DE1963882B2 - Verfahren und Vorrichtung zur Reproduktion sichtbarer Bilder - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Reproduktion sichtbarer BilderInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Bildern, bei welchem zunächst eine photoelektrische
Schicht mit stoffeigener Aufladung gebildet wird, auf welcher durch Lichteinwirkung ein latentes elektrostatisches
Bild des abzubildenden Gegenstands erzeugt wird, welches anschließend zum fertigen Bild entwikkelt
wird. Ein derartiges Verfahren ist aus der DT-AS Π 18 813 bekannt.
Elektrostatische Verfahren zur Reproduktion von Abbildern verwenden meist photoleitende Materialien,
die mittels Korona-Entladung von einer elektrostatischen Quelle aufgeladen wurden. Danach wird das Material
belichtet und die Ladung gemäß der Hell-Dunkel-Verteilung
der Vorlage zerstört, wodurch ein latentes elektrostatisches Bild der Vorlage entsteht, welches
mittels eines geeigneten Pigmenlpuders oder -farbstoffs entwickelt werden kann. Der Pigmenifarbstoff
des so entwickelten Bildes kann auf ein Kopierblatt übertragen werden, indem das Kopierblatt mit dem
Bild in Oberflächenberührung gebracht wird, wobei entweder die elektrostatische Ladung umgekehrt oder
ein Kopiermaterial mit einem adhäsiven Überzug verwendet wird. Nachteilig ist bei diesem Verfahren die
Notwendigkeit, das photoleitende Material vor der Belichtung zu laden, weil dazu eine Spannungsquelle zur
Aufladung der Material-Oberfläche benötigt wird, was die Kosten erhöht und zu baulichen Schwierigkeiten
führt. Darüber hinaus ist dieses Verfahren im wesentlichen auf stationären Betrieb beschränkt, kann also
nicht in Handkameras oder anderen tragbaren Geräten verwendet werden.
Bei dem aus der DT-AS 11 18 813 bekannten Verfahren sind diese Nachteile nicht vorhanden, weil die Aufladung
bereits bei der Herstellung der photoelektrischen Schicht erzeugt wird. Jedoch weist diese stoffeigene
Aufladung nur eine Potentialhöhe von weniger als 5 Volt auf, wodurch ein Niederschlagsentwickler von
besonderer Kornfeinheit eingesetzt werden muß, um das im gleichen Spannungsbereich liegende latente
elektrostatische Bild sichtbar zu machen. Die geringeren Spannungswerte dieser bekannten photoelektrischen
Schichten und das hierdurch bedingte Erfordernis besonderer Kornfeinheit des Entwicklers begrenzen
die Einsatzfähigkeit des bekannten Verfahrens und die Qualität der mit ihm erzeugten Bilder.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, die Unzulänglichkeiten der bekannten Verfahren zu vermeiden
und ein Verfahren der in Frage stehenden Art zu schaffen, bei welchem eine photoelektrische Schicht hoher
Selbstaufladuing gebildet wird und keine besonders feinkörnigen Entwickler erforderlich sind.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß die photoelektrische Schicht durch Bedampfen
im Vakuum auf einer Substratfläche unter spitzem Einfallswinkel zu dieser Fläche abgelagert und das
durch Lichteinwirkung erzeugte latente elektrostatische Bild im Tonerverfahren entwickelt wird. Durch
Bedampfen unter spitzem Einfallswinkel wird eine Schicht von unterschiedlicher Dicke und mit vielen Unregelmäßigkeiten
im Aufbau erzeugt. Diese Unregelmäßigkeiten im Aufbau sind der Grund dafür, daß Aufladungen
von mehreren hundert Volt in der photoelektrischen Schicht erzeugt werden können, was die Erzeugung
genauer latenter elektrostatischer Bilder verbessert und vereinfacht und den vorteilhaften Einsatz
der bekannten Tonerentwicklungsverfahren ermöglicht.
Es ist zwar an sich bekannt, hohe Photospannungen in dünnen Schichten aus photoelektrischem Material
durch Unregelmäßigkeiten im Schichtaufbau zu erzeugen (vgl. hierzu die Aufsätze »High Photovoltages in
Cadmium Sulfide Films« von Brandhorst et al., NASA Technical Note D-3417, Acquisition No. N.
66-23455, April 1966; »Unusual Photovoltages in Evaporated Layers of Germanium« von K a 11 m a η η et
al.,; »ACTA Physica Polonica«, Vol. 25, pp. 671 bis 678, 1974, »High Photovoltages in Silicon and Silicon Carbi-
de Films and Their Origin from a Trap-Induced Space Charge« von Brandhorst at al., »Journal of Applied
Physics«, Vol. 35, No. 7, pp. 1997 bis 2003, JuIi 1964), jedoch konnte dieses der Wissenschaft und der Fach-
welt seit 5 Jahren bekannte Verfahren, dessen theoretische
Erklärung noch umstritten ist, erst durch die vorliegende
Erfindung in die Praxis umgesetzt werden.
Weitere Einzelheiten, Vorteile und Anwendungsmöglichkeiten eines Ausführungsbeispiels der vorlie-
genden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen. Es zeigt
F i g. 1 eine schemalische Darstellung, die veranschaulicht,
wie man geeignetes photoelektrisches Material auf der Substratfläche entsprechend der Erfindung
ablagert,
F i g. 2 bis 4 schematische Darstellungen von Vorrichtungen zur Durchführung des erfindungsgemäßen
Verfahrens, und
F i g. 5 eine Darstellung eines erfindungsgemäß reproduzierten Bildes.
Photoelektrische Materialien sind solche, die eine elektrostatische Kraft erzeugen, wo ihre Oberfläche
belichtet wird. Dieses Phänomen ist seit einige/ Zeit bekannt. Die erzeugten Spannungen sind jedoch bis
vor kurzem sehr klein gewesen, so daß die Anwendung solcher Materialien begrenzt war. Die niedrigen Spannungswerte
hingen hauptsächlich von dem Verfahren der Herstellung solcher Oberflächen ab. Es ist jedoch
jetzt auch bekannt, daß bei Ablagerung eines Materials mit photoelektrischer Aktivität auf eine Substraifläche
die erhältliche Spannung signifikant erhöht werden kann, wenn die Substratfläche in einer Ebene liegt, die
gegenüber einer durch eine Quelle des Materials in einem Verdampfer führende Linie einen Winkel aufweist.
Beschreibungen dieser Technik und Analysen der Ergebnisse dieses Verfahrens sind den bereits genannten
Aufsätzen enthalten.
Eine Zusammenfassung des Inhalts dieser Veröffentlichungen lehrt, daß die Ablagerung eines geeigneten
Materials, wie z. B. Germanium, Silicium, Siliciumkohlcnstoff.
Cadmiumsulfid unter anderem stattfinden kann, wenn eine Quelle geeigneten Materials in einem
Tiegel vorgesehen wird, der in einem Vakuum erhitzt und unter einem Substratmaterial angeordnet wird.
Zwischen der Quelle und dem Substrat ist eine metallische Abschirmung angeordnet, um die Einwirkung des
erhitzten Materialdampfes auf die Substratfläche zu steuern.
Dies ist in F i g. 1 dargestellt, wo ein Tiegel 2, weleher
eine Quelle geeigneten Materials enthält, unter einem metallischen Schirm 4 angeordnet ist, der eine
Öffnung 6 aufweist. Eine Substratfläche 8, die aus einem metallischen oder leitenden Material bestehen kann,
wird so gehalten, daß ihre Mittellinie 10 einen Winkel Θ mit einer Linie 12 bildet, die sich senkrecht durch den
Tiegel 2 erstreckt. Die oben erwähnten Artikel sehen Absperrorgane für ein Vakuum vor, welches in einem
Bereich von 104 bis 108 Torr gehalten werden soll. Die
Dicke der abgelagerten Schicht kann zwischen 0,5 und 50 Mikrometer variieren und einen Widerstandswert
von größer als 1010 Ohm/cm haben. Der Winkel zwischen der Ebene des Substrats und einer Linie durch
den Tiegel variiert in Abhängigkeit von dem benutzten Material zwischen 10° und 60°. Es soll erwähnt werden,
daß zum Erreichen von Spannungen, die höher als die der Bandbreite des Materials sind, die Ablagerung nicht
unter rechtem Winkel stattfinden sollte, und zwar deswegen (in Übereinstimmung mit einer Theorie), weil
die Ablagerung unter einem Winkel dazu führt, daß das Material mit »wiederholten Schichtfehlern« (»repetitive
stacking faults«) abgelagert wird oder, anders ausgedrückt, derart abgelagert wird, als ob eine große Zahl
von Einzelkristallen anstatt eines einzelnen Kristalls vorhanden ist.
Über die oben und in den zitierten Artikeln erwähnten Materialien hinaus kann eine große Zahl von Materialien
mit photoelektrischer Aktivität benutzt werden. Hierzu gehören ZnS, ZnSe. ZnTe, CdSe, CdTc, Sb. SbS,
SbTe, Se, Bi. BiS und BiTe.
Ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Reproduktion von Bildern mittels photoelektrischer Materialien
ist in F i g. 2 bis 4 dargestellt. Diese Darstellungen sind schematisch, da offensichtlich zahlreiche Abwandlungen
bei den Einzelheiten des Aufbaus in der Vorrichtung für den auf diesem Gebiet arbeitenden Fachmann
möglich sind. Entsprechend F i g. 2 wird eine Schicht 14 aus photoelektrischem Material auf der Substratfläche
8 entsprechend de,η beschriebenen Verfahren abgelagert, um eine Belichtungsplatte zu bilden, welche
auf beliebige Weise in geeignetem Abstand von einem Original angeordnet werden kann, dessen Bild reproduziert
werden soll. Das Original 16 kann die Form eines Dokuments mit Text, Photografien, Zeichnungen
od. dgl. sein. Das Original kann auch ein dreidimensionales Objekt sein, so daß das Verfahren und die Vorrichtung
nach Art einer »Kamera« verwendet werden kann.
Unabhängig von der Form des Originals 16 wird es relativ dunkle Bereiche und relativ helle Bereiche aufweisen,
die mit Bezugsziffern 18 bzw. 20 bezeichnet sind. Sichtbares Licht kann von Quellen 22 zugeführt
werden, die beim Anschalten Licht erzeugen, das von dem Original 16 reflektiert wird.
Das reflektierte Licht wird durch ein geeignetes optisches Linsensystem, schematisch dargestellt durch eine
Linse 24, auf die Belichtungsplatte 8 und die photoelektrische Schicht 14 fokusiert. Die Wirkung des auf die
Oberfläche des Materials 14 einfallenden Lichts ist die Erzeugung einer Spannung über dieser Oberfläche, die
als Funktion des einfallenden Lichts variiert. Der Bereich 18 des Originals reflektiert, da er relativ dunkel
ist, wenig oder kein Licht, so daß ein entsprechender Bereich 26 auf der Oberfläche der Schicht 14 wenig
oder keine Spannung entwickelt, während relativ helle Bereiche 20 mehr Licht reflektieren und der entsprechende
Bereich 28 auf der Oberfläche der Schicht 14 größere Spannungen entwickelt.
Die entwickelten Spannungen sind negativ, d. h. die Spannung an der Oberfläche, welche der Teil der
Schicht ist, der der Materialquelle während der Bildung der Schicht am nächsten ist, ist negativ in bezug auf das
Material an der Substratfläche. Bei der Ausführungsform entsprechend der F i g. 2 sind die Bereiche 26 in
bezug auf die Bereiche 28 positiv.
Wenn das Licht entfernt wird, ist ein bestimmter Zeilbetrag zum Verschwinden der erzeugten Spannungen
erforderlich, da sie exponentiell über eine Periode von wenigstens einer Größenordnung von 10 Sekunden
oder mehr abfallen.
Während dieser Periode, während der die Spannung an der Oberfläche der Schicht 14 erscheint, kann das
latente elektrostatische Abbild des Originals, das erzeugt wurde, entwickelt werden, um ein sichtbares Abbild
darzustellen, welches übertragen oder anderweitig auf geeignetes Kopierpapier gedruckt werden kann.
