DE19913802C1 - Behandlungsverfahren für thermisch hoch belastete Substrate in Elektronenstrahl-Bedampfungsanlagen - Google Patents
Behandlungsverfahren für thermisch hoch belastete Substrate in Elektronenstrahl-BedampfungsanlagenInfo
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Behandlungsverfahren für thermisch hoch belastete Substrate in Elektronenstrahl-Bedampfungsanlagen, bei dem die Substrate in Form von Stückgut mit Thermo-Barriereschichten beschichtet werden, indem die Substrate nach dem Vorheizen in eine Behandlungskammer überführt und dort die Beschichtung im Vakuum bei hohen Temperaturen aufgebracht wird. DOLLAR A Durch die Erfindung soll ein in-line-Behandlungsverfahren für thermisch hoch belastete Substrate geschaffen werden, mit dem eine wesentliche Erhöhung der Produktivität erreicht wird. DOLLAR A Erfindungsgemäß wird das dadurch erreicht, daß die Transporteinheit taktweise nach dem Durchlaufbetrieb von Kammer zu Kammer transportiert wird, wobei die Taktzeit hauptsächlich von der Behandlungszeit in der Bedampfungskammer bestimmt wird, daß die Transporteinheit während der Verweilzeit in einer Kammer über ein leckfreies Andocksystem mit einer Medienversorgung verbunden ist, daß die Transporteinheit kurzzeitig von der Medienversorgung abgekoppelt und während dieser Zeit zur jeweils nächsten Kammer transportiert wird, daß während des Transportes ein interner Kühlkreislauf eines Kühlmittels in der Transporteinheit aufrechterhalten wird, und daß die Temperatur des Substrates während des Transportes im wesentlichen konstant gehalten wird.
Description
Die Erfindung betrifft ein Behandlungsverfahren für thermisch
hoch belastete Substrate in Elektronenstrahl-Bedampfungsanla
gen, bei dem die Substrate in Form von Stückgut mit Thermo-
Barriereschichten, sogenannten thermal barrier coatings (TBC)
beschichtet werden, indem die Substrate nach dem Vorheizen in
einer Vakuumkammer bis nahezu auf die Beschichtungstemperatur
in eine Behandlungskammer überführt und dort die TBC-Schicht
aus der Dampfphase im Vakuum bei hohen Temperaturen aufge
bracht wird.
Eine übliche Vorrichtung zum Aufbringen von Thermo-Barriere
schichten besteht im wesentlichen aus einer Ladekammer, einer
Heizkammer und einer Bedampfungskammer, die nacheinander an
geordnet sind. In der Bedampfungskammer befinden sich Verdamp
fertiegel und zugehörige Elektronenkanonen. Weiterhin sind die
einzelnen Kammern mit Evakuierungseinrichtungen zur Erzeugung
eines Prozeßvakuums sowie den erforderlichen peripheren Bau
gruppen verbunden. Zur Erzielung der notwendigen Haftfestig
keit der Schichten werden die Bauteile durch eine geeignete
Heizeinrichtung auf Temperaturen über 500°C vorgewärmt.
Zum Transport der Substrate durch die Kammern dient ein Wagen,
an dem eine Chargierstange entsprechender Länge angeordnet
ist. Die Chargierstange ist an ihrem in die Anlage ragenden
Ende mit einem Substrathalter für die zu beschichtenden Bau
teile versehen. Die lange, thermisch belastbare oder wasserge
kühlte Chargierstange ermöglicht den Transport der Substrate
in oder durch die heißen Zonen, ohne daß der Wagen mit seinen
Antrieben den extrem hohen Temperaturen ausgesetzt wird.
Die Nachteile einer Ausführung mit Chargierstange bestehen in
ihrer mangelnden Flexibilität. Wird im Rahmen der technologi
schen Weiterentwicklung der Einbau weiterer Prozeßkammern bzw.
Arbeitsstationen erforderlich, müßte die Chargierstange ent
sprechend verlängert werden. Dieser Verlängerung sind jedoch
durch die abnehmende Steifigkeit der Stange bei gegebenem
Querschnitt Grenzen gesetzt. Außerdem besitzen die bisher
bekannten Bauformen Nachteile durch ihren großen Bauaufwand,
ihre große Baulänge, den entsprechend großen Platzbedarf der
Anlage und die damit verbundenen Kosten.
Es besteht weiterhin auch die Möglichkeit, die Einrichtung zur
Substrataufnahme ohne Verwendung einer Chargierstange direkt
an dem Transportwagen zu befestigen. Der Transportwagen wird
dann mittels eines Rollensystems innerhalb der Kammern verfah
ren. Diese Lösung besitzt den Nachteil, daß zur thermischen
Abschirmung des Wagens eine zusätzliche Zwischenkammer zwi
schen Heizerkammer und Beschichtungskammer erforderlich ist,
in der sich der Transportwagen während der Beschichtung befin
det.
Darüberhinaus ist es erforderlich, den Transportwagen mit
Kühl- und Steuermedien zu versorgen, während dieser sich in
einer der Vakuumkammern befindet. Das kann beispielsweise mit
einem leckfreien Andocksystem erfolgen, wie es aus der
DE 197 43 800 C1 bekannt geworden ist. Ein derartiges Andocksystem
enthält eine erste Zwischenkammer, welche die Außenwand eine
Vakuumkammer durchdringend angeordnet ist, die mit einer zwei
ten Zwischenkammer, welche im Innern der Vakuumkammer mit dem
Transportwagen längs bewegbar ist. Beide Zwischenkammern sind
in der Andockposition über Durchtrittsöffnungen für die Me
dienanschlüsse miteinander verbunden, wobei die Durchtritts
öffnungen jedoch gegenüber dem Vakuum in der Vakuumkammer
abgedichtet sind.
Aus der DE 195 26 600 A1 ist weiterhin eine Elektronenstrahl-
Bedampfungsanlage bekannt geworden, bei der mehrere Kammern,
einschließlich einer Bedampfungskammer vorgesehen sind. Der
Transport der zu beschichtenden Substrate durch die Kammern
erfolgt mit einem Transportwagen, der auf Rollen geführt wird.
Unmittelbar vor der Bedampfungskammer befindet sich eine Zwi
schenkammer, in der sich der Transportwagen während der Be
dampfung der Substrate in der Bedampfungskammer befindet. Um
eine ausreichende Kühlung des Transportwagens sicherzustellen,
sind in der Zwischenkammer Kühlbacken vorgesehen, die von
einer oder mehreren Seiten an den Transportwagen gedrückt
werden.
Gemeinsame Nachteile der geschilderten Ausführungen liegen
darin, daß aufgrund des Chargenbetriebes die Zeit für einen
Bedampfungszyklus aus der Summe der Prozeßzeiten in den ein
zelnen Stationen der Anlage besteht. Zur teilweisen Lösung
dieses Problems wurden die Kammern zur Durchführung der Hilfs
prozesse "Vakuumschleusen" und "Vorheizen" spiegelbildlich
oder spielgelbildlich und doppelt auf beiden Seiten der Be
dampfungskammer angeordnet und es wird mit zwei oder vier
Einrichtungen zum Substrattransport gearbeitet. Derartige
Anlagen werden z. B. mit 4 verschiebbaren Chargierkammern und
2 Heizkammern ausgerüstet. Diese Lösung ist allerdings sehr
platz- und kostenaufwendig.
Um die geschilderten Probleme besser zu lösen, ist eine Elek
tronenstrahl-Bedampfungsanlage entwickelt worden, die es er
möglicht, die zu beschichtenden Substrate mit Hilfe von Trans
portwagen und an diesen befindlichen Aufnahmevorrichtungen im
Durchlaufprinzip durch die Bedampfungsanlage zu transportie
ren. Eine solche Bedampfungsanlage geht aus der DE 195 37 092 C1
hervor. Der Kern dieser Anlage besteht darin, daß die ther
misch hoch belasteten Kammern durch eine Trennwand mit einem
Schlitz in zwei Kammerteile aufgeteilt werden. Hierdurch wird
der Heiz- bzw. Beschichtungsraum von dem Raum für das Trans
portsystem des Substratwagens thermisch entkoppelt. Zur Küh
lung des Transportwagens ist dieser in jeder Arbeitsposition
über ein leckfreies Andocksystem mit einem äußeren Kühlkreis
lauf gekoppelt. Durch dem Wegfall der Chargierstange ist es
möglich, daß jede Kammer mit einem Transportwagen bestückt
sein kann.
Der Erfindung liegt nunmehr die Aufgabe zugrunde, ein in-line-
Behandlungsverfahren für thermisch hoch belastete Substrate in
Form von Stückgut in Elektronenstrahl-Bedampfungsanlagen zu
schaffen, mit dem eine wesentliche Erhöhung der Produktivität
erreicht wird.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabenstellung wird bei
einem Verfahren der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß
die Transporteinheit mit dem an der Substrathalterung befind
lichen Substrat nach dem Durchlaufbetrieb taktweise von Kammer
zu Kammer transportiert wird, daß die Transporteinheit während
der Verweilzeit in einer Kammer über ein an sich bekanntes
leckfreies Andocksystem mit einer Medienversorgung für Kühl-
und Steuermedien verbunden ist, daß die Transporteinheit kurz
zeitig von der Medienversorgung abgekoppelt und während dieser
Zeit mit maximaler Geschwindigkeit zur jeweils nächsten Kammer
transportiert wird und daß während des Transportes ein inter
ner Kühlkreislauf für Teile der Transporteinheit und der Sub
strathalterung aufrechterhalten wird.
Durch dieses Verfahren läßt sich ein äußerst effektiver Durch
laufbetrieb erreichen, bei dem das Substrat während des Trans
portes für kurze Zeit sich selbst überlassen wird, ohne daß
Schäden für das Substrat noch für die Transporteinheit zu
befürchten sind.
In Fortführung der Erfindung erfolgt die Aufrechterhaltung des
internen Kühlkreislaufes durch thermische Zirkulation des
Kühlmediums, wobei die Wärmekapazität der Transporteinheit
ausgenutzt wird. Der Kühlkreislauf kann in der Transportein
heit auch durch eine Kühlmittelpumpe aufrechterhalten werden,
wobei die Energieversorgung der Kühlmittelpumpe aus einem
Energiespeicher in der Transporteinheit oder von außen über
Schleifkontakte an der Transporteinheit in Verbindung mit
Stromschienen erfolgen kann.
Als Kühlmittel wird bevorzugt Öl geringen Dampfdrucks oder
auch Wasser verwendet.
In weiterer Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens
erfolgt die Verbindung der Transporteinheit mit der Medien
versorgung durch Andocken und anschließendes Ankoppeln der
Medienversorgung, wobei das Ankoppeln der Medienversorgung
außerhalb des Prozeßvakuums unter einer Sonderatmosphäre er
folgt, die Luft sein kann. Damit wird eine Verunreinigung der
Prozeßatmosphäre durch Öl oder Wasser mit Sicherheit verhin
dert.
Die Aufheizung der Substrate auf die Behandlungstemperatur
erfolgt bevorzugt durch Strahlungsheizung, oder auch durch
eine Elektroheizung.
Es ist von Vorteil, wenn die Heizung für das Substrat ent
sprechend der zunehmenden Strahlungsenergie der Sekundärstrah
lungsquellen während der Bedampfung in der Bedampfungskammer
verringert wird. Das ist insbesondere dann von Vorteil, wenn
größere Losgrößen von Substraten nacheinander beschichtet
werden sollen, so daß die Sekundärstrahlungsquellen zunehmend
mehr Wärmeenergie abstrahlen. Die Temperatur der zu be
schichtenden Substrate kann auf diese einfache Weise konstant
gehalten werden.
Die Erfindung soll nachfolgend an einem Ausführungsbeispiel
näher erläutert werden.
Das erfindungsgemäße Behandlungsverfahren für thermisch hoch
belastete Substrate soll bei einer Elektronenstrahl-Be
dampfungsanlage eingesetzt werden, wie sie aus der
DE 195 37 092 C1 hervorgeht.
Diese Elektronenstrahl-Bedampfungsanlage besteht aus einer
Schleusenkammer, der sich eine Heizkammer anschließt. Nach der
Heizkammer ist in linearer Anordnung eine ebenfalls Bedamp
fungskammer angeordnet, der sich eine Abkühlkammer/Ausgabe
schleuse anschließt. Zwischen den einzelnen Kammern befinden
sich Durchgangsventile. Die Heizung der Substrate auf die
Behandlungstemperatur erfolgt bevorzugt durch Strahlungshei
zung, wobei selbstverständlich auch eine elektrische Heizung
möglich ist.
Die thermisch hoch belastete Heizkammer und die Bedampfungs
kammer sind durch eine mit einem Schlitz versehene Trennwand
in zwei Kammerteile aufgeteilt. Hierdurch wird der Heiz- bzw.
Beschichtungsraum von dem Raum für das Transportsystem des
Substratwagens thermisch entkoppelt. Zur Kühlung der Trans
porteinheit ist diese in jeder Arbeitsposition über ein leck
freies Andocksystem mit einem äußeren Kühlkreislauf kuppelbar.
An der Transporteinheit befinden sich Substrathalter mit dem
daran befestigten Substrat, die durch den Schlitz in den Heiz-
bzw. Beschichtungsraum hineinragen.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren ist nunmehr vorgesehen,
daß die Transporteinheit mit dem auf der Substrathalterung
befindlichen Substrat nach dem Durchlaufbetrieb taktweise von
Kammer zu Kammer transportiert wird, wobei die Taktzeit haupt
sächlich von der Behandlungszeit in der Bedampfungskammer
bestimmt wird. Während der Verweilzeit in einer Kammer ist die
Transporteinheit über das leckfreies Andocksystem mit einer
Medienversorgung für Kühl- und Hydraulikmedien verbunden,
wobei die Transporteinheit kurzzeitig von der Medienversorgung
abgekoppelt und während dieser Zeit mit maximaler Ge
schwindigkeit zur jeweils nächsten Kammer transportiert wird.
Während des Transportes wird ein interner Kühlkreislauf für
Teile der Transporteinheit und der Substrathalterung aufrecht
erhalten und die Temperatur des Substrates während des Trans
portes im wesentlichen konstant gehalten.
Das Substrat wird bei diesem Verfahren für kurze Zeit sich
selbst überlassen, ohne daß Schäden für das Substrat noch für
die Transporteinheit zu erwarten sind.
Die Aufrechterhaltung der Kühlkreislaufes kann im einfachsten
Fall durch thermische Zirkulation des Kühlmediums erfolgen,
wobei die Wärmekapazität der Transporteinheit genutzt wird.
Grundsätzlich ist es auch möglich, den Kühlkreislauf in der
Transporteinheit durch eine Kühlmittelpumpe aufrechtzuerhal
ten. Die Energieversorgung der Kühlmittelpumpe erfolgt dann
aus einem Energiespeicher oder über Schleifkontakte an der
Transporteinheit in Verbindung mit Stromschinen erfolgen.
Die Verbindung der Transporteinheit mit der Medienversorgung
erfolgt durch die Schritte Andocken und anschließendes An
koppeln der Medienversorgung unter Nutzung des eingangs be
schriebenen leckfreien Andocksystemes. Das Ankoppeln der Me
dienversorgung kann bei einem solchen Andocksystem außerhalb
des Prozeßvakuums unter einer Sonderatmosphäre erfolgen, die
auch Luft sein kann. Damit wird eine sonst mögliche Verunrei
nigung der Atmosphäre der jeweiligen Kammer sicher ausge
schlossen.
Da die Sekundärstrahlungsquellen in der Bedampfungskammer mit
zunehmender Prozeßdauer mit zunehmender Energie strahlen, wird
die Strahlungsheizung für Substrat entsprechend der zunehmen
den Strahlungsenergie der Sekundärstrahlungsquellen verrin
gert.
Claims (13)
1. Behandlungsverfahren für thermisch hoch belastete Sub
strate in Elektronenstrahl-Bedampfungsanlagen, bei dem das
Substrat in Form von Stückgut mit Thermo-Barriereschichten
beschichtet wird, indem das Substrat nach dem Vorheizen in
einer Vorheizkammer unter Vakuum bis nahezu auf die Be
schichtungstemperatur anschließend mit Hilfe einer gekühl
ten Transporteinheit mit zugehöriger Substrathalterung in
eine Behandlungskammer überführt und dort die TBC-Schicht
aus der Dampfphase im Vakuum bei hohen Temperaturen bei
ggf. mehrachsiger Bewegung des Substrates durch Antrieb in
der Transporteinheit aufgebracht wird, wobei die Trans
porteinheit über Schleusen- und Vorheizkammern in eine
Bedampfungskammer und von dort in eine nachfolgende Ab
kühlkammer transportiert wird, dadurch ge
kennzeichnet,
- - daß die Transporteinheit mit dem auf der Substrathal terung befindlichen Substrat taktweise nach dem Durchlaufbetrieb von Kammer zu Kammer transportiert wird,
- - daß die Transporteinheit während der Verweilzeit in einer Kammer über ein an sich bekanntes leckfreies Andocksystem mit einer Medienversorgung für Kühl- und Steuermedien verbunden ist,
- - daß die Transporteinheit kurzzeitig von der Medien versorgung abgekoppelt und während dieser Zeit zur jeweils nächsten Kammer transportiert wird, und
- - daß während des Transportes ein interner Kühlkreislauf eines Kühlmittels für Teile der Transporteinheit und der Substrathalterung aufrechterhalten wird.
2. Behandlungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Kühlkreislauf in der
Transporteinheit durch thermische Zirkulation des Kühlme
diums aufrechterhalten wird, wobei die Wärmekapazität der
Transporteinheit genutzt wird.
3. Behandlungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Kühlkreislauf in der
Transporteinheit durch eine Kühlmittelpumpe aufrechter
halten wird.
4. Behandlungsverfahren nach Anspruch 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Energieversorgung der
Kühlmittelpumpe aus einem Energiespeicher in der Trans
porteinheit oder von außen über Schleifkontakte an der
Transporteinheit in Verbindung mit Stromschienen erfolgt.
5. Behandlungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß als Kühl
mittel Öl geringen Dampfdrucks verwendet wird.
6. Behandlungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß als Kühl
mittel Wasser verwendet wird.
7. Behandlungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß die Ver
bindung der Transporteinheit mit der Medienversorgung
durch Andocken und anschließendes Ankoppeln der Me
dienversorgung erfolgt.
8. Behandlungsverfahren nach Anspruch 7, dadurch
gekennzeichnet, daß das Ankoppeln der Medien
versorgung über ein leckfreien Andocksystem außerhalb des
Prozeßvakuums erfolgt.
9. Behandlungsverfahren nach Anspruch 8, dadurch
gekennzeichnet, daß das Ankoppeln unter einer
Sonderatmosphäre erfolgt.
10. Behandlungsverfahren nach Anspruch 9, dadurch
gekennzeichnet, daß die Sonderatmosphäre Luft
ist.
11. Behandlungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß die Subs
trate durch Strahlungs- oder Elektroheizung auf die Be
handlungstemperatur aufgeheizt werden.
12. Behandlungsverfahren nach Anspruch 11, dadurch
gekennzeichnet, daß die Temperatur des Sub
strates während der Behandlung in der Bedampfungskammer im
wesentlichen konstant gehalten wird.
13. Behandlungsverfahren nach Anspruch 12, dadurch
gekennzeichnet, daß die Heizung für das Sub
strat entsprechend der zunehmenden Strahlungsenergie der
Sekundärstrahlungsquellen während der Bedampfung in der
Bedampfungskammer verringert wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1999113802 DE19913802C1 (de) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | Behandlungsverfahren für thermisch hoch belastete Substrate in Elektronenstrahl-Bedampfungsanlagen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1999113802 DE19913802C1 (de) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | Behandlungsverfahren für thermisch hoch belastete Substrate in Elektronenstrahl-Bedampfungsanlagen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19913802C1 true DE19913802C1 (de) | 2000-09-07 |
Family
ID=7902544
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1999113802 Expired - Fee Related DE19913802C1 (de) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | Behandlungsverfahren für thermisch hoch belastete Substrate in Elektronenstrahl-Bedampfungsanlagen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19913802C1 (de) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19537092C1 (de) * | 1995-10-05 | 1996-07-11 | Ardenne Anlagentech Gmbh | Elektronenstrahl-Bedampfungsanlage im Durchlaufbetrieb für thermisch hoch belastete Substrate |
DE19526600A1 (de) * | 1995-07-21 | 1997-01-23 | Ardenne Anlagentech Gmbh | Elektronenstrahl-Bedampfungsanlage mit Substratwagen |
DE19743800C1 (de) * | 1997-10-02 | 1999-02-04 | Ardenne Anlagentech Gmbh | Vakuumbeschichtungsanlage im Durchlaufbetrieb |
-
1999
- 1999-03-26 DE DE1999113802 patent/DE19913802C1/de not_active Expired - Fee Related
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