DE19922468C2

DE19922468C2 - Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen mehrlagigen Leiterstrukturen

Info

Publication number: DE19922468C2
Application number: DE1999122468
Authority: DE
Inventors: Wolfgang Scheel; Monika Hannemann; Ralf Schmidt
Original assignee: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Current assignee: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority date: 1999-05-18
Filing date: 1999-05-18
Publication date: 2001-10-25
Anticipated expiration: 2019-05-19
Also published as: DE19922468A1

Description

Technisches Gebiet

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen mehrlagigen Leiterstrukturen mit wenigstens zwei elektrisch leitenden Schichten, die durch wenigstens eine Isolationsschicht voneinander getrennt sind und durch wenigstens einen Kontaktkanal, der vertikal zur Isolationsschicht verläuft, elektrisch verbunden werden.

Stand der Technik

Dreidimensionale Leiterstrukturen dienen der räumlich komplexen Verbindung diverser elektronischer Bauelemente und finden in einer Vielzahl technischer Einsatzbereiche Anwendung. Beispielsweise werden derartige dreidimensionale Leiterstrukturen im Automobilbau, in der Telekommunikation, beispielsweise in Handy-Geräten, auf dem Computersektor, in vielfacher Anwendung in der Industriesteuerung, im Konsumerbereich, beispielsweise bei Digitalkameras sowie auch auf dem Gebiet des Militärs und der Raumfahrt eingesetzt.

Leiterstrukturen mit mehrschichtigen Verdrahtungsebenen weisen eine Vielzahl vertikal übereinander zusammengefügter Schichten in Art von Leiterplatten auf, an deren Oberfläche jeweils elektrisch leitende Leiterstrukturen aufgebracht sind. Jede auf einer Leiterplatte aufgebrachte Leiterstruktur bildet für sich eine Verdrahtungsebene und kann neben bloßen Leitbahnen elektrische Bauelemente, wie Kondensatoren, Widerstände, Transistoren oder ähnliches enthalten. Vielfach ist es erforderlich, vertikal zu den einzelnen Verdrahtungsebenen elektrisch leitende Durchgangskanäle zu schaffen, um verschiedene, vertikal übereinander angeordnete und jeweils durch elektrische Isolationsschichten voneinander getrennte Verdrahtungsebenen miteinander zu verbinden.

Bei der gegenwärtigen Herstellung von elektrischen Kontaktierungen in Verdrahtungsebenen für Multilayer-Strukturen in der elektronischen Baugruppenfertigung werden Durchgangsbohrungen oder Sacklochbohrungen vertikal zu den einzelnen Verdrahtungsebenen geschaffen, die in einem nachfolgenden Verfahrensschritt metallisiert werden. Üblicherweise erfolgt die Metallisierung der Durchgangs- oder Sacklochbohrungen mittels stromloser Galvanisierungsverfahren, die jedoch eine in den Bohrungen separat aufzubringende Plating base, d. h. eine Metallisierungsgrundlage bzw. Metallisierungskeim erfordert. Das Aufbringen der Plating base zumindest in den vorgesehenen Bohrungen, wird mittels physikalischer oder naßchemischer Verfahren realisiert.

Diese Verfahrensweise ist jedoch mit einer Vielzahl von Nachteilen verbunden: So besteht das Trägermaterial von Leiterplatten üblicherweise aus auf Kunstharzbasis beruhenden Materialien, auf die eine für eine Plating-Base geeignete Materialabscheidung aufgebracht wird. Besonders geeignete Materialien für eine Plating-Base stellen beispielsweise Titan- oder Nickelabscheidungen dar, die jedoch über eine nur geringe Haftfestigkeit auf dem Trägersubstrat verfügen, wodurch die mechanische Belastbarkeit derartiger Kontaktflächen begrenzt ist.

Zum Aufbringen der Plating-Base auf die mit Durchgangs- und/oder Sacklochbohrungen versehenen Verdrahtungsebenen werden Elektrolytflüssigkeiten verwendet, die die dielektrischen Schichten der Verdrahtungsebenen zu unterwandern vermögen, wodurch diese vom übrigen Materialverbund abgelöst werden können. Ferner erhöht sich die Kurzschlußgefahr während des Aufbringens der Plating-Base, insbesondere bei Verdrahtungsebenen mit kleiner werdendem Rastermaß, d. h. mit Leiterbahnstrukturen, deren gegenseitiger räumlicher Abstand von sehr kleinen Dimensionen ist. So kann es vorkommen, daß die für die Plating- Base erforderliche Metallisierung mehrere, räumlich getrennt voneinander angeordnete Verdrahtungsebenen miteinander elektrisch verbindet und damit kurzschließt.

Schließlich ist es bei der Herstellung von herkömmlichen mehrschichtiger Verdrahtungsebenen nicht möglich das sogenannte Rolle-zu-Rolle-Verfahren anzuwenden. Rolle-zu-Rolle-Verfahren ermöglichen das Zusammenfügen einer Vielzahl unterschiedlicher, folienartig ausgebildeter Einzelschichten zu einem sandwichartigen Schichtaufbau, der als Meterware durch Abwickeln der einzelnen folienartig ausgebildeten Einzelschichten von entsprechenden Rollen, erhalten werden kann.

Schließlich bedarf die Anwendung des vorstehend beschriebenen Plating-Base- Verfahrens aufgrund der Vielzahl unterschiedlicher Polymerverbindungen, die für die einzelnen Träger der Verdrahtungsebenen verwendet werden, jeweils an diese differenziert angepaßte Plating-Base-Materialien, wodurch die Vielseitigkeit des Plating-Base-Verfahrens sehr stark eingeschränkt ist.

Zwar geht aus der japanischen Druckschrift JP 0020122696 AA ein Verfahren zur Herstellung von Multilayer-Leiterplatten, deren einzelne Leiterbahnschichten im Wege stromloser Metallabscheidung miteinander verbunden werden, doch werden hier lediglich die elektrischen Verbindungen an die Leiterplatten vollständig durchsetzende Durchgangsöffnungen durchgeführt.

Grundsätzliche Hinweise zur stromlosen Metallabscheidung sind darüber hinaus folgenden Textquellen zu entnehmen:
Herrmann G. Egerer, K.: "Handbuch der Leiterplattentechnik", Bd. 2, Saulgau, Eugen Leuze Verlag, 1991, S. 63,
Hummel, M.: "Einführung in die Leiterplattentechnologie", Saulgau, Eugen Leuze Verlag, 1985, S. 99 bis 100.

Darstellung der Erfindung

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen mehrlagigen Leiterstrukturen mit wenigstens zwei elektrisch leitenden Schichten, die durch wenigstens eine Isolationsschicht voneinander getrennt sind und durch wenigstens einen Kontaktkanal, der vertikal zur Isolationsschicht verläuft, elektrisch verbunden werden, derart auszubilden, daß die zum Stand der Technik aufgelisteten Nachteile vermieden werden sollen. Insbesondere soll es möglich sein, den Fertigungsprozeß für dreidimensionale Leiterstrukturen unter wirtschaftlichen Gesichtspunkten zu optimieren und die dabei auftretenden Herstellungskosten erheblich zu minimieren. Das neuartige Verfahren soll vielseitig einsetzbar sein und möglichst unabhängig von den verwendeten Materialien zur Ausbildung der einzelnen Trägerschichten, auf die die elektrischen Schichtstrukturen aufgebracht sind, sein. Die elektrischen Verbindungen sollen vornehmlich nicht die gesamte Leiterschichtstruktur durchsetzen, sondern lediglich lokale Verbindungen zwischen nur benachbarten Leiterschichten schaffen.

Die Lösung der der Erfindung zugrundeliegenden Aufgabe ist im Anspruch 1 sowie Anspruch 5 angegeben. Den Erfindungsgedanken vorteilhaft weiterbildende Merkmale sind Gegenstand der Unteransprüche.

Das erfindungsgemäße Verfahren gemäß des Oberbegriffes des Anspruchs 1 zeichnet sich durch folgende Schritte aus:

Zunächst wird eine erste Isolationsschicht auf eine elektrisch nicht leitende Isolationsschicht aufgebracht, in der elektrisch leitende Partikel eingebracht sind. Anschließend werden wenigstens zwei elektrisch leitende Schichten, die durch wenigstens eine weitere Isolationsschicht voneinander getrennt sind, auf der ersten Isolationsschicht abgeschieden. Nun wird ein Kontaktkanal durch die Abfolge der Isolationsschichten und elektrisch leitenden Schichten eingebracht, wobei der Kontaktkanal einseitig von der mit elektrisch leitenden Partikeln versetzten Isolationsschicht derart begrenzt wird, dass ein Oberflächenbereich mit freigelegten elektrisch leitenden Partikeln geschaffen wird. Schließlich wird der Bereich der Aussparung durch Metallabscheidung an den freigelegten elektrisch leitenden Partikeln zur elektrischen Verbindung der elektrisch leitenden Schichten aufmetallisiert.

Das Einbringen der elektrisch leitenden Partikel in das dielektrische Material erfolgt während der Herstellung der Isolationsschicht, die nach entsprechender Verfestigung des dielektrischen Materials in folienartige Bahnen geformt werden kann.

So wird ferner zur Herstellung der elektrischen Verbindung zwischen beiden elektrisch leitenden Schichtstrukturen wenigstens ein freier Oberflächenbereich an der mit elektrisch leitenden Partikeln versetzten Isolationsschicht geschaffen, der wenigstens teilweise den, die elektrisch leitenden Schichtstrukturen durchstoßenden Kontaktkanal begrenzt. Der Kontaktkanal kann mit an sich bekannten Materialabtrageverfahren, wie beispielsweise durch chemisches oder plasmachemisches Ätzen, sowie auch durch lichtunterstützte Ablationsverfahren hergestellt werden.

Durch die gezielte Materialabtragung bis hin zur Oberfläche der mit den elektrisch leitenden Partikeln versetzten Isolationsschicht wird wenigstens ein teilweises Freilegen von Metallpartikeln geschaffen, die quasi blank an der freigelegten Oberfläche liegen und unmittelbar als Metallisierungskeime dienen. Nach Ausbildung der vorstehend beschriebenen Kontaktkanäle erfolgt eine Metallabscheidung auf den freigelegten Oberflächenbereichen, an deren Oberfläche die elektrisch leitenden Partikel vorgesehen sind. Beginnend an den einzelnen Metallisierungskeimen erfolgt zunächst eine lokale Metallabscheidung bis hin zum vollständigen Ausfüllen des Kontaktkanals, wodurch die an den Kontaktkanal angrenzenden elektrisch leitenden Schichtstrukturen elektrisch miteinander verbunden werden.

Der besondere Vorteil bei der Verwendung dielektrischen Materials, in das elektrisch leitende Partikel beigemengt ist, ist darin zu sehen, daß die Beimengung der elektrisch leitenden Partikel derart erfolgt, so daß keine elektrische Leitung innerhalb des dielektrischen Materials stattfindet, d. h. die vorzugsweise als Metallpartikel ausgebildeten elektrisch leitenden Partikel ordnen sich innerhalb des Dielektrikums getrennt voneinander an. Erst durch Freilegen wenigstens einiger Metallpartikel innerhalb der dielektrischen Schicht werden lokale Metallisierungskeime gebildet. An den blanken Metallpartikeln fügen sich in einem Plating-Base-Prozeß Metallablagerungen mit einer weitaus größeren Haftfestigkeit an, als es mit den bisher konventionellen Verfahren der Fall ist.

Insbesondere ist es möglich, die Vielzahl der Einzelschichten mittels eines sogenannten Rolle-zu-Rolle-Verfahrens miteinander zu verfügen. Dies ermöglicht eine kostengünstige Herstellung derartiger sandwichartiger Multilayer-Strukturen in wirtschaftlich interessanten Größenordnungen.

Beim Rolle-zu-Rolle-Verfahren werden folienartig ausgebildete Einzelschichten als Meterware von einzelnen Rollen abgewickelt und vertikal übereinander zusammengefügt. Die Fügeverbindung erfolgt mit Hilfe an sich bekannter Laminatverfahren. So kann auf einer Trägerschicht, die aus einem beliebigen Polymertyp gefertigt ist, eine Vielzahl einzelner Schichten aufgebracht werden, die jeweils in abwechselnder Abfolge aus dielektrischen Schichten sowie elektrisch leitender Schichtstrukturen aufeinanderfolgen. Nach Zusammenfügen der Einzelschichten zu einem Multilayer-Schichtverbund gilt es, vertikal zu den einzelnen Schichten verlaufende Durchkontaktierungskanäle einzubringen, deren Anordnung und jeweilige Kontaktierungstiefe mit gängigen Materialabtrageverfahren, wie etwa chemische oder plasmachemische Ätzverfahren sowie lichtunterstützte Ablationsverfahren mit Hilfe lichtstarker Laserstrahlen, festgelegt werden kann. Dies setzt in aller Regel wenigstens einen Maskenschritt voraus, durch den beispielsweise eine Photoresist-Maske mittels Photolithographie auf der Oberfläche des Multilayer- Schichtverbundes geschaffen wird, durch zugleich die die Lage der elektrischen Durchgangskanäle definiert wird.

Die mit Hilfe des Materialabtrageverfahrens entstehenden freien Oberflächen der elektrisch leitenden Partikeln in den jeweiligen dielektrischen Zwischenschichten dienen, wie bereits vorstehend erwähnt, als Metallisierungskeime für einen nachfolgenden Metallisierungsprozeß. Um während des Metallisierungsprozesses eine zuverlässige und effektive Metallabscheidung zu gewährleisten, sind die in den dielektrischen Zwischenschichten beigemengten elektrisch leitenden Partikel derart zu wählen, daß sie eine möglichst hohe Leitfähigkeit für eine galvanische Aufmetallisierung oder wenigstens eine katalytische Wirkung für eine stromlose Metallisierung aufweisen.

Alternativ zur Verwendung einer mit Metallpartikeln versetzen dielektrischen Schicht, die zur Schaffung freier Oberflächenbereiche lokal geätzt werden muß, wird weiter vorgeschlagen wenigstens eine Polymerschicht, die in einem Ausgangszustand elektrisch nicht leitend ist und erst bei Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung elektrisch leitend wird, mittelbar über wenigstens eine dielektrische Zwischenschicht oder unmittelbar mit wenigstens einer elektrischen Schichtstruktur zu verbinden.

Zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zu einer elektrisch leitenden Schicht (4), auf der wenigstens eine Isolationsschicht (3) aufgebracht ist, sind erfindungsgemäß folgende Verfahrensschritte durchzuführen: Auf der Isolationsschicht wird eine Polymerschicht aufgebracht, die in einem Ausgangszustand elektrisch nicht leitend ist und durch Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung elektrisch leitend wird. Anschließend wird eine Aussparung durch die Polymer- sowie Isolationsschicht bis zur elektrisch leitenden Schicht mittels Photoablation unter lokaler Schmelzung der Polymerschicht und lokaler Abtragung der Isolationsschicht eingebracht, wobei die Aussparung von dem aufgeschmolzenen Polmyer ummantelt wird und das geschmolzene Polymer in den elektrisch leitfähigen Zustand umgewandelt wird.

Mit der alternativen Erfindungsvariante wird zum einen der aufwendige Maskenschritt für einen Ätzvorgang vermieden, zum anderen kann mittels Laserbestrahlung und damit verbundener Materialablation die Polymerschicht strukturiert werden.

Die mit dem erstgenannten erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte dreidimensionale Leiterstruktur weist daher wenigstens eine Schicht auf, die aus dem, mit elektrisch leitenden Partikeln versetztem Dielektrikum besteht. Wenigstens ein elektrisch leitender Kontaktkanal erstreckt sich vorzugsweise vertikal zu den einzelnen Schichten zu Zwecken der elektrischen Kontaktierung von wenigstens zwei, durch wenigstens eine Isolationsschicht voneinander getrennten, elektrisch leitenden Schichtstrukturen. Der Kontaktkanal selbst ist vorzugsweise als Hohlkanal ausgebildet, der zumindest an seiner Innenwand mit einer Metallschicht ummantelt oder vollständig mit Metall ausgefüllt ist. Wie vorstehend erwähnt, erfolgt die Metallisierung nach Freilegen freier Oberflächen von elektrisch leitenden Partikeln, die in dem Dielektrikum der Isolationsschichten beigemengt sind.

Die mit dem zweitgenannten erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte dreidimensionale Leiterstruktur weist im Unterschied zur vorgenannten Struktur eine Polymerschicht auf. Ein geeignetes Polymer ist beispielsweise ein beim DMSE3-Prozeß verwendetes Thiophenderivat.

Beide Strukturen werden nachstehend unter Bezugnahme auf konkrete Ausführungsbeispiele näher beschrieben.

Kurze Beschreibung der Erfindung

Die Erfindung wird nachstehend ohne Beschränkung des allgemeinen Erfindungsgedankens anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung exemplarisch beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 Querschnitt durch eine Multilayer-Schicht-Struktur mit vertikal zu den Schichten verlaufendem Kontaktierungskanal.

Fig. 2 Querschnitt durch eine Multilayer-Schicht-Struktur mit Polymerschicht.

Beschreibung eines Ausführungsbeispiels und gewerbliche Anwendbarkeit

In Fig. 1 ist eine erfindungsgemäß ausgebildete Multilayer-Schicht-Struktur bzw. HDI (Highdensity Interconnect)-Struktur dargestellt, die im Rolle-zu-Rolle-Verfahren hergestellt ist. Als Trägerschicht 1 dient eine Polymerschicht, die selbst elektrisch isolierend oder leitend ausgebildet ist. Unmittelbar auf der Trägerschicht 1 ist eine Isolationsschicht 2 vorgesehen, die aus dielektrischem Material gefertigt ist, in das elektrisch leitende Partikel, vorzugsweise homogen verteilt, eingearbeitet sind. Auf der Isolationsschicht 2 sind in Abfolge eine Vielzahl von Einzelschichten aufgebracht, die aus elektrisch isolierenden sowie aus elektrisch leitenden Materialien bestehen. Aus Gründen einer vereinfachten Darstellung sind die elektrisch leitenden Schichten mit dem Bezugszeichen 3, die elektrisch leitenden Schichten mit dem Bezugszeichen 4 versehen. Die einzelnen Schichten können jedoch aus unterschiedlichen Materialien bestehen. Die elektrisch isolierenden Schichten 3 können entweder vollständig aus dielektrischem Material bestehen oder ebenso mit elektrisch leitenden Partikeln, beispielsweise mit Metallpartikeln, durchmischt sein. Die elektrisch leitenden Schichten 4 stellen die in den Verdrahtungsebenen elektrisch leitenden Schichtstrukturen dar, die es gilt, an bestimmten Stellen miteinander elektrisch zu verbinden. Zur elektrischen Kontaktierung der elektrischen Schichtstrukturen 4 werden diese vertikal durch einen Kontaktkanal 5 durchsetzt, der mit Metall angefüllt ist. Der elektrisch leitende Kanal 5 ist an seiner oberen Seite mit einer abschließenden Metallschicht 6, beispielsweise zur elektrischen Kontaktierung, abgedeckt.

Zur Herstellung der in Fig. 1 gezeigten Multilayer-Schicht-Struktur werden die einzelnen Schichten, beginnend mit der Trägerschicht 1, im Rolle-zu-Rolle-Verfahren miteinander in Kontakt gebracht. Auf diese Weise ist es möglich, die Multilayer- Schicht-Struktur als Meterware herzustellen, deren Einzelschichten mittels an sich bekannter Laminierverfahren in innigen, feststehenden Kontakt gebracht werden können. Um die einzelnen elektrisch leitenden Schichten 4 miteinander zu kontaktieren, werden diese lokal mit Hilfe eines gängigen Materialabtrageverfahrens mit einem Hohlkanal 5 durchsetzt. Der Hohlkanal 5 reicht bis zur Isolationsschicht 2, an deren Oberfläche 7 Metallpartikel freigelegt werden. Die an der Oberfläche 7 freigelegten Metallpartikel dienen als Metallisierungskeime, an denen sich in einem nachfolgenden Metallabscheidungsprozeß elektrisch leitendes Material abscheidet. Die Metallabscheidung erfolgt entweder flächendeckend an der Innenwandung des Hohlkanals 5 oder führt bis hin zum vollständigen Ausfüllen des Hohlkanals 5 mit Metall.

Fig. 2 zeigt eine Schichtstruktur bestehend aus einer elektrisch leitenden Schicht 4, auf die eine Isolationsschicht 3 aufgebracht ist. Auf der Isolationsschicht 3 wiederum ist eine Polymerschicht 8 aufgebracht, die in der Mitte einen Bereich 9 aufweist, der mittels Laserstrahlung lokal bestrahlt worden ist, wobei die Polymerschicht in diesem Bereich aufgeschmolzen und die darunterliegende Isolationsschicht 3 mittels Photoablation abgetragen wurde. Durch den Schmelzvorgang hat sich das Polymermaterial wenigstens an der Innenwand des sich während des Materialabtrages ergebenden Graben bzw. Hohlkanals niedergeschlagen und ist dabei von einem elektrisch nicht leitfähigen in einen elektrisch leitfähigen Zustand übergegangen. Hierdurch ist ein elektrischer Kontakt zur darunter befindlichen elektrisch leitfähigen Schicht 4 hergestellt worden.

Ergänzend kann mittels stromloser Metallabscheidung in dem Grabenbereich 9 eine Aufmetallisierung stattfinden, zumal das nun in diesem Bereich 9 vorhandene leitfähige Polymer als Plating Base dient.

Beispielsweise eignet sich die beim DMSE3 vorgesehenen Polymermaterialien, die die vorstehenden Eigenschaften aufweisen.

Bezugszeichenliste

1

Trägerschicht

2

Isolationsschicht, bestehend aus Dielektrikum mit elektrisch leitenden Partikeln

3

Dielektrikum

4

Elektrisch leitende Schicht

5

Hohlkanal

6

Abschließende, obere elektrisch leitende Schicht

7

Freigelegte Oberfläche der Isolationsschicht

2

8

Polymerschicht

9

Grabenbereich

Claims

1. Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen mehrlagigen Leiterstrukturen mit wenigstens zwei elektrisch leitenden Schichten (4), die durch wenigstens eine Isolationsschicht (3) voneinander getrennt sind und durch wenigstens einen Kontaktkanal (5), der vertikal zur Isolationsschicht (4) verläuft, elektrisch verbunden werden, gekennzeichnet durch die Kombination folgender Verfahrensschritte:

- Aufbringen einer ersten Isolationsschicht (3) auf einer elektrisch nicht leitenden Isolationsschicht (2), in der elektrisch leitende Partikel eingebracht sind,
- Aufbringen von wenigstens zwei elektrisch leitenden Schichten (4), die durch wenigstens eine weitere Isolationsschicht (3) voneinander getrennt sind, auf der ersten Isolationsschicht (3),
- Einbringen eines Kontaktkanals durch die Abfolge der Isolationsschichten (3) und elektrisch leitende Schichten (4), die einseitig von der mit elektrisch leitenden Partikeln versetzten Isolationsschicht (2) derart begrenzt wird, dass ein Oberflächenbereich (7) mit freigelegten elektrisch leitenden Partikeln geschaffen wird,
- Metallisieren durch Auffüllen der Aussparung durch Metallabscheidung an den freigelegten elektrisch leitenden Partikeln zur elektrischen Verbindung der elektrisch leitenden Schichten (4).

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Einbringen des Kontaktkanals (5) mittels chemische oder plasmachemische Ätzverfahren oder lichtunterstützte Ablationsverfahren durchgeführt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallabscheidung im Wege einer stromlosen Materialabscheidung im Naßverfahren durchgeführt wird.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch leitenden Schichtstrukturen (4) sowie die Isolationsschichten (3) auf wenigstens einer Trägerschicht (1) aufgebracht werden.

5. Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zu einer elektrisch leitenden Schicht (4), auf der wenigstens eine Isolationsschicht (3) aufgebracht ist, gekennzeichnet durch die Kombination folgender Verfahrensschritte:

- Aufbringen einer Polymerschicht (8), die auf einem Thiophenderivat basiert, die in einem Ausgangszustand elektrisch nicht leitend ist und durch Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung elektrisch leitend wird, auf der Isolationsschicht (3),
- Einbringen einer Aussparung durch die Polymer- (8) und Isolationsschicht (3) bis zur elektrisch leitenden Schicht (4) mittels Photoablation unter lokaler Schmelzung der Polymerschicht (8) und lokaler Abtragung der Isolationsschicht (3), wobei die Aussparung von dem aufgeschmolzenen Polymer ummantelt wird und das geschmolzene Polymer in den elektrisch leitfähigen Zustand umgewandelt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass am Ort der Aussparung eine Metallisierung durchgeführt wird.