DE19740701C2 - Halbleiterbauelementanordnung mit einem ein Hilfselement aufweisenden Bauelement in VSMP-Bauform - Google Patents

Halbleiterbauelementanordnung mit einem ein Hilfselement aufweisenden Bauelement in VSMP-Bauform

Info

Publication number
DE19740701C2
DE19740701C2 DE19740701A DE19740701A DE19740701C2 DE 19740701 C2 DE19740701 C2 DE 19740701C2 DE 19740701 A DE19740701 A DE 19740701A DE 19740701 A DE19740701 A DE 19740701A DE 19740701 C2 DE19740701 C2 DE 19740701C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
auxiliary element
semiconductor component
housing
receptacle
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19740701A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19740701A1 (de
Inventor
Jens Pohl
Simon Muff
Michael Schneider
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19740701A priority Critical patent/DE19740701C2/de
Priority to US09/154,484 priority patent/US6104615A/en
Publication of DE19740701A1 publication Critical patent/DE19740701A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19740701C2 publication Critical patent/DE19740701C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/301Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor by means of a mounting structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/105Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1017All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support
    • H01L2225/1029All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support the support being a lead frame
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1047Details of electrical connections between containers
    • H01L2225/1064Electrical connections provided on a side surface of one or more of the containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1047Details of electrical connections between containers
    • H01L2225/107Indirect electrical connections, e.g. via an interposer, a flexible substrate, using TAB
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleiterbauelementanordnung mit einem ein Hilfselement aufweisenden Bauelement in VSMP- Bauform gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
In jüngster Zeit wurden für die immer leistungsfähigeren Halbleiterbauelemente eine Vielzahl neuer Gehäusebauformen entwickelt. Eine davon ist die sogenannte VSMP (Vertical Sur­ face Mount Package)-Bauform, die beispielsweise aus der JP-6-291 233 A und der EP 0 682 366 hervorgeht. Diese wurde bisher insbesondere für neue Hochleistungsspeicherbausteine vorge­ schlagen. Bei dieser Bauform sind die Anschlüsse nur auf ei­ ner Schmalseite des Gehäuses herausgeführt, wobei das Gehäuse senkrecht stehend auf einer Leiterplatte angeordnet wird. Da­ bei werden die Anschlüsse bzw. Leads jeweils abwechselnd zu einer Seite weggeführt, um den Abstand zwischen zwei Leads auf einer Seite zu erhöhen. In der Regel ist der Abstand zwi­ schen den Leads jedoch bei dieser Form so gering, daß sich bei der Montage auf der Leiterplatte beim Positionieren und/oder beim Löten in dieser Position Probleme ergeben. Die­ se werden zudem durch die vertikale Anordnung des Bauelemen­ tes verstärkt.
In diesem Zusammenhang geht aus der EP 0 682 366 eine Halb­ leiterbauelementanordnung hervor, bei der das senkrecht ste­ hende Gehäuse an seiner der Leiterplatte zugewandten Schmal­ seite Ausrichtstifte aufweist, die mit leiterplattenseitigen Aufnahmen kooperieren. Die Aufnahmen sind von Durchgangsboh­ rungen in der Leiterplatte gebildet. Wenn die Ausrichtstifte in die jeweils zugeordnete Durchgangsbohrung eingeführt sind, werden damit die Leads in bezug auf die Leiterplatte vorposi­ tioniert. Das Einfädeln und das Überwachen der korrekten Ko­ operation zwischen den Ausrichtstiften und den Durchgangsboh­ rungen ist relativ schwierig.
Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, eine Halblei­ terbauelementanordnung vorzusehen, das sich leicht mit mög­ lichst geringem Aufwand auf der Leiterplatte anordnen läßt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den im Patentanspruch 1 angegebenen Maßnahmen gelöst. Dadurch, daß zumindest an ei­ ner Schmalseite des Gehäuses ein elektrisch und/oder wärme­ leitendes Hilfselement aus dem Gehäuse herausgeführt ist, bietet sich dieses als Positionierhilfe bei der Montage auf der Leiterplatte an, wobei ein derartiges Hilfselement, wenn es in einer Halbleiterbauelementanordnung in einer Aufnahme aufgenommen ist, bei elektrischer Leitfähigkeit abschirmende und/oder bei Wärmeleitfähigkeit wärmeleitende Eigenschaften aufweist.
Eine zusätzliche Positionierhilfe ergibt sich dabei durch ein zweites Hilfselement. Ist ein solches Hilfselement innerhalb des Gehäuses derart ausgebildet, daß es den Halbleiterchip weitgehend umgibt, kann das Hilfselement zur Ableitung von Wärme verwendet werden, wobei dann, wenn das Hilfselement elektrisch leitend ausgebildet ist, in einem solchen Fall ei­ ne derartige Ausgestaltung der elektromagnetischen Abschir­ mung dient. Sind dabei zwei Hilfselemente vorgesehen, so kann der jeweilige Anteil, der den Halbleiterchip umgibt aufge­ teilt werden. Ist weiterhin eines der Hilfselemente mit einer elektrisch leitenden Fläche verbunden, auf der die Kontakt­ pads angeordnet sind, oder die der Fläche, auf der die Kon­ taktpads angeordnet sind, gegenübersteht, so ist eine ab­ schirmende Wirkung auch in Richtung senkrecht zu diesen Flä­ chen bei elektrisch leitender Ausführung der Hilfselemente gegeben. Diese Funktion ist jedoch nur dann wirkungsvoll aus­ führbar, wenn in einer Halbleiterbauelementanordnung die Auf­ nahme für das Hilfselement ebenfalls elektrisch leitend aus­ geführt ist. Schließlich zeigt es sich als vorteilhaft, wenn zur besseren Wärmeabfuhr die Aufnahme mit einer zusätzlichen Wärmesenke ausgebildet ist.
Nachfolgend wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 ein Halbleiterbauelement in VSMP-Bauform zusammen mit einer Aufnahme,
Fig. 2 ein Halbleiterbauelement, das in die Aufnahme ein­ gesteckt ist, in einer Draufsicht,
Fig. 3 eine erfindungsgemäße Halbleiterbauelementanordnung mit mehreren Halbleiterbauelementen auf einer Lei­ terplatte,
Fig. 4 ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement in einer erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementanordnung im Schnitt und
Fig. 5 ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Halbleiter­ bauelements in einer erfindungsgemäßen Halbleiter­ bauelementanordnung im Schnitt.
Fig. 1 zeigt ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement 1, das in VSMP-Bauform ausgebildet ist. An einer nach unten ge­ richteten Schmalseite des Bauelementegehäuses bzw. Gehäuses 1 sind Anschlußelemente bzw. Leads 8 dargestellt, die der elek­ trischen Kontaktierung eines im Gehäuse angeordneten Halblei­ terchips mit Leiterbahnen auf einer Leiterplatte dienen. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel, sind an Schmalseiten 12, die im rechten Winkel zu der Schmalseite 13 stehen, aus der die Leads 8 herausgeführt sind, Hilfselemente 2 in Form von Plättchen aus dem Gehäuse 1 herausgeführt. Dabei ist es jedoch nicht zwingend notwendig, daß die Schmalseiten, aus denen die Hilfselemente 2 herausgeführt sind, zur ersten Schmalseite 13 senkrecht stehen. Genauso gut könnten diese Schmalseiten auch in einem Winkel zur ersten Schmalseite an­ geordnet sein. Ebenso ist es möglich, daß das Hilfselement 2 auf der der ersten Schmalseite 13 gegenüberliegenden Seite herausgeführt ist. In dem in Fig. 1 dargestellten Ausfüh­ rungsbeispiel sind zwei Hilfselemente vorgesehen, die an ge­ genüberliegenden Schmalseiten aus dem Gehäuse 1 herausgeführt sind. Neben dem Gehäuse 1 ist eine Aufnahme 4 dargestellt, in der Schlitze 5 vorgesehen sind, um ein derartiges Hilfsele­ ment 2 aufzunehmen.
Gemäß Fig. 2 ist in vergrößerter Draufsicht das Halbleiter­ bauelement gemäß Fig. 1 dargestellt, wie es in der Aufnahme 4 eingesteckt ist. Dabei weist der Schlitz 5 der Aufnahme 4 Kontakte 3 auf, die gegen das dargestellte Hilfselement 2 drücken.
Weiterhin ist gemäß Fig. 2 die Anordnung der Leads 8 darge­ stellt, die seitlich vom Gehäuse 1 abwechselnd weggeführt sind.
In Fig. 3 ist eine Anordnung mit mehreren Halbleiterbauele­ menten in VSMP-Bauform dargestellt. Dabei ist es unerheblich, wieviele Bauelemente nebeneinander angeordnet sind. Wie in Fig. 3 zu sehen ist, sind beide Hilfselemente 2, wie sie in Fig. 1 dargestellt sind, in einer jeweiligen Aufnehmung 4 eingesteckt, die gegenüberliegend auf einer Leiterplatte 6 angeordnet sind. Wie in der Darstellung gemäß Fig. 3 ersicht­ lich ist, kann auf diese Weise das beschriebene Halbleiter­ bauelement sehr genau mit seinen Leads 8 auf der Leiterplatte 6 positioniert werden, so daß die Leads 8 anschließend leicht verlötbar sind.
In Fig. 4 und Fig. 5 ist jeweils ein Schnitt durch ein derar­ tiges Halbleiterbauelement dargestellt. Hierbei ist der Rand des Gehäuses 1 schematisch dargestellt. Die Hilfselemente 2 sind ebenfalls in der eingesteckten Anordnung in der Aufnahme 4 dargestellt. Wie sowohl in Fig. 4 als auch in Fig. 5 darge­ stellt ist, sind die Hilfselemente 2 innerhalb des Gehäuses 1 möglichst nahe an den Halbleiterchip 9 herangeführt, wobei Kollisionen mit den Leads 8, die zur unteren Schmalseite des Gehäuses 1 geführt sind, vermieden sind. Gemäß Fig. 4 ist zu­ mindest eine der Aufnehmungen 4 elektrisch leitend ausgebil­ det und mit Massepotential verbunden. Für den Fall, daß beide Aufnehmungen 4 elektrisch leitend ausgebildet und mit Masse verbunden sind, ist zur Vermeidung von Masseschleifen der in­ nere Abschnitt 11 der Hilfselemente 2 elektrisch unterbrochen ausgeführt. Mit der dargestellten Anordnung ergibt sich eine abschirmende Wirkung für den Halbleiterchip 9, die insbeson­ dere bei neuen Bauelementegenerationen notwendig ist, die mit Taktfrequenzen von einigen 100 MHz bzw. einer Übertragungs­ bandbreite im Gigahertzbereich arbeiten.
In der Ausführungsform, wie sie in Fig. 5 dargestellt ist, ist einer der inneren Abschnitte 11a und 11b der Hilfselemen­ te 2 elektrisch leitend mit einer leitenden Fläche verbunden, die nicht dargestellt auf der gegenüberliegenden Seite des Halbleiterchips 9 angeordnet ist. Dies kann beispielsweise ein mit dem Halbleiterchip 9 verbundener Die-Pad sein. Auf diese Weise ergibt sich ebenfalls eine abschirmende Wirkung in der Zeichenebene.
Unabhängig von der elektrisch leitenden Ausführungsform der Hilfselemente 2 können diese ebenfalls wärmeleitend ausgebil­ det sein. Sobald die Hilfselemente sozusagen die Wirkung von "Kühlfahnen" aufweisen, ist es vorteilhaft, wenn die Aufnahme 4 insgesamt als Wärmesenke zum Ableiten der vom Halbleiter­ bauelement erzeugten Wärme ausgebildet ist. Hierzu bietet sich insbesondere die Anordnung von Kühlrippen (nicht darge­ stellt) oder ähnliches an.
Insbesondere erscheint es vorteilhaft, wenn die Hilfselemente sowohl der Wärmeabfuhr als auch zur Abschirmung des Halblei­ terchips dienen.

Claims (4)

1. Halbleiterbauelementanordnung
  • 1. mit einem Halbleiterbauelement in VSMP-Bauform, das zumindest einen Halbleiterchip (9), elektrisch leitende Anschlußelemente (8) und ein den Halbleiterchip (9) ein­ schließendes Gehäuse (1) umfaßt, wobei die Anschlußele­ mente (8) an einer ersten Schmalseite (13) des Gehäuses (1) herausgeführt sind, und
  • 2. mit mindestens einem elektrisch leitenden und/oder wärme­ leitenden Hilfselement (2), das von einer Aufnahme (4) zwecks Positionierung des Halbleiterbauelements aufgenom­ men ist,
dadurch gekennzeichnet, daß
  • 1. das Hilfselement (2) zumindest an einer zweiten, in Montageorientierung des Halbleiterbauelements senkrechten Schmalseite (12) aus dem Gehäuse (1) herausgeführt ist, und
  • 2. die Aufnahme (4) einen zu der senkrechten Schmalseite (12) des Halbleiterbauelements hin offenen Schlitz (5) auf­ weist, in den das Hilfselement (2) eingeführt ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufnahme (4) einen elektrisch leitenden Kontakt (3) zum Hilfselement (2) des Halbleiterbauelementes aufweist.
3. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der elektrisch leitende Kontakt (3) mit Massepotential verbunden ist.
4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufnahme (4) eine Wärmesenke aufweist.
DE19740701A 1997-09-16 1997-09-16 Halbleiterbauelementanordnung mit einem ein Hilfselement aufweisenden Bauelement in VSMP-Bauform Expired - Fee Related DE19740701C2 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19740701A DE19740701C2 (de) 1997-09-16 1997-09-16 Halbleiterbauelementanordnung mit einem ein Hilfselement aufweisenden Bauelement in VSMP-Bauform
US09/154,484 US6104615A (en) 1997-09-16 1998-09-16 Semiconductor component assembly

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19740701A DE19740701C2 (de) 1997-09-16 1997-09-16 Halbleiterbauelementanordnung mit einem ein Hilfselement aufweisenden Bauelement in VSMP-Bauform

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19740701A1 DE19740701A1 (de) 1999-04-22
DE19740701C2 true DE19740701C2 (de) 1999-08-19

Family

ID=7842523

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19740701A Expired - Fee Related DE19740701C2 (de) 1997-09-16 1997-09-16 Halbleiterbauelementanordnung mit einem ein Hilfselement aufweisenden Bauelement in VSMP-Bauform

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6104615A (de)
DE (1) DE19740701C2 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6235551B1 (en) 1997-12-31 2001-05-22 Micron Technology, Inc. Semiconductor device including edge bond pads and methods
US7479020B2 (en) * 2004-11-22 2009-01-20 Visteon Global Technologies, Inc. Electronic control module having an internal electric ground
JP5991823B2 (ja) * 2012-02-14 2016-09-14 株式会社日本マイクロニクス 電気的接続装置及びその組立方法
KR102502239B1 (ko) * 2018-03-22 2023-02-22 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 칩, 인쇄 회로 기판, 이들을 포함하는 멀티 칩 패키지 및 멀티 칩 패키지의 제조방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06291233A (ja) * 1993-04-05 1994-10-18 Fujitsu Ltd 半導体装置とその実装方法
EP0682366A2 (de) * 1994-05-12 1995-11-15 Texas Instruments Incorporated Montage integrierter Schaltungsbauelemente

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4004195A (en) * 1975-05-12 1977-01-18 Rca Corporation Heat-sink assembly for high-power stud-mounted semiconductor device
US4157583A (en) * 1977-11-04 1979-06-05 General Electric Company Circuit board clamping assembly
US4867235A (en) * 1986-10-20 1989-09-19 Westinghouse Electric Corp. Composite heat transfer means
JPH0691174B2 (ja) * 1988-08-15 1994-11-14 株式会社日立製作所 半導体装置
JP3108856B2 (ja) * 1995-12-28 2000-11-13 ローム株式会社 樹脂パッケージ型半導体装置およびこれを実装した電子回路基板
US5949650A (en) * 1998-09-02 1999-09-07 Hughes Electronics Corporation Composite heat sink/support structure

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06291233A (ja) * 1993-04-05 1994-10-18 Fujitsu Ltd 半導体装置とその実装方法
EP0682366A2 (de) * 1994-05-12 1995-11-15 Texas Instruments Incorporated Montage integrierter Schaltungsbauelemente

Also Published As

Publication number Publication date
DE19740701A1 (de) 1999-04-22
US6104615A (en) 2000-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102009055882B4 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE4430047C2 (de) Leistungs-Halbleitermodul mit verbessertem Wärmehaushalt
DE19926128B4 (de) Leistungs-Halbleiterbauteil-Gehäuse
DE3313340C2 (de)
DE102009031388A1 (de) Elektronische Trägervorrichtung
EP0941642A1 (de) Sockel für eine intregrierte schaltung
DE102005057401A1 (de) Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE4424396C2 (de) Trägerelement zum Einbau in Chipkarten oder anderen Datenträgerkarten
DE10337640A1 (de) Leistungshalbleitermodul mit verbessertem thermischen Kontakt
DE102018204473B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE102017112045A1 (de) Halbleitervorrichtung und Gehäuse der Halbleitervorrichtung
DE19526511A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung und Montage
DE19740701C2 (de) Halbleiterbauelementanordnung mit einem ein Hilfselement aufweisenden Bauelement in VSMP-Bauform
DE10023823A1 (de) Multichip-Gehäuse
DE19960013A1 (de) Gehäuse für Hochstrom-Bauleiterteile
EP3619739A1 (de) Halbleitermodul
DE60204896T2 (de) Buchse zur horizontalen befestigung einer komponente
DE102016211967B3 (de) Elektronisches Bauteil und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils
DE102004030443A1 (de) Steuergerät
DE112018006380T5 (de) Schaltungsanordnung und elektrischer Verteilerkasten
DE60037717T2 (de) Datenträger mit integriertem schaltkreis und übertragungsspule
DE19923523B4 (de) Halbleitermodul mit übereinander angeordneten, untereinander verbundenen Halbleiterchips
DE112021002959T5 (de) Montagestruktur für halbleitermodule
DE10249331A1 (de) Kühlvorrichtung
EP0651598B1 (de) Elektronisches Schaltungsmodul

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee