Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Erzeugung eines
Niedertemperaturplasmas mittels einer niederfrequenten
Kaltkathodenentladung gemäß der Gattung der Patentansprüche und ist
insbesondere in ionen- und plasmagestützten Dünnschichtverfahren sowie
bei der Gasdruckmessung im Vakuum verwendbar.
Bekannt ist die Erzeugung eines magnetfeldgestützten Plasmas ohne eine
Elektronen emittierende heiße Kathode, mittels einer sogenannten
Kaltkathode, siehe F. M. Penning, "Glow discharge at low pressure
between coaxial cylinders in an axial magnetic field", Ztschr. Physica 3
(1936), S. 873-894. Die Entladung wurde nach F. M. Penning, "A New
Manometer for Low Gas Pressures between 10-3 bis 10-5 Torr", Ztschr.
Physica 4 (1937), S. 71-75 mit Gleichspannung betrieben und zum
Messen des Gasdrucks verwendet, indem die Abhängigkeit des
Entladungsstroms vom Gasdruck ausgewertet wurde. Die grundlegende
Anordnung besteht aus zwei Kathoden, die ein überwiegend axiales
Magnetfeld zusammen mit einem Permanentmagneten erzeugen, und einer
dazwischen angeordneten Anode. Unter Beibehaltung dieses Prinzips
wurde eine erste Anordnung zur Extraktion von Ionen bekannt (R. G.
Meyerand, S. C. Brown,. "High Current Ion Source", Ztschr. Rev. Sci.
Instruments 30 (1959), S. 110-111). Parallel dazu wurden Penning-
Kaltkathodenionenquellen entwickelt und beschrieben, z. B. von M. v.
Ardenne in "Tabellen der Elektronenphysik, Ionenphysik und
Übermikroskopie", Band I, VEB Deutscher Verlag der Wissenschaften,
Berlin (1956) S. 536 ff.
Außerdem sind Penning-, Ionen- und Plasmaquellen in unterschiedlichsten
Formen zu Zwecken der Plasmaphysik Materialbearbeitung oder z. B.
Kernfusion (J. R. Roth, "Hot Ion Production in a Modified Penning
Discharge", Ztschr. IEEE Trans. on Plasma Sci. 1 (1973), S. 34-45) sowie
Breitionenstrahlquellen (N. V. Gavrilov, G. A. Mesyats, S. P. Nikulin, G. V.
Radkovski, "New broad beam gas ion source for industrial application",
Ztschr. J. Vac. Sci. Technolog. A 14(3) (1996), S. 1050-1055) bekannt.
Letztere sind mit Extraktionsgittersystemen ausgerüstet, die aus zwei
Gittern zur Erzeugung von Breitionenstrahlen bis 100 mm Durchmesser
auf der Basis einer Penning-Entladung bestehen.
Obwohl Penning-, Plasma- und -Ionenstrahlquellen den wichtigsten
Nachteil von Heißkathodenquellen wie z. B. Kaufman-Ionenquellen
prinzipiell nicht aufweisen (keine störende Reaktion von Gasen, wie
Sauerstoff mit der Glühkathode) haben sie nicht die gleiche Verbreitung
wie die Hochfrequenz-Ionen- und Plasmaquellen gefunden, die eine
vorzügliche Standfestigkeit gegenüber reaktiven. Gasen aufweisen.
Kaltkathoden-Ionenstrahlquellen werden industriell hauptsächlich zur
Herstellung optischer Schichten (Ion Assisted Deposition von
Oxidschichten) eingesetzt, siehe H. S. Niederwald, N. Kaiser, U. B.
Schallenberg, A. Duparre, D. Ristau, M. Kennedy, "IAD of oxide
coatings at low temperature: a comparison of processes based on different
ion sources", Ztschr. Proc. SPIE, Vol. 3133 (1997), S. 205-213. Dabei
steht nur ein eng definiertes beschichtungsfreies und damit dauerstabiles
Betriebsparameterfenster zur Verfügung.
Bekannt sind schließlich Penning-Meßröhren zur Gasdruckmessung in der
Vakuumtechnik. Sie werden dort insbesondere zur Vakuummessung
eingesetzt, wo reaktive oder korrosive Gasanteile mit auftreten können.
Allerdings treten beim Betrieb mit solchen. Gasgemischen oft schon nach
mehrstündigem Betrieb störende Elektrodenbeschichtungen auf, weshalb
Penning-Meßröhren gewöhnlich so aufgebaut sind, daß sie in derartigen
Fällen routinemäßig gesäubert werden können.
Eine dem Stand der Technik entsprechende Penning-Plasmaquelle ist
gewöhnlich rotationssymmetrisch aufgebaut. Ein ringförmiger
Permanentmagnet erzeugt mit zwei Kathoden aus Eisen oder Nickel ein
im Inneren der Anordnung im wesentlichen in Achsenrichtung
verlaufendes magnetisches Feld, das die Elektronen des zu bildenden
Plasmas in einer Pendelbewegung zwischen den Kathoden führt.
Zusammen mit einem dazwischen befindlichen Ring, der durch Anlegen
einer Gleichspannung von +400 bis +1000 V die Anode bildet, entsteht
die für Penning-Anordnungen typische Form von magnetischen und
elektrischen Feldern. Im Inneren der Anordnung entsteht so bei
Gasdrücken im Bereich von 10-5 bis 10-1 mbar ein
Niedertemperaturplasma, welches durch einen Gleichstrom zwischen
Kathoden und Anode erzeugt wird.
Zur Aufrechterhaltung dieses Plasmas laufen Erzeugungs- und
Rekombinationsvorgänge von Ladungsträgern sowohl im Inneren des
Plasmas als auch an allen das Plasma kontaktierenden Wandflächen ab.
Die Kathoden werden von positiven Ionen mit Ionenenergien zwischen 50
und 500 eV getroffen. Dabei werden zur Aufrechterhaltung des Plasmas
benötigte Sekundärelektronen erzeugt. Weiterhin entstehen hierbei aber
auch abgesputterte Atome und Ionen aus dem Kathodenmaterial
(typischerweise Metalle, wie Eisen oder Nickel).
Wird die Plasmaquelle mit Gasen betrieben, die im Plasma oder auf den
Wänden chemische Reaktionen mit dem abgesputterten Kathodenmaterial
verursachen können (z. B. Bildung von Eisenoxid beim Betrieb mit
Sauerstoff), so bilden sich auf den Wänden Schichten, die isolierend
wirken können. Auf den Kathoden wird die Bildung solcher Schichten
durch die auftreffenden Ionen infolge Sputterabtrag verhindert. Auf der
Anode entsteht eine isolierende Schicht, die den Gleichstromkreis
bestehend aus Gleichspannungsquelle, Kathoden, Anode und dem Plasma
stört oder gänzlich unterbricht. Instabilitäten und Störprozesse sind die
Folge, weshalb Plasma- und Ionenquellen basierend auf der dargestellten
Penning Anordnung mit Reaktivgasen nur mit Einschränkungen oder gar
nicht betrieben werden können, auch wenn zusätzliche Hilfseinrichtungen
(Hohlkathoden, Heißkathoden) angebracht werden.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Anordnung zu schaffen, die eine
magnetfeldgestützte Kaltkathodenentladung zum Einsatz in Plasma- und
Ionenquellen im Druckbereich von 10-5 bis 10-1 mbar ermöglicht und die
langzeitstabil zur Bildung eines Plasmas aus atomaren und vorwiegend
molekularen Gasen eingesetzt werden kann. Es sollen insbesonders im
Plasma Ladungsträgerdichten im Bereich von 1011 bis 1013 cm-3 erzeugt
werden, die hohe, auf ein zu bearbeitendes Substrat zu leitende Plasma-
oder Ionenströme ermöglichen.
Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe durch die kennzeichnenden
Merkmale des ersten Patentanspruchs gelöst. Durch die
erfindungsgemäße Anordnung einschließlich deren elektrischer
Beschaltung wird erreicht, daß Ionen- und Plasmaquellen aufgebaut
werden können, die bei Bewahrung wichtiger Vorteile leistungsstarker
Gleichspannungsentladungen Reaktivgasfestigkeiten und Standzeiten wie
Hochfrequenz- oder ECR-Plasmaquellen ermöglichen.
Die Erfindung erzeugt ein Niedertemperaturplasma durch eine
magnetfeldgestützte Kaltkathodenentladung bei Gasdrücken kleiner als
0.1 mbar. In der Entladungskammer besteht eine bestimmte Konfiguration
von elektrischen und magnetischen Feldern, die von den Elektroden
(Kathoden) in Verbindung mit den Permanentmagneten erzeugt werden.
Die erfindungsgemäße Lösung weist mehrere, vorzugsweise drei
elektrisch miteinander verbundene Kathoden auf, die aus einem Stoff
hoher magnetischer Permeabilität hergestellt sind und zusammen mit den
Permanentmagneten Magnetfelder in der Entladungskammer erzeugen.
Diese Elektroden werden durch die angelegten elektrischen Spannungen
stets auf negativem Potential bzgl. der sich ausbildenden Entladung
gehalten, d. h. sie wirken als Kathoden. Ihre geometrische Form wird in
Zusammenhang mit dem durch sie gestalteten Magnetkreis vorzugsweise
so gewählt, daß die Magnetfeldlinien senkrecht zu den die Entladung
berührenden Kathodenflächen austreten.
Mindestens zwei oder auch weitere gegenüber den Kathoden und
gegeneinander elektrisch isolierte Elektroden aus einem Stoff niedriger
magnetischer Permeabilität werden in den Zwischenräumen zwischen den
Kathoden angeordnet. Sie werden durch impulsförmige Spannungen mit
Frequenzen bis max. 100 kHz so angesteuert, daß sie sich abwechselnd
auf Kathodenpotential oder auf bzgl. der Kathoden positivem Potential
von 300-1000 V befinden, um die Entladung zu erzeugen. Diese
Elektroden werden im weiteren als Niederfrequenz- bzw. NF-Elektroden
bezeichnet. Die NF-Elektroden sind mit mindestens zwei
Spannungsquellen verbunden, die die oben erwähnte Spannung und
Frequenz aufweisen, und die erfindungsgemäß so in ihrer Phasenlage
gesteuert sind, daß mindestens immer eine NF-Elektrode sielt auf
positivem Potential befindet.
Die geometrische Form der beschriebenen Elektroden und der dadurch
gebildete Entladungsraum können unterschiedlich sein. Allgemein kann
zwischen ebenen und axialen Anordnungen unterschieden werden.
Bei der ebenen Anordnung bestehen die Elektroden und die
Permanentmagnete aus konzentrisch in einer Ebene angeordneten Ringen,
die das Niedertemperaturplasma in dem über der Ebene befindlichen
Raum erzeugen. Statt einer konzentrischen Anordnung ist auch eine ebene
Anordnung möglich, bei der die Elektroden und Magnete als parallele
Stäbe einer bestimmten Länge zueinander angeordnet sind.
Bei der axialen Anordnung werden alle Elektroden und
Permanentmagnete in z. B. Ringform (Kreis, Ellipse) um eine gemeinsame
Mittelachse angeordnet, so daß ein innerer Entladungsraum um diese
Achse herum entsteht, in dem das Niedertemperaturplasma gebildet wird.
Auch sind Anordnungen mit Elektrodengestaltungen möglich, die statt
eines zylindrischen einen prismatischen Entladungsraum entstehen lassen,
bei denen also die Elektroden nicht gekrümmt, sondern eckig und der
Querschnitt des Entladungsraums bspw. viereckig sind. Während dabei
die Kathoden vorteilhafterweise immer Ringform haben sollen, können
die NF-Elektroden auch als kurze Stäbe ausgebildet und auf der
Achsenmitte angeordnet sein.
Bei allen diesen Entladungsformen werden mit der alternierenden
Anordnung der Kathoden und Permanentmagnete magnetische Kreise
gebildet. Je nachdem wie die Permanentmagnete bzgl. ihrer
Magnetisierungsrichtung angeordnet sind, gibt es unterschiedliche
Möglichkeiten, die unterschiedliche Magnetfeldformen im
Entladungsraum zur Folge haben. Eine vorteilhafte Gestaltung der
Magnetfelder im Entladungsraum ergibt sich, wenn die
Permanentmagnete mit alternierenden Magnetpolen angeordnet werden,
was Magnetfelder mit gleicher axialer (axiale Anordnung) oder gleicher
radialer (konzentrisch ebene Anordnung) Komponente zur Folge hat.
Da die Kathoden aus magnetisierbarem Stoff bestehen müssen, stehen
nur wenige Stoffe wie Eisen, Nickel oder Chrom zur Verfügung. Werden
diese Elemente aufgrund der plasmachemischen Wechselwirkung mit dem
Plasma im Entladungsraum abgetragen, so können die
Kathodenoberflächen mit einem dünnen, max. 1 mm dicken Auflageteil
oder einer Beschichtung versehen werden, die gegenüber dem Plasma
widerstandsfähiger ist, aber nur eine geringe magnetische Permeabilität
aufweist, ohne daß der Verlauf der Magnetfelder nennenswert gestört
wird. Eine vorteilhafte Lösung ergibt sich dann, wenn die Beschichtung
oder das Auflageteil aus einem Stoff besteht, der, sollte doch ein
Stoffabtrag stattfinden, ein Reaktionsprodukt abgibt, das im vorgesehenen
Plasmaprozeß keine störenden Nebenwirkungen hervorruft.
Mit den beschriebenen Entladungsanordnungen können
Niedertemperaturplasmen mit Querschnitten zwischen einigen
Millimetern und ca. 100 mm bei Plasmaströmen bis etwa 1 A erzeugt
werden. Sollen größere Flächen oder Ströme erzeugt werden, so können
mehrere erfindungsgemäße Entladungsanordnungen nebeneinander in
einer Ebene so angeordnet werden, daß sie eine Reihe bilden
(Linearquelle) oder daß sie rasterförmig über z. B. ein rechteckiges Gebiet
verteilt sind.
Die erfindungsgemäße Anordnung erzeugt ein Niedertemperaturplasma
vorzugsweise bei Gasdrücken von 10-4 bis 10-3 mbar. Die Anordnung
kann direkt als Plasmaquelle eingesetzt werden, indem sie vorteilhaft so
gestaltet wird, daß ein möglichst hoher Plasmastrom in die
Vakuumkammer austritt und dort für einen Dünnschichtprozeß nutzbar
ist. Sie kann auch in einer Breitstrahlionenquelle eingesetzt werden, bei
der mittels mehrere Lochgitter Breitionenstrahlen bis zu Ionenenergien
von mehreren keV extrahiert werden.
Durch die Erfindung werden Plasma- und Ionenquellen. geschaffen die
bei Bewahrung der Vorteile von leistungsstarken
Gleichspannungsentladungen, wie hoher Ionisationsgrad, starke
Dissoziation von molekularen Gasen, langzeitstabil mit reaktiven Gasen
zum Erzeugen hochreaktiver Plasmen oder Ionenstrahlen eingesetzt
werden können. Durch die erfindungsgemäße Anordnung der Elektroden
zur Plasmaerzeugung und durch den Betrieb der Entladung mit
Niederfrequenzspannungen kommt es weder zu
gleichspannungsentladungstypische Plasmainstabiltitäten noch zur
Bildung störender Schichten auf den Elektroden. Die Anordnung ist
aufgrund ihrer plasmaphysikalischen Funktionsweise sehr gut zum Aufbau
in unterschiedlichsten Abmessungen und Leistungsstärken geeignet. Sie
kann sowohl im Labor- als auch im Industriemasstab zu Prozessen, wie
der Plasma- und ionenstrahlgestützten Abscheidung von dünnen Schichten
für optisch transparente Schichten, Hartstoffschichten oder z. B.
diamantähnlichen DLC-Schichten eingesetzt werden. Bei Einsatz von z. B.
halogenhaltigen Gasen können leistungsfähige reaktive Ionenstrahlätzer
(Reactive Ion Beam Etching - RIBE) mit Ionenstromdichten bis
10 mA/cm2 aufgebaut werden. Weiterhin kann die Anordnung als
Plasmaquelle in Ionenimplantationsanlagen nach dem Prinzip der Plasma
Immersion Ion Implantation (PIII) eingesetzt werden. Schließlich können
mit der erfindungsgemäßen Anordnung Druckmesseinrichtungen für den
Hochvakuumbereich aufgebaut werden, die wartungsfrei zur
Gasdruckmessung auch bei reaktiven Gasen eingesetzt werden können.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von fünfzehn in der
schematischen Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher
erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine erste erfindungsgemäße Anordnung in einem
Längsschnitt,
Fig. 2 eine Darstellung des zeitlichen Verlaufs der impulsförmigen
NF-Elektrodenspannungen,
Fig. 3a) und b) eine rotationssymmetrische und eine rechteckige
Querschnittsform der erfindungsgemäßen Anordnung,
Fig. 4a) und b) eine gleichgerichtete und eine entgegengesetzt
gerichtete Anordnung von Permanentmagneten,
Fig. 5 eine Anordnung mit Kathodenoberflächen aus einem
nichtmagnetischen Material,
Fig. 6 eine Anordnung mit zwei stabförmigen NF-Elektroden,
Fig. 7 eine ebene Anordnung einer NF-Kaltkathoden Entladung,
Fig. 8 eine lineare Anordnung von NF-Kaltkathoden-Plasmaquellen,
Fig. 9 eine flächenhafte Anordnung von rotationssymmetrischen
NF-Kaltkathoden-Plasmaquellen,
Fig. 10 eine NF-Kaltkathoden-Plasmaquelle für optimierten
Plasmaaustritt,
Fig. 11 eine NF-Kaltkathoden-Ionenquelle mit einem
Extraktionsgitter für niedrige Ionenenergien und hohe
Ionenströme,
Fig. 12 eine NF-Kaltkathoden-Ionenquelle mit zwei
Extraktionsgittern für hohe Ionenenergien,
Fig. 13 eine lineare NF-Kaltkathoden-Plasmaquelle mit in ihrer
Plasmaerzeugung separat geregelten Zellen und
Fig. 14 eine NF-Kaltkathoden Anordnung als Druckmesseinrichtung.
Eine Anordnung 10 nach Fig. 1 ist rotationssymmetrisch bzgl. einer
Mittelachse 19. Es werden zwei Ringmagnete 13 und 15 zwischen drei
leitenden Kathoden 11 aus einem Stoff hoher magnetischer Permeabilität
so angeordnet, daß der Nordpol N des Magneten 13 mit dem Südpol S
des Magneten 15 über eine dazwischen befindliche Zwischenkathode 17
Kontakt hat. Andere Magnetfeldkonfigurationen sind möglich und werden
später beschrieben. Die Magnetfeldstärke auf der Mittelachse 19 liegt im
Bereich von 5-100 mT, d. h. das Magnetfeld übt eine starke
Führungswirkung auf die Elektronen bei den entladungstypischen
Elektronenenergien aus. Die Bewegung der Ionen ist dagegen durch das
Magnetfeld unbeeinflußt.
Durch Anordnung von zwei ringförmigen NF-Elektroden 12 und 16
jeweils zwischen den Kathoden 11 entsteht hierbei ein Entladungsraum
aus zwei Entladungszellen 181, 182, die jede für sich den bekannten
Penning-Anordnungen gleichen. Dieser Entladungsraum ist durch die in
der Zeichnung links liegende Kathode 11 verschlossen und durch die in
der Zeichnung rechts liegende Kathode 11 mit einer
Plasmaaustrittsöffnung 192 versehen. Durch die Kopplung der beiden
Entladungszellen 181, 182 verläuft ein Teil der Magnetfeldlinien
innerhalb der jeweiligen Entladungszelle und führt in ihr die Elektronen
In Abhängigkeit von der Gestaltung der magnetischen Kreise führt ein
Teil der magnetischen Feldlinien 191 vorteilhaft durch beide
Entladungszellen 181, 182 und stellt eine magnetische Kopplung her.
Die Anoden 12 und 16 werden mit den in Fig. 2 dargestellten
impulsförmigen Spannungen mit Frequenzen von maximal 100 kHz über
Spannungsquellen 210 und 211 betrieben. Die Impulsspannungen haben
vorteilhaft Rechteckform mit einer Amplitude, die einer erforderlichen
Brennspannung UACO des zu erzeugenden Niedertemperaturplasmas von
400-1000 V entspricht. Die Spannungszeitverläufe beider
Spannungsquellen 210, 211 sind um eine Phasenlage von 180 Grad
versetzt. Andere Impulsformen (z. B. Sinusform, Sägezahnimpulse) sind
ebenfalls möglich. Bei allen Impulsformen ist die Spannungslage so
bemessen, daß der Maximalwert der Brennspannung UACO entspricht
und der Minimalwert 0 V ist. Eine Gleichspannungsquelle 212 verschiebt
die Potentiallage des austretenden Plasmas.
Bei der Erzeugung des Plasmas 14, 18 im Inneren, Entladungsraum der
erfindungsgemäßen Anordnung laufen nun folgende Vorgänge ab. Zu
einem bestimmten Zeitpunkt ist bspw. die Spannung UACC1 der
Spannungsquelle 210 auf ihrem Maximalwert UACO und die Spannung
UACC2 der Spannungsquelle 211 Null. Damit bilden sich in der linken
(hinteren) Entladungszelle 181 die für das Entstehen des Plasmas
notwendigen elektrischen und magnetischen Felder heraus. Es wird
Plasma 14 gebildet. Die rechte (vordere) NF-Elektrode 176 wirkt
momentan als Kathode. Zusätzlich zu den. Kathoden (11) wird sie von
positiven Ionen getroffen, die Sputtereffekte bewirken. Die rechte
(vordere) Entladungszelle 182 wird, abhängig von der Magnetfeldführung
der Elektronen, auch mit Plasma 18 gefüllt. Ist die Phasenlage der
Impulsspannungen um 180 Grad fortgeschritten, so ist genau der
umgekehrte Zustand erreicht, d. h. die vordere Elektrode 16 befindet sich
momentan auf Spannung UACO, die vordere Entladungszelle 182 erzeugt
das Plasma 18 und die hintere NF-Elektrode 12 wirkt als Kathode und
wird von Ionen getroffen, die in der vorherigem Phase auf ihr gebildete
Schichten wieder abtragen.
Jede der Elektroden 12, 16 wirkt durch die angelegte Niederfrequenz
alternierend zeitweise als Kathode und als Anode; diese Elektroden
werden in dieser Beschreibung als Niederfrequenz-Elektroden (NF-
Elektroden) bezeichnet.
Der Spannungswechsel gewährleistet für die Mehrzahl aller reaktiven
Gase, daß der Sputterabtrag an den NF-Elektroden 12, 16 in der
Kathodenphase größer ist als die auftretende Beschichtung in der
Anodenphase und hat eine ungestörte Kontaktierung des Plasmas 14, 18
durch die NF-Elektroden zur Folge. Die Elektroden 11, die in jeder Phase
als Kathoden wirken, sind ständig dem Ionenbeschuß ausgesetzt, der eine
Beschichtung verhindert.
Für den Fall, daß z. B. stark plasmapolymerisierende Monomere (z. B.
Ethylen, Hexamethyldisiloxan o. ä.) verwendet werden, bei denen trotz
des eben beschriebenen wechselnden Auf- und Abtrags dennoch
isolierende Schichten auf den Elektroden entstehen, kann trotzdem ein
Plasma erzeugt werden, solange der kapazitive Widerstand der durch das
System Elektrode-Elektrodenschicht (Dielektrikum)-Plasma gebildete
Kondensator bei der gegebenen Frequenz f einen Spannungsabfall von
maximal 20% der Betriebsspannung nicht überschreitet. Diese Bedingung
ist erfüllt, solange die Schichtdicke dieser Schichten dmax kleiner ist als
Dabei bedeuten:
ΔU maximal tolerierbarer Spannungsabfall an der Schicht,
f Frequenz (NF),
ε0,ε absolute bzw. relative Dielektrizitätskonstante,
j Stromdichte.
Bei typischen Werten von ΔU = 50 V, f = 50 kHz, ε = 3 und j = 50 mAcm-2
ergibt sich eine Grenzschichtdicke von ca. 2 µm.
Um die Plasmaparameter der erzeugten Entladung und damit die für eine
Anwendung wichtigen Größen, wie extrahierter Plasma- oder Ionenstrom
zu steuern, wird die Abhängigkeit dieser Größen von der Amplitude der
NF-Betriebsspannung (UACO in Fig. 2) ausgenutzt. Damit kann der
zugehörige NF-Betriebsstrom etwa in einem Bereich von 20 bis 100% des
Maximalstroms gesteuert werden. Eine weitere Möglichkeit der
Steuerung der Plasmaintensität in einem noch wesentlich größeren
Bereich kann vorteilhaft eingesetzt werden, wenn zusätzlich das
Tastverhältnis der NF-Spannungen verändert wird. Im normalen
Betriebsfall beträgt das Tastverhältnis für z. B. NF-Elektrode 1 (12 in
Fig. 1) 50%. Es ist Stand der Technik bei Schaltnetzteilen, Spannungen
mit Tastverhältnissen zwischen z. B. 5% und 95% zu variieren. Diese Art
der Intensitätssteuerung kann bei allen Plasma- und Ionenstrahlprozessen
eingesetzt werden, bei denen die dadurch entstehende Modulation der
Plasma- und Ionenstrahlgrößen mit der angelegten Frequenz sich nicht
nachteilig auswirkt. Durch Kombination dieser beiden Steuerprozesse
kann die Plasmaintensität um über zwei Größenordnungen gesteuert
werden. Dies kann z. B. vorteilhaft zur präzisen Steuerung von Ätz- oder
Beschichtungsraten ausgenutzt werden.
Die in Fig. 1 im axialen Längsschnitt gezeigte Anordnung kann sowohl
rotationssymmetrisch als auch rechteckig ausgeführt werden, wie dies in
den Frontansichtsdarstellungen der Fig. 3a) und b) gezeigt ist. Ein
zylinderförmiger Plasmaquellenkörper 31 enthält in sich ein ringförmiges
Magnetsystem 33, ringförmige Kathoden und ringförmige NF-Elektroden
32. Das Plasma tritt nach vorn durch eine kreisförmige Öffnung 34 aus.
Fig. 3b) zeigt außerdem eine im Querschnitt rechteckige Ausführungsform
in Frontansicht. In einem Plasmaquellengrundkörper 35 sind die vordere
und hintere NF-Elektrode (16 und 12 in Fig. 1) jeweils als zwei
gegenüberliegende Platten 36 ausgeführt. Gleiches trifft für die
Permanentmagnete 15, 13 in Fig. 1 zu, die über und unter den Platten 36
als Platten 38 erkennbar sind. Das Plasma tritt durch eine rechteckige
Öffnung 37 aus.
Als Magnetsysteme in Fig. 1 können ringförmigen Permanentmagnete
verwendet werden. Möglich ist auch die parallele Anordnung von
Stabmagneten in einem ringförmigen Halter. In jedem Fall ist die
Magnetisierungsrichtung der Magnetanordnung in Richtung der Achse 19
der Fig. 1 zu wählen. Werden zwei Magnetsysteme dieser Art aneinander
wie in Fig. 1 angeordnet, gibt es folglich zwei Möglichkeiten der Polung
der Magnete. Dies ist in Fig. 4a) und b) dargestellt. Die Anordnung 41 in
Fig. 4a) enthält Magnetsysteme 42 mit abwechselnder
Magnetisierungsrichtung. Die als Pfeile gestalteten Magnetfeldlinien 43
zeigen in beiden durch eine Zwischenkathode 44 getrennten
Entladungszellen der Anordnung 41 in die gleiche Richtung. Die
Magnetsysteme 46 in Anordnung 45 sind mit gleichen Polen (z. B. Südpol)
an einer Zwischenkathode 48 zusammensetzt. Es ergehen sich
Magnetfeldlinien 47 entgegengesetzter Richtung in den beiden
Entladungszellen.
Aufgrund der chemischen und physikalischen Wechselwirkungen
zwischen dem Plasma und den Elektrodenoberflächen kann es zum
Abtrag von Wandmaterial kommen, das als gasförmige Verunreinigung
im Plasma störenden Einfluß haben kann (z. B. Eisenverbindungen in
einem Fluorkohlenstoff-Ätzplasma). Eine vorteilhafte Lösung ergibt sich,
wenn das Elektrodenmaterial aus chemischen Elementen oder
Verbindungen gewählt wird, die ohne störenden Einfluß in die
ablaufenden plasmachemischen Vorgänge integriert werden können (z. B.
Graphitelektroden in einem Fluorkohlenstoff-Ätzplasma). Die NF-
Elektroden können direkt aus einem solchen Material hergestellt werden,
bei den Kathoden muß die Magnetfeldführung außerdem gewährleistet
sein. Fig. 5 zeigt eine erfindungsgemäße Anordnung, bei der die Kathoden
51 aus einem Metall hoher magnetischer Permeabilität mit aufgebrachten
dünnen Schichten oder aufzusetzenden Teilen 52 aus einem anderen
Material versehen sind. Eine vorteilhafte Lösung ergibt sich, wenn dieses
Material so gewählt wird, daß durch das Plasma gebildete gasförmige
Folgeprodukte keine Störung im vorgesehenen Prozeß verursachen.
Neben den bisher beschriebenen und dargestellten dominierenden Formen
der Niederfrequenz-Kaltkathodenentladung gibt es weitere
erfindungsgemäß ausführbare Formen von Anordnungen mit zwei
Entladungszellen, die mit impulsförmigen Spannungen an NF-Elektroden
betrieben werden. Fig. 6 zeigt eine solche Anordnung 60 mit zwei
stabförmigen NF-Elektroden 62, 64 auf einer Mittelachse 65. In das den
bisherigen Ausführungsformen entsprechende Magnet- und
Kathodensystem wird über eine isolierende Hülse 61 eine aus zwei
Stäben 62 und. 64 bestehende doppelte NF-Elektrode eingeführt. Beide
NF-Elektroden sind elektrisch voneinander durch einen Isolator 63
getrennt. Die NF-Elektroden 62, 64 werden elektrisch wie in Fig. 1 und
Fig. 2 beschaltet.
Fig. 7 zeigt eine eben angeordnete Niederfrequenz-Kaltkathoden-
Entladungsanordnung 70 mit einem Plasma 76. Die gesamte Anordnung
kann rotationssymmetrisch bzgl. einer in der Zeichenebene liegenden
Achse 75 mit konzentrisch angeordneten Elektroden sein oder die
einzelnen Elemente können rechtwinklig zur Zeichenebene mit dem
gezeigten Querschnitt fortgesetzt werden. Nachfolgend wird der
rotationssymmetrische Fall weiter betrachtet. Auf einem Träger 71 sind
kreisringförmigen Kathoden 72 mit dazwischen befindlichen einzelnen
Magneten 74 angeordnet. Die Magnetisierungsrichtung der beiden
Magnete 74 führt von einer Kathode 72 zur nächsten Kathode 72. Die
Magnetisierungsrichtungen der beiden Magnete 74 können analog zur
Darstellung in Fig. 4 gleiche oder entgegengesetzte Richtung haben. Zwei
ringförmige NF-Elektroden 73 ergänzen die Anordnung zur
erfindungsgemäßen Niederfrequenz-Kaltkathoden-Entladungsanordnung
70 mit einem Plasma 76.
Während die Entladungsanordnung nach Fig. 1 vorteilhaft für
Plasmadurchmesser kleiner 100 mm verwendet werden kann wird die
ebene flächenhafte NF-Kaltkathodenentladung nach Fig. 7 vorteilhaft für
Plasmadurchmesser über 100 mm verwendet.
Mit den bisher gezeigten nicht ebenen Niederfrequenz-
Kaltkathodenanordnungen nach Fig. 1 können Plasmaaustrittsflächen von
typischerweise einigen Millimetern bis ca. 100 mm Durchmesser und
Plasmaströme bis max. 1 A erreicht werden. Sollen wesentlich größere
Plasmaaustrittsflächen und Plasmaströme realisiert werden, können
mehrere Niederfrequenz-Kaltkathoden-Anordnungen lateral
nebeneinander angeordnet werden, wie dies in den folgenden Fig. 8
und 9 gezeigt ist. Die Kaltkathodenanordnungen können separat oder
vorteilhafterweise auch aus einer gemeinsamen Spannungsversorgung
betrieben werden (siehe Fig. 14). Werden n Entladungszellen in dieser
Weise parallel angeordnet, so ergibt sich ein n-facher
Gesamtplasmastrom.
Fig. 8 zeigt die Frontansicht einer linearen Anordnung von
Niederfrequenz-Kaltkathodenquellen in rechteckiger Ausführung.
Während die Plasmaräume der einzelnen Quelle miteinander verbunden
sind und einen gemeinsamen Plasmaraum mit einer gemeinsamen, in der
Zeichenebene hegenden Plasmaaustrittsöffnung 84 besitzen, können die
Anoden 83 und die Magnetsysteme 82 in lateraler Richtung nochmals
unterteilt sein.
Fig. 9 zeigt dagegen eine flächenförmige Anordnung 91 von völlig
selbständigen runden, mit ihren Achsen rechtwinklig zur Zeichenebene
gerichteten Niederfrequenz-Kaltkathodenanordnungen 92, von denen jede
ähnlich wie in Fig. 1 aufgebaut ist, mit separaten Plasmaaustrittsöffnungen
93.
In den Fig. 8 und 9 zeigen die Plasmaaustrittsöffnungen 84, 93
und/oder die hinter den Plasmaaustrittsöffnungen sich rechtwinklig zur
Zeichenebene erstreckenden und deshalb nicht sichtbaren
Entladungsräume der Anordnungen 81, 91 in die gleiche Richtung.
Fig. 10 zeigt eine Plasmaquelle 100 nach dem Prinzip von Fig. 1, mit
Kathoden 101, ringförmigen Elektroden 102, Ringmagneten 103, die
konzentrisch zu einer gemeinsamen Achse 108 angeordnet sind, wobei
die Magnetfeldgestaltung im Bereich der vorderen Kathode durch deren
konische Fläche 107 so verändert wurde, daß die Magnetfeldlinien einen
möglichst hohen Anteil des im Inneren erzeugten Plasmas nach außen auf
ein zu bearbeitendes Substrat 109 abführen. Es entsteht außerhalb der
Quelle ein Gleichstromplasma, mit dem Flächen bis zu 1 m2 mit
Ionenenergien zwischen 20 und 500 eV bearbeitet werden können. Die
Anordnung der Spannungsversorgungen (104, 105, 106) entspricht der
Anordnung in Fig. 1. Mit der Gleichspannungsquelle 106 kann die
Potentiallage des austretenden Plasmas verschoben werden. Vorteilhaft
wird eine Spannung von 0 bis + 500 V verwendet, um hohe Ionenenergien
auf dem auf Masse befindlichen Substrat 109 zu erreichen. Eine weitere
günstige Möglichkeit der Beschaltung mit der Gleichspannungsquelle 106
ergibt sich, wenn hiermit die Potentiallage des austretenden Plasmas
bezüglich des Massepotentials (bspw. nicht dargestellte Vakuumkammer
oder eines anderen außerhalb der Anordnung befindlichen Teiles)
gesteuert wird.
Fig. 11 zeigt ein Ausführungsbeispiel bei dem eine Niederfrequenz-
Kaltkathodenanordnung 111 mit einem Lochgitter (Extraktionsgitter) 112
versehen ist. Die Anordnung 111 wird wie in Fig. 1 bereits gezeigt mit
dazugehörigen Spannungsquellen 114 betrieben. Je nach Größe und
Polarität der Spannung U1 wird das Extraktionsgitter 112 auf positivem
(Extraktion von negativen Ionen und Elektronen) oder negativem
(Extraktion von positiven Ionen) Potential bzgl. des Plasmapotentials der
Niederfrequenzentladung gehalten.
Vorteilhaft wird diese Anordnung 111 zur Extraktion von positiven Ionen
mit Ionenenergien zwischen 30 und 300 eV eingesetzt. Auch mit dieser
Anordnung können wie bei Eingitterionenquellen allgemein
vergleichsweise große Ionenströme extrahiert werden. Aufgrund der
dadurch entstehenden positiven Raumladung in einem extrahierten
Ionenstrahl 117 ist es vorteilhaft, den Ionenstrahl durch Zugabe von
Elektronen aus einem Elektronen einspeisenden Gerät zu neutralisieren.
In Fig. 11 ist die Ionenstrahlneutralisation durch einen elektrisch durch
eine Spannungsquelle 116 geheizten Elektronen emittierenden Draht 113,
bspw. aus Wolfram dargestellt. Mittels einer Spannungsquelle 115 wird
das Extraktionsgitter in seiner Potentiallage so beeinflußt, daß entweder
kein Elektronenstrom (U2 = -50 . . . -100 V) oder ein definierter, die
Ionisation im Entladungsraum fördernder Elektronenstrom eingespeist
wird (U2 = -50 . . . +100 V).
Um Breitionenstrahlen mit Ionenenergien größer 100 eV zu erzeugen, ist
es vorteilhaft, die Niederfrequenz-Kaltkathodenentladung nach Fig. 1 mit
einem aus zwei Extraktionsgittern 122 und 123 bestehenden
Breitionenstrahlextraktionssystem gemäß Fig. 12 zu versehen. Das nahe
dem Plasma befindliche Gitter 122 wird vorteilhaft ahne äußere
Beschaltung mit einer Spannungsquelle ausgeführt, so daß es als etwa auf
Plasmapotential befindliches Schirmgitter wirkt, von dem aus positive
Ionen mittels des Gitters 123 extrahiert werden, das sich bezüglich des
Gitters 122 auf negativem Potential befindet.
Die Energie der extrahierten Ionen richtet sich nach einer
Spannungsquelle 126. Sie kann bis zu 2000 eV betragen. Die
Niederfrequenzentladung erzeugenden Spannungsquellen 125 und die
gesamte Kaltkathodenentladungsanordnung 121 werden daher durch die
Spannungsquelle 126 auf ein positives Potential bzgl. Masse gesetzt.
Ein extrahierte Ionenstrahl 129 mit typischem Durchmesser von 30-100 mm
kann, wie bereits im vorherigen Ausführungsbeispiel beschrieben,
durch einen Elektronen emittierenden geheizten Draht 124 neutralisiert
werden, der elektrisch durch eine Gleichspannungsquelle 128 versorgt
wird. Die Gleichspannungsquelle 127 spannt das Lochgitter 123 negativ
bzgl. des Neutralisators 124 vor und verhindert so ein Eindringen eines
Elektronenstroms in das Extraktionsgittersystem 122, 123.
Werden mehrere Niederfrequenz-Kaltkathodenanordnungen nach Fig. 1
nebeneinander linear (Fig. 8) oder flächenhaft (Fig. 9) angeordnet, um
eine großflächige Plasmaquelle 131 zu bilden, ist es vorteilhaft, wenn
über Anschlüsse 132, 133 die einzelnen Kaltkathodenanordnungen aus
einer gemeinsamen Spannungsversorgung in Reihe mit separat regelbaren
Vorwiderständen 134 betrieben werden, so wie das in Fig. 13 dargestellt
ist. Die NF-Elektroden der einzelnen Entladungsquellen sind also zu zwei
Gruppen zusammengeschaltet, die von jeweils einer gemeinsamen
Spannungsquelle 135 bzw. 136 betrieben werden.
Die schematisch als regelbare ohmsche Widerstände dargestellten
Vorwiderstände 134 sind so bemessen, daß an ihnen in Abhängigkeit vom
eingestellten Regelwert zwischen 5 und 50% der von Spannungsquellen
135 und 136 erzeugten Niederfrequenzspannung abfällt. Damit kann die
Intensität des sich in den einzelnen Entladungszellen der großflächigen
Plasmaquelle 131 ausbildenden Plasmas eingestellt werden, z. B. um eine
Plasmaverteilung mit Inhomogenitäten kleiner 5% in der in Fig. 13
dargestellten Zeile zu erreichen. Eine Gleichspannungsquelle 137 dient
der Verschiebung der Potentiallage des austretenden Plasmas.
Das in Fig. 13 dargestellte Prinzip kann auch für flächenhafte
Anordnungen nach Fig. 9 Anwendung finden.
Neben den bisherigen Anwendungsbeispielen, die darauf ausgerichtet
sind, einen Plasma- oder Ionenstrom auf Substrate zu Zwecken der
Dünnschichttechnologie zu leiten, zeigt Fig. 14 eine Anwendung der
Niederfrequenz-Kaltkathodenentladung zur Druckbestimmung im
Druckbereich von 10-5 bis 10-1 mbar, die vorteilhaft auf einer Anordnung
mit stabförmigen NF-Elektroden nach Fig. 6 beruht.
Eine mit einem vakuumdichten Gehäuse 142 versehene Niederfrequenz-
Kaltkathodenanordnung 141 ist über einen Vakuumflansch 146 an eine
Vakuumkammer 143 angeschlossen, in der der Druck gemessen werden
soll. Die Entladung wird mit zwei Niederfrequenz-
Spannungsversorgungen 144 nach Fig. 1 betrieben. Als Meßgröße für den
Gasdruck wird der Kathodenstrom 145 (Strommesser) in Zusammenhang
mit den NF-Spannungen UACC und UACC2 ausgewertet. Auf diese
Weise entsteht eine Druckmesseinrichtung 140, welche die
Gasdruckabhängigkeit der Werte der elektrischen Betriebsgrößen zur
Bestimmung des Gasdrucks ausnutzt und im Gegensatz zu mit
Gleichspannung betriebenen Penning- oder Ionisationsvakuummetern
auch bei chemisch agressiven oder beschichtenden Gasen eingesetzt
werden kann.
Alle in der Beschreibung, den nachfolgenden Ansprüchen und der
Zeichnung dargestellten Merkmale können sowohl einzeln als auch in
beliebiger Kombination miteinander erfindungswesentlich sein.
Bezugszeichenliste
10
,
41
,
45
,
60
,
81
,
91
Anordnungen
11
,
51
,
72
,
101
Kathoden
12
,
16
,
102
NF-Elektroden
13
,
15
,
74
Magnete
14
,
18
,
76
Plasma
17
,
44
,
48
Zwischenkathoden
19
,
65
Mittelachse
31
Plasmaquellenkörper
32
,
62
,
64
,
73
NF-Elektroden
33
,
42
,
46
,
82
Magnetsysteme
34
,
37
Öffnungen
35
Plasmaquellengrundkörper
36
,
38
Platten
43
,
47
Magnetfeldlinien
52
aufzusetzende Teile
61
Hülse
63
Isolator
70
Entladungsanordnung
71
Träger
75
,
108
Achse
83
Anoden
84
,
93
Plasmaaustrittsöffnungen
92
Niederfrequenz-Kaltkathodenanordnung
100
,
131
Plasmaquelle
103
Ringmagnete
104
,
105
,
106
,
144
Spannungsversorgungen
107
konische Flächen
109
Substrat
111
,
141
NF-Kaltkathodenanordnung
112
,
122
,
123
Lochgitter, Extraktionsgitter
113
,
124
Elektronen emittierender Draht
114
,
115
,
116
,
125
,
126
,
135
,
136
,
210
,
211
Spannungsquellen
117
,
129
Ionenstrahl
121
Kaltkathodenentladungsanordnung
127
,
128
,
137
,
212
Gleichspannungsquellen
181
,
182
Entladungszellen
191
Feldlinien
192
Plasmaaustrittsöffnung
132
,
133
Anschlüsse
134
Vorwiderstände
140
Druckmeßeinrichtung
142
Gehäuse
143
Vakuumkammer
145
Kathodenstrom(messer)
146
Vakuumflansch