DE19737854A1 - Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen von Polierpads, beispielsweise Poliertüchern, insbesondere für das Polieren von Wafern - Google Patents
Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen von Polierpads, beispielsweise Poliertüchern, insbesondere für das Polieren von WafernInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung sowie ein
Verfahren zum Reinigen von Polierpads, insbesondere Poliertü
chern.
In der Halbleiterindustrie führt die Forderung nach immer
kleineren Strukturen und steigender Ausbeute bei Wafern dazu,
daß neben der Prozeßbeherrschung die Reduktion der Defekt
dichte auf den Wafern einen zunehmenden Einfluß gewinnt. Beim
Polieren von Wafern werden beispielsweise bestimmte Materia
lien durch ein Poliermittel über vorher strukturierten Flä
chen abgetragen. Der dabei entstehende Abrieb wird in dem Po
lierpad - beispielsweise einem Poliertuch - abgelagert. Diese
Ablagerungen können sich jedoch beim Polieren nachfolgender
Wafer negativ auswirken, beispielsweise durch Bildung von
Kratzern auf der Oberfläche der Wafer.
Um eine Kontamination nachfolgender Wafer durch Abrieb vorher
polierter Wafer zu verringern und um die Beladung des Polier
pads mit Abrieb zu begrenzen, wird das Polierpad bisher sehr
oft ausgewechselt. Dies ist besonders nachteilig, da die da
durch verursachten Kosten und Umrüstzeiten die Leistungsfä
higkeit des Polierprozesses in beträchtlicher Weise beein
flussen.
Der vorliegenden Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zu
grunde, eine Vorrichtung sowie ein Verfahren zum Reinigen von
Polierpads bereitzustellen, mit der/dem Abrieb-Rückstände ef
fektiv beseitigt werden können, so daß es nicht zu den vor
stehend beschriebenen Nachteilen kommt.
Die Aufgabe wird gemäß einem ersten Aspekt der Erfindung
durch eine Vorrichtung zum Reinigen von Polierpads, insbeson
dere Poliertüchern gelöst, die gekennzeichnet ist durch einen
Verteiler zur Abgabe eines Gas-Wasser-Gemischs unter hohem
Druck, an dessen Ausgangsseite eine Vielzahl von Düsen ausge
bildet ist, und wenigstens eine Abstrahldüse zum Abstrahlen
eines gerichteten Wasserstrahls auf das zu reinigende Polier
pad.
Dadurch können die auf dem Polierpad befindlichen Abriebs-
Partikel auf einfache Weise vom Polierpad gespült werden.
Gleichzeitig wird die Gefahr einer Kontamination nachfolgen
der Wafer durch Abrieb zuvor polierter Wafer stark reduziert.
Die Polierpads können somit wesentlich länger verwendet wer
den, was zu einer Beseitigung der oben beschriebenen Nach
teile führt. Weiterhin wird durch die erfindungsgemäße Ausge
staltung der Vorrichtung erreicht, daß das Polierpad ohne Be
schädigungen der sehr empfindlichen Polierpad-Oberfläche ge
reinigt werden kann.
Die Vorrichtung ist beispielsweise für die Reinigung von Po
liertüchern verwendbar, wie sie unter anderem beim chemisch
mechanischen Polieren (CMP) von Wafern verwendet werden. Je
doch ist die Vorrichtung auch für jede andere Form von Po
lierelementen verwendbar. Aus diesem Grund wurde in der vor
liegenden Erfindung der allgemeine Begriff Polierpad gewählt,
was verdeutlicht, daß die Erfindung nicht nur auf die Reini
gung bestimmter Poliertücher beschränkt ist.
Erfindungsgemäß ist wenigstens eine Abstrahldüse für den ge
richteten Wasserstrahl vorgesehen. Es sind jedoch auch Anord
nungen denkbar, in denen mehr als eine Abstrahldüse vorgese
hen ist.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Vorrich
tung ergeben sich aus den rückbezogenen Unteransprüchen.
Erfindungsgemäß kann das Gas-Wasser-Gemisch einen Druck von
172.3 bis 689.5 kPa (25 bis 100 psi) aufweisen. In bevorzug
ter Ausgestaltung beträgt der Druck 413.7 kPa (60 psi). Durch
den hohen Druck wird eine Zerstäubung des Gas-Wasser-Gemischs
erleichtert.
In weiterer Ausgestaltung ist an der Eingangsseite des Ver
teilers eine Gaszuleitung und eine Wasserzuleitung angeord
net.
Durch die Wasser- und die Gaszuleitung werden die einzelnen
Komponenten des Gas-Wasser-Gemischs aus verschiedenen Quellen
in den Verteiler eingespeist. Dabei ist es möglich, daß der
entsprechend hohe Druck bereits für die einzelnen Komponenten
in der Gas- und Wasserzuleitung eingestellt wird. Es ist je
doch auch denkbar, daß der entsprechende Druck bereits in der
Gasquelle und der Wasserquelle eingestellt wird. Natürlich
ist auch möglich, daß der Druck des Gas-Wasser-Gemischs erst
in dem Verteiler selbst eingestellt wird. In allen vorbe
schriebenen Fällen erfolgt jedoch die Vermischung des Gases
mit dem Wasser in dem Verteiler.
In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung kann das Mi
schen der Gas- und Wasserkomponente bereits vor dem Verteiler
erfolgen. In diesem Fall würde nur eine einzige Zuleitung be
nötigt, in der das Gas-Wasser-Gemisch dem Verteiler zugeführt
wird. Wiederum kann die Einstellung des erforderlichen Drucks
durch die vorstehend beschriebenen Möglichkeiten erfolgen.
Wie ersichtlich wird, ist die Erzeugung des Gas-Wasser-Ge
mischs sowie der Ort, an dem der erforderliche Druck einge
stellt wird, kein wesentliches Merkmal der Erfindung. Wichtig
ist lediglich, daß in dem Verteiler ein Gas-Wasser-Gemisch
mit dem entsprechend hohen Druck zur Verfügung steht, daß
über die Düsen abgesprüht werden kann.
Erfindungsgemäß kann die Gaszuleitung und/oder die Wasserzu
leitung mit einer Druckluftquelle oder der Quelle eines ande
ren inerten Gases verbunden sein. Eine solche Ausgestaltung
ist insbesondere dann von Vorteil, wenn der erforderliche
Druck innerhalb der Zuleitungen eingestellt werden soll.
In vorteilhafter Ausgestaltung wird das Gas-Wasser-Gemisch in
den Düsen zerstäubt. Hierbei erfolgt die Zerstäubung vorteil
haft vor dem Austritt noch innerhalb der Düsen. In diesem Zu
sammenhang kann beispielsweise vom "Venturi-Prinzip" Gebrauch
gemacht werden. Dabei werden die einzelnen Kanäle für die Zu
leitung des Gases und des Wassers in die Düse derart gegen
einander ausgerichtet, daß es beim Austritt der beiden Kompo
nenten zu einer Durchmischung kommt. Da die beiden Komponen
ten mit hohem Druck austreten, unterliegen sie im Düsenrand
bereich aufgrund des dort vorherrschenden atmosphärischen
Drucks einer Expansionswirkung, was zu einer Zerstäubung des
Gas-Wasser-Gemischs führt. Durch die Zerstäubung kurz vor dem
Austritt aus der Sprühdüse werden kleinste hochwirksame Was
sertropfen erzeugt, deren hohe kinetische Energie zum Lockern
und Herausschlagen festgesetzter Partikel aus dem Polierpad
führt.
Vorteilhaft sind die Düsen im wesentlichen senkrecht zu dem
zu reinigenden Polierpad ausgerichtet.
Erfindungsgemäß können die Düsen einen Durchmesser 0.5 mm bis
3 mm, vorzugsweise von 1.5 mm aufweisen. Besonders vorteil
haft ist die Verwendung von Flachdüsen. Die Anordnung der Dü
sen im Verteiler kann je nach Anwendungsfall unterschiedliche
ausgebildet sein. So sind unter anderem regelmäßige oder un
regelmäßige Anordnungsmuster denkbar. Ebenso kann die Anzahl
der Düsen variieren.
In weiterer Ausgestaltung ist die Abstrahldüse in einem fla
chen Winkel zum zu reinigenden Polierpad ausgerichtet, vor
zugsweise in einem Winkel von kleiner oder gleich 45°. Durch
das flache Abstrahlen des gerichteten Wasserstrahls wird die
Möglichkeit einer Beschädigung der empfindlichen Polierpad-
Oberfläche weiter reduziert.
In bevorzugter Ausgestaltung tritt der gerichtete Wasser
strahl mit einem hohen Druck aus der Abstrahldüse aus. Erfin
dungsgemäß kann der Druck 172.3 bis 689.5 kPa (25 bis 100
psi) betragen. In bevorzugter Ausgestaltung beträgt der Druck
413.7 kPa (60 psi). Durch den hohen Druck wird die Reinigung
des Polierpads weiter verbessert.
Erfindungsgemäß kann das Wasser de-ionisiertes Wasser sein.
Es ist jedoch auch möglich, das Wasser bei bestimmten Anwen
dungsfällen mit chemischen Zusätzen zu versetzen. Weiterhin
kann das Gas vorteilhaft Stickstoff oder Druckluft sein. Je
doch ist grundsätzlich jedes beliebige Gas als geeignete Kom
ponente denkbar. Voraussetzung bei der Auswahl der Komponen
ten ist nur, daß sie insbesondere kompatibel zu den Rein
heits- und Kontaminationsanforderungen in der Halbleiterindu
strie sind und daß sie insbesondere nicht mit den Komponenten
der zu polierenden Wafer reagieren.
Durch die erfindungsgemäße Vorrichtung wird eine leistungs
starke und sichere Möglichkeit zur Reinigung von Polierpads
geschaffen, so daß die Lebensdauer der Polierpads stark er
höht werden kann. Durch das Absprühen eines Gas-Wasser-Ge
mischs in zerstäubtem Zustand aus den Düsen werden kleine
Wassertropfen erzeugt, deren kinetische Energie zum Losschla
gen und Ablösen von Partikeln aus der Oberfläche des Polier
pads geeignet ist. Die abgelösten Partikel werden über den
gerichteten Wasserstrahl von der Oberfläche des Polierpads
abgespült. Dabei verhindert die flache Ausrichtung des Was
serstrahls in bezug auf die Polierpad-Oberfläche eine Beschä
digung der empfindlichen Polierpad-Oberfläche.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird
ein Verfahren zum Reinigen von Polierpads, insbesondere von
Poliertüchern bereitgestellt. Das Verfahren kann insbesondere
unter Verwendung einer wie vorstehend beschriebenen erfin
dungsgemäße Vorrichtung durchgeführt werden. Das Verfahren
ist zur Lösung der gestellten Aufgabe durch folgende Schritte
gekennzeichnet: 1) Vermischen von Wasser und Gas unter einem
hohen Druck; 2) Zerstäuben des Gas-Wasser-Gemischs mit dem
hohen Druck in einem Verteiler und Absprühen des zerstäubten
Gas-Wasser-Gemischs über an der Ausgangsseite des Verteilers
ausgebildete Düsen auf das zu reinigende Polierpad; und 3)
Abstrahlen eines gerichteten Wasserstrahls aus wenigstens ei
ner Abstrahldüse auf das zu reinigende Polierpad.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren wird eine einfache und
leistungsfähige Reinigung der Polierpads ermöglicht, ohne das
es zu den im Stand der Technik genannten Nachteilen kommt. Im
Hinblick auf die Vorteile, Effekte, Wirkungen und Funktionen
der einzelnen Schritte und Merkmale des Verfahrens wird auf
die vorstehenden Ausführungen zur erfindungsgemäßen Vorrich
tung vollinhaltlich Bezug genommen und verwiesen.
Bevorzugte Ausführungsformen des Verfahrens ergeben sich aus
den rückbezogenen Unteransprüchen.
Erfindungsgemäß kann das Absprühen des Gas-Wasser-Gemischs
und des gerichteten Wasserstrahls gleichzeitig erfolgen.
In weiterer Ausgestaltung können das Gas-Wasser-Gemisch
und/oder der gerichtete Wasserstrahl auf die oben beschriebe
nen Druckwerte eingestellt werden.
Weiterhin wird vorteilhaft eine Ausrichtung der Düsen im Ver
teiler und/oder der Abstrahldüse wie bei der vorstehend be
schriebenen Vorrichtung gewählt.
Die wie vorstehend beschriebene erfindungsgemäße Vorrichtung
zum Reinigen eines Polierpads sowie das erfindungsgemäße Ver
fahren zur Reinigung eines Polierpads kann insbesondere auf
sehr vorteilhafte Weise beim chemisch mechanischen Polieren
(CMP) eingesetzt werden.
Bei diesem Polier-Prozeß werden mittels schleifmittelhaltiger
Poliermittel bestimmte Materialien über vorher strukturierten
Flächen abgetragen. Dabei stellt der Abtrag von Metallschich
ten - wie beispielsweise Wolfram - und Barrierematerialien
über dotierten und damit weichen Oxiden eine besondere Her
ausforderung dar.
Der Wolfram-CMP-Prozeß besteht aus zwei Teilprozessen. Im er
sten Polierschritt werden mittels Wolfram-Poliermittel, des
sen Hauptbestandteile Eisennitrat Fe(NO3)3 und feinverteiltes
Aluminiumoxid Al2O3 sind, Metallschichten entfernt. Dieser
Polierschritt wird selektiv auf der darunterliegenden Schicht
gestoppt. Im zweiten Polierschritt - einem reinen Oxid-Po
lierschritt - werden die im ersten Polierschritt entstandenen
Kratzer beziehungsweise Mikrokratzer im Oxid weitestgehend
entfernt.
Die Ursachen dieser Kratzer sind verschiedenartig. Zum einen
wird als schleifender Bestandteil in dem Poliermittel Al2O3
verwendet, das wesentlich härter als das Oxid ist, an dem der
erste Polierschritt gestoppt wird. Damit verbunden sind viele
Kratzer im Oxid, die sich jedoch durch den Oxid-Polierschritt
auspolieren lassen. Die direkt auf dem Oxid liegende Barrie
reschicht ist ebenfalls sehr hart und besteht beispielsweise
aus Titan und Titannitrid. Die Größe und Form der abgetrenn
ten Barriereteilchen hängt unter anderem von der Qualität des
Al2O3 ab. Jedoch können Rückstände des Poliermittels sowie
das abgetragene Material, wenn sie nur unvollständig vom Po
lierpad entfernt werden, beim Polieren nachfolgender Wafer
die Kratzerzahl und -tiefe erhöhen. Deshalb stellt die Mini
mierung dieser Kratzer beim Wolfram-CMP-Prozeß eines der
Hauptprobleme dar, um die Gefahr von Ausbeuteeinbußen zu ver
hindern.
Die Erfindung wird nun anhand eines Ausführungsbeispiels un
ter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung näher erläutert.
Es zeigt:
Fig. 1 den schematischen Aufbau der erfindungsgemäßen Vorrich
tung zum Reinigen von Polierpads; und
Fig. 2 eine graphische Darstellung, in der die Anzahl der De
fekte auf einer Waferoberfläche über einer absoluten Anzahl
von mit einem Polierpad polierten Wafern aufgetragen ist.
In Fig. 1 ist eine Vorrichtung 10 zum Reinigen eines auf einem
Poliertisch 11 angeordneten Poliertuchs 12 dargestellt.
Die Reinigungs-Vorrichtung 10 besteht aus einem Verteiler 20,
der an seiner Ausgangsseite 22 eine Vielzahl von Düsen 23
aufweist. An der Eingangsseite 21 des Verteilers 20 ist eine
Gaszuleitung 40 und eine Wasserzuleitung 41 angeordnet. Die
Gaszuleitung 40 ist mit einer Stickstoffquelle (nicht darge
stellt) verbunden. Die Wasserzuleitung 41 ist mit einer Was
serquelle (nicht dargestellt) verbunden. Die Durchflußraten
in den Leitungen 40, 41 können über entsprechende Ventile 42,
43 - hier handbetätigte Ventile - eingestellt werden.
Zur Erzeugung eines geeigneten Drucks in der Gaszuleitung 40
und der Wasserzuleitung 41 ist eine Druckluftquelle oder eine
andere Inertgasquelle (nicht dargestellt) vorgesehen, die
über eine Druckluftansteuerung 44 und insbesondere über eine
Druckluftansteuerung 44a und ein Ventil 45 mit der Wasserzu
leitung 41 und eine Druckluftansteuerung 44b und ein Ventil
46 mit der Gaszuleitung 40 verbunden ist.
Weiterhin weist die Reinigungs-Vorrichtung 10 eine Abstrahl
düse 10 auf, aus der ein gerichteter Wasserstrahl 31 in einem
flachen Winkel von weniger als 45° auf das Poliertuch 12 ge
richtet wird. Der gerichtete Wasserstrahl 31 weist ebenfalls
einen erhöhten Druck auf.
Nachfolgend wird nun die Funktionsweise der Reinigungs-Vor
richtung 10 beschrieben.
Über eine entsprechende Stellung der Ventile 42 und 43 wird
ein definierter Stickstoffzufluß in der Gaszuleitung 40 und
ein definierter Wasserzufluß an de-ionisiertem Wasser in der
Wasserzuleitung 41 eingestellt. Die in den Leitungen 40 und
41 befindlichen Komponenten werden über die Druckluftansteue
rung 44, 44a, 44b und eine entsprechende Stellung der Ventile
45, 46 mit Druckluft beaufschlagt, so daß die Komponenten
beim Eintritt in den Verteiler jeweils einen Druck von 413.7
kPa (60 psi) aufweisen.
Nach Eintritt in den Verteiler 20 an dessen Eingangsseite 21
werden die Komponenten zu einem Gas-Wasser-Gemisch unter dem
hohen Druck von 413.7 kPa (60 psi) vermischt. Danach wird das
Gemisch durch die Flachdüsen 23 auf das zu reinigende Polier
tuch 12 gesprüht. Durch die Zerstäubung des de-ionisierten
Wassers und des Stickstoffs kurz vor dem Austritt aus den
Sprühdüsen 23 werden kleinste hochwirksame Tropfen erzeugt,
deren hohe kinetische Energie zum Lockern und Herausschlagen
festgesetzter Partikel aus dem Poliertuch 12 führt.
Die losgeschlagenen Partikel werden mit Hilfe des gerichteten
Wasserstrahls 31, der mit einem Druck von 413.7 kPa (60 psi)
aus der Abstrahldüse 30 abgestrahlt wird, vom Poliertuch 12
abgespült. Sowohl das Absprühen aus den Düsen 23, als auch
das Absprühen aus der Absprühdüse 30 erfolgt gleichzeitig.
Dadurch wird eine besonders gründliche Reinigung des Polier
tuchs erreicht. Weiterhin wird durch die flache Ausrichtung
der Abstrahldüse erreicht, daß die Partikel zum einen effek
tiv abgespült werden, und daß zum anderen eine Beschädigung
des empfindlichen Poliertuchs 12 verhindert wird.
Die Wirkung der erfindungsgemäßen Poliertuch-Reinigung ergibt
sich aus Fig. 2.
Daraus ist in Diagrammform das Defektniveau auf Wafern er
sichtlich, die einerseits mit einem erfindungsgemäß gereinig
ten Poliertuch und andererseits mit einem herkömmlich gerei
nigten Poliertuch gereinigt wurden.
Es wurden 75 Wafer in einer Serie auf einem Poliertuch po
liert. Jeder dritte Wafer wurde danach einem definierten
Oxid-Polierschritt von 40 nm unterworfen und die Defektdichte
wurde auf einem Inspektionsgerät "Surfscan Tencor 6420" ge
messen. Die Resultate sind in Fig. 2 dargestellt.
Während bei der Prozedur ohne erfindungsgemäße Reinigung
(Kurve mit kreisförmigen Kennzeichnungen) ungefähr 2400 De
fekte auf jedem Wafer gezählt wurden, sind es bei Verwendung
der erfindungsgemäßen Vorrichtung (Kurve mit quadratischen
Kennzeichnungen) im Mittel weniger als 50 Defekte. Über die
gesamte Versuchsdauer war kein Anstieg der Defektdichte zu
erkennen. Dies macht deutlich, daß bei Verwendung der erfin
dungsgemäßen Reinigungs-Vorrichtung die Defektdichte auf den
Wafern drastisch reduziert werden kann.
Claims (18)
1. Vorrichtung zum Reinigen von Polierpads, insbesondere von
Poliertüchern, gekennzeichnet durch einen Verteiler (20)
zur Abgabe eines Gas-Wasser-Gemischs unter hohem Druck,
an dessen Ausgangsseite (22) eine Vielzahl von Düsen (23)
ausgebildet ist, und wenigstens eine Abstrahldüse (30)
zum Abstrahlen eines gerichteten Wasserstrahls (31) auf
das zu reinigende Polierpad (12).
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß das
Gas-Wasser-Gemisch einen Druck von 172.3 bis 689.5 kPa
(25 bis 100 psi), vorzugsweise einen Druck von 413.7 kPa
(60 psi) aufweist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß an
der Eingangsseite (21) des Verteilers (20) eine Gaszulei
tung (40) und eine Wasserzuleitung (41) angeordnet ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Gaszuleitung (40) und/oder die Wasserzuleitung (41) mit
einer Druckluftquelle oder einer Stickstoffquelle verbun
den ist.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß das
Gas-Wasser-Gemisch in den Düsen (23) zerstäubt wird.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Düsen (23) im wesentlichen senkrecht zum zu reinigenden
Polierpad (12) ausgerichtet sind.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Düsen (23) einen Durchmesser von 0.5 bis 3 mm, vorzugs
weise von 1.5 mm aufweisen.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Abstrahldüse (30) in einem flachen Winkel zu dem zu rei
nigenden Polierpad 12) ausgerichtet ist, vorzugsweise in
einem Winkel von kleiner oder gleich 45°.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, daß der
gerichtete Wasserstrahl (31) mit einem hohen Druck aus
der Abstrahldüse (30) austritt, vorzugsweise mit einem
Druck von 172.3 bis 689.5 kPa (25 bis 100 psi), vorzugs
weise mit einem Druck von 413.7 kPa (60 psi).
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß das
Wasser de-ionisiertes Wasser oder mit chemischen Zusätzen
versehenes de-ionisiertes Wasser ist.
11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß das
Gas Stickstoff oder Druckluft oder ein sonstiges inertes
Gas ist.
12. Verfahren zum Reinigen von Polierpads, beispielsweise von
Poliertüchern, insbesondere unter Verwendung einer Vor
richtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
gekennzeichnet durch folgende Schritte: 1)
Vermischen von Wasser und Gas unter einem hohen Druck; 2)
Zerstäuben des Gas-Wasser-Gemischs mit dem hohen Druck in
einem Verteiler (20) und Absprühen des zerstäubten Gas-
Wasser-Gemischs über an der Ausgangsseite (22) des Ver
teilers (20) ausgebildete Düsen (23) auf das zu reini
gende Polierpad (12); 3) Abstrahlen eines gerichteten
Wasserstrahls (31) aus wenigstens einer Abstrahldüse (30)
auf das zu reinigende Polierpad (12).
13. Verfahren nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet, daß das
Absprühen des Gas-Wasser-Gemischs aus den Düsen (23) und
des gerichteten Wasserstrahls (31) gleichzeitig erfolgt.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 oder 13,
dadurch gekennzeichnet, daß der
Druck des Gas-Wasser-Gemischs auf einen Wert von 172.3
bis 689.5 kPa (25 bis 100 psi), vorzugsweise einen Druck
von 413.7 kPa (60 psi) eingestellt wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14,
dadurch gekennzeichnet, daß der
Druck des gerichteten Wasserstrahls (31) auf einen Wert
von 172.3 bis 689.5 kPa (25 bis 100 psi), vorzugsweise
einen Druck von 413.7 kPa (60 psi) eingestellt wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 15,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Düsen (23) im wesentlichen senkrecht zu dem zu reinigen
den Polierpad ausgerichtet sind.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 16,
dadurch gekennzeichnet, daß der
gerichtete Wasserstrahl (31) in einem flachen Winkel auf
das zu reinigende Polierpad (12) abgestrahlt wird, vor
zugsweise in einem Winkel von kleiner oder gleich 45°.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 17,
dadurch gekennzeichnet, daß die Düsen
(23) einen Durchmesser von 0.5 bis 3 mm, vorzugsweise 1.5 mm
aufweisen.
Priority Applications (2)
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DE1997137854 DE19737854C2 (de) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen von Polierpads, beispielsweise Poliertüchern, insbesondere für das Polieren von Wafern |
PCT/DE1998/002493 WO1999011433A1 (de) | 1997-08-29 | 1998-08-24 | Vorrichtung und verfahren zum reinigen von polierpads, beispielsweise poliertüchern, insbesondere für das polieren von wafern |
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ID=7840655
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