DE19633542A1 - Leistungsmodul - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 101100311229 Drosophila melanogaster stan gene Proteins 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
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- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Leistungsmodul für einen Stromrichter zur Umwandlung
von Gleichstromleistung in Gleichstrom- oder Wechselstromleistung und umgekehrt.
Die Fig. 7(a) und (b) zeigen schematisch in einer Schnittansicht bzw. einer Draufsicht ein
Beispiel eines bekannten Leistungsmoduls. Es enthält einen Kühlkörper 11, einen darauf befind
lichen Isolator 12, auf diesem Leitermuster (Kupfermuster) 13a-13d, Leistungstransistorchips
14a, 14b, die auf den Leitermustern 13a-13d montiert sind, Diodenchips 15a, 15b, ein Gehäuse
18 und Anschlußblöcke 19b-19d. Die Anschlußblöcke 19b-19d sind mit Anschlußflächen des
Leitermusters 13a-13d verbunden, die in Fig. 7(b) schraffiert dargestellt und mit P für positive
Elektrode, N für negative Elektrode und OUT für Ausgang bezeichnet sind.
Fig. 8 zeigt ein Beispiel eines Gleichstrom/Wechselstrom-Stromrichters, etwa eines Wechselrich
ters, der Leistungsmodule 1a-1c enthält, die je gemäß Darstellung in Fig. 7 aufgebaut sind,
sowie Stromfühler 2a-2c, einen Anschlußblock 3, eine stangenartige Verdrahtung 4a-4e und
eine Kühlplatte 5.
Zur Ermittlung des Ausgangsstroms an der Wechselstromseite des oben beschriebenen bekann
ten Stromrichters sind die Leistungsmodule 1a bis 1c über die stangenartige Verdrahtung 4c-4e
mit dem Anschlußblock 3 verbunden, wobei der Ausgangsstrom die Stromfühler 2a-2c passiert.
Fig. 9(a) zeigt ein Beispiel des Leistungsmoduls und Fig. 9(b) ein Beispiel des Stromrichters. Wie
in Fig. 9(a) gezeigt, setzt sich das Leistungsmodul aus zwei in Reihe geschalteten Antiparallel
schaltungen je aus einem Leistungstransistoren T1 (T2), etwa einem IGBT (bipolarer Transistor
mit isoliertem Gate), und einer Diode D1 (D2) zusammen. Der Stromrichter von Fig. 9(b) ist eine
3-Phasen-Anordnung mit drei Leistungsmodulen 1a-1c mit insgesamt sechs Sätzen aus Transi
stor und Diode, um einen Stromrichter, etwa einen Wechselrichter, zu bilden.
Bei dem bekannten Wechselrichter ist der Aufbau zwischen den Anschlußblöcken der
Leistungsmodule und dem Anschlußblock des Stromrichters allein dazu vorgesehen, die
Ausgangsströme der Leistungsmodule durch die Stromfühler zuführen zu können, was aber zu
einem Anstieg von Größe und Kosten des Stromrichters führt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Leistungsmodul zu schaffen, das es erlaubt, die
beschriebene Erhöhung von Größe und Kosten eines dieses Modul enthaltenden Stromrichters
zu vermeiden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Leistungsmodul mit den Merkmalen des
Patentanspruchs 1 gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Zur Lösung der gestellten Aufgabe enthält das Leistungsmodul einen Stromfühler, der mit den
anderen Elementen integriert ist, so daß ein Ausgangsanschluß des Leistungsmoduls allgemein
unverändert als Ausgangsanschluß eines Stromrichters verwendet werden kann, der in der Lage
ist, Gleichstromleistung in Wechselstromleistung umzuwandeln oder umgekehrt. Es besteht
daher keine Notwendigkeit, die oben beschriebene stangenartige Verdrahtung vorzusehen,
wodurch Größe und Kosten des Stromrichters verringert werden. Der Stromfühler kann aus
einem Reihenwiderstand bestehen, der auf einem Kühlkörper des Moduls angeordnet ist,
wodurch Größe und Kosten insbesondere des Stromfühlers verringert werden können. Der
Reihenwiderstand kann direkt auf einem Isolator der Kühlkörpers des Moduls ausgebildet
werden, wodurch Größe und Kosten des Stromfühlers weiter verringert werden. Wenn ein
Reihenwiderstand als Stromfühler verwendet wird, kann ein Trennverstärker zur Isolation des
Ausgangssignals des Reihenwiderstands eingebaut werden, so daß das Ausgangssignal weniger
der Gefahr ausgesetzt ist, von Störungen beeinflußt zu werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der schematischen Zeichnun
gen näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 den Aufbau eines ersten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung, wobei (a)
eine Querschnittsansicht ist und (b) eine Draufsicht ist,
Fig. 2 eine Ansicht des Aufbaus eines Beispiels eines das Modul von Fig. 1 verwendenden
Stromrichters,
Fig. 3 den Aufbau eines zweiten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung, wobei (a)
eine Schnittansicht ist und (b) eine Draufsicht ist,
Fig. 4 den Aufbau eines dritten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung, wobei (a)
eine Schnittansicht ist und (b) eine Draufsicht ist,
Fig. 5 den Aufbau eines speziellen Beispiels des Reihenwiderstands von Fig. 3, wobei (a)
eine Schnittansicht ist und (b) eine Draufsicht ist,
Fig. 6 den Aufbau eines gegenüber Fig. 5 modifizierten Beispiels,
Fig. 7 den Aufbau eines bekannten Leistungsmoduls, wobei (a) eine Schnittansicht ist und
(b) eine Draufsicht ist,
Fig. 8 den Aufbau eines das Modul von Fig. 7 verwendenden Stromrichters,
Fig. 9(a) ein Schaltbild eines Beispiels des Leistungsmoduls, und
Fig. 9(b) ein Schaltbild eines Beispiels eines Stromrichters.
Fig. 1 zeigt in zwei den Darstellungen der Fig. 7(a) und (b) entsprechenden Darstellungen den
Aufbau eines ersten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung. Übereinstimmende
Bezugszahlen in den Fig. 1 und 7 bezeichnen gleiche Teile, die nicht noch einmal erläutert
werden. Dies gilt ebenso für die nachfolgend beschriebenen Fig. 3 und 4.
Das Leistungsmodul des ersten Ausführungsbeispiels zeichnet sich dadurch aus, daß ein Strom
fühler 16, der einen Stromdetektor darstellt, vor dem Anschlußblock 19d eingefügt ist derart,
daß der Stromfühler 16 ein Ausgangsstrom-Meßsignal an Anschlüsse 19a (CT) liefert.
Fig. 2 zeigt einen dieses Leistungsmodul verwendenden Stromrichter. Im Vergleich mit dem
bekannten Stromrichter von Fig. 8 erkennt man, daß bei dem Stromrichter von Fig. 2 die stan
genartige Verdrahtung 4c-4e und der Anschlußblock 3 entfallen sind.
Fig. 3 zeigt den Aufbau eines zweiten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung. Diese
Ausführungsform zeichnet sich dadurch aus, daß ein Reihenwiderstand 16 als Stromfühler
verwendet wird. Obwohl der Reihenwiderstand 16, von der Wärme beeinträchtigt wird, die
entsteht, wenn ihn große Ströme durchfließen, kann dieses Problem dadurch beseitigt werden,
daß der Widerstand 16 auf dem Kühlkörper 11 des Leistungsmoduls angeordnet wird, womit
das Wärmeableitvermögen deutlich verbessert wird und damit die Größe des Reihenwiderstands
16 verringert wird.
Fig. 4 zeigt den Aufbau eines dritten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung. Dieses
Ausführungsbeispiel zeichnet sich dadurch aus, daß verglichen mit dem zweiten Ausführungs
beispiel gemäß Fig. 3 ein Trennverstärker 17 hinzugefügt wurde. Allgemein wird der Ausgangs
strom potential-getrennt erfaßt, und die Ausgangsspannung des Reihenwiderstands ist gewöhn
lich sehr klein. Wenn dem Leistungsmodul solch ein kleines Signal entnommen wird, um einer
Potentialtrennung unterzogen zu werden, besteht die Gefahr, daß das Ausgangssignal auf
seinem Weg zur Außenseite des Moduls von Störungen beeinträchtigt wird. Bei der vorliegen
den Ausführungsform ist daher der Trennverstärker 17 in dem Leistungsmodul enthalten, um
den Abstand zu verringern, über den das kleine Signal geleitet werden muß. Da das Signal an
dem Punkt, an dem es von dem Modul abgenommen wird, bereits potential-getrennt ist, besteht
keine Notwendigkeit, beispielsweise einen bestimmten Isolationsabstand zwischen einem
Signalleitermuster und dem Hauptleitermuster einzuhalten.
Fig. 5 zeigt ein spezielles Beispiel des Reihenwiderstands. Mit 161 ist eine Kupferbasis bezeich
net, mit 162 ein Isolator, mit 163 Elektroden und mit 164 ein Reihenwiderstand. Der Reihen
widerstand 164 ist unter Zwischenlage des Isolators 162 auf der Kupferbasis 161 montiert, um
die Wärmeableitung des Reihenwiderstands 164 zu verbessern. Bei der Montage dieser Bauein
heit am dem Leistungsmodul wird die Kupferbasis 161 mit den Leitermustern (Kupfermustern)
13c, 13d verlötet. Das Beispiel von Fig. 5 ist in der beschriebenen Weise aufgebaut, weil der
aus einem Dünnfilm bestehende Reihenwiderstand in isolierter Form auf der Kupferbasis ausge
bildet werden muß. Wenn die oben beschriebene Reihenwiderstands-Baueinheit an dem
Leistungsmodul montiert ist, sind jedoch die zwei unter dem Reihenwiderstand 16 angeordneten
Isolatoren redundant. Der Reihenwiderstand 164 kann daher gemäß Darstellung in Fig. 6 direkt
auf dem Isolator 12 des Leistungsmoduls ausgebildet werden, wodurch die Kupferbasis 161
und der Isolator 162 von Fig. 5 entfallen können, während die mechanische Festigkeit erhöht
wird. Als Ergebnis können die Größe sowie die Kosten weiter reduziert werden, da der thermi
sche Widerstand hin zum Kühlkörper 11 gesenkt ist.