Die Entwicklungsphase wird durch die Vorrichtung entsprechend F i g. 3 verwirklicht, welche eine Quelle
32 von geladenem clekiroskopischein oder Farbpigmcntmaterial
zeigt, von der aus die Oberfläche der Schicht 14 bestäubt oder beschichtet werden kann.
Wenn ein »positives« Abbild erzeugt werden soll, wird
das ausgewählte Farbpigmcntmatcrial positiv geladen verwendet, so daß es beim Aufbringen auf die Oberfläche
von den negativ geladenen Teilen der Oberfläche angezogen wird. Wenn andererseits ein »negatives«
Abbild gewünscht wird, wird ein negativ geladenes Farbpigment material benutzt.
Um das Abbild auf einem Kopierblatt zur Benutzung zu reproduzieren, kann ein solches mit adhäsivem Material
bedecktes Blatt 34 in Berührung mit der jct/.t entwickelten Oberfläche der Schicht 14 gebracht werden,
um das mittels des Farbpigmentmusiers geformte Abbild
auf das Kopierblatt zu übertragen. F i g. 5 stellt eine Kopie eines Originals dar, welches auf einem Kopierblatt
34 erscheint.
Wie oben ausgeführt wurde, können zahlreiche Ab Wandlungen von den dargestellten Ausführungsbeispie
len vom Fachmann vorgenommen werden. Zum Hei spiel kann die Oberfläche 14 auf einer als Trommel aus
gebildeten Substratflache geformt werden und voi einer Belichtungsstcllung zu einer Entwicklungsslcllunj
und dann zu einer Druckstellung gedreht werden. An derc Variationen der Vorrichtung schließen die AbIa
gcrung des photoclcktrischen Materials auf einem lci
ίο tendcn .Substratband und die Bewegung in Belichtungs
und Entwicklungsstcllungcn zur Fr/.eugung eines Ne gativs ein, welches von dem Band abgenommen und it
einer anderen Einrichtung als Vorlage verwendet wer den kann.
Claims (8)
1. Verfahren zur Herstellung von Bildern, bei welchem zunächst eine photoelektrische Schicht mit
stoffeigener Aufladung gebildet wird, auf welcher durch Lichteiiiwirkung ein latentes elektrostatisches
Bild des abzubildenden Gegenstands erzeugt wird, welches anschließend zum fertigen Bild entwickelt
wird, dadurch gekennzeichnet, daß die photoelektrische Schicht durch Bedampfen im Vakuum
auf einer Substratfläche unter spitzem Einfallswinkel zu dieser Fläche abgelagert und das
durch Lichteinwirkung erzeugte latente elektrostatische Büd im Tonerverfahren entwickelt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß für die photoelektrische Schicht ZnS, ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, Sb, SbS, SbTe, Se. Bi, BiS
oder BiTe verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die photoelektrische Schicht
durch Bedampfen im Vakuum auf einer Substratfläche unter einem Winkel zwischen 10° und 60° abgelagert
wird.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das durch Lichteinwirkung
erzeugte latente elektrostatische Bild nach Abschalten des Lichtes in einem Zeitraum von mindestens
10 Sekunden exponentiell abfällt und innerhalb dieses Zeitraums das latente Bild im Tonerverfahren
entwickelt wird.
5. Vorrichtung zur Herstellung von Bildern mit einer Substratfläche, auf der eine mit stoffeigener
Aufladung versehene photoelektrische Schicht angeordnet ist, mit einer Einrichtung zur Projektion
des herzustellenden Bildes auf die photoelektrische Schicht und mit einer Einrichtung zur Aufbringung
einer Entwicklungssubstanz auf die photoelektrische Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die auf
der Substratfläche (8) angeordnete photoelcktrischc Schicht (14) wiederholte Stapelfehler aufweist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht aus ZnS, ZnSc, ZnTe,
CdSe, CdTe, Sb, SbS, SbTe. Se, Bi, BiS oder BiTe besteht.
7. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (14) eine Dicke
zwischen 0.5 und 50 μιη aufweist.
8. Vorrichtung nach den Ansprüchen 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (14) einen
Widerstandswert größer als 1010 Ohm/cm hat.
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EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |