DE19908458A1 - Kompakte Montagekonfiguration und Verfahren zur Verminderung der Leiterdrahtverbindungen und Lötverbindungen - Google Patents
Kompakte Montagekonfiguration und Verfahren zur Verminderung der Leiterdrahtverbindungen und LötverbindungenInfo
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Abstract
Die vorliegende Erfindung beschreibt eine elektronische Vorrichtung für das Gleichrichten von elektrischen Einganssignalen, um gleichgerichtete Ausgangssignale zu erzeugen. Die elektronische Vorrichtung umfaßt eine induktive Eingangsschaltung, die eine leitende Eingangswindungsspur für das Empfangen der elektrischen Eingangssignale umfaßt. Die elektronische Vorrichtung umfaßt ferner einen gleichrichtenden integrierten Schaltungs(IC)-Chip, der direkt auf der Windungsspur aufgelötet ist, für das Verarbeiten der elektrischen Eingangssignale, die für das Erzeugen der gleichgerichteten Ausgangssignale bereitgestellt werden. In einer anderen bevorzugten Ausführungsform ist die induktive Eingangsschaltung eine einschleifige induktive Schaltung, die weiter einen oberen Kern und einen unteren Kern für das Erzeugen induktiver Eingangssignale in Erwiderung auf die elektrischen Eingangssignale umfaßt. In einer anderen bevorzugten Ausführungsform umfaßt die elektronische Vorrichtung ferner eine Ausgangsschaltung, die mit dem IC-Chip verbunden ist, wobei die Ausgangsschaltung ferner eine induktive Ausgangsschaltung einschließt, für das Erzeugen von induktiven Ausgangssignalen in Erwiderung auf die gleichgerichteten Ausgangssignale. In einer anderen bevorzugten Ausführungsform ist die induktive Ausgangsschaltung eine einschleifige induktive Ausgangsschaltung, die weiter einen oberen Ausgangskern und einen unteren Ausgangskern für das Erzeugen der induktiven Ausgangssignale umfaßt.
Description
Diese Erfindung bezieht sich allgemein auf die Struktur und
das Verfahren zum Zusammenbauen einer kompakten elektroni
schen Vorrichtung. Insbesondere bezieht sich diese Erfindung
auf eine neue Konfiguration und ein Montageverfahren für das
Herstellen kompakter elektronischer Vorrichtungen mit vermin
derten Leiterdrähten und Lötpunkten, um einen verbesserten
Leistungsversorgungswirkungsgrad mit einer besseren thermi
schen Leistungsfähigkeit und einer gleichzeitigen verbesser
ten Zuverlässigkeit der Montage zu erzielen.
Da viele diskrete Bauteile durch Leiterdrähte miteinander
verbunden werden, die an Lötverbindungen miteinander verlötet
werden, um die Leistungsversorgungssysteme zu bilden, so wer
den der Wirkungsgrad der Leistungsverwendung und die
Packungsdichte verschlechtert, wenn die Zahl der Lötverbin
dungen erhöht wird. Zusätzlich zu den Problemen, die durch
das Verbinden dieser diskreten Bauteile durch Leiterdrähte
verursacht werden, bedingte die Unterbringung in festen Bau
gruppen für alle diese diskreten Bauteile auch die Verwendung
von Leiterplatten und Drahtverbindungen, die ebenfalls Löt
verbindungen erfordern. Die Schwierigkeiten der Verschlechte
rung des Wirkungsgrades und der Vorrichtungen mit größerem
Volumen, die einen größeren Platz beanspruchen, addieren sich
durch diese Gehäuse- und Montagekonfigurationen.
Es wird ein Vorwärtswandler, wie er allgemein in einem
Schaltnetzteil (SPS) verwendet wird, dargestellt. Ein Induk
tionsstrom wird erzeugt und in eine Induktionswindung von ei
ner zweiten Windung über einen Transformator eingegeben. Ein
Satz Gleichrichter richtet dann den induzierten Strom gleich,
um den Ausgangsgleichstrom (DC) an einer Ausgangsschaltung,
die zwischen einem positiven Anschluß und einem negativen An
schluß angeordnet ist, zu erzeugen. Die Gleichrichter können
entweder Dioden oder Metalloxydhalbleiter-Feldeffekttransi
storen (MOSFET) umfassen. Ein alternativer Vorwärtswandler
wird ebenfalls im allgemeinen in einem SPS verwendet, aber er
ist anders angeordnet als der Vorwärtswandler.
In einem konventionellen Packungsverfahren wird ein MOSFET-
Chip durch Bonden von Drähten mit einem Source-Leiter und ei
nem Gate-Leiter, die jeweils auf einer Leiterplatte vorgese
hen sind, verbunden. Der MOSFET-Leistungstransistor wird auf
einem Kupferabgriff abgestützt. Ein Drain-Anschluß des Lei
stungs-MOSFET wird auf der Unterfläche des Substrats des
Chips ausgeformt und über den Kupferabgriff mit der Leitung
verbunden. Der MOSFET-Gleichrichter wird durch Einschmelzen
in Epoxidharz eingeschlossen und geschützt. Dieser verpackte
MOSFET-Gleichrichter wird dann als Bauteil verwendet und wei
ter als Teil des Vorwärtswandlers zusammengefügt.
Eine elektronische Vorrichtung, die zwischen einem positiven
und einen negativen Anschluß angeordnet ist, wird im folgen
den beschrieben. Ein Ende der Sekundärwindung ist mit der
Kupferleiterbahn auf der gedruckten Leiterplatte durch eine
Lötverbindung verbunden. Die Source-Leitung des MOSFET ist
mit der Kupferleiterbahn durch eine andere Lötverbindung ver
bunden. Die Drahtverbindung wird verwendet, um den Source-
Leiter und den MOSFET-Chip zu verbinden. Der MOSFET-Chip wird
an der Kupferanschlußfläche durch eine dritte Verbindung be
festigt, und die Kupferanschlußfläche wird durch eine zweite
Kupferspur auf der gedruckten Leiterkarte mit einer vierten
Verbindung gestützt und befestigt. Ein Ende der Spulenwindung
wird mit der Kupferspur durch eine fünfte Lötverbindung ver
bunden. Das andere Ende der Spulenwindung wird mit dem posi
tiven Anschluß verbunden. Gemäß der Konfiguration der gezeig
ten Vorrichtungen gibt es mehrere Verbindungen, das heißt
fünf Lötverbindungen, die aus Sn62%Pb36%Ag2% zusammengesetzt
sind. Für eine Leistungsversorgung fungieren diese vielen
Verbindungen elektrisch als Widerstände, und Leistungsverlu
ste an diesen Punkten vermindern wesentlich den Betriebswir
kungsgrad des Leistungsversorgungssystems. Bei einem Vor
wärtswandler mit einer normalen Größe ergibt eine Vorrichtung
einen Gesamtwiderstand von ungefähr 875 Mikro-Ohm. Da der
Leistungsverlust proportional zum Widerstand und dem Quadrat
des Stromes ist, d. h. I2R für eine Leistungsversorgung, die
mit einem höheren Strom betrieben wird, wird der Leistungs
verlust zu einem wesentlichen Gestaltungsproblem, das durch
die Konfiguration der Vorrichtung, die so viele Lötverbindun
gen erfordert, nicht überwunden werden kann.
Zusätzlich zum Problem des Leistungsverlustes wird auch die
Packungsdichte des Leistungsversorgungssystems negativ beein
flußt. Die Packungsdichte ist eine Funktion der Größe der
Komponenten und der Distanz zwischen den Komponenten. In ei
nem SPS-System mit einer hohen Leistungsdichte gibt es mehre
re parallel angeordnete Gleichrichter, um die Leistung zu er
höhen. Die Verbindungsleiterbahnen, die sich zwischen diesen
Verbindungen erstrecken, benötigen somit einen großen Pro
zentsatz des Packungsraumes. Da ein konventioneller Vorwärts
wandler so viele Lötverbindungen erfordert, kann die
Packungsdichte nur schwer vermindert werden.
Es wird somit eine verbesserte Packung und eine verbesserte
Montagekonfiguration gefordert, um die Struktur und die Ver
bindungen dieser diskreten Komponenten zu vereinfachen. Diese
vereinfachte Struktur muß die Zahl der Verbindungen vermin
dern können, während sie stabile und zuverlässige Verbindun
gen liefert. Es ist weiter wünschenswert, daß die verbesserte
Konfiguration in einem Massenproduktionsverfahren ausgeführt
werden kann, das praktischerweise automatisiert werden kann,
um die Produktionskosten des zusammengebauten Systems weiter
zu vermindern.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht daher darin,
eine neue Konfiguration und ein Montageverfahren für das Ver
binden von Komponenten für ein zusammengebautes System für
das Vermindern der verbindenden Leiterdrähte und Lötverbin
dungen zu liefern, so daß die vorher erwähnten Begrenzungen
und Schwierigkeiten, auf die man im Stand der Technik stößt,
überwunden werden können.
Insbesondere besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung
darin, eine neue Konfiguration und ein Montageverfahren für
das Verbinden von Komponenten für ein zusammengebautes System
zu liefern, indem direkt elektronische Chips, die nicht schon
verpackt sind, für eine direkte Verbindung mit elektrischen
Schaltungen, die auf den Kupferstreifen ausgeformt sind, di
rekt auf eine leitende Platte montiert werden. Der Leiter
kann aus einem Kupferstreifen bestehen. Die Leiterdrähte, die
für die Verbindung der Komponenten benötigt werden, und die
entsprechenden Lötverbindungen für diese Leiterdrähte werden
vermindert.
Eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin,
eine neue Konfiguration und ein Montageverfahren für das Ver
binden von Komponenten eines zusammengebauten Systems zu lie
fern, indem direkt die elektronischen Chips, die nicht schon
verpackt sind, auf Leiterplatten montiert werden, für das di
rekte Verbinden mit den elektrischen Schaltungen, die auf den
Leiterplatten ausgebildet sind. Die Herstellverfahren werden
vereinfacht, und es werden zuverlässigere Aufbauten erzielt,
dadurch daß die Leiterdrähte, die für das Verbinden der Kom
ponenten notwendig sind, und die entsprechenden Lötverbindun
gen für diese Leiterdrähte beide reduziert werden. Darüber
hinaus können die Aufbauten, die mit der neuen Konfiguration
hergestellt sind, aus denselben Gründen bequem in der Größe
und dem Volumen vermindert werden und bessere Formfaktoren
erzielen.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine kompakte elektro
nische Vorrichtung beschrieben, die eine Umwandlung eines
Wechselstroms (AC) in einen Gleichstrom (DC) durchführt. Die
kompakte elektronische Vorrichtung umfaßt eine Windung, einen
elektronischen Chip, der mit der Windung integriert ist, und
eine Ausgangsschaltung, die elektrisch mit dem Chip verbunden
ist. Verglichen mit konventionellen SPS-Systemen wird der
Leistungsverlust wesentlich vermindert, da der Eingangsstrom,
der zur Windung übertragen wird, nun so konfiguriert wird,
daß er direkt zum elektronischen Chip fließt, ohne durch zu
sätzliche Lötverbindungen verbunden zu sein.
Kurz gesagt, die vorliegende Erfindung beschreibt in einer
bevorzugten Ausführungsform einen Vorwärtswandler für ein
SPS-System. Der Vorwärtswandler umfaßt erste und zweite MOS-
FET-Leistungstransistoren. Der Vorwärtswandler umfaßt ferner
einen zweiten Kupferwindungsstreifen, der als Eingang für den
Vorwärtswandler dient, und einen Spulenwindungskupferstrei
fen. Der erste MOSFET-Leistungstransistor ist so angeordnet,
daß der Drain-Anschluß sich direkt auf dem zweiten Kupferwin
dungsstreifen befindet. Der zweite Leistungs-MOSFET ist so
angeordnet, daß sein Drain-Anschluß direkt auf der Spulenwin
dung angeordnet ist. Ein Source-Anschluß des ersten MOSFET
und eine zweite MOSFET-Leistungsvorrichtung sind mit einem
Ausgangsanschluß verbunden. Somit sind die MOSFET-Leistungs
transistor-Chips direkt auf Kupferstreifen montiert, die als
Spulenwindungen verwendet werden, um die verbindenden Lötver
bindungen zu vermindern.
Die vorliegende Erfindung kann am besten durch die folgende
Beschreibung unter Bezug auf die begleitenden Zeichnungen
verstanden werden:
Fig. 1 ist eine perspektivische Explosionsdarstellung von
Komponenten, die für die Montage in einen Vorwärtswandler ge
mäß einer Struktur dieser Erfindung bereitgestellt werden;
Fig. 2 ist eine Querschnittsansicht, die die Struktur und die
Verbindungsstellen für einen Aufbau zeigt, der gemäß eine
Konfiguration angeordnet ist, wie er in Fig. 1 gezeigt ist;
Fig. 3(A) und 3(B) sind Schaltungsdiagramme zweier Halb
brücken-Wandler, die in einem SPS-System verwendet werden;
und
Fig. 4 ist eine perspektivische Explosionsansicht von Kompo
nenten, die für den Zusammenbau in einen Vorwärtswandler der
Fig. 3(A) gemäß einer Struktur dieser Erfindung bereitge
stellt werden.
Man betrachte bitte Fig. 1 für eine Explosionsdarstellung der
Ausgangsstufe eines Vorwärtswandleraufbaus gemäß der Konfigu
ration, die in dieser Erfindung beschrieben wird. Dieser Vor
wärtswandler wird mit einer kompakten Aufbaukonfiguration zu
sammengebaut. Statt des Verbindens mehrerer vorverpackter
diskreter Komponenten durch Leiterdrähte, wird eine total
neue Montagetechnik beschrieben. Der Vorwärtswandler gemäß
dieser neuen Konfiguration umfaßt eine Sekundärwindung, die
strukturiert ist, indem ein oberer und unterer Kern 311 be
ziehungsweise 312 über einer erster Kupferstreifenwindung 31
plaziert werden. Der Vorwärtswandler umfaßt ferner eine Aus
gangsspulenwindung, die durch das Plazieren eines oberen und
unteren Kerns 321 beziehungsweise 322 über einer zweiten Kup
ferstreifenwindung 32 strukturiert ist. Die zweite Windung
101 trägt einen ersten MOSFET-Leistungstransistor-Chip 112,
wobei ein Drain-Anschluß des Transistors direkt auf der Kup
ferstreifenwindung 31 plaziert ist. Die Source-Anschlüsse der
gleichrichtenden MOSFET-Chips 111 und 112 sind mit Drähten zu
einem Ausgangsanschluß 33 verbunden, der mit einem negativen
Ausgangsanschluß -Vo verbunden ist, wobei die Kupferstreifen
windung 32 der Spulenwindung 12 mit einem positiven Anschluß
+Vo verbunden ist.
Fig. 2 ist eine seitliche Querschnittsansicht eines Vorwärts
wandlers, der gemäß einer Struktur der vorliegenden Erfindung
durch das Implementieren eines Vorwärtswandlers konfiguriert
ist. Der MOSFET-Rohchip 111 ist mit der Kupferwindung 12
durch eine Lötverbindung 522 verbunden, die einen Teil der
Ausgangsspule darstellt. Der Source-Anschluß des MOSFET 111
ist mit einer Kupferwindung 12 verbunden, die einen Teil des
sekundären Windung 101 des Transformators darstellt. Der Aus
gangsstrom fließt durch 101, 53, 111, 522 und 12. In diesem
Fall führen Lötanschlußflächen 511 und 512 und Lötverbindun
gen 521 und 523 keinen Widerstand in den Stromweg ein, so daß
der Wirkungsgrad optimiert wird. Der Aufbau hat einen Wider
stand von ungefähr 165 µΩ, der wesentlich niedriger liegt
als der Widerstand einer Packung des Standes der Technik,
beispielsweise weniger als ein Fünftel des Widerstands von
875 µΩ einer Packung eines Vorwärtswandlers des Standes der
Technik beträgt.
Die Konfiguration, wie sie in Fig. 1 gezeigt ist, und das
Montageverfahren, wie es in Fig. 2 gezeigt ist, kann auf ver
schiedene Arten von elektrischen Vorrichtungen, die Windungen
und Halbleiterchips aufweisen, angewandt werden. Andere An
wendungsbeispiele sind in den Fig. 3(A) und 3(B) gezeigt,
die Schaltungsdiagramme von zwei verschiedenen Halbbrücken-
Wandlern, die üblicherweise in einem SPS-System verwendet
werden, zeigen. Es können entweder MOSFETs oder Dioden als
Gleichrichter, die mit den Bezugszahlen 611 und 612 bezeich
net sind, verwendet werden. Fig. 3(B) zeigt eine andere An
ordnung der Gleichrichter, die in Fig. 3(A) eingeschlossen
sind, während sich die durchgeführten Funktionen ähneln.
Fig. 4 ist eine Explosionsansicht von vorgefertigten Kompo
nenten für eine Montage in die Ausgangsstufe eines Halb
brücken-Wandlers, wie er in Fig. 3(A) gezeigt ist. Statt die
vorverpackten Gleichrichter zu verwenden, wie das üblicher
weise im Stand der Technik implementiert ist, werden die
Gleichrichter 611 und 612 direkt auf die Windungen 71, 72 und
73 gelötet. Es können verschiedene Lote verwendet werden, wie
Sn63%Pb37%, Sn60%Pb40%, Sn62%Pb36%Ag2%, Sn96,5%Ag3,5% und
Pb92,5%5n5%Ag2%. Wiederum bilden, ähnlich wie das in Fig. 1
dargestellt und diskutiert wurde, die Kupferwindung 71, der
obere Kern 711 und der untere Kern 712 die einschleifige Se
kundärwindung des Transformators 601 in Fig. 3(A). Die Kup
ferwindung 72, der obere Kern 721 und der untere Kern 722
bilden die einschleifige Spule 621 in Fig. 3(A). Die Kupfer
windung 73, der obere Kern 731 und der untere Kern 732 bilden
die einschleifige Spule in Fig. 3(A). Der einseitig gerich
tete Diodenchip oder der zweiseitig gerichtete MOSFET-Transi
stor-Chip 611 und 612 sind ebenfalls elektrisch mit der Ver
bindung zwischen 71 und 72, beziehungsweise 71 und 73 als
Gleichrichter verbunden.
Gemäß den Zeichnungen und der obigen Beschreibung beschreibt
diese Erfindung eine elektronische Vorrichtung für das
Gleichrichten von elektrischen Eingangssignalen, um gleichge
richtete Ausgangssignale zu erzeugen. Die elektronische Vor
richtung umfaßt ferner integrierte Gleichrichterschaltung
schips (IC), die direkt auf die Windungsleiterspur aufgelötet
sind, für das Verarbeiten der elektrischen Eingangssignale,
die für das Erzeugen der gleichgerichteten Ausgangssignale
geliefert werden. In einer anderen bevorzugten Ausführungs
form ist die Eingangsinduktionsschaltung eine einschleifige
Eingangsinduktionsschaltung, die für das Erzeugen von induk
tiven Eingangssignalen in Erwiderung auf die elektrischen
Eingangssignale einen oberen Kern und einen unteren Kern um
faßt. In einer anderen bevorzugten Ausführungsform umfaßt die
elektronische Vorrichtung ferner eine Ausgangsschaltung, die
mit dem IC-Chip verbunden ist, wobei die Ausgangsschaltung
weiter eine induktive Ausgangsschaltung für das Erzeugen von
induktiven Ausgangssignalen in Erwiderung auf die gleichge
richteten Ausgangssignale umfaßt. In einer anderen bevorzug
ten Ausführungsform ist die induktive Ausgangsschaltung eine
einschleifige induktive Ausgangsschaltung, die ferner für das
Erzeugen der induktiven Ausgangssignale einen oberen Aus
gangskern und einen unteren Ausgangskern umfaßt. In einer be
vorzugten Ausführungsform ist die Eingangswindungsleiterspur
ein Metallstreifen mit einer metallischen Beschichtung, die
aus einer Gruppe, die aus Nickel, Gold und Lötmetallen be
steht, ausgewählt wird. In nochmals einer anderen bevorzugten
Ausführungsform ist der Gleichrichter-IC-Chip eine einseitig
gerichtete Diode, die eine Anode und eine Kathode aufweist,
wobei die Kathode mit der leitenden Eingangswindungsspur ver
lötet ist. In einer anderen Ausführungsform ist der Gleich
richter-IC-Chip ein zweiseitig gerichteter MOSFET, der einen
Source-Anschluß und einen Drain-Anschluß aufweist, wobei der
Drain-Anschluß direkt auf der leitenden Eingangswindungsspur
aufgelötet ist. In einer anderen bevorzugten Ausführungsform
ist der Gleichrichter-IC-Chip ein zweiseitig gerichteter MOS-
FET, der einen Source-Anschluß und einen Drain-Anschluß auf
weist, wobei der Source-Anschluß direkt mit der leitenden
Eingangswindungsspur verlötet ist. Diese Erfindung beschreibt
auch ein Leistungsversorgungssystem. Das Leistungsversor
gungssystem umfaßt einen Gleichrichter für das Gleichrichten
eingegebener elektrischen Signale, um gleichgerichtete Aus
gangssignale zu erzeugen. Der Gleichrichter umfaßt ferner ei
ne induktive Eingangsschaltung, die eine leitende Eingangs
windungsspur für das Empfangen der elektrischen Eingangssi
gnale aufweist. Und der Gleichrichter umfaßt ferner einen
Gleichrichter-IC-Chip, der direkt auf der Windungsspur aufge
lötet ist, für das Verarbeiten der elektrischen Eingangssi
gnale, die für das Erzeugen der gleichgerichteten Ausgangssi
gnale geliefert werden.
Insgesamt beschreibt diese Erfindung eine elektronische Vor
richtung, die eine induktive Schaltung und einen IC-Chip auf
weist. Die induktive Schaltung umfaßt eine leitende Windungs
spur. Und der IC-Chip ist direkt auf der leitenden Windungs
spur montiert. In einer bevorzugten Ausführungsform umfaßt
die induktive Schaltung ferner einen oberen Kern, der ober
halb der leitenden Windungsspur angeordnet ist, und einen un
teren Kern, der unterhalb der leitenden Windungsspur angeord
net ist, um eine einschleifige Spule zu bilden. In einer an
deren bevorzugten Ausführungsform umfaßt die elektronische
Vorrichtung ferner eine induktive Ausgangsschaltung, die mit
der induktiven Schaltung, die eine leitenden Ausgangswin
dungsspur umfaßt, verbunden ist. Und die induktive Ausgangs
schaltung umfaßt ferner einen oberen Ausgangskern, der ober
halb der leitenden Ausgangswindungsspur angeordnet ist, und
einen unteren Ausgangskern, der unter der leitenden Ausgangs
windungsspur angeordnet ist, um eine einschleifige Ausgangs
spule zu bilden.
Die Montage- und Verpackungsverfahren werden durch die direk
te Verwendung des IC-Chips vereinfacht, ohne daß eine vorver
packte Einheit, wie sie gemeinhin im Stand der Technik ver
wendet wird, notwendig ist. Die Lötverfahren werden auf das
direkte Montieren der IC-Chips auf die Kupferwindungen, die
als Teil der Spulen implementiert sind, vermindert. Die Not
wendigkeit für die Verwendung von Kupferabgriffen und Leiter
drähten wird ebenfalls eliminiert, so daß der Widerstand
stark vermindert und der Wirkungsgrad der Leistungsverwendung
stark verbessert wird. Weiterhin wird die Größe des Aufbaus
vermindert, da verschiedene Komponenten dichter integriert
sind. Die Vorrichtungsstruktur und die Montagekonfiguration
sind insbesondere nützlich für SPS mit hoher Leistungsdichte.
Somit beschreibt die vorliegende Erfindung eine neue Konfigu
ration und ein Montageverfahren für das Verbinden von Kompo
nenten eines zusammengefügten Systems für das Vermindern der
verbindenden Leitungsdrähte und Lötverbindungen, so daß die
Begrenzungen und Schwierigkeiten, auf die man im Stand der
Technik stößt, überwunden werden. Insbesondere wird eine neue
Konfiguration und ein Montageverfahren für das Verbinden von
Komponenten eines zusammengebauten System geliefert durch das
direkte Montieren von elektronischen Chips, die nicht schon
verpackt sind, direkt auf die leitenden Spuren für eine di
rekte Verbindungen mit den elektrischen Schaltungen, die auf
den leitenden Spuren ausgebildet sind. Die leitenden Spuren
können aus einer Kupferspur bestehen. Die Leiterdrähte, die
für das Verbinden der Komponenten benötigt werden, und die
entsprechenden Lötverbindungen für diese Leiterdrähte werden
vermindert. Das Herstellverfahren wird vereinfacht, und es
werden zuverlässigere Baugruppen erzielt, da sowohl die Lei
terdrähte, die für das Verbinden der Komponenten notwendig
sind, als auch die entsprechenden Lötverbindungen für die
Leiterdrähte vermindert werden. Die Aufbauten, die mit der
neuen Konfiguration hergestellt wurden, können bequem in der
Größe und dem Volumen vermindert werden und erzielen bessere
Formfaktoren, da die Leiterdrähte, die für das Verbinden der
Komponenten notwendig sind, und die entsprechenden Lötverbin
dungen für diese Leiterdrähte beide reduziert werden.
Claims (19)
1. Elektronische Vorrichtung für das Gleichrichten von elek
trischen Eingangssignalen, um gleichgerichtete Ausgangssigna
le zu erzeugen, dadurch gekennzeichnet, daß die elektronische
Vorrichtung folgendes umfaßt:
eine induktive Eingangsschaltung (101, 601), die eine leitende Eingangswindungsspur (31, 71) für das Empfangen der elektrischen Eingangssignale umfaßt; und
einen gleichrichtenden integrierten Schaltungschip (IC, 111, 112, 611, 612), der direkt auf der Windungsspur (31, 71) verlötet ist, für das Verarbeiten der elektrischen Eingangs signale, die für das Erzeugen der gleichgerichteten Ausgangs signale geliefert werden.
eine induktive Eingangsschaltung (101, 601), die eine leitende Eingangswindungsspur (31, 71) für das Empfangen der elektrischen Eingangssignale umfaßt; und
einen gleichrichtenden integrierten Schaltungschip (IC, 111, 112, 611, 612), der direkt auf der Windungsspur (31, 71) verlötet ist, für das Verarbeiten der elektrischen Eingangs signale, die für das Erzeugen der gleichgerichteten Ausgangs signale geliefert werden.
2. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die induktive Eingangsschaltung (101, 601) eine
einschleifige induktive Eingangsschaltung ist, die weiter ei
nen oberen Kern (311, 711) und einen unteren Kern (312, 712)
für das Erzeugen induktiver Eingangssignale in Erwiderung auf
die elektrischen Eingangssignale einschließt.
3. Elektronische Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die elektronische Vorrichtung
weiter eine Ausgangsschaltung umfaßt, die mit dem IC-Chip
(111, 112, 611, 612) verbunden ist, wobei die Ausgangsschal
tung weiter eine induktive Ausgangsschaltung (12, 621, 622)
einschließt, für das Erzeugen induktiver Ausgangssignale in
Erwiderung auf die gleichgerichteten Ausgangssignale.
4. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß die induktive Ausgangsschaltung (12, 621, 622)
eine induktive einschleifige Ausgangsschaltung ist, die einen
oberen Ausgangskern (321, 721, 731) und einen unteren Aus
gangskern (322, 722, 732) für das Erzeugen der induktiven
Ausgangssignale einschließt.
5. Elektronische Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 4, da
durch gekennzeichnet, daß die leitende Eingangswindungsspur
(31, 71) ein Metallstreifen mit einer metallischen Beschich
tung, die aus einer Gruppe, die aus Nickel, Gold und Lötme
tallen besteht, ausgewählt wird, ist.
6. Elektronische Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 5, da
durch gekennzeichnet, daß der gleichrichtende IC-Chip (111,
112, 611, 612) eine einseitig gerichtete Diode ist, die eine
Anode und eine Kathode aufweist, wobei die Kathode mit der
leitenden Eingangswindungsspur (31, 71) verlötet ist.
7. Elektronische Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 5, da
durch gekennzeichnet, daß der gleichrichtende IC-Chip (111,
112, 611, 612) ein zweiseitig gerichteter Metalloxydhalblei
ter-Feldeffekttransistor (MOSFET) ist, der einen Source-An
schluß und einen Drain-Anschluß aufweist, wobei der DrainAn
schluß direkt auf der leitenden Eingangswindungsspur (31, 71)
verlötet ist.
8. Elektronische Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 5, da
durch gekennzeichnet, daß der gleichrichtende IC-Chip (111,
112, 611, 612) ein zweiseitig gerichteter Metalloxydhalblei
ter-Feldeffekttransistor (MOSFET) ist, der einen Source-An
schluß und einen Drain-Anschluß aufweist, wobei der Source-
Anschluß direkt auf der leitenden Eingangswindungsspur (31,
71) verlötet ist.
9. Leistungsversorgungssystem, das einen Gleichrichter für
das Gleichrichten von elektrischen Eingangssignalen umfaßt,
um gleichgerichtete Ausgangssignale zu erzeugen, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Gleichrichter weiter eine induktive
Eingangsschaltung (101, 601) umfaßt, die eine leitende Ein
gangswindungsspur (31, 71) für das Empfangen der elektrischen
Eingangssignale einschließt, und der Gleichrichter ferner ei
nen gleichrichtenden IC-Chip (111, 112, 611, 612) aufweist,
der direkt auf der Windungsspur (31, 71) verlötet ist, für
das Verarbeiten der elektrischen Eingangssignale, die für das
Erzeugen der gleichgerichteten Ausgangssignale bereitgestellt
werden.
10. Leistungsversorgungssystem nach Anspruch 9, dadurch ge
kennzeichnet, daß die induktive Eingangsschaltung (101, 601)
eine einschleifige induktive Eingangsschaltung ist, die wei
ter einen oberen Kern (311, 711) und einen unteren Kern (312,
712) für das Erzeugen von induktiven Eingangssignalen in Er
widerung auf die elektrischen Eingangssignale umfaßt.
11. Leistungsversorgungssystem nach den Ansprüchen 9 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß der Gleichrichter weiter eine
Ausgangsschaltung umfaßt, die mit dem IC-Chip (111, 112, 611,
612) verbunden ist, wobei die Ausgangsschaltung weiter eine
induktive Ausgangsschaltung (12, 621, 622) umfaßt, für das
Erzeugen von induktiven Ausgangssignalen in Erwiderung auf
die gleichgerichteten Ausgangssignale.
12. Leistungsversorgungssystem nach Anspruch 11, dadurch ge
kennzeichnet, daß die induktive Ausgangsschaltung (12, 621,
622) eine einschleifige induktive Ausgangsschaltung ist, die
einen oberen Ausgangskern (321, 721, 731) und einen unteren
Ausgangskern (322, 722, 732) für das Erzeugen der induktiven
Ausgangssignale umfaßt.
13. Elektronische Vorrichtung mit einer induktiven Schaltung
(101, 601) und einem IC-Chip (112, 611, 612), wobei die in
duktive Schaltung (101, 601) eine leitenden Windungsspur (31,
71) einschließt, dadurch gekennzeichnet, daß der IC-Chip
(111, 112, 611, 612) direkt auf der leitenden Windungsspur
(31, 71) montiert ist.
14. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch ge
kennzeichnet, daß die induktive Schaltung (101, 601) weiter
einen oberen Kern (311, 711), der oberhalb der leitenden Win
dungsspur (31, 71) angeordnet ist, und einen unteren Kern
(312, 712), der unter der leitenden Windungsspur (31, 71) an
geordnet ist, umfaßt, um eine einschleifige Spule zu bilden.
15. Elektronische Vorrichtung nach den Ansprüchen 13 bis 14,
dadurch gekennzeichnet, daß die elektronische Vorrichtung
weiter eine induktive Ausgangsschaltung (12, 621, 622) um
faßt, die mit der induktiven Schaltung (101, 601) verbunden
ist, und eine leitende Ausgangswindungsspur (32, 72, 73) ein
schließt, wobei die leitende induktive Ausgangsschaltung (12,
621, 622) ferner einen oberen Ausgangskern (321, 721, 731),
der oberhalb der leitenden Ausgangswindungsspur (32, 72, 73)
angeordnet ist, und einen unteren Ausgangskern (322, 722,
732), der unterhalb der leitenden Ausgangswindungsspur (32,
72, 73) angeordnet ist, umfaßt, um eine einschleifige Aus
gangsspule zu bilden.
16. Verfahren zur Montage einer elektronischen Vorrichtung
mit einer induktiven Schaltung (101, 601) und einem IC-Chip,
dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren folgende Schritte
aufweist:
- a) Ausbilden der induktiven Schaltung (101, 601) mit einer leitenden Windungsspur (31, 71); und
- b) direktes Montieren des IC-Chips (111, 112, 611, 612) auf der leitenden Windungsspur (31, 71).
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt (a) des Ausbildens der induktiven Schaltung (101,
601) weiter einen Schritt des Plazierens eines oberen Kerns
(311, 711) über der leitenden Windungsspur (31, 71) und das
Plazieren eines unteren Kerns (312, 712) unterhalb der lei
tenden Windungsspur (31, 71) umfaßt, um eine einschleifige
Spule zu bilden.
18. Verfahren nach den Ansprüchen 16 bis 17, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Verfahren weiter folgende Schritte umfaßt:
- a) Ausbilden einer induktiven Ausgangsschaltung (12, 621, 622) mit einer leitenden Ausgangswindungsspur (32, 72, 73) und Verbinden der induktiven Ausgangsschaltung (12, 621, 622) mit der induktiven Schaltung (101, 601); und
- b) Plazieren eines oberen Ausgangskerns (321, 721, 731) oberhalb der leitenden Ausgangswindungsspur (32, 72, 73) und Plazieren eines unteren Ausgangskern (322, 722, 732) unter halb der leitenden Ausgangswindungsspur (32, 72, 73), um eine einschleifige Spule zu bilden.
19. Verfahren nach den Ansprüchen 16 bis 18, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Schritt (b) des direkten Montierens des IC-
Chips (111, 112, 611, 612) auf der leitenden Windungsspur
(31, 71) ein Schritt des Verlötens des IC-Chips (111, 112,
611, 612) direkt auf der Windungsspur (31, 71) ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19908458A1 true DE19908458A1 (de) | 2001-08-09 |
DE19908458C2 DE19908458C2 (de) | 2003-08-14 |
Family
ID=21630586
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19908458A Expired - Fee Related DE19908458C2 (de) | 1998-07-03 | 1999-02-26 | Kompakte Montagekonfiguration und Verfahren zur Verminderung der Leiterdrahtverbindungen und Lötverbindungen |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5986912A (de) |
DE (1) | DE19908458C2 (de) |
TW (1) | TW380266B (de) |
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---|---|---|---|
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