DE19860634A1 - Verfahren zur Verminderung der durch elektrostatische Entladungen und beim Abbilden entstehenden Beschädigungen beim Definieren der Schreibspurbreite eines magnetoresistiven Kopfes mit Hilfe eines fokussierten Ionenstrahls - Google Patents
Verfahren zur Verminderung der durch elektrostatische Entladungen und beim Abbilden entstehenden Beschädigungen beim Definieren der Schreibspurbreite eines magnetoresistiven Kopfes mit Hilfe eines fokussierten IonenstrahlsInfo
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Description
Die Erfindung betrifft allgemein die Herstellung von magnetischen Aufzeich
nungsköpfen, wie sie bei Magnetplatten-Datenspeichereinrichtungen verwendet
werden, und insbesondere ein Verfahren zur Verminderung der Beschädigung
eines magnetoresistiven Kopfes während der mit Hilfe eines fokussierten Ionen
strahls erfolgenden Einstellung bzw. Definierung der Schreibkopf-Spurbreite.
Festplatten-Datenspeichereinrichtungen sind üblicherweise Magnetplatten-Vor
richtungen, die eine Kopf/Platten-Baueinheit verwenden, welche in einem abge
dichteten Volumen eingeschlossen ist, wobei sich die zugehörige elektronische
Schaltung in der Nähe oberhalb oder unterhalb der abgedichteten Kopf/Platten-
Baueinheit befindet. Die Kopf/Platten-Baueinheit umfaßt typischer Weise eine
oder mehrere ebene Scheiben bzw. Platten, die auf einer rotierenden Nabe eines
ebenfalls enthaltenen Wellen-Antriebsmotors gestapelt sind. Jede Scheibe bzw.
Platte hat ein magnetisches Medium auf ihrer oberen und unteren Oberfläche.
Eine oder mehrere Betätigungseinheiten zum Positionieren von magnetischen
Übertragern (Köpfen) über den oberen und unteren Oberflächen der Platten sind
in der Nähe des Plattenstapels angeordnet und umfassen eine Drehmotorein
richtung, wie z. B. einen Schwingspulenmotor, der dazu dient, Arme, die die
Köpfe tragen, über den Plattenoberflächen vor- und zurückzudrehen, um Infor
mationen auf die Platten zu schreiben bzw. von ihnen zu lesen.
Die meisten heute zur Verfügung stehenden, herkömmlichen Festplatteneinhei
ten umfassen einen einzigen Plattenstapel und eine einzige von einem
Schwingspulenmotor angetriebene Betätigungsvorrichtung, die eine an der Betä
tigungsvorrichtung selbst befestigte sich bewegende Spule verwendet. Die Betä
tigungsvorrichtung hat die gleiche Anzahl von Köpfen, wie Plattenoberflächen
vorhanden sind. Die inneren Betätigungsarme tragen typischerweise zwei einan
der gegenüberliegende Köpfe, einen für die untere Oberfläche der unmittelbar
darüber befindlichen Platte und einen für die obere Oberfläche der unmittelbar
benachbarten unteren Platte; diese Köpfe werden ständig weiterentwickelt, so
daß sie kleiner und kleiner werden und zu einer größeren Anzahl von Platten in
einem gegebenen Volumen passen.
Es wurde auch eine Reihe von Versuchen unternommen, um auf andere Weise
die Kapazität von Festplatteneinheiten zu steigern. Ein Lösungsversuch bestand
darin, die Anzahl der Spuren auf jeder Plattenoberfläche zu vergrößern. Dies
macht es erforderlich, die Spuren schmaler zu machen, was notwendigerweise
bedeutet, daß die Schreibköpfe schmaler, dünner und kleiner werden müssen.
Auch wird dann, wenn die Spurbreite kleiner wird, die Interferenz zwischen be
nachbarten Spuren sowohl beim Lesen als auch beim Schreiben ein Problem.
Eine der neuartigeren Lösungen, die zu kleineren Spurbreiten geführt hat, war
die Einführung von Doppelspalt-Köpfen, bei denen ein gesonderter Spalt für
Schreibvorgänge und ein weiterer Spalt für Lesevorgänge Verwendung finden,
der ein magnetoresistives Element enthält. Diese magnetoresistiven
Schreib/Leseköpfe besitzen typischerweise drei voneinander beabstandete Pol
spitzen, die zwei Spalte bilden, nämlich einen Schreibspalt und einen Lesespalt.
Getrennte Spalte haben zur Folge, daß jeder der Spalte für seinen speziellen
Zweck optimiert werden kann und hinsichtlich der Dimensionierung keinen Kom
promiß darstellen muß.
Die magnetoresistiven Lese/Schreibköpfe werden an der nachlaufenden
Endoberfläche eines Gleitstückblockes ausgebildet. Die Polspitzen-Spalte werde
an der unteren Kante der nachlaufenden Endoberfläche des Gleitstückblockes
derart ausgebildet, daß die Spitzen auf die Magnetoberfläche der Platte zuwei
sen. Das Gleitstück ist seinerseits am Ende des Betätigungsarmes montiert und
wird von diesem getragen, wobei dieses Ende so positioniert ist, daß dann, wenn
sich die Platte dreht, das Gleitstück auf einem Luftpolster d. h. einem Luftlager-
Film schwimmt, der sich unmittelbar über der Magnetoberfläche ausbildet, so daß
sich die Lese/Schreib-Polspitzen so nah wie irgend möglich an der Ma
gnetschicht befinden ohne mit dieser tatsächlich in Berührung zu stehen. Zu die
sem Zweck bildet die untere Oberfläche des Gleitstückes eine Luftlager-Oberflä
che.
Der Kopf umfaßt einen oberen Pol, ein gemeinsames Polelement, das üblicher
weise als gemeinsamer Schirm (shield) bezeichnet wird, sowie ein unteres Pol
element, das üblicherweise als unterer Schirm bezeichnet wird. Die beiden letzte
ren Polelemente werden als Schirme bezeichnet, weil das magnetoresistive Le
seelement im Spalt zwischen dem gemeinsamen Schirm und dem unteren
Schirm angeordnet ist. Diese Köpfe, die allgemein als magnetoresistive Köpfe
bekannt sind, werden durch photolithographische Verfahren auf der oberen
Oberfläche eines Hartkeramik-Wafers hergestellt, der in im allgemeinen recht
winkelige Gleitstückblöcke so zerschnitten wird, daß die obere Oberfläche des
Wafers die nachlaufende Endoberfläche des Gleitstücks wird.
Das US-Patent Nr. 5,314,596 beschreibt die herkömmlichen Bearbeitungsschritte
für die Waver und Gleitstück-Stäbe. Im allgemeinen wird eine große Anzahl von
magnetoresistiven Köpfen auf einer oberen ebenen Oberfläche des Wavers in
einer Reihe von Abscheideschritten abgeschieden, die die Abscheidung einer
Reihe von alternierenden Schichten aus einem für Magnetfluß leitenden Material,
wie z. B. einer Nickel-Eisen-Legierung und nicht magnetischem elektrisch isolie
rendem Material auf der Oberfläche des Wavers umfassen. Die leitfähigen
Schichten werden jeweils als dünner Film auf der ebenen Waveroberfläche ab
geschieden. Dann wird ein Fotolack auf dem dünnen Film abgeschieden und ei
ne photolithographische Maske wird über dem mit Fotolack beschichteten Waver
positioniert. Der Waver wird dann belichtet. Diese Belichtung bewirkt, daß die
freiliegenden Flächen des Fotolacks gegen ein chemisches Abwaschen resistent
werden, wenn ein positiver Fotolack verwendet wird. Bei einem negativen Foto
lack tritt das Gegenteil ein. In beiden Fällen muß die Maske zu dem verwendeten
Fotolack passen. Nach dem Belichten wird die Maske entfernt. In Abhängigkeit
von dem verwendeten Fotolack werden die jeweiligen belichteten oder nicht be
lichteten Fotolackbereiche abgewaschen, und es bleibt eine freiliegende Muster
oberfläche der leitfähigen Schicht zurück. Auf die freiliegende leitfähige Schicht
wird ein chemischer Ätzprozeß angewandt, um die freiliegenden Musterteile der
leitfähigen Schicht zu entfernen. Hierauf wird der verbliebene Fotolack entfernt,
und es bleibt das gewünschte Muster der leitenden Schicht auf der ebenen
Oberfläche des Wavers zurück. Diese gemusterte Leiterschicht definiert den er
sten Pol des Kopfes.
Als nächstes wird eine isolierende Schicht abgeschieden und in ähnlicher Weise
mit einem Muster versehen, wie dies eben beschrieben wurde; hierauf wird eine
weitere leitfähige Schicht abgeschieden. Dann wird ein weiterer Fotolack aufge
bracht, eine weitere photolithographische Maske positioniert und die Oberfläche
des Wavers wird erneut belichtet. Dann wird die Maske entfernt und die nicht be
lichteten Fotolack-Teile werden abgewaschen, so daß eine weitere freiliegende,
gemusterte Oberfläche des Fotolacks und der leitfähigen Schicht zurückbleibt.
Dieses Verfahren wird wiederholt, um den Aufbau der Polstücke und der Spulen
für jeden einer Reihe von identischen Köpfen auf der ebenen Oberfläche des
Wavers zu vervollständigen.
Nachdem die Köpfe auf der oberen Oberfläche des Wavers ausgebildet worden
sind, wird der Waver in Streifen oder Stäbe zerschnitten, von denen jeder eine
Reihe von nicht getrennten einzelnen Köpfen auf einer seiner Flächen aufweist.
Die benachbarte, senkrechte Fläche des Stabes, auf der die Polspitzen liegen,
wird als Luftlageroberfläche definiert und durch Feinschleifen, Sägen, Ionenätzen
und/oder abtragende Prozesse so in die gewünschte Luftlageroberflächenform
gebracht, daß sie die gewünschten Flughöhen-Eigenschaften des Kopfes liefert.
Die untere Luftlageroberfläche des Stabes wird dann abschließend poliert.
Als nächstes werden die Polspitzen eines jeden Kopfes auf jedem Stab durch
abtragende Bearbeitung mit einem fokussierten Ionenstrahl getrimmt. Dieser
Schritt ist äußerst wichtig, um die Schreibspurbreite zu minimieren. Typischer
weise werden durch den abtragenden Schritt mit Hilfe des fokussierten Ionen
strahls die Polspitzen gekerbt, um eine genau definierte geringe Breite an den
Enden einer jeden Gruppe von Polspitzen zu liefern. Dieses Einkerben bzw.
Schlitzen mit einem fokussierten Ionenstrahl wird typischerweise mit einem fo
kussierten Bündel von positiven Ionen, beispielsweise Gallium-Ionen durchge
führt, wobei Polspitzenmaterial abgetragen wird, um die durch Einkerbungen be
arbeiteten Spitzen zu erzeugen. Auch müssen die Spitzen vor der abtragenden
Bearbeitung genau abgebildet und positioniert werden. Dieser vorläufige Abbil
dungs- und Positionierungsschritt wird ebenfalls mit dem fokussierten Ionenstrahl
durchgeführt. Dieser vorläufige Schritt umfaßt eine kurze Abtastung, doch kön
nen einige der Ionen in die Oberfläche der Polspitze implantiert werden und es
tritt eine gewisse Abtragung der Spitze während dieses Schrittes und auch bei
dem eigentlichen Bearbeitungsvorgang ein. Daher wird der Zeitraum für die Ab
bildung und Positionierung sehr kurz gehalten, um diese Beschädigungen mög
lichst klein zu halten.
Sobald die Spitzen genau abgebildet und positioniert sind, trägt der fokussierte
Ionenstrahl die Kanten der Polspitzen ab, um die gewünschte genaue Breite zu
definieren. Während dieses mit Hilfe des fokussierten Ionenstrahls erfolgenden
Abtragungsvorganges werden einige Gallium-Ionen eingebettet, d. h. in die
Endoberflächen der Polspitze implantiert, so daß ein abschließender Feinschleif
vorgang erforderlich ist um diese implantierten Ionen zu entfernen und die ge
wünschten magnetischen Eigenschaften des Nickel/Eisen-Polspitzenmaterials
wieder herzustellen. Dieses Verfahren ist genauer in der US-Patentanmeldung
mit dem internen Aktenzeichen Q96-1046-US1 beschrieben, deren Inhalt durch
Bezugnahme vollständig in die vorliegende Anmeldung mit aufgenommen wird.
Auch tritt sowohl während des Abbildungs- als auch des Bearbeitungsvorganges
mit Hilfe des fokussierten Ionenstrahls ein Aufbau von elektrischer Ladung auf
der Kopfoberfläche auf, da es sich bei dem fokussierten Strahl um einen Strahl
aus positiven Ionen handelt. Daher wird ein breiter Spülstrahl bzw. ein breites
Spülbündel von Elektronen während des Ätzprozesses mit Hilfe des fokussierten
Ionenbündels über die Staboberfläche geführt, um diese elektrische Ladung zu
neutralisieren. Tatsächlich wird aber die Ladung durch dieses Elektronen-Spül
bündel nicht vollständig und kontinuierlich neutralisiert. Tatsächlich bauen sich
während der Verwendung des fokussierten Ionenstrahls Oberflächenladungen
auf, die sich dann mehr und mehr verteilen.
Manchmal findet ein beträchtlicher Ladungsaufbau statt, der einen Bogen er
zeugt, wenn sich die Ladung entlädt. Diese Bögen sind elektrostatische Entla
dungen und können die empfindlichen magnetoresistiven Elemente beschädigen.
Daher besteht ein Bedarf für ein Verfahren, das die Effekte dieser elektrostati
schen Entladungen beseitigt, um die Ausbeute an guten magnetoresistiven
Köpfen von den Stäben zu erhöhen.
Die mit dem fokussierten Ionenstrahl behandelten Stäbe werden in einzelne
Gleitstücke zerschnitten und es werden an jedem Gleitstück nach dem mit dem
fokussierten Ionenstrahl erfolgten Abtragungs- oder Ätzprozeß Widerstandsprü
fungen durchgeführt. Jeder Kopf, der die Widerstandsprüfungen besteht, wird
abschließend feingeschliffen, um die gewünschte Endeigenschaften zu erzielen.
Die oben erwähnten, durch Beschädigungen aufgrund von elektrostatischen
Entladungen auftretenden Ausfallraten waren bei der Herstellung von anisotro
pen magnetoresistiven Köpfen annehmbar niedrig, doch beeinflussen sie in er
heblichem Maße die Kosten des Endproduktes. Darüberhinaus sind die durch
elektrostatische Entladungen auftretenden Beschädigungen bei der Herstellung
von sehr großen magnetoresistiven (Giant Magnetoresistive) Köpfen in prohibiti
ver Weise umfangreich. Daher besteht ein Bedarf für eine Vorgehensweise, wel
che die auf elektrostatischen Entladungen beruhenden Ausfälle bei der Herstel
lung sowohl von anisotropen magnetoresistiven als auch bei sehr großen ma
gnetoresistiven Köpfen beseitigt.
Hauptziel der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines magnetoresi
stiven Lese/Schreibkopfes zu schaffen, das Beschädigungen aufgrund von elek
trostatischen Entladungen vermeidet.
Ein weiteres Ziel der Erfindung ist es, eine merkliche Implantation von uner
wünschten energiereichen Ionen im Kopfmaterial während der Bearbeitung der
Schreibkopfpole mit Hilfe eines fokussierten Ionenstrahls zu verhindern.
Ein weiteres Ziel der Erfindung ist es, durch elektrostatische Entladungen entste
hende Beschädigungen während des Herstellungsverfahrens von magnetore
sistiven Köpfen dadurch zu verhindern, daß eine leitfähige Beschichtung auf dem
Kopf während des mit Hilfe eines fokussierten Ionenstrahls erfolgenden Ätzens
vorgesehen wird.
Ein Verfahren zur Herstellung eines Lese/Schreib-Kopfes gemäß der vorliegen
den Erfindung umfaßt zunächst die folgende Reihe von herkömmlichen photoli
thographischen Bearbeitungsschritten am Waver und den Gleitstück-Stäben:
- - Abscheiden einer ersten Schicht aus ferromagnetischem Material auf der oberen Oberfläche des Substrates,
- - Dimensionieren der ersten Schicht mit Hilfe eines photolithographischen Verfahrens zur Ausbildung eines ersten Pols,
- - Abscheiden einer isolierenden Schicht,
- - photolithographisches Abscheiden eines magnetoresistiven Elementes,
- - Abscheiden einer weiteren isolierenden Schicht,
- - Abscheiden einer weiteren Schicht aus ferromagnetischem Material und Di mensionieren der Schicht mit Hilfe eines photolithographischen Verfahrens zur Ausbildung eines gemeinsamen Polelementes,
- - Abscheiden von alternierenden Spulen- und Isolationsschichten, bis die Spule vollständig ist, elektrisches Umwickeln um den gemeinsamen Pol oder Schirm herum,
- - Abscheiden und Dimensionieren einer weiteren Schicht aus ferromagneti schem Material als oberes Polelement zur Vervollständigung des Aufbaus des magnetoresistiven Kopfes auf der Substratoberfläche.
Der derart ausgebildete Kopf besitzt eine um den gemeinsamen Schirm herum
gewickelte Spule, wobei der gemeinsame Schirm und der erste Pol einen ma
gnetischen Kreis bilden, um das magnetoresistive Element abzuschirmen, und
der gemeinsame Schirm und der obere Pol einen magnetischen Kreis für Schrei
boperationen bilden. Der Waver mit der auf ihm befindlichen Anordnung von
Köpfen wird dann in Streifen oder Stäbe zerschnitten, von denen jeder eine Rei
he von Köpfen auf einer Oberfläche besitzt, wobei alle Polspitzen zur ge
schnittenen orthogonalen Oberfläche des Stabes hinweisen. Die geschnittene
Oberfläche wird dann geformt und feingeschliffen, so daß sie die Luftlagerober
fläche für die Gleitstückblöcke wird, die sehr spezielle Oberflächeneigenschaften
besitzt.
Als nächstes wird ein leitfähiger Film, vorzugsweise ein Film aus einem organi
schen Material, wie z. B. eine Kohlenstoffschicht oder ein Silicium/Kohlenstoff-
Multilayer-Film auf dem Kopf abgeschieden, wobei sich dieser Film auf die Gleit
stück-Staboberfläche erstreckt. Dieser leitfähige organische Film liefert einen
elektrischen Ableitpfad, der vom Kopf weg zum Stabsubstrat führt, um elek
trostatische Ladungen abzuführen, die sich ansonsten während einiger nachfol
gender Schritte beim Herstellungsprozeß aufbauen könnten.
Der geformte Stab von Köpfen wird als nächstes in einem Präzisions-Index-Hal
ter positioniert. Ein breiter Elektronen-Spülstrahl wird über die Kopfoberfläche
geführt und ein fokussierter Ionenstrahl mit positiven Ionen, typischerweise Galli
um, wird kurz auf einen der Köpfe gerichtet, um die Schreib-Polspitze abzubilden
und genau zu lokalisieren. Sobald eine genaue Indexierung erfolgt ist, gräbt der
fokussierte Ionenstrahl auf jeder Seite des oberen, d. h. des Scheib-Pols, eine
Kerbe aus, um die Spitze des oberen Pols genau zu dimensionieren. Der fokus
sierte Ionenstrahl kann auch verwendet werden, um eine Stufe in dem gemein
samen Pol oder Schirm auszugraben, um eine erhabene Polspitze auszubilden,
die der Spitze des oberen Pols gegenüberliegt und mit dieser ausgerichtet ist, um
so die Breite der Schreibspur weiter zu vermindern und genau zu definieren, die
danach von diesem Kopf beschrieben werden kann.
Der leitfähige Film leitet jeglichen Ladungsaufbau auf der Oberfläche des Kopfes
ab und absorbiert auch aufgeladene Ionen des Ionenstrahls, wodurch die Anzahl
und die Energie der im Kopf implantierten Ionen minimiert werden. Sobald der
mit Hilfe des fokussierten Ionenstrahls durchgeführte abtragende Bearbeitungs
schritt beendet ist, wird der fokussierte Ionenstrahl zum nächsten Kopf auf dem
Stab weiterbewegt und das Verfahren wird wiederholt, um die Polspitzen einzu
kerben. Nachdem alle Köpfe auf dem Stab mit Hilfe des fokussierten Ionenstrahls
bearbeitet worden sind, wird der Stab aus dem Halter herausgenommen und ei
nem Plasma-Veraschungsprozeß unterworfen, d. h. er wird in ein Sauerstoff
plasma gebracht. Der Kohlenstoff bildet flüchtige COx-Verbindungen, die unter
Vakuum abgepumpt werden.
Der Stab wird dann in einzelne Gleitstücke zerschnitten und die Luftlageroberflä
che wird vorzugsweise einem abschließenden Feinschliff-Schritt unterworfen, um
alle unerwünschten Ionenimplantate in der Polspitze zu beseitigen, die anson
sten die magnetischen Eigenschaften der Polspitze in nachteiliger Weise beein
flussen könnten. Dieser Schritt ist nicht unbedingt erforderlich. Die Verwendung
des leitfähigen Films verhindert jegliche aufgrund von elektrostatischen Entla
dungen auftretende Beschädigung der Köpfe während der mit Hilfe des fokus
sierten Ionenstrahls erfolgenden Bearbeitungsschritte und vermindert die Anzahl
von unerwünschten Ionenimplantationen.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines Ausführungsbeispiels unter Be
zugnahme auf die Zeichnung beschrieben; in dieser zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Seitenansicht eines Teils eines Gleitstücksta
bes, der eine Reihe von in ihm ausgebildeten, magnetoresistiven
Köpfen aufweist, sowie die zur Gleitstückoberfläche senkrechte
Unterseite vor dem Ätzen mit einem fokussierten Ionenstrahl zum
Verengen der Polspitzen gemäß der vorliegenden Erfindung,
Fig. 2 eine teilweise Bodenansicht des Stabes aus Fig. 1 nach dem Ab
scheiden einer transparenten leitfähigen Schicht auf der Bo
denoberfläche und über die Kopfspitzen gemäß der Erfindung, und
Fig. 3 eine vergrößerte Darstellung der Kopfspitzen aus Fig. 2 nach der
mit einem fokussierten Ionenstrahl erfolgenden, abtragenden Be
arbeitung und Entfernen der leitfähigen Schicht mit Hilfe von
Plasmaveraschung gemäß der Erfindung.
Eine Stange 10 aus einem Gleitstück-Blockmaterial, die eine Vielzahl von teil
weise ausgebildeten magnetoresistiven Köpfen 12 trägt, die photolithographisch
auf ihrer oberen Oberfläche 14 abgeschieden sind, ist perspektivisch in Fig. 1
wiedergegeben, während eine Ansicht ihrer unteren bzw. Luftlager-Oberfläche in
Fig. 2 gezeigt ist. Die Köpfe 12 sind in einer Abdeckschicht 15 aus einem dielek
trischen Material wie z. B. Aluminiumoxid eingekapselt, das in Fig. 1 der Deutlich
keit halber nicht dargestellt, aber in Fig. 2 gezeigt ist. Wie man am besten der
Fig. 2 entnimmt, besitzt ein magnetoresistiver Kopf 12 einen oberen Pol 16, ei
nen Schreibspalt 18, einen gemeinsamen Pol 20, einen Lesespalt 22, ein ma
gnetoresistives Element 24, das im Lesespalt 22 angeordnet ist, und einen un
teren Pol 26.
In den Darstellungen der Fig. 1 und 2 ist der Stab 10 noch nicht in einzelne Gleit
stücke zertrennt worden. Die untere Luftlageroberfläche 28 ist jedoch geformt
und feingeschliffen, so daß sie nahezu ihre endgültige Form besitzt. Das Ritzen
bzw. Kerben, d. h. die endgültige Formung des oberen Pols 16, des Schreibspalts
18 und des gemeinsamen Pols 20 ist noch nicht vollständig durchgeführt. Das
Verfahren zur Herstellung der Köpfe 12 erfolgt bis zu diesem Stadium in her
kömmlicher Weise.
Nunmehr wird eine leitfähige Schicht 30, wie z. B. eine Silicium-Kohlenstoff-
Mehrfach-Schicht oder eine Kohlenstoff-Film-Schicht auf der gesamten unteren
Oberfläche 28 des Stabes 10 und dem Kopf 12 abgeschieden, so daß sie die
Polspitzen 16, 20, 26 und das magnetoresistive Element 24 bedeckt. Die Schicht
30 kann sich bis zur und zumindest über einen Teil der Abdeckschicht 15 erstrec
ken, obwohl dies nicht erforderlich ist. Die Kohlenstoff-Schicht oder Silicium-
Kohlenstoff-Mehrfach-Schicht 30 ist für Licht und auch einen Strahl von Gallium-
Ionen transparent. In Vorbereitung des nächsten Herstellungsschrittes wird diese
Schicht 30 vorzugsweise elektrisch geerdet.
Als nächstes wird ein Elektronen-Spülstrahl auf die Oberfläche der Schicht 30
gerichtet und ein fokussierter Gallium-Ionen-Strahl, der senkrecht zur Ebene der
unteren Luftlageroberfläche 28 gerichtet ist, wird verwendet, um die linke und
rechte Ecke des oberen Pols 16 genau zu positionieren, die sich am nächsten
am Schreibspalt 18 befinden. Während dieses Schrittes werden Gallium-Ionen,
die in der Aufprall-Oberfläche implantiert werde, in der Oberfläche der leitfähigen
Siliciumcarbid-Schicht und nicht im Kopf 12 implantiert. Zusätzlich leitet die
Kohlenstoff-Schicht 30 ohne weiteres Elektronen der breiten Elektronenstrahl-Spü
lung vom Körper der Gleitstück-Stange 10 zu implantierten Gallium-Ionen und
neutralisiert auf diese Weise jeglichen Ladungsaufbau, bevor dieser eine Größe
erreichen kann, die zu beschädigenden elektrostatischen Entladungen führt.
Als nächstes wird ein Ätz- oder Abtrag-Vorgang mit Hilfe eines fokussierten Io
nenstrahls durchgeführt, um die Breite der Schreib-Polspitze 16 zu verringern
und genau zu definieren und gewünschtenfalls eine erhabene Polspitze auf dem
gemeinsamen Pol 20 auszubilden. Gallium-Ionen, die implantiert werden und das
empfindliche magnetoresistive Element 24 beschädigen könnten, werden wäh
rend der Ätzung mit dem fokussierten Ionenstrahl nicht in dem magnetoresistiven
Element selbst sondern in der leitenden Abdeckung 30 implantiert. Weiterhin wird
abgetragenes Spitzenmaterial von der Polspitze 16, das ansonsten in dem isolie
renden Material des Schreibspalts 18 oder im magnetoresistiven Element 24 im
plantiert würde, statt dessen in der leitfähigen Abdeckung 30 implantiert.
Der mit Hilfe eines fokussierten Ionenstrahls durchgeführte Abtragungsschritt er
zeugt einen geschlossenen Trog mit quadratischem Boden bzw. blinden Schlitz
31 in den angegebenen Ecken des oberen Pols 16, um eine verengte Polspitze
32 des oberen Pols 16 in der unteren Oberfläche des Stabes 10 zu definieren.
Wie in Fig. 3 gezeigt, hat der obere Pol 16 schließlich eine Kerbe auf jeder Seite,
die die Breite der Polspitze 32 vermindert. Zusätzlich wird der gemeinsame
Schirm 20 vorzugsweise in abtragender Weise bearbeitet, um eine erhabene
Spitze 34 am anderen Ende des Schlitzes 31 auszubilden, die der durch die Ker
ben verhängten bzw. schmaler gemachten Polspitze 32 gegenüberliegt und mit
dieser ausgerichtet ist.
Nach dem abtragenden Bearbeitungsschritt mit Hilfe eines fokussierten Ionen
strahls wird der Stab 10 einem Sauerstoff-Plasma-Veraschungs-Spülprozeß un
terworfen, um auf chemischem Wege die leitfähige Schicht 30 zu entfernen. Die
flüchtigen COx-Verbindungen, die bei dem Veraschungs-Spülprozeß gebildet
werden, werden unter Vakuum vom Stab 10 abgepumpt. Die sich ergebende fer
tiggestellte Kopfform ist in Fig. 3 dargestellt.
Als nächstes werden Widerstandsüberprüfungen vorgenommen und dann wird
der Stab 10 längs der gestrichelten Linien in Fig. 1 in einzelne Gleitstücke unter
teilt, wobei sich ein Kopf 12 auf jedem Gleitstück befindet. Schließlich werden die
Seiten der Gleitstücke feingeschliffen bzw. geläppt und die untere Luftlagerober
fläche 28 wird einem abschließendem Läpp- und Polierschritt unterzogen, der die
Abscheidung eines Kohlenstoffüberzuges umfassen kann, um die Reibung zwi
schen der (nicht dargestellt) Scheibe und der Luftlageroberfläche 28 zu minimie
ren. Gegenwärtig ist daran gedacht, die beiden blinden Schlitze 31, die die erha
bene gemeinsame Polspitze 34 und die schmaler gemachte Schreib-Polspitze 32
begrenzen, mit keinem Material zu füllen. Doch können diese Schlitze auch mit
einem dielektrischen Füllmaterial gefüllt werden, um die Flugeigenschaften der
Köpfe im Betrieb zu verbessern.
Die vorliegende Erfindung kann auch auf andere Weise realisiert werden, als
dies oben speziell beschrieben wurde. Viele Änderungen, Alternativen, Abwand
lungen und Äquivalente zu den verschiedenen dargestellten und beschriebenen
Strukturen ergeben sich für den Fachmann. Beispielsweise kann die leitende
Filmschicht 30 aus einem anderen Material als Kohlenstoff oder einer Silicium-
Kohlenstoff-Multischicht bestehen. Sie kann von irgend einem leitenden Film
material gebildet werden, das vorzugsweise organisch ist, so daß es auf einfache
Weise mit Hilfe des Plasma-Veraschungs-Verfahrens entfernt werden kann, so
lange dieses Material im wesentlichen für den fokussierten Ionenstrahl transpa
rent ist, der verwendet wird, um die Polspitzen abtragend zu bearbeiten. Der ge
mäß der vorliegenden Erfindung aufgebrachte leitfähige Film kann auch bei je
dem anderen Verfahren verwendet werden, bei dem ein Verfahrensschritt mit
Hilfe eines fokussierten Ionenstrahls durchgeführt wird, um eine Beschädigung
durch elektrostatische Entladung zu vermeiden. Demgemäß soll die vorliegende
Erfindung nicht auf die dargestellten speziellen Ausführungsformen beschränkt
sein, sondern alle Alternativen, Modifikationen und Äquivalente umfassen, die im
weitesten Rahmen des Erfindungsgedanken liegen, wie er durch die folgenden
Ansprüche definiert wird. Der Inhalt aller Patentschriften, Patentanmeldungen
und gedruckten Veröffentlichungen, auf die oben bezug genommen wurde, wird
durch diese Bezugnahme vollständig in den vorliegenden Offenbarungsgehalt mit
aufgenommen.
Claims (14)
1. Verfahren zum Verhindern einer Beschädigung durch elektrostatische
Entladungen bei einem Herstellungsprozeß, bei dem ein abtragender Be
arbeitungsschritt unter Verwendung eines fokussierten Ionenstrahls statt
findet, dadurch gekennzeichnet, daß bei diesem Verfahren vor dem
Schritt der abtragenden Bearbeitung mit dem Ionenstrahl auf die Oberflä
che, die mit dem Ionenstrahl abtragend bearbeitet werden soll, eine Be
schichtung aus einem leitfähigen Film aufgebracht wird, wobei sich diese
Beschichtung bis zu einer geerdeten Substratoberfläche erstreckt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Oberfläche, die mit Hilfe des Io
nenstrahls abtragend bearbeitet werden soll, ein Polelement eines ma
gnetoresistiven Lese/Schreibkopfes ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die leitfähige Filmbeschichtung ein
Kohlenstoffilm oder ein Silicium/Kohlenstoff-Multilayer-Film ist.
4. Verfahren nach Anspruch 2, das weiterhin die Schritte umfaßt, daß das
Polelement mit Hilfe eines Ionenstrahls abtragend bearbeitet wird und die
beschichtete Oberfläche in ein Sauerstoffplasma eingetaucht wird, um
den leitfähigen Film zu entfernen.
5. Verfahren zur Herstellung eines magnetoresistiven Lese/Schreib-Kopfes,
das folgende Schritte umfaßt:
- - photolithographische Abscheidung des Kopfes auf einer Gleitstück- Blockoberfläche,
- - Aufbringen eines leitfähigen Films auf den Kopf und die Blockoberflä che,
- - abtragendes Bearbeiten zumindest eines Teils des Kopfes mit einem fokussierten Ionenstrahl,
- - Einbringen des abtragend bearbeiteten Gleitstück-Blockes in ein Plasma zum chemischen Entfernen des leitfähigen Films,
- - Entfernen des Gleitstück-Blocks aus dem Plasma, und
- - Feinschleifen des Gleitstück-Blocks, um auf ihm eine Luftlagerober fläche auszubilden.
6. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem der Film Siliciumcarbid ist.
7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem das Plasma ein Sauerstoffplasma
ist.
8. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem der Schritt des Aufbringens weiterhin
den Schritt umfaßt, daß der leitfähige Film geerdet wird.
9. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem der Schritt des abtragenden Bear
beitens weiterhin den Schritt umfaßt, daß ein weiter Elektronenstrahl an
die Oberfläche angelegt wird, während der fokussierte Ionenstrahl den
besagten Teil des Kopfes abtragend bearbeitet.
10. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem der Teil des Kopfes eine Schreib-
Polspitze ist.
11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die Schreib-Polspitze mit Hilfe
des fokussierten Ionenstrahls durch das Anbringen von Kerben bzw.
Schlitzen bearbeitet wird.
12. Magnetoresistiver Schreib/Lese-Kopf, der durch das Verfahren nach An
spruch 5 hergestellt ist.
13. Magnetoresistiver Lese/Schreib-Kopf zur Verwendung in einer Festplat
ten-Datenspeicher-Einheit, bei der der Kopf durch folgende Schritte
ausgebildet wird:
- - photolithographisches Abscheiden des Kopfes auf einer Oberfläche eines Gleitstück-Blocks,
- - Aufbringen eines leitfähigen Films aus Kohlenstoff oder Silici um/Kohlenstoff auf den Kopf und die Blockoberfläche,
- - abtragendes Bearbeiten zumindest eines Teils des Kopfes mit ei nem fokussierten Ionenstrahl,
- - Einbringen des abtragend bearbeiteten Gleitstück-Blocks in ein Sauerstoffplasma, um auf chemischem Weg den leitfähigen Film zu entfernen, und
- - Herausnehmen des Gleitstück-Blocks aus dem Plasma.
14. Magnetoresistiver Lese/Schreib-Kopf nach Anspruch 13, bei dem der
bearbeitete Teil des Kopfes zumindest eine Schreibspitze des Kopfes
ist.
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