DE19925044A1 - Halbleiterscheibe mit Kristallgitter-Defekten und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

Halbleiterscheibe mit Kristallgitter-Defekten und Verfahren zur Herstellung derselben

Info

Publication number
DE19925044A1
DE19925044A1 DE19925044A DE19925044A DE19925044A1 DE 19925044 A1 DE19925044 A1 DE 19925044A1 DE 19925044 A DE19925044 A DE 19925044A DE 19925044 A DE19925044 A DE 19925044A DE 19925044 A1 DE19925044 A1 DE 19925044A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor wafer
concentration
central region
heat treatment
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19925044A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19925044B4 (de
Inventor
Theresia Bauer
Alfred Buchner
Guenther Obermeier
Wilfried Von Ammon
Juergen Hage
Rasso Ostermeir
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siltronic AG
Original Assignee
Wacker Siltronic AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wacker Siltronic AG filed Critical Wacker Siltronic AG
Priority to DE19925044A priority Critical patent/DE19925044B4/de
Priority to US09/575,281 priority patent/US6395653B1/en
Priority to JP2000155230A priority patent/JP3578397B2/ja
Publication of DE19925044A1 publication Critical patent/DE19925044A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19925044B4 publication Critical patent/DE19925044B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/30—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface
    • H01L29/32—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface the imperfections being within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
    • H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
    • H01L21/3225—Thermally inducing defects using oxygen present in the silicon body for intrinsic gettering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterscheibe mit einer Vorderseite 1, einer Rückseite 2, einer oberen Schicht 3, einer unteren Schicht 4, einer unter der oberen Schicht 3 liegenden inneren Schicht 5, einer über der unteren Schicht 4 liegenden inneren Schicht 6, einem Zentralbereich 7 zwischen den Schichten 5 und 6 und einer ungleichmäßigen Verteilung an Kristallgitter-Defekten, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei den Kristallgitter-Defekten um substituiell oder interstitiell eingebauten Stickstoff handelt.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterscheibe mit ei­ ner ungleichmäßigen Verteilung an Kristallgitter-Defekten und ein Verfahren zur Herstellung derselben.
Siliziumkristalle, insbesondere zur Herstellung von Halblei­ terscheiben erhält man bevorzugt durch das Ziehen eines Impf­ kristalls aus einer Siliziumschmelze, die in der Regel in ei­ nem Quarzglastiegel vorgelegt wird. Ausführlich ist dieses so­ genannte Tiegelzieh-Verfahren nach Czochralski z. B. in W. Zu­ lehner und D. Huber, Czochralski-Grown Silicon, Crystals 8, Springer Verlag Berlin-Heidelberg 1982 beschrieben.
Durch die Reaktion des Quarzglastiegels mit der Silizium­ schmelze während des Tiegelzieh-Verfahrens wird in den wach­ senden Siliziumkristall als dominierende Verunreinigung Sauer­ stoff eingebaut. Die Konzentration des Sauerstoffes ist meist so hoch, daß dieser nach dem Abkühlen des Kristalls in über­ sättigter Form vorliegt. In nachfolgenden Wärmebehandlungen wird der Sauerstoff in Form von Sauerstoffpräzipitaten ausge­ schieden. Diese Ausscheidungen haben sowohl Vor- als auch Nachteile. Vorteilhaft sind die sogenannten Gettereigenschaf­ ten der Sauerstoffpräzipitate.
Darunter versteht man, daß beispielsweise metallische Verun­ reinigungen in der Halbleiterscheibe an die Sauerstoffpräzipi­ tate gebunden werden und somit aus der oberflächennahen, bau­ elementerelevanten Schicht entfernt werden. Nachteilig ist, daß Sauerstoffpräzipitate in der oberflächennahen, bauelemen­ terelevanten Schicht die Funktion der Bauelemente, die auf der Halbleiterscheibe gefertigt werden, stören. So ist man be­ strebt, nahe der Oberfläche eine präzipitatfreie Zone, PFZ auch als denuded zone, DZ bezeichnet, und im Inneren der Halb­ leiterscheibe, im sogenannten Bulk eine hohe Konzentration an Präzipitaten zu erzeugen.
Im Stand der Technik, beispielsweise in "Oxygen in Silicon" F. Shimura, Semiconductors and Semimaterials Vol 42, Academic Press, San Diego, 1994, ist offenbart, wie die Ausdiffusion des Sauerstoffes nahe der Oberfläche in einer Wärmebehandlung bei Temperaturen von vorzugsweise über 1100°C erreicht wird. Durch diese Ausdiffusion sinkt die Konzentration des Sauer­ stoffes so weit in der oberflächennahen Schicht ab, daß keine Präzipitation mehr erfolgt und damit eine PFZ generiert wird. Diese Wärmebehandlung war bei den Herstellungsprozessen von Bauelementen meist direkt integriert. In modernen Prozessen werden diese hohen Temperaturen allerdings nicht mehr verwen­ det, so daß die notwendige Ausdiffusion durch einen zusätzli­ chen Wärmebehandlungsschritt durchgeführt wird.
Die Sauerstoffpräzipitation erfolgt im wesentlichen in zwei Schritten:
  • 1. Bildung von Nukleationszentren für Sauerstoffpräzipitate, sogenannte Nuklei
  • 2. Wachsen dieser Zentren zu detektierbaren Sauerstoffpräzi­ pitaten.
Während nachfolgender Wärmebehandlungen kann die Größe dieser Nuklei derart modifiziert werden, so daß die, die einen größe­ ren Radius als den sogenannten "kritischen Radius" haben, zu Sauerstoffpräzipitaten wachsen; dagegen zerfallen (lösen sich auf) Nukleis mit einem kleineren Radius. Das Wachstum der Nu­ kleis mit einem Radius < rc erfolgt bei höherer Temperatur und ist im wesentlichen durch die Diffusion des Sauerstoffs be­ grenzt. Ein allgemein akzeptiertes Modell (vgl. beispielsweise Vanhellemont et. al., J. Appl. Phys. 62, S. 3960, 1987) be­ schreibt den kritischen Radius rc als Funktion der Temperatur, der Sauerstoffübersättigung sowie der Konzentration der Leer­ stellen. Unter Konzentration werden Teilchen pro Volumenein­ heit verstanden. Eine hohe Sauerstoffkonzentration und/oder eine hohe Leerstellenübersättigung vereinfacht bzw. beschleu­ nigt die Sauerstoffpräzipitation und führt zu einer höheren Konzentration an Präzipitaten. Des weiteren hängt die Konzen­ tration bzw. die Größe der Präzipitate, insbesondere in Halb­ leiterscheiben, von Aufheiz- und Abkühlraten während thermi­ scher Ofenprozesse, insbesondere während den sogenannten RTA- Prozessen (Rapid Thermal Annealing) ab. Bei diesen Wärmebe­ handlungen werden Halbleiterscheiben innerhalb weniger Sekun­ den auf Temperaturen von bis zu 1300°C erwärmt und anschlie­ ßend mit Raten von bis zu 300°C/sec abgekühlt.
Die Sauerstoffkonzentration, die Leerstellenkonzentration, die Interstitialkonzentration, die Dotierstoffkonzentration sowie die Konzentration an bereits vorhandenen Ausscheidungskeimen, wie beispielsweise Kohlenstoffatomen beeinflußt ebenfalls die Präzipitation von Sauerstoff.
Aus der WO 98/38675 ist eine Halbleiterscheibe mit einer un­ gleichmäßigen Verteilung an Kristallgitter-Leerstellen be­ kannt, die mittels einer Wärmebehandlung erhalten wird. Das Maximum dieses derart generierten Leerstellenprofils befindet im Bulk der Halbleiterscheibe und fällt in Richtung der Ober­ flächen stark ab. Während nachfolgender Wärmebehandlungsver­ fahren, insbesondere bei 800°C für 3 h und 1000°C für 16 h folgt die Sauerstoffpräzipitation diesem Profil. Man erhält dadurch eine PFZ ohne eine vorherige Ausdiffusion des Sauer­ stoffes und Sauerstoffpräzipitate im Bulk der Halbleiterschei­ be. Die Konzentration der Sauerstoffpräzipitate wird gemäß der WO 98/38675 über die Konzentration der Leerstellen eingestellt und die Tiefe über die Abkühlrate nach der Wärmebehandlung. Nachteilig an dieser Halbleiterscheibe ist, daß sich Leerstel­ len im Kristallgitter als sehr beweglich erweisen, insbesonde­ re während einer Wärmebehandlung bei Temperaturen < 1000°C. Folglich "verschmiert" das Profil der Leerstellen und damit das Profil der Sauerstoffpräzipitate während nachfolgender Wärmebehandlungen.
Unterzieht man sauerstoffhaltige Halbleiterscheiben, die weder einem Hochtemperaturprozeß von < 1050°C zur Ausdiffusion des Sauerstoffes noch einer Wärmebehandlung gemäß der WO 98/38675 unterworfen waren, einer Wärmebehandlung in einem Temperatur­ bereich von bevorzugt zwischen 450°C und 850°C für vorzugs­ weise einige Stunden, so ergibt sich bei nachfolgenden Wärme­ behandlungen, beispielsweise bei 780°C für 3 h und 1000°C für 16 h, keine Ausbildung einer PFZ, sondern nur eine homoge­ ne Präzipitatdichte in der Siliziumscheibe. Das bedeutet, daß nur eine homogene Konzentration der Nukleationszentren für die spätere Sauerstoffkonzentration durch die Wärmebehandlung im Bereich von bevorzugt zwischen 450°C und 850°C geschaffen wurde.
Aufgabe der Erfindung ist es daher eine Halbleiterscheibe und ein Verfahren zur Herstellung derselben zur Verfügung zu stel­ len, die ein stabiles Profil an Nukleationszentren für Sauer­ stoffpräzipitate aufweist und damit als Basis für eine Halb­ leiterscheibe mit verbesserter interner Getterwirkung dient.
Gelöst wird die Aufgabe durch eine Halbleiterscheibe mit einer Vorderseite 1, einer Rückseite 2, einer oberen Schicht 3, ei­ ner unteren Schicht 4, einer unter der oberen Schicht 3 lie­ genden inneren Schicht 5, einer über der unteren Schicht 4 liegenden inneren Schicht 6, einem Zentralbereich 7 zwischen den Schichten 5 und 6 und einer ungleichmäßigen Verteilung an Kristallgitter-Defekten, die dadurch gekennzeichnet ist, daß es sich bei den Kristallgitter-Defekten um substitutiell oder interstitiell eingebauten Stickstoff handelt.
Die Konzentration des Stickstoffs weist bevorzugt ein Maximum (max1) im Zentralbereich 7 auf und nimmt bevorzugt gleichmäßig in Richtung Vorderseite 1 und in Richtung Rückseite 2 ab. Im Maximum (max1) beträgt Konzentration des Stickstoffs bevorzugt zwischen 1011 und 1015 Atome/cm3.
Fig. 1 zeigt die hier definierten Schichten sowie die Vorder­ seite 1, die Rückseite 2 und den Zentralbereich 7 zwischen den Schichten 5 und 6 einer Halbleiterscheibe. Die obere Schicht 3 ist bevorzugt zwischen 0 und 100 µm, die innere Schicht 5 be­ vorzugt zwischen 15 und 330 µm, die innere Schicht 6 bevorzugt zwischen 100 und 300 µm und die untere Schicht 4 bevorzugt zwischen 0 und 250 µm dick.
Gelöst wird die Aufgabe der Erfindung auch durch ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit einer Vorderseite 1, einer Rückseite 2, einer oberen Schicht 3, einer unteren Schicht 4, einer unter der oberen Schicht 3 liegenden inneren Schicht 5, einer über der unteren Schicht 4 liegenden inneren Schicht 6, einem Zentralbereich 7 zwischen den Schichten 5 und 6 und einer ungleichmäßigen Verteilung an substitutiell oder interstitiell eingebauten Stickstoff, das dadurch gekennzeich­ net ist, daß eine mit Stickstoff dotierte Halbleiterscheibe einer Wärmebehandlung für 1 bis 360 sec bei einer Temperatur zwischen 800 und 1300°C unterworfen wird.
Die dotierte Halbleiterscheibe hat eine Stickstoffkonzentrati­ on von bevorzugt 1012 bis 3 × 1015 Atome/cm3 und besonders bevorzugt von 2 × 1013 Atome/cm3 bis 4 × 1014 Atome/cm3 und eine Sauerstoffkonzentration von bevorzugt 1 × 1017 bis 1 × 1018 Atome/cm3 und besonders bevorzugt von 2 × 1017 bis 6,5 × 1017 Atome/cm3. Derartige Halbleiterscheiben sind aus stick­ stoffdotierten Kristallstäben erhältlich, die beispielsweise in R.S. Hockett, Appl. Phys. Lett. 48, 1986, p. 224 offenbart sind.
Die Wärmebehandlung wird bevorzugt unter einer Prozeßgasatmo­ sphäre durchgeführt. Das Prozeßgas wird bevorzugt aus einer Gruppe von Gasen ausgewählt, die Sauerstoff, Stickstoff, Was­ serstoff und die Edelgase, sowie beliebige Mischungen und be­ liebige chemische Verbindungen der genannten Gase umfaßt. Vor­ zugsweise hat das Prozeßgas oxidierende Eigenschaften. Nach der Wärmebehandlung werden in dem Temperaturbereich von 1300 bis 800°C Abkühlraten von bevorzugt zwischen 1 und 300°C/sec, besonders bevorzugt zwischen 100°C/s und 250°C/sec und insbesondere zwischen 75°C/s und 200°C/sec. Mittels der Ab­ kühlraten werden die Konzentration und die Tiefe der Defekte gesteuert.
Erfindungsgemäß wird in einer mit Stickstoff dotierte Halblei­ terscheibe über Diffusionsprozesse während einer Wärmebehand­ lung ein Konzentrationsprofil an Stickstoff generiert. Die Konzentration an Stickstoff weist ein Maximum (max1) im Zen­ tralbereich 7 auf und nimmt in Richtung Vorderseite 1 und in Richtung Rückseite 2 vorzugsweise gleichmäßig ab. Die Stick­ stoffkonzentration im Maximum (max1) beträgt bevorzugt von 1012 bis 1015 Atome/cm3.
Überraschenderweise gelingt es dieses Profil der ungleichmäßi­ gen Verteilung an substitutiell oder interstitiell eingebauten Stickstoff in einer nachfolgende Wärmebehandlung in ein ent­ sprechendes Profil einer ungleichmäßigen Verteilung an Nuklea­ tionszentren für Sauerstoffpräzipitate zu überführen.
Demnach wird die Aufgabe der Erfindung auch gelöst durch eine Halbleiterscheibe mit einer Vorderseite 1, einer Rückseite 2, einer oberen Schicht 3, einer unteren Schicht 4, einer unter der oberen Schicht 3 liegenden inneren Schicht 5, einer über der unteren Schicht 4 liegenden inneren Schicht 6, einem Zen­ tralbereich 7 zwischen den Schichten 5 und 6 und einer un­ gleichmäßigen Verteilung an Nukleationszentren für Sauerstoff­ präzipitate, die dadurch gekennzeichnet ist, daß die Konzen­ tration der Nukleationszentren ein Maximum (max1) im Zentral­ bereich 7 aufweist und die Konzentration der Nukleationszen­ tren auf der Vorderseite 1, der Rückseite 2, in der oberen Schicht 3 und der unteren Schicht 4 so gering ist, daß in ei­ ner nachfolgenden Wärmebehandlung ohne Ausdiffusion von Sauer­ stoff präzipitatfreie Schichten auf der Vorderseite 1 und der Rückseite 2 von 1 bis 100 µm Dicke entstehen.
Die Aufgabe der Erfindung wird auch gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit einer ungleichmä­ ßigen Verteilung an Nukleationszentren für Sauerstoffpräzipi­ tate, das dadurch gekennzeichnet ist, daß eine Halbleiter­ scheibe mit einer ungleichmäßigen Verteilung an substitutionell oder interstitionell eingebauten Stickstoff einer Wärmebehand­ lung bei einer Temperatur zwischen 300 und 800°C unterworfen wird.
Erfindungsgemäß wird eine Halbleiterscheibe, die ein Konzen­ trationsprofil an Stickstoff aufweist während einer Wärmebe­ handlung in eine Halbleiterscheibe mit einer ungleichmäßigen Verteilung an Nukleationszentren für Sauerstoffpräzipitate übergeführt. Die Konzentration an Nukleationszentren weist ein Maximum (max1) im Zentralbereich 7 auf. Auf der Vorderseite 1, der Rückseite 2, in der oberen Schicht 3 und der unteren Schicht 4 ist die Konzentration der Nukleationszentren so ge­ ring, daß in einer nachfolgenden Wärmebehandlung ohne Ausdif­ fusion von Sauerstoff präzipitatfreie Schichten auf der Vor­ derseite 1 und der Rückseite 2 von 1 bis 100 µm entstehen.
Die Wärmebehandlung wird bevorzugt unter einer Prozeßgasatmo­ sphäre durchgeführt. Das Prozeßgas wird bevorzugt aus einer Gruppe von Gasen ausgewählt, die Sauerstoff, Stickstoff, Was­ serstoff und die Edelgase, sowie beliebige Mischungen und be­ liebige chemische Verbindungen der genannten Gase umfaßt. Die Wärmebehandlung dauert bevorzugt zwischen 15 und 360 min.
Die Aufgabe wird demnach auch durch eine Halbleiterscheibe mit einer ungleichmäßigen Verteilung an Nukleationszentren für Sauerstoffpräzipitate gelöst.
Überraschenderweise zeigte sich, daß die Nukleationszentren keine beweglichen Punktdefekte sind, sondern ortsfeste Aus­ scheidungen. Erfindungsgemäß folgt damit die Sauerstoffpräzi­ pitation exakt dem Profil dieser ortsfesten Ausscheidungen während nachfolgender Wärmebehandlungen, beispielsweise wäh­ rend einer Wärmebehandlung von 780°C für 3 h und 1000°C für 16 h. Die Aufgabe wird demnach auch durch eine Halbleiter­ scheibe mit einer ungleichmäßigen Verteilung an Nukleations­ zentren für Sauerstoffpräzipitate gelöst.
Erfindungsgemäß erhält man bei dieser Wärmebehandlung von vor­ zugsweise 780°C für 3 h und 1000°C für 16 h eine präzipitat­ freie Schicht auf der bauelementaktiven Seite der Halbleiter­ scheibe von bevorzugt von 1 bis 100 µm Dicke, ohne daß aufwen­ dige Sauerstoff-Ausdiffusionsschritte durchgeführt werden müs­ sen. Im Bulk der Halbleiterscheibe befinden sich Sauerstoff­ präzipitate in einer Konzentration von typischerweise 1 × 108 bis 1 × 1011 cm-3, so daß das interne Gettern von Verunreinigun­ gen gewährleistet wird.

