DE19806320A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung und zum Empfang von elektromagnetischen Feldern zu Prüf- und Meßzwecken - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung und zum Empfang von elektromagnetischen Feldern zu Prüf- und MeßzweckenInfo
- Publication number
- DE19806320A1 DE19806320A1 DE19806320A DE19806320A DE19806320A1 DE 19806320 A1 DE19806320 A1 DE 19806320A1 DE 19806320 A DE19806320 A DE 19806320A DE 19806320 A DE19806320 A DE 19806320A DE 19806320 A1 DE19806320 A1 DE 19806320A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- inner conductors
- rear wall
- inner conductor
- screen
- tem
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/08—Measuring electromagnetic field characteristics
- G01R29/0807—Measuring electromagnetic field characteristics characterised by the application
- G01R29/0814—Field measurements related to measuring influence on or from apparatus, components or humans, e.g. in ESD, EMI, EMC, EMP testing, measuring radiation leakage; detecting presence of micro- or radiowave emitters; dosimetry; testing shielding; measurements related to lightning
- G01R29/0821—Field measurements related to measuring influence on or from apparatus, components or humans, e.g. in ESD, EMI, EMC, EMP testing, measuring radiation leakage; detecting presence of micro- or radiowave emitters; dosimetry; testing shielding; measurements related to lightning rooms and test sites therefor, e.g. anechoic chambers, open field sites or TEM cells
- G01R29/0828—TEM-cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren sowie
Vorrichtungen zur Erzeugung und zum Empfang von
elektromagnetischen Feldern und dient insbesondere zur
elektromagnetischen Feldab- und -einstrahlung bei
elektronischen und elektrischen Geräten und Systemen
beispielsweise für EMV-Messungen.
Neben EMV-Messungen und Prüfungen, die mit anderen
genormten Meßverfahren korreliert werden können, sind
zusätzlich hochpräzise Feld-Kalibrierungen sowie
weitergehende Anwendungen auf der Basis des
erfindungsgemäßen Verfahrens sowie der Vorrichtungen
durchführbar. Dies betrifft sowohl sinusförmige als
auch pulsförmige Felder. Eine weitere Anwendung besteht
für Rückstreumessungen an Materialproben. Möglich ist
außerdem die Ermittlung von Strahlungsdiagrammen
bestimmter Antennen und die Bestrahlung von Objekten.
Eine erste erfindungsgemäße Vorrichtung ist als trich
terförmiger, elektrisch symmetrischer Streifenleiter
konzipiert, in dem TEM-Wellen erzeugt werden, und der
entweder fest in einen eigenen Schirm integriert wird
oder in bestehenden Absorberkammern aufgebaut werden
kann.
Eine zweite erfindungsgemäße Vorrichtung weist minde
stens vier aufweitend gestaltete Innenleiter auf, die
derart angeordnet sind, daß durch paarweise symmetri
sche Einspeisung an den Spitzen der Innenleiter Paare
gebildet werden, welche an ihrem Ende an einer absor
berbelegten leitfähigen Rückwand einzeln impedanz
richtig abgeschlossen sind.
Die geometrische Form des äußeren Schirmes ist bei bei
den Vorrichtungen nicht von entscheidender Bedeutung,
da er nicht in die Stromrückleitung eingebunden werden
soll. Der Schirm kann z. B. eine spezielle pyramiden
förmige Gestalt haben oder auch quaderförmig sein.
Es sind bereits verschiedene Apparate bekannt, die als
Wellenleiter für die Erzeugung von TEM-Wellen einge
setzt werden. Der Stand der Technik wird in DE 195 49 246
beschrieben. Dort ist eine pyramidenförmige Anord
nung offenbart, die während der Messung um die Längs
achse gedreht werden kann, und eine symmetrische TEM-
Zelle mit drahtförmigen Innenleitern darstellt. Die
TEM-Zelle ist dabei an den zwei Seitenwänden und der
Rückwand mit elektromagnetisch-absorbierenden Material
ausgekleidet, und die Innenleiter sind am Ende mit Wi
derständen direkt zum Schirm hin abgeschlossen. Der
Schirm direkt oberhalb bzw. unterhalb der Innenleiter
ist in die Stromrückleitung einbezogen. Die Rückwand
ist gekrümmt ausgeführt, und die Abschlußwiderstände
sind räumlich davor in einem Kreisbogen angeordnet.
Nachteilig an dieser Anordnung ist, daß der größte Teil
der Energie in dem nur maximal 2,5 cm hohem Raum zwi
schen dem Schirm und den Innenleitern konzentriert ist
und das Feld im Prüfvolumen deshalb im Vergleich zur
Eingangsleistung und parasitären Effekten relativ
schwach ist. Dies beeinträchtigt besonders bei hohen
Frequenzen die Präzision.
Nachteilig ist weiterhin das kostenaufwendige Zacken
blech an der Einspeisung, das mit einem erheblichen
Justieraufwand verbunden ist.
Auch bei der Vorrichtung nach DE 295 21 476 wird der
größte Teil der Energie nicht zwischen den beiden aus
Einzeldrähten zusammengesetzten Innenleitern trans
portiert, sondern zwischen den Innenleitern und den di
rekt darüber bzw. darunter liegenden Schirmwänden.
Diesbezüglich liegen also die Verhältnisse ähnlich, wie
bei der vorherbeschriebenen Anordnung nach DE 195 49 246.
Nur die Rückwand, ggf. die Stirnwand und die Sei
tenwände sollen mit Absorbern bekleidet werden, während
die direkt über und unter den Drähten liegenden Schirm
wände zusammen mit den Drähten die dort beschriebenen
unsymmetrischen Leitungssysteme bilden.
Unzulänglichkeiten bei der Feldqualität entstehen auch
an Knickstellen im TEM-Wellenleitern, wie z. B. bei
klassischen TEM-Zellen vom Crawford-Typ oder in DE 44 31 480
beim Übergang vom sich aufweitenden Teil zum
Parallelteil. An diesen Unstetigkeitsstellen werden Se
kundärwellen angeregt, die sich der erzeugten TEM-Welle
überlagern.
Die Durchführung von Innenleitern durch schmale
Schlitze in Absorberwänden, ganz besonders aber dann,
wenn es sich dabei wie bei DE 195 01 329 um Ferritab
sorber handelt, hat Reflexionen der Leitungswelle zur
Folge, die letztlich die Feldqualität ebenfalls min
dern. Durch die hohe Permeabilität der Ferritabsorber
wird in einigen Frequenzbereichen der Stromfluß zu den
Widerständen infolge der an dieser Stelle wirkenden In
duktivität weitgehend behindert.
Bei elektrisch unsymmetrisch TEM-Wellenleitern wie z. B.
DE 44 31 480 oder DE 195 01 329 wird nur maximal 50%
der eingespeisten Energie sich im Prüfraum ausbreiten.
Wird z. B. der Raum unter dem Innenleiter für den Prüf
ling genutzt, so wird der andere Teil der Energie im
Raum über dem Innenleiter ungenutzt bleiben. Zwar wird
damit im Prüfraum bedeutend mehr Energie geführt als
bei den zuvor beschriebenen Anordnungen nach DE 195 49 246
und DE 295 21 476, aber gleichzeitig entfällt auf
den dann ungenutzten Raumteil (über dem Innenleiter)
auch ein bedeutender Teil des Gesamtvolumens, so daß
sich bei gegebenen Prüflingsvolumen die elektrisch un
symmetrische Anordnung gegenüber den elektrisch symme
trischen Anordnungen insgesamt vom umbauten Volumen her
bedeutend vergrößert.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde bei Nut
zung der Volumenvorteile des elektrisch symmetrischen
Wellenleiters, ein Verfahren und Vorrichtungen zur Er
zeugung und zum Empfang von elektromagnetischen Feldern
insbesondere zu Prüf- und Meßzwecken zu schaffen, wobei
das Verfahren einen hocheffektiven, verlustarmen Be
trieb bei einer hohen Energiekonzentration im Prüfvolu
men ermöglicht und die Vorrichtungen preiswert herge
stellt und mit wenig Aufwand justiert werden können.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die
Merkmale im kennzeichnenden Teil der Ansprüche 1, 11
und 17. Zweckmäßige Ausgestaltungen der Erfindung sind
in den Unteransprüchen enthalten.
Ein besonderer Vorteil der Erfindung besteht in der ef
fektiven Erzeugung einer hohen Energiekonzentration im
Prüfvolumen, also im Innern der Zelle zwischen den sich
pyramidenförmig aufweitenden Innenleitern, indem die
Stromrückleitung über den Schirm weitgehend unterbunden
und dadurch die Hauptenergie zwischen den Innenleitern
durch das Prüfvolumen transportiert wird.
Bei der ersten Realisierungsvariante der Erfindung wird
die Konstruktion dazu an der Spitze der beiden bei
spielsweise dreiecksförmigen, als metallische Platten
ausgeführten Innenleiter symmetrisch über einen Balun
gespeist. Um die Stromrückleitung über den pyramiden
förmigen Schirm zu verhindern, können alle vier Seiten
wände sowie die Rückwand des Schirmes mit absorbieren
den Material z. B. Ferritkacheln verkleidet werden. Die
Rückwand kann sowohl gerade als auch gekrümmt aufgebaut
sein. Für die Widerstandsterminierung bestehen ver
schiedene Möglichkeiten, wobei sich der Strom auf kur
zem Wege über die Innenseite der Rückwand schließen
soll.
Ein besonderer Vorteil der zweiten Realisierungs
variante der Erfindung ist die elektrische Schaltbar
keit bzw. Schwenkbarkeit der Polarisation des TEM-Wel
lenleiters, welche dadurch erreicht wird, daß minde
stens vier aufweitend gestaltete Innenleiter derart an
geordnet sind, daß durch paarweise symmetrische Ein
speisung an den Spitzen Paare gebildet werden, welche
an ihrem Ende an einer absorberbelegten leitfähigen
Rückwand einzeln impedanzrichtig abgeschlossen sind.
Die Erfindung soll nachstehend anhand von in den Figu
ren zumindestens teilweise dargestellten Ausführungs
beispielen erläutert werden. Es zeigen:
Fig. 1 TEM-Wellenleiter mit zwei Innenleitern und
mit einer Rückwand gemäß einer ersten
Vorrichtung,
Fig. 2 TEM-Wellenleiter mit zwei Innenleitern und
mit einer eigenen vom Schirm isolierten
zweiten Rückwand gemäß der ersten Vorrichtung,
Fig. 3 eine Realisierungsvariante einer zweiten
Vorrichtung mit vier Innenleitern,
Fig. 3A eine vergrößerte Darstellung des
Balunbereiches gemäß Fig. 3,
Fig. 4 Querschnittsdarstellung des TEM-Wellenleiters
nach Fig. 3 mit Abschirmung,
Fig. 5 Einspeisung in den TEM-Wellenleiter nach Fig.
3 umschaltbar für vertikale und horizontale
Polarisation,
Fig. 6 Einspeisung in einen TEM-Wellenleiter mit 8
Innenleitern als weitere Realisierungsvari
ante,
Fig. 7 Gestaltung der Strombahnen und Anordnung der
Abschlußwiderstände bei einem TEM-
Wellenleiter mit acht Innenleitern
entsprechend Fig. 6.
Die einfachste Realisierungsform bezüglich der ersten
Vorrichtung besteht darin, wie in Fig. 1 dargestellt,
die am Schirm 4 innen angeordneten Widerstände 1 leit
fähig auf der Rückwand 3 zu befestigen. Bei der Verwen
dung von Ferritabsorbern ist darauf zu achten, daß
Strombahnen 2 freigehalten werden, um den Stromfluß zu
gewährleisten. Dies kann in der Form realisiert werden,
daß der Bereich um die Widerstände 1 und der Weg zum
jeweils gegenüberliegenden Widerstand 1 nicht mit Ab
sorbern belegt wird oder an diesen Stellen ein entspre
chendes Masseband auf die Absorber aufgebracht wird.
Grund ist die hohe Dielektrizitätszahl der Ferritabsor
ber, die durch Kapazitätserhöhung den Wellenwiderstand
verändert. Ein weiterer Grund ist die hohe Permit
tivitätszahl, die durch Induktivitätserhöhung den
Strompfad zu hochohmig macht. Entgegen gemäß dem Stand
der Technik bekannten Ausführungen ist bei schmalen
Ausparungen zur Durchführung der Widerstandsabschlüsse
oder des Wellenleiters kein Stromfluß zu erwarten. Bei
Verwendung von Pyramidenabsorbern kann die Rückwand
vollständig belegt werden, da Dielektrizität und Per
mittivität gering sind. Allein eine zu starke Nähe der
Absorber zu den Septen ist durch das Einbringen ent
sprechender Aussparungen in den Absorbern wegen der
drohenden Kapazitätserhöhung zu vermeiden.
Eine zweite Möglichkeit, wie in Fig. 2 gezeigt, besteht
darin, zwei hintereinander liegende Rückwände 3a, 3b zu
verwenden, so daß der Strom zusätzlich ungehindert auf
der nicht mit absorbierenden Material verkleideten
Rückseite der ersten Rückwand 3a fließen kann. Die
zweite Rückwand 3b schließt den Schirm 4 und kann wie
dieser zusätzlich innen mit absorbierenden Material be
schichtet sein. Die erste Rückwand 3a kann dabei außer
dem zusätzlich von der zweiten Rückwand 3b elektrisch
vollkommen isoliert angeordnet sein. Die einzige leit
fähige Verbindung des Schirmes mit den Einbauten be
steht dann durch die in den Schirm eingefügte Buchse 8.
Dadurch bleibt die Möglichkeit zur mechanischen Drehung
der Septen innerhalb des feststehenden Gehäuses erhal
ten. Der Schirm 4 muß dabei nicht unbedingt wie in Fig.
2 gezeigt pyramidenförmig aufgebaut sein, sondern kann
im Prinzip jede beliebige Form haben, da durch die
vollständige Ferritabsorberauskleidung, die Oberflä
chenströme auf der Innenseite des metallischen Schirmes
stark bedämpft werden und somit der Schirm nicht an der
Stromrückleitung beteiligt ist. So könnte der Schirm z. B.
auch quaderförmig gestaltet werden.
Als dritte Möglichkeit kommt deshalb in Anlehnung an
die erste Möglichkeit in Betracht, anstelle eines eige
nen mit absorbierenden Material ausgekleideten Schirmes
4 den TEM-Wellenleiter kostensparend in bereits exi
stierende Vollabsorberkammern einzubauen und in diesem
Fall die Absorberkammer als Schirm zu nutzen. Bei Fer
ritabsorberkammern kann der Einbau so durchgeführt wer
den, daß an der Wand an der die Widerstände 1 befestigt
werden sollen, zunächst Massebänder für die Schaffung
der erforderlichen Strombahnen 2 aufgeklebt werden. Die
Widerstände 1 werden dann leitfähig mit diesen Masse
bändern verbunden.
Kostensparend ist in allen drei Fällen gegenüber dem
Stand der Technik der Verzicht auf das kostenaufwendige
Zackenblech an der Einspeisung, das mit einem erhebli
chen Justieraufwand verbunden ist. Außerdem ist der
Streifenleiter hier abstandsbedingt wesentlich
hochohmiger z. B. mit 200 Ohm Wellenwiderstand aufzu
bauen. Der an der Spitze 6a der Innenleiter angeordnete
Balun 7 kann außer zur Symmetrierung gleichzeitig zur
Widerstandsanpassung dienen (z. B. 1 : 4 Balun). Bei glei
cher Eingangsleistung an der 50 Ohm-Buchse 8 läßt sich
so im Falle der Feldeinstrahlung eine höhere elektri
sche Feldstärke im Prüfvolumen erzielen. Außerdem er
gibt sich eine wesentliche Fertigungserleichterung,
weil ein Streifenleiter mit einigen hundert Ohm Wellen
widerstand (großer Abstand zwischen den beiden Innen
leitern 6 als Hin- und Rückleiter) mit wesentlich grö
ßeren Abstandstoleranzen aufgebaut werden kann als ein
25 Ohm Wellenleiter (geringer Abstand zwischen dem In
nenleiter und dem Schirm als Hin- und Rückleiter). Als
Abstandshalter zwischen Innenleiter 6 und Schirm 4 bzw.
zwischen erster und zweiter Rückwand 3a, 3b können z. B.
Hartschaum-Klötzer oder Hartschaum-Platten verwendet
werden. Die Tür kann sowohl in die Seitenwände 5 als
auch in die Rückwand 3a, 3b angeordnet werden.
Eine Realisierungsform der zweiten Vorrichtung mit vier
Innenleitern zeigt Fig. 3. Auch in diesem Fall wird der
Wellenleiter später in einen vollständig mit Ferritab
sorbern 14a ausgekleideten Schirm 15 eingebaut, wie die
Querschnittsdarstellung in Fig. 4 zeigt. Die geometri
sche Form des äußeren Schirmes 15 ist nicht von
entscheidender Bedeutung, da er durch die Belegung mit
Ferritabsorbern 14a nicht in die Stromrückleitung
eingebunden werden soll. Der Schirm 15 kann z. B. eine
pyramidenförmige Gestalt haben oder auch quaderförmig
sein, um einen Querschnitt entsprechend Fig. 4. zu
realisieren.
In der Rückwand 14 dieses Schirmes 15 befinden sich
nicht durch Absorber 14a bedeckte Strombahnen 12. Die
Realisierung entsprechender Strombahnen kann auch durch
Aufbringen entsprechender metallischer Massebänder auf
die Ferritabsorber 14a erreicht werden. Jeder Innenlei
ter 11 wird entsprechend mit Widerständen 13 einzeln
auf diese Strombahnen 12 hin im Pedanzrichtig abge
schlossen. Die Strombahnen 12 werden dabei nach Mög
lichkeit im Randbereich des TEM-Leiterquerschnittes an
geordnet, um Feldreflexionen in das Prüfvolumen zu mi
nimieren.
Die Innenleiter 11 können wie im dargestellten Beispiel
am einfachsten durch dreiecksförmige Metallstreifen
realisiert werden. Es ist jedoch grundsätzlich auch
möglich, andere Innenleiterquerschnitte zu verwenden,
jedoch muß sich deren Querschnitt zur Erzielung eines
über die Länge konstanten Wellenwiderstandes im selben
Maße wie die Gesamtstruktur stetig aufweiten. Dies
führt bei runden Querschnitten beispielsweise zu sich
konisch aufweitenden kegelförmigen Innenleitern 11.
Durch die Einfügung einer in den Figuren nicht explizit
dargestellten Umschalteinrichtung 19 zwischen den Spit
zen 11a der Innenleiter 11 und dem Balun 17 ist es mög
lich, die Polarisation der TEM-Welle im Querschnitt von
vertikaler E-Feld-Polarisation auf horizontale E-Feld-
Polarisation umzuschalten. Im ersten Fall werden dabei
jeweils die horizontal und im zweiten Fall die vertikal
nebeneinanderliegenden Innenleiter 11 an der Spitze
paarweise zusammengeschaltet (Fig. 5). Realisierungs
möglichkeiten für die Umschalteinrichtung 19 sind z. B.
eine Steckverbindung, die es erlaubt, den Balun 17 auch
90° gedreht auf die vier Innenleiter 11 aufzustecken
oder ein entsprechend aufgebauter Drehschalter.
Wird die Anordnung auf weitere Innenleiterpaare erwei
tert, können bei entsprechender Anordnung weitere Pola
risationswinkel eingestellt werden. Bei insgesamt sechs
Innenleitern 11 kann die Polarisation in 60°-Schritten,
bei acht Innenleitern 11 in 45°-Schritten und bei einer
anderen gradzahligen Innenleiteranzahl n in 360°/n
Schritten eingestellt werden.
Fig. 6 zeigt eine Realisierungsmöglichkeit für die Ge
staltung der Einspeisung und Fig. 7 für den Abschluß
eines TEM-Wellenleiters mit acht Innenleitern 11, dabei
sind die Innenleiter 11 in einem Achteck angeordnet.
Bei dieser Anordnung kann die Polarisation der TEM-
Welle in 45°-Schritten eingestellt werden. Bei der Ein-
Speisung kann durch zugeschaltete Dämpfungsglieder 16
dafür gesorgt werden, daß näher benachbarte Innenlei
terpaare mit einer entsprechend kleineren HF-Spannung
beaufschlagt werden als die mittleren Paare. Die einzu
stellende Spannung muß dabei dem mittleren Innenleiter
abstand umgekehrt proportional sein, um eine möglichst
gleichmäßige Feldverteilung im gesamten Innenraum zwi
schen den Innenleitern 11 zu erhalten.
Wenn jeder einzelne Innenleiter 11 individuell mit ei
nem "aktiven Balun" abgeschlossen wird, kann dadurch
die Polarisationsrichtung auch vollelektronisch einge
stellt werden. Ein solcher "aktiver Balun" besteht im
Sendefall aus Leistungs-HF-Transistoren, die amplitu
denrichtig und mit umschaltbarer Phasenlage aus einem
Powersplitter angesteuert werden. Im Empfangsfall wird
über ein Anpassungsnetzwerk ein Verstärker aus HF-Tran
sistoren angesteuert, dessen Verstärkung einstellbar
ist, dessen Phasenlage umgeschaltet werden kann und
dessen Ausgänge über einen Power-Combiner zusammenge
schaltet werden.
Es ist nicht nur der Betrieb des Wellenleiters mit ein
stellbarer konstanter Polarisation möglich durch pha
senversetzte Einspeisung kann auch eine drehende Pola
risation (zirkular polarisierte Welle) erzeugt werden.
Im Falle des Realisierungsbeispiels mit vier Innenlei
tern 11 können z. B. gleichzeitig zwei um den Phasenwin
kel 90° versetzte Spannungen angeschlossen werden, wo
bei jede dieser Spannungen jeweils zwischen zwei sich
diagonal gegenüberliegende Innenleitern 11 eingespeist
wird.
Eine weitere Variationsmöglichkeit besteht darin die
Abschlußwiderstände 13 durch Leerlauf bzw. Kurzschluß
zu ersetzten. Im tiefen Frequenzbereich können so nie
derfrequente elektrische bzw. niederfrequente magneti
sche Felder erzeugt werden, z. B. für bestimmte 50 oder
60 Hz - Netzfrequenztests, so daß auch für diese einfa
chen Tests keine Extraeinrichtungen wie spezielle
Magnetrahmen usw. benötigt werden.
Die Erfindung ist nicht auf die hier beschriebenen
Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr ist es
möglich, durch Variation der Mittel und Merkmale
weitere Ausführungsvarianten zu realisieren, ohne den
Rahmen der Erfindung zu verlassen.
1
Widerstände
2
Strombahnen
3
Rückwand
3
a erste Rückwand
3
b zweite Rückwand
4
Schirm
5
Seitenwände des Schirmes
6
Innenleiter
6
a Spitze
7
Balun
8
Buchse
11
Innenleiter
11
a Spitze
12
Strombahnen
13
Abschlußwiderstand
14
Rückwand
14
a Absorber
14
b Zentralbereich der Rückwand
14
c Randbereich der Rückwand
15
Schirm
16
Dämpfungsglied
17
Balun
17
a Balun und Umschalteinrichtung
18
Buchse
19
Umschalteinrichtung
Claims (23)
1. Verfahren zur Erzeugung und zum Empfang von elek
tromagnetischen Feldern mit einem innerhalb eines
TEM-Wellenleiters befindlichen Objekt, wobei entwe
der das Objekt mit definierten Parametern beauf
schlagt wird oder die vom Objekt ausgesandte elek
tromagnetische Strahlung gemessen wird,
dadurch gekennzeichnet, daß
ein elektromagnetisches Feld mit maximaler Energie
konzentration zwischen den Innenleitern geführt und
dabei ein Stromfluß von den Innenleitern über den
Schirm weitgehend unterdrückt wird und die Polari
sation des TEM-Wellenleiters einstellbar ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Verhinderung des Stromflusses durch zielgerich
tete Vorgabe von Stromwegen mit geeigneten Impedan
zen erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Stromwege einschließlich der Massepfade auf der
Rückwand niederohmig wirken.
4. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
das elektromagnetische Feld kontinuierlich oder
pulsförmig ist.
5. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Polarisation mechanisch durch Drehung des TEM-
Wellenleiters um seine Längsachse einstellbar ist.
6. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Polarisation durch elektrische oder elektroni
sche Schaltvorgänge bei feststehendem TEM-Wellen
leiter einstellbar ist.
7. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
bei der Erzeugung und Einspeisung der elektromagne
tischen Felder die Innenleiter derart gespeist wer
den, daß eine konstante oder drehende Polarisation
realisiert wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
bei dem Außenwiderstand der Widerstandswert
Leerlauf zur Erzeugung elektrischer Felder oder
Kurzschluß zur Erzeugung magnetischer Felder
eingestellt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Erzeugung elektromagnetischer Felder über einen
"aktiven Balun" erfolgt, der aus Leistungs-HF-Tran
sistoren besteht, die amplitudenrichtig und mit um
schaltbarer Phasenlage aus einem Power-Splitter an
gesteuert werden.
10. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Empfang elektromagnetischer Felder über einen
"aktiven Balun" erfolgt, der aus HF-Transistoren
besteht, deren Verstärkung einstellbar ist, deren
Phasenlage umschaltbar ist und deren Ausgänge
über einen Power-Combiner zusammengeschaltet
werden.
11. Vorrichtung zur Erzeugung und zum Empfang von
elektromagnetischen Feldern mit einem etwa
pyramidenförmigen TEM-Wellenleiter aus Septen im
Inneren einer einen Schirm bildenden Zelle mit
absorbierenden Wänden,
dadurch gekennzeichnet, daß
mindestens zwei sich gegenüberliegende aufweitend
gestaltete Innenleiter (6) an ihrer Spitze (6a)
symmetrisch über einen Balun (7) gespeist werden
und die Innenleiter (6) über Widerstände (1) mit
einer ersten Rückwand (3a) und/oder einer zweiten
Rückwand (3b) elektrisch leitend verbunden sind.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Innenleiter (6) dreieckförmig ausgebildet sind.
13. Vorrichtung nach Anspruch 11 oder 12,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Innenleiter (6) metallische Platten sind.
14. Vorrichtung nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Innenleiter (6) aus Drähten bestehen.
15. Vorrichtung nach Anspruch 14'
dadurch gekennzeichnet, daß
die Drähte gitterförmig angeordnet sind oder
Maschen bilden.
16. Vorrichtung nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet, daß
zwischen den Innenleitern (6) und/oder dem Schirm
(4) und/oder zwischen der ersten Rückwand (3a) und
der zweiten Rückwand (3b) Hartschaumklötzer
und/oder Hartschaumplatten angeordnet sind.
17. Vorrichtung zur Erzeugung und zum Empfang von
elektromagnetischen Feldern mit einem etwa
pyramidenförmigen oder kegelförmigen TEM-
Wellenleiter aus Septen im Inneren einer einen
Schirm bildenden Zelle mit absorbierenden Wänden,
dadurch gekennzeichnet, daß
mindestens vier aufweitend gestaltete Innenleiter
(11) derart angeordnet sind, daß durch paarweise
symmetrische Einspeisung an den Spitzen (11a) der
Innenleiter (11) Paare gebildet werden, welche an
ihrem Ende an einer mit Absorbern (14a) belegten
leitfähigen Rückwand (14) einzeln impedanzrichtig
über Widerstände (13) abgeschlossen sind.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Zentralbereich (14b) der Rückwand (14)
vollständig mit Absorbern (14a) belegt ist und die
Widerstände (13) im Randbereich (14c) der Rückwand
(14) über Ferritabsorberfreie Strombahnen (12)
verbunden sind.
19. Vorrichtung nach Anspruch 17,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Innenleiter (11) metallische Platten sind, die
etwa dreieckförmig ausgebildet sind.
20. Vorrichtung nach Anspruch 18,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Innenleiter (11) einen runden oder ovalen oder
trapezförmigen Querschnitt aufweisen, welcher sich
kegelförmig aufweitet.
21. Vorrichtung nach Anspruch 17, 19 oder 20,
dadurch gekennzeichnet, daß
jeder Innenleiter (11) einen über seine Länge
konstanten Wellenwiderstand aufweist.
22. Vorrichtung nach Anspruch 17,
dadurch gekennzeichnet, daß entweder
vier Innenleiter (11) auf einem quadratischen
Querschnitt, umschaltbar für 90°-Drehung oder
zwei mal vier Innenleiter (11) zu einem Achteck in
einandergeschachtelt, umschaltbar für 45°-Drehung
oder
acht Innenleiter (11) auf einem quadratischen Quer
schnitt, umschaltbar für 90°-Drehung oder
eine beliebige, gerade Anzahl von Innenleitern
(11), die zwei-Achsen-symmetrisch auf einem
beliebigen Querschnitt angeordnet sind.
23. Vorrichtung nach Anspruch 17,
dadurch gekennzeichnet, daß
bei mehr als vier Innenleitern (11) zur amplituden
richtigen Bewertung zusätzlich Dämpfungsgliedern an
den einzelnen Innenleitern (11) angeordnet sind.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19806320A DE19806320A1 (de) | 1997-05-21 | 1998-02-06 | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung und zum Empfang von elektromagnetischen Feldern zu Prüf- und Meßzwecken |
EP98928241A EP0983520A1 (de) | 1997-05-21 | 1998-05-11 | Verfahren und vorrichtungen zur erzeugung und zum empfang von elektromagnetischen feldern zu prüf- und messzwecken |
PCT/EP1998/002746 WO1998053333A1 (de) | 1997-05-21 | 1998-05-11 | Verfahren und vorrichtungen zur erzeugung und zum empfang von elektromagnetischen feldern zu prüf- und messzwecken |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19721950 | 1997-05-21 | ||
DE19806320A DE19806320A1 (de) | 1997-05-21 | 1998-02-06 | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung und zum Empfang von elektromagnetischen Feldern zu Prüf- und Meßzwecken |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19806320A1 true DE19806320A1 (de) | 1998-11-26 |
Family
ID=7830515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19806320A Ceased DE19806320A1 (de) | 1997-05-21 | 1998-02-06 | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung und zum Empfang von elektromagnetischen Feldern zu Prüf- und Meßzwecken |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19806320A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11618590B2 (en) * | 2018-10-08 | 2023-04-04 | The Boeing Company | Transverse electromagnetic (TEM) system and method of manufacture |
-
1998
- 1998-02-06 DE DE19806320A patent/DE19806320A1/de not_active Ceased
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11618590B2 (en) * | 2018-10-08 | 2023-04-04 | The Boeing Company | Transverse electromagnetic (TEM) system and method of manufacture |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3914838A1 (de) | Ionen-zyklotron-resonanz-spektrometer | |
DE2129700A1 (de) | Anordnung zur Abstrahlung impulsfoermiger elektromagnetischer Energie | |
EP1759438A1 (de) | Antenne | |
DE19510236A1 (de) | Flächige Antenne mit niedriger Bauhöhe | |
DE102014013926A1 (de) | Mehrstruktur-Breitband-Monopolantenne für zwei durch eine Frequenzlücke getrennte Frequenzbänder im Dezimeterwellenbereich für Fahrzeuge | |
DE102016108867A1 (de) | Schirmgehäuse für HF-Anwendungen | |
DE10065510C2 (de) | Resonator, Filter und Duplexer | |
DE19945176B4 (de) | Anordnung von Federkontakten in einem vorbestimmten Raster | |
DE2503850C2 (de) | Aus mehreren Einzelantennen bestehende Hohlleiterantenne | |
DE3130487C2 (de) | ||
DE19806320A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung und zum Empfang von elektromagnetischen Feldern zu Prüf- und Meßzwecken | |
DE1286161B (de) | Mikrowellenleiterverbindungsstueck | |
EP0983520A1 (de) | Verfahren und vorrichtungen zur erzeugung und zum empfang von elektromagnetischen feldern zu prüf- und messzwecken | |
DE2525845A1 (de) | Breitbandig reflexionsarm bedaempfte verzoegerungsleitung | |
DE102008047054B3 (de) | Hornantenne für Hochfrequenz-Sensor- und Signalübertragungsanwendungen | |
DE19501329C1 (de) | Vorrichtung zur EMI-Prüfung elektronischer Geräte | |
DE3427629C2 (de) | ||
EP0310762B1 (de) | Geschirmte Zelle zur Erzeugung von elektromagnetischen Wellen des TEM-Typs | |
DE3931449C2 (de) | ||
DE1948290A1 (de) | Zweitourige magnetoelastische Verzoegerungsleitung | |
EP1961076A1 (de) | Basiseinheit und vorrichtung für die übertragung elektromagnetischer felder | |
DE4431480C1 (de) | Leitungsstruktur zum Übertragen hochfrequenter elektromagnetischer Wellen | |
DE19601348C1 (de) | TEM-Wellenleiter | |
DE102021104025A1 (de) | Magnetische Antenne mit Umschaltung des Frequenzbereichs durch Veränderung der magnetischen Kopplung | |
DE872566C (de) | Einrichtung zur Erzeugung und Verstaerkung kurzer, insbesondere ultrakurzer elektrischer Wellen mit einer Hochvakuumroehre |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |