DE19805785C1 - Leistungshalbleiter-Modul mit thermischer Laststromsicherung - Google Patents

Leistungshalbleiter-Modul mit thermischer Laststromsicherung

Info

Publication number
DE19805785C1
DE19805785C1 DE19805785A DE19805785A DE19805785C1 DE 19805785 C1 DE19805785 C1 DE 19805785C1 DE 19805785 A DE19805785 A DE 19805785A DE 19805785 A DE19805785 A DE 19805785A DE 19805785 C1 DE19805785 C1 DE 19805785C1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
power semiconductor
semiconductor module
module according
housing
output lines
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19805785A
Other languages
English (en)
Inventor
Wolfgang Troeger
Alfons Dr Graf
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19805785A priority Critical patent/DE19805785C1/de
Priority to EP98123760A priority patent/EP0936670A2/de
Priority to US09/250,363 priority patent/US6147396A/en
Application granted granted Critical
Publication of DE19805785C1 publication Critical patent/DE19805785C1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/62Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H37/00Thermally-actuated switches
    • H01H37/74Switches in which only the opening movement or only the closing movement of a contact is effected by heating or cooling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01012Magnesium [Mg]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0106Neodymium [Nd]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19043Component type being a resistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Fuses (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleiter-Modul mit min­ destens einem auf einem Leadframe (Leiterrahmen) befestigten und zumindest teilweise von einem Gehäuse umhüllten Leistungshalbleiter- Bauelement, das elektrisch leitend verbunden ist mit einer Mehrzahl von Ausgangsleitungen und wobei das Leistungshalb­ leiter-Modul Unterbrechungsmittel aufweist, die für den Fall, daß die Temperatur des Leistungshalbleiter-Bauelementes (3) eine vorgegebene Temperaturschwelle überschreitet, zumindest die laststromführenden Ausgangsleitungen (4a) und/oder die elektrisch leitenden Verbindungen (5) zwischen dem Leistungs­ halbleiter-Bauelement (3) und zumindest den laststromführen­ den Ausgangsleitungen (4a) irreversibel unterbrechen.
Beim Einsatz von Halbleiterbauelementen wie zum Beispiel Lei­ stungsschaltern ist ein Fehler bzw. ein Ausfall, wie prinzi­ piell bei allen elektrischen Geräten, nie vollständig auszu­ schliessen. Ein möglicher Fehlerfall ist beispielsweise das sogenannte Durchlegieren oder Durchschmelzen, wodurch bei­ spielsweise bei einem Highside-Schalter eine niederohmige Verbindung zwischen der Versorgungsspannungsquelle und dem Ausgangsanschluss bzw. bei einem Lowside-Schalter eine niede­ rohmige Verbindung des Ausgangsanschlusses zur Gerätemasse entsteht. Der elektrische Strom durch den angeschlossenen Laststromkreis des jeweiligen Leistungsschalters kann durch die Ansteuerlogik nicht mehr beeinflusst werden. Somit wird der Laststrom nur durch den Widerstand der Last im Laststrom­ kreis begrenzt.
Für den Fall, dass die Last ebenfalls einen Fehler aufweist, der zum Kurzschluss der Last führt, wird der Laststrom nur noch durch die Leistungsfähigkeit der Spannungsversorgung und somit durch deren Innenwiderstand begrenzt. Am Ausgang des Leistungsschalters fliesst somit permanent ein Laststrom, der dem Maximalstrom der Spannungsversorgung entspricht. Dieser maximale Laststrom verursacht typischerweise eine unkontrol­ lierte Erwärmung des Leistungsschalters, was im ungünstigsten Fall einen Brand verursachen kann.
Typischerweise wird als Vorsorge hierfür eine Schmelzsiche­ rung, beispielsweise ein dünner Widerstandsdraht, verwendet. Diese Schmelzsicherungen werden in den Laststromkreis zwi­ schen der Versorgungsspannungsquelle und dem Halbleiterschal­ ter geschaltet. Im Fall eines zu grossen Stromes unterbricht die Schmelzsicherung den Laststromkreis. Zusätzlich wird ty­ pischerweise ein Temperatursensor verwendet werden, der bei einer zu starken Überhitzung des Leistungsschalters, bei­ spielsweise verursacht durch einen zu grossen Laststrom bzw. Kurzschlussstrom, den Leistungsschalter ausschaltet. Diese Vorsorge funktioniert jedoch nur solange das Bauteil nicht defekt ist.
In der US 5,068,706 ist ein Dreiphasen-Gleichrichter be­ schrieben, der eine Sicherung aufweist, die definiert schmilzt, wenn die Halbleiterbauelemente eine vorgegebene Temperatur überschreiten. Eine Zerstörung des Bauelementes ist hierdurch verhindert.
Das Risiko, daß der Leistungsschalter einen niederohmigen Fehler bzw. Kurzschluß aufweist und gleichzeitig die zu schaltende Last ebenfalls einen Kurzschluß aufweist, wird je­ doch als unwahrscheinlicher Doppelfehler bewußt in Kauf ge­ nommen. Falls dieser Doppelfehler dennoch eintritt, ist der mögliche Schaden verursacht durch einen Brand unverhältnismä­ ßig hoch und nicht abzuschätzen.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Lei­ stungshalbleiter-Modul anzugeben, bei dem im Falle einer un­ zulässig hohen Erwärmung der Laststromkreis des Leistungs­ halbleiter-Bauelementes verläßlich unterbrochen wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die in Patentan­ spruch 1 beanspruchten Merkmale gelöst.
Demnach ist vorgesehen, daß für den Fall, daß die Betrieb­ stemperatur des Leistungshalbleiter-Bauelementes eine vorge­ gebene Temperaturschwelle überschreitet, der Laststrom des Leistungshalbleiter-Bauelementes irreversibel unterbrochen wird.
Das Leistungshalbleiter-Modul beinhaltet deshalb Unterbre­ chungsmittel (8), die für den Fall, daß die Betriebstempera­ tur des Leistungshalbleiter-Bauelementes eine vorgegebene Temperaturschwelle überschreitet, zumindest die laststromfüh­ renden Ausgangsleitungen und/oder die elektrisch leitenden Verbindungen zwischen dem Leistungshalbleiter-Bauelement und zumindest den laststromführenden Ausgangsleitungen irreversi­ bel unterbrechen, wobei das Material der Unterbrechungsmittel bei zunehmender Temperatur eine volumenerweiternde und/oder eine oxidierende und/oder eine explodierende Charakteristik aufweist.
Durch die Anordnung wird bei einem Leistungshalbleiter- Bauelement, das sich aufgrund eines unzulässig hohen Last­ stromes auf Temperaturen erwärmt, die oberhalb eines vorgege­ benen, spezifizierten Temperaturbereiches liegen, der Last­ stromkreis definiert und irreversibel unterbrochen. Durch diese irreversible Unterbrechung wird das ohnehin unbrauchba­ re Leistungshalbleiter-Bauelement zerstört. Gleichzeitig wird ein sehr viel höherer Schaden, der beispielsweise durch einen Gerätebrand verursacht wird, vermieden.
Hierbei sind Materialien im Gehäuse des Leistungshalbleiter- Moduls vorgesehen bzw. vom Gehäuse fest umpreßt, die bei Überschreiten einer vorher bestimmten kritischen Temperatur den Laststromkreis im Leistungshalbleiter-Schalter in der Weise unterbrechen, in dem das Gehäuse und/oder die last­ stromführenden Bonddrähte bzw. Ausgangsleitungen irreversibel zerstört werden.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind Kenn­ zeichen der weiteren Unteransprüche.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der in den Figuren der Zeichnung angegebenen Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigt dabei:
Fig. 1 den schematischen Aufbau eines erfindungsgemässen Leistungshalbleiter-Moduls zur Durchführung des er­ findungsgemässen Verfahrens mit unterschiedlich im Gehäuse des Leistungshalbleiter-Moduls angeordneten Unterbrechungsmitteln (Teilfiguren (A) bis (E));
Fig. 2 die diodenähnlich, angestrebte Temperatur-Volumen- Kennliniencharakteristik der verwendeten Unterbre­ chungsmittel.
Fig. 1 zeigt in verschiedenen Ausführungsbeispiele (A) bis (E) des Aufbaus eines erfindungsgemässen Leistungshalbleiter- Moduls zur Durchführung des Laststromunterbrechungs-Verfahrens. Da­ bei sind in den verschiedene Ausführungsbeispielen gleiche bzw. funktionsgleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen verse­ hen.
Das Leistungshalbleiter-Modul ist hier mit 1 bezeichnet. Das Leistungshalbleiter-Modul 1 besteht aus einem Leadframe 2. Auf dem Leadframe 2 ist ein einzelnes Leistungshalbleiter- Bauelement 3 montiert. Es wäre jedoch auch denkbar, eine Mehrzahl von Leistungshalbleiter-Bauelementen 3 auf dem Lead­ frame 2 anzuordnen. Bei den verwendeten Leistungshalbleiter- Bauelementen 3 handelt es sich um jede Art von Leistungs­ schaltern, wie beispielsweise Highside-Schaltern, Lowside- Schaltern, Brückenschaltern, etc. Die erfindungsgemässe Anordnung ist jedoch auch bei sämtlichen anderen Bauelementen anwendbar, bei denen eine unkontrolliert hohe Erwärmung möglichst vermieden werden soll.
Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist das Halbleiterbauele­ ment 3 beispielsweise über eine weichlötende Verbindung mit dem Leadframe 2 verbunden. Diese weichlötende Verbindung weist typischerweise eine gute elektrische sowie thermische Leitfähigkeit auf. In diesem Fall sind die Anschlüsse 6, die ebenfalls elektrisch leitend mit dem Leadframe 2 verbunden sind, die Anschlussleitungen für das Potential der Gerätema­ sse.
Das Leistungshalbleiter-Modul 1 weist ausserdem eine Vielzahl von Ausgangsleitungen 4 auf, die im vorliegenden Ausführungs­ beispiel über Verbindungsleitungen 5 mit den entsprechenden Kontaktstellen des Leistungshalbleiter-Bauelementes 3 elek­ trisch leitend verbunden sind. Vorzugsweise werden als Ver­ bindungsleitungen 5 Bonddrähte verwendet, es sind aber Me­ tallbrücken oder ähnliches als leitende Verbindung denkbar. Die Anschlußleitungen können dabei aus einem weiteren, bei­ spielsweise aus Blech bestehenden Leitungssystem bestehen.
Die laststromführenden Ausgangsleitungen sind in Fig. 1 mit 4a bezeichnet. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel sind die Ausgangsleitungen 4 vom Leadframe 2 und somit vom Leistungs­ halbleiter-Bauelement 3 durch einen Zwischenraum 9 beabstan­ det.
Zur definierten Fixierung der Ausgangsleitungen 4 relativ zum Leadframe 2 sowie zum Schutz des Leistungshalbleiter- Bauelementes 3 sowie dessen Bonddrähte 5 vor äusseren Ein­ flüssen wie beispielsweise Feuchtigkeit, Korrosion, mechani­ scher Beanspruchung, etc. ist das Leistungshalbleiter-Modul in der Weise von einem Gehäuse 7 umhüllt (in Fig. 1(A) ge­ strichelt dargestellt), dass lediglich die Ausgangsleitungen 4 und Masseleitungen 6 aus dem Gehäuse 7 herausragen. In die­ sem Fall sind die Anschlußleitungen 4, 6 auch die Gehäusean­ schlüsse. Das Gehäuse 7 besteht typischerweise aus Kunst­ stoffmaterial, kann jedoch auch aus anderen Materialien be­ stehen. Bei der Herstellung wird dabei typischerweise das Kunststoffmaterial in die gewünschte Form gepresst.
Im vorliegenden Beispiel in Fig. 1 ist ein sogenanntes TO- Gehäusebauteil gezeigt. Die Erfindung betrifft jedoch alle denkbaren Gehäusebauteile.
Mit 8 sind die Unterbrechungsmittel bezeichnet. In den Aus­ führungsbeispielen in Fig. 1 sind die Unterbrechungsmittel 8 fest umpresst oder Bestandteil des Gehäuses 7 selbst. Dies ist jedoch nicht notwendigerweise erforderlich. Es wäre auch denkbar, dass die Unterbrechungsmittel zumindest teilweise außerhalb des Gehäuses 7 angeordnet sind, beispielsweise um die laststromführenden Ausgangsleitungen 4a herum, der Gehäu­ seoberfläche, etc.
Nachfolgend wird das dabei angewandte Verfahren näher erläutert:
Das Material der Unterbrechungsmittel 8, nachfolgend auch als Unterbrechungsmaterial bezeichnet, ist typischerweise vom Ge­ häuse 7 fest umpresst oder Bestandteil des Gehäuses 7 selbst. Bei Überschreiten einer vorbestimmten kritischen Temperatur wird typischerweise das Gehäuse 7 durch das Unterbrechungsma­ terial in der Weise zerstört, dass auch zumindest die lastführenden Bonddrähte 5 bzw. zumindest die lastführenden Ausgangsleitungen 4a und/oder das Leistungshalbleiter- Bauelement 3 selbst zerstört bzw. irreversibel unterbrochen wird. Durch diese Unterbrechung wird der Laststromkreis des Leistungshalbleiter-Bauelements 3 ebenfalls unterbrochen.
Als kritische Temperatur TZ wird nachfolgend diejenige Tempe­ ratur bezeichnet, bei der das Halbleiterbauelement definiert und sicher zerstört werden soll. Typischerweise liegt die kritische Temperatur deutlich oberhalb der Temperatur im Nor­ malbetrieb des Halbleiterbauelementes bzw. auch oberhalb der Temperaturen, die im Herstellungsprozeß des Gehäusebauteils entstehen.
Es wäre jedoch auch denkbar, dass das Unterbrechungsmaterial 8 Bestandteil der (stromführenden) Ausgangsleitungen 4, 4a oder der entsprechenden Bonddrähte 5 zum Halbleiterbauele­ ment 3 sind. In diesem Fall werden diese Leitungen durch die Unterbrechungsmittel 8 direkt zerstört.
Dabei werden die nachfolgenden drei bevorzugten Mechanismen zur Unterbrechung vorgeschlagen:
  • 1. Das Unterbrechungsmaterial verändert ab der kritischen Temperatur den Bonddraht 5 bzw. die (lastführenden) Aus­ gangsleitungen 4, 4a chemisch, indem es beispielsweise oxidiert. Auf diese Weise werden die Bonddrähte 5 bzw. die Ausgangsleitungen 4, 4a hochohmig, wodurch der Laststrom­ kreis unterbrochen wird. In diesem Fall ist es vorteil­ haft, wenn das Unterbrechungsmaterial in das Material des Bonddrahtes 5 bzw. der Ausgangsleitungen 4, 4a einlegiert ist. Denkbar wäre auch, wenn das Unterbrechungsmaterial auf die Oberfläche der Ausgangsleitungen 4, 4a bzw. Bond­ drähte 5 oder in dessen Leitungskern enthalten ist.
  • 2. Das Unterbrechungsmaterial, beispielsweise aber nicht not­ wendigerweise ein Gas, verändert sein Volumen mit zuneh­ mender Temperatur in der Weise, dass bei ansteigender Tem­ peratur sich die Unterbrechungsmaterial sehr stark aus­ dehnt. Da das Unterbrechungsmaterial aber fest vom Gehäuse 7 umschlossen wird bzw. Bestandteil des Gehäuses 7 ist, ist eine Volumenausdehnung des Unterbrechungsmaterials bei zunehmender Temperatur nur begrenzt möglich. Jedoch wird ein zunehmender Druck auf das Gehäuse 7 ausgeübt. Wird die kritische Temperatur überschritten, ist der Druck zu groß für das Gehäuse 7 geworden, so dass es schlagartig zur Zerstörung des Gehäuses 7 kommt. Die Bonddrähte 5, die im Vergleich zu den Ausgangsleitungen 4 verhältnismässig dünn ausgebildet sind, werden durch die Zerstörung des Gehäuses 7 abgerissen bzw. unterbrochen und der Laststrom wird auf diese Weise definiert sicher und irreversibel unterbro­ chen.
  • 3. Das zusätzliche Material zündet bzw. explodiert ab der kritischen Temperatur und sprengt somit das Gehäuse 7 und damit die Bonddrähte 5 äquivalent wie unter 2. beschrie­ ben.
Als Unterbrechungsmaterial kommen prinzipiell alle Materiali­ en in Frage, die eine diodenähnliche Temperatur-Volumen- Kennlinie entsprechend Fig. 2 aufweist. Nachfolgend werden beispielhaft einige konkrete Beispiele, die jedoch hier nicht als abschließende Sammlung aufzufassen sind, aufgeführt:
  • a) Die einfachste Möglichkeit besteht darin, dass kleine Luftblasen in das Gehäuse 7 eingebracht werden. Das Gehäu­ se wird dann entsprechend dem 2. Mechanismus zerstört. Denkbar wäre jedoch auch jedes andere Gas, das in kleinen Hohlräumen im Gehäuse 7 eingebracht ist und sich bei zu­ nehmender Temperatur im Verhalten einem idealen Gas annä­ hert.
  • b) Eine weitere Möglichkeit ist die Verwendung eines Unter­ brechungsmateriales, das ab der kritischen Temperatur be­ ginnt, stark auszugasen und auf diese Weise das Gehäuse 7 und somit auch die Bonddrähte 5 entsprechend Mechanismus 2 zerstört.
  • c) Eine überaus wirkungsvolle Massnahme wäre die Verwendung von Sprengstoff, dessen Zündtemperatur im Bereich der kri­ tischen Temperatur liegt. Üblicherweise liegt die Zündtem­ peratur bei gängigen Sprengstoffen im Bereich zwischen 350°C und 700°C. Insbesondere wäre dabei eine Zündpille als Unterbrechungsmaterial, ähnlich wie beim Airbag, denk­ bar. Denkbar wäre auch Silberbromid, dass bei einer Tempe­ ratur von etwa 170°C zündet. Bei der Dosierung der Spreng­ stoffmenge ist darauf zu achten, dass lediglich das Gehäu­ se 7 und somit die Bonddrähte 5, nicht aber benachbarte Bauelemente bzw. die Platine selbst, durch die Explosion zerstört werden (Mechanismus 3).
  • d) Eine weitere Möglichkeit wäre die Verwendung von Kunst­ stoffen als Gehäusematerial, die ab der kritischen Tempe­ ratur beginnen sich stark auszudehnen, beispielsweise durch Aufschäumen (Mechanismus 2). Ein Beispiel hierfür wäre Polyamid 6.6. Denkbar wäre auch, dieses Kunststoffma­ terial vom Gehäusematerial zu umschliessen.
  • e) Schliesslich wären auch Unterbrechungsmaterialien denkbar, die ab der kritischen Temperatur stark oxidieren (Mechanismus 1), wie beispielsweise Magnesiumcarbonat (MgCO3). Bei einer Temperatur von etwa 540°C oxidiert MgCO3 zu CO2 + MgO.
Die obige Auflistung der möglichen Materialien als Unterbre­ chungsmittel 8 sollten lediglich als vorteilhafte Ausfüh­ rungsbeispiele aufgefaßt werden und ist daher nicht abschlie­ ssend. Generell kommen sämtliche Materialien in Frage, die entsprechend Fig. 2 eine diodenähnliche Volumen-Temperatur- Kennliniencharakteristik aufweisen.
In Fig. 1 sind, wie bereits erwähnt, einige Beispiele für einen möglichen Einbauort der obengenannten Unterbrechungsma­ terialien dargestellt.
In Fig. 1 (A) ist das Unterbrechungsmaterial grossflächig auf dem Leadframe 2 aufgebracht. Das Unterbrechungsmaterial ist dabei um das gesamte Halbleiterbauelement 3 herum angeordnet. Bei Erreichen der kritischen Temperatur wird das Gehäuse 7 abgesprengt und somit die Bonddrähte 5 unterbrochen.
In den Fig. 1 (A) und 1 (C) ist das Unterbrechungsmaterial lediglich an der Kante des Leadframe 2 auf der Seite der Aus­ gangsleitungen 4 angeordnet. Bei Erreichen der kritischen Temperatur werden dabei die Bonddrähte 5 entweder sofort un­ terbrochen oder durch Aufsprengen des Gehäuses 7 an dieser Stelle vom Halbleiterbauelement 3 bzw. dessen Ausgangsleitun­ gen 4 abgerissen. Im Unterschied zu Fig. 1B ist dabei in Fig. 1C aus ökonomischen Gründen das Unterbrechungsmittel 8 lediglich in der Nähe derjenigen Bonddrähte 5 angeordnet, die das Halbleiterbauelement mit den laststromführenden Ausgangs­ leitungen 4a verbinden.
In Fig. 1 (D) ist das Unterbrechungsmittel 8 ausschliesslich an der Kontaktstelle der laststromführenden Bonddrähte 5 zu den entsprechenden Ausgangsleitungen 4a angeordnet.
In Fig. 1 (E) sind die Unterbrechungsmittel im Zwischenraum 9, der das Leadframe 2 und die Ausgangsleitungen 4 voneinan­ der beabstandet, angeordnet.
Weiterhin ist es auch möglich, die Unterbrechungsmittel auf dem Bonddraht 5 selbst bzw. auf den Ausgangsleitungen 4 selbst aufzubringen (in Fig. 1 nicht gezeigt).
Besonders vorteilhaft ist es dann, wenn die Unterbrechungs­ mittel in das Material der Bonddrähte 5 bzw. der Ausgangslei­ tungen 4 einlegiert ist. Das Einlegieren der Unterbrechungs­ mittel wird insbesondere bevorzugt, wenn die entsprechenden Leitungen bei Erreichen der kritischen Temperatur entspre­ chend Mechanismus 1 durch Oxidation unterbrochen werden sol­ len.
Besonders vorteilhaft ist es jedoch, wenn die Unterbrechungs­ mittel 8 direkt in die Kunststoffpressmasse des Gehäuses 7 (in Fig. 1 ebenfalls nicht dargestellt) eingebracht sind.
Besonders vorteilhaft ist es ebenso, wenn das Gehäuse 7 an der Stel­ le, die zerstört werden soll, in geeigneter Weise eingekerbt ist. Dadurch wird eine Sollbruchstelle erzeugt, deren Vortei­ le nachfolgend erläutert werden:
  • - Die Unterbrechung wird erleichtert. Die Menge des einge­ setzten Unterbrechungsmaterials kann somit verringert wer­ den.
  • - Die Richtung, in die das abzusprengende Gehäuseeck mögli­ cherweise wegfliegt, kann festgelegt werden. Die Unterbre­ chung ist somit weitestgehend reproduzierbar bzw. eine mög­ liche Gefährdung empfindlicher Teile in der Nähe kann ver­ mieden werden.
Die in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiele sind keines­ falls vollständig. Die Erfindung ist auf alle denkbaren Halb­ leiterbauelemente anwendbar, bei denen bei Erreichen einer kritischen Temperatur der Strom in den stromführenden Leitung unterbrochen werden soll.
Durch die gezielte Wahl der verwendeten Unterbrechungsmate­ rialien und/oder deren Dosierung läßt sich gleichermaßen die kritische Temperatur, bei der das Halbleiterbauelement zer­ stört werden soll, einstellen.

Claims (13)

1. Leistungshalbleiter-Modul mit mindestens einem auf einem Leadframe (2) befestigten und zumindest teilweise von einem Gehäuse (7) umhüllten Leistungshalbleiter-Bauelement (3), das elektrisch leitend verbunden ist mit einer Mehrzahl von Aus­ gangsleitungen (4), und wobei das Leistungshalbleiter-Modul (1) Unterbrechungsmittel (8) aufweist, die für den Fall, daß die Temperatur des Leistungshalbleiter-Bauelementes (3) eine vorgegebene Temperaturschwelle überschreitet, zumindest die laststromführenden Ausgangsleitungen (4a) und/oder die elek­ trisch leitenden Verbindungen (5) zwischen dem Leistungshalb­ leiter-Bauelement (3) und zumindest den laststromführenden Ausgangsleitungen (4a) irreversibel unterbrechen, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der Unterbrechungsmittel (8) bei zunehmender Temperatur eine volumenerweiternde und/oder eine oxidierende und/oder eine explodierende Charakteristik aufweist.
2. Leistungshalbleiter-Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterbrechungsmittel (8) zumindest teilsweise als Be­ standteil in der Pressmasse des Gehäuses (7) enthalten sind.
3. Leistungshalbleiter-Modul nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterbrechungsmittel (8) zumindest teilweise Spreng­ stoff enthalten.
4. Leistungshalbleiter-Modul nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterbrechungsmittel (8) zumindest teilweise Magnesi­ umcarbonat (MgCO3) enthalten.
5. Leistungshalbleiter-Modul nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterbrechungsmittel (8) zumindest teilweise Silber­ bromid enthalten.
6. Leistungshalbleiter-Modul nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterbrechungsmittel (8) im Kunststoffmaterial des Gehäuses (7) enthalten sind, wobei das Kunststoffmaterial bei Erreichen der vorgegebenen Temperaturschwelle eine aufschäu­ mende Charakteristik aufweist.
7. Leistungshalbleiter-Modul nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterbrechungsmittel (8) zumindest teilweise Polyamid 6.6 enthalten.
8. Leistungshalbleiter-Modul nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterbrechungsmittel (8) vom Gehäuse umschlossen wer­ den und zumindest teilweise aus einem annähern idealen Gas bestehen.
9. Leistungshalbleiter-Modul nach einem der Ansprüche 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußleitungen (4, 4a) mit dem Leistungshalblei­ ter-Bauelement (3) durch Bonddrähte (5) verbunden sind.
10. Leistungshalbleiter-Modul nach einem der Ansprüche 2 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Un­ terbrechungsmittel (8) in unmittelbarer Nähe zum Leistungs­ halbleiter-Bauelement (3) angeordnet sind.
11. Leistungshalbleiter-Modul nach einem der Ansprüche 2 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterbrechungsmittel (8) zumindest teilweise in einem Zwischenbereich (9) zwischen dem Leistungshalbleiter- Bauelement (3) und den Ausgangsleitungen (4, 4a) angeordnet sind.
12. Leistungshalbleiter-Modul nach einem der Ansprüche 2 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterbrechungsmittel (8) in unmittelbarer Nähe der Kontaktstelle der Bonddrähte (5) auf den zumindest laststrom­ führenden Ausgangsleitungen (4a) angeordnet sind.
13. Leistungshalbleiter-Modul nach einem der Ansprüche 2 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterbrechungsmittel (8) zumindest teilweise im Mate­ rial der Bonddrähte (5) und/oder im Material der Ausgangslei­ tungen (4) einlegiert sind.
DE19805785A 1998-02-12 1998-02-12 Leistungshalbleiter-Modul mit thermischer Laststromsicherung Expired - Fee Related DE19805785C1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19805785A DE19805785C1 (de) 1998-02-12 1998-02-12 Leistungshalbleiter-Modul mit thermischer Laststromsicherung
EP98123760A EP0936670A2 (de) 1998-02-12 1998-12-14 Leistungshalbleiter-Modul
US09/250,363 US6147396A (en) 1998-02-12 1999-02-12 Power semiconductor module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19805785A DE19805785C1 (de) 1998-02-12 1998-02-12 Leistungshalbleiter-Modul mit thermischer Laststromsicherung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19805785C1 true DE19805785C1 (de) 1999-06-17

Family

ID=7857534

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19805785A Expired - Fee Related DE19805785C1 (de) 1998-02-12 1998-02-12 Leistungshalbleiter-Modul mit thermischer Laststromsicherung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6147396A (de)
EP (1) EP0936670A2 (de)
DE (1) DE19805785C1 (de)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19902073A1 (de) * 1999-01-20 2000-08-10 Bosch Gmbh Robert Elektrischer Leiter mit Zündeinrichtung
EP1075010A2 (de) * 1999-07-31 2001-02-07 Mannesmann VDO Aktiengesellschaft Halbleiterschalter
DE10137666A1 (de) * 2001-08-01 2003-02-27 Infineon Technologies Ag Schutzvorrichtung für Baugruppen und Verfahren zu ihrer Herstellung
US6735065B2 (en) 2001-05-09 2004-05-11 Infineon Technologies Ag Semiconductor module
US7265566B2 (en) 2003-11-21 2007-09-04 Infineon Technologies Ag Semiconductor component arrangement having a temperature-based defect identification
EP1906448A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-02 Delphi Technologies, Inc. Abgesichertes Feldeffekttransistorbauelement
DE102005019875B4 (de) * 2005-04-28 2008-04-30 Airbus Deutschland Gmbh Bohrlehre sowie Bohrvorrichtung
DE102008056145A1 (de) * 2008-11-06 2009-06-10 Daimler Ag Vorrichtung zum Schutz eines Halbleiterelements
DE10334433B4 (de) * 2003-07-28 2009-10-22 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zur Unterbrechung des Stromflusses zu einem oder von einem Halbleiterkörper eines Halbleiterbauelements
US7684165B2 (en) 2004-05-24 2010-03-23 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. Circuit element and method for protecting a load circuit
DE102009047439B4 (de) 2009-12-03 2020-01-02 Robert Bosch Gmbh Bauelement für eine Batterieanordnung mit elektrisch trennbarer Leiterbahn, Batterieanordnung und Betriebsverfahren dafür
WO2020182800A1 (en) * 2019-03-12 2020-09-17 Signify Holding B.V. A holder for snap-fitting a thermal fuse to an electronic component
DE102020213747A1 (de) 2020-11-02 2022-05-05 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Ansteuerung von mindestens zwei Halbleiterbauelementen in Parallelschaltung zur Trennung eines über einem vordefinierten Schwellenwert liegenden elektrischen Stroms

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1282170A1 (de) * 2001-07-30 2003-02-05 Abb Research Ltd. Kurzschlussfestes Leistungshalbleiterbauelement
WO2003100855A1 (de) * 2002-05-24 2003-12-04 Robert Bosch Gmbh Elektrisches bauelement
JP2004281887A (ja) * 2003-03-18 2004-10-07 Himeji Toshiba Ep Corp リードフレーム及びそれを用いた電子部品
DE102004040074B4 (de) * 2004-08-18 2011-06-22 Brose Fahrzeugteile GmbH & Co. Kommanditgesellschaft, Würzburg, 97076 Blockierschutz für einen permantenterregten Elektromotor-Antrieb
DE102006009236A1 (de) * 2006-02-28 2007-09-06 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zur temperaturunterbrechenden Absicherung eines elektrischen Bauelements

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5068706A (en) * 1987-03-11 1991-11-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device with fuse function

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5543632A (en) * 1991-10-24 1996-08-06 International Business Machines Corporation Temperature monitoring pilot transistor
US5444600A (en) * 1992-12-03 1995-08-22 Linear Technology Corporation Lead frame capacitor and capacitively-coupled isolator circuit using the same
WO1998024128A1 (fr) * 1996-11-28 1998-06-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Dispositif a semi-conducteur
US6002166A (en) * 1996-11-28 1999-12-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5068706A (en) * 1987-03-11 1991-11-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device with fuse function

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19902073A1 (de) * 1999-01-20 2000-08-10 Bosch Gmbh Robert Elektrischer Leiter mit Zündeinrichtung
EP1075010A2 (de) * 1999-07-31 2001-02-07 Mannesmann VDO Aktiengesellschaft Halbleiterschalter
EP1075010A3 (de) * 1999-07-31 2002-08-28 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterschalter
DE10122363B4 (de) * 2001-05-09 2007-11-29 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul
US6735065B2 (en) 2001-05-09 2004-05-11 Infineon Technologies Ag Semiconductor module
DE10137666A1 (de) * 2001-08-01 2003-02-27 Infineon Technologies Ag Schutzvorrichtung für Baugruppen und Verfahren zu ihrer Herstellung
US7235873B2 (en) 2001-08-01 2007-06-26 Infineon Technologies Ag Protective device for subassemblies and method for producing a protective device
DE10334433B4 (de) * 2003-07-28 2009-10-22 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zur Unterbrechung des Stromflusses zu einem oder von einem Halbleiterkörper eines Halbleiterbauelements
DE10354443B4 (de) * 2003-11-21 2008-07-31 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelementanordnung mit einer Defekterkennungsschaltung
US7265566B2 (en) 2003-11-21 2007-09-04 Infineon Technologies Ag Semiconductor component arrangement having a temperature-based defect identification
US7684165B2 (en) 2004-05-24 2010-03-23 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. Circuit element and method for protecting a load circuit
DE102004025420B4 (de) * 2004-05-24 2014-05-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Schaltungselement zum Sichern einer Lastschaltung und Chip mit einem derartigen Schaltungselement
DE102005019875B4 (de) * 2005-04-28 2008-04-30 Airbus Deutschland Gmbh Bohrlehre sowie Bohrvorrichtung
EP1906448A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-02 Delphi Technologies, Inc. Abgesichertes Feldeffekttransistorbauelement
DE102008056145A1 (de) * 2008-11-06 2009-06-10 Daimler Ag Vorrichtung zum Schutz eines Halbleiterelements
DE102009047439B4 (de) 2009-12-03 2020-01-02 Robert Bosch Gmbh Bauelement für eine Batterieanordnung mit elektrisch trennbarer Leiterbahn, Batterieanordnung und Betriebsverfahren dafür
WO2020182800A1 (en) * 2019-03-12 2020-09-17 Signify Holding B.V. A holder for snap-fitting a thermal fuse to an electronic component
US11764024B2 (en) 2019-03-12 2023-09-19 Signify Holding B.V. Holder for snap-fitting a thermal fuse to an electronic component
DE102020213747A1 (de) 2020-11-02 2022-05-05 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Ansteuerung von mindestens zwei Halbleiterbauelementen in Parallelschaltung zur Trennung eines über einem vordefinierten Schwellenwert liegenden elektrischen Stroms

Also Published As

Publication number Publication date
US6147396A (en) 2000-11-14
EP0936670A2 (de) 1999-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19805785C1 (de) Leistungshalbleiter-Modul mit thermischer Laststromsicherung
DE3785835T2 (de) Chip-sicherung.
DE10122363B4 (de) Halbleitermodul
EP0484703B1 (de) Elektrische Sicherung
EP2601665B1 (de) Thermische überlastschutzvorrichtung
DE69926947T2 (de) Überstrom-Unterbrechungsvorrichtung
DE3033323A1 (de) Schutzvorrichtung fuer eine halbleitervorrichtung
DE102005024321A1 (de) Absicherungsschaltung
DE102005024347A1 (de) Elektrisches Bauteil mit abgesichertem Stromzuführungsanschluss
DE10137873C1 (de) Elektrokeramisches Bauelement
DE19522126C2 (de) Elektronischer Lastschalter für ein Kraftfahrzeug, beispielsweise Blinkgeber
DE19749896A1 (de) Pyrotechnischer Sicherheitsschalter
EP1075010A2 (de) Halbleiterschalter
DE69702719T2 (de) Elektrische sicherung
DE19747557B4 (de) Hochstrom-Sicherungseinheit
DE10313045B3 (de) Kurzschließeinrichtung für den Einsatz in Nieder- und Mittelspannungsanlagen
DE2724269A1 (de) Ueberlastungssichere schaltung zur leistungsabstufung elektrischer geblaeseantriebe
EP3087579B1 (de) Schmelzleiter, schmelzsicherung, verfahren zum herstellen einer schmelzsicherung, smd-sicherung und smd-schaltung
EP0931321B1 (de) Kontaktgruppe mit einem kaltleiter
DE102016219771B4 (de) Elektronische Baugruppe mit einer Anordnung zur Strombegrenzung und Verwendung einer solchen elektronischen Baugruppe in einem Kraftfahrzeug
EP1308978B1 (de) Sicherungsgehäuse
DE19827374C2 (de) Sicherungselement für elektrische Anlagen
DE19910911C2 (de) Stromunterbrechungsvorrichtung für ein Fahrzeug
DE10148863B4 (de) Elektronisches Gerät
EP1547113B1 (de) Mittels lichtbogen selbst-konfigurierendes bauelement

Legal Events

Date Code Title Description
8100 Publication of patent without earlier publication of application
D1 Grant (no unexamined application published) patent law 81
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee