DE19634120A1 - Neuartige Dünnschichten für die Mikrosystemtechnik - Google Patents
Neuartige Dünnschichten für die MikrosystemtechnikInfo
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Description
Die Erfindung betrifft neuartige Dünnschichten für die
Mikrosystemtechnik und Mikrostrukturierung, die in vielfältiger Weise
innerhalb dieser Technologien zum Einsatz gelangen können.
Bislang nach dem Stand der Technik in der Mikrosystemtechnik und
Mikrostrukturierung eingesetzte Dünnschichten, bspw. zur Erzeugung
von Membranen, Kontakt- und Leitbahnschichtsystemen, basieren auf
dem Einsatz anorganischer Schichten, wie häufig verwendeter Schichten
aus SiO₂, Si₃N₄, Al₂O₃, und Metallschichten bzw.
Metallschichtsystemen. Zur Erzeugung der gewünschten Strukturen
kommen dabei gesundheitsschädigende und giftige Chemikalien, wie z. B.
starke Säuren, Laugen und Oxidationsmittel zum Einsatz oder es sind
äußerst kostenaufwendige Prozesse, wie reaktives Ionen- bzw.
Plasmaätzen erforderlich (S. Büttgenbach, Mikromechanik, B. G.
Teubner Stuttgart, 1994). Die einzigen organischen Schichten, die
innerhalb dieser Strukturerzeugungsprozesse Verwendung finden, sind
Fotoresiste, die nach der Übertragung der gewünschten Struktur in die zu
strukturierende Schicht in der Regel wieder entfernt werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Dünnschichten anzugeben,
die sich problemloser und kostengünstiger als bislang übliche Schichten
herstellen lassen und die Verwendung der vorhandenen Technologien der
Mikrostrukturierung zulassen.
Die Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des ersten
Patentanspruchs gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind durch die
nachgeordneten Ansprüche erfaßt.
Es wurde gefunden, daß im Bereich der Mikrostrukturierung bislang zum
Einsatz gelangende, strukturierbare Maskierungsschichten, wie
Fotoresistschichten, allein durch ihre Anwesenheit lokal die
Eigenschaften von Biopolymerfilmen, z. B. Gelatine, Agarose, Dextrose
und Lipide, beeinflussen können. Überraschend wurde weiterhin
gefunden, daß sich solche Biopolymerfilme auch in dem für die
Dünnschichttechnik relevanten Dickenbereich von 30 nm-3 µm in sehr
hoher Qualität herstellen lassen. Die Schichtdicken lassen sich durch das
an sich bekannte spin-coating aus Lösungen mit einem Feststoffgehalt
von 1-30%, im Bereich von einigen 10 nm reproduzieren. Die so
aufgetragenen Schichten sind selbst in diesem extremen
Dünnschichtbereich unerwarteter Weise homogen und defektfrei. Ebenso
halten sie im weiteren Prozeß der Mikrostrukturierung häufig
erforderlichen Temperschritten bis 250°C ohne
Degradationserscheinungen problemlos Stand.
Der Hauptvorteil dieser Schichten aus Biopolymeren besteht jedoch in
ihrer enzymatischen Abbaubarkeit, was eine hohe Spezifität des Abbaus
zur Folge hat, der in der Regel unter moderaten Bedingungen, bei
Raumtemperatur, in Lösungen mit pH-Werten vorzugsweise zwischen
4-9, erfolgt. Grundsätzlich bieten Biopolymere den Vorteil, daß sie
definierte Funktionen zur kovalenten oder auch nichtkovalenten
Ankopplung von weiteren Molekülen und Schichten bieten, so kann
bspw. an eine Gelatineschicht über Amino-, Carboxy-, Thiofunktionen
als auch über Wasserstoffbrückenbindungen gekoppelt werden.
Weiterhin ist es problemlos möglich, Biopolymere zu vernetzen (z. B.
mittels Glutardialdehyds bei Vorliegen von freien Keto-, Amino-,
Hydroxygruppen) und damit die Eigenschaften der erzeugten Schicht
entsprechend zu verändern, so wird z. B. aus wasserlöslicher Gelatine
nach dem Quervernetzen ein nicht wasserlösliches Material, in dem
Moleküle eingeschlossen oder aber an das diese kovalent und
nichtkovalent gebunden werden können. Je nach Ausbildung können die
vorgeschlagenen Dünnschichten im vorgesehenen Anwendungsgebiet zu
vielfältigen Zwecken verwendet werden. Eine nähere Illustration dieser
Anwendungsmöglichkeiten wird in folgenden Ausführungsbeispielen
aufgezeigt.
In einem ersten Ausführungsbeispiel wird die Eigenschaft von Enzymen
als hochspezifische Katalysatoren angewandt, um eine freitragende
Novolacstruktur unter Einsatz einer aus Gelatine bestehenden
biopolymeren Dünnschicht zu erzeugen. Dazu wird auf einen gereinigten
Siliziumwafer eine ca. 200 nm dicke Gelatineschicht durch
Aufschleudern (spin-coating) aufgebracht. Im Beispiel wird diese Schicht
durch in Wasser gelöste Gelatine (10% v/v), die mit 5% Glutardialdehyd
versetzt wird gebildet. Diese Schicht ist nicht wasserlöslich und gegen
übliche Fotolackentwickler resistent. Auf diese Schicht wird ebenfalls
mittels spin-coating eine handelsübliche Fotoumkehrresist aufgebracht.
Die Fotoresistschicht wird nach Vorschrift behandelt, entsprechend ihrer
später gewünschten Struktur maskiert, belichtet und strukturiert. Der
gesamte Schichtverbund in einen Behälter mit einem enzymatisches Bad
eingebracht. Im Falle der Verwendung von Gelatine für die
Biopolymerschicht besteht das enzymatische Bad bevorzugt aus einem
Protease K-Puffer, der im wesentlichen durch 10% SDS, 10 mM NaCl,
10 mM EDTA und Tris-HCl gebildet wird und dem 10 mg/ml Protease K
zugegeben sind. Der pH-Wert dieses Bades ist auf 8,5 eingestellt. Unter
Einsatz eines solchen enzymatischen Bades erfolgt der vollständige
Abbau der ca. 200 nm dicken Gelantineschicht bei Raumtemperatur
innerhalb von ca. 8 h. In diesem Beispiel fand die Biopolymerschicht
Anwendung als Opferschicht zur Generierung einer freitragenden
Novolacstruktur.
In einem zweiten Ausführungsbeispiel, bei dem wieder von einem nach
dem ersten Beispiel ausgebildeten Schichtverbund aus Gelatine und
einem Fotoresist ausgegangen wird, wird die Eigenschaft von Enzymen
als hochspezifische Katalysatoren, die in ihrer Funktion durch geeignete
Inhibitoren bzw. Kompetitoren gehemmt werden, angewandt. So bindet
Diazonaphtochinon, die in AZ-Fotoresists übliche fotosensitive
Komponente, an OH-Gruppen der Gelatine und hindert somit eine in
einer Pufferlösung eingesetzte Protease am Abbau. Beim Belichten
wandelt sich das Diazonaphtochinon in eine Carboxylsäure um, die als
Salz aus der Gelatine gelöst wird, so kann an solchen Stellen der Abbau
ungehindert erfolgen. Der Abbau erfolgt somit in Analogie zu bisherigen
selektiven Ätztechniken "anisotrop". An Stellen, an denen der Inhibitor
nach wie vor vorhanden ist, ist die Abbaugeschwindigkeit deutlich
herabgesetzt. Damit ist der Einsatz von Biopolymeren und den jeweils
passenden Abbau- bzw. Modifikationsenzymen sowohl als
mikrosystemtechnische Komponente als auch als Maskenmaterial
gegeben.
In einem dritten Ausführungsbeispiel besteht die Möglichkeit, die
Biopolymerdünnschichten mit einem lichtempfindlichen Zusatz (z. B.
Diazonaphtochinon) zu versetzen und damit eine Schicht zu schaffen, die
selbst als Fotoresist einsetzbar ist. Voraussetzung hierfür ist, daß der
lichtempfindliche Zusatz entweder selbst als Inhibitor für das abbauende
Enzym wirkt oder an einen solchen Inhibitor gekoppelt ist. Durch diese
geschaffene Ausführungsmöglichkeit lassen sich enzymatisch
entwickelbare Fotoresists herstellen.
In einem vierten Ausführungsbeispiel soll die Herstellung einer ca.
100 nm dicken Lipidschicht beschrieben werden. Dazu wird eine Lösung
bestehend aus Phosphotidylethanolamin in Chloroform (0,1 g/ml) bei
5000 U/min in 30 s auf ein geeignetes Substrat aufgeschleudert.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel besteht die Möglichkeit, eine
Dünnschicht aus Gelatine versetzt mit einem biogenen Inhibitor der
Proteasefunktion, wie z. B. TFPI (tissue factor pathway inhibitor) 1 : 1000
Massenanteilen gemischt, mit einer Dünnschicht aus reiner Gelatine zu
überschichten. Damit ist im Falle einer nachträglichen enzymatischen
Behandlung ein Ätzstopp geschaffen. In analoger Weise kann unter
Auswahl eines für das nachträglich eingesetzte Enzym inhibierend
wirkender Substanz ein Abbaustopp in Schichten bestehend aus Agarose,
Dextrose und Lipiden eingebracht werden.
Claims (12)
1. Neuartige Dünnschichten für die Mikrosystemtechnik und
Mikrostrukturierung, dadurch gekennzeichnet, daß die Dünnschicht
aus einem enzymatisch abbaubaren Biopolymer gebildet ist und in
einem Schichtdickenbereich von 30 nm bis 3 µm vorliegt.
2. Neuartige Dünnschichten nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die enzymatisch abbaubare biopolymere Dünnschicht partiell oder
ganzflächig mit einem Inhibitor oder Kompetitor versehen ist.
3. Neuartige Dünnschichten nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die enzymatisch abbaubare biopolymere Dünnschicht
volumenmäßig durchsetzt mit einem Inhibitor oder Kompetitor
versehen ist.
4. Neuartige Dünnschichten nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die enzymatisch abbaubare biopolymere Dünnschicht mit
lichtempfindlichen Zusätzen versehen ist.
5. Neuartige Dünnschichten nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß der lichtempfindliche Zusatz durch Diazonaphtochinon gebildet
ist.
6. Neuartige Dünnschichten nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die biopolymere Dünnschicht durch Gelatine
gebildet ist.
7. Neuartige Dünnschichten nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die biopolymere Dünnschicht durch Agarose
gebildet ist.
8. Neuartige Dünnschichten nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die biopolymere Dünnschicht durch Dextrose
gebildet ist.
9. Neuartige Dünnschichten nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die biopolymere Dünnschicht durch ein Lipid
gebildet ist.
10. Neuartige Dünnschichten nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß die biopolymere Dünnschicht aus einer Lösung
mit einem Feststoffgehalt des biopolymeren Ausgangsmaterials von
1-30% mittels spin-coating in einem vorgebbaren
Schichtdickenbereich aufgebracht ist.
11. Neuartige Dünnschichten nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch
gekennzeichnet, daß die enzymatisch abbaubare biopolymere
Dünnschicht durch Zusatz thermisch aktivierbarer Reagenzien
vernetzt, insbesondere quervernetzt ist.
12. Neuartige Dünnschichten nach Anspruch 10 und 11, dadurch
gekennzeichnet, daß als thermisch aktivierbare Reagenzien
insbesondere Glutardialdehyd oder Formaldehyd eingesetzt sind, die
der das Biopolymer enthaltenden Lösung mit einem Anteil von 1-5%
zugesetzt sind.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19634120A DE19634120A1 (de) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | Neuartige Dünnschichten für die Mikrosystemtechnik |
DE19705909A DE19705909A1 (de) | 1996-08-23 | 1997-02-15 | Neuartige Dünnschichten für die Mikrosystemtechnik und Mikrostrukturierung sowie ihre Verwendung |
PCT/EP1997/004582 WO1998008086A1 (de) | 1996-08-23 | 1997-08-22 | Neuartige dünnschichten für die mikrosystemtechnik und mikrostrukturierung sowie ihre verwendung |
US09/230,975 US6821692B1 (en) | 1996-08-23 | 1997-08-22 | Kind of thin films for microsystem technology and microstructuring and their use |
EP97941958A EP0920618B1 (de) | 1996-08-23 | 1997-08-22 | Neuartige dünnschichten für die mikrosystemtechnik und mikrostrukturierung sowie ihre verwendung |
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JP51043098A JP3624382B2 (ja) | 1996-08-23 | 1997-08-22 | 微細システム技術と微細構造形成のための新規薄層ならびにその使用 |
AT97941958T ATE313078T1 (de) | 1996-08-23 | 1997-08-22 | Neuartige dünnschichten für die mikrosystemtechnik und mikrostrukturierung sowie ihre verwendung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19634120A DE19634120A1 (de) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | Neuartige Dünnschichten für die Mikrosystemtechnik |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19634120A1 true DE19634120A1 (de) | 1998-02-26 |
Family
ID=7803519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19634120A Ceased DE19634120A1 (de) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | Neuartige Dünnschichten für die Mikrosystemtechnik |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19634120A1 (de) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2245009A1 (en) * | 1973-09-21 | 1975-04-18 | Kodak Pathe | Protein contng photo resist compsn with photoisomerisable cpd - which on exposure has greater enzyme inhibiting power |
-
1996
- 1996-08-23 DE DE19634120A patent/DE19634120A1/de not_active Ceased
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2245009A1 (en) * | 1973-09-21 | 1975-04-18 | Kodak Pathe | Protein contng photo resist compsn with photoisomerisable cpd - which on exposure has greater enzyme inhibiting power |
Non-Patent Citations (3)
Title |
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Chemical Abstracts 107: 106351 * |
Chemical Abstracts 125: 45144 * |
Chemical Abstracts 84: 82561 * |
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