mit der ein Ladesignal (45) und ein Entsätti
gungssignal (44) generierbar sind, dass die Ladeeinheit
eine der Anzahl der Energiespeicherkondensatoren (11)
entsprechende Anzahl von mit dem Ladesignal (45) der
Steuereinheit (14) schaltbaren Stromquellen (24) auf
weist, die jeweils auch während des Ladevorgangs einen
verhältnismäßig hohen Ausgangswiderstand aufweisen,
und dass eine mit dem Entsättigungssignal (44) der
Steuereinheit (14) schaltbare Entsättigungseinheit (25,
51) vorhanden ist, mit der nach Abklingen eines Pulses
(43) die Basis des oder jedes Schalttransistors (10) wäh
rend einer Entsättigungsphase mit einem gegenüber der
Lawinenvorspannung höheren sperrenden Entsätti
gungsvorspannung beaufschlagbar ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass die Entsättigungseinheit (25, 51) wenigstens einen
mit der Basis eines Schalttransistors (10) verbundenen
Entsättigungswiderstand (30, 53, 55) aufweist, der kleiner
als ein ebenfalls mit der Basis des Schalttransistors (10)
verbundener resultierender Widerstand einer Lawinen
vorspannungsschaltung (7) einer mit dem Triggersignal
(42) beaufschlagbaren Lawinensignalgeneriereinheit (2)
ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, dass die Steuereinheit (14) zeitbestim
mende Glieder, insbesondere ein Zeitverzögerungsglied
(15) und zwei Pulsdauerglieder (16, 17), zum zeitver
setzten Generieren zuerst des Entsättigungssignals (44)
und anschließend des Ladesignals (45) aufweist.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, dass die Steuereinheit (14) eine diffe
renzielle Verstärkerschaltung (20) mit einem ersten
Steuertransistor (18) und einem zweiten Steuertransistor
(19) aufweist, bei denen die Ansteueranschlüsse an
zueinander komplementäre Ausgänge eines Pulsdauer
glieds (16), zwei Ausgangsanschlüsse über eine gemein
same Steuerwiderstandsschaltung (23) an eine Span
nung (V1), der andere Ausgangsanschluss eines Steuer
transistors (18) an eine weitere Spannung (V2) und der
andere Ausgangsanschluss des anderen Steuertran
sistors (19) an den Eingang wenigstens einer Strom
quelle (24) der Ladeeinheit angeschlossen sind.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, dass die oder jede Stromquelle (24)
einen mit seinem Ansteueranschluss über eine
Spannungsteilerschaltung (31) mit der Steuereinheit (14)
verbundenen Ladetransistor (35) aufweist, wobei ein
Ausgang des Ladetransistors (35) mit einer Ladewider
standsschaltung (38) und der andere Ausgang des Lade
transistors (35) mit einem Energiespeicherkondensator
(11) und einem Ausgang des Schalttransistors (10) ver
bunden sind.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dass bei
mehreren Schalttransistoren (10) die Entsättigungsein
heit (25) eine der Anzahl der Schalttransistoren (10)
entsprechende Anzahl von Entsättigungswiderständen
(53, 55) und in Durchlassrichtung geschaltete Entkopp
lungsdioden (52, 54) aufweist, die jeweils in Reihe ge
schaltet und an die Basis eines Schalttransistors (10)
gelegt sind.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
DE2002136355 DE10236355C1 (de) | 2002-08-08 | 2002-08-08 | Vorrichtung zum Erzeugen kurzer leistungsstarker elektrischer Pulse |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE2002136355 DE10236355C1 (de) | 2002-08-08 | 2002-08-08 | Vorrichtung zum Erzeugen kurzer leistungsstarker elektrischer Pulse |
Publications (1)
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---|---|
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ID=29225192
Family Applications (1)
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DE2002136355 Expired - Fee Related DE10236355C1 (de) | 2002-08-08 | 2002-08-08 | Vorrichtung zum Erzeugen kurzer leistungsstarker elektrischer Pulse |
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DE (1) | DE10236355C1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109787590A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-05-21 | 西安交通大学 | 基于气体密闭环境的纳秒复合冲击波发生装置 |
CN109787589A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-05-21 | 西安交通大学 | 基于真空密闭环境的纳秒复合冲击波发生装置 |
Citations (1)
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DE19943127C1 (de) * | 1999-09-09 | 2001-03-22 | Heller Elektronik Kg Dr | Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen eines kurzen Strompulses |
-
2002
- 2002-08-08 DE DE2002136355 patent/DE10236355C1/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
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CN109787590B (zh) * | 2018-12-06 | 2020-06-26 | 西安交通大学 | 基于气体密闭环境的纳秒复合冲击波发生装置 |
CN109787589B (zh) * | 2018-12-06 | 2020-06-26 | 西安交通大学 | 基于真空密闭环境的纳秒复合冲击波发生装置 |
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