DE19735040A1 - Kontaktfreier Phototransistor - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen kontaktfreien Phototransistor nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Bipolare Transistoren werden als Sensoren von Abbildungsanord­ nungen verwendet. Jeder Transistor kann sowohl als integrierender Pho­ tosensor als auch als Selektionselement verwendet werden. Der Photo­ transistorsensor erzeugt einen Ausgangsstrom (Photostrom) infolge ab­ sorbierter Photonen, wobei der Ausgangsstrom proportional zur Intensi­ tät des auf den Sensor fallenden Lichtes ist. Photonen, die in einem Bereich der Kollektor-Basis- oder Emitter-Basis-Grenzschicht eines Pho­ totransistors absorbiert werden, erzeugen Elektron-Loch-Paare, die von einer nahegelegenen p-n-Grenzschicht gesammelt werden. Die von jeder Grenzschicht gesammelten Minoritätsträger wirken als Basisstrom und werden zur Erzeugung des Kollektorstroms mit der Transistorverstär­ kung multipliziert. Der Emitterstrom ist die Summe aus Basisstrom und Kollektorstrom und wird gewöhnlich als Ausgangssignal des Sensors ver­ wendet.

Ein bekannter kontaktfreier Phototransistor kann in einer n-Wanne gebildet werden, die in einem Halbleitersubstrat mittels eines Standard-BiCMOS-Herstellungsprozesses mit zusätzlicher Diffusion einer p-Basisregion und Abgrenzung eines Emitters ausgebildet wurde. Die n-Wanne dient als gemeinsamer Kollektor für die Phototransistoren in der Photosensoranordnung und wird mit einer Spannung V_cc vorgespannt. Eine p-Basisregion des Phototransistors wird durch Implantation geeig­ neter Dotanden in die n-Wanne durch Öffnungen in einer Feldoxidschicht gebildet. Auf der Oberfläche des Phototransistors wird eine Polysilici­ um-1-Schicht aufgewachsen. Die Polysilicium-1-Schicht wird mit herkömm­ lichen Halbleiterverfahren mit einem n-leitenden Material, wie Arsen, dotiert. In den Bereichen, wo sich die Polysilicium-1-Schicht in Kontakt mit der Oberfläche der p-Basisregion befindet, bildet sie eine epitakti­ sche n⁺-Region, die als Emitter des Phototransistors dient. Um die n-leitenden Dotanden in die p-Basisregion zur Bildung der eigentlichen Grenzschicht zu diffundieren, sollte die Phototransistorstruktur einem Hochtemperaturschritt ausgesetzt werden. Die Polysilicium-1-Schicht wird zur Bildung einer Spaltenleseleitungsregion strukturiert, welche die p-Basisregionen anderer Phototransistoren kontaktiert (und die Emitter bildet), die sich in derselben Spalte der Abbildungsschaltung befinden. Nach der Strukturierung der Polysilicium-1-Schicht wird eine Zwischenpo­ ly-Gateoxidschicht über der Oberfläche der Polysilicium-1-Schicht gebil­ det. Die Gateoxidschicht dient als Dielektrikum des Kondensators, der die p-Basisregion des Phototransistor mit einer n⁺-Polysilicium- 2-Schicht koppelt, die über der Gateoxidschicht gebildet wird. Die Plat­ ten des Kondensators sind die p-Basisregion und die Polysilicium- 2-Schicht. In einer Anordnung solcher Leseelemente sind die Basisan­ schlüsse aller Phototransistoren einer Zeile an eine gemeinsame Zeilen­ wählleitung kapazitiv gekoppelt, welche durch die Polysilicium-2-Schicht gebildet wird.

Der Emitter dient als Ausgangsknoten für den integrierenden Photosensor, wobei die Ausgangsknoten aller Sensoren einer Spalte mit einer gemeinsamen, aus der Polysilicium-1-Schicht gebildeten Spaltenle­ seleitung verbunden sind. Ein entsprechender pnp-Transistor kann durch Austausch von n- und p-Regionen und Umkehr der Polaritäten der jeweili­ gen Spannungen gebildet werden.

Die Bildung der p-Basisregion wird nach der Feldoxidbildung und der Nitridablösung oder einem ähnlichen Schritt im Standardprozeß durchgeführt. Nach der Bildung der p-Basisregion wird die Emitterregion umgrenzt, und die Polysilicium-1-Schicht wird mit einem n-leitenden Im­ plantat zur Bildung des Emitters dotiert. Während der Prozeßschritte, die zur Bildung der Gateoxidschicht und der Polysiliciumgates von MOS- Bauelementen verwendet werden, werden die Gateoxidschicht und die Zei­ lenwählleitung gebildet.

Im Betrieb des Phototransistors wird eine feste Spannung an die Wählleitung angelegt, welche als Sperrvorspannung der Basis-Emit­ ter-Grenzschicht des Phototransistors gewählt wird. Wenn Bildphotonen den Phototransistor treffen, werden Elektronen und Löcher erzeugt. Die photoerzeugten Elektronen werden in die n-Wanne abgelenkt und durch die Kollektorspannungsleitung (V_cc) entfernt. Die photoerzeugten Löcher sammeln sich in der p-Basisregion und bewirken ein Ansteigen des Basi­ spotentials. Der erzeugte Photostrom vereinigt sich auf dem Kondensa­ tor, welcher als Teil der Struktur des Phototransistors gebildet wird. Dies entspricht einem Bildspeicherungsbetrieb. Wenn das im vom Photo­ transistor dargestellten Abbildungselement enthaltene gespeicherte Bild ausgelesen werden soll, wird die Wählleitung auf einen hohen Wert ge­ bracht, wobei die Basis-Emitter-Grenzschicht des Transistors in Durch­ laßrichtung vorgespannt wird. In diesem Fall fließt der integrierte und mit der gegenwärtigen Verstärkung des Phototransistors multiplizierte Photostrom von der Emitterregion bis zur Spaltenleseleitung. Ein mit der gemeinsamen Leseleitung verbundener integrierender Leseverstärker wird verwendet, um den von jedem der in der Spalte enthaltenen Sensor­ elemente erzeugten Strom zu lesen.

Ein solcher Phototransistor hat gegenüber anderen Abbildungs­ elementen einige Vorteile: 1) die Struktur kann im Vergleich zu entspre­ chenden CCD- und CMOS-kompatibelen Elementen in kleinerer Größe reali­ siert werden; und 2) der Herstellungsprozeß ist kompatibel mit Doppel- Poly-CMOS-Prozeßabläufen mit einer zusätzlichen Maske für die Basis-Im­ plantation und einer weiteren zusätzlichen Maske für die Emitter-Abgren­ zung. Das Dielektrikum des Kondensators aus Polysilicium-2-Schicht (Zei­ lenwählleitungsregion) und Basis ist die Gateoxidschicht, und die Emit­ terregion wird durch die n⁺-Implantation selbstjustiert.

Ein solcher Phototransistor hat jedoch auch Nachteile. Wenn ein lichtintensives Bild auf das vom Transistor gebildete Abbildungsele­ ment trifft, wächst das Basispotential während des Integrationsprozesses aufgrund der photoerzeugten Löcher schnell an, bis die Basis-Emitter- Grenzschicht schwach in Durchlaßrichtung vorgespannt ist. Weitere Lö­ cher, die in der Basisregion erzeugt werden, werden in den Emitter inji­ ziert. Dies wird als "Überlauf"- Problem bezeichnet, und es trägt zum Spaltenleseleitungssignal als Rauschen bei, wenn andere Elemente (das Bild) in derselben Spalte der Anordnung gelesen werden. Dies erzeugt eine vertikale Rauschstruktur auf einem hellen Bild.

Ein zweiter Nachteil besteht darin, daß solche einem lichtin­ tensiven Bild ausgesetzten Abbildungselemente schwierig auf dieselbe Sperrvorspannung zu Zwecken der Bildspeicherung (photoerzeugte Ladungs­ integration) zurückzusetzen sind. Die Restladung benötigt eine relativ lange Zeitperiode (etwa 100 ms), um in der Basis des Phototransistors zu rekombinieren. Dies erzeugt einen Bildverzögerungs- oder "Überstrahl"- Effekt, bei dem ein bewegter heller Bildpunkt von einem hellen Schweif begleitet wird.

Sowohl das "Überlauf"- als auch das "Überstrahl"-Problem füh­ ren bei lichtintensiven Bildern zu einer Verschlechterung der Bildquali­ tät. Hierdurch wird die Verwendbarkeit solcher Photosensoren bei inten­ sivem Licht eingeschränkt.

Aufgabe der Erfindung ist es, einen kontaktfreien Phototran­ sistor nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 zu schaffen, der kein "Überlauf"- oder "Überstrahl"-Problem aufweist.

Diese Aufgabe wird entsprechend dem kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 gelöst.

Bei einem solchen kontaktfreien Phototransistor wird ein wei­ terer Emitter, welcher als elektronische Blende dient, in der p-Basisre­ gion gebildet, wobei die Grenzschicht zwischen Basis und Blende früher in Durchlaßrichtung vorgespannt wird als die Grenzschicht zwischen Ba­ sis und Emitter, so daß überlaufstrom-Löcher zur Blende gezogen werden, was den "Überlauf"-Effekt und den "Überstrahl"-Effekt vermindert.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der nachfolgenden Beschreibung und den Unteransprüchen zu entnehmen.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.

Fig. 1 zeigt ein Querschnittsdiagramm eines Phototransistor- Abbildungselements mit einer integrierten elektronischen Blende.

Fig. 2 zeigt eine Aufsicht des Layouts für das Phototransi­ stor-Abbildungselement von Fig. 1.

Fig. 3 zeigt in einer Querschnittsansicht, wie sich das Photo­ transistor-Abbildungselement von einem bekannten bipolaren Transistor unterscheidet.

Fig. 4 zeigt in einem Zeitdiagramm die Beziehung zwischen der Integrationsperiode des Phototransistors und dem Betrieb der elektroni­ schen Blende des Abbildungselements aus Fig. 1.

Fig. 5 zeigt schematisch die Verbindung zwischen dem Photo­ transistor mit elektronischer Blende und einem Spaltenleseschaltkreis zur Bestimmung des Ausgangssignals des Phototransistors.

Fig. 6 zeigt, wie mehrere Phototransistoren in einer Abbil­ dungsanordnung angeordnet werden können.

Gemäß Fig. 1 wird ein Phototransistor 40 in einer n-Wanne 44 hergestellt, die in einem Halbleitersubstrat gebildet wird. Die n-Wan­ ne 44 dient als gemeinsamer Kollektor für die Phototransistoren einer Photosensoranordnung und wird mit einer Spannung V_cc vorgespannt. Eine p-Basisregion 46 des Phototransistors 40 wird durch geeignete Implan­ tation in die n-Wanne 44 gebildet.

Eine in der p-Basisregion 46 gebildete n⁺-Region dient als erster Emitter 48 des Phototransistors 40. Außerdem wird ein zweiter Emitter als elektronische Blende 42 durch Implantation von n-Dotanden in die p-Basisregion 46 gebildet. Während des Betriebs des Phototran­ sistors 40 wird die Blende 42 etwas schwächer (ungefähr 0,5V) als der Emitter 48 vorgespannt, wobei die Vorspannungen V_shut und V_col mit 50 bzw. 52 bezeichnet sind. Wenn der Phototransistor 40 einem lichtintensi­ ven (durch Bildphotonen 54 dargestellten) Bild ausgesetzt wird, wird folglich die Grenzschicht zwischen Basisregion 46 und Blende 42 früher in Durchlaßrichtung vorgespannt als die Grenzschicht zwischen Basis­ region 46 und Emitter 48. Dies bewirkt, daß die Überlaufstrom-Löcher (als h+ bezeichnet) zur Blende 42 anstatt zum Emitter 48 gezogen wer­ den. Hierdurch wird der Beitrag der Überlaufstrom-Löcher zum Spalten­ rauschen vermindert. Dies vermindert auch den "Überstrahl"-Effekt, der mit der Existenz nicht rekombinierter Überschußelektronen (als e⁻ be­ zeichnet) verbunden ist.

Gemäß Fig. 2 sind zwei Phototransistoren als Elemente 60 und 62 bezeichnet. Die n⁺-Grenzschicht der Blende 42 wird aus einer Polysi­ licium-2-Schicht 102 gebildet. Die Steuerleitungen der Blende 42 und eines Kondensators, der die Basis jedes Phototransistors 60, 62 an eine aus einer Polysiliciumschicht 101 gebildete Zeilenwählleitung kop­ pelt, werden zur gleichen Zeit gebildet.

Der Emitter 48 des Phototransistors wird durch Deposition ei­ ner Polysilicium-1-Schicht 104 gebildet, welche auch als Spaltenleselei­ tung dient und die Emitter 48 in derselben Spalte der Anordnung mitein­ ander verbindet. Das Layout des Abbildungselements ist größer als das des bekannten Abbildungselements aufgrund des vergrößerten Abstandes der Blende 42 in Y-Richtung (vertikal). Die Querschnittsansicht der Pho­ totransistoren 60, 62 aus Fig. 2 entlang der Linie AA′ ist die gleiche wie für den bekannten Phototransistor.

In Fig. 3, die eine Querschnittsansicht entlang der Linie BB′ aus Fig. 2 darstellt, ist der zweite Emitter (Blende 42) für zwei Pho­ totransistoren 60, 62 zu sehen. Jeder Phototransistor 60, 62 wird in der n-Wanne 44 gebildet, die durch geeignete n-Implantation in ein p-Substrat (nicht gezeigt) erzeugt wird. Die n-Wanne 44 dient als ge­ meinsamer Kollektor der Phototransistoren in der Abbildungsanordnung. Zur Abgrenzung der aktiven Regionen des Bauelements, zur Entfernung der Nitridschicht und zur Bildung der Feldoxidschicht 70 werden Stan­ dard-BiCMOS-Verfahren angewandt. Die p-Basisregion 46 jedes Phototran­ sistors wird durch Implantation geeigneter p-Dotanden in die n-Wanne 44 durch Öffnungen in der Feldoxidschicht 70 gebildet.

Auf der Oberfläche der Phototransistoren wird eine Polysilici­ um-1-Schicht 72 aufgewachsen. Die Polysilicium-1-Schicht 72 wird in be­ kannter Weise mit einem n-leitenden Material wie Arsen dotiert. In den Bereichen, in denen die Polysilicium-1-Schicht 72 in Kontakt mit der Oberfläche der p-Basisregion 46 steht, bildet sie eine epitaktische n⁺-Region, die als Emitter 48 der Phototransistoren dient. Anschließend wird die Polysiliciuml-Schicht 72 zur Bildung einer Spaltenleseleitung strukturiert, welche die p+-Basisregionen 46 anderer Phototransistoren in derselben Spalte der Abbildungsanordnung kontaktiert (und die Emitter 48 bildet).

Nach der Strukturierung der Polysilicium-1-Schicht 72 zur Bil­ dung der Spaltenleseleitung wird eine Zwischenpoly-Gateoxidschicht 74 auf der Oberfläche der Polysilicium-1-Schicht 72 gebildet. Daraufhin wird die Region für den zweiten Emitter oder die Blende 76 jedes Photo­ transistors abgegrenzt und geöffnet. Anschließend wird in den abgegrenz­ ten Regionen eine n⁺-Implantation in die p⁺-Basisregion 46 durchgeführt. Dann wird über der Oberfläche der Phototransistoren eine Polysilicium- 2-Schicht 78 aufgewachsen.

Die Polysilicium-2-Schicht 78 bildet die Blendensteuerungslei­ tung der Blende 76. Auf der Blendensteuerungsleitung wird eine Oxid­ schicht 80 aufgebracht. Die Gateoxidschicht 74 dient als Dielektrikum für einen Kondensator, der die p-Basisregion 46 der Phototransistoren an eine Zeilenwählleitung koppelt, wobei die Platten des Kondensators die p-Basisregion 46 und die Zeilenwählleitung 150 sind.

Gemäß Fig. 4 ist im Betrieb des Phototransistors die Grenz­ schicht der Blende 42 bei einem Potential von etwa 0,1 bis 0,5 Volt un­ terhalb des n⁺-Emitterpotentials vorgespannt, kurz nachdem der Photo­ transistor in eine Integrationsperiode übergeht. Kurz vor dem Ende der Integrationsperiode wird die Blende 42 auf dasselbe (oder ein etwas höheres) Potential wie der Emitter 48 zurückgeschaltet.

Die Blende 42 kann durch Anlegen eines variablen Spannungspe­ gels unterhalb des Emitterpotentials für ein einstellbares Zeitinter­ val innerhalb der Integrationsperiode als Mittel zur Variation des Grades der durch die Blende 42 gelieferten Überlaufsteuerung aktiviert werden. Folglich können sowohl das Potential zur Vorspannung der Blende 42 als auch die Zeitperiode, über die die Blende 42 aktiviert wird, nach Wunsch variiert werden. Wenn keine Überlaufsteuerung benötigt wird, wie im Falle dunkler Bilder, kann die Blende 42 sogar völlig abge­ schaltet werden.

Gemäß Fig. 5 befindet sich ein einzelner Phototransistor oder ein Abbildungselement in der j-ten Spalte und der i-ten Zeile einer Ab­ bildungsanordnung mit vielen solcher Phototransistoren. Eine Zeilenwähl­ leitung 150 ist mit einem Kondensator 160, die die Zeilenwählleitung 150 mit der Basis des Phototransistors 40 koppelt, verbunden, und wird verwendet, um die Zeile der Abbildungsanordnung auszuwählen, in der sich der zu lesende Phototransistor befindet. Eine Blendensteuerungs­ leitung 152 ist mit der Blende 42 des Phototransistors 40 verbunden. Jede Zeile kann ihre eigene Blendensteuerungsleitung 152 haben, oder zwei Zeilen der Anordnung können eine gemeinsame Blendensteuerungslei­ tung 152 teilen. Die Emittergrenzschicht des Phototransistors 40 ist mit einer Spaltenleseleitung 154 verbunden, welche dazu dient, die Emitter jedes Phototransistors in einer Spalte der Anordnung zu verbin­ den.

Der Spaltenleseschaltkreis enthält einen Leseverstärker, wel­ cher aus einem Verstärkungselement 200 gebildet wird, dessen nicht-in­ vertierender Eingang mit einer Referenzspannung 202 ("V_ref") und dessen invertierender Eingang mit der Spaltensteuerungsleitung 154 verbunden ist. Ein p-Kanal-Abgleichtransistor 204 und ein Kondensator 206 sind zwischen dem invertierenden Eingang und Ausgang des Verstärkungsele­ ments 202 verbunden. Das Gate des Abgleichtransistors 204 ist mit ei­ ner Abgleichsteuerungsleitung (als "V_h-blank" bezeichnet) verbunden, welche zur Kalibrierung des Verstärkungselements 200 vor dem Leitungs- oder Lesebetrieb verwendet wird. Der in der Spaltensteuerungsleitung 154 erzeugte Emitter- (Ausgangs-) Strom wird durch das Verstärkungsele­ ment 200 und den Kondensator 206 gelesen und integriert. Das Ausgangs­ signal des Verstärkungselements 200 wird einem Abtast- und Halteprozeß mit Hilfe eines Transistors 208 unterworfen, welcher durch eine Abtast­ steuerungsleitung 210 (als "V_sample" bezeichnet) gesteuert wird. Das Ausgangssignal des Transistors 208 wird an ein Verstärkungselement 212 geliefert, welches das Signal über eine Ausgangsleitung 214 zugänglich macht.

Gemäß Fig. 6 kann eine Abbildungsanordnung aus zwei Zeilen i und i+1 sowie drei Spalten bestehen. Die Zeilenwählleitung 150 (als "V_read" bezeichnet) für die i-te Zeile ist mit dem Kondensator, der die Zeilenwählleitung 150 an die Basis des Phototransistors 40 koppelt, verbunden und wird verwendet, um die Zeile der Abbildungsanordnung aus­ zuwählen, in der sich der zu lesende Phototransistor befindet. Eine ähnliche Zeilenwählleitung für die (i+1)-te Zeile ist mit "V_read (i+1) bezeichnet. Die Blendensteuerungsleitung 152 ist mit der Blende 42 des Phototransistors 40 verbunden. In der Darstellung ist die Blendensteue­ rungsleitung 152 mit den Blenden 42 für zwei Zeilen der Anordnung ver­ bunden. Die Emittergrenzschicht des Phototransistors 40 ist mit der Spaltensteuerungsleitung 154 verbunden, welche dazu dient, die Emitter 48 jedes Phototransistors 40 in einer Spalte der Anordnung zu verbinden. Jede Spalte der Anordnung ist mit einem Bildleseschaltkreis des in Fig. 5 beschriebenen Typs verbunden und wird durch die entsprechenden Elemen­ te identifiziert. Gemäß Fig. 6 weisen die Phototransistoren außerdem ei­ nen zweiten Kondensator auf, der zwischen der Basis und der Zeilenwähl­ leitung verbunden ist. Dies entspricht dem Kondensator, der während der Bildung der Blende 42 zwischen Basis und Zeilenwählleitung 150 gebildet wird.

Der Prozeßablauf des bipolaren kontaktfreien Phototransistors mit integrierter elektronischer Blende 42 ist mit bekannten Standard- BiCMOS-Herstellungsprozessen kompatibel. Es werden drei zusätzliche Maskierungsschritte verwendet, einer für die Basisimplantation, ein zweiter zur Abgrenzung des Emitters und ein dritter für die Abgrenzung der Blendenregion. Die n⁺-Emitter- und Blenden-Grenzschicht kann durch eine n⁺-Implantation oder durch Diffusion von n⁺-dotiertem Polysilicium gebildet werden.

Die Blende 42 kann auch durch eine n⁺-Implantation unter Ver­ wendung eines Metallkontakts gebildet werden. Es kann auch eine Schottky-Grenzschicht als Blende 42 verwendet werden. Die metallische Blendensteuerungsleitung liefert eine Isolation zwischen den Bildan­ ordnungselementen, da sie Licht zwischen den Elementen blockiert. Eine Blendenleitung kann von zwei Zeilen der Abbildungselemente geteilt wer­ den, oder jede Zeile kann zum Liefern hochaufgelöster Bilder ihre eigene Blendenleitung haben. Außerdem kann ein entsprechender pnp-Photosensor mit elektronischer Blende 42 durch Austausch der jeweiligen n⁺- und p⁺-Regionen realisiert werden.

Claims (8)

1. Kontaktfreier Phototransistor (40, 60, 62) mit einer in ei­ nem Substrat zweiten Leitfähigkeitstyps gebildeten Kollektorregion (44) ersten Leitfähigkeitstyps, einer in der Kollektorregion (44) gebildeten Basisregion (46) zweiten Leitfähigkeitstyps und einer in der Basisregion (46) gebildeten Emitterregion (48) ersten Leitfähigkeitstyps, dadurch gekennzeichnet, daß in der Basisregion (46) eine Blendenregion (42) er­ sten Leitfähigkeitstyps von der Emitterregion (48) räumlich getrennt und elektrisch isoliert, und eine Blendensteuerungsleitung (152) über der Blendenregion (42) gebildet und elektrisch mit ihr verbunden ist.

2. Phototransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Leitfähigkeitstyp n-leitend und der zweite Leitfähigkeits­ typ p-leitend ist.

3. Phototransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Leitfähigkeitstyp p-leitend und der zweite Leitfähigkeits­ typ n-leitend ist.

4. Phototransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Blendenregion (42) niedriger vorspannbar ist als die Emitterregion (48) des Phototransistors.

5. Phototransistormatrix aus einer Vielzahl von Phototransi­ storen (40, 60, 62) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei eine über der Emitterregion (48) gebildete Zeilenwählleitung (150) und ein Konden­ sator (160), welcher die Basisregion (46) mit der Zeilenwählleitung (150) koppelt, vorgesehen sind, wobei die Emitterregion (48) mit einem Spaltenleseleitungsknoten und die Blendenregion (42) mit einem Blenden­ steuerungsleitungsknoten verbunden sind, wobei die Zeilenwählleitung (150) mit den Zeilenwählleitungsknoten jedes zu einer Zeile gehörenden Phototransistors und die Spaltenleseleitung (154) mit den Spaltenlese­ leitungsknoten jedes zu einer Spalte gehörenden Phototransistors verbun­ den sind, und wobei die Blendensteuerungsleitung (152) mit den Blenden­ steuerungsleitungsknoten jedes zu einer Zeile gehörenden Phototransi­ stors verbunden sind.

6. Phototransistormatrix nach Anspruch 5, dadurch gekennzeich­ net, daß ein Leseverstärker zum Lesen eines Photostromes vorgesehen ist, wobei der Leseverstärker mit der Spaltenleseleitung elektrisch verbunden ist.

7. Phototransistormatrix nach Anspruch 5 oder 6, dadurch ge­ kennzeichnet, daß an den Wählleitungsknoten eine erste Spannung V_col (52) anlegbar ist, welche die Basis-Emitter-Grenzschicht in Sperrichtung vorspannt, an den Blendensteuerungsleitungsknoten eine zweite Spannung V_shut (50) anlegbar ist, welche die Basis-Blende-Grenzschicht schwächer als die Basis-Emitter-Grenzschicht vorspannt, daß eine dritte Spannung an den Blendensteuerungsleitungsknoten anlegbar ist, welche ausreicht, um die Basis-Emitter-Grenzschicht in Durchlaßrichtung vorzuspannen, und das eine vierte Spannung an den Wählleitungsknoten anlegbar ist, welche die Basis-Emitter-Grenzschicht in Durchlaßrichtung vorspannt.

8. Phototransistormatrix nach Anspruch 7, dadurch gekennzeich­ net, daß die zweite Spannung um etwa (0,1-0,5) Volt niedriger als die erste Spannung liegt.