DE19745945A1 - Verfahren und Anordnung zur optischen Probenuntersuchung - Google Patents
Verfahren und Anordnung zur optischen ProbenuntersuchungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur optischen Pro
benuntersuchung, bei welchem eine reflektierende Proben
fläche mit monochromatischem, polarisiertem Licht beauf
schlagt wird, die Intensität des von der Probenfläche
unter Änderung des Polarisationszustandes geometrisch
reflektierten Lichts über mindestens einen einem Analy
sator nachgeordneten Photodetektor erfaßt wird, und aus
der erfaßten Lichtintensität in einer Auswerteeinheit
eine zu untersuchende Probeneigenschaft bestimmt wird.
Die Erfindung betrifft weiter eine Anordnung zur opti
schen Probenuntersuchung, mit einer monochromatisches,
polarisiertes Licht erzeugenden, auf eine reflektierende
Probenfläche eines Substrats ausrichtbaren Lichtquelle,
einem im Strahlengang des von der Probenfläche unter Än
derung des Polarisationszustandes geometrisch reflek
tierten Lichts angeordneten Analysator, einem dem Analy
sator nachgeordneten Photodetektor zur Erfassung der In
tensität des reflektierten Lichts und einer Auswerteein
heit zur Bestimmung einer zu untersuchenden Probeneigen
schaft aus der erfaßten Lichtintensität.
Verfahren und Anordnungen dieser Art werden vor allem in
der analytischen Chemie und medizinischen Diagnostik zur
Analyse von Proben eingesetzt, welche eine den Polarisa
tionszustand des eingestrahlten Lichts verändernde Pro
beneigenschaft aufweisen. Bei einem bekannten Verfahren
der gattungsgemäßen Art wird elliptisch polarisiertes
Meßlicht unter einem vorgegebenen Einfallswinkel einge
strahlt und die an der Probenfläche geänderte Elliptizi
tät als Maß für eine charakteristische Oberflächeneigen
schaft in absoluten Meßgrößen bestimmt. Hierfür ist es
erforderlich, die Stellung eines Polarisators und des
Analysators im Strahlengang des Meßlichts bei jeder Ein
zelmessung zu variieren, um die Phasendifferenz und das
Amplitudenverhältnis der Polarisationskomponenten zu be
stimmen.
Ausgehend hiervon liegt der Erfindung die Aufgabe zu
grunde, ein vereinfachtes optisches Meßverfahren und ei
ne entsprechende Meßanordnung der eingangs genannten Art
anzugeben, womit insbesondere in automatisch arbeitenden
Meßgeräten Probeneigenschaften einer Probenfläche wie
Beschichtungsart- und Stärke, Spannungen, Rauhigkeit und
dergleichen charakteristische Größen, die sich auf das
Reflexionsvermögen im Sinne einer Polarisationsänderung
auswirken, durch optische Detektion schnell erfaßbar
sind.
Diese Aufgabe wird nach der Erfindung durch die in den
Patentansprüchen 1 und 12 angegebenen Merkmalskombina
tionen gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiter
bildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen
Ansprüchen.
Die Erfindung geht von dem Gedanken aus, daß die Polari
sationsänderung des reflektierten Lichts vom Einfalls
winkel abhängt, und daß ,die Probeneigenschaft durch eine
Relativmessung des Einfallswinkels des mit minimaler In
tensität transmittierten Lichts erfaßbar ist. Um dies zu
ermöglichen, wird in verfahrensmäßiger Hinsicht vorge
schlagen, daß in einer Vergleichsmessung die Probenflä
che in einem Referenzzustand und einem bezüglich der
Probeneigenschaft zu untersuchenden Testzustand jeweils
mit Lichtstrahlen unter verschiedenen Einfallswinkeln
beaufschlagt und die Intensität des reflektierten Lichts
in Abhängigkeit vom Einfallswinkel erfaßt wird, und daß
die hhaProbeneigenschaft aus der Änderung des zugehöri
gen Einfallswinkels eines Minimums der Lichtintensität
bestimmt wird. Damit läßt sich die Meßgröße ohne Verän
derung von Meßparametern während des eigentlichen Meßab
laufs schnell erfassen.
Gemäß einer besonders bevorzugten Ausgestaltung der Er
findung wird das einfallende Licht als Strahlenbündel
fokussiert und das reflektierte Strahlenbündel durch ei
ne Mehrzahl von im Abstand voneinander angeordneten,
verschiedenen Einfallswinkeln zugeordneten Photodetekto
ren simultan winkelabhängig erfaßt. Hierbei kann das
einfallende Licht in einer Einfallsebene auf einen vor,
auf oder hinter der Probenfläche liegenden Brennpunkt
fokussiert werden, um entsprechend dem Öffnungswinkel
des Strahlenbündels einen Einfallswinkelbereich abzudec
ken.
Vorteilhafterweise werden die Photodetektoren in linea
rer Anordnung in der Einfallsebene quer zur optischen
Achse des reflektierten Strahlenbündels ausgerichtet, so
daß jedem Einzeldetektor bei fortlaufender Numerierung
innerhalb der Detektoranordnung ein definierter Ein
fallswinkel bzw. Einfallswinkelbereich zugeordnet werden
kann. Hierbei ist es zur Erhöhung der Winkelauflösung
von Vorteil, wenn das reflektierte Licht an den Fotode
tektoren als divergentes Strahlenbündel erfaßt wird.
Um den Meßaufbau hinsichtlich der Erzeugung von polari
siertem Licht zu vereinfachen, ist es günstig, wenn die
Probenflächen mit linear polarisierten Licht beauf
schlagt wird, wobei das auffallende Licht an der Proben
fläche elliptisch polarisiert reflektiert wird.
Zur gleichzeitigen Untersuchung verschiedener Proben
bzw. Probenflächenbereiche kann die Probenfläche mit ei
nem keilförmig räumlich ausgedehnten, linien- oder
streifenförmig auffallenden Lichtbündel beaufschlagt
werden, wobei das reflektierte Licht mittels einer Viel
zahl über eine Empfangsfläche verteilt angeordneter Pho
todetektoren simultan winkelaufgelöst und bezüglich der
Probenflächenbereiche ortsaufgelöst erfaßt wird.
Zur Standardisierung der Messung insbesondere für Auto
matisierungszwecke kann durch Kalibriermessungen eine
funktionelle Abhängigkeit der Probeneigenschaft von der
Änderung des Einfallswinkels des Intensitätsminimums als
Kalibrierfunktion ermittelt werden, so daß sich bei der
Vergleichsmessung die Probeneigenschaft aus der Ein
fallswinkeländerung des Intensitätsminimums als zugeord
neter Wert der Kalibrierfunktion bestimmen läßt.
Um Winkelabhängigkeiten der Lichtintensität, die nicht
auf die Reflexionspolarisation zurückzuführen sind, zu
eliminieren, kann durch eine Korrekturmessung ohne Ana
lysator im Strahlengang des reflektierten Lichts eine
Korrekturfunktion der Lichtintensität in Abhängigkeit
vom Einfallswinkel ermittelt werden, mittels welcher die
bei vorhandenem Analysator erfaßte Lichtintensität ge
wichtet wird.
Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Er
findung wird die Polarisationsart, die Polarisations
richtung, der mittlere Einfallswinkel und/oder Einfalls
winkelbereich des einfallenden Lichtes und/oder die
Schwingungsebene des Analysators und/oder die Lichtwel
lenlänge so eingestellt, daß eine maximale Winkelände
rung des Intensitätsminimums und damit ein gut beobacht
barer Meßeffekt bei der Vergleichsmessung auftritt.
Eine vorteilhafte Anwendungsmöglichkeit der erfindungs
gemäßen optischen Probenuntersuchung sieht vor, daß ein
Probenmaterial unter Ablagerung eines darin enthaltenen
Analyten auf ein Substrat aufgebracht wird, und daß an
der so gebildeten Probenfläche die Konzentration des
Analyten in dem Probenmaterial als zu untersuchende Pro
beneigenschaft bestimmt wird.
Um ein breites Probenspektrum einer Analyse zugänglich
zu machen, ist es von Vorteil, wenn das zur Reflexions
polarisation aus einem Metall, Halbleiter oder Isolator
bestehende Substrat mit einer zur spezifischen Anlage
rung eines Analyten ausgebildeten Rezeptorschicht verse
hen wird.
Im Hinblick auf eine Meßanordnung wird zur Lösung der
eingangs genannten Aufgabe vorgeschlagen, daß die Licht
quelle zur Erzeugung von unter verschiedenen Einfalls
winkeln auf die Probenfläche auffallenden Lichtstrahlen
ausgebildet ist, und mittels des Photodetektors die
Lichtintensität in Abhängigkeit vom Einfallswinkel er
faßbar ist. Eine solche Meßanordnung ist vor allem zur
Durchführung des erfindungsgemäßen Meßverfahrens geeig
net
Um monochromatisches Meßlicht zu erzeugen, kann die Lichtquelle einem Laser, vorzugsweise einen Halbleiter laser oder eine Leuchtdiode aufweisen. Des weiteren kann die Lichtquelle zur Erzeugung eines in einer Einfall sebene auf einen vor, auf oder hinter der Probenfläche liegenden Brennpunkt fokussierten Strahlenbündels eine Sammellinse aufweisen.
Um monochromatisches Meßlicht zu erzeugen, kann die Lichtquelle einem Laser, vorzugsweise einen Halbleiter laser oder eine Leuchtdiode aufweisen. Des weiteren kann die Lichtquelle zur Erzeugung eines in einer Einfall sebene auf einen vor, auf oder hinter der Probenfläche liegenden Brennpunkt fokussierten Strahlenbündels eine Sammellinse aufweisen.
Um einen ausgedehnten Probenflächenbereich streifen-
oder linienförmig abzutasten, kann die Sammellinse als
Zylinderlinse ausgebildet sein.
Zur linearen Polarisierung des Meßlichts in einer vorge
gebenen Schwingungsebene umfaßt die Lichtquelle vorteil
hafterweise einen Polarisator.
Weiter ist es von Vorteil, wenn der Photodetektor zur
simultanen winkelabhängigen Erfassung des in einer Ein
fallsebene oder einem Bereich von Einfallsebenen reflek
tierten Strahlenbündels als ein- oder zweidimensionaler
CCD-Sensor oder Photodiodenarray ausgebildet ist.
Zur digitalen Verarbeitung der Ausgangssignale des Pho
todetektors kann die Auswerteeinheit einen über einen
Analog/Digital-Umsetzer mit dem Photodetektor gekoppel
ten Rechner aufweisen. Dabei ist es vorgesehen, daß die
Auswerteeinheit eine Programmroutine zur Bestimmung der
Probeneigenschaft aus der Änderung des zugehörigen Ein
fallswinkels eines Intensitätsminimums des reflektierten
Lichts aufweist.
Im folgenden wird die Erfindung anhand der in der Zeich
nung in schematischer Weise dargestellten Ausführungs
beispiele näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Schema einer Meßanordnung zur optischen Un
tersuchung einer Probenfläche;
fig. 2 eine alternative Ausführungsform der Anordnung nach Fig. 1 in einer ausschnittsweisen perspekti vischen Darstellung;
fig. 2 eine alternative Ausführungsform der Anordnung nach Fig. 1 in einer ausschnittsweisen perspekti vischen Darstellung;
Fig. 3 ein Meßdiagramm der mit der erfindungsgemäßen
Meßanordnung erfaßten Lichtintensität in Abhän
gigkeit vom Einfallswinkel;
Fig. 4 ein Diagramm einer Vergleichsmessung der Lichtin
tensität in Abhängigkeit von der fortlaufenden
Detektorzahl eines eindimensionalen Detektorar
rays der Meßanordnung; und
Fig. 5 eine Referenzkurve der Probenkonzentration in Ab
hängigkeit von der Winkeländerung des Intensi
tätsminimums.
Die in der Zeichnung dargestellte Meßanordnung dient zur
optischen Probenanalyse und besteht im wesentlichen aus
einer auf eine reflektierende Probenfläche 10 eines
Substrats 12 ausgerichteten Lichtquelle 14, einem im
Strahlengang des von der Probenfläche 10 reflektierten
Lichts angeordneten Analysator 14, einem dem Analysator
nachgeordneten Photodetektor 18 und einer über einen
Analog-Digitalwandler 20 mit dem Photodetektor 18 ver
bundenen Auswerteeinheit 22.
Die Lichtquelle 14 weist zur Erzeugung von monochromati
schem, linear polarisiertem Licht einen Laser 24 und ei
nen Polarisator 26 auf. Um das von dem Laser 24 abge
strahlte Parallelstrahlenbündel 28 als konvergentes
Strahlenbündel 30 auf die Probenfläche 10 zu lenken, um
faßt die Lichtquelle 14 bei dem in Fig. 1 gezeigten Aus
führungsbeispiel eine sphärische Sammellinse 32. Diese
ist mit ihrer Zentralachse schräg gegenüber der planaren
Probenfläche 10 ausgerichtet, so daß die in dem einfal
lenden Strahlenbündel 30 enthaltenen Lichtstrahlen in
der gezeigten Einfallsebene unter verschiedenen Ein
fallswinkeln α gegenüber dem Einfallslot 34 auf die Pro
benfläche auffallen. Hierfür kann der Brennpunkt der
Sammellinse 32 auch vor oder hinter der Probenfläche 10
liegen.
Das nach dem Reflexionsgesetz - einfallender und reflek
tierter Strahl bilden mit dem Einfallslot gleiche Winkel
o' - geometrisch reflektierte Strahlenbündel 36 läßt sich
dann nach dem Durchgang durch den Analysator 16 mittels
des Photodetektors 18 zweckmäßig als divergentes Bündel
simultan winkelaufgelöst erfassen. Zu diesem Zweck weist
der Photodetektor 18 eine Vielzahl von beispielsweise
als Photodioden ausgebildete Einzeldetektoren 38 auf,
die in linearer bzw. eindimensionaler Anordnung quer zur
optischen Achse des Strahlenbündels 36 orientiert sind.
Die Ausgangssignale der Einzeldetektoren 38, die ent
sprechend deren Abfolge mit fortlaufender Detektorzahl n
den zugehörigen Einfallswinkeln α zugeordnet werden,
lassen sich über den Analog/Digital-Umsetzer 20 als di
gitale Intensitätswerte in die beispielsweise durch ei
nen Personalcomputer gebildete Auswerteeinheit 22 ein
speisen und zur Bestimmung einer zu untersuchenden Pro
beneigenschaft weiter verarbeiten.
Bei dem in Fig. 2 gezeigten Ausführungsbeispiel ist es
vorgesehen, unterschiedliche Probenbereiche 40 der Pro
benfläche 10 gleichzeitig abzutasten. Hierzu wird ein
über eine nicht gezeigte Strahlungseinheit erzeugtes
Parallelstrahlenbündel 28 mit rechteckigem Querschnitt
über eine Zylinderlinse 42 als keilförmiges Bündel 30
auf einen linien- oder streifenförmigen Meßbereich der
Probenfläche 10 fokussiert und das reflektierte Strah
lenbündel 36 nach dem Durchgang durch den Analysator 16
an der Empfangsfläche eines als CCD-Sensor 44 ausgebil
deten Photodetektors 18 zweidimensional pixelweise er
faßt. Die nicht dargestellten Sensorzellen lassen sich
dabei zeilenweise den Probenbereichen 40 und spaltenwei
se den Einfallswinkeln α zuordnen.
Als Substrat 12 kann ein Siliciumwaver eingesetzt wer
den, der in bekannter Weise dazu ausgebildet ist, einen
Analyten, d. h. eine nachzuweisende Substanz (beispiels
weise Biomoleküle) als Schicht 46 spezifisch anzulagern.
Das Nachweisprinzip beruht darauf, daß die so gebildete
Probenfläche 10 "optisch aktiv" ist in dem Sinne, daß
der Polarisationszustand des einfallenden Lichts bei der
Reflexion geändert wird. Speziell wird das linear pola
risierte einfallende Strahlenbündel 30 durch Halbleiter
reflexion elliptisch polarisiert. Die Elliptizität des
reflektierten Strahlenbündels 36 hängt dabei von ver
schiedenen Meßparametern ab, insbesondere der Wellenlän
ge, der Polarisationsrichtung bzw. Schwingungsebene und
dem Einfallswinkel der einfallenden Strahlen. Durch den
Polarisationsnachweis mittels des Analysators 16 ergibt
sich somit in der am Photodetektor 18 winkelabhängig er
faßten Lichtintensität I bei gegebenem Zustand der Pro
benfläche 10 ein Minimum Im bei einem definierten Ein
fallswinkel αm (Fig. 3) . Zur Kompensation intrinsischer,
vom Polarisationszustand unabhängiger Winkelabhängigkei
ten kann in einer Korrekturmessung ohne Verwendung eines
Analysators eine Korrekturfunktion der Lichtintensität
ermittelt werden, mit der sich die bei nachfolgenden Un
tersuchungen erfaßte Lichtintensität durch eine geeigne
te Verknüpfung, beispielsweise durch Division winkelab
hängig gewichten läßt.
Um in einer Analyse einen Analyten in einer Flüssigprobe
nachzuweisen, wird diese auf das Substrat 12 bzw. eine
darauf befindliche Rezeptorschicht zeitweise aufge
bracht, wobei der Analyt in Abhängigkeit von seiner Kon
zentration eine Schicht 46 definierter Dicke ausbildet.
Diese zusätzliche Schicht führt als optisch nachweisbare
Probeneigenschaft zu einer entsprechenden Änderung des
zugehörigen Einfallswinkels αm des Intensitätsminimums
Im, so daß sich die Schichtdicke d und damit die Konzen
tration des Analyten durch eine Vergleichsmessung be
stimmen läßt. Hierbei wird für einen unbeschichteten Re
ferenzzustand (durchgezogene Kurve in Fig. 4) und einen
beschichteten Testzustand (gestrichelte Kurve in Fig. 4)
durch eine Programmroutine der Auswerteeinheit 22 die
Winkeländerung des Intensitätsminimums als Differenz der
Detektorzahl (ΔAn = j-i) ermittelt und ein entsprechender
Konzentrationswert zugeordnet. Die Zuordnung kann wie
aus Fig. 5 ersichtlich dadurch erfolgen, daß durch Kali
briermessungen und Interpolation der Meßwerte oder Kur
venanpassung ein funktioneller Zusammenhang zwischen der
Winkeländerung Δn und der Probenkonzentration C als Ka
librierfunktion ermittelt wird, und daß bei Tests von
Proben unbekannter Konzentration aus der Winkeländerung
An des Intensitätsminimums der zugeordnete Funktionswert
der Kalibrierfunktion als Meßergebnis bestimmt wird. Zur
Erhöhung der Meßempfindlichkeit können für eine gegebene
Probenart die probenunabhängigen Meßparameter so einge
stellt werden, daß eine maximale Winkeländerung Δn auf
tritt.
Das vorstehend beschriebene Meßprinzip ist nicht auf
Konzentrationsbestimmungen beschränkt. Vielmehr lassen
sich in der erfindungsgemäßen Weise auch weitere charak
teristische Oberflächengrößen und Materialeigenschaften
untersuchen, sofern sich diese auf den Polarisationszu
stand des Meßlichts auswirken.
Zusammenfassend ist folgendes festzuhalten: Die Erfin
dung betrifft ein Verfahren und eine Anordnung zur opti
schen Probenuntersuchung. Eine reflektierende Probenflä
che 10 wird mittels einer Lichtquelle 14 mit polarisier
tem Licht beaufschlagt und das unter Änderung des Pola
risationszustandes geometrisch reflektierte Licht über
einen einem Analysator 16 nachgeordneten Photodetektor
18 erfaßt. Zur Bestimmung einer den Polarisationszustand
beeinflussenden Probeneigenschaft wird die Probenfläche
10 mit einem konvergenten Strahlenbündel 30 beaufschlagt
und die Intensität des reflektierten Strahlenbündels 36
winkelabhängig erfaßt. Die Probeneigenschaft läßt sich
damit durch eine Vergleichsmessung aus der Änderung des
zugehörigen Einfallswinkels eines Minimums der erfaßten
Lichtintensität bestimmen.
Claims (19)
1. Verfahren zur optischen Probenuntersuchung, bei
welchem eine reflektierende Probenfläche (10) mit
monochromatischem, polarisiertem Licht beauf
schlagt wird, die Intensität des von der Proben
fläche (10) unter Änderung des Polarisationszu
standes geometrisch reflektierten Lichts über min
destens einen einem Analysator (16) nachgeordneten
Photodetektor (18) erfaßt wird, und aus der erfaß
ten Lichtintensität in einer Auswerteeinheit (22)
eine zu untersuchende Probeneigenschaft bestimmt
wird, dadurch gekennzeichnet, daß in einer Ver
gleichsmessung die Probenfläche (10) in einem Re
ferenz- und Testzustand jeweils mit Lichtstrahlen
(30) unter verschiedenen Einfallswinkeln beauf
schlagt und die Intensität des reflektierten
Lichts (36) in Abhängigkeit vom Einfallswinkel er
faßt wird, und die Probeneigenschaft aus der Ände
rung des zugehörigen Einfallswinkels eines Mini
mums der Lichtintensität bestimmt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das einfallende Licht als Strahlenbündel (30)
in einer Einfallsebene auf einen vor, auf oder
hinter der Probenfläche (10) liegenden Brennpunkt
fokussiert wird, und das reflektierte Strahlenbün
del (36) über eine Mehrzahl von im Abstand vonein
ander angeordneten, verschiedenen Einfallswinkeln
zugeordneten Photodetektoren (18; 38, 44) simultan
winkelabhängig erfaßt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Photodetektoren (18;38,44) in linearer An
ordnung in der Einfallsebene quer zur optischen
Achse des reflektierten Strahlenbündels (36) aus
gerichtet werden.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß das reflektierte Licht an den Photo
detektoren als divergentes Strahlenbündel (36) er
faßt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, da
durch gekennzeichnet, daß die Probenfläche (10)
mit linear polarisiertem Licht (30) beaufschlagt
wird, und das auffallende Licht an der Probenflä
che (10) elliptisch polarisiert reflektiert wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, da
durch gekennzeichnet, daß die Probenfläche (10)
mit einem keilförmig räumlich ausgedehnten Licht
bündel (30) beaufschlagt wird, und das reflektier
te Licht (36) mittels einer Vielzahl über eine
Empfangsfläche verteilt angeordneter Photodetekto
ren (44) simultan erfaßt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, da
durch gekennzeichnet, daß durch Kalibriermessungen
eine funktionelle Abhängigkeit der Probeneigen
schaft von der Änderung des Einfallswinkels des
Intensitätsminimums als Kalibrierfunktion ermit
telt wird, und bei der Vergleichsmessung die Pro
beneigenschaft aus der Einfallswinkeländerung des
Intensitätsminimums als zugeordneter Wert der Ka
librierfunktion bestimmt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, da
durch gekennzeichnet, daß durch eine Korrekturmes
sung ohne Analysator (16) im Strahlengang des re
flektierten Lichts eine Korrekturfunktion der
Lichtintensität in Abhängigkeit vom Einfallswinkel
ermittelt wird, und die bei vorhandenem Analysator
(16) erfaßte Lichtintensität mit der Korrektur
funktion gewichtet wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, da
durch gekennzeichnet, daß die Polarisationsart,
die Polarisationsrichtung, der mittlere Einfalls
winkel und/oder Einfallswinkelbereich des einfal
lenden Lichtes (30) und/oder die Schwingungsebene
des Analysators (16) und/oder die Lichtwellenlänge
so eingestellt werden, daß eine maximale Winkelän
derung des Intensitätsminimums bei der Vergleichs
messung auftritt.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, da
durch gekennzeichnet, daß ein Probenmaterial unter
Ablagerung eines darin enthaltenen Analyten auf
ein Substrat (12) aufgebracht wird, und an der so
gebildeten Probenfläche (10) die Konzentration des
Analyten in dem Probenmaterial als zu untersuchen
de Probeneigenschaft bestimmt wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, da
durch gekennzeichnet, daß das aus einem Metall,
Halbleiter oder Isolator bestehende Substrat (12)
mit einer zur spezifischen Anlagerung eines Analy
ten ausgebildeten Rezeptorschicht versehen wird.
12. Anordnung zur optischen Probenuntersuchung, mit
einer monochromatisches, polarisiertes Licht er
zeugenden, auf eine reflektierende Probenfläche
(10) ausrichtbaren Lichtquelle (14), einem im
Strahlengang des von der Probenfläche (10) unter
Änderung des Polarisationszustandes geometrisch
reflektierten Lichts angeordneten Analysator (16),
einem dem Analysator (16) nachgeordneten Photode
tektor (18) zur Erfassung der Intensität des re
flektierten Lichts und einer Auswerteeinheit (22)
zur Bestimmung einer zu untersuchenden Probenei
genschaft aus der erfaßten Lichtintensität, da
durch gekennzeichnet, daß die Lichtquelle (14) zur
Erzeugung von unter verschiedenen Einfallswinkeln
auf die Probenfläche (10) auffallenden Lichtstrah
len ausgebildet ist, und mittels des Photodetek
tors (18) die Lichtintensität in Abhängigkeit vom
Einfallswinkel erfaßbar ist.
13. Anordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeich
net, daß die Lichtquelle (14) einen Laser (24),
vorzugsweise einen Halbleiterlaser oder eine
Leuchtdiode aufweist.
14. Anordnung nach Anspruch 12 oder 13, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Lichtquelle (14) eine Sam
mellinse (32,42) zur Erzeugung eines in einer Ein
fallsebene auf einen vor, auf oder hinter der Pro
benfläche (10) liegenden Brennpunkt fokussierten
einfallenden Strahlenbündels (30) aufweist.
15. Anordnung nach einem der Ansprüche 12 bis 14, da
durch gekennzeichnet, daß die Lichtquelle (14) ei
ne als Zylinderlinse (42) ausgebildete Sammellinse
aufweist.
16. Anordnung nach einem der Ansprüche 12 bis 15, da
durch gekennzeichnet, daß die Lichtquelle (14) ei
nen Polarisator (26) zur linearen Polarisierung
des Lichts in einer vorgegebenen Schwingungsebene
aufweist.
17. Anordnung nach einem der Ansprüche 12 bis 16, da
durch gekennzeichnet, daß der Photodetektor (18)
zur simultanen winkelabhängigen Erfassung des re
flektierten Strahlenbündels (36) als ein- oder
zweidimensionaler CCD-Sensor (44) oder Photo
diodenarray (38) ausgebildet ist.
18. Anordnung nach einem der Ansprüche 12 bis 17, da
durch gekennzeichnet, daß die Auswerteeinheit (22)
einen über einen Analog/Digital-Umsetzer (20) mit
dem Photodetektor (18) gekoppelten Rechner auf
weist.
19. Anordnung nach einem der Ansprüche 12 bis 18, da
durch gekennzeichnet, daß die Auswerteeinheit (22)
eine Programmroutine zur Bestimmung der Probenei
genschaft aus der Änderung des zugehörigen Ein
fallswinkels eines Intensitätsminimums des reflek
tierten Lichts aufweist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19745945A DE19745945A1 (de) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | Verfahren und Anordnung zur optischen Probenuntersuchung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19745945A DE19745945A1 (de) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | Verfahren und Anordnung zur optischen Probenuntersuchung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19745945A1 true DE19745945A1 (de) | 1999-04-22 |
Family
ID=7845857
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19745945A Ceased DE19745945A1 (de) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | Verfahren und Anordnung zur optischen Probenuntersuchung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19745945A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109444082A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-03-08 | 天津九光科技发展有限责任公司 | 漫反射光谱测量装置及测量方法 |
CN109444082B (zh) * | 2018-12-21 | 2024-06-07 | 天津九光科技发展有限责任公司 | 漫反射光谱测量装置及测量方法 |
-
1997
- 1997-10-17 DE DE19745945A patent/DE19745945A1/de not_active Ceased
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109444082A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-03-08 | 天津九光科技发展有限责任公司 | 漫反射光谱测量装置及测量方法 |
CN109444082B (zh) * | 2018-12-21 | 2024-06-07 | 天津九光科技发展有限责任公司 | 漫反射光谱测量装置及测量方法 |
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8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8131 | Rejection |