DE19922967C2 - Mikromechanischer kapazitiver Ultraschallwandler und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents
Mikromechanischer kapazitiver Ultraschallwandler und Verfahren zu dessen HerstellungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft kapazitive Ultraschallwandler, die mi
kromechanisch hergestellt sind und somit eine massearme Mem
bran aufweisen.
Kapazitive Ultraschallwandler besitzen zur Schallabstrahlung
eine massearme Membran. Damit ist die Voraussetzung für große
Bandbreiten bei der Schallabstrahlung mit gutem Wirkungsgrad
gegeben. Die abgestrahlte Leistung wird durch die antreibende
Kraft und den daraus resultierenden Membranhub bestimmt. Ka
pazitive Wandler werden derzeit bevorzugt für die Abstrahlung
von Ultraschall in Luft eingesetzt. Bei dieser Schallabstrah
lung wird bei gegebener Antriebskraft für die Membran ein
entsprechender Hub vorhanden sein. Wird nun die Schallab
strahlung in Flüssigkeiten betrachtet, so wird bei gleicher
Kraft ein wesentlich kleinerer Membranhub erreicht werden als
bei der Abstrahlung an oder in Luft. Damit sinken die abge
strahlte Leistung des Ultraschallwandlers und dessen Wir
kungsgrad. Dies gilt sowohl für Flüssigkeiten als auch für
biologisches Gewebe, das in diesem Anwendungsfall ähnliche
Eigenschaften aufweist. Für eine sinnvolle Anwendung des ka
pazitiven Wandlungsprinzipes bei Flüssigkeiten und biologi
schen Geweben ist es erforderlich, den Abstand zwischen den
Elektroden des den Ultraschallwandler darstellenden Kondensa
tors, den Kondensatorspalt, zu reduzieren. Dadurch wird bei
gleicher elektrischer Spannung eine höhere Feldstärke und da
mit eine höhere Antriebskraft erreicht. Im Idealfall bewirkt
die erhöhte Antriebskraft einen Membranhub, der beinahe so
groß ist wie die Höhe des Kondensatorspaltes. Besonders für
hohe Frequenzen um 50 MHz und einer Spannung von 10 V sollte
der Spalt maximal 20 nm hoch sein. Derart geringe Höhen sind
jedoch derzeit nicht herstellbar.
Im Stand der Technik werden zur Schallerzeugung in Flüssig
keiten und biologischen Geweben überwiegend andere Wandler
prinzipien wie z. B. das piezoelektrische Prinzip eingesetzt.
Bei einem mikromechanischen Herstellungsverfahren kommt es
darauf an, den extrem geringen Luftspalt zwischen Membran und
Gegenelektrode herzustellen. Bisherige mikromechanische Lö
sungen sind mit einer Spalthöhe von ca. 100 nm verbunden.
Aus der DE-A-196 43 893 ist beispielsweise ein Ultraschall
wandler bekannt, der in Oberflächen-Mikromechanik hergestellt
wird. Auf einem Siliziumsubstrat mit darin ausgebildetem do
tierten Bereich befinden sich eine Abstandsschicht und eine
darüber liegende Membran, wobei der dotierte Bereich und die
Membran mit im Bauteil integrierten elektronischen Bauelemen
ten verbunden sind. Die elektronischen Bauteile sind Bestand
teil der Betriebsschaltung, beispielsweise zur Ansteuerung
der Membran und zur Auswertung von Membranschwingungen. Ins
besondere ist vorgesehen, den Abstand zwischen der Membran
und dem dotierten Bereich mittels einer Gleichspannung als
Vorspannung einzustellen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen mikromecha
nisch hergestellten kapazitiven Ultraschallwandler bereitzu
stellen, der eine Spalthöhe von weniger als 100 nm aufweist.
Weiterhin sollen Herstellungsverfahren beschrieben werden.
Die Lösung dieser Aufgaben geschieht durch die Merkmalskombi
nationen der Ansprüche 1 bzw. 10.
Vorteilhafte Ausgestaltungen können den Unteransprüchen ent
nommen werden.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß in einem
mikromechanischen Standardprozeß hergestellte kapazitive Ult
raschallwandler mit einem Luftspalt von beispielsweise 600 nm
so modifizierbar sind, daß die gewünschten Eigenschaften rea
lisierbar sind. Ein mit einer ebenen Membran hergestellter
Ultraschallwandler wird somit einem Verfahren unterworfen,
das eine gewünschte sehr niedrige Spalthöhe zwischen den Kon
densatorelektroden gewährleistet. Hierzu werden auf der Memb
ranseite, die der Gegenelektrode gegenüber liegt, Noppen auf
gebracht, die eine einheitliche Höhe aufweisen. Ihre Höhe
liegt im Bereich von 10 bis 100 nm. Die Membran wird in die
sem Verfahren aus der ebenen Struktur derart verformt, daß
sie mit den Noppen auf der Gegenelektrode aufliegt. Dies gilt
für den zentralen in oder über einer Aussparung befindlichen
Teil der Membran bzw. der Gegenelektrode. Dabei liegen die
Noppen fest an der Gegenelektrode an. Der Bereich zwischen
den Noppen und/oder der Bereich zwischen den Noppen und einer
Einspannung der Membran steht jeweils als elastischer Memb
branbereich zur Schallabstrahlung zur Verfügung. Dabei ist zu
berücksichtigen, daß der Einsatz eines Fotolackes als Nieder
halter die seitlichen Bereiche zwischen den Noppen und der
Membraneinspannung im wesentlichen überdeckt und unwirksam
macht. Insgesamt wird ein mikromechanisch hergestellter Ul
traschallwandler mit ebener Membran derart weitergebildet,
daß seine Membran teilweise kollabiert ist. In diesem Zustand
ist die Membran derart angezogen bzw. arretiert, daß sie an
der Gegenelektrode anliegt. Dieser Zustand kann elektrisch
oder mechanisch erfolgen. Bei dem beschriebenen Ultraschall
wandler wird der körperliche Kontakt zwischen Membran und Ge
genelektrode durch die auf der Membran befindlichen Noppen
dargestellt. Ein vollständiger Kollaps, bei dem auch neben
den Noppen befindliche Zonen der Membran in Kontakt mit der
Gegenelektrode geraten, wird vermieden. Nachdem die Gegene
lektrode aus einem Material, in der Regel Silizium, besteht,
das oberflächlich oxidiert, entsteht kein Kurzschluß. In die
sem kollabierten Zustand liegt ein gleichmäßiger Luftspalt
mit minimaler Höhe vor. Bei entsprechender elektrischer Anre
gung, beispielsweise mit 50 MHz und 10 V kann mit einer ent
sprechend erhöhten Antriebskraft für die Membran gerechnet
werden.
Ein bei der Herstellung nachträglich auftretender Spalt zwi
schen Noppen und Gegenelektrode durch Rückfederung des Foto
lackes kann je nach Anwendung erhalten bleiben oder in vor
teilhafter Weise durch eine elektrisch aufgebrachte Kraft ge
schlossen werden.
Im folgenden werden anhand von schematischen, den Schutzbe
reich der Erfindung nicht einschränkenden Figuren, Ausfüh
rungsbeispiele beschrieben.
Fig. 1 zeigt einen Querschnitt durch einen Ultraschallwand
ler, dessen Membran durch eine anliegende Gleichspan
nung kollabiert ist,
Fig. 2 zeigt einen Ultraschallwandler nach Fig. 1, wobei
die kollabierte Position der Membran durch einen auf
gebrachten und entsprechend verformten Fotolack er
reicht wird.
Die Querschnittsdarstellung entsprechend Fig. 1 zeigt den
Aufbau eines mikromechanisch hergestellten kapazitiven Ultra
schallwandlers mit einem Substrat 10, einer darin eingebette
ten Elektrode 4, einer Abstandsschicht 8 mit einer Aussparung
und einer Membran 1, die über der Aussparung positioniert ist
und durch eine Einspannung 5 fixiert ist. Die elektrischen
Anschlüsse geschehen mittels der Kontaktierungen 6, 7. Der in
Fig. 1 dargestellte kollabierte Zustand der Membran 1 ergibt
durch den Kontakt der Noppen 3 mit der Gegenelektrode 4 einen
definierten Spalt, in dem durch die Membran 1 und die Gegene
lektrode dargestellten Kondensator. Die Breite des Luftspal
tes 2 entspricht der Höhe der Noppen 3. In diesem Zustand
kann die Membran im zentralen Bereich zwischen den darge
stellten Noppen 3 schwingen und auch in den Randbereichen
zwischen Einspannung 5 und den Noppen 3. Die Versteifungs
schicht 9 kann aus einer oder einer Vielzahl von Schichten
bestehen. Sie versteift den zentralen Teil der Membran 1. Die
Versteifungsschicht 9 kann zur Einstellung eines gewünschten
Abstrahlverhaltens des Ultraschallwandlers im Aufbau und in
der Zusammensetzung variiert werden.
Fig. 2 zeigt vom Aufbau her eine identische Darstellung wie
in Fig. 1. Der als oberste Lage aufgebrachte Fotolack 11
weist über dem zentralen Bereich der Membran 1 eine Ausspa
rung auf, um die Abstrahlung des Ultraschallwandlers zu ge
währleisten. Der Fotolack hat nicht nur Kontakt mit der Ein
spannung 5, sondern reicht bis zur Versteifungsschicht 9 und
teilweise bis zur Membran 1. Durch diese Ausbildung wird die
Membran 1 niedergedrückt und fixiert, so daß die Noppen 3 an
der Gegenelektrode 4 anliegen.
In Fig. 1 wird der kollabierte Zustand der Membran 1 durch
Anlegen einer Gleichspannung erzielt. In Fig. 2 wird dies
mechanisch durch den Fotolack 11 bewirkt. Sollte bei der Dar
stellung in Fig. 2 durch geringfügiges Zurückfedern des Fo
tolackes 11 nach der Herstellung des Zustandes entsprechend
Fig. 2 eine geringfügige Beabstandung der Noppen 3 von der
Gegenelektrode 4 vorliegen oder eintreten, so kann auch hier
mit einer entsprechenden Gleichspannung eine entsprechend
aufgebrachte Kraft zum vollständig kollabierten Zustand der
Membran 1 führen. Eine an den Ultraschallwandler angelegte
Gleichspannung wird also dazu ausgenutzt, einen kollabierten
Zustand einer Membran 1 einzustellen.
Zum Schutz eines Ultraschallwandlers oder einer Anordnung von
Ultraschallwandlern kann eine alles überdeckende Siliziumni
trid (SiN)-Schutzschicht aufgebracht werden. Das standardmä
ßige Herstellungsverfahren für genoppte, mikromechanische
Bauteile ist bekannt. Die Noppen wurden bisher dazu genutzt,
um bei der Herstellung ein ganzflächiges Festkleben der Bau
teile aneinander zu verhindern (Anti-Sticking). In diesem
Fall werden die Noppen 3 dazu benutzt, einen Hohlraum als
Kondensatorspalt zu definieren, der eine extrem geringe Brei
te aufweist, die durch die Höhe der Noppen bestimmt wird. Der
Ultraschallwandler wird mit einer ebenen Membran hergestellt
und mit Fotolack beschichtet. Von der Membranmitte, dem zen
tralen Bereich der Membran 1, wird der Fotolack 11 photoli
thographisch entfernt. Der Ultraschallwandler wird in einen
Autoklaven (Ofen mit Druckkammer) gebracht. Die Membran wird
durch Luftdruck mit den Noppen 3 auf die Gegenelektrode 4 ge
drückt. Durch anschließendes Aufheizen unter Druck härtet der
Fotolack 11 in verformtem Zustand aus. Nach Wegnahme von
Druck und Temperatur bleibt die Membran 1 verformt. Ein bei
Druckwegnahme eventuell entstehender Spalt zwischen Noppen 3
und Gegenelektrode 4 kann durch Anlegen einer Gleichspannung
wieder geschlossen werden. Diese Maßnahme ist jedoch nicht
zwingend erforderlich. Der Verfahrensablauf gilt sowohl für
einen Ultraschallwandler als auch für eine Anordnung einer
größeren Anzahl von Ultraschallwandlern.
Claims (11)
1. Mikromechanischer kapazitiver Ultraschallwandler bestehend
aus:
- - einer auf einem Substrat (10) flächig aufgebrachten Ge genelektrode (4),
- - einer auf dem Substrat (10) und/oder auf der Gegenelekt rode (4) befindlichen Abstandsschicht (8) mit Aussparun gen, so daß ein zentraler Bereich der Gegenelektrode (4) frei ist,
- - einer auf der Abstandsschicht (8) aufgebrachten und die Aussparung überdeckende mikromechanischen Membran (1), die an einer der Gegenelektrode (4) zugewandten Seite mit Noppen (3) versehen ist, wobei die Membran durch ei ne Fotolackschicht (11) und gegebenenfalls durch eine e lektrisch aufgebrachte Kraft niedergehalten wird, so daß die Noppen (3) an der Gegenelektrode (4) anliegen.
2. Mikromechanischer Ultraschallwandler nach Anspruch 1, wo
bei durch Anlegen einer Gleichspannung die elektrisch aufge
brachte Kraft erzeugbar ist.
3. Mikromechanischer Ultraschallwandler nach Anspruch 1, wo
bei ein durch federnde Eigenschaften der Fotolackschicht (11)
gebildeter Abstand zwischen Noppen (3) und Gegenelektrode (4)
durch eine elektrisch aufgebrachete Kraft eliminierbar ist.
4. Mikromechanischer Ultraschallwandler nach einem der vor
hergehenden Ansprüche, wobei die Noppen (3) umlaufend ent
sprechend der inneren Form einer Aussparung angeordnet sind.
5. Mikromechanischer Ultraschallwandler nach Anspruch 4, wo
bei die Noppen (3) kreisförmig angeordnet sind.
6. Mikromechanischer Ultraschallwandler nach einem der vor
hergehenden Ansprüche, wobei die Noppen (3) eine einheitliche
Höhe im Bereich von 10 bis 100 nm aufweisen.
7. Mikromechanischer Ultraschallwandler nach einem der vor
hergehenden Ansprüche, wobei der zentrale Bereich der Membran
(1) auf der den Noppen (3) gegenüberliegenden Seite mit min
destens einer Versteifungsschicht (9) versehen ist.
8. Mikromechanischer Ultraschallwandler nach einem der vor
hergehenden Ansprüche, wobei die Gegenelektrode (1) aus Poly
silizium besteht.
9. Mikromechanischer Ultraschallwandler nach einem der vor
hergehenden Ansprüche, wobei eine Vielzahl von benachbart po
sitionierten mikromechanischen Ultraschallwandlern eine zwei
dimensionale Wandleranordnung bildet.
10. Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Ultra
schallwandlers nach einem der Ansprüche 1-9 mit einer Foto
lackschicht (11) als Membranniederhalter, wobei der Ultra
schallwandler mit einer ebenen Membran (1) hergestellt wird,
auf der ein Fotolack (11) aufgetragen wird, der Fotolack pho
tolithographisch im zentralen Bereich der Gegenelektrode (4)
bzw. einer Aussparung entfernt wird, der Ultraschallwandler
in einem Autoklaven mit Gasdruck beaufschlagt wird, so daß
die Noppen (3) auf die Gegenelektrode (4) angedrückt werden
und der Fotolack gleichzeitig ausgehärtet wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei ein bei der Druckweg
nahme entstehender Spalt zwischen Noppen (3) und Gegenelek
trode (4) durch Anlegen einer Gleichspannung geschlossen
wird.
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