Während das voranstehend beschriebene Leistungsmodul zwei Sätze von Transistor und Diode
aufweist, ist die vorliegende Erfindung gleichermaßen anwendbar auf ein Leistungsmodul mit
sechs Sätzen von Transistor und Diode (entsprechend einem Satz von Leistungsmodulen 1a, 1b,
1c wie in den Fig. 2 und 8 gezeigt). Bei dem Leistungstransistor kann es sich um einen bipola
ren Transistor oder eine unipolare Halbleitervorrichtung wie etwa einen MOSFET handeln. Der
beschriebene Stromrichter kann ein Leistungsgleichrichter mit einem pulsbreitenmodulierten
Stromrichter oder ein Leistungswechselrichter sein.
Claims (5)
1. Leistungsmodul, bei eine Leistungs-Halbleitervorrichtung (14a, 14b, 15a, 15b), ein
Stromfühler (16) zur Messung eines die Leistungs-Halbleitervorrichtung durchfließenden Stroms
und ein Anschlußblock (19d), der als Ausgangsanschluß einer die Leistungs-Halbleitervorrich
tung verwendenden Vorrichtung verwendbar ist, als eine Einheit ausgebildet sind.
2. Leistungsmodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein auf einem Kühl
körper (161; 11) angeordneter Reihenwiderstand (164) den Stromfühler darstellt.
3. Leistungsmodul nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß es einen Trennver
stärker (17) zur Isolation der Ausgangsspannung des Reihenwiderstands (16) enthält.
4. Leistungsmodul nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Reihen
widerstand (164) direkt über einen Isolator (12) auf einem Kühlkörper (11) des Stromrichters
ausgebildet ist.
5. Verwendung des Leistungsmoduls nach einem der Ansprüche 1 bis 4 als Bestandteil
eines Stromrichters zur Umsetzung von Gleichstrom in Wechselstrom veränderbarer Spannung
und/oder veränderbarer Frequenz und umgekehrt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7218436A JPH0965662A (ja) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | パワーモジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19633542A1 true DE19633542A1 (de) | 1997-03-06 |
Family
ID=16719890
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19633542A Withdrawn DE19633542A1 (de) | 1995-08-28 | 1996-08-20 | Leistungsmodul |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0965662A (de) |
DE (1) | DE19633542A1 (de) |
GB (1) | GB2305028A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016177528A1 (de) * | 2015-05-06 | 2016-11-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungsmodul sowie verfahren zum herstellen eines leistungsmoduls |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3826749B2 (ja) * | 2001-08-22 | 2006-09-27 | 株式会社日立製作所 | シャント抵抗を備えた電力変換装置 |
CN1478319B (zh) | 2001-09-25 | 2010-04-21 | 大金工业株式会社 | 相电流检测装置 |
JP2003218318A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体パワーモジュール、半導体パワーモジュールに用いる絶縁基板及び該絶縁基板の製造方法 |
JP3975162B2 (ja) * | 2002-12-20 | 2007-09-12 | トヨタ自動車株式会社 | インバータ装置およびそれを用いた電動機一体インバータ装置 |
DE102018109803A1 (de) | 2018-04-24 | 2019-10-24 | Schaeffler Technologies AG & Co. KG | Leistungselektronikeinheit mit integriertem Stromsensor zur Ausbildung eines Moduls; sowie Antriebsstrang |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3710193A (en) * | 1971-03-04 | 1973-01-09 | Lambda Electronics Corp | Hybrid regulated power supply having individual heat sinks for heat generative and heat sensitive components |
US4007401A (en) * | 1974-09-09 | 1977-02-08 | Westinghouse Electric Corporation | Current sensitive circuit protection system |
DE2724176B2 (de) * | 1977-05-27 | 1979-06-13 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Gleichstromversorgungssystem |
US4965710A (en) * | 1989-11-16 | 1990-10-23 | International Rectifier Corporation | Insulated gate bipolar transistor power module |
JPH0834709B2 (ja) * | 1990-01-31 | 1996-03-29 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路及びそれを使つた電動機制御装置 |
-
1995
- 1995-08-28 JP JP7218436A patent/JPH0965662A/ja active Pending
-
1996
- 1996-08-20 DE DE19633542A patent/DE19633542A1/de not_active Withdrawn
- 1996-08-28 GB GB9617939A patent/GB2305028A/en not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016177528A1 (de) * | 2015-05-06 | 2016-11-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungsmodul sowie verfahren zum herstellen eines leistungsmoduls |
US10763244B2 (en) | 2015-05-06 | 2020-09-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Power module having power device connected between heat sink and drive unit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2305028A (en) | 1997-03-26 |
GB9617939D0 (en) | 1996-10-09 |
JPH0965662A (ja) | 1997-03-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8141 | Disposal/no request for examination |