Claims (8)

1. Halbleiterscheibe mit einer Vorderseite 1, einer Rückseite 2, einer oberen Schicht 3, einer unteren Schicht 4, einer unter der oberen Schicht 3 liegenden inneren Schicht 5, einer über der unteren Schicht 4 liegenden inneren Schicht 6, einem Zentralbereich 7 zwischen den Schichten 5 und 6 und einer ungleichmäßigen Verteilung an Kristallgitter- Defekten, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei den Kri­ stallgitter-Defekten um substitutiell oder interstitiell eingebauten Stickstoff handelt.
2. Halbleiterscheibe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration des Stickstoffs ein Maximum (max1) im Zentralbereich 7 aufweist und in Richtung Vorderseite 1 und in Richtung Rückseite 2 abnimmt.
3. Halbleiterscheibe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration des Stickstoffs im Maximum (max1) zwischen 1011 und 1015 Atome/cm3 beträgt.
4. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine mit Stick­ stoff dotierte Halbleiterscheibe einer Wärmebehandlung für 1 bis 360 sec bei einer Temperatur zwischen 800 und 1300°C unterworfen wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Wärmebehandlung in dem Temperaturbereich von 1300 bis 800°C Abkühlraten von 1 bis 300°C/sec eingehalten werden.
6. Halbleiterscheibe mit einer Vorderseite 1, einer Rückseite 2, einer oberen Schicht 3, einer unteren Schicht 4, einer unter der oberen Schicht 3 liegenden inneren Schicht 5, einer über der unteren Schicht 4 liegenden inneren Schicht 6, einem Zentralbereich 7 zwischen den Schichten 5 und 6 und einer ungleichmäßigen Verteilung an Nukleationszentren für Sauerstoffpräzipitate, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration der Nukleationszentren ein Maximum (max1) im Zentralbereich 7 aufweist und die Konzentration der Nu­ kleationszentren auf der Vorderseite 1, der Rückseite 2, in der oberen Schicht 3 und der unteren Schicht 4 so ge­ ring ist, daß in einer nachfolgenden Wärmebehandlung ohne Ausdiffusion von Sauerstoff präzipitatfreie Schichten auf der Vorderseite 1 und der Rückseite 2 von 1 bis 100 µm Dicke entstehen.
7. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe gemäß Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Halbleiter­ scheibe mit einer ungleichmäßigen Verteilung an substitu­ tiell oder interstitiell eingebauten Stickstoff oder einer ungleichmäßigen Verteilung an Leerstellen einer Wärmebe­ handlung bei einer Temperatur zwischen 300 und 800°C un­ terworfen wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebehandlung zwischen 15 und 360 min dauert.
DE19925044A 1999-05-28 1999-05-28 Halbleiterscheibe mit Kristallgitter-Defekten und Verfahren zur Herstellung derselben Expired - Lifetime DE19925044B4 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19925044A DE19925044B4 (de) 1999-05-28 1999-05-28 Halbleiterscheibe mit Kristallgitter-Defekten und Verfahren zur Herstellung derselben
US09/575,281 US6395653B1 (en) 1999-05-28 2000-05-22 Semiconductor wafer with crystal lattice defects, and process for producing this wafer
JP2000155230A JP3578397B2 (ja) 1999-05-28 2000-05-25 結晶格子欠陥を有する半導体ディスク及びその製造法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19925044A DE19925044B4 (de) 1999-05-28 1999-05-28 Halbleiterscheibe mit Kristallgitter-Defekten und Verfahren zur Herstellung derselben

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19925044A1 true DE19925044A1 (de) 2000-12-07
DE19925044B4 DE19925044B4 (de) 2005-07-21

Family

ID=7909854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19925044A Expired - Lifetime DE19925044B4 (de) 1999-05-28 1999-05-28 Halbleiterscheibe mit Kristallgitter-Defekten und Verfahren zur Herstellung derselben

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6395653B1 (de)
JP (1) JP3578397B2 (de)
DE (1) DE19925044B4 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1456875A2 (de) * 2001-12-21 2004-09-15 MEMC Electronic Materials, Inc. Siliziumscheiben mit idealem sauerstoff-präzipitationsverhalten mit durch nitrogen/kohlenstoff stabilisierten sauerstoffpräzipitaten-keimbildungszentren und verfahren zu deren herstellung
US6803331B2 (en) 2002-02-07 2004-10-12 Siltronic Ag Process for the heat treatment of a silicon wafer, and silicon wafer produced

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4463957B2 (ja) * 2000-09-20 2010-05-19 信越半導体株式会社 シリコンウエーハの製造方法およびシリコンウエーハ
JP4567251B2 (ja) * 2001-09-14 2010-10-20 シルトロニック・ジャパン株式会社 シリコン半導体基板およびその製造方法
DE102008061519A1 (de) * 2008-12-10 2010-01-07 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus Silizium mit internem Getter

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69213795T2 (de) * 1991-04-03 1997-03-27 Philips Electronics Nv Verfahren zur Erzeugung von epitaktischen II-VI-Halbleiterschichten mit hohen Akzeptor-Konzentrationen
WO1998038675A1 (en) * 1997-02-26 1998-09-03 Memc Electronic Materials, Inc. Ideal oxygen precipitating silicon wafers and oxygen out-diffusion-less process therefor

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2726583B2 (ja) * 1991-11-18 1998-03-11 三菱マテリアルシリコン株式会社 半導体基板
JPH0684925A (ja) * 1992-07-17 1994-03-25 Toshiba Corp 半導体基板およびその処理方法
JPH0786289A (ja) * 1993-07-22 1995-03-31 Toshiba Corp 半導体シリコンウェハおよびその製造方法
US5445975A (en) * 1994-03-07 1995-08-29 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor wafer with enhanced pre-process denudation and process-induced gettering
US5882989A (en) * 1997-09-22 1999-03-16 Memc Electronic Materials, Inc. Process for the preparation of silicon wafers having a controlled distribution of oxygen precipitate nucleation centers
TW508378B (en) * 1998-03-09 2002-11-01 Shinetsu Handotai Kk A method for producing a silicon single crystal wafer and a silicon single crystal wafer
EP0959154B1 (de) * 1998-05-22 2010-04-21 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd Einkristalline epitaktische Siliciumscheibe und Verfahren zu ihrer Herstellung

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69213795T2 (de) * 1991-04-03 1997-03-27 Philips Electronics Nv Verfahren zur Erzeugung von epitaktischen II-VI-Halbleiterschichten mit hohen Akzeptor-Konzentrationen
WO1998038675A1 (en) * 1997-02-26 1998-09-03 Memc Electronic Materials, Inc. Ideal oxygen precipitating silicon wafers and oxygen out-diffusion-less process therefor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1456875A2 (de) * 2001-12-21 2004-09-15 MEMC Electronic Materials, Inc. Siliziumscheiben mit idealem sauerstoff-präzipitationsverhalten mit durch nitrogen/kohlenstoff stabilisierten sauerstoffpräzipitaten-keimbildungszentren und verfahren zu deren herstellung
US6803331B2 (en) 2002-02-07 2004-10-12 Siltronic Ag Process for the heat treatment of a silicon wafer, and silicon wafer produced

Also Published As

Publication number Publication date
US6395653B1 (en) 2002-05-28
JP3578397B2 (ja) 2004-10-20
DE19925044B4 (de) 2005-07-21
JP2001007116A (ja) 2001-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10055648B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Siliziumwafers mit gesteuerter Störstellenverteilung und damit hergestellter Siliziumwafer
DE112005000863B4 (de) Verfahren zur Hitzebehandlung eines Siliziumhalbleitersubstrats
EP0328048B1 (de) Herstellung von Halbleiterscheiben mit verbesserter Kontrolle der Innenstörstellen
EP0962555B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls
DE10227141B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Siliziumwafers mit einer denudierten Zone und damit hergestellter Siliziumwafer
DE69915729T2 (de) Stickstoffdotierte einkristalline Siliziumscheibe mit geringen Fehlstellen und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP0829559B2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium mit geringer Defektdichte
DE69937803T2 (de) Verfahren zur herstellung eines czochralski silizium wafers ohne sauerstoffniederschlag
DE19609107B4 (de) Verfahren zum Herstellen von Siliziumwafern
DE10205084B4 (de) Verfahren zur thermischen Behandlung einer Siliciumscheibe sowie dadurch hergestellte Siliciumscheibe
DE102008046617B4 (de) Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium und Verfahren für deren Herstellung
DE3413082A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von halbleitermaterialien
DE102012214085A1 (de) Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium und Verfahren zu deren Herstellung
DE102008022747B4 (de) Silicium-Einkristall-Wafer und Verfahren zur Herstellung
DE112008000486T5 (de) Verfahren für die Fertigung eines Einkristall-Siliziumwafers
EP1136596A1 (de) Halbleiterscheibe aus Silicium und Verfahren zur Herstellung der Halbleiterscheibe
DE112011101914T5 (de) Verfahren zum Herstellen eines Siliziumwafers und Siliziumwafer
DE69936926T2 (de) Verfahren zum entfernen von defekten aus einkristallmaterial
DE60209064T2 (de) Siliziumhalbleitersubstrat und Vefahren zu seiner Herstellung
DE102016115436A1 (de) Verfahren zum Züchten von monokristallinem Silizium und einem daraus hergestellten monokristallinen Siliziumingot
DE112022002288T5 (de) Kristallziehvorrichtung und verfahren zum ziehen von einkristall-siliziumblöcken und einkristall-siliziumblöcke
DE112014002183T5 (de) Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Einkristalls
DE112006000816T5 (de) Produktionsverfahren für Siliziumeinkristall, getemperter Wafer und Produktionsverfahren für getemperten Wafer
DE112012000607T5 (de) Verfahren zum Herstellen eines Siliziumsubstrats und Siliziumsubstrat
DE102005039116B4 (de) Verfahren zur Erzeugung eines Siliziumwafers

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: WACKER SILTRONIC AG, 84489 BURGHAUSEN, DE

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: SILTRONIC AG, 81737 MUENCHEN, DE

8364 No opposition during term of opposition
R071 Expiry of right