DE19840239A1 - Leistungshalbleiter-Bauelement mit einer Anordnung zum Schutz vor Schäden durch elektrostatische Entladungen - Google Patents
Leistungshalbleiter-Bauelement mit einer Anordnung zum Schutz vor Schäden durch elektrostatische EntladungenInfo
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 62
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 230000008018 melting Effects 0.000 title claims abstract description 25
- 238000002844 melting Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 230000006378 damage Effects 0.000 title claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000000637 aluminium metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
In einem Leistungshalbleiter-Bauelement wird eine Anordnung zum Schutz vor Schäden durch elektrostatische Entladungen vorgeschlagen. Das Bauelement weist zwei dotierte Halbleiterbereiche auf, die einen pn-Übergang bilden. Zur Kontaktierung wenigstens eines der Halbleiterbereiche wird eine Metallisierung verwendet, die durch ein Kontaktmetall mit hohem Schmelzpunkt gebildet wird.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Leistungshalbleiter-
Bauelement mit einer Anordnung zum Schutz vor Schäden durch
elektrostatische Entladungen, insbesondere vor solchen Entla
dungen, die durch Höhenstrahlung in den Bauelementen hervor
gerufen werden.
Es ist bereits aus dem Stand der Technik bekannt, daß bei
Leistungshalbleiter-Bauelementen, die einen pn-Übergang auf
weisen, die Gefahr einer Beschädigung durch elektrostatische
Entladungen besteht. So offenbart beispielsweise
US 4,692,781, daß es durch elektrostatische Entladungen in
einem MOSFET zu einer großen Wärmeentwicklung und damit zu
einer Aufschmelzung der Metallisierung kommen kann.
Eine solche elektrostatische Entladung kann insbesondere aus
gelöst werden durch Höhenstrahlung, die mit dem Leistungs
halbleiter-Bauelement in Wechselwirkung tritt. Dabei erzeugt
das Höhenstrahlungsteilchen freie Ladungsträger im Halblei
ter, die im elektrischen Feld des pn-Übergangs beschleunigt
werden und eine Ladungsträgermultiplikation auslösen. Die
Stärke dieser Multiplikation ist abhängig von der angelegten
Spannung. Somit sind gerade Leistungshalbleiter-Bauelemente
besonders sensibel gegenüber Schäden durch elektrostatische
Entladungen. Die durch die Ladungsträgermultiplikation er
folgte Ladungsträgerlawine führt zu einem starken Stromfluß
und somit zu einer lokalen Erwärmung des Halbleiters. Dabei
kann die Schmelztemperatur an der Grenzfläche Metallisierung-
Halbleiter für die bei Leistungshalbleitern übliche Alumini
ummetallisierung überschritten werden. Folge ist ein Auf
schmelzen der Aluminiummetallisierung und ein Durchlegieren
des Aluminiums bis zum pn-Übergang. Die Sperrfähigkeit des
pn-Übergangs wird dadurch drastisch reduziert.
Als Lösung der vorgenannten Probleme offenbart US 4,692,781
lediglich, daß zwischen der Metallisierung und dem pn-
Übergang des Leistungshalbleiter-Bauelements ein relativ gro
ßer Abstand eingehalten werden soll. Dies ist jedoch nachtei
lig angesichts einer ständig fortschreitenden Verkleinerung
der Strukturen solcher Bauelemente. In US 5,406,513 wird da
gegen eine Möglichkeit vorgeschlagen, eine elektrostatische
Entladung, die durch Höhenstrahlung ausgelöst ist, einzudäm
men, indem eine ringförmige Zusatzdotierung um das Bauelement
herum im Halbleiterkörper vorgesehen und geerdet wird. Dieses
Dokument offenbart jedoch keine Möglichkeit, ein Aufschmelzen
der Metallisierung, ausgelöst durch eine solche elektrostati
sche Entladung, effektiv zu verhindern.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Auf
schmelzen der Metallisierung von Leistungshalbleiter-
Bauelementen, ausgelöst durch elektrostatische Entladungen,
zu verhindern.
Diese Aufgabe wird in folgender weise gelöst: Bei einem Lei
stungshalbleiter-Bauelement mit mindestens einem ersten Halb
leiterbereich und einem zweiten Halbleiterbereich, wobei der
zweite Halbleiterbereich eine Grenzfläche zum ersten Halblei
terbereich aufweist, die einen pn-Übergang bildet, wird für
die Metallisierung zur ohmschen Kontaktierung wenigstens ei
nes der Halbleiterbereiche durch ein Kontaktmetall mit hohem
Schmelzpunkt vorgesehen.
Bislang ist gerade auf dem Gebiet der Leistungshalbleiter-
Bauelemente lediglich bekannt, für die Metallisierung des
Bauelementes Schichten aus Aluminium zu verwenden. Dies liegt
darin begründet, daß der Fachmann auf diesem Gebiet eine mög
lichst kostengünstige Produktion der Bauelemente erzielen
soll. Wie auch die Offenbarung der US 4,692,781 zeigt, wurde
bislang zwar der Versuch unternommen, die vorgenannten Pro
bleme durch eine andere Anordnungsgebung zu vermeiden, jedoch
nicht, die Art der Metallisierung selbst zu ändern. Die an
spruchsgemäße Anordnung offenbart somit in erfinderischer
Weise ein Leistungshalbleiter-Bauelement, das eine besonders
hohe Sicherheit gegen Zerstörung durch elektrostatische Ent
ladungen aufweist.
Es kann dabei vorgesehen sein, daß die Metallisierung durch
eine einzige Metallschicht, nämlich das Kontaktmetall, gebil
det wird. Andererseits kann die Metallisierung auch durch
mehrere Metallschichten gebildet werden, d. h. es kann auf dem
Kontaktmetall noch mindestens eine weitere Metallschicht vor
gesehen sein. Das Kontaktmetall ist dabei direkt auf dem
Halbleiterbereich angeordnet, der zu kontaktieren ist. Es
kann dabei vorgesehen sein, daß das Kontaktmetall mit hohem
Schmelzpunkt nur gewisse kritische Bereiche des Halbleiterbe
reiches bedeckt, insbesondere die Bereiche in der unmittelba
ren Nähe des pn-Übergangs. Auf den übrigen Bereichen kann ei
ne andere, übliche Metallisierung vorgesehen sein wie z. B.
Aluminium. Es kann aber auch eine Bedeckung der gesamten Flä
che des Halbleiterbereiches, die zu kontaktieren ist, durch
das Kontaktmetall mit hohem Schmelzpunkt vorgesehen werden.
Das Kontaktmetall weist dabei bevorzugt einen geringen ohm
schen Widerstand zu den Halbleiterbereichen auf, auf denen es
angebracht ist, sowie auch zu den angrenzenden weiteren Me
tallschichten, sofern diese vorgesehen sind.
Sofern über dem Kontaktmetall noch eine oder mehrere weitere
Metallschichten vorgesehen sind, so bestehen diese Schichten
bevorzugt aus einem oder mehreren Metallen, die einen gerin
geren Schmelzpunkt als das Kontaktmetall besitzen. Dabei kön
nen speziell Metalle gewählt werden, die durch übliche Tech
nologieverfahren einfach zu bearbeiten und zu strukturieren
sind. Hier ist insbesondere Aluminium als bevorzugtes Materi
al zu erwähnen. Gerade für den Fall der Kombination eines
Kontaktmetalls mit hohem Schmelzpunkt mit einem weiteren Me
tall mit niedrigem Schmelzpunkt oder zumindest mit einer gu
ten Strukturierbarkeit erhält man die Möglichkeit eines opti
malen Schutzes gegen elektrostatische Entladungen durch das
Kontaktmetall, verbunden mit der Möglichkeit einer leichten
Strukturierung der über dem Kontaktmetall angeordneten weite
ren Metallschichten.
Bei der Wahl des Aufbringungsverfahrens sowie der Schichtdic
ke für das Kontaktmetall ist darauf zu achten, daß eine aus
reichende Kontaktierung der Halbleiterbereiche gewährleistet
ist. Sind über der Kontaktmetallschicht noch weitere Metall
schichten vorgesehen, so muß die Anordnung und Schichtdicke
der Kontaktmetallschicht so gewählt werden, daß ein Auf
schmelzen und Durchlegieren der weiteren Metallschichten ef
fektiv verhindert werden kann.
Das Kontaktmetall weist bevorzugt eine Schichtdicke zwischen
100 nm und 3 µm auf, wobei die Aufbringung des Kontaktmetalls
beispielsweise durch Aufdampfen oder Sputtern erfolgen kann.
Als Kontaktmetall kann prinzipiell jedes Metall mit hohem
Schmelzpunkt Verwendung finden. So können beispielsweise Ti,
V, Nb, Ta, Mo oder W verwendet werden. Bevorzugt wird das
Kontaktmetall durch Ti oder W gebildet. Diese beiden Materia
lien bieten den Vorteil, daß es sich dabei um Materialien
handelt, die in der Halbleitertechnologie allgemein üblich
sind, so daß deren Aufbringung und Verarbeitung durch übliche
Verfahren erfolgen kann.
Die vorliegende Erfindung kann bei allen Leistungshalbleiter-
Bauelementen Anwendung finden, die einen pn-Übergang aufwei
sen. Sie kann somit bei Dioden oder Transistoren, insbesonde
re bei Insulated Gate Bipolar-Transistoren oder MOSFETs Ver
wendung finden. Das Kontaktmetall mit hohem Schmelzpunkt kann
dabei für jegliche Metallisierung verwendet werden, die sich
in der Nähe des pn-Übergangs befindet. Insbesondere kann das
Kontaktmetall bei den genannten Insolated Gate Bipolar-
Transistoren über dem Sourcegebiet und/oder dem Anodengebiet
des Bauelements angeordnet werden, bei MOSFETS über dem
Sourcegebiet und/oder dem Draingebiet und bei Dioden über der
Anode und/oder der Kathode.
Eine spezielle Ausführungsform der Erfindung wird anhand der
nachfolgenden Beschreibung sowie der Fig. 1 und 2 ausge
führt.
Es zeigen:
Fig. 1 schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen
Di- oder
Fig. 2 schematische Darstellung eines erfindungsgemäßen In
sulated Gate Bipolar-Transistors.
Die Diode in Fig. 1 weist einen ersten Halbleiterbereich 1
auf, der eine Dotierung vom Typ N besitzt. Im vorliegenden
Beispiels ist der erste Halbleiterbereich 1 unterteilt in ein
Gebiet geringerer N-Dotierung (N⁻) und ein zweites Gebiet hö
herer N-Dotierung (N⁺) . Weiterhin weist die Diode einen zwei
ten Halbleiterbereich 2 auf, der eine Dotierung vom Typ P be
sitzt. Zwischen den beiden Halbleiterbereichen 1, 2 befindet
sich eine Grenzfläche die einen pn-Übergang darstellt.
Zur Kontaktierung der Halbleiterbereiche 1, 2 ist eine Metal
lisierung 3 auf jedem der Halbleiterbereiche 1, 2 vorgesehen.
Dabei kann jede der Metallisierungen 3 durch ein Kontaktme
tall 4 mit hohem Schmelzpunkt gebildet werden, insbesondere
durch Ti oder W. Es kann nun jedoch relevant sein, wie ausge
dehnt die Halbleiterbereiche 1, 2 ausgebildet sind, d. h. vor
allem, in welcher Entfernung vom pn-Übergang sich eine Metal
lisierung zur Kontaktierung des jeweiligen Halbleiterberei
ches befindet. Bevorzugt wird dabei nur diejenige Metallisie
rung 3 durch ein Kontaktmetall 4 mit hohem Schmelzpunkt ge
bildet, die relativ nahe am pn-Übergang der beiden Halblei
terbereiche 1, 2 angeordnet ist.
So wird im vorliegenden Beispiel nach Fig. 1 lediglich der
zweite Halbleiterbereich 2 durch eine Metallisierungsschicht
4 mit hohem Schmelzpunkt, bevorzugt aus Ti oder W, kontak
tiert, da der zweite Halbleiterbereich 2 wesentlich dünner
vorgesehen ist als der erste Halbleiterbereich 1. Auf dem
Kontaktmetall 4 wird eine weitere Metallschicht 7, bevorzugt
aus Aluminium, vorgesehen. Wird der erste Halbleiterbereich 1
ausreichend dick gewählt, so daß dessen Kontaktierung in aus
reichender Entfernung vom pn-Übergang angeordnet ist, so kann
hier zur Kontaktierung direkt eine Metallschicht 7 aus Alumi
nium verwendet werden.
Als weitere spezielle Ausführungsform einer erfindungsgemäßen
Anordnung ist in Fig. 2 ein Insulated Gate Bipolar-
Transistor dargestellt. Die Metallisierung 3 dient hierbei
zur Kontaktierung der Sourcegebiete 5 sowie der Bodygebiete
6, in die die Sourcegebiete 5 eingebettet sind. Im vorliegen
den Beispiel weisen die Sourcegebiete 5 eine Dotierung vom
Typ N auf, die Bodygebiete 6 eine Dotierung vom Typ P. Die
Grenzfläche zwischen Sourcegebiet 5 und Bodygebiet 6 bildet
somit einen pn-Übergang.
Als Metallisierung 3 kann wiederum eine Mehrschichtstruktur
vorgesehen werden, die aus einer ersten Metallschicht 4 eines
Kontaktmetalls mit hohem Schmelzpunkt, insbesondere Ti oder W
sowie einer weiteren Metallschicht 7 mit geringerem Schmelz
punkt, insbesondere aus Aluminium gebildet wird. Die Aufbrin
gung der Metallschichten 4, 7 kann durch übliche Technologie
verfahren erfolgen. Bevorzugt werden die Schichten durch Auf
dampfen oder Sputtern erzeugt. Die Dicke der Kontaktmetall
schicht 4 ist so zu wählen, das ein Aufschmelzen und Durchle
gieren einer darüber angeordneten Schicht 7 mit niedrigerem
Schmelzpunkt erfolgreich verhindert werden kann. Bevorzugt
wird dafür eine Schichtdicke zwischen 100 nm und 3 µm ge
wählt.
Es kann gerade hier vorgesehen sein, daß das Kontaktmetall
nur einen gewissen Bereich der Sourcegebiete 5 und eventuell
auch der Bodygebiete 6 bedeckt, speziell derjenigen Bereiche,
die relativ nahe am pn-Übergang zwischen Sourcegebiet 5 und
Bodygebiet 6 angesiedelt sind, speziell in denjenigen Berei
chen, in denen der pn-Übergang direkt an der zu kontaktieren
den Oberfläche liegt.
Claims (10)
1. Leistungshalbleiter-Bauelement mit einer Anordnung zum
Schutz vor Schäden durch elektrostatische Entladungen, das
folgendes aufweist:
- - Einen ersten Halbleiterbereich (1), der eine Dotierung er sten Leitfähigkeitstyps aufweist,
- - einen zweiten Halbleiterbereich (2), der eine Dotierung zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, die komplementär zum Do tierungstyp des ersten Halbleiterbereichs (1) ist, wobei der zweite Halbleiterbereich (2) eine Grenzfläche zum ersten Halbleiterbereich (1) aufweist, die einen pn-Übergang bildet,
- - eine Metallisierung (3) zur ohmschen Kontaktierung wenig stens eines der Halbleiterbereiche (1, 2), dadurch gekennzeichnet, daß als Metallisierung (3) ein Kontaktmetall (4) mit hohem Schmelzpunkt vorgesehen ist.
2. Leistungshalbleiter-Bauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß auf dem Kontaktmetall (4) mindestens eine weitere Metall
schicht (7) vorgesehen ist.
3. Leistungshalbleiter-Bauelement nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Kontaktmetall (4) einen geringen ohmschen Widerstand
zu den darunter befindlichen Halbleiterbereichen (1, 2) sowie
zu der angrenzenden mindestens einen weiteren Metallschicht
(7) aufweist.
4. Leistungshalbleiter-Bauelement nach Anspruch 2 oder 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die mindestens eine weitere Metallschicht (7) einen ge
ringen Schmelzpunkt als das Kontaktmetall (4) aufweist.
5. Leistungshalbleiter-Bauelement nach einem der Ansprüche 1
bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Kontaktmetall (4) eine Schichtdicke zwischen 100 nm
und 3 µm aufweist.
6. Leistungshalbleiter-Bauelement nach einem der Ansprüche 1
bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Kontaktmetall (4) aus Ti, V, Nb, Ta, Mo oder W be
steht.
7. Leistungshalbleiter-Bauelement nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Kontaktmetall (4) aus Ti oder W besteht.
8. Leistungshalbleiter-Bauelement nach einem der Ansprüche 1
bis 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Leistungshalbleiter-Bauelement als Insulated Gate Bi
polar-Transistor ausgebildet ist, wobei das Kontaktmetall (4)
über dem Source- und/oder Anodengebiet des Bauelements ange
ordnet ist.
9. Leistungshalbleiter-Bauelement nach einem der Ansprüche 1
bis 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Leistungshalbleiter-Bauelement als MOSFET ausgebildet
ist, wobei das Kontaktmetall (4) über dem Source- und/oder
Draingebiet des Bauelements angeordnet ist.
10. Leistungshalbleiter-Bauelement nach einem der Ansprüche 1
bis 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Leistungshalbleiter-Bauelement als Diode ausgebildet
ist, wobei das Kontaktmetall (4) über dem Anoden- und/oder
Kathodengebiet des Bauelements angeordnet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1998140239 DE19840239A1 (de) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | Leistungshalbleiter-Bauelement mit einer Anordnung zum Schutz vor Schäden durch elektrostatische Entladungen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1998140239 DE19840239A1 (de) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | Leistungshalbleiter-Bauelement mit einer Anordnung zum Schutz vor Schäden durch elektrostatische Entladungen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19840239A1 true DE19840239A1 (de) | 2000-03-09 |
Family
ID=7879724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1998140239 Ceased DE19840239A1 (de) | 1998-09-03 | 1998-09-03 | Leistungshalbleiter-Bauelement mit einer Anordnung zum Schutz vor Schäden durch elektrostatische Entladungen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19840239A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7304349B2 (en) | 2004-03-16 | 2007-12-04 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor component with increased robustness |
US11367683B2 (en) | 2018-07-03 | 2022-06-21 | Infineon Technologies Ag | Silicon carbide device and method for forming a silicon carbide device |
US11869840B2 (en) | 2018-07-03 | 2024-01-09 | Infineon Technologies Ag | Silicon carbide device and method for forming a silicon carbide device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4692781A (en) * | 1984-06-06 | 1987-09-08 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device with electrostatic discharge protection |
DE4101274A1 (de) * | 1990-09-05 | 1992-03-19 | Samsung Electronics Co Ltd | Halbleiterbauelement hoher zuverlaessigkeit |
-
1998
- 1998-09-03 DE DE1998140239 patent/DE19840239A1/de not_active Ceased
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4692781A (en) * | 1984-06-06 | 1987-09-08 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device with electrostatic discharge protection |
US4692781B1 (en) * | 1984-06-06 | 1995-05-30 | Texas Instruments Inc | Semiconductor device with electrostatic discharge protection. |
US4692781B2 (en) * | 1984-06-06 | 1998-01-20 | Texas Instruments Inc | Semiconductor device with electrostatic discharge protection |
DE4101274A1 (de) * | 1990-09-05 | 1992-03-19 | Samsung Electronics Co Ltd | Halbleiterbauelement hoher zuverlaessigkeit |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7304349B2 (en) | 2004-03-16 | 2007-12-04 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor component with increased robustness |
US11367683B2 (en) | 2018-07-03 | 2022-06-21 | Infineon Technologies Ag | Silicon carbide device and method for forming a silicon carbide device |
US11869840B2 (en) | 2018-07-03 | 2024-01-09 | Infineon Technologies Ag | Silicon carbide device and method for forming a silicon carbide device |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |